JPS6150353A - Ｅｐｒｏｍ装置 - Google Patents

Ｅｐｒｏｍ装置

Info

Publication number
JPS6150353A
JPS6150353A JP59171453A JP17145384A JPS6150353A JP S6150353 A JPS6150353 A JP S6150353A JP 59171453 A JP59171453 A JP 59171453A JP 17145384 A JP17145384 A JP 17145384A JP S6150353 A JPS6150353 A JP S6150353A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
hollow cap
eprom
chip
silicone resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59171453A
Other languages
English (en)
Inventor
Yutaka Okuaki
奥秋　裕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP59171453A priority Critical patent/JPS6150353A/ja
Priority to KR1019850005593A priority patent/KR900007228B1/ko
Priority to EP85305913A priority patent/EP0175488A3/en
Publication of JPS6150353A publication Critical patent/JPS6150353A/ja
Priority to US07/033,863 priority patent/US4801998A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G11C16/18—Circuits for erasing optically
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01011—Sodium [Na]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16151—Cap comprising an aperture, e.g. for pressure control, encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、主表面上に導電性配線／ソターンが形成さ
れた絶縁性基板上に直接ＥＰＲＯＭチップを搭載するよ
うにしたＥＰＲＯＭ装置に関する。
（従来の技術） 最近、上記のよりなＥＰＲＯＭ装置が、特願昭５８−２
２４３９３号明細誉に記駿されているように同発明者に
よって考えられた。そのＥＰＲＯＭ装置？第３図にボし
て説明する。
第３図において、１はガラス・エポキシ樹脂など〃・ら
なる絶縁性基板で、主表面上のチツフ搭戦領域には、導
電性配線ツクターンと同−導体方）らなるチップ搭載部
２が形成される。また、絶縁性基板１の主表面上には、
前記チップ搭載部２の近傍から主表面上を引き廻されて
図示しない雄型コネクタ端子部に接続されるようにして
前記導電性配線パターン３が形成される。このような絶
縁性基板１上には、前記チップ搭載部２上においてＥＰ
ＲＯＭチップ４がＡｇペーストまたはエポキシ樹脂５に
よって取着して直接搭載される。その場合、ＥＰＲＯＭ
チップ４は、紫外線照射面を上にして搭載される。
この搭載されたＥＰＲＯＭチップ４の電極と前記導電性
配線ノ母ターフ３とは金属細線６により接続される。ま
た、ＥＰＲＯＭチップ４の電極の１つは、そのチップ４
のサブストレートと接続するためにチップ搭載部２に金
属ＭＡ線６ａ’ｔ”接続される。そして、これら金属線
１１！ｉ！６．６ａによる配線部およびＥＰＲＯＭチッ
プ部分は、中空キャップ７で覆われる。この中空キャッ
プ７は、紫外線透過性のガラス質（ＵＶガラス、石英、
アルミナなど）または合成樹脂からなる。そして、この
中空キャップ７は、前述の部分を覆って絶縁性基板１に
合成樹脂（例えばエポキシ樹脂１東都セラミックＮＰＯ
−０１商品名）８によ？）接着固定される。
（発明が解決しようとする問題点） ｌ　　　　　　　　シｖするに、このよりなＥＰＲＯＭ
装置では、絶縁性基板１と中空キャップ７との樹脂接着
部および絶縁性基板１そのものを通して水分や腐蝕性イ
オン（Ｋａ＋、　Ｋ＋、　ＣＬ−など）などが中空キャ
ップ７内に侵入して、ＥＰＲＯＭチップ４の電極を腐蝕
させた９　Ｎ極間リーク音引き起すという不都合がある
ことが分った。
（問題点を解決するための手段） そこで、この発明では、中空キャップ内に樹脂を充填す
