JPH08253868A - 基板上への金属の無電解堆積プロセス - Google Patents
基板上への金属の無電解堆積プロセスInfo
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】基板上への金属の無電解堆積プロセスを提供す
る。 【解決手段】セラミック製基板のメタライゼーションで
ある。金属は基板全体か、パターン状に堆積させる。基
板上にレジスト材料のパターンを形成し、パターンによ
り規定された間隙中に、金属を無電解めっき法により堆
積させる。パターン形成されるレジスト層は、従来技術
による。基板は無電解メッキを促進する薬剤で処理す
る。増感溶液及び活性溶液で処理した基板表面の部分上
に、ニッケルを形成する。次に基板を少くとも１８０℃
に加熱する。また基板上に金属の層を追加して形成す
る。追加金属は銅及びパロジウムから選択される。追加
の層が形成された後、基板は再び少くとも約１８０℃に
加熱される。
る。 【解決手段】セラミック製基板のメタライゼーションで
ある。金属は基板全体か、パターン状に堆積させる。基
板上にレジスト材料のパターンを形成し、パターンによ
り規定された間隙中に、金属を無電解めっき法により堆
積させる。パターン形成されるレジスト層は、従来技術
による。基板は無電解メッキを促進する薬剤で処理す
る。増感溶液及び活性溶液で処理した基板表面の部分上
に、ニッケルを形成する。次に基板を少くとも１８０℃
に加熱する。また基板上に金属の層を追加して形成す
る。追加金属は銅及びパロジウムから選択される。追加
の層が形成された後、基板は再び少くとも約１８０℃に
加熱される。
Description
【０００１】技術分野 基板上への金属の選択的堆積プロセスが、明らかにされ
ている。プロセスはプリント回路作製プロセスにおける
基板上へのワイヤ又は導電性ラインの形成に、用いられ
る。
ている。プロセスはプリント回路作製プロセスにおける
基板上へのワイヤ又は導電性ラインの形成に、用いられ
る。
【０００２】本発明の背景 プリント回路は典型的な場合、セラミック基板又は抵抗
性金属薄膜のような非導電性材料でできた基板上に、導
電性金属ワイヤをメッキすることにより、作製される。
金属ワイヤは特定のパターンで、基板上に形成される。
典型的な場合、パターンはあらかじめ形成されたステン
シルマスクかリソグラフィ技術を用いたエネルギー感受
性材料の層に、基板上に直接形成される。パターンはレ
ジスト材料下の金属層中にパターンを転写するか、基板
上に形成されたパターンの間隙中に、金属を堆積させる
ことにより、基板上に金属を堆積させるために、用いら
れる。
性金属薄膜のような非導電性材料でできた基板上に、導
電性金属ワイヤをメッキすることにより、作製される。
金属ワイヤは特定のパターンで、基板上に形成される。
典型的な場合、パターンはあらかじめ形成されたステン
シルマスクかリソグラフィ技術を用いたエネルギー感受
性材料の層に、基板上に直接形成される。パターンはレ
ジスト材料下の金属層中にパターンを転写するか、基板
上に形成されたパターンの間隙中に、金属を堆積させる
ことにより、基板上に金属を堆積させるために、用いら
れる。
【０００３】金属は電解メッキ及び無電解メッキのよう
な技術を用いて、基板上に形成される。無電解金属メッ
キにおいて、基板はその上に金属をメッキするため、金
属塩水溶液中に浸す。
な技術を用いて、基板上に形成される。無電解金属メッ
キにおいて、基板はその上に金属をメッキするため、金
属塩水溶液中に浸す。
【０００４】プリント回路の作製プロセスに無電解メッ
キを用いるなら、基板上に形成される金属は、基板上に
適切に固着しなければならない。基板上にメッキした後
又はその後のプリント回路のプロセス中、もし金属から
容易にはずれるなら、金属は基板に適切に固着していな
い。
キを用いるなら、基板上に形成される金属は、基板上に
適切に固着しなければならない。基板上にメッキした後
又はその後のプリント回路のプロセス中、もし金属から
容易にはずれるなら、金属は基板に適切に固着していな
い。
【０００５】基板から金属を分離させるのに必要な引張
り力が、５００ｌｂ／ｉｎ2 以上なら、適切な固着とい
える。従って、基板から金属を分離させるのに必要な引
張り力が、少くとも約５００ｌｂ／ｉｎ2 であるよう
に、基板上に金属を堆積させるプンリト回路の作製プロ
セスが、望まれる。
り力が、５００ｌｂ／ｉｎ2 以上なら、適切な固着とい
える。従って、基板から金属を分離させるのに必要な引
張り力が、少くとも約５００ｌｂ／ｉｎ2 であるよう
に、基板上に金属を堆積させるプンリト回路の作製プロ
セスが、望まれる。
【０００６】本発明の要約 基板上に無電解で金属を形成するプロセスが、明らかに
されている。本プロセスにより、基板上に形成した金属
から、基板を分離するのに必要な引張り力の大きさは、
少くとも約５００ｌｂ／ｉｎ2 である。典型的な場合、
金属はセラミック材料又は抵抗性材料の層が上に形成さ
れた基板でできた基板上に、無電解で形成される。上に
無電解で金属を形成する表面は、ここでは一般的に基板
とよぶ。もし基板がセラミック材料ででできているな
ら、その上に金属を無電解で形成する前に、基板を清浄
化するのが有利である。基板はそれを約８００℃ないし
約１５００℃の温度に加熱するか、約２５℃ないし約１
００℃の温度に加熱された塩基性水溶液に接触させるこ
とにより、基板は清浄化される。もし、基板がその上に
形成された抵抗層を有するなら、基板上に抵抗性材料層
を形成する前に、基板は清浄化される。
されている。本プロセスにより、基板上に形成した金属
から、基板を分離するのに必要な引張り力の大きさは、
少くとも約５００ｌｂ／ｉｎ2 である。典型的な場合、
金属はセラミック材料又は抵抗性材料の層が上に形成さ
れた基板でできた基板上に、無電解で形成される。上に
無電解で金属を形成する表面は、ここでは一般的に基板
とよぶ。もし基板がセラミック材料ででできているな
ら、その上に金属を無電解で形成する前に、基板を清浄
化するのが有利である。基板はそれを約８００℃ないし
約１５００℃の温度に加熱するか、約２５℃ないし約１
００℃の温度に加熱された塩基性水溶液に接触させるこ
とにより、基板は清浄化される。もし、基板がその上に
形成された抵抗層を有するなら、基板上に抵抗性材料層
を形成する前に、基板は清浄化される。
【０００７】次に、基板表面はその上への金属の無電解
メッキを促進する薬剤で、処理する。たとえば、フッ化
スズ（ＳｎＦ2 ）又は塩化スズ（ＳｎＣｌ2 ）のような
増感溶液で基板表面を処理し、続いて塩化パラジウム
（ＰｄＣｌ2 ）の活性溶液で処理する従来の技術が、こ
の目的に使用される。
メッキを促進する薬剤で、処理する。たとえば、フッ化
スズ（ＳｎＦ2 ）又は塩化スズ（ＳｎＣｌ2 ）のような
増感溶液で基板表面を処理し、続いて塩化パラジウム
（ＰｄＣｌ2 ）の活性溶液で処理する従来の技術が、こ
の目的に使用される。
【０００８】もし金属を基板上に、パターンとして形成
するなら、増感溶液及び活性溶液で処理する前に、エネ
ルギーで規定できるレジスト材料の層を、基板上に堆積
させる。従来のリソグラフィ技術を用いて、レジスト中
にパターンを形成する。パターンを現像し、それによっ
て上に金属を所望のパターンに堆積すべき基板表面の部
分が、露出される。次に、基板を増感溶液及び活性溶液
で処理した時、基板の露出した部分のみが、これらの溶
液に接触する。従って、基板表面はレジストパターンに
対応するパターンに、選択的に感光する。次に、レジス
トを上に有する基板は、基板を少くとも約１００℃の温
