JP2003226981A - 電子部品のめっき方法、及び電子部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板成分の溶出を極力回避して電極部上に所
望のめっき皮膜を形成し、これにより良好な電気的特性
を確保すると共に所望の電極パターンを有する信頼性に
優れた電子部品を得るようにした。 【解決手段】 ガラス成分を含有したセラミックス材料
（ガラスセラミック）からなる基板上に脱脂処理を行
い、次いで、シランカップリング剤を使用して防水処理
を行い、その後、エッチング処理、Ｐｄ触媒液による触
媒化処理、無電解めっきを施し、基板上の電極パターン
上に所望の金属種（Ｎｉ、Ｃｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｓ
ｎ、Ｐｔ、Ａｕ、又はこれらの合金等）からなるめっき
皮膜を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電子部品のめっき方
法、及び電子部品に関し、特に無電解めっきにより電極
パターン上にめっき皮膜を形成するセラミック電子部品
のめっき方法、及び該めっき方法により製造された電子
部品に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、セラミック多層基板やプリン
ト基板等の電子部品では、基板の内部又は／及び表面に
電極パターン（配線パターン）を形成した後、ボンディ
ング性やはんだ付け性等、種々の用途に応じ、前記電極
パターン上にＮｉやＣｕ等のめっき皮膜を形成してい
る。

【０００３】そして、めっき皮膜の形成方法としては電
解めっき法と無電解めっき法とがあるが、電解めっき法
では、めっき用リード線を設ける必要があるため配線密
度を上げることができず、まためっき膜厚のばらつきが
大きいという欠点がある。

【０００４】そこで、最近、還元剤を利用して金属を還
元析出させる自己触媒型の無電解めっき法が提案されて
いる（例えば、特開２００１−１８１８５２号公報；以
下「従来技術」という）。

【０００５】図９は、従来技術における無電解めっき法
の工程図である。

【０００６】該従来技術では、脱脂工程１０１で強酸や
強アルカリを使用して酸性脱脂又はアルカリ脱脂を行っ
て基板上の電極表面を清浄化した後、続くエッチング工
程１０２では、硫酸等の強酸や強力な酸化剤を使用して
電極表面にエッチング処理を施し、電極表面を平滑化又
は粗化して表面性状を微調整したり、電極表面に固着し
た酸化物を除去する。そして、撥水処理工程１０３で
は、所定の撥水処理液を使用して撥水処理を施し、これ
により触媒が導電部以外の部位に吸着され難くし、次い
で、触媒化工程１０４では被めっき物をＰｄ触媒液に浸
漬して電極表面にのみＰｄ触媒を付与し、その後、無電
解めっき工程１０５でホスフィン酸ナトリウム等の還元
剤が混入しためっき浴に被めっき物を浸漬して無電解め
っき処理を施し、前記被めっき物の電極表面にめっき皮
膜を形成している。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来技
術では、良好なめっき皮膜を得るために、強酸・強アル
カリや強力な酸化剤、還元剤、更には必要に応じて錯化
剤等の反応性の高い薬品を使用する必要がある。

【０００８】一方、上記電子部品の基板材料としては、
ガラスエポキシ樹脂やポリイミド等の有機樹脂基板とセ
ラミック基板に代表される無機材料基板とに大別される
が、前記有機樹脂基板は、良好な耐薬品性を有してお
り、化学的安定性に優れているため処理液の選択幅も広
い。

【０００９】これに対してセラミック基板は、有機樹脂
基板に比べて耐薬品性に劣り、化学的安定性に欠ける傾
向があるため、使用する材料の選択にも制約が生じ、し
たがって基板材料としては有機樹脂基板を使用する方が
望ましいと考えられる。

【００１０】ところが、最近、伝送速度の高速化や膨大
な情報処理に対処すべく、セラミック多層基板が広範に
使用されてきており、また導電材料についても銀系や銅
系の低抵抗材料が使用されている。そして、この種のセ
ラミック多層基板では、前記導電材料を基板内部に設け
る必要があるため、これら導電材料の融点よりも低温で
焼成しなければならず、このため低温での焼成が可能な
ガラス成分を含有したセラミックス材料（以下、「ガラ
スセラミックス」という）が使用されている。