る。
（作用） このようにすると、絶縁性基板と中空キャップとの樹脂
接着部および絶縁性基板そのものを通して水分や腐蝕性
イオンが中空キャップ内に侵入する可能性があっても、
それが、中空キャップ内の充填樹脂により防止される。
（実施例） 第１図はこの発明の一実施例を示す断面図、第２図はそ
の要部（中空キャップ部）の平面図である。これらの図
に示されるように、この発明の一実施例では、中空キャ
ップ７内が樹脂９で充填される。その場合、樹脂９とし
ては、第１のシリコン樹脂９ａと第２のシリコン樹脂９
ｂの２種類が使用される。第１のシリコン樹脂９Ｈ紫外
線透過性のシリコン樹脂、例えば東し社製ＪＣＲ６１２
２または６１２７（いずれも商品名）であり、　ＥＰＲ
ＯＭチップ４の上部に充填される。一方、第２のシリコ
ン樹脂９ｂは紫外線の透過性が低く、紫外線透過性を有
するとは断言できないシリコン樹脂、例えば東し社製Ｊ
ＣＲ６１１６（商品名）であり、中空キャップ７内の残
りの部分に充填される。その他の　　・構成は第３図の
従来と同一であり、同一部分は第３図と四−符号を付し
てその説明を割愛する。たたし、この例では、中空キャ
ップ７の上面部に充填樹脂注入口１０とエアー抜き穴１
１が形成されている。
上記のよりなＥＰＲＯＭ装置は次のようにして製造され
る。まず、チップ搭載部２に対するＥＰＲＯＭチップ４
の載置と金属線ＩｆｊＡ６による配線全行う。　　　゛
その後、ＥＰＲＯＭチップ４の上面上に紫外線透過　　
１性の第１シリコン樹脂９ａＱポツテイングにょうて滴
下する。そして、その第１のシリコン樹脂９ａが硬化し
ない時間（１〜２時間）内に中空キャップ７を装着する
もので、これにより前記中空キャップ７が被せられ、〃
）つその上面部内壁とＥＰＲＯＭチップ４の上面との間
にＷ、１のシリコン樹脂９ａが充填された構造が得られ
る。しかる後、１５０℃。
１〜２時間の加熱によって第１のシリコン樹脂９ａを硬
化させる。この時、同時に、接着剤としての合成樹脂８
も硬化し、中空キャップ７が絶縁性基板ｌ上に固定され
る。し７０する後、第２のシリコン樹脂９ｂを充填樹脂
注入口１０１・ら中空キャラフッ内にボッティングで注
入して、この第２のシリコン樹脂９ｂで中空キャップ７
内の残りの部分を充填する。そして、その後、１５０℃
、１時間程度の加熱を行って第２のシリコン樹脂９ｂｉ
硬化させる。
このようにして製造された上記−実施例のＥＰＲＯＭ装
置において、ＥＰＲＯＭチップ４の上面には、記は情報
の消去時に紫外線が照射される。そこで、ＥＰＲＯＭチ
ップ４上の充填樹脂としては、紫外線透過性の第１のシ
リコン樹脂９ａｉ用いた。これに対して、中空キャップ
７内の残りの部分も前記第１のシリコン樹脂９ａで充填
してもよいのだが（これを他の実施例とする）、この第
１のシリコン樹１］１ｔ９ａに比較して第２のシリコン
樹脂９ｂ（東し社製ＪＣＲ６１１６商品名のように紫外
線透過性が低く、紫外線透過性を有するとは断言できな
いシリコン樹脂）の方が信頼性的および物理的安定度な
どの特性的にはるη１に優れているので、消去に必要な
部分にだけ窓状に紫外線透過性の第１のシリコンＮ（ｌ
ｉｔ９８を用い、その他の部分は第２のシリコン樹脂９
ｂで充填する構造にした。
そして、上記−実施例のＥＦＲＯＭ装置によれば、中空
キャップ７内を樹脂９で充填シールしたので、絶縁性基
板１と中空キャップ７との樹脂接着部および絶縁性基板
１そのものを通して水分や腐蝕性イオンなどが中空キャ
ップ７内に侵入する可能性があっても、それが、前記充
填樹脂９により防止される。特に上記−実施例によれば
、ＥＰＲＯＭチ１　　　　’）　７’　４よ’ｅ！＜殆
ど。部分ヶ、９頼□的およ。特性的に優れた第２のシリ
コン樹脂９ｂで充填したので、上記防止効果が顕著であ
る。よって、上記一実施例によれば、水分や腐蝕性イオ
ンなどの侵入によるＥＰＲＯＭチップ４の電極の腐蝕や
電極間リーク全防止でき、信頼性の高いＥＰＲＯＭ装置
？得ることができる。
（発明の効果） 以上詳述したように、この発明のＥＦＲＯＭ装置は、中
空キャップ内に樹脂を充填して、中空キャップ内への水
分、腐蝕性イオンなどの侵入會防いだ刀・ら、ＥＰＲＯ
Ｍチップの電極の腐蝕や電極間リークを防止でき、信頼
性？高めることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明のＥＦＲＯＭ装置の一実施例を示す断
面図、第２図は第１図の要部の平面図、第３図は同発明
者によって既に考えられたＥＰＲＯＭ装置？示す断面図
である。 １・・・絶縁性基板、２・・・チップ搭載部、３・・・
導電性配線パターン、４・・・ＥＰＲＯＭチップ、６・
・・金属ｉＩａ線、７・・・中空キャップ、９・・・樹
脂、９ａ・・・第１のシリコン樹脂、９ｂ・・・第２の
シリコン樹脂。 特許出願人　　沖電気工業体弐会社 第１図 第２図

