JPH01251690A - セラミックス回路基板の製造方法 - Google Patents
セラミックス回路基板の製造方法Info
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- JPH01251690A JPH01251690A JP7613188A JP7613188A JPH01251690A JP H01251690 A JPH01251690 A JP H01251690A JP 7613188 A JP7613188 A JP 7613188A JP 7613188 A JP7613188 A JP 7613188A JP H01251690 A JPH01251690 A JP H01251690A
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 75
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 75
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 73
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 5
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002482 Cu–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 229910052575 non-oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011225 non-oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的コ
(産業上の利用分野)
本発明は、熱衝撃に対する信頼性に優れたセラミックス
回路基板の製造方法に関する。
回路基板の製造方法に関する。
(従来の技術)
近年、パワートランスモジュール用基板やスイッチング
電源モジュール用基板などの回路基板として、セラミッ
クス基板上に銅板などの金属板を接合させたものがよく
用いられている。
電源モジュール用基板などの回路基板として、セラミッ
クス基板上に銅板などの金属板を接合させたものがよく
用いられている。
このようなセラミックス回路基板の製造方法として、所
定形状の銅板をセラミックス基板上に接触配置させて加
熱し、接合界面にCu−0の共晶液相を生成させ、この
液相によりセラミックス基板の表面を濡らし、次いで冷
却固化してセラミックス基板と銅板とを直接接合させる
、いわゆるDBC法(ダイレクト・ボンディング・カッ
パー法)が多用されるようになってきている。このDB
C法により形成されたセラミックス回路基板は、セラミ
ックス基板と銅回路板との接合強度が強く、単純構造な
ので小型高実装化が可能であり、また作業工程も短縮で
きるなどの長所を有している。
定形状の銅板をセラミックス基板上に接触配置させて加
熱し、接合界面にCu−0の共晶液相を生成させ、この
液相によりセラミックス基板の表面を濡らし、次いで冷
却固化してセラミックス基板と銅板とを直接接合させる
、いわゆるDBC法(ダイレクト・ボンディング・カッ
パー法)が多用されるようになってきている。このDB
C法により形成されたセラミックス回路基板は、セラミ
ックス基板と銅回路板との接合強度が強く、単純構造な
ので小型高実装化が可能であり、また作業工程も短縮で
きるなどの長所を有している。
ところで、このようなりBC法によるセラミックス回路
基板においては、大電流を流せるように導電路となる銅
板の厚さを0.3m+n〜0.5mmと厚いものを使用
しているため、熱履歴に対して信頼性に乏しいという問
題がある。すなわち、冷熱サイクルが付加されると、セ
ラミックス部材と銅との熱膨張差によって発生する熱応
力により、セラミックス基板にクラックが生じたり、さ
らには銅板が剥離してしまう。このクラックは、特に残
留応力の主応力が作用する銅板の端部と近接するセラミ
ックス部分に発生しやすい。
基板においては、大電流を流せるように導電路となる銅