【００１１】しかしながら、上記従来技術では、電極表
面以外の部位にＰｄ触媒が付与されるのを防止する観点
から触媒化工程１０４を実行する直前に撥水処理工程１
０３を実行しているが、ガラスセラミックス製の基板材
料を使用した場合、該撥水処理工程１０３前のエッチン
グ工程１０２で基板成分が溶出してしまう虞があるとい
う問題点があった。すなわち、近年、高周波化や低損失
化等の高性能なセラミック電子部品が要請されている
が、耐薬品性に優れ且つ高性能な電子部品を得ることの
できる基板材料としてのガラスセラミックスの選択幅は
狭く、前記高性能なセラミック電子部品を得ることので
きるガラスセラミックスが耐薬品性に劣っている場合、
無電解めっき工程１０５の前処理であるエッチング工程
１０２で基板成分がエッチング液中に溶出し、基板や電
極の機械的強度や誘電特性が低下して電子部品の信頼性
を損なう虞があるという問題点があった。

【００１２】また、上述の如く基板のガラス成分が溶出
した場合、被めっき物が多孔質化してＰｄ触媒液やめっ
き液が該被めっき物内に浸入し、被めっき物内にめっき
金属が析出するという問題点があった。

【００１３】さらに、上記従来技術では、撥水処理工程
１０３をエッチング工程１０２後に実行しているため、
折角エッチング工程１０２で電極表面の酸化物を除去し
ても撥水処理により電極表面には酸化物が再度形成され
易く、その結果触媒化工程１０４でＰｄ触媒が被めっき
物に付与され難くなる場合があり、このため所望の均質
なめっき皮膜を形成することができなくなる虞があると
いう問題点があった。

【００１４】本発明はこのような問題点に鑑みなされた
ものであって、基板成分の溶出を極力回避して電極部上
に所望のめっき皮膜を形成することのできる電子部品の
めっき方法、及び該めっき方法によりめっき皮膜を形成
することにより、良好な電気的特性を確保すると共に所
望の電極パターンを有する信頼性に優れた電子部品を提
供することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
達成すべく鋭意研究した結果、少なくともエッチング処
理を施す前に防水処理を施すことより、処理液中での基
板成分の溶出を極力回避して電極部上にのみ所望のめっ
き皮膜を形成することができるという知見を得た。

【００１６】本発明はこのような知見に基づきなされた
ものであって、本発明に係る電子部品のめっき方法は、
基板上に電極部が形成された被めっき物に前処理を施
し、この後、前記被めっき物に所定のめっき処理を施す
電子部品のめっき方法において、前記前処理にエッチン
グ処理を含むと共に、少なくとも前記エッチング処理を
施す前に防水処理を施すことを特徴としている。

【００１７】上記めっき方法によれば、エッチング処理
前に防水処理を施しているので、基板が、エッチング液
やめっき液等の強力な反応性を有する処理液と直接接触
するのを回避することができ、基板成分が各種処理液中
に溶出するのを抑制することができる。

【００１８】また、めっき処理を行う前に電極部表面を
清浄化すべく脱脂処理を行う必要があり、斯かる脱脂処
理はエッチング処理前に行う必要がある。また、強力な
酸又はアルカリを使用して脱脂処理を行う場合は基板素
体を保護する必要があることから脱脂処理を行う前に防
水処理を行うのが望ましい。

【００１９】すなわち、本発明のめっき方法は、前記前
処理に脱脂処理を含むと共に、該脱脂処理は前記防水処
理を施す前又は前記防水処理を施した直後に実行するこ
とを特徴としている。

【００２０】また、本発明は、前記基板は、ガラス成分
を含有したセラミックス材料からなることを特徴として
いる。

【００２１】すなわち、本発明はガラスセラミックスを
基板材料に使用した場合であっても少なくともエッチン
グ処理前に防水処理を施しているので、基板中のガラス
成分が溶出するのを極力回避することができる。

【００２２】また、低温焼結を可能にするガラス成分と
してアルカリ金属又はアルカリ土類金属から選択された
元素のうちの少なくとも１つ以上を含んでいる。

【００２３】また、前記防水処理は、炭化水素系、フッ
素系、又はシリコーン系から選択された少なくとも１種
以上の防水処理剤を使用することを特徴とし、好ましく
は前記防水処理剤が、シランカップリング剤又はチタネ
ートカップリング剤のいずれかであることを特徴とし、
さらに、前記シランカップリング剤は、ケイ素原子が、
クロム基、アルコキシ基、アセトキシ基、イソプロペノ
キシ基、アシルオキシ基、アミノ基、又は水酸基の中か
ら選択された少なくとも１種の官能基と結合してなるこ
とを特徴としている。