度でベークするといった方法を用いて、乾燥させる。次
に、基板からレジストをとり除く。別の実施例において
は、上で述べた方式で、選択的に感光させた基板表面上
に、第２のレジストメッキマスクを形成する。具体的に
は、マスクは基板表面の少くとも未感光部分の本質的に
全部の上に、形成される。
するなら、増感溶液及び活性溶液で処理する前に、エネ
ルギーで規定できるレジスト材料の層を、基板上に堆積
させる。従来のリソグラフィ技術を用いて、レジスト中
にパターンを形成する。パターンを現像し、それによっ
て上に金属を所望のパターンに堆積すべき基板表面の部
分が、露出される。次に、基板を増感溶液及び活性溶液
で処理した時、基板の露出した部分のみが、これらの溶
液に接触する。従って、基板表面はレジストパターンに
対応するパターンに、選択的に感光する。次に、レジス
トを上に有する基板は、基板を少くとも約１００℃の温
度でベークするといった方法を用いて、乾燥させる。次
に、基板からレジストをとり除く。別の実施例において
は、上で述べた方式で、選択的に感光させた基板表面上
に、第２のレジストメッキマスクを形成する。具体的に
は、マスクは基板表面の少くとも未感光部分の本質的に
全部の上に、形成される。
【０００９】次に、基板を無電解金属メッキ槽中に入れ
る。もし、無電解メッキ槽がニッケルを含むなら、有利
である。ただし、リン酸コバルトのような他の無電解金
属メッキ槽も、適当と考えられる。もし、基板がその上
に形成された第２のレジストメッキマスクを有するな
ら、堆積させる金属はメッキマスクにより、横方向に閉
じ込められる。
る。もし、無電解メッキ槽がニッケルを含むなら、有利
である。ただし、リン酸コバルトのような他の無電解金
属メッキ槽も、適当と考えられる。もし、基板がその上
に形成された第２のレジストメッキマスクを有するな
ら、堆積させる金属はメッキマスクにより、横方向に閉
じ込められる。
【００１０】基板が金属で選択的にメッキされた後、基
板を約１８０℃ないし約３５０℃に、金属をセラミック
基板に固着させるのに十分な時間、加熱する。時間は温
度に依存する。すなわち、温度が高ければ高いほど、時
間は短くなる。上で指定した温度範囲の場合、時間は約
３０分から約２４時間で変化する。
板を約１８０℃ないし約３５０℃に、金属をセラミック
基板に固着させるのに十分な時間、加熱する。時間は温
度に依存する。すなわち、温度が高ければ高いほど、時
間は短くなる。上で指定した温度範囲の場合、時間は約
３０分から約２４時間で変化する。
【００１１】もし、金属の第２層を、先に基板上にメッ
キした第１の金属（たとえばニッケル）層上に堆積する
なら、有利である。典型的な場合、これらの金属は無電
解メッキにより、堆積させる。銅及びパラジウムがこれ
らの金属の例である。もし、銅金属を酸化から保護する
ため、その上にニッケルを無電解メッキするなら、有利
である。
キした第１の金属（たとえばニッケル）層上に堆積する
なら、有利である。典型的な場合、これらの金属は無電
解メッキにより、堆積させる。銅及びパラジウムがこれ
らの金属の例である。もし、銅金属を酸化から保護する
ため、その上にニッケルを無電解メッキするなら、有利
である。
【００１２】次に、基板は約１８０℃ないし約３５０℃
の温度で、ベークする。次に、基板は上で指定した範囲
の温度及び時間で、再びベークする。
の温度で、ベークする。次に、基板は上で指定した範囲
の温度及び時間で、再びベークする。
【００１３】別の実施例において、燃焼浄化したセラミ
ック基板を、最初上述のように、活性溶液及び増感溶液
で処理する。次に、ニッケルをその上に無電解メッキ
し、基板を約１８０℃ないし約３５０℃の温度で、ベー
クする。次に、従来の材料及び技術を用いて、金属層上
にレジスト材料のパターン層を、堆積させる。反応性イ
オンエッチング及び化学エッチングのような従来の方法
を用いて、下の金属層中にパターン形成した層を、転写
する。次に、従来技術を用いて、レジスト材料の残った
部分を、基板から除去する。必要に応じて、上述のよう
に、銅の層をパターン形成したニッケル層上に、無電解
で形成する。その上に銅層を形成した後、基板を約１８
０℃ないし約３５０℃の温度で、再びベークする。
ック基板を、最初上述のように、活性溶液及び増感溶液
で処理する。次に、ニッケルをその上に無電解メッキ
し、基板を約１８０℃ないし約３５０℃の温度で、ベー
クする。次に、従来の材料及び技術を用いて、金属層上
にレジスト材料のパターン層を、堆積させる。反応性イ
オンエッチング及び化学エッチングのような従来の方法
を用いて、下の金属層中にパターン形成した層を、転写
する。次に、従来技術を用いて、レジスト材料の残った
部分を、基板から除去する。必要に応じて、上述のよう
に、銅の層をパターン形成したニッケル層上に、無電解
で形成する。その上に銅層を形成した後、基板を約１８
０℃ないし約３５０℃の温度で、再びベークする。
【００１４】詳細な記述 本プロセスでは基板上を金属又は金属パターンで被覆す
ることを考える。本プロセスに従って基板上に形成され
る金属は、非常に良好な固着性をもつ。すなわち、金属
及び基板間の引張り強度は、少くとも５００ｌｂ／ｉｎ
2 である。
ることを考える。本プロセスに従って基板上に形成され
る金属は、非常に良好な固着性をもつ。すなわち、金属
及び基板間の引張り強度は、少くとも５００ｌｂ／ｉｎ
2 である。
【００１５】本プロセスは金属で基板を完全に被覆する
のに有用であるが、本プロセスは基板表面上に金属パタ
ーンを形成するのに用いると、有利である。金属パター
ンは最初金属を適合させたいパターン形成したマスクを
基板上に形成することにより、形成される。このマスク
はスクリーン印刷又はリソグラフィのような従来技術を
用いて、形成される。基板上にマスクを形成する方法
は、当業者にはよく知られており、ここで詳細には述べ
ない。
のに有用であるが、本プロセスは基板表面上に金属パタ
ーンを形成するのに用いると、有利である。金属パター
ンは最初金属を適合させたいパターン形成したマスクを
基板上に形成することにより、形成される。このマスク
はスクリーン印刷又はリソグラフィのような従来技術を
用いて、形成される。基板上にマスクを形成する方法
は、当業者にはよく知られており、ここで詳細には述べ
ない。
【００１６】適切な基板の例には、セラミック材料でで
きた基板が含まれる。更に、たとえばタンタル（Ｔ
ａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、タンタルシリサイド
（ＴａＳｉ）及びニッケルクロム（ＮｉＣｒ）のような
抵抗性材料を上に形成した基板も、適切と考えられる。
これらの金属層が約５ないし約１００ｎｍの厚さをもつ
なら、有利である。金属層は当業者にはよく知られたた
とえばスパッタリングのような従来の方法を用いて、基
板上に形成する。
きた基板が含まれる。更に、たとえばタンタル（Ｔ
ａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、タンタルシリサイド
（ＴａＳｉ）及びニッケルクロム（ＮｉＣｒ）のような
抵抗性材料を上に形成した基板も、適切と考えられる。
これらの金属層が約５ないし約１００ｎｍの厚さをもつ
なら、有利である。金属層は当業者にはよく知られたた
とえばスパッタリングのような従来の方法を用いて、基
板上に形成する。
【００１７】セラミック基板材料の例には、少くとも約
７５ないし約９９．６重量パーセントの純度を有するア
ルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）；チタン酸バリウム（たとえばＢ
