JPH08250746A - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
半導体装置の作製方法Info
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- JPH08250746A JPH08250746A JP7080755A JP8075595A JPH08250746A JP H08250746 A JPH08250746 A JP H08250746A JP 7080755 A JP7080755 A JP 7080755A JP 8075595 A JP8075595 A JP 8075595A JP H08250746 A JPH08250746 A JP H08250746A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 57
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 65
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 42
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 53
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 claims description 18
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 17
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 14
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 14
- 238000007743 anodising Methods 0.000 abstract description 7
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 118
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 70
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 56
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 46
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 16
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 3
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
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- H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
- H01L29/66757—Lateral single gate single channel transistors with non-inverted structure, i.e. the channel layer is formed before the gate
-
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 アルミニウムを用いた電極や配線の周囲に陽
極酸化工程において酸化物膜を形成する構成において、
この電極や配線に対するコンタクトホールの形成を容易
にする。 【構成】 アルミニウムを主成分とする電極１０５の上
部にレジストマスク１０６を配置する。そして、電解溶
液中において陽極酸化を行うことにより、マスク１０６
が配置された以外の領域に陽極酸化膜１０７を形成す
る。この部分は、陽極酸化膜が形成されていないので、
後にコンタクトホールを形成することが容易となる。ま
た、コンタクト電極１２１の形成の際に、開口１１４に
おいて、ゲイト電極１０５を除去してしまうことによ
り、ゲイト電極の分断工程をコンタクト電極の形成と同
時に行う。
極酸化工程において酸化物膜を形成する構成において、
この電極や配線に対するコンタクトホールの形成を容易
