JPH08259342A - セラミックス電子回路基板の製造方法 - Google Patents
セラミックス電子回路基板の製造方法Info
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- JPH08259342A JPH08259342A JP8877795A JP8877795A JPH08259342A JP H08259342 A JPH08259342 A JP H08259342A JP 8877795 A JP8877795 A JP 8877795A JP 8877795 A JP8877795 A JP 8877795A JP H08259342 A JPH08259342 A JP H08259342A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 金属溶湯を直接セラミックス基板上に凝固さ
せることにより金属とセラミックスとの複合体を形成
し、これを用いて耐ヒートサイクル性に優れたセラミッ
クス電子回路基板を製造する方法の提供。 【構成】 板状のセラミックス部材２を、ヒーター４で
加熱された金属溶湯１を保持しているるつぼ７の一方の
壁に連結した入口側ダイス６Ａに導入し、この中を水平
に通過させて金属溶湯１中に導入し、さらに該溶湯中を
通過させてるつぼ７の他方の壁に連結された出口側ダイ
ス６Ｂ中に導入しこれらを通過させる間にセラミックス
部材の両面に溶湯から凝固した金属５を平板状に接合さ
せる。該接合金属５の表面を研磨して均質化した後、所
定パターンのレジスト膜を形成し、エッチングにより所
定の回路パターンを形成した後めっき処理してセラミッ
クス電子回路基板を得る。
せることにより金属とセラミックスとの複合体を形成
し、これを用いて耐ヒートサイクル性に優れたセラミッ
クス電子回路基板を製造する方法の提供。 【構成】 板状のセラミックス部材２を、ヒーター４で
加熱された金属溶湯１を保持しているるつぼ７の一方の
壁に連結した入口側ダイス６Ａに導入し、この中を水平
に通過させて金属溶湯１中に導入し、さらに該溶湯中を
通過させてるつぼ７の他方の壁に連結された出口側ダイ
ス６Ｂ中に導入しこれらを通過させる間にセラミックス
部材の両面に溶湯から凝固した金属５を平板状に接合さ
せる。該接合金属５の表面を研磨して均質化した後、所
定パターンのレジスト膜を形成し、エッチングにより所
定の回路パターンを形成した後めっき処理してセラミッ
クス電子回路基板を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、強固な金属−セラミッ
クス電子回路基板の製造方法に関するものであり、特に
自動車部品、電子部品で耐ヒートサイクル性の要求され
る電子回路基板の製造方法に関するものである。
クス電子回路基板の製造方法に関するものであり、特に
自動車部品、電子部品で耐ヒートサイクル性の要求され
る電子回路基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】セラミックスの持つ化学安定性、高融
点、絶縁性、高硬度などの特性と、金属の持つ高強度、
高靭性、易加工性、導電性などの特性とを生かした金属
−セラミックス複合部材は、自動車、電子装置などに広
く使用されている。その代表的な例として、自動車ター
ボチャージャー用のローター、大電力電子素子実装用の
基板およびパッケージなどが挙げられる。
点、絶縁性、高硬度などの特性と、金属の持つ高強度、
高靭性、易加工性、導電性などの特性とを生かした金属
−セラミックス複合部材は、自動車、電子装置などに広
く使用されている。その代表的な例として、自動車ター
ボチャージャー用のローター、大電力電子素子実装用の
基板およびパッケージなどが挙げられる。
【０００３】上記、金属−セラミックス複合部材の製造
方法としては、接着、めっき、メタライズ、溶射、ろう
接、ＤＢＣ、焼き嵌め、鋳ぐるみなどの各種方法が知ら
れている。このうち接着法は、有機系または無機系接着
剤で金属部材とセラミックス部材を接着する方法であ
り、めっき法はセラミックス部材の表面を活性化した後
めっき液に入れて金属めっきを施す方法であり、メタラ
イズ法は、金属粉末を含むペーストをセラミックス部材
の表面に塗布した後焼結し、金属層を形成する方法であ
り、溶射法は金属（セラミックス）の粉末をセラミック
ス（金属）部材の表面に噴射し、セラミックス（金属）
部材の表面に金属（セラミックス）層を形成する方法で
ある。