ａＴｉ4 Ｏ9 ：Ｂａ2 Ｔｉ9 Ｏ20）、チタン酸ジルコニ
ウム・スズ、チタン酸ジルコニウム・バリウム及び希土
類チタン酸塩のような金属置換チタン酸塩及びベリリア
（ＢｅＯ）が含まれる。これらの基板及び他の基板につ
いては、リカリ・ジェイ（Ｌｉｃａｒｉ，Ｊ）及びエン
ロー・エル（Ｅｎｌｏｗ Ｌ）、ハイブリッド・マイク
ロサーキット・テクノロジー・ハンドブック（Ｈｙｂｒ
ｉｄ Ｍｉｃｒｏｃｉｒｃｕｉｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇ
ｙ Ｈａｎｄｂｏｏｋ）、２５−４３頁（１９８８）及
びオーブライアン・エイチ・ジュニア（Ｏ, Ｂｒｙａ
ｎ，Ｈ，Ｊｒ）及びトムソン・ジェイ・ジュニア（Ｔｈ
ｏｍｓｏｎ Ｊ，Ｊｒ）“温度安定高誘電率及び低マイ
クロ波損を有する新しいＢａＯ−ＴｉＯ2 化合物”ジャ
ーナル・オブ・ザ・アメリカン・セラミック・ソサイエ
ティ（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆｔｈｅ Ａｍｅｒｉｃａｎ
Ｃｅｒａｍｉｃ Ｓｏｃｉｅｔｙ）、５７（１０）；
４５０−４５３（１９７４）に述べられている。これら
はここに参照文献として、含まれている。
７５ないし約９９．６重量パーセントの純度を有するア
ルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）；チタン酸バリウム（たとえばＢ
ａＴｉ4 Ｏ9 ：Ｂａ2 Ｔｉ9 Ｏ20）、チタン酸ジルコニ
ウム・スズ、チタン酸ジルコニウム・バリウム及び希土
類チタン酸塩のような金属置換チタン酸塩及びベリリア
（ＢｅＯ）が含まれる。これらの基板及び他の基板につ
いては、リカリ・ジェイ（Ｌｉｃａｒｉ，Ｊ）及びエン
ロー・エル（Ｅｎｌｏｗ Ｌ）、ハイブリッド・マイク
ロサーキット・テクノロジー・ハンドブック（Ｈｙｂｒ
ｉｄ Ｍｉｃｒｏｃｉｒｃｕｉｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇ
ｙ Ｈａｎｄｂｏｏｋ）、２５−４３頁（１９８８）及
びオーブライアン・エイチ・ジュニア（Ｏ, Ｂｒｙａ
ｎ，Ｈ，Ｊｒ）及びトムソン・ジェイ・ジュニア（Ｔｈ
ｏｍｓｏｎ Ｊ，Ｊｒ）“温度安定高誘電率及び低マイ
クロ波損を有する新しいＢａＯ−ＴｉＯ2 化合物”ジャ
ーナル・オブ・ザ・アメリカン・セラミック・ソサイエ
ティ（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆｔｈｅ Ａｍｅｒｉｃａｎ
Ｃｅｒａｍｉｃ Ｓｏｃｉｅｔｙ）、５７（１０）；
４５０−４５３（１９７４）に述べられている。これら
はここに参照文献として、含まれている。
【００１８】金属又はもし適切なら抵抗性材料を、その
上に形成する前に、基板を清浄化するなら、有利であ
る。たとえば、セラミック基板は約８００℃ないし約１
５００℃の温度に加熱し、約１分ないし約２４時間、そ
の温度に保つことにより、燃焼浄化される。もし基板が
アルミナなら、温度が約１２００℃ないし約１５００℃
であると、有利である。もし、基板がチタン酸バリウム
なら、温度は約８００℃ないし約１３００℃であると、
有利である。
上に形成する前に、基板を清浄化するなら、有利であ
る。たとえば、セラミック基板は約８００℃ないし約１
５００℃の温度に加熱し、約１分ないし約２４時間、そ
の温度に保つことにより、燃焼浄化される。もし基板が
アルミナなら、温度が約１２００℃ないし約１５００℃
であると、有利である。もし、基板がチタン酸バリウム
なら、温度は約８００℃ないし約１３００℃であると、
有利である。
【００１９】あるいは、基板は約２５℃ないし約１００
℃に加熱された塩基性水溶液に、それらを接触させるこ
とにより、清浄化される。適切な溶液の一例は、水酸化
ナトリウムの水溶液である。溶液中の水酸化ナトリウム
の濃度が、約２３ｇ／リットルないし約７５ｇ／リット
ルであると、有利である。基板は洗浄又は浸水といった
従来の方法により、溶液で清浄化する。当業者は、具体
的な基板を清浄化するのに必要な時間は、溶液温度、溶
液中の塩基の濃度、具体的な基板を浄化する必要度を含
む多くの要因に依存するが、それらに限定されないこと
を、認識するであろう。一実施例において、基板は２５
℃の水酸化ナトリウム水溶液（５０ｇ／リットルの濃
度）中に、約８ないし約１２時間、置かれる。別の実施
例において、溶液の温度は約５０℃で、浸す時間は約２
ないし約４時間である。
℃に加熱された塩基性水溶液に、それらを接触させるこ
とにより、清浄化される。適切な溶液の一例は、水酸化
ナトリウムの水溶液である。溶液中の水酸化ナトリウム
の濃度が、約２３ｇ／リットルないし約７５ｇ／リット
ルであると、有利である。基板は洗浄又は浸水といった
従来の方法により、溶液で清浄化する。当業者は、具体
的な基板を清浄化するのに必要な時間は、溶液温度、溶
液中の塩基の濃度、具体的な基板を浄化する必要度を含
む多くの要因に依存するが、それらに限定されないこと
を、認識するであろう。一実施例において、基板は２５
℃の水酸化ナトリウム水溶液（５０ｇ／リットルの濃
度）中に、約８ないし約１２時間、置かれる。別の実施
例において、溶液の温度は約５０℃で、浸す時間は約２
ないし約４時間である。
【００２０】もし、プロセスを基板上に金属パターンを
形成するために用いるなら、そのようなパターンは上述
のようにマスクを形成する基板上のエネルギー的に規定
可能なレジスト材料中に形成する。マスクにより露出さ
れる基板表面の部分は、金属を堆積させるべき基板表面
の部分である。次に、基板表面上への金属の無電解メッ
キを促進するため、基板表面を薬剤で処理する。そのよ
うに基板表面を処理する技術については、エイチ・ホン
マ（Ｈ．Ｈｏｎｍａ）ら、“アルミナセラミックの無電
解ニッケルメッキ”、プレーティング・アンド・サーフ
ェインス・フィニッシング（Ｐｌａｔｉｎｇ ａｎｄ
Ｓｕｒｆａｃｅ Ｆｉｎｉｓｈｉｎｇ）６２−６７頁
（１９８７年９月）に述べられている。これはここに参
照文献として、含まれている。
形成するために用いるなら、そのようなパターンは上述
のようにマスクを形成する基板上のエネルギー的に規定
可能なレジスト材料中に形成する。マスクにより露出さ
れる基板表面の部分は、金属を堆積させるべき基板表面
の部分である。次に、基板表面上への金属の無電解メッ
キを促進するため、基板表面を薬剤で処理する。そのよ
うに基板表面を処理する技術については、エイチ・ホン
マ（Ｈ．Ｈｏｎｍａ）ら、“アルミナセラミックの無電
解ニッケルメッキ”、プレーティング・アンド・サーフ
ェインス・フィニッシング（Ｐｌａｔｉｎｇ ａｎｄ
Ｓｕｒｆａｃｅ Ｆｉｎｉｓｈｉｎｇ）６２−６７頁
（１９８７年９月）に述べられている。これはここに参
照文献として、含まれている。
【００２１】基板表面とその上に無電解で形成される金
属の間の固着性を増進させるために、基板を増感溶液及
び活性溶液で、処理するなら有利である。典型的な場
合、増感溶液は塩化スズ又はフッ化スズである。もし、
溶液がフッ化スズ（ＳｎＦ2 ）を含むなら、溶液が約
０．０５ｇ／リットルないし約５ｇ／リットルの水溶液
であると、有利である。もし、溶液が塩化スズ（ＳｎＣ
ｌ2 ）を含むなら、溶液が約０．０５ｇ／リットルない
し約４４ｇ／リットル、０．１Ｍないし約１ＭＨＣｌの
水溶液であると、有利である。これらの溶液の温度は、
約１５℃ないし約９０℃である。フッ化スズ溶液の温度
が約２５℃で、塩化スズ溶液の温度が約２５℃ないし約
５０℃であると、有利である。
属の間の固着性を増進させるために、基板を増感溶液及