にする。 【構成】 アルミニウムを主成分とする電極１０５の上
部にレジストマスク１０６を配置する。そして、電解溶
液中において陽極酸化を行うことにより、マスク１０６
が配置された以外の領域に陽極酸化膜１０７を形成す
る。この部分は、陽極酸化膜が形成されていないので、
後にコンタクトホールを形成することが容易となる。ま
た、コンタクト電極１２１の形成の際に、開口１１４に
おいて、ゲイト電極１０５を除去してしまうことによ
り、ゲイト電極の分断工程をコンタクト電極の形成と同
時に行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本明細書で開示する発明は、アル
ミニウムまたはアルミニウムを主成分とする電極や配線
に対して配線用のコンタクトを形成する技術に関する。
ミニウムまたはアルミニウムを主成分とする電極や配線
に対して配線用のコンタクトを形成する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５に示すような作製工程で作製される
薄膜トランジスタが知られている。図５に示される薄膜
トランジスタは、ガラス基板上に形成されるもので、Ｏ
ＦＦ電流の小さい特性を有する。ＯＦＦ電流の小さいと
いうことは、アクティブマトリクス型の液晶表示装置や
その他薄膜集積回路に利用する場合に非常に重要な要素
である。
薄膜トランジスタが知られている。図５に示される薄膜
トランジスタは、ガラス基板上に形成されるもので、Ｏ
ＦＦ電流の小さい特性を有する。ＯＦＦ電流の小さいと
いうことは、アクティブマトリクス型の液晶表示装置や
その他薄膜集積回路に利用する場合に非常に重要な要素
である。
【０００３】図５に示す薄膜トランジスタは、チャネル
形成領域とソース／ドレイン領域との間にオフセットゲ
イト領域という電気的な緩衝領域を形成することによ
り、ＯＦＦ電流特性を改善するものである。図５に示す
ような構成は、例えば特開平４─３６０５８０号公報に
記載されている。
形成領域とソース／ドレイン領域との間にオフセットゲ
イト領域という電気的な緩衝領域を形成することによ
り、ＯＦＦ電流特性を改善するものである。図５に示す
ような構成は、例えば特開平４─３６０５８０号公報に
記載されている。
【０００４】以下に図５に示す薄膜トランジスタの作製
工程を簡単に示す。まず、ガラス基板２０１を用意し、
その表面にスパッタ法やプラズマＣＶＤ法によって、酸
化珪素膜２０２を成膜する。この酸化珪素膜は、ガラス
基板中から不純物等が拡散しないようにするための下地
膜である。そして非晶質珪素膜をプラズマＣＶＤ法や減
圧熱ＣＶＤ法で成膜する。さらに必要に応じて、加熱処
理やレーザー光の照射を行い、非晶質珪素膜を結晶化さ
せる。なお、特性の低さを許容するならば、非晶質珪素
膜のままでよい。
工程を簡単に示す。まず、ガラス基板２０１を用意し、
その表面にスパッタ法やプラズマＣＶＤ法によって、酸
化珪素膜２０２を成膜する。この酸化珪素膜は、ガラス
基板中から不純物等が拡散しないようにするための下地
膜である。そして非晶質珪素膜をプラズマＣＶＤ法や減
圧熱ＣＶＤ法で成膜する。さらに必要に応じて、加熱処
理やレーザー光の照射を行い、非晶質珪素膜を結晶化さ
せる。なお、特性の低さを許容するならば、非晶質珪素
膜のままでよい。
【０００５】次に非晶質珪素膜をパターニングすること
により、薄膜トランジスタの活性層２０３を形成する。
活性層２０３を形成したら、ゲイト絶縁膜として機能す
る酸化珪素膜２０４をプラズマＣＶＤ法やスパッタ法に
よって成膜する。そして、アルミニウムの膜を成膜し、
さらにパターニングを施すことにより、ゲイト電極２０
５を形成する。このゲイト電極２０５は、１層目の配線
と呼ばれる。（図５（Ａ））
により、薄膜トランジスタの活性層２０３を形成する。
活性層２０３を形成したら、ゲイト絶縁膜として機能す
る酸化珪素膜２０４をプラズマＣＶＤ法やスパッタ法に
よって成膜する。そして、アルミニウムの膜を成膜し、
さらにパターニングを施すことにより、ゲイト電極２０
５を形成する。このゲイト電極２０５は、１層目の配線
と呼ばれる。（図５（Ａ））
【０００６】次に電解溶液中において、ゲイト電極２０
５を陽極とした陽極酸化を行い、ゲイト電極２０５の周
囲に陽極酸化物層２０６を形成する。図２に示す薄膜ト
ランジスタの構成においては、この陽極酸化物層２０６
を形成する技術が重要なポイントとなる。（図５
（Ｂ））
５を陽極とした陽極酸化を行い、ゲイト電極２０５の周