板の厚さを0.3m+n〜0.5mmと厚いものを使用
しているため、熱履歴に対して信頼性に乏しいという問
題がある。すなわち、冷熱サイクルが付加されると、セ
ラミックス部材と銅との熱膨張差によって発生する熱応
力により、セラミックス基板にクラックが生じたり、さ
らには銅板が剥離してしまう。このクラックは、特に残
留応力の主応力が作用する銅板の端部と近接するセラミ
ックス部分に発生しやすい。
このような問題を解決する一手段として、本出願人は先
に銅回路板の端部に薄肉部を形成し、この薄肉部の塑性
変形によって残留応力を低減し、熱履歴に対する信頼性
を向上させたセラミックス回路基板を提案している(特
願昭62−217006号)。
に銅回路板の端部に薄肉部を形成し、この薄肉部の塑性
変形によって残留応力を低減し、熱履歴に対する信頼性
を向上させたセラミックス回路基板を提案している(特
願昭62−217006号)。
(発明が解決しようとする課題)
上述したように、銅回路板の端部に薄肉部を形成するこ
と、によって、熱履歴に対する信頼性が大幅に向上する
ものの、製造コストが高くなるなどの難点を有している
。
と、によって、熱履歴に対する信頼性が大幅に向上する
ものの、製造コストが高くなるなどの難点を有している
。
すなわち、銅回路板の端部に薄肉部を形成する方法とし
ては、たとえば予め所定の回路形状に加工した銅板の端
部に薄肉部をエツチングや機械加工によって形成してお
き、この銅回路板をセラミックス基板上に載置して加熱
接合する方法が考えられる。しかし、この方法では回路
形成に伴う変形など゛によって、接合界面にフクレやハ
ガレなどの接合不良が発生しやすいという難点がある。
ては、たとえば予め所定の回路形状に加工した銅板の端
部に薄肉部をエツチングや機械加工によって形成してお
き、この銅回路板をセラミックス基板上に載置して加熱
接合する方法が考えられる。しかし、この方法では回路
形成に伴う変形など゛によって、接合界面にフクレやハ
ガレなどの接合不良が発生しやすいという難点がある。
特に、薄肉部で変形が大きくなりやすく、接合不良を起
こしやすい。また、回路パターンが複雑になると回路の
形成位置がずれやすくなるといった難点もある。
こしやすい。また、回路パターンが複雑になると回路の
形成位置がずれやすくなるといった難点もある。
また、平板状の銅板を予めセラミックス基板上に加熱接
合し、この銅板に対してエツチングを施して所要の回路
パターンと各回路部の端部に薄肉部を形成する方法も考
えられている。しかし、この方法では、回路パターン形
成のためのエツチング処理と、薄肉部形成のためのエツ
チング処理といったように、2回エツチング処理を行わ
なければならず、この前後工程などを含めるとかなり製
造コストが高くなってしまうという難点がある。
合し、この銅板に対してエツチングを施して所要の回路
パターンと各回路部の端部に薄肉部を形成する方法も考
えられている。しかし、この方法では、回路パターン形
成のためのエツチング処理と、薄肉部形成のためのエツ
チング処理といったように、2回エツチング処理を行わ
なければならず、この前後工程などを含めるとかなり製
造コストが高くなってしまうという難点がある。
本発明はこのような従来技術の課題に対処するべくなさ
れたもので、銅回路板の端部に薄肉部を形成し、熱履歴
に対する信頼性を向上させたDBC法によるセラミック
ス回路基板の製造コストを低減するとともに、回路パタ
ーンの形成精度や銅回路板の接合不良を低減することを
可能にしたセラミックス回路基板の製造方法を提供する
ことを目的としている。
れたもので、銅回路板の端部に薄肉部を形成し、熱履歴
に対する信頼性を向上させたDBC法によるセラミック
ス回路基板の製造コストを低減するとともに、回路パタ
ーンの形成精度や銅回路板の接合不良を低減することを
可能にしたセラミックス回路基板の製造方法を提供する
ことを目的としている。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
本発明のセラミックス回路基板の製造方法は、セラミッ
クス基板上に銅板を接触配置し加熱接合させる工程と、
この接合された銅板表面に所要の回路パターンに対応す
