JP3392594B2 - アルミニウム−セラミックス複合基板のエッチング処理方法およびエッチング液 - Google Patents
アルミニウム−セラミックス複合基板のエッチング処理方法およびエッチング液Info
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- JP3392594B2 JP3392594B2 JP17277395A JP17277395A JP3392594B2 JP 3392594 B2 JP3392594 B2 JP 3392594B2 JP 17277395 A JP17277395 A JP 17277395A JP 17277395 A JP17277395 A JP 17277395A JP 3392594 B2 JP3392594 B2 JP 3392594B2
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- substrate
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アルミニウム−セラミ
ックス複合基板に電子回路を形成するためのエッチング
処理方法、より詳しくは適切なエッチング液により複合
基板の金属面に所望の電子回路を形成するためのエッチ
ング処理方法およびそのためのエッチング液に関する。
ックス複合基板に電子回路を形成するためのエッチング
処理方法、より詳しくは適切なエッチング液により複合
基板の金属面に所望の電子回路を形成するためのエッチ
ング処理方法およびそのためのエッチング液に関する。
【０００２】
【従来の技術】セラミックスの化学安定性、高融点、絶
縁性、高硬度などの特性と、金属の高強度、高靭性、易
加工性、導電性などの特性を生かした金属−セラミック
ス複合部材は、自動車、電子装置などに広く使用されて
いる。その代表的な例として自動車ターボチャージャー
用のローター、大電力電子素子実装用の基板およびパッ
ケージが挙げられる。
縁性、高硬度などの特性と、金属の高強度、高靭性、易
加工性、導電性などの特性を生かした金属−セラミック
ス複合部材は、自動車、電子装置などに広く使用されて
いる。その代表的な例として自動車ターボチャージャー
用のローター、大電力電子素子実装用の基板およびパッ
ケージが挙げられる。
【０００３】上記金属セラミックス複合部材の製造方法
には接着、めっき、メタライズ、溶射、ろう接、ＤＢＣ
（ダイレクトボンドカッパー）などの方法が知られてい
る。接着法は有機系または無機系接着剤で金属部材とセ
ラミックス部材とを接着する方法であり、めっき法には
溶融金属中に浸漬する溶融めっきもあるが、一般には電
気めっきあるいは無電解めっき法が用いられる。
には接着、めっき、メタライズ、溶射、ろう接、ＤＢＣ
（ダイレクトボンドカッパー）などの方法が知られてい
る。接着法は有機系または無機系接着剤で金属部材とセ
ラミックス部材とを接着する方法であり、めっき法には
溶融金属中に浸漬する溶融めっきもあるが、一般には電
気めっきあるいは無電解めっき法が用いられる。
【０００４】メタライズ法は金属粉末を含むペーストを
セラミックス部材の表面に塗布した後焼結し、金属層を
形成する方法であり、溶射法はサーモスプレーガンを利
用し、燃焼ガスを酸素で燃焼した焔で金属粉末を溶融し
セラミックス部材に吹きつけて皮膜を形成する。
セラミックス部材の表面に塗布した後焼結し、金属層を
形成する方法であり、溶射法はサーモスプレーガンを利
用し、燃焼ガスを酸素で燃焼した焔で金属粉末を溶融し
セラミックス部材に吹きつけて皮膜を形成する。
【０００５】さらに銅とセラミックスの接合方法として
は、直接接合法であるＤＢＣ法とろう接法が主流となっ
ている。前者は酸化物セラミックスと銅との接合のため
に開発された技術で、酸素を含有する銅板を使って、不
活性雰囲気中で加熱することにより銅とセラミックスを
接合するものであり、一方後者は銅とセラミックスの間
に活性金属のろう材を介在させて接合する方法であり、
この場合ろう材としては一般にＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系ろう
材が使用されている。
は、直接接合法であるＤＢＣ法とろう接法が主流となっ
ている。前者は酸化物セラミックスと銅との接合のため
に開発された技術で、酸素を含有する銅板を使って、不
活性雰囲気中で加熱することにより銅とセラミックスを
接合するものであり、一方後者は銅とセラミックスの間
