JP2666865B2 - 窒化アルミニウムセラミックスのメタライズ法 - Google Patents
窒化アルミニウムセラミックスのメタライズ法Info
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- JP2666865B2 JP2666865B2 JP1312623A JP31262389A JP2666865B2 JP 2666865 B2 JP2666865 B2 JP 2666865B2 JP 1312623 A JP1312623 A JP 1312623A JP 31262389 A JP31262389 A JP 31262389A JP 2666865 B2 JP2666865 B2 JP 2666865B2
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- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/14—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
- H05K3/146—By vapour deposition
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、窒化アルミニウムセラミックス（以下「Al
Nセラミックス」と称する）の表塩に金属被膜（メタラ
イズ層）を形成する方法に関し、特に被膜とAlNセラミ
ックスとの間に良好なつき回りと強固な接合強度を与
え、かつ被膜形成によってAlNセラミックスの有する優
れた属性が損なわれないようにしたAlNセラミックスの
メタライズ法に関するものである。
Nセラミックス」と称する）の表塩に金属被膜（メタラ
イズ層）を形成する方法に関し、特に被膜とAlNセラミ
ックスとの間に良好なつき回りと強固な接合強度を与
え、かつ被膜形成によってAlNセラミックスの有する優
れた属性が損なわれないようにしたAlNセラミックスの
メタライズ法に関するものである。
［従来の技術］ セラミックス材料と金属材料との接合は、工業技術に
とって極めて重要な役割をなしている。とりわけ、近時
注目を集めているAlNセラミックスは高温特性、高温強
度、高熱伝導特性（放熱性）、絶縁性などに優れ、半導
体（LSI、LD）の基板、高い密度で実装されるプリント
基板、高電圧・大電力素子のケーシング等（その他、各
種電子・電気工業分野、機械、化学装置、分析装置、医
療装置分野など）に利用の途が大であることから、半田
付けや硬ロウ付けが可能な金属被膜をコーティングする
技術が不可欠となってきた。
とって極めて重要な役割をなしている。とりわけ、近時
注目を集めているAlNセラミックスは高温特性、高温強
度、高熱伝導特性（放熱性）、絶縁性などに優れ、半導
体（LSI、LD）の基板、高い密度で実装されるプリント
基板、高電圧・大電力素子のケーシング等（その他、各
種電子・電気工業分野、機械、化学装置、分析装置、医
療装置分野など）に利用の途が大であることから、半田
付けや硬ロウ付けが可能な金属被膜をコーティングする
技術が不可欠となってきた。
これに関して、現在までのところ次の３つのメタライ
ズ法が提案されている。第１は、従来からアルミナ（Al
2O3）セラミックスと金属の接合に用いられてきたテレ
フンケン法をそのまま踏襲するやり方である。テレフン
ケン方は、酸化物の液相反応を利用してセラミックス材
料にペースト状にした高融点金属（Ｗ、Mo）を焼結させ
るもので、ペーストとセラミックス表面とのぬれの善し
悪しが接合のポイントとなり、特にセラミックス材料中
の不純物SiO2が液相反応を促進する役割をなす。これに
ついては、特開昭58−48926号公報、同62−197377号、
同62−197378号に提案がある。第２は、AlNセラミック
スと金属との間にTi添加の下でAg−Cu系ろう材を介挿し
て貼着する、いわゆる活性金属法と称されるもので、Ti
の拡散等を通じて反応が促進される。これについては、
特開昭62−171969号公報、同62−171970号に提案があ
る。さらに、第３は、AlNセラミックス本来の性質であ
る高熱伝導性を生かすべく、高融点金属ペーストを高温
焼成して接合界面に酸化物層を残さないようにした手法
である。特開昭63−86598号公報に提案がある。
ズ法が提案されている。第１は、従来からアルミナ（Al
2O3）セラミックスと金属の接合に用いられてきたテレ
フンケン法をそのまま踏襲するやり方である。テレフン