方法としては、接着、めっき、メタライズ、溶射、ろう
接、ＤＢＣ、焼き嵌め、鋳ぐるみなどの各種方法が知ら
れている。このうち接着法は、有機系または無機系接着
剤で金属部材とセラミックス部材を接着する方法であ
り、めっき法はセラミックス部材の表面を活性化した後
めっき液に入れて金属めっきを施す方法であり、メタラ
イズ法は、金属粉末を含むペーストをセラミックス部材
の表面に塗布した後焼結し、金属層を形成する方法であ
り、溶射法は金属（セラミックス）の粉末をセラミック
ス（金属）部材の表面に噴射し、セラミックス（金属）
部材の表面に金属（セラミックス）層を形成する方法で
ある。
【０００４】さらに銅とセラミックスの接合方法として
は、一般に直接接合法（ＤＢＣ）とろう接法が主流とな
っている。前者は酸化物セラミックスと銅との接合のた
めに開発された技術で、酸素を含有する銅板を使って、
不活性雰囲気中で加熱することによって銅とセラミック
スを接合させるものであり、一方、後者は銅とセラミッ
クスとの間に活性金属のろう材を介して接合する方法で
あり、この場合、ろう材として一般にＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ
系ろう材が使用されている。
は、一般に直接接合法（ＤＢＣ）とろう接法が主流とな
っている。前者は酸化物セラミックスと銅との接合のた
めに開発された技術で、酸素を含有する銅板を使って、
不活性雰囲気中で加熱することによって銅とセラミック
スを接合させるものであり、一方、後者は銅とセラミッ
クスとの間に活性金属のろう材を介して接合する方法で
あり、この場合、ろう材として一般にＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ
系ろう材が使用されている。
【０００５】しかしながら上記ＤＢＣ法では、接合でき
る金属が銅に限られ、且つ接合温度がＣｕ−Ｏの共晶点
近くの狭い範囲に限られているため、膨れ、未接のよう
な接合欠陥が発生しやすいという問題点がある。一方、
ろう接法の場合は、高価なろう材を使用し、且つ接合を
真空中で行わなければならないため、コストが非常に高
く、応用範囲が限られている。また、ろう材には、一般
に接合する金属と他の金属さらには非金属を添加した共
晶合金が使用され、それ自体は一般に接合する金属より
硬いので、直接接合体に比べて、ろう接体の耐ヒートサ
イクル寿命が短いなどの問題点がある。
る金属が銅に限られ、且つ接合温度がＣｕ−Ｏの共晶点
近くの狭い範囲に限られているため、膨れ、未接のよう
な接合欠陥が発生しやすいという問題点がある。一方、
ろう接法の場合は、高価なろう材を使用し、且つ接合を
真空中で行わなければならないため、コストが非常に高
く、応用範囲が限られている。また、ろう材には、一般
に接合する金属と他の金属さらには非金属を添加した共
晶合金が使用され、それ自体は一般に接合する金属より
硬いので、直接接合体に比べて、ろう接体の耐ヒートサ
イクル寿命が短いなどの問題点がある。
【０００６】近年、自動車ターボチャージャー用のロー
ターや、大電力電子素子実装用の基板およびパッケージ
の用途が拡大することによって耐ヒートサイクル性の高
い基板の開発が望まれていたが、上記銅−セラミックス
複合基板では限度があった。
ターや、大電力電子素子実装用の基板およびパッケージ
の用途が拡大することによって耐ヒートサイクル性の高
い基板の開発が望まれていたが、上記銅−セラミックス
複合基板では限度があった。
【０００７】本発明者らは、上記耐ヒートサイクル性の
優れた金属−セラミックス複合基板として、特願平４−
３５５２１１号「セラミックス電子回路基板の製造方
法」や特願平６−９６９４１号「金属−セラミックス複
合部材の製造方法」で、アルミニウム溶湯をセラミック
ス基板上に直接凝固させて、アルミニウム金属板をセラ
ミックスに直接接合した複合部材を開示した。
優れた金属−セラミックス複合基板として、特願平４−
３５５２１１号「セラミックス電子回路基板の製造方
法」や特願平６−９６９４１号「金属−セラミックス複
合部材の製造方法」で、アルミニウム溶湯をセラミック
ス基板上に直接凝固させて、アルミニウム金属板をセラ
ミックスに直接接合した複合部材を開示した。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述の製
造方法は、いずれもセラミックス部材の表・裏面に溶湯
金属を凝固させて直接接合させて金属−セラミックス複