に活性金属のろう材を介在させて接合する方法であり、
この場合ろう材としては一般にＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系ろう
材が使用されている。
【０００６】上記の方法によって接合された銅板上に回
路を形成する手段には、普通、所望の回路パターンを設
けたレジスト膜を銅板面に塗布した後、塩化第二鉄を主
成分とするエッチング液で処理して回路を形成する方法
が採られている。
路を形成する手段には、普通、所望の回路パターンを設
けたレジスト膜を銅板面に塗布した後、塩化第二鉄を主
成分とするエッチング液で処理して回路を形成する方法
が採られている。
【０００７】しかしながら上記ＤＢＣ法では、接合でき
る金属が銅に限られ、かつ接合温度がＣｕ−Ｏの共晶点
近くの１０６５〜１０８３℃という狭い範囲に限られる
ため、膨れ、未接のような接合欠陥が発生しやすいとの
問題点があり、一方、ろう接法の場合は、高価なろう材
を使用し、かつ接合を真空中で行わなければならないた
めコストが非常に高く、応用範囲が限られている。また
ろう材には、一般に接合する金属と他の金属さらには非
金属を添加した共晶合金が使用され、それ自体は一般に
接合する金属より硬いので、直接接合体に比べてろう接
体の耐ヒートサイクル寿命が短いなどの問題点がある。
る金属が銅に限られ、かつ接合温度がＣｕ−Ｏの共晶点
近くの１０６５〜１０８３℃という狭い範囲に限られる
ため、膨れ、未接のような接合欠陥が発生しやすいとの
問題点があり、一方、ろう接法の場合は、高価なろう材
を使用し、かつ接合を真空中で行わなければならないた
めコストが非常に高く、応用範囲が限られている。また
ろう材には、一般に接合する金属と他の金属さらには非
金属を添加した共晶合金が使用され、それ自体は一般に
接合する金属より硬いので、直接接合体に比べてろう接
体の耐ヒートサイクル寿命が短いなどの問題点がある。
【０００８】近年、自動車ターボチャージャー用のロー
ターや、大電力電子素子実装用の基板およびパッケージ
の用途が拡大することによって耐ヒートサイクル性の高
い基板の開発が望まれていたが、上記銅−セラミックス
複合基板では限度があった。
ターや、大電力電子素子実装用の基板およびパッケージ
の用途が拡大することによって耐ヒートサイクル性の高
い基板の開発が望まれていたが、上記銅−セラミックス
複合基板では限度があった。
【０００９】本発明者らは、上記耐ヒートサイクル性の
優れた金属−セラミックス複合基板として、特願平４−
３５５２１１号「セラミックス電子回路基板の製造方
法」や、特願平６−９６９４１号「金属−セラミックス
複合部材の製造方法」において、溶融アルミニウムをセ
ラミックス基板上に直接凝固させて、アルミニウム金属
板を直接接合した複合基板を開示した。
優れた金属−セラミックス複合基板として、特願平４−
３５５２１１号「セラミックス電子回路基板の製造方
法」や、特願平６−９６９４１号「金属−セラミックス
複合部材の製造方法」において、溶融アルミニウムをセ
ラミックス基板上に直接凝固させて、アルミニウム金属
板を直接接合した複合基板を開示した。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述のようにアルミニ
ウム−セラミックス複合基板は、従来の銅−セラミック
ス複合基板に比べて耐ヒートサイクル性に優れるもので
あるが、アルミニウム板上に電子回路を形成する際のエ
ッチング処理によっては、図３（ａ）の斜視図に示すよ
うに、電子回路面端部の直線性を悪化させ凹凸が生じる
ことがあった。
ウム−セラミックス複合基板は、従来の銅−セラミック
ス複合基板に比べて耐ヒートサイクル性に優れるもので
あるが、アルミニウム板上に電子回路を形成する際のエ
ッチング処理によっては、図３（ａ）の斜視図に示すよ
うに、電子回路面端部の直線性を悪化させ凹凸が生じる
ことがあった。
【００１１】従って本発明の目的は、アルミニウム−セ
ラミックス複合基板のアルミニウム金属板上にエッチン
グ処理によって形成される電子回路の端部に凹凸が生じ
たりせず、回路の直線性が良好で、かつ複合基板の優れ
た耐ヒートサイクル性を損なうことのない電子回路形成
のためのエッチング処理方法およびエッチング液を提供
することにある。
ラミックス複合基板のアルミニウム金属板上にエッチン
グ処理によって形成される電子回路の端部に凹凸が生じ
たりせず、回路の直線性が良好で、かつ複合基板の優れ
た耐ヒートサイクル性を損なうことのない電子回路形成