囲に陽極酸化物層２０６を形成する。図２に示す薄膜ト
ランジスタの構成においては、この陽極酸化物層２０６
を形成する技術が重要なポイントとなる。（図５
（Ｂ））
【０００７】そして、図５（Ｃ）に示すようにソース／
ドレイン領域を形成するための不純物イオン（ここでは
Ｐ（リン）イオンとする）をイオン注入法またはプラズ
マドーピング法で注入する。この工程において、ゲイト
電極２０５とその周囲の陽極酸化物層２０６とがマスク
となり、その下には不純物イオンが注入されない。ま
た、２０７と２１０の領域には、不純物イオンが注入さ
れる。この結果、２０７をソース領域、２１０をドレイ
ン領域とすることができる。そして、不純物イオンの注
入されない領域２０８をオフセットゲイト領域とするこ
とができる。そして、２０９の領域をチャネル形成領域
とすることができる。
ドレイン領域を形成するための不純物イオン（ここでは
Ｐ（リン）イオンとする）をイオン注入法またはプラズ
マドーピング法で注入する。この工程において、ゲイト
電極２０５とその周囲の陽極酸化物層２０６とがマスク
となり、その下には不純物イオンが注入されない。ま
た、２０７と２１０の領域には、不純物イオンが注入さ
れる。この結果、２０７をソース領域、２１０をドレイ
ン領域とすることができる。そして、不純物イオンの注
入されない領域２０８をオフセットゲイト領域とするこ
とができる。そして、２０９の領域をチャネル形成領域
とすることができる。
【０００８】この図５（Ｃ）に示す不純物イオンの注入
工程は、自己整合的に行うことができるので、マスク合
わせ等の煩雑な工程が必要とされず、極めて生産性に優
れ、また素子毎の特性のバラツキ等のないものを得るこ
とができる。
工程は、自己整合的に行うことができるので、マスク合
わせ等の煩雑な工程が必要とされず、極めて生産性に優
れ、また素子毎の特性のバラツキ等のないものを得るこ
とができる。
【０００９】図５（Ｃ）に示すイオン注入工程の後、層
間絶縁膜として酸化珪素膜２１１を成膜する。そして、
コンタクトホールの形成を行い、ソース電極２１２、ド
レイン電極２１３を形成する。また同時にゲイト電極２
０５からの引き出し電極２１４を形成する。なお、図面
では、ソース／ドレイン電極２１２、２１３とゲイト電
極２０５からの引き出し電極２１４とが同一の垂直断面
内に形成されているかの如く記載されているが、実際に
は、ゲイト電極２０５からの引き出し電極２１４は、図
面の手前側または向こう側に存在している。なお、これ
らソース／ドレイン電極やゲイト電極からの引き出し電
極は２層目の配線と呼ばれる。
間絶縁膜として酸化珪素膜２１１を成膜する。そして、
コンタクトホールの形成を行い、ソース電極２１２、ド
レイン電極２１３を形成する。また同時にゲイト電極２
０５からの引き出し電極２１４を形成する。なお、図面
では、ソース／ドレイン電極２１２、２１３とゲイト電
極２０５からの引き出し電極２１４とが同一の垂直断面
内に形成されているかの如く記載されているが、実際に
は、ゲイト電極２０５からの引き出し電極２１４は、図
面の手前側または向こう側に存在している。なお、これ
らソース／ドレイン電極やゲイト電極からの引き出し電
極は２層目の配線と呼ばれる。
【００１０】図５にその作製工程を示す薄膜トランジス
タは、その特性やオフセットゲイト領域に作製方法にお
いて優れたものである。また、大面積のアクティブマト
リクス型の液晶表示装置やその他大規模な集積回路を考
えた場合、ゲイト電極にアルミニウムを用いるというこ
とは、配線抵抗を低減させる意味で非常に有用である。
特に電圧制御である絶縁ゲイト型の電界効果型トランジ
スタの場合には、このことが非常に重要なこととなる。
また、図５に示す構成は、ゲイト電極やゲイト配線が、
緻密で耐圧の高い陽極酸化膜で覆われることによって、
層間絶縁膜上に形成される各種配線とのリークや相互作
用の問題を大きく改善することができるという利点も有
している。
タは、その特性やオフセットゲイト領域に作製方法にお
いて優れたものである。また、大面積のアクティブマト
リクス型の液晶表示装置やその他大規模な集積回路を考
えた場合、ゲイト電極にアルミニウムを用いるというこ
とは、配線抵抗を低減させる意味で非常に有用である。
特に電圧制御である絶縁ゲイト型の電界効果型トランジ
スタの場合には、このことが非常に重要なこととなる。
また、図５に示す構成は、ゲイト電極やゲイト配線が、
緻密で耐圧の高い陽極酸化膜で覆われることによって、