【００２４】上記防水処理剤は、基板素体とは化学結合
により強固に吸着する一方、電極部に対しては物理吸着
する。したがって、基板素体に結合した防水処理剤は基
板素体から脱離し難く、一方、電極部上の防水処理剤は
該電極部から容易に脱離する。すなわち、基板素体は、
処理液と直接接触することもなく、防水作用を確保する
ことができる。

【００２５】また、前記めっき処理は、無電解めっき処
理であることを特徴とし、これにより電極パターン上に
は均一なめっき皮膜を形成することができる。

【００２６】また、本発明に係る電子部品は、上記めっ
き方法を使用して電極部の表面にめっき皮膜が形成され
ていることを特徴とし、また前記めっき皮膜は、Ｎｉ、
Ｃｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｐｔ、又はＡｕから選
択された少なくとも１種を主成分としていることを特徴
とし、さらに前記電極部が、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、
又はＡｕら選択された少なくとも１種を含有しているこ
とを特徴としている。

【００２７】上記構成によれば、基板成分の溶出が生じ
ることもなく所望金属からなる電極部上に所望の金属種
を主成分とするめっき皮膜が形成され、所望の電極パタ
ーン及び良好な電気的特性を有する信頼性に優れた電子
部品を得ることができる。

【００２８】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら詳説する。

【００２９】図１は本発明に係る電子部品のめっき方法
により製造されたセラミック多層基板の一実施の形態を
示す断面図であって、該セラミック多層基板は、複数の
セラミックシート（第１〜第５のセラミックシート１ａ
〜１ｅ）が積層されている。

【００３０】具体的には、第１〜第４のセラミックシー
ト１ａ〜１ｄは、各々シート素体２（２ａ〜２ｄ）の表
面に内部導体３（３ａ〜３ｈ）が形成されており、ま
た、第５のセラミックシート１ｅは、シート素体２ｅの
表面に外部導体４（４ａ〜４ｃ）が形成されている。さ
らに、第２〜第５のセラミックシート１ｂ〜１ｅには導
体接続部５（５ａ〜５ｋ）が設けられ、各々導体接続部
５を介して各内部導体３間、又は外部導体４と内部導体
３との間が電気的に接続されている。そして、本実施の
形態では、第４のセラミック素体２ｄを介して内部導体
３ｇと内部導体３ｅとが対向状に配されてコンデンサ部
を形成し、外部導体４ｃ及び内部導体３ｈ、３ｆ、３
ｄ、３ｂは導電接続部５ｋ、５ｇ、５ｅ、５ｃを介して
電気的に接続されインダクタ部を形成している。

【００３１】また、図２に示すように、内部導体３は、
電極部６の表面にめっき皮膜７が形成され、外部導体４
は、電極部８の表面にめっき皮膜９が形成されている。

【００３２】そして、上記セラミック多層基板は、以下
のようにして製造される。

【００３３】すなわち、まず、所定形状に成形されたガ
ラスセラミックスからなるシート素体２に対し必要に応
じて適宜微細孔を設け、次いで、該微細孔を導電性ペー
ストで閉塞して導体接続部５を形成し、さらに該導電性
ペーストを使用し、印刷法、転写法、薄膜法等任意の方
法でシート素体２上に所定の電極パターン（配線パター
ン）からなる電極部６、８を形成する。次いで、電極部
６、８が形成されたシート素体２に無電解めっき処理を
施し、これにより電極部６、８上にはめっき皮膜７、９
が形成され、セラミックシート１（第１〜第５のセラミ
ックシート１ａ〜１ｅ）が作製される。そしてこれら第
１〜第５のセラミックシート１ａ〜１ｅを積層し、所定
温度で焼成処理を行い、これにより上記セラミック多層
基板が製造される。

【００３４】ここで、シート素体２に使用されるガラス
成分としては、低温焼結性の観点からアルカリ金属（Ｌ
ｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ）又はアルカリ土類金
属（Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｒａ）を１種以上
含有するものを使用することができる。

