JP2007227477A - セラミックス回路基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 セラミックス基板と、該セラミックス基板の一方の面に接合された回路用金属板と、該セラミックス基板の他方の面にアルミニウム合金をマトリックスとし、20〜50体積%のフィラーを含有する複合材の溶融物を接触させ冷却固化させて接合されたベース板とからなることを特徴とするセラミックス回路基板。
【選択図】 図1
Description
(1)セラミックス基板と、該セラミックス基板の一方の面に接合された回路用金属板と、該セラミックス基板の他方の面にアルミニウム合金をマトリックスとし、20〜50体積%のフィラーを含有する複合材の溶融物を接触させ冷却固化させて接合されたベース板とからなることを特徴とするセラミックス回路基板。
(2)アルミニウム合金が、シリコン成分を6〜19質量%を含有するアルミニウム−シリコン合金である上記(1)に記載のセラミックス回路基板。
(3)セラミックス基板が、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、又は窒化ケイ素からなる上記(1)又は(2)に記載のセラミックス回路基板。
(4)セラミックス基板が、四隅に半径1mm以上の面取りを有する矩形状体である上記(1)〜(3)のいずれかに記載のセラミックス回路基板。
(5)フィラーが炭化ケイ素、窒化アルミニウム又は炭素である上記(1)〜(4)のいずれかに記載のセラミックス回路基板。
(6)一方の面に回路用金属が接合されたセラミックス基板を鋳型内に配置し、上記鋳型内にアルミニウム合金をマトリックスとし、20〜50体積%のフィラーを含有する複合材の溶融物を注入して冷却固化させて上記セラミックス基板の他方の面に上記溶融物からなる金属ベース板を接合することを特徴とするセラミックス回路基板の製造方法。
(7)上記複合材の溶融物が接触するセラミックス基板の表面を予め5μm〜100μmの厚みでメタライズ処理する上記(6)に記載のセラミックス回路基板の製造方法。
(8)メタライズ処理する金属が錫又は亜鉛である上記(6)又は(7)に記載のセラミックス回路基板の製造方法。
(9)上記複合材の溶融物を接触させる前に、セラミックス基板のメタライズ処理面を半溶融状態に予熱する上記(7)又は(8)に記載のセラミックス回路基板の製造方法。
図1に示される、一方の面に厚み0.2mmの銅板2がロー付けで接着され、他方の面と側面に無電解メッキにより、厚み10μmの錫金属のメタライズ処理された、縦53mm、横61mm、厚み0.635mmの矩形状の窒化アルミニウムのセラミックス基板1を製作した。なお、セラミックス基板1の四隅には半径5mmのアールの面取りを形成した。
3: ベース板 4:金型
5: 固定金型 6:セラミック基板を配置する空間
7: アルミニウム合金マトリックス複合材の溶融物を注入する空間
8: 真空チャック
Claims (9)
- セラミックス基板と、該セラミックス基板の一方の面に接合された回路用金属板と、該セラミックス基板の他方の面にアルミニウム合金をマトリックスとし、20〜50体積%のフィラーを含有する複合材の溶融物を接触させ冷却固化させて接合されたベース板とからなることを特徴とするセラミックス回路基板。
- アルミニウム合金が、シリコン成分を6〜19質量%を含有するアルミニウム−シリコン合金である請求項1に記載のセラミックス回路基板。
- セラミックス基板が、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、又は窒化ケイ素からなる請求項1又は2に記載のセラミックス回路基板。
- セラミックス基板が、四隅に半径1mm以上の面取りを有する矩形状体である請求項1〜3のいずれかに記載のセラミックス回路基板。
- フィラーが炭化ケイ素、窒化アルミニウム又は炭素である請求項1〜4のいずれかに記載のセラミックス回路基板。
- 一方の面に回路用金属板が接合されたセラミックス基板を鋳型内に配置し、上記鋳型内にアルミニウム合金をマトリックスとし、20〜50体積%のフィラーを含有する複合材の溶融物を注入して冷却固化させて上記セラミックス基板の他方の面に上記溶融物からなる金属ベース板を接合することを特徴とするセラミックス回路基板の製造方法。
- 上記複合材の溶融物が接触するセラミックス基板の表面を予め5μm〜100μmの厚みでメタライズ処理する請求項6に記載のセラミックス回路基板の製造方法。
- メタライズ処理する金属が錫又は亜鉛である請求項6又は7に記載のセラミックス回路基板の製造方法。
- 上記複合材の溶融物を接触させる前に、セラミックス基板のメタライズ処理面を半溶融状態に予熱する請求項7又は8に記載のセラミックス回路基板の製造方法。
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