合部材とする方法を開示するものの、回路基板として直
ちに使用できるものとするためにはさらにエッチング処
理技術や、細かい技術の開発が必要であった。
造方法は、いずれもセラミックス部材の表・裏面に溶湯
金属を凝固させて直接接合させて金属−セラミックス複
合部材とする方法を開示するものの、回路基板として直
ちに使用できるものとするためにはさらにエッチング処
理技術や、細かい技術の開発が必要であった。
【０００９】本発明は、上記の如くして得た複合部材を
用いて電子回路基板としての製品を得るための製造工程
を確立し、耐ヒートサイクル性に優れたアルミニウム−
セラミックス電子回路基板を製造することを目的とする
ものである。
用いて電子回路基板としての製品を得るための製造工程
を確立し、耐ヒートサイクル性に優れたアルミニウム−
セラミックス電子回路基板を製造することを目的とする
ものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者等は斯かる課題
を解決するために鋭意研究したところ、回路形成用金属
としてのアルミニウム金属体に回路を形成するためのエ
ッチング液を開発することができ、本発明法を開発する
ことができた。
を解決するために鋭意研究したところ、回路形成用金属
としてのアルミニウム金属体に回路を形成するためのエ
ッチング液を開発することができ、本発明法を開発する
ことができた。
【００１１】すなわち本発明の第１は、セラミックス基
板を金属溶湯に接触させた状態で移動し、溶湯で濡らし
た後冷却することによって該セラミックス基板の表裏両
面に溶湯から凝固した金属板を接合し、金属−セラミッ
クス複合部材と成す接合工程と；次いで上記表裏両面の
金属板を研磨することによって均質化する研磨工程と；
次いで研磨した表面金属板上に感光性樹脂膜を加熱圧着
し、フォトマスクを通して露光した後現像処理すること
により回路パターン形状のレジスト膜を形成し、一方、
研磨した裏面金属板上には表面金属板上と同様の手法で
放熱板形状のレジスト膜を形成するレジスト形成工程
と；次いでエッチング液によってセラミックス基板の片
面上に所望の金属回路パターンを、裏面には金属放熱板
を形成するエッチング工程と；次いで得られた金属回路
パターン並びに放熱板上にめっき処理を施すめっき工程
と；から成ることを特徴とするセラミックス電子回路基
板の製造方法であり、第２は、前記セラミックス基板が
酸化物、窒化物および炭化物からなる群より選ばれたい
ずれか１種のセラミックス基板であり、前記金属はアル
ミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金である
セラミックス電子回路基板の製造方法であり、第３は、
前記レジスト形成工程が、研磨した表面金属板上に液状
のレジストを所望の回路パターン形状に印刷用マスクで
印刷し、これを紫外線で固化することによって所望形状
のレジスト膜を形成し、一方、研磨した裏面金属板上に
は表面金属板上と同様の手法で放熱板形状のレジスト膜
を形成することを特徴とするセラミックス電子回路基板
の製造方法である。
板を金属溶湯に接触させた状態で移動し、溶湯で濡らし
た後冷却することによって該セラミックス基板の表裏両
面に溶湯から凝固した金属板を接合し、金属−セラミッ
クス複合部材と成す接合工程と；次いで上記表裏両面の
金属板を研磨することによって均質化する研磨工程と；
次いで研磨した表面金属板上に感光性樹脂膜を加熱圧着
し、フォトマスクを通して露光した後現像処理すること
により回路パターン形状のレジスト膜を形成し、一方、
研磨した裏面金属板上には表面金属板上と同様の手法で
放熱板形状のレジスト膜を形成するレジスト形成工程
と；次いでエッチング液によってセラミックス基板の片
面上に所望の金属回路パターンを、裏面には金属放熱板
を形成するエッチング工程と；次いで得られた金属回路
パターン並びに放熱板上にめっき処理を施すめっき工程
と；から成ることを特徴とするセラミックス電子回路基
板の製造方法であり、第２は、前記セラミックス基板が
酸化物、窒化物および炭化物からなる群より選ばれたい
ずれか１種のセラミックス基板であり、前記金属はアル
ミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金である
セラミックス電子回路基板の製造方法であり、第３は、
前記レジスト形成工程が、研磨した表面金属板上に液状
のレジストを所望の回路パターン形状に印刷用マスクで
印刷し、これを紫外線で固化することによって所望形状