ケン方は、酸化物の液相反応を利用してセラミックス材
料にペースト状にした高融点金属（Ｗ、Mo）を焼結させ
るもので、ペーストとセラミックス表面とのぬれの善し
悪しが接合のポイントとなり、特にセラミックス材料中
の不純物SiO2が液相反応を促進する役割をなす。これに
ついては、特開昭58−48926号公報、同62−197377号、
同62−197378号に提案がある。第２は、AlNセラミック
スと金属との間にTi添加の下でAg−Cu系ろう材を介挿し
て貼着する、いわゆる活性金属法と称されるもので、Ti
の拡散等を通じて反応が促進される。これについては、
特開昭62−171969号公報、同62−171970号に提案があ
る。さらに、第３は、AlNセラミックス本来の性質であ
る高熱伝導性を生かすべく、高融点金属ペーストを高温
焼成して接合界面に酸化物層を残さないようにした手法
である。特開昭63−86598号公報に提案がある。
［発明が解決しようとする課題］ ところが、これらの手法には、それぞれ次のような欠
点がある。第１の手法によると、AlNセラミックスにSiO
2等の反応促進剤が含まれないため液相反応が起こりに
くく、ペースト中にガラス質を含ませて反応を促進しな
ければならない（特開昭60−178688号公報）。このた
め、不純物が混入してAlNセラミックスの属性に良い影
響を与えず、強固な接合強度も得られない上に、AlNセ
ラミックスはガラスとのぬれが悪いためつき回り特性も
劣悪となる。第２の手法によると、AlNセラミックスと
銅ベースとの接続は適正になされるが、AlNセラミック
スと銅以外の被膜材料との接続には銅箔などを介挿し、
銅箔と被膜材料とを半田などで接続するなどの工夫が必
要となる。このため、つき回りの悪さに加えて接合強度
が不十分となり、被膜が簡単に剥離する不都合を生じ
る。さらに、第３の手法による場合は、焼成温度を1550
℃以上も必要とし、実用的でない。
点がある。第１の手法によると、AlNセラミックスにSiO
2等の反応促進剤が含まれないため液相反応が起こりに
くく、ペースト中にガラス質を含ませて反応を促進しな
ければならない（特開昭60−178688号公報）。このた
め、不純物が混入してAlNセラミックスの属性に良い影
響を与えず、強固な接合強度も得られない上に、AlNセ
ラミックスはガラスとのぬれが悪いためつき回り特性も
劣悪となる。第２の手法によると、AlNセラミックスと
銅ベースとの接続は適正になされるが、AlNセラミック
スと銅以外の被膜材料との接続には銅箔などを介挿し、
銅箔と被膜材料とを半田などで接続するなどの工夫が必
要となる。このため、つき回りの悪さに加えて接合強度
が不十分となり、被膜が簡単に剥離する不都合を生じ
る。さらに、第３の手法による場合は、焼成温度を1550
℃以上も必要とし、実用的でない。
また、これらの手法は何れもペースト状または液状物
を塗布（印刷）・乾燥後、還元性ガス中での高温（千度
付近〜千数百度）加熱処理（焼成）といった手順を踏む
ものであるため、作業工程が多くかつ長いため、効率改
善を図ることも難しい。
を塗布（印刷）・乾燥後、還元性ガス中での高温（千度
付近〜千数百度）加熱処理（焼成）といった手順を踏む
ものであるため、作業工程が多くかつ長いため、効率改
善を図ることも難しい。
本発明は、このように未だAlNセラミックスに対する
メタライズの手法が十分に確立されていない実状に鑑み
てなされたものであって、AlNセラミックスの所要面に
金属酸化物層を介することなく密接に金属被膜を形成さ
せ、その際のつき回りも良好となり、AlNセラミックス
の属性にも悪影響を及ぼさないメタライズ法を提供する
ことを目的としている。
メタライズの手法が十分に確立されていない実状に鑑み
てなされたものであって、AlNセラミックスの所要面に
金属酸化物層を介することなく密接に金属被膜を形成さ
せ、その際のつき回りも良好となり、AlNセラミックス
の属性にも悪影響を及ぼさないメタライズ法を提供する
ことを目的としている。
［課題を解決するための手段］ 本発明は、かかる目的を達成するために、窒化アルミ
ニウムセラミックスの表面に金属コーティングするに際
して、該窒化アルミニウムセラミックスが置かれた反応
室内に、Ｗ、Mo、Re等の高融点金属の弗化物をガス化し
て流入させ、水素還元によって該金属を前記窒化アルミ
ニウムセラミックスの表面に化学的蒸着することを特徴
としている。高融点金属には、金属単体の他それらの合
金も含まれる。また、弗化物として利用できる金属、合
