JPH06326153A - チップデバイス - Google Patents
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- JPH06326153A JPH06326153A JP11253193A JP11253193A JPH06326153A JP H06326153 A JPH06326153 A JP H06326153A JP 11253193 A JP11253193 A JP 11253193A JP 11253193 A JP11253193 A JP 11253193A JP H06326153 A JPH06326153 A JP H06326153A
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- Wire Bonding (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、ボンディングワイヤ−を必要とせ
ず、バンプ溶融のための熱処理を必要とせず、振動によ
るバンプずれの懸念もなく、バンプの圧着による割れも
なく、バンプの熱溶融そして封止板の高温半田封止によ
るパッケ−ジ基板とチップエレメントとの熱膨張係数の
差によるチップ割れも生じないチップエレメントを提供
することを目的とする。 【構成】 パッケ−ジ基板の引出電極と、チップエレメ
ントの入出力接続用電極パッドとに、柔軟バンプもしく
は尖鋭バンプのいずれかを相互に設け、この柔軟バンプ
と尖鋭バンプとの突き刺さり食い込みにより、パッケ−
ジ基板の引出電極とチップエレメントの入出力接続用電
極パッドとの電気的接続を弾性的に行う。
ず、バンプ溶融のための熱処理を必要とせず、振動によ
るバンプずれの懸念もなく、バンプの圧着による割れも
なく、バンプの熱溶融そして封止板の高温半田封止によ
るパッケ−ジ基板とチップエレメントとの熱膨張係数の
差によるチップ割れも生じないチップエレメントを提供
することを目的とする。 【構成】 パッケ−ジ基板の引出電極と、チップエレメ
ントの入出力接続用電極パッドとに、柔軟バンプもしく
は尖鋭バンプのいずれかを相互に設け、この柔軟バンプ
と尖鋭バンプとの突き刺さり食い込みにより、パッケ−
ジ基板の引出電極とチップエレメントの入出力接続用電
極パッドとの電気的接続を弾性的に行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、パッケ−ジ基板とチ
ップエレメントとの接続構造を改良したチップデバイス
に関する。
ップエレメントとの接続構造を改良したチップデバイス
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のチップデバイスとして
は、図５に示すようなボンディングワイヤ−接続構造の
ものがある。同図において、１１はキャビティを有する
パッケ−ジ基板で、このパッケ−ジ基板１１にはキャビ
ティの内側から外側に至る引出電極１１ａが設けられ、
そしてチップエレメント１２が載置されて封止板１３で
密閉されている。ここに、チップエレメント１２は種々
の電子回路を搭載しており、その入出力は入出力接続用
電極パッド１２ｂに導出されている。そして、この入出
力接続用電極パッド１２ｂと引出電極１１ａとは、ボン
ディングワイヤ−１１ｄにより接続されている。
は、図５に示すようなボンディングワイヤ−接続構造の
ものがある。同図において、１１はキャビティを有する
パッケ−ジ基板で、このパッケ−ジ基板１１にはキャビ
ティの内側から外側に至る引出電極１１ａが設けられ、
そしてチップエレメント１２が載置されて封止板１３で
密閉されている。ここに、チップエレメント１２は種々
の電子回路を搭載しており、その入出力は入出力接続用
電極パッド１２ｂに導出されている。そして、この入出
力接続用電極パッド１２ｂと引出電極１１ａとは、ボン
ディングワイヤ−１１ｄにより接続されている。
【０００３】また、従来、図６に示すようなフリップチ