のレジスト膜を形成し、一方、研磨した裏面金属板上に
は表面金属板上と同様の手法で放熱板形状のレジスト膜
を形成することを特徴とするセラミックス電子回路基板
の製造方法である。
【００１２】
【作用】本発明で使用できるセラミックス部材として
は、アルミナのような酸化物セラミックス、窒化アルミ
ニウムのような窒化物セラミックス、炭化ケイ素のよう
な炭化物セラミックスであり、溶湯金属としてはアルミ
ニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金がある。
は、アルミナのような酸化物セラミックス、窒化アルミ
ニウムのような窒化物セラミックス、炭化ケイ素のよう
な炭化物セラミックスであり、溶湯金属としてはアルミ
ニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金がある。
【００１３】本発明では、図１に示す製造装置を用いる
つぼ７内にアルミニウムあるいはアルミニウム合金のい
ずれかを溶解して得た金属溶湯１を満たし、この中を、
所望寸法の基板に分割可能な連続体のセラミックス基板
２を供給側鋳型（入口側ダイス）６Ａから連続的に供給
することによって移動させ、該セラミックス部材の表・
裏面に溶湯を付着凝固させて冷却し、直接接合させて金
属−セラミックス複合部材を生成せしめる（接合工
程）。
つぼ７内にアルミニウムあるいはアルミニウム合金のい
ずれかを溶解して得た金属溶湯１を満たし、この中を、
所望寸法の基板に分割可能な連続体のセラミックス基板
２を供給側鋳型（入口側ダイス）６Ａから連続的に供給
することによって移動させ、該セラミックス部材の表・
裏面に溶湯を付着凝固させて冷却し、直接接合させて金
属−セラミックス複合部材を生成せしめる（接合工
程）。
【００１４】次いで得られた金属−セラミックス複合部
材５の表面金属板に感光レジスト膜を圧着し遮光パター
ンマスクを当てて露光し現像処理することにより所望の
回路形状のレジスト膜を形成するとともに、一方、裏面
金属板には、表面と同様に感光レジスト膜の圧着および
遮光パターンマスクを通しての露光とその後の現像処理
によりセラミックス基板の最終製品となる形状の外周よ
りやや小さめの外周を持つ形状で全面を覆うレジスト膜
を形成する（レジスト形成工程）。
材５の表面金属板に感光レジスト膜を圧着し遮光パター
ンマスクを当てて露光し現像処理することにより所望の
回路形状のレジスト膜を形成するとともに、一方、裏面
金属板には、表面と同様に感光レジスト膜の圧着および
遮光パターンマスクを通しての露光とその後の現像処理
によりセラミックス基板の最終製品となる形状の外周よ
りやや小さめの外周を持つ形状で全面を覆うレジスト膜
を形成する（レジスト形成工程）。
【００１５】レジスト形成のもうひとつの方法として、
液状のレジストを所望の回路パターンおよび加熱板形状
に印刷用のマスクを使用して印刷し、これに紫外線など
をあてて固化して、所望形状のレジスト膜を形成しても
よい。
液状のレジストを所望の回路パターンおよび加熱板形状
に印刷用のマスクを使用して印刷し、これに紫外線など
をあてて固化して、所望形状のレジスト膜を形成しても
よい。
【００１６】次いでレジスト膜の上からエッチング処理
して、所望の回路を形成する（エッチング工程）。この
場合、回路端面が、凹凸少なく且つスカート状を呈しな
いものとするために適正なエッチング液として塩化第二
鉄３０〜４０％、塩酸５〜１５％、残部水からなる組成
のエッチング液を用いる。
して、所望の回路を形成する（エッチング工程）。この
場合、回路端面が、凹凸少なく且つスカート状を呈しな
いものとするために適正なエッチング液として塩化第二
鉄３０〜４０％、塩酸５〜１５％、残部水からなる組成
のエッチング液を用いる。
【００１７】次いで、セラミックス部材裏面の金属をエ
ッチング処理して製品基板の外周よりやや小さい外周を
持つ形状の放熱板を形成する。この場合、上下面のエッ
チング処理を上面−下面の順で行ってもよいし、また、
上下面同時の処理でも構わない。
ッチング処理して製品基板の外周よりやや小さい外周を
持つ形状の放熱板を形成する。この場合、上下面のエッ
チング処理を上面−下面の順で行ってもよいし、また、
上下面同時の処理でも構わない。
【００１８】得られた上記基板の金属表面は酸化によっ
てＡｌ2 Ｏ3 の酸化膜を形成し易いため、亜鉛置換処理
を行った後無電解めっき処理を行うとよい（めっき工
程）。
てＡｌ2 Ｏ3 の酸化膜を形成し易いため、亜鉛置換処理