層間絶縁膜上に形成される各種配線とのリークや相互作
用の問題を大きく改善することができるという利点も有
している。
【００１１】このように図５に示す薄膜トランジスタ
は、非常に有用なものであるが、図５（Ｄ）に示す工程
において極めて困難な状況に直面する。図５（Ｄ）に示
す工程においては、ソース／ドレイン電極２１２、２１
３のためのコンタクトホールの形成と、ゲイト電極２０
５の引き出し電極２１４のコンタクトホールの形成とを
行わなければならない。
は、非常に有用なものであるが、図５（Ｄ）に示す工程
において極めて困難な状況に直面する。図５（Ｄ）に示
す工程においては、ソース／ドレイン電極２１２、２１
３のためのコンタクトホールの形成と、ゲイト電極２０
５の引き出し電極２１４のコンタクトホールの形成とを
行わなければならない。
【００１２】ソース／ドレイン電極２１２、２１３のた
めのコンタクトホールの形成は、除去しなければならな
い膜が、酸化珪素膜２１１と酸化珪素膜２０４であるか
ら、フッ酸系のエッチャント、例えばバッファーフッ酸
（ＢＨＦ）を用いたウエットエッチングによって行われ
る。バッファフッ酸は、珪素に対するエッチングレート
が酸化珪素に対するエッチングレートに比較して著しく
小さいので、活性層２０３までエッチングが進行した状
態でエッチングを終了することができる。即ち、活性層
２０３をエッチングストッパーとして利用することがで
きる。
めのコンタクトホールの形成は、除去しなければならな
い膜が、酸化珪素膜２１１と酸化珪素膜２０４であるか
ら、フッ酸系のエッチャント、例えばバッファーフッ酸
（ＢＨＦ）を用いたウエットエッチングによって行われ
る。バッファフッ酸は、珪素に対するエッチングレート
が酸化珪素に対するエッチングレートに比較して著しく
小さいので、活性層２０３までエッチングが進行した状
態でエッチングを終了することができる。即ち、活性層
２０３をエッチングストッパーとして利用することがで
きる。
【００１３】しかし、引き出し用の電極２１４のための
コンタクトホールの形成には、酸化珪素膜２１１と、陽
極酸化によって形成されたアルミニウムの酸化物層（Ａ
ｌ2Ｏ3 を主成分とする）２０６とをエッチングしなけ
ればならない。このエッチングをバッファフッ酸を用い
て行った場合、アルミニウムの酸化物層２０６のエッチ
ングが終了した段階でエッチングを終了することは困難
であることが判明している。これは、フッ酸系のエッチ
ャントによるアルミニウムの酸化物層のエッチングは、
均等に進行するものでなく、脆く崩れるようにして進行
することに原因がある。即ち、アルミニウムの酸化物層
２０６のエッチングが終了した後、アルミニウムのエッ
チングが進行するというプロセスではなく、アルミニウ
ムの酸化物層２０６のエッチングが進行中において、浸
透したエッチャントによってアルミニウムのゲイト電極
２０５においても同時にエッチングが進行してしまう。
このことは、フッ酸系のエッチャントを利用する場合に
共通した問題であることが判明している。
コンタクトホールの形成には、酸化珪素膜２１１と、陽
極酸化によって形成されたアルミニウムの酸化物層（Ａ
ｌ2Ｏ3 を主成分とする）２０６とをエッチングしなけ
ればならない。このエッチングをバッファフッ酸を用い
て行った場合、アルミニウムの酸化物層２０６のエッチ
ングが終了した段階でエッチングを終了することは困難
であることが判明している。これは、フッ酸系のエッチ
ャントによるアルミニウムの酸化物層のエッチングは、
均等に進行するものでなく、脆く崩れるようにして進行
することに原因がある。即ち、アルミニウムの酸化物層
２０６のエッチングが終了した後、アルミニウムのエッ
チングが進行するというプロセスではなく、アルミニウ
ムの酸化物層２０６のエッチングが進行中において、浸
透したエッチャントによってアルミニウムのゲイト電極
２０５においても同時にエッチングが進行してしまう。
このことは、フッ酸系のエッチャントを利用する場合に
共通した問題であることが判明している。
【００１４】フッ酸系のエッチャントによる酸化物層２
０６のエッチングの状態を図６に示す。まず図６（Ａ）
に示されるように、フッ酸系のエッチャント（例えばバ
ッファフッ酸）酸化珪素膜２１１がエッンチングされて
いく。そして次にアルミニウムの酸化物層２０６がエッ
チングされる。この際、酸化物層２０６のエッチングが
進行していく段階で同時にアルミニウムでなるゲイト電
極２０５のエッチングも進行してしまう。
０６のエッチングの状態を図６に示す。まず図６（Ａ）