ップタイプ接続構造のものがある。同図において、１２
ｅは入出力接続用電極パッド１２ｂの上に半田などの導
電性材料で形成されたバンプで、このバンプ１２ｅを引
出電極１１ａの上に置いてこれを熱溶融させて入出力接
続用電極パッド１２ｂと引出電極１１ａとの接続をはか
るものである。
ップタイプ接続構造のものがある。同図において、１２
ｅは入出力接続用電極パッド１２ｂの上に半田などの導
電性材料で形成されたバンプで、このバンプ１２ｅを引
出電極１１ａの上に置いてこれを熱溶融させて入出力接
続用電極パッド１２ｂと引出電極１１ａとの接続をはか
るものである。
【０００４】また、従来、図７に示すような接続構造の
ものがある。これは、チップエレメント１２の入出力接
続用電極パッド１２ｂ上、もしくはパッケ−ジ基板１１
の引出電極１１ａ上にバンプ１２ｅを置いて、封止板１
３で押さえて接続する。この場合、バンプ１２ｅに導電
性弾性体もしくは圧着金属を使用したものである。
ものがある。これは、チップエレメント１２の入出力接
続用電極パッド１２ｂ上、もしくはパッケ−ジ基板１１
の引出電極１１ａ上にバンプ１２ｅを置いて、封止板１
３で押さえて接続する。この場合、バンプ１２ｅに導電
性弾性体もしくは圧着金属を使用したものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の図５
に示すボンディングワイヤ−接続構造のものは、特別に
ワイヤ−ボンディング工程を必要とし、またワイヤ−ボ
ンディング施工のために、パッケ−ジ基板１１のキャビ
ティの面および高さ方向に余分なスペ−スが必要とな
り、小形化を阻む要因となる。また、ボンディングワイ
ヤ−が多い場合にはコスト高となり、信頼性にも問題が
生じる。
に示すボンディングワイヤ−接続構造のものは、特別に
ワイヤ−ボンディング工程を必要とし、またワイヤ−ボ
ンディング施工のために、パッケ−ジ基板１１のキャビ
ティの面および高さ方向に余分なスペ−スが必要とな
り、小形化を阻む要因となる。また、ボンディングワイ
ヤ−が多い場合にはコスト高となり、信頼性にも問題が
生じる。
【０００６】また、上記の図６に示すフリップチップ接
続構造のものは、高温処理によりバンプ１２ｅを溶かす
ので、熱に弱いチップエレメント１２の場合には問題が
生じることになる。また、バンプ１２ｅとして半田を使
用する場合には、チップ表面を汚染させ、特に表面波素
子のときには特性を劣化させるという問題がある。
続構造のものは、高温処理によりバンプ１２ｅを溶かす
ので、熱に弱いチップエレメント１２の場合には問題が
生じることになる。また、バンプ１２ｅとして半田を使
用する場合には、チップ表面を汚染させ、特に表面波素
子のときには特性を劣化させるという問題がある。
【０００７】また、上記図７に示す接続構造のものは、
特に、バンプ１２ｅが導電性弾性体のときはパッケ−ジ
基板１１とチップエレメント１２とのアロ−ワンスのた
めに、振動等によりバンプ１２ｅがずれるという懸念が
あり、また、バンプ１２ｅが圧着金属であるときは圧着
によりチップエレメント１２が割れるという懸念があ
る。
特に、バンプ１２ｅが導電性弾性体のときはパッケ−ジ
基板１１とチップエレメント１２とのアロ−ワンスのた
めに、振動等によりバンプ１２ｅがずれるという懸念が
あり、また、バンプ１２ｅが圧着金属であるときは圧着
によりチップエレメント１２が割れるという懸念があ
る。
【０００８】したがって、本発明は、従来のように、ボ
ンディングワイヤ−を必要とせず、バンプ溶融のための
熱処理を必要とせず、振動によるバンプずれの懸念もな
く、バンプの圧着による割れもなく、バンプの熱溶融そ
して封止板の高温半田封止によるパッケ−ジ基板とチッ
プエレメントとの熱膨張係数の差によるチップ割れもな
いチップデバイスを提供することを目的とする。
ンディングワイヤ−を必要とせず、バンプ溶融のための
熱処理を必要とせず、振動によるバンプずれの懸念もな
く、バンプの圧着による割れもなく、バンプの熱溶融そ
して封止板の高温半田封止によるパッケ−ジ基板とチッ