び活性溶液で、処理するなら有利である。典型的な場
合、増感溶液は塩化スズ又はフッ化スズである。もし、
溶液がフッ化スズ（ＳｎＦ2 ）を含むなら、溶液が約
０．０５ｇ／リットルないし約５ｇ／リットルの水溶液
であると、有利である。もし、溶液が塩化スズ（ＳｎＣ
ｌ2 ）を含むなら、溶液が約０．０５ｇ／リットルない
し約４４ｇ／リットル、０．１Ｍないし約１ＭＨＣｌの
水溶液であると、有利である。これらの溶液の温度は、
約１５℃ないし約９０℃である。フッ化スズ溶液の温度
が約２５℃で、塩化スズ溶液の温度が約２５℃ないし約
５０℃であると、有利である。
【００２２】次に、基板は塩化パラジウムの増感溶液
に、接触させる。活性溶液はＨＣｌ溶液中の塩化パラジ
ウム（ＰｄＣｌ2 ）溶液である。溶液が約０．０１ない
し約１ＭＨＣｌ溶液中の約０．１ｇ／リットルないし約
１０ｇ／リットルＰｄＣｌ2 溶液であると、有利であ
る。ＰｄＣｌ2 溶液の温度は、約１５℃ないし約９０
℃、好ましくは約５０℃である。
に、接触させる。活性溶液はＨＣｌ溶液中の塩化パラジ
ウム（ＰｄＣｌ2 ）溶液である。溶液が約０．０１ない
し約１ＭＨＣｌ溶液中の約０．１ｇ／リットルないし約
１０ｇ／リットルＰｄＣｌ2 溶液であると、有利であ
る。ＰｄＣｌ2 溶液の温度は、約１５℃ないし約９０
℃、好ましくは約５０℃である。
【００２３】基板は増感溶液及び活性溶液と、基板の所
望の部分に、触媒が結合するのに十分な時間、接触を保
つ。典型的な場合、プロセスのこの部分は、２周期で完
了する。第１の周期では、基板は増感溶液に約５分間、
接触させ、洗浄し、次に活性溶液に約５分間、接触させ
る。次に、基板を再び洗浄し、５分を２分に縮めること
を除いて、周期をくり返す。これを“５５２２周期”と
よぶ。
望の部分に、触媒が結合するのに十分な時間、接触を保
つ。典型的な場合、プロセスのこの部分は、２周期で完
了する。第１の周期では、基板は増感溶液に約５分間、
接触させ、洗浄し、次に活性溶液に約５分間、接触させ
る。次に、基板を再び洗浄し、５分を２分に縮めること
を除いて、周期をくり返す。これを“５５２２周期”と
よぶ。
【００２４】もし、金属を基板上に、パターンとして形
成するなら、セラミック基板にパラジウム金属を定着さ
せるために、基板を乾燥させる。もし、この乾燥工程を
行わないなら、フォトレジストを除去する時、基板から
触媒をとり除く。この工程はフォトレジストが除去され
る時、触媒がとり除かれるのを防ぐために必要であるか
ら、もし基板全体が金属で被覆されるか、もしこの加熱
工程を行わなければ、触媒が除去されない条件下で除去
できる材料で、パターンが作られるなら、そのような工
程は必要ない。
成するなら、セラミック基板にパラジウム金属を定着さ
せるために、基板を乾燥させる。もし、この乾燥工程を
行わないなら、フォトレジストを除去する時、基板から
触媒をとり除く。この工程はフォトレジストが除去され
る時、触媒がとり除かれるのを防ぐために必要であるか
ら、もし基板全体が金属で被覆されるか、もしこの加熱
工程を行わなければ、触媒が除去されない条件下で除去
できる材料で、パターンが作られるなら、そのような工
程は必要ない。
【００２５】被覆した基板は真空乾燥又は加熱といった
従来の方法を用いて、乾燥する。もし加熱を用いるな
ら、この目的を達成するために、基板は少くとも１００
℃の温度に、少くとも５分間加熱する。基板を約１５０
℃の温度に、少くとも約３０分間、加熱すると有利であ
る。当業者は、より高温にはより短い加熱時間が必要な
ことを、認識するであろう。加熱温度が約３５０℃を越
えなければ、有利である。次に、従来の技術を用いて、
基板からパターンのマスクを除去する。
従来の方法を用いて、乾燥する。もし加熱を用いるな
ら、この目的を達成するために、基板は少くとも１００
℃の温度に、少くとも５分間加熱する。基板を約１５０
℃の温度に、少くとも約３０分間、加熱すると有利であ
る。当業者は、より高温にはより短い加熱時間が必要な
ことを、認識するであろう。加熱温度が約３５０℃を越
えなければ、有利である。次に、従来の技術を用いて、
基板からパターンのマスクを除去する。
【００２６】次に、増感材料及び活性材料を堆積させる
基板の領域上に、金属をメッキするため、基板表面を無
電解メッキ槽に接触させる。無電解メッキ槽がニッケル
槽なら、有利である。無電解ニッケル槽については、ダ
ヴリュ・リーデル（Ｗ．Ｒｉｅｄｅｌ）、“無電解ニッ
ケルメッキ”３章（エイエスエム・インターナショナル
１９９１）に、述べられている。これはここに参照文献
として、含まれている。コバルト／リン及びニッケル／
コバルト／リンといった他の無電解メッキ槽も、適切と
考えられる。
基板の領域上に、金属をメッキするため、基板表面を無
電解メッキ槽に接触させる。無電解メッキ槽がニッケル
槽なら、有利である。無電解ニッケル槽については、ダ
ヴリュ・リーデル（Ｗ．Ｒｉｅｄｅｌ）、“無電解ニッ
ケルメッキ”３章（エイエスエム・インターナショナル
１９９１）に、述べられている。これはここに参照文献
として、含まれている。コバルト／リン及びニッケル／
コバルト／リンといった他の無電解メッキ槽も、適切と
考えられる。
【００２７】無電解ニッケルメッキ槽は、市販されてい
る。そのような槽の一例は、ケライト・ディビジョン
（Ｋｅｌｉｔｅ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ）、ウイッコ・ケミ
カル社（Ｗｉｔｃｏ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．）、メ
ルローズパーク、イリノイから入手できるニックラド
（Ｎｉｃｋｌａｄ）１０００槽である。ニックラド１０
００槽のような無電解ニッケルメッキ槽は、典型的な場
合、リンを含む。無電解ニッケル槽のリン含有量が、少
くとも８原子パーセントであると、有利である。ニッケ
ルは、基板上に所望の量の金属がメッキするのに十分な
時間、高温のニッケル槽中で、基板上に堆積させること
によって、メッキする。たとえば、基板上に約１μｍの
厚さの金属線を堆積させるためには、基板は約８０℃な
いし約９５℃の温度において、約１５分間、槽中で堆積
させる。ニッケルが堆積した後、基板は再び加熱する。
２４時間以内に、所望の固着性を得るため、基板を少く
とも約１８０℃に加熱する。もし基板を約２５０℃に加
熱するなら、所望の固着性は約６０分で得られる。基板
を約３５０℃を越える温度に加熱しないことが、有利で
ある。
る。そのような槽の一例は、ケライト・ディビジョン
（Ｋｅｌｉｔｅ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ）、ウイッコ・ケミ
カル社（Ｗｉｔｃｏ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．）、メ
ルローズパーク、イリノイから入手できるニックラド
（Ｎｉｃｋｌａｄ）１０００槽である。ニックラド１０
００槽のような無電解ニッケルメッキ槽は、典型的な場
合、リンを含む。無電解ニッケル槽のリン含有量が、少
くとも８原子パーセントであると、有利である。ニッケ
ルは、基板上に所望の量の金属がメッキするのに十分な
時間、高温のニッケル槽中で、基板上に堆積させること
によって、メッキする。たとえば、基板上に約１μｍの
厚さの金属線を堆積させるためには、基板は約８０℃な
いし約９５℃の温度において、約１５分間、槽中で堆積
させる。ニッケルが堆積した後、基板は再び加熱する。
２４時間以内に、所望の固着性を得るため、基板を少く
とも約１８０℃に加熱する。もし基板を約２５０℃に加