金は全て含まれる。
ニウムセラミックスの表面に金属コーティングするに際
して、該窒化アルミニウムセラミックスが置かれた反応
室内に、Ｗ、Mo、Re等の高融点金属の弗化物をガス化し
て流入させ、水素還元によって該金属を前記窒化アルミ
ニウムセラミックスの表面に化学的蒸着することを特徴
としている。高融点金属には、金属単体の他それらの合
金も含まれる。また、弗化物として利用できる金属、合
金は全て含まれる。
［作用］ 高融点金属はAlNセラミックスと熱膨脹率が近似であ
るため、接合後の残留応力や、使用時の高温熱応力に対
する信頼性が高められる。
るため、接合後の残留応力や、使用時の高温熱応力に対
する信頼性が高められる。
また、弗化物を利用すると、水素還元の際にAlNセラ
ミックス表面に対して洗浄化作用が働くため、還元され
た金属は接合界面により一層近付いた状態で主としてフ
ァンデルワールス力のみによって結合することができ、
酸化層などの反応層を殆ど介在させない。このため、結
合は強固かつ高密着であるとともに、真空中での1400℃
程度の熱処理によっても反応層は生じず、その上、母材
の長所である高熱伝導性や高耐熱性を損うことも殆どな
い。
ミックス表面に対して洗浄化作用が働くため、還元され
た金属は接合界面により一層近付いた状態で主としてフ
ァンデルワールス力のみによって結合することができ、
酸化層などの反応層を殆ど介在させない。このため、結
合は強固かつ高密着であるとともに、真空中での1400℃
程度の熱処理によっても反応層は生じず、その上、母材
の長所である高熱伝導性や高耐熱性を損うことも殆どな
い。
さらに、CVD法は気体と固体表面との化学的反応であ
るため、これによるとAlNセラミックスに対するつき回
りが極めて良好となり、結晶粒径も種々に制御できる。
このため、所望の膜厚を高精度で得ることができ、反応
速度も自在に設定が可能となる。しかもCVD時の温度は
比較的低温（300〜700℃）でよいため、AlNセラミック
スに及ぼす熱負荷も小さくて済み、これに伴って周辺設
備も簡略化できる。
るため、これによるとAlNセラミックスに対するつき回
りが極めて良好となり、結晶粒径も種々に制御できる。
このため、所望の膜厚を高精度で得ることができ、反応
速度も自在に設定が可能となる。しかもCVD時の温度は
比較的低温（300〜700℃）でよいため、AlNセラミック
スに及ぼす熱負荷も小さくて済み、これに伴って周辺設
備も簡略化できる。
［実施例］ 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
＜第１実施例＞ この実施例は、AlNセラミックス製の回路基板に、高
融点金属としてタングステンＷをメタライズする際のも
のである。弗化物は六弗化タングステンWF6とする。ま
た、使用するCVD装置の構成は第１図に示すとおりで、
１は回路基板、２は反応管、３は電気炉、４は基板挿入
棒である。反応管２に対しては、WF6ボンベ５、H2ボン
ベ６並びにArボンベ７をそれぞれマスフローメータ5a、
6a、7a及びパルス類を介して並列に接続する。Arは冷却
用であり、８はWF6を加熱するヒータである。また、こ
の反応管２内を減圧するためにN2トラップ９を介して図
外の油回転真空ポンプを接続し、その排気系の上流をダ
イフロイル10を介して吸収塔に連通させている。
融点金属としてタングステンＷをメタライズする際のも
のである。弗化物は六弗化タングステンWF6とする。ま
た、使用するCVD装置の構成は第１図に示すとおりで、
１は回路基板、２は反応管、３は電気炉、４は基板挿入
棒である。反応管２に対しては、WF6ボンベ５、H2ボン
ベ６並びにArボンベ７をそれぞれマスフローメータ5a、
6a、7a及びパルス類を介して並列に接続する。Arは冷却
用であり、８はWF6を加熱するヒータである。また、こ
の反応管２内を減圧するためにN2トラップ９を介して図
外の油回転真空ポンプを接続し、その排気系の上流をダ
イフロイル10を介して吸収塔に連通させている。
次に、メタライズの手順について略述する。先ず、前
処理として、回路基板１のメタライズしたい部分以外に
マスクを形成しておく。マスク材料はBN等の高融点粉末
とし、揮発性の有機溶媒とともにペースト状にして印刷
法により厚さ約50μｍに塗布する。そして、この回路基
板１を反応管２へセットする。次に、CVD工程では、反
応管２内を減圧して有機質を完全に揮散させ、H2ガスを
流しながら膜の析出温度である500℃に設定するととも