のためのエッチング処理方法およびエッチング液を提供
することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記目的を
達成すべく研究の結果、セラミックス基板を、アルミニ
ウム溶湯中を通過させて、セラミックス基板上に直接ア
ルミニウム板を接合してアルミニウム−セラミックス複
合基板を形成し、このアルミニウム板上に所定回路をレ
ジスト膜で印刷、露光してからエッチング処理を行う
際、塩化第二鉄と塩酸を主成分とする特定範囲の組成液
をもってエッチング液とすれば、アルミニウム−セラミ
ックス複合基板の優れた耐ヒートサイクル性を損なうこ
となく、該複合基板の金属面に電子回路を形成できるこ
とを見い出し本発明に到達した。
達成すべく研究の結果、セラミックス基板を、アルミニ
ウム溶湯中を通過させて、セラミックス基板上に直接ア
ルミニウム板を接合してアルミニウム−セラミックス複
合基板を形成し、このアルミニウム板上に所定回路をレ
ジスト膜で印刷、露光してからエッチング処理を行う
際、塩化第二鉄と塩酸を主成分とする特定範囲の組成液
をもってエッチング液とすれば、アルミニウム−セラミ
ックス複合基板の優れた耐ヒートサイクル性を損なうこ
となく、該複合基板の金属面に電子回路を形成できるこ
とを見い出し本発明に到達した。
【００１３】すなわち本発明は、セラミックス基板の少
なくとも一主面に電気導通および電子部品搭載のための
アルミニウム板を接合してなるアルミニウム−セラミッ
クス複合基板に電子回路を形成する方法において、セラ
ミックス基板をアルミニウム溶湯中を移動せしめて該セ
ラミックス基板表面にアルミニウムを凝固させてセラミ
ックス基板とアルミニウムを直接接合し、次に得られた
複合基板の金属面に所定回路または放熱板の形状を印刷
したレジスト膜を塗布した後、露光処理を施し、次いで
塩化第二鉄、塩酸および水からなるエッチング液、好ま
しくは無水物に換算して塩化第二鉄３０〜４０重量％、
塩酸５〜１５重量％、残部水からなる混合液を吹きつけ
ることにより所定形状の電子回路を該金属面に形成する
ことを特徴とするアルミニウム−セラミックス複合基板
のエッチング処理方法およびそのエッチング液を提供す
るものである。
なくとも一主面に電気導通および電子部品搭載のための
アルミニウム板を接合してなるアルミニウム−セラミッ
クス複合基板に電子回路を形成する方法において、セラ
ミックス基板をアルミニウム溶湯中を移動せしめて該セ
ラミックス基板表面にアルミニウムを凝固させてセラミ
ックス基板とアルミニウムを直接接合し、次に得られた
複合基板の金属面に所定回路または放熱板の形状を印刷
したレジスト膜を塗布した後、露光処理を施し、次いで
塩化第二鉄、塩酸および水からなるエッチング液、好ま
しくは無水物に換算して塩化第二鉄３０〜４０重量％、
塩酸５〜１５重量％、残部水からなる混合液を吹きつけ
ることにより所定形状の電子回路を該金属面に形成する
ことを特徴とするアルミニウム−セラミックス複合基板
のエッチング処理方法およびそのエッチング液を提供す
るものである。
【００１４】
【作用】本発明の方法は図２に示す接合炉を用い、アル
ミニウムを加熱してアルミニウム溶湯にした後、入口側
鋳型（ダイス）からセラミックス基板を連続的に供給し
て、その表裏にアルミニウムを直接接合する接合工程、
該アルミニウム板の表面を研磨して均一にする研磨工
程、研磨されたアルミニウム板表面に所望の電子回路形
状を印刷したレジスト膜を塗布するとともに露光処理す
る露光工程およびレジスト膜の上からエッチング処理し
て所望の回路を得るエッチング工程からなり、セラミッ
クス基板には、アルミナ、窒化アルミニウム、炭化珪
素、ジルコニア等の酸化物、窒化物および炭化物系のセ
ラミックスが用いられる。
ミニウムを加熱してアルミニウム溶湯にした後、入口側
鋳型（ダイス）からセラミックス基板を連続的に供給し
て、その表裏にアルミニウムを直接接合する接合工程、
該アルミニウム板の表面を研磨して均一にする研磨工
程、研磨されたアルミニウム板表面に所望の電子回路形
状を印刷したレジスト膜を塗布するとともに露光処理す
る露光工程およびレジスト膜の上からエッチング処理し
て所望の回路を得るエッチング工程からなり、セラミッ
クス基板には、アルミナ、窒化アルミニウム、炭化珪
素、ジルコニア等の酸化物、窒化物および炭化物系のセ
ラミックスが用いられる。
【００１５】この場合、エッチング液には、無水物に換
算して塩化第二鉄３０〜４０重量％、塩酸５〜１５重量