【００３５】また、電極部６、８は、低抵抗導電材料を
含有した導電性ペーストが使用され、具体的にはＣｕ、
Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔを使
用することができる。この場合、例えば、ＣｕＯとして
電極部６、８を形成した後、還元処理を施すことにより
Ｃｕ電極を形成してもよい。

【００３６】また、めっき皮膜７、９についても、種々
の用途に応じ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ−
Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔを使用することができる。

【００３７】尚、上記実施の形態では、外部導体４も第
１〜第５のシート素体２ａ〜２ｅ及び内部導体３を同時
焼成しているが、第１〜第５のシート素体２ａ〜２ｅと
内部導体３とを同時焼成した後、導電性ペーストを塗布
して焼付処理を施すことにより電極部８を形成し、その
後電極部８にめっき皮膜９を被着して外部導体４を形成
するようにしてもよい。

【００３８】次に、上記めっき皮膜７、９の形成方法
（めっき方法）を詳述する。

【００３９】図３は本めっき方法の処理手順を示す工程
図である。

【００４０】まず、脱脂工程１１では、シート素体２上
に電極部６、８を形成した被めっき物を用意し、該被め
っき物から有機物質や無機物質による汚染を除去するた
め、該被めっき物に脱脂処理を施す。

【００４１】尚、脱脂処理はアセトン等の非水系溶液で
実施することが望ましいが、ｐＨ４〜１０のエマルジョ
ン系脱脂液や水を使用してもよい。

【００４２】続く防水処理工程１２では、脱脂処理のな
された被めっき物を防水処理液に数分間浸漬し、防水処
理を施す。すなわち、被めっき物を構成するシート素体
２はガラスセラミックスで形成されているが、斯かるガ
ラスセラミックスは金属酸化物を主成分としているため
多量の酸素を含有しており、シート素体２の表面に露出
する酸素原子も多い。したがって、斯かる被めっき物を
防水処理液に浸漬すると、水分の作用によりシート素体
２の最表層には水酸基が形成され、斯かる水酸基が防水
処理液中の防水処理剤と化学結合し、防水処理剤はシー
ト素体２に強固に化学吸着する。一方、金属導体からな
る電極部６、８の表面は化学吸着せずに主として物理吸
着する。斯かる物理吸着はファン・デル・ワールス力等
の弱い分子間力に起因して生じるものであり、このため
防水処理剤は電極部６、８の表面から脱離し易い。すな
わち、防水処理剤はシート素体２からは脱離し難く、一
方、電極部６．８からは容易に脱離する。したがって、
被めっき物中、ガラスセラミックスからなるシート素体
２のみが防水処理剤により強固に被覆されて防水性を有
することとなる。

【００４３】尚、防水処理剤としては、一般式ＹＲＳｉ
Ｘ_３（Ｙ：有機マトリックスと反応する有機官能基、
Ｒ：アルキル基、Ｘ：加水分解性基）で表されるシラン
カップリング剤や、一般式（ＲＯ）_ｍＴｉ−（ＯＲ′）
_４−ｍで表されるチタネートカップリング剤を使用する
ことができ、またシランカップリング剤を使用する場合
は、Ｓｉと結合する加水分解性基として、クロム基、ア
ルコキシ基、アセトキシ基、イソプロペノキシ基、アシ
ルオキシ基、アミノ基、又は水酸基の中から選択された
少なくとも１種の官能基を使用することができる。

【００４４】次に、エッチング工程１３では、被めっき
物を所定のエッチング液に浸漬して電極部６、８の表面
に固着している酸化物をエッチング除去し、また表面形
状を適度に平滑化或いは粗化等して表面形状の微調整を
行う。

【００４５】ここで、エッチング液としては、一般には
硫酸塩やクエン酸等の酸性水溶液を使用することができ
るが、電極材料によってはアルカリ性水溶液も使用可能
であり、例えば電極部６、８がＣｕで形成されている場
合は（ＮＨ_３＋Ｈ_２Ｓ_２Ｏ_４）や（ＮＨ_３＋Ｃｕ_２Ｏ）
のようなアルカリ性水溶液を使用することができる。

【００４６】このようにしてエッチング工程１３が終了
した後、触媒化工程１４に進み、被めっき物をＰｄ触媒
液に浸漬して電極部６、８の表面に触媒を付与する。こ
の場合、被めっき物のシート素体２は防水処理が施され
ており、防水処理剤がシート素体２上に強固な化学吸着
をしているため、電極部６、８のみに効果的にＰｄ触媒
が付与される。