熱するなら、所望の固着性は約６０分で得られる。基板
を約３５０℃を越える温度に加熱しないことが、有利で
ある。
【００２８】第１の金属上に、金属層を追加してメッキ
することが、考えられる。銅及びパラジウムは、本プロ
セスにおいて、ニッケル金属層上にメッキされる追加さ
れる金属の例である。ニッケルの追加される層は、銅を
酸化から防止するため、銅の上に無電解メッキする。こ
れらの金属は、本プロセスにおいて、無電解で堆積させ
る。たとえば、上述のように堆積させたニッケル上に、
銅を堆積させるなら、上にニッケルが形成された基板
を、無電解銅槽中に置く。
することが、考えられる。銅及びパラジウムは、本プロ
セスにおいて、ニッケル金属層上にメッキされる追加さ
れる金属の例である。ニッケルの追加される層は、銅を
酸化から防止するため、銅の上に無電解メッキする。こ
れらの金属は、本プロセスにおいて、無電解で堆積させ
る。たとえば、上述のように堆積させたニッケル上に、
銅を堆積させるなら、上にニッケルが形成された基板
を、無電解銅槽中に置く。
【００２９】無電解銅メッキ槽は市販されている。適当
な槽の一例は、マックダーミド社（ＭａｃＤｅｒｍｉｄ
Ｔｎｃ）、ウォータバリー、コネチカットから入手で
きるＭＡＣｕＤｅｐ５４槽である。ニッケル−リン合金
により得られる導電率が不十分な用途において、銅を無
電解メッキするなら、有利である。銅を酸化から保護す
るため、ニッケルをもう一層、その上に無電解メッキす
る。ニッケルは上述のように、無電解メッキする。
な槽の一例は、マックダーミド社（ＭａｃＤｅｒｍｉｄ
Ｔｎｃ）、ウォータバリー、コネチカットから入手で
きるＭＡＣｕＤｅｐ５４槽である。ニッケル−リン合金
により得られる導電率が不十分な用途において、銅を無
電解メッキするなら、有利である。銅を酸化から保護す
るため、ニッケルをもう一層、その上に無電解メッキす
る。ニッケルは上述のように、無電解メッキする。
【００３０】銅及びニッケルをニッケル上にメッキした
後、所望の固着性を得るため、基板を少くとも１８０℃
の温度に再び加熱する。やはり、固着性はより高温で
は、より速く得られる。たとえば、２５０℃では約１時
間である。従って、本発明のプロセスにおいて、表面を
触媒処理した基板上に、ニッケルを無電解メッキした
後、基板を一度加熱し、ニッケル上に金属を追加してメ
ッキした後、再び加熱する。
後、所望の固着性を得るため、基板を少くとも１８０℃
の温度に再び加熱する。やはり、固着性はより高温で
は、より速く得られる。たとえば、２５０℃では約１時
間である。従って、本発明のプロセスにおいて、表面を
触媒処理した基板上に、ニッケルを無電解メッキした
後、基板を一度加熱し、ニッケル上に金属を追加してメ
ッキした後、再び加熱する。
【００３１】別の実施例において、パターン形成したレ
ジストの第２のメッキマスクを、増感溶液及び活性溶液
で処理する基板の領域を規定するパターン形成レジスト
層を除去した後、基板上に形成する。典型的な場合、第
２のメッキマスクは増感溶液及び活性溶液と接触しない
少くとも基板表面の部分上に、形成する。第２のメッキ
マスクは先に述べた任意の材料及び条件を用いて、形成
し、パターン形成する。
ジストの第２のメッキマスクを、増感溶液及び活性溶液
で処理する基板の領域を規定するパターン形成レジスト
層を除去した後、基板上に形成する。典型的な場合、第
２のメッキマスクは増感溶液及び活性溶液と接触しない
少くとも基板表面の部分上に、形成する。第２のメッキ
マスクは先に述べた任意の材料及び条件を用いて、形成
し、パターン形成する。
【００３２】次に、マスクを通して、露出され処理済の
基板表面の部分上に、金属をメッキする。マスクは基板
表面上にメッキされる金属の、横方向の支持となる。金
属はマスクにより規定されるパターンに、よく適合す
る。金属をメッキした後、上述のように、第２のメッキ
マスクを基板から除去する。
基板表面の部分上に、金属をメッキする。マスクは基板
表面上にメッキされる金属の、横方向の支持となる。金
属はマスクにより規定されるパターンに、よく適合す
る。金属をメッキした後、上述のように、第２のメッキ
マスクを基板から除去する。
【００３３】実施例１ アルミナ（９９．５％の純度、３．７５″×４．５″）
基板を、窒素が流れる雰囲気（２リットル／分）中で、
１２０℃において３０分間ベークし、酸素プラズマ
（０．６ｔｏｒｒ、４００ワット）中で５分間、浄化し
た。基板上にリソグラフィでマスクを形成した。シプレ
ーフォトレジスト４６２０を、２５００ｒｐｍで４０秒
間、基板上にスピンコートした。次に、基板を１００℃
で９０秒間ベークした。カールサス（Ｋａｒｌ Ｓｕｓ
ｓ）ＭＡ５６露光器を用いて、フォトレジスト層を６．
５ｍＷ／ｃｍ2 において２５秒間、露光した。水２部、
シプレー（Ｓｈｉｐｌｅｙ）ＡＺ４００Ｋ１の現像液中
に、基板を２分間浸すことにより、パターンを現像し
た。次に、脱イオン水で４分間、基板を洗浄し、窒素で
吹きとばし乾燥させた。次に、基板を窒素が流れる雰囲
気中（２リットル／分）で、１２０℃において１時間ベ
ークした。
基板を、窒素が流れる雰囲気（２リットル／分）中で、
１２０℃において３０分間ベークし、酸素プラズマ
（０．６ｔｏｒｒ、４００ワット）中で５分間、浄化し
た。基板上にリソグラフィでマスクを形成した。シプレ
ーフォトレジスト４６２０を、２５００ｒｐｍで４０秒
間、基板上にスピンコートした。次に、基板を１００℃
で９０秒間ベークした。カールサス（Ｋａｒｌ Ｓｕｓ
ｓ）ＭＡ５６露光器を用いて、フォトレジスト層を６．
５ｍＷ／ｃｍ2 において２５秒間、露光した。水２部、
シプレー（Ｓｈｉｐｌｅｙ）ＡＺ４００Ｋ１の現像液中
に、基板を２分間浸すことにより、パターンを現像し
た。次に、脱イオン水で４分間、基板を洗浄し、窒素で
吹きとばし乾燥させた。次に、基板を窒素が流れる雰囲
気中（２リットル／分）で、１２０℃において１時間ベ
ークした。
【００３４】パターン形成した基板を２５℃において５
分間、ＳｎＦ2 ／水溶液（１ｇ／リットル）中に浸し、
脱イオン水中で洗浄した。次に、基板をＰｄＣｌ2 ／水
（０．６ｇ／リットル）及び０．０３ＭＨＣｌ溶液中に
５０℃において、５分間浸し、脱イオン水中で洗浄し
た。基板をＳｎＦ2 及びＰｄＣｌ2 溶液中に２分間保っ
た。すなわちＳｎＦ2 （２分）−洗浄−ＰｄＣｌ2 （２
分間）−洗浄としたことを除いて、プロセスをくり返し
た。基板を空気中１５０℃において、３０分間ベークし
た。次に、９０℃において１分間、ポジレジスト除去液
（ＰＲＳ−１０００、ジェイ・ティー・ベーカー（Ｊ．
Ｔ．Ｂａｋｅｒ））中に、基板を浸すことにより、フォ
トレジスト層を除去した。
分間、ＳｎＦ2 ／水溶液（１ｇ／リットル）中に浸し、
脱イオン水中で洗浄した。次に、基板をＰｄＣｌ2 ／水
（０．６ｇ／リットル）及び０．０３ＭＨＣｌ溶液中に
５０℃において、５分間浸し、脱イオン水中で洗浄し
た。基板をＳｎＦ2 及びＰｄＣｌ2 溶液中に２分間保っ
た。すなわちＳｎＦ2 （２分）−洗浄−ＰｄＣｌ2 （２
分間）−洗浄としたことを除いて、プロセスをくり返し
た。基板を空気中１５０℃において、３０分間ベークし
た。次に、９０℃において１分間、ポジレジスト除去液
（ＰＲＳ−１０００、ジェイ・ティー・ベーカー（Ｊ．
Ｔ．Ｂａｋｅｒ））中に、基板を浸すことにより、フォ
トレジスト層を除去した。
【００３５】触媒パターン層を有する基板を、無電解ニ
ッケル槽（ニクラド１０００、７１−１００Ｃ、ｐＨ＝
４．５−５．５、アライド−ケライト・ディビジョン