プエレメントとの熱膨張係数の差によるチップ割れもな
いチップデバイスを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】したがって、本発明は、
上記目的を達成するために、キャビティを備えたパッケ
−ジ基板内にチップエレメントが収納されて封止板で封
止されているチップデバイスにおいて、前記パッケ−ジ
基板はキャビティ−の内側から外側に至るチップ引出電
極を有し、前記チップエレメントはチップ基板に入出力
接続用電極パッドを有し、前記キャビティ内にあるチッ
プ引出電極上と入出力接続用電極パッドとのいずれか一
方に柔軟バンプ、他方に尖鋭バンプが設けられ、前記尖
鋭バンプを前記柔軟バンプに突き刺すようにして、チッ
プエレメントがパッケ−ジ基板内に収納され封止板で封
止されているチップデバイスとしたものである。。
上記目的を達成するために、キャビティを備えたパッケ
−ジ基板内にチップエレメントが収納されて封止板で封
止されているチップデバイスにおいて、前記パッケ−ジ
基板はキャビティ−の内側から外側に至るチップ引出電
極を有し、前記チップエレメントはチップ基板に入出力
接続用電極パッドを有し、前記キャビティ内にあるチッ
プ引出電極上と入出力接続用電極パッドとのいずれか一
方に柔軟バンプ、他方に尖鋭バンプが設けられ、前記尖
鋭バンプを前記柔軟バンプに突き刺すようにして、チッ
プエレメントがパッケ−ジ基板内に収納され封止板で封
止されているチップデバイスとしたものである。。
【００１０】
【作用】パッケ−ジ基板とチップエレメントに柔軟バン
プと尖鋭バンプとのいずれかを相互に設けて、この両者
の突き刺さり食い込みにより、パッケ−ジ基板とチップ
エレメントとの電気的接続を弾性的に行っているので、
パッケ−ジ基板とチップエレメントとの熱膨張係数が違
う場合でも、また振動によってこれらがずれた場合で
も、またパッケ−ジ基板における寸法とチップエレメン
トの厚みにばらつきが生じた場合でも、柔軟バンプと尖
鋭バンプとの電気的接続は保持される。
プと尖鋭バンプとのいずれかを相互に設けて、この両者
の突き刺さり食い込みにより、パッケ−ジ基板とチップ
エレメントとの電気的接続を弾性的に行っているので、
パッケ−ジ基板とチップエレメントとの熱膨張係数が違
う場合でも、また振動によってこれらがずれた場合で
も、またパッケ−ジ基板における寸法とチップエレメン
トの厚みにばらつきが生じた場合でも、柔軟バンプと尖
鋭バンプとの電気的接続は保持される。
【００１１】
【実施例】 次に、本発明を図面を参照して説明する。
図１および図２において、１は一面解放のキャビティ構
造のパッケ−ジ基板で、このパッケ−ジ基板１の底面に
はその内側から外側に至る引出電極１ａが設けられ、こ
のパッケ−ジ基板１の内側の引出電極１ａ上には、図３
により詳細に示すように、例えば、柔軟性を有する導電
性シリコ−ンゴム等の導電性材料からなる柔軟バンプ１
ｂがディスペンサにより設けられている。
図１および図２において、１は一面解放のキャビティ構
造のパッケ−ジ基板で、このパッケ−ジ基板１の底面に
はその内側から外側に至る引出電極１ａが設けられ、こ
のパッケ−ジ基板１の内側の引出電極１ａ上には、図３
により詳細に示すように、例えば、柔軟性を有する導電
性シリコ−ンゴム等の導電性材料からなる柔軟バンプ１
ｂがディスペンサにより設けられている。
【００１２】図１および図２において、２はチップエレ
メントで、図４により詳細に示すように、そのチップ基
板２ａには表面波フィルタ回路のインタ−デジタル電極
（図示せず）の入出力接続用電極パッド２ｂが設けら
れ、この入出力接続用電極パッド２ｂ上には、尖鋭バン
プ２ｃが設けられている。この尖鋭バンプ２ｃは、図４
Ｂに示すように、先が適当に尖り、ある程度の強度を持
つ金属などの導電体から構成され、例えば、ボ−ルボン
ダ−とバンピングワイヤ−等で形成される。ここに、チ
ップ基板２ａ、電極パッド２ｂおよび尖鋭バンプ２ｃの
高さＨ1 は、パッケ−ジ基板１の側壁１ｄの有効高さＨ
2 より小さくしておく。しかし、Ｈ1 と柔軟バンプ１ｂ