に、反応管２内へWF6を流通させる。この時のガスは、
例えばWF6＝20cc/min、H2＝1000cc/min（WF6:H2＝1:5
0）、全圧は0.5Torr〜760Torrとする。これにより、 WF6＋3H2→Ｗ＋6HF なる水素還元反応が起こり、回路基板１の表面にＷ膜が
析出する。約20分間経過後、所要厚み（約20μｍ）が析
出したら、Arガスを代替して流通させることにより室温
まで冷却し、しかる後、反応管２内をArガスで大気圧と
してメタライズされた回路基板１を取り出す。最後に、
後処理として洗浄工程でマスクを落としメタライズ工程
の全てを完了する。このようにして得られる回路基板１
をESCAやEPMAなどの表面分析装置にかけると、接合界面
に酸化物等の反応層が殆ど見当たらず、AlNセラミック
ス表面の凹凸に沿って驚くべきつき回りのよさでＷが気
相成長していることが認められた。気相成長速度は１μ
m/minであった。また、引っ張り強度試験の結果は3kgf/
mm2と驚異的で、さらに真空中（10-5Torr）で1400℃に
加熱し５時間保持しても反応が起こらず接合界面が物性
的に極めて安定であることも確認された。
処理として、回路基板１のメタライズしたい部分以外に
マスクを形成しておく。マスク材料はBN等の高融点粉末
とし、揮発性の有機溶媒とともにペースト状にして印刷
法により厚さ約50μｍに塗布する。そして、この回路基
板１を反応管２へセットする。次に、CVD工程では、反
応管２内を減圧して有機質を完全に揮散させ、H2ガスを
流しながら膜の析出温度である500℃に設定するととも
に、反応管２内へWF6を流通させる。この時のガスは、
例えばWF6＝20cc/min、H2＝1000cc/min（WF6:H2＝1:5
0）、全圧は0.5Torr〜760Torrとする。これにより、 WF6＋3H2→Ｗ＋6HF なる水素還元反応が起こり、回路基板１の表面にＷ膜が
析出する。約20分間経過後、所要厚み（約20μｍ）が析
出したら、Arガスを代替して流通させることにより室温
まで冷却し、しかる後、反応管２内をArガスで大気圧と
してメタライズされた回路基板１を取り出す。最後に、
後処理として洗浄工程でマスクを落としメタライズ工程
の全てを完了する。このようにして得られる回路基板１
をESCAやEPMAなどの表面分析装置にかけると、接合界面
に酸化物等の反応層が殆ど見当たらず、AlNセラミック
ス表面の凹凸に沿って驚くべきつき回りのよさでＷが気
相成長していることが認められた。気相成長速度は１μ
m/minであった。また、引っ張り強度試験の結果は3kgf/
mm2と驚異的で、さらに真空中（10-5Torr）で1400℃に
加熱し５時間保持しても反応が起こらず接合界面が物性
的に極めて安定であることも確認された。
第２図は、このような回路基板１を用いて混成集積回
路素子がつくられる場合を示すもので、回路基板１にNi
メッキを施した後、銅のごとき金属支持板11上に鉛−錫
系半田等からなる第１の金属ロウ12を介して前記回路基
板１を接着し、この回路基板１の他方の面上に、鉛−錫
系半田等からなる第２の金属ロウ13を介して銅板のごと
き電極板14を接着する。そして、電極板14上に鉛−錫系
半田等からなる第３の金属ロウを介して半導体基体等の
回路素子を一体化し、所定の電気配線や封止処理を施し
て混成集積回路素子を仕上げる（図示省略）。例えば、
回路基板１をφ3.2mmとし、これにロウ付けされる銅線
をφ1.5mmとした場合に、引っ張り強度試験を行った結
果、24.8kgfもの極めて強い接合強度が得られた。
路素子がつくられる場合を示すもので、回路基板１にNi
メッキを施した後、銅のごとき金属支持板11上に鉛−錫
系半田等からなる第１の金属ロウ12を介して前記回路基
板１を接着し、この回路基板１の他方の面上に、鉛−錫
系半田等からなる第２の金属ロウ13を介して銅板のごと
き電極板14を接着する。そして、電極板14上に鉛−錫系
半田等からなる第３の金属ロウを介して半導体基体等の
回路素子を一体化し、所定の電気配線や封止処理を施し
て混成集積回路素子を仕上げる（図示省略）。例えば、
回路基板１をφ3.2mmとし、これにロウ付けされる銅線
をφ1.5mmとした場合に、引っ張り強度試験を行った結
果、24.8kgfもの極めて強い接合強度が得られた。
＜第２実施例＞ 次に、本考案の基板以外への適用例として、第３図に
マグネトロン用発振器部品に対するＷメタライズを示
す。まず、円筒形AlNセラミックス焼結体21の封着部と
なる一端面を残してそれ以外に前記実施例と同様の方法