（Ａｌｌｉｅｄ Ｋｅｌｉｔｅ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ）、
ウイッコケミカル社（Ｗｉｔｃｏ Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｃｏ）、メルローズパーク、イリノイ）中に、１０分間
浸した。それにより、ニッケル−リン（Ｎｉ／Ｐ）金属
のパターンが、基板上に形成された。次に、基板をＤＩ
水中で洗浄した。
ッケル槽（ニクラド１０００、７１−１００Ｃ、ｐＨ＝
４．５−５．５、アライド−ケライト・ディビジョン
（Ａｌｌｉｅｄ Ｋｅｌｉｔｅ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ）、
ウイッコケミカル社（Ｗｉｔｃｏ Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｃｏ）、メルローズパーク、イリノイ）中に、１０分間
浸した。それにより、ニッケル−リン（Ｎｉ／Ｐ）金属
のパターンが、基板上に形成された。次に、基板をＤＩ
水中で洗浄した。
【００３６】次に、基板を２５０℃に加熱し、その後基
板を無電解銅槽（ＭＡＣｕＤｅｐ５４、マックダーミド
社（ＭａｃＤｅｒｍｉｄ Ｉｎｃ）ウォータバリー、コ
ネチカット）中に浸した。基板を槽中に約３０分間浸
し、それによって、基板上に先に堆積させたニッケル上
に、１μｍの銅を堆積させた。次に、基板を２５０℃の
温度で、ベークした。
板を無電解銅槽（ＭＡＣｕＤｅｐ５４、マックダーミド
社（ＭａｃＤｅｒｍｉｄ Ｉｎｃ）ウォータバリー、コ
ネチカット）中に浸した。基板を槽中に約３０分間浸
し、それによって、基板上に先に堆積させたニッケル上
に、１μｍの銅を堆積させた。次に、基板を２５０℃の
温度で、ベークした。
【００３７】実施例２ ４個のアルミナ（９９．５％純度、３．７５″×４．
５″）基板及び４個のチタン酸バリウム基板（３．７
５″×４．５″）をベークし、実施例１で述べたよう
に、フォトレジストマスクをその上に形成した。
５″）基板及び４個のチタン酸バリウム基板（３．７
５″×４．５″）をベークし、実施例１で述べたよう
に、フォトレジストマスクをその上に形成した。
【００３８】次に、基板をＳｎＦ2 とＰｄＣｌ2 の溶液
（実施例１で述べた）中に浸した。基板を１５０℃で３
０分間ベークした。実施例１で述べたように、その上に
ニッケルを無電解メッキした。実施例１で述べたような
条件下で、ニッケルをその上に無電解メッキした後、２
個のアルミナ基板及び２個のチタン酸バリウム基板を、
ベークした。各型の基板２個は無電解ニッケルメッキ工
程に続いて、ベークしなかった。
（実施例１で述べた）中に浸した。基板を１５０℃で３
０分間ベークした。実施例１で述べたように、その上に
ニッケルを無電解メッキした。実施例１で述べたような
条件下で、ニッケルをその上に無電解メッキした後、２
個のアルミナ基板及び２個のチタン酸バリウム基板を、
ベークした。各型の基板２個は無電解ニッケルメッキ工
程に続いて、ベークしなかった。
【００３９】酸化物を除去するため、ベークした基板を
Ｈ2 ＳＯ4 溶液（１．８Ｍ）中に約１分間浸した。ベー
クした基板及びベークしない基板の両方を、無電解銅槽
（例１で述べたＭＡＣｕＤｅｐ５４）中に約３０分間浸
し、それによって先に堆積させたニッケル層上に、約１
μｍの銅を堆積させた。
Ｈ2 ＳＯ4 溶液（１．８Ｍ）中に約１分間浸した。ベー
クした基板及びベークしない基板の両方を、無電解銅槽
（例１で述べたＭＡＣｕＤｅｐ５４）中に約３０分間浸
し、それによって先に堆積させたニッケル層上に、約１
μｍの銅を堆積させた。
【００４０】基板をホウ酸ジメチルアミン溶液（濃度
〜５ｇ／リットル）中に、約５分間浸した。次に、８個
すべての基板上に、ニッケルの２度目の無電解メッキを
した。第１の無電解メッキ工程後、ベークしなかった４
個の基板のうち、各型の１つをベークし、各型の１つは
ベークしなかった。第１の無電解メッキ工程後ベークし
た４個の基板のうち、各型の１つをベークし、各型の１
つはベークしなかった。
〜５ｇ／リットル）中に、約５分間浸した。次に、８個
すべての基板上に、ニッケルの２度目の無電解メッキを
した。第１の無電解メッキ工程後、ベークしなかった４
個の基板のうち、各型の１つをベークし、各型の１つは
ベークしなかった。第１の無電解メッキ工程後ベークし
た４個の基板のうち、各型の１つをベークし、各型の１
つはベークしなかった。
【００４１】中間のベーキング工程が、金属が基板に固
着する程度に及ぼす効果を示すため、基板に張力を加え
た。図１に示されるように、加力棒４０をエポキシセメ
ント３０で、被覆基板１０に固着させた。次に、第１及
び第２のニッケル（Ｎｉ）層２０の基板１０への固着性
を示すため、加力棒４０に力を加えた。銅層は描かれて
いない。ニッケル層の基板への固着の程度を決るため、
カドグループ（Ｑｕａｄ Ｇｒｏｕｐ），スポケン，ワ
シントンから入手したセバスチャンＦＩＶＥ−Ａ計器を
用いた。表１は各無電解ニッケルメッキ工程後、基板を
ベークした時、より良好な固着性が得られることを、示
している。
着する程度に及ぼす効果を示すため、基板に張力を加え
た。図１に示されるように、加力棒４０をエポキシセメ
ント３０で、被覆基板１０に固着させた。次に、第１及
び第２のニッケル（Ｎｉ）層２０の基板１０への固着性
を示すため、加力棒４０に力を加えた。銅層は描かれて
いない。ニッケル層の基板への固着の程度を決るため、
カドグループ（Ｑｕａｄ Ｇｒｏｕｐ），スポケン，ワ
シントンから入手したセバスチャンＦＩＶＥ−Ａ計器を
用いた。表１は各無電解ニッケルメッキ工程後、基板を
ベークした時、より良好な固着性が得られることを、示
している。
【００４２】
【表１】 測定された引張り強度は、少くとも７個の試料について
測定された引張り強度の平均である。
測定された引張り強度の平均である。
【００４３】実施例３ その後のプロセス前に、基板を燃焼浄化した時、固着性
は本質的に改善された。実施例２で述べた寸法及び型の
多くのチタン酸バリウム基板を、入手した。約半分の基
板を、９００℃で約４時間、アニールした。
は本質的に改善された。実施例２で述べた寸法及び型の
多くのチタン酸バリウム基板を、入手した。約半分の基
板を、９００℃で約４時間、アニールした。
【００４４】次に、実施例１で述べたように、基板をＳ
ｎＦ2 及びＰｄＣｌ2 溶液中に浸した。次に、基板上に
ニッケルを無電解メッキし、実施例１で述べた条件下
で、基板を再びベークした。
ｎＦ2 及びＰｄＣｌ2 溶液中に浸した。次に、基板上に
ニッケルを無電解メッキし、実施例１で述べた条件下
で、基板を再びベークした。
【００４５】ニッケル及び基板間の固着性を、実施例２
で述べたように、測定した。表２は基板へのニッケルの
固着性は、引張り力にかかわらず、燃焼浄化しなかった
基板より、燃焼浄化した基板上で、はるかに強いことを
示している。
で述べたように、測定した。表２は基板へのニッケルの
固着性は、引張り力にかかわらず、燃焼浄化しなかった
基板より、燃焼浄化した基板上で、はるかに強いことを
示している。
【００４６】
【表２】
【図１】デバイスの層間の固着性を決めるため、試験さ
れる層状デバイスを、概略的に示す図。
れる層状デバイスを、概略的に示す図。
【符号の説明】 １０ 被覆基板、基板 ２０ 層 ３０ エポキシセメント ４０ 加力棒
フロントページの続き (72)発明者 タエ ヨン キム アメリカ合衆国 01921 マサチューセッ ツ，ボックスフォード，ブルックヴュー ロード 92 (72)発明者 ヘンリー ホン ロウ アメリカ合衆国 07922 ニュージャーシ ィ，バークレイ ハイツ，グラスマン プ レイス 140 (72)発明者 テー−サング ウー アメリカ合衆国 07974 ニュージャーシ ィ，ニュープロヴィデンス，セイレム ロ ード １