％、残部水からなる混合液を用いるので、得られる電子
回路形状がその端面が基板に垂直であり、エッチングに
よる侵食が良好である。
算して塩化第二鉄３０〜４０重量％、塩酸５〜１５重量
％、残部水からなる混合液を用いるので、得られる電子
回路形状がその端面が基板に垂直であり、エッチングに
よる侵食が良好である。
【００１６】
【実施例１〜６】表１に示すように、塩化第二鉄３０〜
４０重量％、塩酸５〜１５重量％、残部が水からなる６
種類のエッチング液を用意した。
４０重量％、塩酸５〜１５重量％、残部が水からなる６
種類のエッチング液を用意した。
【００１７】アルミニウム板（縦４０mm×横３０mm×厚
さ０．５mm）に所定の電子回路を印刷したレジスト膜を
塗布するとともに露光処理を施した後、上記のエッチン
グ液でエッチング処理したところ、いずれも電子回路の
形状がその端面において直線性があり凹凸がなく、ほぼ
アルミニウム板に対して垂直に侵食されていた。
さ０．５mm）に所定の電子回路を印刷したレジスト膜を
塗布するとともに露光処理を施した後、上記のエッチン
グ液でエッチング処理したところ、いずれも電子回路の
形状がその端面において直線性があり凹凸がなく、ほぼ
アルミニウム板に対して垂直に侵食されていた。
【００１８】
【比較例１〜４】表１に示すように、塩化第二鉄３０〜
４０重量％、塩酸５〜１５重量％のいずれかがこの組成
範囲を逸脱し、残部水からなる組成の混合液をエッチン
グ液として、実施例と同様にエッチング処理したとこ
ろ、電子回路の端面に、図３（ａ）の斜視図に見られる
ように、スカート９が発生したり直線性を悪化させる凹
凸が生じた。
４０重量％、塩酸５〜１５重量％のいずれかがこの組成
範囲を逸脱し、残部水からなる組成の混合液をエッチン
グ液として、実施例と同様にエッチング処理したとこ
ろ、電子回路の端面に、図３（ａ）の斜視図に見られる
ように、スカート９が発生したり直線性を悪化させる凹
凸が生じた。
【００１９】
【表１】
【００２０】すなわち表１の結果からアルミニウム板を
エッチング処理するのにスカートや凹凸がなく直線性が
得られるのは、無水物に換算して塩化第二鉄３０〜４０
％、塩酸５〜１５％、残部水からなる組成のエッチング
液が好ましいことが確認された。
エッチング処理するのにスカートや凹凸がなく直線性が
得られるのは、無水物に換算して塩化第二鉄３０〜４０
％、塩酸５〜１５％、残部水からなる組成のエッチング
液が好ましいことが確認された。
【００２１】なお、図３（ｂ）はスカートや凹凸が発生
せず、電子回路の端面が良好である場合の斜視図であ
る。
せず、電子回路の端面が良好である場合の斜視図であ
る。
【００２２】表１において、スカート発生の状態欄の標
示で◎印はスカートが全く発生せず、端面がアルミニウ
ム板に対し垂直であるもの、〇印はほとんどスカートが
見られないもの、×印はスカートが発生したものを、ま
た直線性の状態欄で◎印は端面に凹凸がなく直線的なも
の、〇印は凹凸が少なく直線と見なし得るもの、×印は
凹凸が生じていて直線性が悪化しているものを示してい
る。
示で◎印はスカートが全く発生せず、端面がアルミニウ
ム板に対し垂直であるもの、〇印はほとんどスカートが
見られないもの、×印はスカートが発生したものを、ま
た直線性の状態欄で◎印は端面に凹凸がなく直線的なも
の、〇印は凹凸が少なく直線と見なし得るもの、×印は
凹凸が生じていて直線性が悪化しているものを示してい
る。
【００２３】
【実施例７】図２は本実施例で用いられたアルミニウム
−セラミックス複合基板の製造装置の模式断面図、図１
は本実施例で得られた電子回路が形成されたアルミニウ
ム−セラミックス複合基板の正面図であって、これらの
図を参照して以下説明する。
−セラミックス複合基板の製造装置の模式断面図、図１
は本実施例で得られた電子回路が形成されたアルミニウ
ム−セラミックス複合基板の正面図であって、これらの
図を参照して以下説明する。
【００２４】純度９９．９％のアルミニウムをるつぼ３
にセットした後、ヒーター４で６６０℃以上に加熱し、
アルミニウムを溶融してアルミニウム溶湯１としてか
ら、るつぼ３内に設けたガイド一体型ダイス６Ａの矢印
で示す左側入口からセラミックス基板２として寸法が３
６mm×５２mm×０．６３５mmのアルミナ基板を順番に挿
入した。
にセットした後、ヒーター４で６６０℃以上に加熱し、
アルミニウムを溶融してアルミニウム溶湯１としてか
ら、るつぼ３内に設けたガイド一体型ダイス６Ａの矢印
で示す左側入口からセラミックス基板２として寸法が３