でマスクを形成する。これを第１図に示したCVD装置の
反応管２内へ挿入し、乾燥、CVD、洗浄を行う。しかる
後、このＷメタライズ膜にNiメッキを施し、約800℃に
てアニール後、金属製の封着材22（例えばコバール製）
をそれぞれ金属ロウ23を介してメタライズ層に接着す
る。このようにして封着部24を有したマグネトロン用発
振器部品がつくられる。そして、この部品に対しヘリウ
ム−クテストを行ったところ、リーク速度１×10-6cc a
tm/sec以下で長時間変化せずシール性が良好であること
が確認された。このようにAlNセラミックス焼結体より
なるマグネトロン用発振部品が実現可能となると、従来
のAl2O3製のものに比べて特に高周波領域での効率を改
善することができ、また放熱性が極めて高いため冷却用
ファンもしくはファンの小型化を期することもできるよ
うになる。なお、封着部を有する円筒形AlNセラミック
ス焼結体の他の適用対象としては、例えばレーザ管用絶
縁管などがあり、この場合にもAlNセラミックス焼結体
の優れた特性を発揮しつつ、高いシール効果を得ること
ができる。
マグネトロン用発振器部品に対するＷメタライズを示
す。まず、円筒形AlNセラミックス焼結体21の封着部と
なる一端面を残してそれ以外に前記実施例と同様の方法
でマスクを形成する。これを第１図に示したCVD装置の
反応管２内へ挿入し、乾燥、CVD、洗浄を行う。しかる
後、このＷメタライズ膜にNiメッキを施し、約800℃に
てアニール後、金属製の封着材22（例えばコバール製）
をそれぞれ金属ロウ23を介してメタライズ層に接着す
る。このようにして封着部24を有したマグネトロン用発
振器部品がつくられる。そして、この部品に対しヘリウ
ム−クテストを行ったところ、リーク速度１×10-6cc a
tm/sec以下で長時間変化せずシール性が良好であること
が確認された。このようにAlNセラミックス焼結体より
なるマグネトロン用発振部品が実現可能となると、従来
のAl2O3製のものに比べて特に高周波領域での効率を改
善することができ、また放熱性が極めて高いため冷却用
ファンもしくはファンの小型化を期することもできるよ
うになる。なお、封着部を有する円筒形AlNセラミック
ス焼結体の他の適用対象としては、例えばレーザ管用絶
縁管などがあり、この場合にもAlNセラミックス焼結体
の優れた特性を発揮しつつ、高いシール効果を得ること
ができる。
［発明の効果］ 本発明に係るAlNセラミックスのメタライズ法を適用
すると、AlNセラミックスとその上のメタライズ層とは
熱膨脹率が近似であるため熱サイクル特性に優れること
になる。また、弗化物によってセラミックス表面をクリ
ーニングするため、メタライズ層は酸化層などを介在さ
せずセラミックス表面に直接に密着され、接合強度と密
着度を高めるとともに、AlNセラミックス独自の高熱伝
導性を損なうこともない。さらに、CVD法によってメタ
ライズ膜のつき回りが極めて良好になり、平面部のみで
なく、今まで不可能であった箇所、例えば奥まった部分
や棒状先端部などにも良質のコーティングを施すことが
可能になるとともに、比較的低温で処理できるため周辺
機器類の簡略化を図り得るものとなる。また、膜厚のコ
ントロールは数千Å（オングストローム）〜数μｍ単位
でも可能となり、高精度部品への適用が広がるととも
に、生成速度のコントロールも極めて広範囲に亘って行
うことができ、メタライズ工程時間の短縮化も容易に果
たし得るものとなる。
すると、AlNセラミックスとその上のメタライズ層とは
熱膨脹率が近似であるため熱サイクル特性に優れること
になる。また、弗化物によってセラミックス表面をクリ
ーニングするため、メタライズ層は酸化層などを介在さ
せずセラミックス表面に直接に密着され、接合強度と密
着度を高めるとともに、AlNセラミックス独自の高熱伝
導性を損なうこともない。さらに、CVD法によってメタ
ライズ膜のつき回りが極めて良好になり、平面部のみで
なく、今まで不可能であった箇所、例えば奥まった部分
や棒状先端部などにも良質のコーティングを施すことが
可能になるとともに、比較的低温で処理できるため周辺
機器類の簡略化を図り得るものとなる。また、膜厚のコ
ントロールは数千Å（オングストローム）〜数μｍ単位
でも可能となり、高精度部品への適用が広がるととも
に、生成速度のコントロールも極めて広範囲に亘って行
うことができ、メタライズ工程時間の短縮化も容易に果
たし得るものとなる。
第１図及び第２図は本発明の一実施例を示し、第１図は