る第1のレジスト膜をエツチング液に可溶な素材で形成
する工程と、この第1のレジスト膜上に前記回路パター
ンの外周から所定の範囲だけ残して前記エツチング液に
不溶な第2のレジスト膜を形成する工程と、これら第1
および第2のレジスト膜が形成された銅板にエツチング
処理を施し、前記銅板を所定の回路パターン形状に加工
するとともに前記回路パターンの各端部に薄肉部を形成
する工程とを有することを特徴としている。
クス基板上に銅板を接触配置し加熱接合させる工程と、
この接合された銅板表面に所要の回路パターンに対応す
る第1のレジスト膜をエツチング液に可溶な素材で形成
する工程と、この第1のレジスト膜上に前記回路パター
ンの外周から所定の範囲だけ残して前記エツチング液に
不溶な第2のレジスト膜を形成する工程と、これら第1
および第2のレジスト膜が形成された銅板にエツチング
処理を施し、前記銅板を所定の回路パターン形状に加工
するとともに前記回路パターンの各端部に薄肉部を形成
する工程とを有することを特徴としている。
(作 用)
本発明のセラミックス回路基板の製造方法においては、
まずセラミックス基板上に加熱接合された銅板上に回路
パターンに対応する第1のレジスト膜とこの第1のレジ
スト膜の外周から所定の幅だけ残して第2のレジスト膜
を形成している。
まずセラミックス基板上に加熱接合された銅板上に回路
パターンに対応する第1のレジスト膜とこの第1のレジ
スト膜の外周から所定の幅だけ残して第2のレジスト膜
を形成している。
この後、エツチング処理を施すことによって、レジスト
膜で覆われていない部分の銅は除去されて ′回路パタ
ーンが形成される。また、第2のレジスト膜で覆われて
いる部分は、エツチングが進行しないのに対し、第1の
レジスト膜のみによって覆われている部分は徐々にエツ
チングが進行し、やがて銅板のエツチングが進行する。
膜で覆われていない部分の銅は除去されて ′回路パタ
ーンが形成される。また、第2のレジスト膜で覆われて
いる部分は、エツチングが進行しないのに対し、第1の
レジスト膜のみによって覆われている部分は徐々にエツ
チングが進行し、やがて銅板のエツチングが進行する。
そして、この銅のエツチングが所定の厚さとなるような
条件、たとえば時間を制御することにより、結果的に銅
板に回路パターンが形成されるとともに、各回路パター
ン部の端部に薄肉部が形成される。
条件、たとえば時間を制御することにより、結果的に銅
板に回路パターンが形成されるとともに、各回路パター
ン部の端部に薄肉部が形成される。
(実施例)
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図に示すように、まずセラミックス基板1の両面に
、平板状の実装部となる銅板2と実装部の反対側の面、
すなわち裏面となる銅板3とをそれぞれ載置し、所定の
温度に加熱して銅板2および3を接合する(同図−A)
。
、平板状の実装部となる銅板2と実装部の反対側の面、
すなわち裏面となる銅板3とをそれぞれ載置し、所定の
温度に加熱して銅板2および3を接合する(同図−A)
。
使用する銅板としては、タフピッチ銅のような酸素をx
ooppm〜3000ppmの割合で含有する銅を圧延
してなるものが好ましい。また、実装部となる銅板2の
厚さは0.25 nIl!−6,0+nmの範囲が好ま
しく、裏面の銅板3は実装部の銅板の厚さの30%〜9
0%の範囲が好ましい。なお、この実施例では実装部と
なる銅板2としては、厚さ0.3mm%酸素含有量ao
oppn+のタフピッチ銅を使用し、裏面の銅板3とし
ては厚さ 0.15 mmの同素材の銅板を使用した。
ooppm〜3000ppmの割合で含有する銅を圧延
してなるものが好ましい。また、実装部となる銅板2の
厚さは0.25 nIl!−6,0+nmの範囲が好ま
しく、裏面の銅板3は実装部の銅板の厚さの30%〜9
0%の範囲が好ましい。なお、この実施例では実装部と
なる銅板2としては、厚さ0.3mm%酸素含有量ao
oppn+のタフピッチ銅を使用し、裏面の銅板3とし
ては厚さ 0.15 mmの同素材の銅板を使用した。
また、セラミックス基板としては、アルミナ、ベリリア
などの酸化物系のセラミックス焼結体や窒化アルミニウ