【００４７】そして、最後に還元剤が添加されためっき
浴に被めっき物を浸漬し、所定の無電解めっき処理を施
してめっき皮膜７、９を形成し、その後水洗・乾燥し、
これにより電極部６、８の表面には所望金属種からなる
めっき皮膜７、９を有するセラミック多層基板が製造さ
れる。

【００４８】ここで、還元剤としては特に限定されるも
のではなく、ホスフィン酸ナトリウム、ホルムアルデヒ
ド、ジメチルアミンボラン、水素化ホウ素ナトリウム
等、周知の自己触媒型無電解めっきで使用される所望の
還元剤を使用することができる。

【００４９】また、めっき浴についても特に限定される
ものではなく、要求される析出金属に応じ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｐｔ、Ａｕ、又はこれら
の合金種を含有しためっき浴を使用することができる。

【００５０】このように本実施の形態では、無電解めっ
き処理の前処理としてエッチング工程１３を含むと共
に、該エッチング工程１３前にガラスセラミックスから
なるシート素体２に防水処理を行っているので、その後
の一連の工程でガラスセラミックス中の基盤成分、特に
ガラス成分が処理液中に溶出するのを極力回避すること
ができ、したがって、セラミックシート１の機械的強度
や誘電特性等の電気的特性が低下するのを防止すること
ができ、信頼性に優れたをセラミック多層基板を得るこ
とができる。

【００５１】しかも、シート素体２に防水処理を施すこ
とによってＰｄ触媒は電極表面にのみ効果的に付与さ
れ、これにより電極表面にはめっき皮膜７、９を効率良
く形成することができる。

【００５２】尚、本発明は上記実施の形態に限定される
ものではない。上記実施の形態では、脱脂工程１１とエ
ッチング工程１３との間に防水処理工程１２を実施して
いるが、本発明は、少なくともエッチング工程１３の前
に防水処理を施せばよく、したがって、脱脂工程１１を
実施する前に防水処理を行ってもよい。特に、電極表面
を清浄化すべく強力な酸性溶液又はアルカリ性溶液を使
用して脱脂を行う場合は、脱脂工程１１前に防水処理を
行ってシート素体２を構成するガラスセラミックスを保
護するのが好ましい。

【００５３】また、上記実施の形態では、防水処理を行
った後、直ちにエッチング処理を行っているが、前記防
水処理を行った後に熱処理を施すのも好ましい。すなわ
ち、斯かる熱処理を施すことによりシランカップリング
剤等の防水処理剤と絶縁体であるシート素体２との化学
結合がより強固なものとなり、防水効果がより一層向上
する。

【００５４】また、上記実施の形態では、電極部６、８
の表面に単一層のめっき皮膜７、９を形成しているが、
さらに置換めっきや無電解めっきを施し、電極部６、８
上に複数層のめっき皮膜を形成してもよい。

【００５５】また、上記実施の形態では、シート素体２
をガラスセラミックスで形成したセラミック多層基板に
ついて説明したが、本発明は、基板材料が耐薬品性に劣
るものであれば、適用可能であり、したがって、多層基
板に限定されることはなく、また基板材料もガラスセラ
ミックスに限定されるものではない。

【００５６】

【実施例】次に、本発明の実施例を具体的に説明する。

【００５７】〔第１の実施例〕本発明者は、Ｍｇ_３Ｂ₂
Ｏ₆−Ｍｇ₂ＳｉＯ₄系ガラス成分を含有したガラスセラ
ミックスに周知の成形処理を施し、縦１０ｍｍ、横１０
ｍｍ、厚み１ｍｍのセラミック成形体を作製した。そし
て、該成形体をフッ素系シランカップリング剤に２５℃
で３分間浸漬して防水処理を施し、その後水洗した。

【００５８】一方、本発明者は、水素イオン指数ｐＨが
夫々１、４、７、１０、及び１３となるように０.２Ｍ
クエン酸溶液を水酸化ナトリウム水溶液で調整し、エッ
チング液を作製した。

【００５９】次いで、前記成形体を前記エッチング液に
温度８０℃で２４時間浸漬し、該エッチング液中に溶出
したガラス成分、すなわちＭｇ、Ｂ、ＳｉをＩＣＰ−Ａ
ＥＳ（誘電結合プラズマ発光分光法）により定量分析し
た。