Claims (21)
- 【請求項１】 セラミック基板上に、エネルギーで規定
可能なレジスト材料の層を、形成する工程；基板表面の
第１の部分がレジスト層で被覆され、基板表面の第２の
部分がレジスト層で被覆されないように、レジスト層を
パターン形成する工程；基板上への金属の無電解メッキ
を促進するため、表面の選択された部分を、薬剤で処理
する工程；基板の表面を乾燥させる工程；レジスト層を
除去する工程；表面上に金属が形成されるように、表面
を無電解メッキ槽に露出する工程；及び金属を基板に固
着させるのに十分な時間、基板表面を約１８０℃ないし
約３５０℃に加熱する工程を含む基板表面上への金属被
膜の形成方法。 - 【請求項２】 金属はニッケルである請求項１記載の方
法。 - 【請求項３】 基板はアルミナ、チタン酸バリウム、ベ
リリヤ、チタン酸ジルコニウム・スズ、チタン酸ジルコ
ニウム・バリウム及び希土類チタン酸塩から成る類から
選択されたセラミック材料である請求項１記載の方法。 - 【請求項４】 基板表面はタンタル、窒化タンタル、タ
ンタルシリサイド及びニッケルクロムから成る類から選
択された抵抗性材料の層を、その上に有する請求項１記
載の方法。 - 【請求項５】 ニッケルを無電解メッキした後、表面を
第２の金属無電解メッキ槽に露出し、ニッケルパターン
上に第２の金属パターンを形成し、基板表面を約１８０
℃ないし約３５０℃の温度に加熱することを更に含む請
求項２記載の方法。 - 【請求項６】 第２の金属は、銅及びパラジウムから成
る類から選択される請求項５記載の方法。 - 【請求項７】 レジスト層を上に形成する前に、約８０
０℃ないし約１５００℃の温度において、基板を燃焼浄
化することを更に含む請求項３記載の方法。 - 【請求項８】 レジスト材料を基板上に形成する前に、
基板を塩基性水溶液に接触させることにより、基板を浄
化することを更に含む請求項１記載の方法。 - 【請求項９】 レジスト材料を基板上に形成する前に、
約８００℃ないし約１５００℃の温度において、基板を
燃焼浄化することを更に含む請求項５記載の方法。 - 【請求項１０】 基板上に金属を無電解メッキする前
に、薬剤に露出されない少くとも基板の領域を、パター
ン形成されたレジストが本質的にマスクするように、第
２のレジスト層を形成し、かつパターン形成し、金属を
上に形成するのに続き、基板を加熱した後、レジストマ
スクを除去することを更に含む請求項１記載の方法。 - 【請求項１１】 基板上にニッケル及び銅を無電解メッ
キする前に、薬剤に露出されない少くとも基板の領域
を、パターン形成されたレジストが本質的にマスクする
ように、第２のレジスト層を形成し、かつパターン形成
し、ニッケル及び銅を上に堆積させるのに続いて、基板
を加熱した後、レジストマスクを除去することを更に含
む請求項６記載の方法。 - 【請求項１２】 基板上にニッケルを無電解メッキする
前に、薬剤に露出されない少くとも基板の領域を、パタ
ーン形成されたレジストが、本質的にマスクするよう
に、第２のレジスト層を形成し、かつパターン形成し、
金属を上に形成するのに続き、基板を加熱した後、レジ
ストを除去することを更に含む請求項５記載の方法。 - 【請求項１３】 約８００℃ないし約１５００℃の温度
に、基板を燃焼浄化する工程；ＳｎＦ2 及びＳｎＣｌ2
から成る類から選択されたスズの塩を含む増感溶液及び
ＰｄＣｌ2 を含む活性溶液で、セラミック基板の表面を
処理する工程；表面上に金属層が形成されるように、表
面を無電解メッキ槽に露出する工程；及び約１８０℃な
いし約３５０℃の温度に、基板の表面を加熱する工程を
含む基板表面上への金属被膜の形成方法。 - 【請求項１４】 無電解金属メッキ槽は、無電解ニッケ
ルメッキ槽である請求項１３記載の方法。 - 【請求項１５】 銅又はパラジウム層がニッケル層上に
形成されるように、表面を銅又はパラジウム無電解メッ
キ槽に露出させることを更に含む請求項１４記載の方
法。 - 【請求項１６】 基板上に銅が形成される前に一度、基
板上に銅が形成された後に再度、基板の表面を約１８０
℃ないし約３５０℃の温度に加熱することを更に含む請
求項１５記載の方法。 - 【請求項１７】 基板はアルミナ、チタン酸バリウム、
ベリリヤ、チタン酸ジルコニウム・スズ、チタン酸ジル
コニウム・バリウム及びチタン酸希土類バリウムから成
る類から選択されたセラミック材料である請求項１３記
載の方法。 - 【請求項１８】 形成された金属被膜はパターン形成さ
れた金属被膜で、活性溶液及び増感溶液で、基板を処理
する前に、基板上のレジスト材料をパターン形成する工
程；増感溶液及び活性溶液で基板を処理した後、処理し
た基板表面を乾燥させる工程及び基板からレジスト層の
残った部分を除去する工程を更に含む請求項１３記載の
方法。 - 【請求項１９】 ニッケル層上にレジスト材料のパター
ン形成した層を形成し、パターンをニッケル層に転写
し、ニッケル層からレジスト材料の残った部分を除去す
る工程を、更に含む請求項１４記載の方法。 - 【請求項２０】 銅層上にレジスト材料のパターン形成
した層を形成し、銅層中にパターンを転写し、銅層から
レジスト材料の残った部分を除去する工程を更に含む請
求項１５記載の方法。 - 【請求項２１】 基板が燃焼浄化された後、抵抗性材料
の層が基板上に形成され、抵抗性材料はタンタル、窒化
タンタル、タンタルシリサイド及びニッケルクロムから
成る類から選択される請求項１３記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/324,842 US6524645B1 (en) | 1994-10-18 | 1994-10-18 | Process for the electroless deposition of metal on a substrate |
| US08/324842 | 1994-10-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08253868A true JPH08253868A (ja) | 1996-10-01 |
Family
ID=23265340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7268918A Withdrawn JPH08253868A (ja) | 1994-10-18 | 1995-10-18 | 基板上への金属の無電解堆積プロセス |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6524645B1 (ja) |
| EP (1) | EP0708581A3 (ja) |
| JP (1) | JPH08253868A (ja) |
| KR (1) | KR960016650A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| GB2384493A (en) * | 2002-01-23 | 2003-07-30 | Oxley Dev Co Ltd | Selective electroless plating of ceramic substrates for use in capacitors |
| JP2004332085A (ja) * | 2003-05-12 | 2004-11-25 | Seiko Epson Corp | 透明導電膜によるパターン形成方法 |