実施に際して使用されるCVD装置の構成図、第２図はメ
タライズされた薄板状AlNセラミックスを混成集積回路
素子に組み込んだ状態で示す断面図である。第３図は本
発明の他の実施例においてメタライズされた円筒状AlN
セラミックスをマグネトロン発振器部品に組み込んだも
のを示す断面図である。 １、21……AlNセラミックス
実施に際して使用されるCVD装置の構成図、第２図はメ
タライズされた薄板状AlNセラミックスを混成集積回路
素子に組み込んだ状態で示す断面図である。第３図は本
発明の他の実施例においてメタライズされた円筒状AlN
セラミックスをマグネトロン発振器部品に組み込んだも
のを示す断面図である。 １、21……AlNセラミックス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鄭 容宝 京都府京都市上京区千本通出水下ル十四 軒町394番地の１ 西陣グランドハイツ 601号 (72)発明者 黒田 晋一 京都府京都市中京区西ノ京桑原町１番地 株式会社島津製作所三条工場内 (56)参考文献 特開 昭63−86598（ＪＰ，Ａ) 特開 昭47−12409（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】窒化アルミニウムセラミックスの表面を金
属コーティングするに際して、該窒化アルミニウムセラ
ミックスが置かれた反応室内に、Ｗ、Mo、Re等の高融点
金属の弗化物をガス化して流入させ、水素還元によって
該金属を前記窒化アルミニウムセラミックスの表面に化
学的蒸着することを特徴とする窒化アルミニウムセラミ
ックスのメタライズ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1312623A JP2666865B2 (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 窒化アルミニウムセラミックスのメタライズ法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1312623A JP2666865B2 (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 窒化アルミニウムセラミックスのメタライズ法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03174382A JPH03174382A (ja) | 1991-07-29 |
| JP2666865B2 true JP2666865B2 (ja) | 1997-10-22 |
Family
ID=18031429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1312623A Expired - Fee Related JP2666865B2 (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 窒化アルミニウムセラミックスのメタライズ法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2666865B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7106167B2 (en) * | 2002-06-28 | 2006-09-12 | Heetronix | Stable high temperature sensor system with tungsten on AlN |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0631187B2 (ja) * | 1984-10-08 | 1994-04-27 | 株式会社日立製作所 | 炭化ケイ素焼結体のメタライズ法 |
| JPS61132578A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-20 | 京セラ株式会社 | セラミツクのメタライズ法 |
-
1989
- 1989-11-30 JP JP1312623A patent/JP2666865B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03174382A (ja) | 1991-07-29 |
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