ム、窒化ケイ素、窒化チタン、炭化ケイ素などの非酸化
物系のセラミックス焼結体など、各種セラミックス基板
を使用することが可能であるが、非酸化物系のセラミッ
クス基板を使用する場合には、予め接合表面を酸化処理
してから使用することが好ましい。
などの酸化物系のセラミックス焼結体や窒化アルミニウ
ム、窒化ケイ素、窒化チタン、炭化ケイ素などの非酸化
物系のセラミックス焼結体など、各種セラミックス基板
を使用することが可能であるが、非酸化物系のセラミッ
クス基板を使用する場合には、予め接合表面を酸化処理
してから使用することが好ましい。
また、加熱接合時の温度条件は、銅の融点(1083℃
)以下で銅と酸素の共晶温度(1085℃)以上である
。なお、銅板接合時の加熱雰囲気は、酸素を含有する銅
板を使用する場合には不活性ガス雰囲気中が好ましく、
酸素を含有しない銅板を使用する場合には80ppm〜
3900 [1ffl程度の酸素を含有する雰囲気中が
好ましい。なお、この実施例では不活性ガス雰囲気中に
おいて1075℃、10分間の条件で加熱を行った。
)以下で銅と酸素の共晶温度(1085℃)以上である
。なお、銅板接合時の加熱雰囲気は、酸素を含有する銅
板を使用する場合には不活性ガス雰囲気中が好ましく、
酸素を含有しない銅板を使用する場合には80ppm〜
3900 [1ffl程度の酸素を含有する雰囲気中が
好ましい。なお、この実施例では不活性ガス雰囲気中に
おいて1075℃、10分間の条件で加熱を行った。
次に、実装面となる銅板3に所定の回路形状となるよう
に、エツチング液に対して可溶な素材からなる第1のレ
ジスト膜4を形成する。また、裏面の銅板3にも第1の
レジスト膜4を形成する(同図−B)。
に、エツチング液に対して可溶な素材からなる第1のレ
ジスト膜4を形成する。また、裏面の銅板3にも第1の
レジスト膜4を形成する(同図−B)。
この第1のレジスト膜としては、エツチング液に対して
所定のエツチング速度の得られるものであればどのよう
なものを使用してもよく、たとえばAg−Cuペースト
やCu−Niペーストなどを用いて、スクリーン印刷な
どにより所定の回路パターンと。
所定のエツチング速度の得られるものであればどのよう
なものを使用してもよく、たとえばAg−Cuペースト
やCu−Niペーストなどを用いて、スクリーン印刷な
どにより所定の回路パターンと。
なるように形成した金属系レジストなどが例示される。
また、この第1のレジスト膜の塗布厚やエツチング処理
時間によって、薄肉部の厚さを調節することができる。
時間によって、薄肉部の厚さを調節することができる。
この銅板端部に形成する薄肉部の厚さとしては、その先
端が少なくとも実装部の厚さの1/2以下とすることが
好ましく、より好ましくは0.1mm以下である。この
薄肉部の先端の厚さが実装面となる部分の厚さの1/2
を超えると、この薄肉部の塑性変形による残留応力低減
効果が十分に得られない。また、この厚さを薄くするほ
ど残留応力の低減を図れるが、この厚さが薄すぎると熱
応力によって破断する危険が生じるため、実用的には0
.05 ■程度までがよい。
端が少なくとも実装部の厚さの1/2以下とすることが
好ましく、より好ましくは0.1mm以下である。この
薄肉部の先端の厚さが実装面となる部分の厚さの1/2
を超えると、この薄肉部の塑性変形による残留応力低減
効果が十分に得られない。また、この厚さを薄くするほ
ど残留応力の低減を図れるが、この厚さが薄すぎると熱
応力によって破断する危険が生じるため、実用的には0
.05 ■程度までがよい。
次に、表裏両面の第1のレジスト膜4上に外周から所定
の幅だけ残して、それぞれエツチング液に対して不溶な
第2のレジスト膜5a形成する(同図−〇)。
の幅だけ残して、それぞれエツチング液に対して不溶な
第2のレジスト膜5a形成する(同図−〇)。
第2のレジスト膜としては、たとえば一般的な有機系レ
ジストが用いられる。
ジストが用いられる。
そ1.で、第]のレジスト膜上における第2のレジスト
膜の形成されていない部分が薄肉部の形成範囲となる。
膜の形成されていない部分が薄肉部の形成範囲となる。
この薄肉部の形成範囲としては、銅板の外周より 0.