【００６０】また、本発明者は、比較例として上記ガラ
スセラミック成形体に防水処理を施すことなく上記エッ
チング液に浸漬し、上述と同様、エッチング液中に溶出
したガラス成分、すなわちＭｇ、Ｂ、ＳｉをＩＣＰ−Ａ
ＥＳ（誘電結合プラズマ発光分光法）により定量分析し
た。

【００６１】図４〜図６は定量分析の分析結果を示す特
性図であって、横軸は水素イオン指数ｐＨ、縦軸はＭ
ｇ、Ｂ、Ｓｉの夫々の溶出量（μｇ／ｍｌ）を示してい
る。

【００６２】この図４〜図６から明らかなように、比較
例は水素イオン指数ｐＨが１〜４の酸性領域で、成形体
が溶解してガラス成分がエッチング液中に大量に溶出
し、しかもＢ（ホウ素）に関してはｐＨ１３のアルカリ
性領域でも溶出することが分かった（図５参照）。

【００６３】これに対して本発明実施例は、成形体に防
水処理を施しているため、水素イオン指数ｐＨ１の強酸
性領域では若干ガラス成分の溶出が認められるものの、
比較例に比べると大幅に低減しており、また水素イオン
指数ｐＨが４を超える領域では溶出量を０又はほぼ０に
することができることが確認された。

【００６４】〔第２の実施例〕本発明者は、第１の実施
例と同様の組成成分を有するガラスセラミックス材料を
使用して縦５００ｍｍ、横５００ｍｍ、厚み０．５ｍｍ
のガラスセラミックス成形体を作製し、該成形体の表面
にＣｕを含有した導電性ペーストを使用して印刷処理を
施し、電極部を形成して被めっき物を作製した。次い
で、斯かる被めっき物をフッ素系シランカップリング剤
に２５℃で３分間浸漬し、水洗した後、無電解Ｎｉめっ
き液（ｐＨ４.６、８０℃）２００ｍｌに１０分間浸漬
し、めっき浴に溶出したガラス成分（Ｍｇ、Ｂ、Ｓｉ）
をＩＣＰ−ＡＥＳにより定量分析した。

【００６５】また、共振法を用いて１２ＧＨｚにおける
めっき処理前後の機械的品質係数Ｑ（誘電率／誘電損
失）を測定し、両者の比（Ｑ比）を算出した。

【００６６】また、本発明者は、上記めっき物に防水処
理を施すことなく、上述と同様、上記無電解Ｎｉめっき
液に浸漬してめっき処理を施し、上述と同様、めっき浴
中に溶出したガラス成分をＩＣＰにより定量分析した。
また、上述と同様、めっき処理前後における機械的品質
係数Ｑを測定し、両者の比（Ｑ比）を算出した。

【００６７】表１はその測定結果を示している。

【００６８】

【表１】 この表１から明らかなように比較例は防水処理を施して
いないため、ガラス成分の溶出量が極めて大きいことが
分かった。また、比較例はＱ比も０．１と小さく、めっ
き処理前に比べてめっき処理後の機械的品質係数Ｑが大
幅に低下しており、したがってめっき処理後における誘
電特性の低下が認められた。

【００６９】これに対して実施例は防水処理を施してい
るため、比較例に比べて各ガラス成分（Ｂ、Ｍｇ、Ｓ
ｉ）の溶出量が大幅に低減することができ、また機械的
品質係数Ｑもめっき処理前に比べ大きく低下することも
なく、誘電特性の低下を極力抑制することのできること
が確認された。

【００７０】〔第３の実施例〕次に、本発明者は、第１
の実施例と同様のガラスセラミックス材料を使用して縦
３０ｍｍ、横１０ｍｍ、厚み１ｍｍのガラスセラミック
ス成形体を作製し、次いでＣｕを含有した導電性ペース
トを使用し膜厚約５μｍの所定パターンのＣｕ電極をス
クリーン印刷で形成した。

【００７１】前記所定パターンとしては、具体的には図
７に示すように、電極の線幅Ｌ及び電極間の離間距離Ｓ
が異なる４種類の櫛型状電極パターンと、図８に示すよ
うに、一片の電極長さＤが異なる４種類の正方形状電極
パターンとを作製した。