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）主表面上に導電性配線パターンが形成された絶縁
    性基板の前記主表面上チップ搭載領域にＥＰＲＯＭチッ
    プを配置し、そのＥＰＲＯＭチップ上面の電極を前記導
    電性配線パターンに金属細線により配線し、その配線部
    および前記ＥＰＲＯＭチップ部を紫外線透過性の中空キ
    ャップで覆つてなるＥＰＲＯＭ装置において、少なくと
    もＥＰＲＯＭチップ上には紫外線透過性樹脂を使用して
    前記中空キャップ内を樹脂で充填することを特徴とする
    ＥＰＲＯＭ装置。
  2. （２）樹脂はすべてが紫外線透過性樹脂であることを特
    徴とする特許請求の範囲第１項記載のＥＰＲＯＭ装置。
  3. （３）樹脂はＥＰＲＯＭチップ上の部分が紫外線透過性
    の第１の樹脂であり、他はこれと異なる第２の樹脂であ
    ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＥＰＲ
    ＯＭ装置。
  4. （４）樹脂はシリコン樹脂であることを特徴とする特許
    請求の範囲第１項ないし第３項いずれか記載のＥＰＲＯ
    Ｍ装置。
JP59171453A 1984-08-20 1984-08-20 Ｅｐｒｏｍ装置 Pending JPS6150353A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59171453A JPS6150353A (ja) 1984-08-20 1984-08-20 Ｅｐｒｏｍ装置
KR1019850005593A KR900007228B1 (ko) 1984-08-20 1985-08-02 에프롬(EPROM ; Erasable Programmable Read Only Memory) 장치
EP85305913A EP0175488A3 (en) 1984-08-20 1985-08-20 Eprom device
US07/033,863 US4801998A (en) 1984-08-20 1987-04-03 EPROM device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59171453A JPS6150353A (ja) 1984-08-20 1984-08-20 Ｅｐｒｏｍ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6150353A true JPS6150353A (ja) 1986-03-12

Family

ID=15923381

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59171453A Pending JPS6150353A (ja) 1984-08-20 1984-08-20 Ｅｐｒｏｍ装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4801998A (ja)
EP (1) EP0175488A3 (ja)
JP (1) JPS6150353A (ja)
KR (1) KR900007228B1 (ja)

Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5192681A (en) * 1990-08-31 1993-03-09 Texas Instruments Incorporated Low cost erasable programmable read only memory package
US5136367A (en) * 1990-08-31 1992-08-04 Texas Instruments Incorporated Low cost erasable programmable read only memory package
NO911774D0 (no) * 1991-05-06 1991-05-06 Sensonor As Anordning ved innkapsling av et funksjonsorgan, samt fremgangsmaate for fremstilling av samme.
US5477008A (en) * 1993-03-19 1995-12-19 Olin Corporation Polymer plug for electronic packages
US5455456A (en) * 1993-09-15 1995-10-03 Lsi Logic Corporation Integrated circuit package lid
JP3353526B2 (ja) * 1995-03-23 2002-12-03 株式会社デンソー 半導体パッケージ及びその製造方法
US5866953A (en) 1996-05-24 1999-02-02 Micron Technology, Inc. Packaged die on PCB with heat sink encapsulant
JPH1041615A (ja) * 1996-07-19 1998-02-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体チップ実装用基板、及び半導体チップの実装方法
US5962810A (en) * 1997-09-09 1999-10-05 Amkor Technology, Inc. Integrated circuit package employing a transparent encapsulant
JPH1197656A (ja) * 1997-09-22 1999-04-09 Fuji Electric Co Ltd 半導体光センサデバイス
US6297960B1 (en) 1998-06-30 2001-10-02 Micron Technology, Inc. Heat sink with alignment and retaining features
US6297548B1 (en) * 1998-06-30 2001-10-02 Micron Technology, Inc. Stackable ceramic FBGA for high thermal applications
US6092281A (en) 1998-08-28 2000-07-25 Amkor Technology, Inc. Electromagnetic interference shield driver and method
US6326687B1 (en) 1998-09-01 2001-12-04 Micron Technology, Inc. IC package with dual heat spreaders
US6117797A (en) 1998-09-03 2000-09-12 Micron Technology, Inc. Attachment method for heat sinks and devices involving removal of misplaced encapsulant
US6274927B1 (en) 1999-06-03 2001-08-14 Amkor Technology, Inc. Plastic package for an optical integrated circuit device and method of making
US6448635B1 (en) 1999-08-30 2002-09-10 Amkor Technology, Inc. Surface acoustical wave flip chip
JP2001118967A (ja) * 1999-10-19 2001-04-27 Sanyo Electric Co Ltd 固体撮像素子のパッケージ構造
US6627864B1 (en) 1999-11-22 2003-09-30 Amkor Technology, Inc. Thin image sensor package
US6396043B1 (en) 1999-11-22 2002-05-28 Amkor Technology, Inc. Thin image sensor package fabrication method
US6389687B1 (en) 1999-12-08 2002-05-21 Amkor Technology, Inc. Method of fabricating image sensor packages in an array
US6483101B1 (en) * 1999-12-08 2002-11-19 Amkor Technology, Inc. Molded image sensor package having lens holder
US6455774B1 (en) 1999-12-08 2002-09-24 Amkor Technology, Inc. Molded image sensor package
US6526653B1 (en) 1999-12-08 2003-03-04 Amkor Technology, Inc. Method of assembling a snap lid image sensor package
US6483030B1 (en) * 1999-12-08 2002-11-19 Amkor Technology, Inc. Snap lid image sensor package
US6571466B1 (en) 2000-03-27 2003-06-03 Amkor Technology, Inc. Flip chip image sensor package fabrication method
US6528857B1 (en) 2000-11-13 2003-03-04 Amkor Technology, Inc. Chip size image sensor bumped package
US6509560B1 (en) * 2000-11-13 2003-01-21 Amkor Technology, Inc. Chip size image sensor in wirebond package with step-up ring for electrical contact
US6629633B1 (en) 2000-11-13 2003-10-07 Amkor Technology, Inc. Chip size image sensor bumped package fabrication method
US6620646B1 (en) 2000-11-13 2003-09-16 Amkor Technology, Inc. Chip size image sensor wirebond package fabrication method
US6849916B1 (en) 2000-11-15 2005-02-01 Amkor Technology, Inc. Flip chip on glass sensor package
US6342406B1 (en) 2000-11-15 2002-01-29 Amkor Technology, Inc. Flip chip on glass image sensor package fabrication method
US7059040B1 (en) 2001-01-16 2006-06-13 Amkor Technology, Inc. Optical module with lens integral holder fabrication method
US6686588B1 (en) 2001-01-16 2004-02-03 Amkor Technology, Inc. Optical module with lens integral holder
KR100386647B1 (ko) * 2001-03-20 2003-06-02 카스크테크놀러지 주식회사 화상 전송 장치에 사용되는 소형 광학계
US6861720B1 (en) 2001-08-29 2005-03-01 Amkor Technology, Inc. Placement template and method for placing optical dies
KR100431260B1 (ko) * 2001-08-29 2004-05-12 삼성전기주식회사 이미지 모듈
US20050051859A1 (en) * 2001-10-25 2005-03-10 Amkor Technology, Inc. Look down image sensor package
KR100446290B1 (ko) * 2001-11-03 2004-09-01 삼성전자주식회사 댐을 포함하는 반도체 패키지 및 그 제조방법
US6784534B1 (en) 2002-02-06 2004-08-31 Amkor Technology, Inc. Thin integrated circuit package having an optically transparent window
KR100492291B1 (ko) * 2002-10-24 2005-05-30 고준영 내붕괴성이 우수한 토양고화제, 이를 이용한 토양 고화체,제방, 댐
EP1619726A1 (fr) * 2004-07-22 2006-01-25 St Microelectronics S.A. Boîtier optique pour capteur semiconducteur
WO2006088270A1 (en) * 2005-02-15 2006-08-24 Unisemicon Co., Ltd. Stacked package and method of fabricating the same
US7508063B2 (en) * 2005-04-05 2009-03-24 Texas Instruments Incorporated Low cost hermetically sealed package
US7476568B2 (en) * 2006-06-30 2009-01-13 Intel Corporation Wafer-level assembly of heat spreaders for dual IHS packages
KR100810491B1 (ko) * 2007-03-02 2008-03-07 삼성전기주식회사 전자소자 패키지 및 그 제조방법
JP2008270518A (ja) * 2007-04-20 2008-11-06 Nec Saitama Ltd ノイズシールドケースおよび電子部品のシールド構造
US8178956B2 (en) * 2007-12-13 2012-05-15 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system for shielding electromagnetic interference
US7787250B2 (en) * 2007-12-28 2010-08-31 Universal Scientific Industrial (Shanghai) Co., Ltd. Metallic cover of miniaturization module
SG142321A1 (en) 2008-04-24 2009-11-26 Micron Technology Inc Pre-encapsulated cavity interposer
US20100052156A1 (en) * 2008-08-27 2010-03-04 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Chip scale package structure and fabrication method thereof
WO2016195253A1 (ko) * 2015-06-01 2016-12-08 서울바이오시스 주식회사 자외선 측정 장치, 광 검출 소자, 자외선 검출기, 자외선 지수 산출 장치 및 이를 포함하는 전자 장치
TWI651872B (zh) * 2017-09-21 2019-02-21 張勝翔 一種紫外線發光二極體晶片封裝結構
US11282763B2 (en) * 2019-06-24 2022-03-22 Amkor Technology Singapore Holding Pte. Ltd. Semiconductor device having a lid with through-holes