６mm×５２mm×０．６３５mmのアルミナ基板を順番に挿
入した。
【００２５】次いで、出口側のガイド一体型ダイス６Ｂ
においてアルミニウムを凝固させることによって厚さ
０．５mmのアルミニウム板５が両面に直接接合したアル
ミニウム−アルミナ複合基板を得た。
においてアルミニウムを凝固させることによって厚さ
０．５mmのアルミニウム板５が両面に直接接合したアル
ミニウム−アルミナ複合基板を得た。
【００２６】次いで該複合基板のアルミニウム板状にエ
ッチングレジストを加熱圧着し、遮光、現像処理を行っ
て所望のパターンを形成し、実施例４で得られたエッチ
ング液（４０ボーメ（Ｂｅ）、ＦｅＣｌ3 ３５％、−Ｈ
Ｃｌ１０％−水）にて３５℃、１２分間エッチング処理
を行った。
ッチングレジストを加熱圧着し、遮光、現像処理を行っ
て所望のパターンを形成し、実施例４で得られたエッチ
ング液（４０ボーメ（Ｂｅ）、ＦｅＣｌ3 ３５％、−Ｈ
Ｃｌ１０％−水）にて３５℃、１２分間エッチング処理
を行った。
【００２７】この結果、図１に示されているように、ス
カートの発生や過溶解がなく、アルミナ基板７上に電子
回路としてアルミニウム回路８が形成された複合基板を
得ることができた。
カートの発生や過溶解がなく、アルミナ基板７上に電子
回路としてアルミニウム回路８が形成された複合基板を
得ることができた。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の方法によ
れば、アルミニウム−セラミックス複合基板の金属面を
エッチング処理する際、塩化第二鉄と塩酸を主成分とす
る特定範囲の組成液をエッチング液として用いることに
より、形成される電子回路の端面にスカートの発生や過
溶解がなく、その端面が基板面に垂直で直線性も良好で
ある回路が形成できるので、耐ヒートサイクル性に優れ
たアルミニウム−セラミックス複合基板を安価に製造す
ることができる。
れば、アルミニウム−セラミックス複合基板の金属面を
エッチング処理する際、塩化第二鉄と塩酸を主成分とす
る特定範囲の組成液をエッチング液として用いることに
より、形成される電子回路の端面にスカートの発生や過
溶解がなく、その端面が基板面に垂直で直線性も良好で
ある回路が形成できるので、耐ヒートサイクル性に優れ
たアルミニウム−セラミックス複合基板を安価に製造す
ることができる。
【図１】実施例７で得られた電子回路が形成されたアル
ミニウム−セラミックス複合基板の正面図である。
ミニウム−セラミックス複合基板の正面図である。
【図２】実施例で用いられたアルミニウム−セラミック
ス複合基板の製造装置の模式断面図である。
ス複合基板の製造装置の模式断面図である。
【図３】同図（ａ）はエッチング処理でアルミニウム板
状に形成されたアルミニウム回路端に発生したスカート
を示す斜視図、同図（ｂ）はエッチング処理でスカート
が発生せず、直線性が良好なアルミニウム回路の斜視図
である。
状に形成されたアルミニウム回路端に発生したスカート
を示す斜視図、同図（ｂ）はエッチング処理でスカート
が発生せず、直線性が良好なアルミニウム回路の斜視図
である。
１ アルミニウム溶湯
２ セラミックス基板
３ るつぼ
４ ヒーター
５ アルミニウム板
６Ａ ガイド一体型ダイス（入口側）
６Ｂ ガイド一体型ダイス（出口側）
７ アルミナ基板
８ アルミニウム回路
９ スカート
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 町田 俊征
東京都千代田区丸の内１丁目８番２号
同和鉱業株式会社内
(72)発明者 永田 長寿
東京都千代田区丸の内１丁目８番２号
同和鉱業株式会社内
(56)参考文献 特開 平５−51271（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−227781（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−234348（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−310382（ＪＰ，Ａ)