を行った後無電解めっき処理を行うとよい（めっき工
程）。
【００１９】この場合、亜鉛置換処理工程は一般的な手
順でよく、本発明法においてはクリーニング−エッチン
グ−ジスマット酸洗−ジンケート−酸洗−ジンケート処
理を行い、最後に無電解めっき処理を行って、Ａｌ金属
板上にＮｉめっきを施して目的とするセラミックス電子
回路基板を得た。
順でよく、本発明法においてはクリーニング−エッチン
グ−ジスマット酸洗−ジンケート−酸洗−ジンケート処
理を行い、最後に無電解めっき処理を行って、Ａｌ金属
板上にＮｉめっきを施して目的とするセラミックス電子
回路基板を得た。
【００２０】以下、実施例をもって詳細に説明するが、
本発明の範囲はこれらに限定されるものではない。
本発明の範囲はこれらに限定されるものではない。
【００２１】
【実施例１】図１に製造装置の断面模式図を示す。アル
ミニウムをるつぼ７の中にセットし、セラミックス部材
２としてのアルミナ板を入口側ダイス６Ａの入口から水
平に入れて、その先端がるつぼ７の内壁から少しるつぼ
内部に出るようにセットしてから、窒素ガス（Ｎ2 ）雰
囲気中においてるつぼをヒーター４により加熱し、アル
ミニウムを溶解して金属溶湯１とする。
ミニウムをるつぼ７の中にセットし、セラミックス部材
２としてのアルミナ板を入口側ダイス６Ａの入口から水
平に入れて、その先端がるつぼ７の内壁から少しるつぼ
内部に出るようにセットしてから、窒素ガス（Ｎ2 ）雰
囲気中においてるつぼをヒーター４により加熱し、アル
ミニウムを溶解して金属溶湯１とする。
【００２２】アルミニウムの金属溶湯１は出口側ダイス
６Ｂの中に入るが、ダイス中を流れる間に先端部分の温
度が融点以下に下がり、その部分が凝固して出口を塞
ぎ、溶湯の流出を防ぐ。
６Ｂの中に入るが、ダイス中を流れる間に先端部分の温
度が融点以下に下がり、その部分が凝固して出口を塞
ぎ、溶湯の流出を防ぐ。
【００２３】また、入口側ダイス６Ａおよびダイスとる
つぼとの間の隙間の中に溶湯が入らないようにするに
は、そのクリアランスをある寸法以下にしなければなら
ないが、本実施例の場合、そのクリアランスを０．１mm
以下にした。
つぼとの間の隙間の中に溶湯が入らないようにするに
は、そのクリアランスをある寸法以下にしなければなら
ないが、本実施例の場合、そのクリアランスを０．１mm
以下にした。
【００２４】アルミニウムを７５０℃に加熱してアルミ
ニウム溶湯にした後、入口側からアルミナ板を連続的に
供給するとアルミナ板材は、順番に該溶湯中に入り、溶
湯に濡れてから出口側のダイスに入り、最後には、アル
ミナ板材の両表面に厚さ０．５mmのアルミニウム体が接
合した状態で、出口から連続的に押し出され、金属−セ
ラミックス複合部材として回収された（接合工程）。
ニウム溶湯にした後、入口側からアルミナ板を連続的に
供給するとアルミナ板材は、順番に該溶湯中に入り、溶
湯に濡れてから出口側のダイスに入り、最後には、アル
ミナ板材の両表面に厚さ０．５mmのアルミニウム体が接
合した状態で、出口から連続的に押し出され、金属−セ
ラミックス複合部材として回収された（接合工程）。
【００２５】上記の場合、押出速度２５mm/min、Ｎ2 流
量３０L/min の窒素雰囲気下、アルミナ板材がアルミニ
ウム溶湯に濡れるまでに該溶湯中を移動する最短距離Ｄ
minは３５mmという条件の下で上記複合部材を得たが、
このアルミニウムの組織は緻密で、ピール強度は３５kg
/cm をこえていた。
量３０L/min の窒素雰囲気下、アルミナ板材がアルミニ
ウム溶湯に濡れるまでに該溶湯中を移動する最短距離Ｄ
minは３５mmという条件の下で上記複合部材を得たが、
このアルミニウムの組織は緻密で、ピール強度は３５kg
/cm をこえていた。
【００２６】次いで得られた複合部材の表・裏面アルミ
ニウム金属板表面を交互に研磨機で研磨して、表面を均
一な面にした（研磨工程）。
ニウム金属板表面を交互に研磨機で研磨して、表面を均
一な面にした（研磨工程）。
【００２７】次いで表側アルミニウム板に感光レジスト
膜を圧着し、遮光パターンマスクを当てて露光し、さら
に現像処理を行い遮光した部分のレジスト膜を除去し
た。この場合、遮光パターンマスクにはアルミナ基板の
分割溝に対応する部分が遮光されるように形成した遮光
パターンと、製品の回路パターンに対応する非回路パタ
ーン部分が遮光されるように形成した遮光パターンを具
備しているものを用いた（レジスト形成工程）。
膜を圧着し、遮光パターンマスクを当てて露光し、さら