1mm〜1ffl[11程度の範囲が好ましい。
1mm〜1ffl[11程度の範囲が好ましい。
この薄肉部の形成範囲が0.1ma+未満であるとその
効果が十分に得られず、1mmを超えて形成してもそれ
以上の効果が得られないとともに実装面積が減少する。
効果が十分に得られず、1mmを超えて形成してもそれ
以上の効果が得られないとともに実装面積が減少する。
次いで、第1のレジスト膜4および第2のレジスト膜5
が順に形成された銅板2および3にエツチング処理を施
す。このエツチング処理は、たとえば硝酸溶液や塩化第
二鉄溶液などの銅および第1のレジスト膜に対する腐蝕
性を有するものであればどのようなものを使用してもよ
い。
が順に形成された銅板2および3にエツチング処理を施
す。このエツチング処理は、たとえば硝酸溶液や塩化第
二鉄溶液などの銅および第1のレジスト膜に対する腐蝕
性を有するものであればどのようなものを使用してもよ
い。
このエツチング処理においては、まず第1のレジスト膜
で被覆されていない部分の銅が除去される。この銅のエ
ツチングと同時に第1のレジスト膜のエツチングも進行
する。ここで、第2のレジスト膜によって覆われている
部分はそのまま残り、第1のレジスト膜のみによって覆
われている部分は、やがて銅板のエツチングが進行する
。そして、この部分がハーフエツチングとなるような条
件を設定することによって、銅板の回路パターンと各回
路パターンの端部の薄肉部とが形成される。この実施例
では、エツチング液として塩化第二鉄溶液を用い、実装
部となる銅板2については各回路パターン部の端部が0
.15 +nmとなるように、また裏面の銅板3につい
ては端部が0.12 ff1mとなるようにエツチング
処理を施した。
で被覆されていない部分の銅が除去される。この銅のエ
ツチングと同時に第1のレジスト膜のエツチングも進行
する。ここで、第2のレジスト膜によって覆われている
部分はそのまま残り、第1のレジスト膜のみによって覆
われている部分は、やがて銅板のエツチングが進行する
。そして、この部分がハーフエツチングとなるような条
件を設定することによって、銅板の回路パターンと各回
路パターンの端部の薄肉部とが形成される。この実施例
では、エツチング液として塩化第二鉄溶液を用い、実装
部となる銅板2については各回路パターン部の端部が0
.15 +nmとなるように、また裏面の銅板3につい
ては端部が0.12 ff1mとなるようにエツチング
処理を施した。
このエツチング処理の後、第2のレジスト膜5および第
1のレジスト膜4を順に除去することによって、所要の
回路パターンが形成され、かつ各回路パターン部の端部
に薄肉部2aおよび2bが形成されたセラミックス回路
基板が得られる(同図−D)。
1のレジスト膜4を順に除去することによって、所要の
回路パターンが形成され、かつ各回路パターン部の端部
に薄肉部2aおよび2bが形成されたセラミックス回路
基板が得られる(同図−D)。
このように、予め板状の銅部材をセラミックス基板上に
加熱接合し、この後に回路パターンに対応する第1のレ
ジスト膜と薄肉部の形成に対応する第2のレジスト膜を
順に形成してエツチング処理を施すことにより、1回の
エツチング処理のみで薄肉部を端部に有し、所要の回路
パターンに加工された銅回路板を有するセラミックス基
板を効率よく製造することができ、製造コストを低減す
ることが可能となる。また、形成される回路パターンは
、レジスト膜によって規制されるので、位置精度にも優
れたものとなる。さらに、薄肉部の形成を銅板の加熱接
合後に行っているので、銅板の接合に対してはなんら悪
影響を及ぼすことがなく、接合不良の発生率も低減でき
る。
加熱接合し、この後に回路パターンに対応する第1のレ
ジスト膜と薄肉部の形成に対応する第2のレジスト膜を
順に形成してエツチング処理を施すことにより、1回の
エツチング処理のみで薄肉部を端部に有し、所要の回路
パターンに加工された銅回路板を有するセラミックス基
板を効率よく製造することができ、製造コストを低減す
ることが可能となる。また、形成される回路パターンは
、レジスト膜によって規制されるので、位置精度にも優
れたものとなる。さらに、薄肉部の形成を銅板の加熱接
合後に行っているので、銅板の接合に対してはなんら悪
影響を及ぼすことがなく、接合不良の発生率も低減でき
る。
また、得らねたセラミックス回路基板を用いて、サーマ
ルサイクルテストを、−40℃×30分+25℃×10
分+ 150℃×30分+25℃xio分を 1サイク
ルとして行ったところ、 100サイクル後において、
もセラミックス基板にクラックは発生しておらず、熱履
歴に対する信頼性に優れたものであった。
ルサイクルテストを、−40℃×30分+25℃×10
分+ 150℃×30分+25℃xio分を 1サイク
ルとして行ったところ、 100サイクル後において、
もセラミックス基板にクラックは発生しておらず、熱履
歴に対する信頼性に優れたものであった。
[発明の効果]
以上説明したように本発明のセラミックス回路基板の製
造方法によれば、銅板の各端部に薄肉部を形成し、熱履
歴に対する信頼性を向上させたセラミックス回路基板の
製造コストを低減することが可能となる。また、回路パ