の高さＨ3 （図示せず）との合計は、Ｈ2 よりやや大き
くしておき、Ｈ1 やＨ2 の高さが製造上ばらついたとき
のクリアランスとするものである。
メントで、図４により詳細に示すように、そのチップ基
板２ａには表面波フィルタ回路のインタ−デジタル電極
（図示せず）の入出力接続用電極パッド２ｂが設けら
れ、この入出力接続用電極パッド２ｂ上には、尖鋭バン
プ２ｃが設けられている。この尖鋭バンプ２ｃは、図４
Ｂに示すように、先が適当に尖り、ある程度の強度を持
つ金属などの導電体から構成され、例えば、ボ−ルボン
ダ−とバンピングワイヤ−等で形成される。ここに、チ
ップ基板２ａ、電極パッド２ｂおよび尖鋭バンプ２ｃの
高さＨ1 は、パッケ−ジ基板１の側壁１ｄの有効高さＨ
2 より小さくしておく。しかし、Ｈ1 と柔軟バンプ１ｂ
の高さＨ3 （図示せず）との合計は、Ｈ2 よりやや大き
くしておき、Ｈ1 やＨ2 の高さが製造上ばらついたとき
のクリアランスとするものである。
【００１３】次に、以上のような構造よりなる部材の組
み立て方法について説明する。図２に示すように、チッ
プエレメント２をパッケ−ジ基板１のキャビティの中へ
フェ−スダウン方式で挿入する。このとき、柔軟バンプ
１ｂと尖鋭バンプ２ｃとは、上下で合わされる位置に設
けられている。そして、チップエレメント２の上に封止
板３を重ねて、パッケ−ジ基板１の上端１ｃと封止板３
とが接触するように荷重をかける。このとき、尖鋭バン
プ２ｃの尖端は、柔軟バンプ１ｂに突き刺さるように食
い込み、柔軟バンプ１ｂと尖鋭バンプ２ｃとは電気的に
接続される。それから、封止板３とパッケ−ジ基板１の
上端１ｃとの接触部を接着材もしくは溶接や半田等で封
止して、図１に示すチップデバイスが完成する。
み立て方法について説明する。図２に示すように、チッ
プエレメント２をパッケ−ジ基板１のキャビティの中へ
フェ−スダウン方式で挿入する。このとき、柔軟バンプ
１ｂと尖鋭バンプ２ｃとは、上下で合わされる位置に設
けられている。そして、チップエレメント２の上に封止
板３を重ねて、パッケ−ジ基板１の上端１ｃと封止板３
とが接触するように荷重をかける。このとき、尖鋭バン
プ２ｃの尖端は、柔軟バンプ１ｂに突き刺さるように食
い込み、柔軟バンプ１ｂと尖鋭バンプ２ｃとは電気的に
接続される。それから、封止板３とパッケ−ジ基板１の
上端１ｃとの接触部を接着材もしくは溶接や半田等で封
止して、図１に示すチップデバイスが完成する。
【００１４】上記実施例では、柔軟バンプ１ｂがパッケ
−ジ基板１に、尖鋭バンプ２ｃがチップエレメント２
に、それぞれ設けられた場合を示したが、この反対に、
柔軟バンプ１ｂをチップエレメント２に、尖鋭バンプ２
ｃをパッケ−ジ基板１に、それぞれ設けてもよい。
−ジ基板１に、尖鋭バンプ２ｃがチップエレメント２
に、それぞれ設けられた場合を示したが、この反対に、
柔軟バンプ１ｂをチップエレメント２に、尖鋭バンプ２
ｃをパッケ−ジ基板１に、それぞれ設けてもよい。
【００１５】
【発明の効果】本発明は、上記のような構造よりなり、
従来のように、ボンディングワイヤ−を必要とせず、バ
ンプ溶融のための熱処理を必要とせず、振動によるバン
プずれの懸念もなく、バンプの圧着による割れもなく、
そしてバンプの熱溶融および封止板の高温半田封止によ
るパッケ−ジ基板とチップエレメントとの熱膨張係数の
差によるチップ割れも生じないという効果を有する。
従来のように、ボンディングワイヤ−を必要とせず、バ
ンプ溶融のための熱処理を必要とせず、振動によるバン
プずれの懸念もなく、バンプの圧着による割れもなく、
そしてバンプの熱溶融および封止板の高温半田封止によ
るパッケ−ジ基板とチップエレメントとの熱膨張係数の
差によるチップ割れも生じないという効果を有する。
【図１】 本発明の一実施例に係るチップデバイスの断
面図
面図
【図２】 図１の部品展開図
【図３】 図１および図２に示すパッケ−ジ基板を示す
もので、Ａは平面図、Ｂは同図ＡのＸ−Ｘ断面図
もので、Ａは平面図、Ｂは同図ＡのＸ−Ｘ断面図