に現像処理を行い遮光した部分のレジスト膜を除去し
た。この場合、遮光パターンマスクにはアルミナ基板の
分割溝に対応する部分が遮光されるように形成した遮光
パターンと、製品の回路パターンに対応する非回路パタ
ーン部分が遮光されるように形成した遮光パターンを具
備しているものを用いた（レジスト形成工程）。
【００２８】同様に裏側アルミニウム板にも、アルミナ
基板の分割溝と外周より０．５mm幅の周辺部が遮光され
るように形成した遮光パターンを具備している遮光パタ
ーンマスクを当てて、露光した後現像処理した。
基板の分割溝と外周より０．５mm幅の周辺部が遮光され
るように形成した遮光パターンを具備している遮光パタ
ーンマスクを当てて、露光した後現像処理した。
【００２９】次いで上記露光および現像処理を終えた接
合基板をエッチング処理することによって、レジストが
接合したマスキング部分を残して他部のアルミニウムを
塩化第二鉄−塩酸混合エッチング溶液で溶解することに
よってアルミナ基板の表側には、非回路パターン部分と
分割溝部分に対応するアルミニウムが溶解した（エッチ
ング工程）。
合基板をエッチング処理することによって、レジストが
接合したマスキング部分を残して他部のアルミニウムを
塩化第二鉄−塩酸混合エッチング溶液で溶解することに
よってアルミナ基板の表側には、非回路パターン部分と
分割溝部分に対応するアルミニウムが溶解した（エッチ
ング工程）。
【００３０】次いでアルミナ基板上に形成された分割溝
が現われるとともに各単位ユニット内には所望の回路パ
ターンのアルミニウム板が接合された状態となった。
が現われるとともに各単位ユニット内には所望の回路パ
ターンのアルミニウム板が接合された状態となった。
【００３１】同様に裏側アルミニウム板をエッチング処
理することによって、セラミック基板外周および分割線
からそれぞれ０．５mm内側に入った外周を持つ四辺形の
放熱板が形成されていた。
理することによって、セラミック基板外周および分割線
からそれぞれ０．５mm内側に入った外周を持つ四辺形の
放熱板が形成されていた。
【００３２】次いで水酸化ナトリウムの水溶液を用いて
レジスト膜を除去した。
レジスト膜を除去した。
【００３３】次いで上記基板の表・裏面をクリーニング
した後、通常の無電解めっき処理を行うために、エッチ
ング−ジスマット酸洗−ジンケート−酸洗−ジンケート
処理を行った。このようにして基板の表面を均一にし
て、無電解めっきを行い、約１〜１０μｍのＮｉめっき
を施した（めっき処理工程）。
した後、通常の無電解めっき処理を行うために、エッチ
ング−ジスマット酸洗−ジンケート−酸洗−ジンケート
処理を行った。このようにして基板の表面を均一にし
て、無電解めっきを行い、約１〜１０μｍのＮｉめっき
を施した（めっき処理工程）。
【００３４】得られた処理品を基板の分割線に沿って２
分割し、さらにその囲りのダミー部分を分割除去し最終
製品として２６mm×５１mm×０．６３５mmのアルミナ基
板の上下面に、厚さ０．５mmの回路パターンと放熱板と
をそれぞれなすＡｌ金属板を直接接合した電子回路基板
として製品化することができた。
分割し、さらにその囲りのダミー部分を分割除去し最終
製品として２６mm×５１mm×０．６３５mmのアルミナ基
板の上下面に、厚さ０．５mmの回路パターンと放熱板と
をそれぞれなすＡｌ金属板を直接接合した電子回路基板
として製品化することができた。
【００３５】
【発明の効果】本発明法は、上述のように従来用いられ
ている銅板に代えてアルミニウム金属を直接接合させた
複合基板を用い、特定範囲組成のエッチング液を用いて
エッチング処理することによって断面が略垂直である所
望の回路等を安価に且つ大量に製造可能な製造法であ
る。
ている銅板に代えてアルミニウム金属を直接接合させた
複合基板を用い、特定範囲組成のエッチング液を用いて
エッチング処理することによって断面が略垂直である所
望の回路等を安価に且つ大量に製造可能な製造法であ
る。
【図１】本発明の実施例において用いた金属−セラミッ
クス複合部材を製造するための装置の模式断面図であ
る。
クス複合部材を製造するための装置の模式断面図であ
る。
【図２】本発明に係るアルミニウム／セラミックス直接
接合基板の模式図である。
接合基板の模式図である。