【００７２】そして、これら被めっき物を中性洗剤で脱
脂し、水で洗浄した後乾燥させた。次いで斯かる被めっ
き物をフッソ系シランカップリング剤に温度２５℃で３
分間浸漬し、その後温度６０℃で３０分間乾燥した。

【００７３】次いで、前記被めっき物を水洗した後、エ
ッチング液としてペルオキソ２硫酸アンモニウムを使用
し、被めっき物を前記エッチング液に温度２５℃で１分
間浸漬し、水洗した後、該被めっき物をＰｄ触媒液に温
度２５℃で２分間浸漬して電極パターン上にＰｄ触媒を
付与し、この後被めっき物を弱酸性無電解Ｎｉめっき液
に温度８０℃で１０分間浸漬し、膜厚２μｍのＮｉめっ
き皮膜を電極パターン上に形成した。

【００７４】次いで、温度６５℃の金めっき浴に１０分
間浸漬して置換めっきを施し、Ｎｉめっき皮膜上にＡｕ
めっき皮膜を形成し、セラミックシートを作製した。

【００７５】次に、このようにして作製したセラミック
シートを光学顕微鏡（ＯＬＹＭＰＵＳ社製ＳＺ−ＳＴ
型）で観察し、めっきのパターニング性及び析出性を評
価した。

【００７６】また、本発明者らは、比較例として上記実
施例で防水処理を行わなかった試験片を作製し、実施例
と同様、光学顕微鏡でパターニング性及び析出性を評価
した。

【００７７】表２はその評価結果を示している。

【００７８】

【表２】 尚、パターニング性評価は図７の電極パターンで行い、
めっき皮膜の電極パターン上からの「はみ出し」の有無
でその評価を行った。表２中、前記「はみ出し」がない
場合を「○」、前記「はみ出し」がある場合を「×」で
示している。

【００７９】また、析出性評価は図８の電極パターンで
行い、電極パターン上に均一な膜厚でもってめっき金属
が析出しているか否かによりその評価を行った。

【００８０】この表２から明らかなように、析出性に関
しては実施例及び比較例共、良好であるが、パターニン
グ性に関しては、防水処理を施していない比較例は電極
パターンが微細になれば低下するのに対し、防水処理を
施している実施例は微細な電極パターンとなっても良好
なパターニング性を確保することのできることが分かっ
た。

【００８１】

【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る電子部
品のめっき方法は、基板上に電極部が形成された被めっ
き物に前処理を施した後、前記被めっき物に所定のめっ
き処理を施す電子部品のめっき方法において、前記前処
理にエッチング処理を含むと共に、少なくとも前記エッ
チング処理を施す前に防水処理を施しているので、エッ
チング処理やめっき処理を施しても基板成分がこれら処
理液中に溶出するのを抑制することができ、したがっ
て、基板の機械的強度や電気的特性が低下するのを回避
して信頼性に優れた電子部品を得ることができる。しか
も、前記防水処理を施すことにより基板素体と処理液と
が直接接触するのを回避して基盤成分の溶出を極力回避
しているので、各種処理液の選択幅も広くなり、種々の
金属種のめっき皮膜を有する様々な用途に適合した電子
部品を容易に得ることができる。

【００８２】また、本発明は、前記前処理に脱脂処理を
含むと共に、該脱脂処理は前記防水処理を施す前又は前
記防水処理を施した直後に実行するので、基板の清浄性
を確保することができ、特に強力な酸又はアルカリを使
用して脱脂処理を行う場合は脱脂処理を行う前に防水処
理を行うことにより、基板素体を保護することができ
る。

【００８３】また、前記基板は、前記基板は、ガラス成
分を含有したセラミックス材料からなるので、基板材料
にガラスセラミックスを使用した場合であっても基板の
ガラス成分が溶出するのを極力回避することができる。

【００８４】また、前記ガラス成分は、アルカリ金属又
はアルカリ土類金属から選択された元素のうちの少なく
とも１つ以上を含み、前記防水処理は、炭化水素系、フ
ッ素系、又はシリコーン系から選択された少なくとも１
種以上の防水処理剤を使用し、さらに該防水処理剤とし
ては、シランカップリング剤又はチタネートカップリン
グ剤のいずれかを使用し、より好ましくはケイ素原子
が、クロム基、アルコキシ基、アセトキシ基、イソプロ
ペノキシ基、アシルオキシ基、アミノ基、又は水酸基の
中から選択された少なくとも１種の官能基と結合したシ
ランカップリング剤を使用して防水処理を施すことによ
り、上記作用効果を容易に奏することができる。