に示されるように、フッ酸系のエッチャント（例えばバ
ッファフッ酸）酸化珪素膜２１１がエッンチングされて
いく。そして次にアルミニウムの酸化物層２０６がエッ
チングされる。この際、酸化物層２０６のエッチングが
進行していく段階で同時にアルミニウムでなるゲイト電
極２０５のエッチングも進行してしまう。
【００１５】ここで、酸化物層の厚さは２０００Å程度
であり、ゲイト電極２０５の厚さは４０００〜７０００
Å程度である。また、アルミニウムのエッチング速度と
アルミニウムの酸化物層とのエッチング速度は、一般に
後者の方が数十％大きい。さらに酸化物層２０６は均一
にきれいにエッチングされるわけではなく、ボロボロと
崩れるように除去されていく。従って、酸化物層２０６
が完全にエッチングされた状況では、図６（Ｂ）の３０
２で示されるようなオーバーエッチングが進行してしま
う。そしてその結果、のオーバーエッチングされた部分
の上部に残存する酸化物層２０６と酸化珪素膜２１１と
が陥没したりしてしまう。これは丁度リフトオフ法によ
る、エッチング工程と同様な現象として理解することが
できる。このようなことは、薄膜トランジスタの動作不
良の原因となる。
であり、ゲイト電極２０５の厚さは４０００〜７０００
Å程度である。また、アルミニウムのエッチング速度と
アルミニウムの酸化物層とのエッチング速度は、一般に
後者の方が数十％大きい。さらに酸化物層２０６は均一
にきれいにエッチングされるわけではなく、ボロボロと
崩れるように除去されていく。従って、酸化物層２０６
が完全にエッチングされた状況では、図６（Ｂ）の３０
２で示されるようなオーバーエッチングが進行してしま
う。そしてその結果、のオーバーエッチングされた部分
の上部に残存する酸化物層２０６と酸化珪素膜２１１と
が陥没したりしてしまう。これは丁度リフトオフ法によ
る、エッチング工程と同様な現象として理解することが
できる。このようなことは、薄膜トランジスタの動作不
良の原因となる。
【００１６】〔発明に至る過程〕上記のような問題を解
決する方法として、本発明者らは、酸化珪素膜２１１が
除去された状態で、エッチャントをクロム混酸に変更
し、アルミニウムの酸化物層２０６をエッチングする技
術を開発した。フッ酸系のエッチャント、特にバッファ
ーフッ酸による酸化珪素膜２１１に対するエッチングの
状態は、再現性が高く、また定量的に評価することが可
能であるので、アルミニウムの酸化物層２０６が露呈し
た段階でエッチャントを変更することは、比較的容易に
行うことができる。
決する方法として、本発明者らは、酸化珪素膜２１１が
除去された状態で、エッチャントをクロム混酸に変更
し、アルミニウムの酸化物層２０６をエッチングする技
術を開発した。フッ酸系のエッチャント、特にバッファ
ーフッ酸による酸化珪素膜２１１に対するエッチングの
状態は、再現性が高く、また定量的に評価することが可
能であるので、アルミニウムの酸化物層２０６が露呈し
た段階でエッチャントを変更することは、比較的容易に
行うことができる。
【００１７】クロム混酸は、リン酸と酢酸と硝酸とを含
む溶液にクロム酸を添加した溶液である。このクロム混
酸は、アルミニウムをほとんどエッチングしないので、
アルミニウムの酸化物層のみを選択的にエッチングする
ことができる。即ち、アルミニウムでなるゲイト電極２
０５をエッチングストッパーとして利用することが可能
となる。
む溶液にクロム酸を添加した溶液である。このクロム混
酸は、アルミニウムをほとんどエッチングしないので、
アルミニウムの酸化物層のみを選択的にエッチングする
ことができる。即ち、アルミニウムでなるゲイト電極２
０５をエッチングストッパーとして利用することが可能
となる。
【００１８】しかしながら、ここで新たな問題が発生す
る。クロム混酸は、エッチングに使用することによって
生じる組成変化が大きく、所定のエッチング効果が工程
を繰り返す毎に変化してしまうという問題がある。これ
は、生産される素子の不良や特性のバラツキの原因とな
るもので好ましいものではない。
る。クロム混酸は、エッチングに使用することによって
生じる組成変化が大きく、所定のエッチング効果が工程
を繰り返す毎に変化してしまうという問題がある。これ
は、生産される素子の不良や特性のバラツキの原因とな
るもので好ましいものではない。
【００１９】また、クロム混酸を用いてアルミニウムの
酸化物層２０６を取り除いた場合、露呈したアルミニウ
ムでなるゲイト電極２０５の表面に不動態膜が形成され