【図４】 図１および図２に示すチップエレメントを示
すもので、Ａは平面図、Ｂは同図ＡのＹ−Ｙ断面図
すもので、Ａは平面図、Ｂは同図ＡのＹ−Ｙ断面図
【図５】 従来のチップデバイスの断面図
【図６】 従来の他のチップデバイスの断面図
【図７】 従来のさらに他のチップデバイスの断面図
１ パッケ−ジ基板 １ａ 引出電極 １ｂ 柔軟バンプ １ｃ 上端 １ｄ 側壁 ２ チップエレメント ２ａ チップ基板 ２ｂ 入出力接続用電極パッド ２ｃ 尖鋭バンプ ３ 封止板
Claims (1)
- 【請求項１】キャビティを備えたパッケ−ジ基板内にチ
ップエレメントが収納されて封止板で封止されているチ
ップデバイスにおいて、 前記パッケ−ジ基板はキャビティ−の内側から外側に至
るチップ引出電極を有し、前記チップエレメントはチッ
プ基板に入出力接続用電極パッドを有し、前記キャビテ
ィ内にあるチップ引出電極上と入出力接続用電極パッド
とのいずれか一方に柔軟バンプ、他方に尖鋭バンプが設
けられ、前記尖鋭バンプを前記柔軟バンプに突き刺すよ
うにして、チップエレメントがパッケ−ジ基板内に収納
され封止板で封止されているチップデバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11253193A JPH06326153A (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | チップデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11253193A JPH06326153A (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | チップデバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06326153A true JPH06326153A (ja) | 1994-11-25 |
Family
ID=14588980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11253193A Pending JPH06326153A (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | チップデバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06326153A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08162897A (ja) * | 1994-12-06 | 1996-06-21 | Nec Corp | 弾性表面波デバイス |
| CN113161319A (zh) * | 2021-04-23 | 2021-07-23 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构及其制作方法 |
-
1993
- 1993-05-14 JP JP11253193A patent/JPH06326153A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08162897A (ja) * | 1994-12-06 | 1996-06-21 | Nec Corp | 弾性表面波デバイス |
| CN113161319A (zh) * | 2021-04-23 | 2021-07-23 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构及其制作方法 |
| CN113161319B (zh) * | 2021-04-23 | 2022-03-22 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构及其制作方法 |
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