【００８５】また、本発明に係る電子部品は、上記めっ
き方法を使用して電極部の表面にめっき皮膜が形成され
ているので、基板成分の溶出を極力回避することがで
き、所望金属からなる電極部上には所望の金属種を主成
分とするめっき皮膜を容易に形成することができ、所望
の電極パターンを有する信頼性に優れた電子部品を容易
に得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のめっき方法を使用して製造された電子
部品としてのセラミック多層基板の断面図である。

【図２】図１の要部拡大図である。

【図３】本発明に係る電子部品のめっき方法の一実施の
形態を示す工程図である。

【図４】水素イオン指数とＭｇの溶出量との関係を比較
例と共に示した特性図である。

【図５】水素イオン指数とＢの溶出量との関係を比較例
と共に示した特性図である。

【図６】水素イオン指数とＳｉの溶出量との関係を比較
例と共に示した特性図である。

【図７】第３の実施例で形成される電極パターンの一例
を示す図である。

【図８】第３の実施例で形成される電極パターンの他の
例を示す図である。

【図９】従来の電子部品のめっき方法の工程図である。

【符号の説明】

２ シート素体（基板） ６ 電極部 ７ めっき皮膜 ８ 電極部 ９ めっき皮膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K022 AA02 AA04 AA31 AA42 BA01 BA03 BA08 BA13 BA18 BA21 BA31 BA32 BA35 CA03 CA08 CA14 CA16 CA22 CA23 DA01 5E343 AA07 AA24 CC33 CC43 CC50 EE02 EE56 GG11 GG13

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に電極部が形成された被めっき物
   に前処理を施し、この後、前記被めっき物に所定のめっ
   き処理を施す電子部品のめっき方法において、 前記前処理にエッチング処理を含むと共に、少なくとも
   前記エッチング処理を施す前に防水処理を施すことを特
   徴とした電子部品のめっき方法。
2. 【請求項２】 前記前処理に脱脂処理を含むと共に、該
   脱脂処理は前記防水処理を施す前又は前記防水処理を施
   した直後に実行することを特徴とする請求項１記載の電
   子部品のめっき方法。
3. 【請求項３】 前記基板は、ガラス成分を含有したセラ
   ミックス材料からなることを特徴とする請求項１又は請
   求項２記載の電子部品のめっき方法。
4. 【請求項４】 前記ガラス成分は、アルカリ金属又はア
   ルカリ土類金属から選択された元素のうちの少なくとも
   １つ以上を含むことを特徴とする請求項３記載の電子部
   品のめっき方法。
5. 【請求項５】 前記防水処理は、炭化水素系、フッ素
   系、又はシリコーン系から選択された少なくとも１種以
   上の防水処理剤を使用することを特徴とする請求項１乃
   至請求項４のいずれかに記載の電子部品のめっき方法。
6. 【請求項６】 前記防水処理剤が、シランカップリング
   剤又はチタネートカップリング剤のいずれかであること
   を特徴とするめっき請求項５記載の電子部品のめっき方
   法。
7. 【請求項７】 前記シランカップリング剤は、ケイ素原
   子が、クロム基、アルコキシ基、アセトキシ基、イソプ
   ロペノキシ基、アシルオキシ基、アミノ基、又は水酸基
   の中から選択された少なくとも１種の官能基と結合して
   なることを特徴とする請求項６記載の電子部品のめっき
   方法。
8. 【請求項８】 前記めっき処理は、無電解めっき処理で
   あることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか
   に記載の電子部品のめっき方法。
9. 【請求項９】 請求項１乃至請求項８のいずれかに記載
   のめっき方法を使用して電極部の表面にめっき皮膜が形
   成されていることを特徴とする電子部品。
10. 【請求項１０】 前記めっき皮膜は、ニッケル、銅、ロ
    ジウム、パラジウム、銀、スズ、白金、又は金から選択
    された少なくとも１種を主成分としていることを特徴と
    する請求項９記載の電子部品。
11. 【請求項１１】 前記電極部が、銅、銀、パラジウム、
    白金、又は金から選択された少なくとも１種を含有して
    いることを特徴とする請求項９又は請求項１０記載の電
    子部品。