てしまう。この不動態膜が形成されるからこそアルミニ
ウムを主成分とするゲイト電極のエッチングが進行しな
いのであるが、この不動態膜は高抵抗を有しているの
で、引き出し電極（図５の２１４）とゲイト電極２０５
との電気的なコンタクトを阻害してしまう。
酸化物層２０６を取り除いた場合、露呈したアルミニウ
ムでなるゲイト電極２０５の表面に不動態膜が形成され
てしまう。この不動態膜が形成されるからこそアルミニ
ウムを主成分とするゲイト電極のエッチングが進行しな
いのであるが、この不動態膜は高抵抗を有しているの
で、引き出し電極（図５の２１４）とゲイト電極２０５
との電気的なコンタクトを阻害してしまう。
【００２０】この問題を解決するためには、不動態膜を
フッ酸系のエッチャントによって取り除くことが必要と
される。しかしそれでは、図６（Ｂ）に示すのと同様な
状態でゲイト電極に対するフッ酸系のエッチャントによ
るエッチングダメージが進行してしまう。また、不動態
膜は極薄く微妙なエッチング工程になるので、工程の再
現性が採れず、生産性の点で大きな問題となる。
フッ酸系のエッチャントによって取り除くことが必要と
される。しかしそれでは、図６（Ｂ）に示すのと同様な
状態でゲイト電極に対するフッ酸系のエッチャントによ
るエッチングダメージが進行してしまう。また、不動態
膜は極薄く微妙なエッチング工程になるので、工程の再
現性が採れず、生産性の点で大きな問題となる。
【００２１】また、ドライエッチングによるアルミニウ
ムの酸化物層に対するエッチングも考えられるが、再現
性よく、アルミニウムの酸化物層を選択的にドライエッ
チングする方法がないのが現状である。
ムの酸化物層に対するエッチングも考えられるが、再現
性よく、アルミニウムの酸化物層を選択的にドライエッ
チングする方法がないのが現状である。
【００２２】また、実際に薄膜トランジスタを作製する
際には、薄膜トランジスタを１個だけ作製するのではな
く、複数個を同時に作製するのが普通である。
際には、薄膜トランジスタを１個だけ作製するのではな
く、複数個を同時に作製するのが普通である。
【００２３】例えば、周辺駆動回路を内蔵したアクティ
ブマトリクス型の液晶表示装置においては、数百×数百
以上のマトリクス状に配置された薄膜トランジスタと、
周辺駆動回路を構成する薄膜トランジスタ（少なくとも
数百個以上が必要とされる）とが同一基板上に形成され
る。
ブマトリクス型の液晶表示装置においては、数百×数百
以上のマトリクス状に配置された薄膜トランジスタと、
周辺駆動回路を構成する薄膜トランジスタ（少なくとも
数百個以上が必要とされる）とが同一基板上に形成され
る。
【００２４】このような場合、全ての薄膜トランジスタ
の作製工程に共通の工程において、陽極酸化工程を行う
のが普通である。（勿論、陽極酸化工程を複数回に分け
て行うことも考えられるが、作製工程が煩雑になり、歩
留りの低下、作製コストの上昇といった問題が生じる）
の作製工程に共通の工程において、陽極酸化工程を行う
のが普通である。（勿論、陽極酸化工程を複数回に分け
て行うことも考えられるが、作製工程が煩雑になり、歩
留りの低下、作製コストの上昇といった問題が生じる）
【００２５】上記のような場合、陽極酸化工程において
は、全ての薄膜トランジスタのゲイト電極が電気的に接
続された状態であるので、陽極酸化工程の終了後、必要
とする箇所において、つながったゲイト電極間を分断す
る工程が必要とされる。
は、全ての薄膜トランジスタのゲイト電極が電気的に接
続された状態であるので、陽極酸化工程の終了後、必要
とする箇所において、つながったゲイト電極間を分断す
る工程が必要とされる。
【００２６】このことは、アクティブマトリクス型の液
晶表示装置の場合のみではなく、その他集積回路を作製
する場合であっても同様である。
晶表示装置の場合のみではなく、その他集積回路を作製
する場合であっても同様である。
【００２７】一方、アクティブマトリクス型の液晶表示
装置やその他薄膜集積回路において、その作製工程を減
らすことは、重要である。これは、生産コストの削減、
歩留りの向上を達成するためである。
装置やその他薄膜集積回路において、その作製工程を減
らすことは、重要である。これは、生産コストの削減、
歩留りの向上を達成するためである。
【００２８】例えば、アクティブマトリクス型の液晶表
示装置の普及が、その生産コストの削減に大きく依存し
ているのが現状である。また、アクティブマトリクス型