| JP2005022956A (ja) * | 2003-07-02 | 2005-01-27 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | セラミックの金属化 |
| EP1692081A2 (en) * | 2003-11-29 | 2006-08-23 | Cross Match Technologies, Inc. | Piezoelectric device and method of manufacturing same |
| US7488570B2 (en) * | 2003-12-16 | 2009-02-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming metal pattern having low resistivity |
| US20060030149A1 (en) * | 2004-08-06 | 2006-02-09 | Steven Leith | Depositing material on photosensitive material |
| WO2010120816A2 (en) * | 2009-04-13 | 2010-10-21 | Applied Materials, Inc. | Metallized fibers for electrochemical energy storage |
| KR101281429B1 (ko) * | 2009-08-06 | 2013-07-02 | 가부시키가이샤 알박 | 압전 소자의 제조 방법 |
| CN111517764A (zh) * | 2019-06-19 | 2020-08-11 | 贝国平 | 一种氧化物陶瓷复合材料选择性金属化的方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1304387A (ja) * | 1970-08-10 | 1973-01-24 | ||
| CA986772A (en) * | 1972-12-20 | 1976-04-06 | Pat F. Mentone | Selective metallization of nonconductors |
| US4189700A (en) * | 1976-09-09 | 1980-02-19 | Texas Instruments Incorporated | Resistor device |
| US4510179A (en) * | 1981-08-18 | 1985-04-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrode on heat-resisting and isolating substrate and the manufacturing process for it |
| US4666078A (en) * | 1982-04-20 | 1987-05-19 | Seiko Epson Kabushiki Kaisha | Electroless plated terminals of display panel |
| JPS6060994A (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-08 | 奥野製薬工業株式会社 | セラミツクの部分メツキ法 |
| JPS60234395A (ja) * | 1984-05-07 | 1985-11-21 | 田中貴金属工業株式会社 | アルミナ基板への銅めつき方法 |
| JPH0785495B2 (ja) * | 1985-03-18 | 1995-09-13 | ティーディーケイ株式会社 | 酸化物セラミツク上の銅電極形成法 |
| DE3675419D1 (de) * | 1985-04-13 | 1990-12-13 | Licentia Gmbh | Verfahren zur nasschemischen herstellung einer metallschicht. |
| US4685030A (en) * | 1985-04-29 | 1987-08-04 | Energy Conversion Devices, Inc. | Surface mounted circuits including hybrid circuits, having CVD interconnects, and method of preparing the circuits |
| JPH0653253B2 (ja) * | 1986-11-08 | 1994-07-20 | 松下電工株式会社 | セラミツク基板の粗化法 |
| EP0273227A3 (en) | 1986-12-22 | 1989-01-25 | Kalman F. Zsamboky | A method of improving bond strength between a metal layer and a non-metallic substrate |
| US4782007A (en) * | 1987-04-28 | 1988-11-01 | Macdermid, Incorporated | Additive method for manufacturing printed circuit boards using aqueous alkaline developable and strippable photoresists |
| US5288313A (en) * | 1990-05-31 | 1994-02-22 | Shipley Company Inc. | Electroless plating catalyst |
| JPH04209591A (ja) * | 1990-12-03 | 1992-07-30 | Hitachi Chem Co Ltd | セラミック回路基板の製造法 |
| US5219292A (en) * | 1992-04-03 | 1993-06-15 | Motorola, Inc. | Printed circuit board interconnection |
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-
1994
- 1994-10-18 US US08/324,842 patent/US6524645B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-10-11 EP EP95307184A patent/EP0708581A3/en not_active Withdrawn
- 1995-10-16 KR KR1019950035551A patent/KR960016650A/ko not_active Application Discontinuation
- 1995-10-18 JP JP7268918A patent/JPH08253868A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| KR960016650A (ko) | 1996-05-22 |
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| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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