ターンの位置精度が正確であるとともに接合不良の発生
も低減されたセラミックス回路基板が得られる。
造方法によれば、銅板の各端部に薄肉部を形成し、熱履
歴に対する信頼性を向上させたセラミックス回路基板の
製造コストを低減することが可能となる。また、回路パ
ターンの位置精度が正確であるとともに接合不良の発生
も低減されたセラミックス回路基板が得られる。
第1図は本発明の一実施例のセラミックス回路基板の製
造工程を示す断面図である。 1・・・・・・・・・セラミックス基板2.3・・・・
・・・・・銅板 2a、3a・・・薄肉部 4・・・・・・・・・第1のレジスト膜5・・・・・・
・・・第2のレジスト膜代理人 弁理士 則 近 憲
信
造工程を示す断面図である。 1・・・・・・・・・セラミックス基板2.3・・・・
・・・・・銅板 2a、3a・・・薄肉部 4・・・・・・・・・第1のレジスト膜5・・・・・・
・・・第2のレジスト膜代理人 弁理士 則 近 憲
信
Claims (1)
- (1)セラミックス基板上に銅板を接触配置し加熱接合
させる工程と、この接合された銅板表面に所要の回路パ
ターンに対応する第1のレジスト膜をエッチング液に可
溶な素材で形成する工程と、この第1のレジスト膜上に
前記回路パターンの外周から所定の範囲だけ残して前記
エッチング液に不溶な第2のレジスト膜を形成する工程
と、これら第1および第2のレジスト膜が形成された銅
板にエッチング処理を施し、前記銅板を所定の回路パタ
ーン形状に加工するとともに前記回路パターンの各端部
に薄肉部を形成する工程とを有することを特徴とするセ
ラミックス回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7613188A JPH01251690A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | セラミックス回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7613188A JPH01251690A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | セラミックス回路基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01251690A true JPH01251690A (ja) | 1989-10-06 |
Family
ID=13596390
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7613188A Pending JPH01251690A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | セラミックス回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01251690A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004014589A (ja) * | 2002-06-04 | 2004-01-15 | Dowa Mining Co Ltd | 金属−セラミックス接合体およびその製造方法 |
WO2015097748A1 (ja) * | 2013-12-24 | 2015-07-02 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置、及びパワーモジュール |
-
1988
- 1988-03-31 JP JP7613188A patent/JPH01251690A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004014589A (ja) * | 2002-06-04 | 2004-01-15 | Dowa Mining Co Ltd | 金属−セラミックス接合体およびその製造方法 |
EP1370123A3 (en) * | 2002-06-04 | 2005-07-06 | Dowa Mining Co., Ltd. | Metal/ceramic bonding article and method for producing same |
US7048866B2 (en) | 2002-06-04 | 2006-05-23 | Dowa Mining Co., Ltd. | Metal/ceramic bonding article and method for producing same |
WO2015097748A1 (ja) * | 2013-12-24 | 2015-07-02 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置、及びパワーモジュール |
JPWO2015097748A1 (ja) * | 2013-12-24 | 2017-03-23 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
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