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL189379C (nl) * 1977-05-05 1993-03-16 Richardus Henricus Johannes Fi Werkwijze voor inkapselen van micro-elektronische elementen.
JPS56137660A (en) * 1980-03-31 1981-10-27 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Semiconductor device
JPS5730351A (en) * 1980-07-30 1982-02-18 Nec Corp Resin-sealed type semiconductor device
JPS5759364A (en) * 1980-09-29 1982-04-09 Hitachi Ltd Semiconductor device
JPS5772338A (en) * 1980-10-23 1982-05-06 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device
JPS58159A (ja) * 1981-06-25 1983-01-05 Nec Corp 半導体装置
US4450461A (en) * 1981-07-24 1984-05-22 General Electric Company Low cost high isolation voltage optocoupler with improved light transmissivity
JPS5843546A (ja) * 1981-09-10 1983-03-14 Toray Ind Inc 半導体装置
JPS58106851A (ja) * 1981-12-18 1983-06-25 Nec Corp 半導体装置
JPS58107657A (ja) * 1981-12-21 1983-06-27 Nec Corp 半導体装置
JPS58207656A (ja) * 1982-05-28 1983-12-03 Fujitsu Ltd 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JPS59167037A (ja) * 1983-03-14 1984-09-20 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JPS60117696A (ja) * 1983-11-30 1985-06-25 沖電気工業株式会社 Ｅｐｒｏｍの実装構造
JPS6150351A (ja) * 1984-08-20 1986-03-12 Oki Electric Ind Co Ltd Ｅｐｒｏｍ装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0175488A3 (en) 1987-08-19
US4801998A (en) 1989-01-31
EP0175488A2 (en) 1986-03-26
KR900007228B1 (ko) 1990-10-05
KR860002141A (ko) 1986-03-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6150353A (ja) Ｅｐｒｏｍ装置
US4814943A (en) Printed circuit devices using thermoplastic resin cover plate
US6861683B2 (en) Optoelectronic component using two encapsulating materials and the method of making the same
CN106575689A (zh) 发光元件和具有发光元件的光源模块
EP0175489B1 (en) An eprom device and method of manufacturing same
US4635165A (en) Printed-circuit construction with EPROM IC chip mounted thereon
JPS6394645A (ja) 電子装置
JPS63108696A (ja) Ｅｌデイスプレイパネル
US2829320A (en) Encapsulation for electrical components and method of manufacture
EP0670595B1 (en) Resin-sealed semiconductor device
TWI281738B (en) Structure and assembly method of IC packaging
JPH0548344U (ja) 半導体装置
JPS6239036A (ja) ハイブリツドｉｃ
JPH05183072A (ja) 半導体装置
JPS61189656A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS5887835A (ja) 電子機器回路基板の製造方法
JPS59186348A (ja) 混成集積回路の実装構造
JPS58180075A (ja) 光電変換装置
JPH05315626A (ja) 半導体装置
KR0163305B1 (ko) 와이어 본딩 공정이 완료된 칩의 전기적 연결 부분을 보호하기 위한 보호 층 형성방법
JPS61112357A (ja) 半導体装置
JPS60177656A (ja) 半導体装置
JPH05226676A (ja) 半導体装置
JPH01297848A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPS62252155A (ja) 混成集積回路