特開 昭49−33836（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−259342（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−276035（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−193358（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−338674（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−210795（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−60183（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−207963（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−103992（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−301559（ＪＰ，Ａ)
特開 昭64−53761（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−317245（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−47382（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−121890（ＪＰ，Ａ)
特開 昭52−36117（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C23F 1/00 - 4/04
C04B 37/00 - 37/04
B22D 19/14
H05K 1/03,3/00
H05K 3/06,3/24
Claims (2)
- 【請求項１】 セラミックス基板の少なくとも一主面に
電気導通および電子部品搭載のためのアルミニウム板を
接合してなるアルミニウム−セラミックス複合基板に電
子回路を形成する方法において、セラミックス基板をア
ルミニウム溶湯中を移動させ、その表面にアルミニウム
を凝固させて直接接合し、次に得られた複合基板の金属
面に所定電子回路または放熱板の形状を印刷したレジス
ト膜を塗布した後、露光処理を施し、次いで塩化第二
鉄、塩酸および水からなるエッチング液を吹きつけるこ
とによって所望の形状の電子回路または放熱板を該金属
面に形成することを特徴とするアルミニウム−セラミッ
クス複合基板のエッチング処理方法。 - 【請求項２】 無水物に換算して、塩化第二鉄３０〜４
０重量％、塩酸５〜１５重量％、残部水から構成される
混合液であることを特徴とするアルミニウム−セラミッ
クス複合基板用エッチング液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17277395A JP3392594B2 (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | アルミニウム−セラミックス複合基板のエッチング処理方法およびエッチング液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17277395A JP3392594B2 (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | アルミニウム−セラミックス複合基板のエッチング処理方法およびエッチング液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH093662A JPH093662A (ja) | 1997-01-07 |
| JP3392594B2 true JP3392594B2 (ja) | 2003-03-31 |
Family
ID=15948078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17277395A Expired - Fee Related JP3392594B2 (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | アルミニウム−セラミックス複合基板のエッチング処理方法およびエッチング液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3392594B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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