１ 金属溶湯 ２ セラミックス部材 ３ アルミニウム金属 ４ ヒーター ５ 金属−セラミックス複合部材 ６ 鋳型（ダイス） ６Ａ 入口側ダイス ６Ｂ 出口側ダイス ７ るつぼ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０５Ｋ 1/03 ６３０ 7511−4Ｅ Ｈ０５Ｋ 1/03 ６３０Ｈ 3/00 3/00 Ｒ Ｂ２９Ｌ 31:34 (72)発明者 田中 敏和 東京都千代田区丸の内１丁目８番２号 同 和鉱業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 セラミックス基板を金属溶湯に接触させ
た状態で移動し、溶湯で濡らした後冷却することによっ
て該セラミックス基板の表裏両面に溶湯から凝固した金
属板を接合し、金属−セラミックス複合部材と成す接合
工程と；次いで上記表裏両面の金属板を研磨することに
よって均質化する研磨工程と；次いで研磨した表面金属
板上に感光性樹脂膜を加熱圧着し、フォトマスクを通し
て露光した後現像処理することにより回路パターン形状
のレジスト膜を形成し、一方、研磨した裏面金属板上に
は表面金属板上と同様の手法で放熱板形状のレジスト膜
を形成するレジスト形成工程と；次いでエッチング液に
よってセラミックス基板の片面上に所望の金属回路パタ
ーンを、裏面には金属放熱板を形成するエッチング工程
と；次いで得られた金属回路パターン並びに放熱板上に
めっき処理を施すめっき工程と；から成ることを特徴と
するセラミックス電子回路基板の製造方法。 - 【請求項２】 前記セラミックス基板が酸化物、窒化物
および炭化物からなる群より選ばれたいずれか１種のセ
ラミックス基板であり、前記金属はアルミニウムまたは
アルミニウムを主成分とする合金である請求項１記載の
セラミックス電子回路基板の製造方法。 - 【請求項３】 前記レジスト形成工程が、研磨した表面
金属板上に液状のレジストを所望の回路パターン形状に
印刷用マスクで印刷し、これを紫外線で固化することに
よって所望形状のレジスト膜を形成し、一方、研磨した
裏面金属板上には表面金属板上と同様の手法で放熱板形
状のレジスト膜を形成することを特徴とする請求項１お
よび請求項２記載のセラミックス電子回路基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8877795A JP3550212B2 (ja) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | セラミックス電子回路基板の製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP8877795A JP3550212B2 (ja) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | セラミックス電子回路基板の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08259342A true JPH08259342A (ja) | 1996-10-08 |
| JP3550212B2 JP3550212B2 (ja) | 2004-08-04 |
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| JP (1) | JP3550212B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003060129A (ja) * | 2001-08-09 | 2003-02-28 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 回路基板及び回路基板の部分メッキ方法 |
| JP2008283210A (ja) * | 2008-07-14 | 2008-11-20 | Dowa Holdings Co Ltd | 金属セラミックス回路基板の製造方法 |
-
1995
- 1995-03-22 JP JP8877795A patent/JP3550212B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2008283210A (ja) * | 2008-07-14 | 2008-11-20 | Dowa Holdings Co Ltd | 金属セラミックス回路基板の製造方法 |
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| JP3550212B2 (ja) | 2004-08-04 |
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