の液晶表示装置を利用した各種情報機器が開発されてい
るが、それらの生産コストの中で、アクティブマトリク
ス型の液晶表示装置が占める割合が大きい。従って、ア
クティブマトリクス型の液晶表示装置の生産コストを下
げることが、即それら各種情報機器の生産コストを下げ
ることになる。
示装置の普及が、その生産コストの削減に大きく依存し
ているのが現状である。また、アクティブマトリクス型
の液晶表示装置を利用した各種情報機器が開発されてい
るが、それらの生産コストの中で、アクティブマトリク
ス型の液晶表示装置が占める割合が大きい。従って、ア
クティブマトリクス型の液晶表示装置の生産コストを下
げることが、即それら各種情報機器の生産コストを下げ
ることになる。
【００２９】一方、アクティブマトリクス型の液晶表示
装置の作製工程において、薄膜トランジスタの作製工程
が占める割合が非常に大きい。従って、薄膜トランジス
タの作製コストを下げることが、アクティブマトリクス
型の液晶表示装置の生産コストを下げるためには重要な
こととなる。
装置の作製工程において、薄膜トランジスタの作製工程
が占める割合が非常に大きい。従って、薄膜トランジス
タの作製コストを下げることが、アクティブマトリクス
型の液晶表示装置の生産コストを下げるためには重要な
こととなる。
【００３０】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、ア
ルミニウムでなるゲイト電極の周囲に陽極酸化により酸
化物層を形成し、このアルミニウムの酸化物層をマスク
として、イオン注入工程において自己整合的にオフセッ
トゲイト領域を形成する技術は、優れた面がある反面、
そのアルミニウムの酸化物層をエッチングしてコンタク
トホールを形成する工程における困難性というその作製
工程における問題がある。
ルミニウムでなるゲイト電極の周囲に陽極酸化により酸
化物層を形成し、このアルミニウムの酸化物層をマスク
として、イオン注入工程において自己整合的にオフセッ
トゲイト領域を形成する技術は、優れた面がある反面、
そのアルミニウムの酸化物層をエッチングしてコンタク
トホールを形成する工程における困難性というその作製
工程における問題がある。
【００３１】本明細書で開示する発明では、この問題を
解決することを課題とする。また、本明細書で開示する
発明では、その周囲にアルミニウムの酸化物層が形成さ
れたアルミニウムの電極または配線に対してコンタクト
用の電極や配線を容易にしかも高い再現性でもって形成
できる技術を提供することを課題とする。
解決することを課題とする。また、本明細書で開示する
発明では、その周囲にアルミニウムの酸化物層が形成さ
れたアルミニウムの電極または配線に対してコンタクト
用の電極や配線を容易にしかも高い再現性でもって形成
できる技術を提供することを課題とする。
【００３２】また、薄膜トランジスタを利用した各種装
置（例えばアクティブマトリクス型の液晶表示装置）の
普及は、薄膜トランジスタの生産コストを下げることに
かかっている。従って、薄膜トランジスタの作製工程を
できうる限り削減し、その作製コストを削減すること
は、産業上非常に重要な問題となる。
置（例えばアクティブマトリクス型の液晶表示装置）の
普及は、薄膜トランジスタの生産コストを下げることに
かかっている。従って、薄膜トランジスタの作製工程を
できうる限り削減し、その作製コストを削減すること
は、産業上非常に重要な問題となる。
【００３３】そこで、本明細書で開示する発明では、ア
ルミニウムでなるゲイト電極の周囲に陽極酸化により酸
化物層を形成した構成を有する薄膜トランジスタの作製
工程において、その作製工程をできうる限り削減し、そ
の生産コストを下げることを課題とする。
ルミニウムでなるゲイト電極の周囲に陽極酸化により酸
化物層を形成した構成を有する薄膜トランジスタの作製
工程において、その作製工程をできうる限り削減し、そ
の生産コストを下げることを課題とする。
【００３４】
【課題を解決するための手段】本明細書で開示する発明
の一つは、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分と
する配線または電極を形成する工程と、前記配線または
電極の後にコンタクトが形成される部分と後に分断が行
われる部分とに少なくともマスクを設ける工程と、前記
配線または電極を陽極として電解溶液中で陽極酸化を行
うことにより、前記配線または電極の表面の前記マスク
が設けられた以外の領域に陽極酸化膜を形成する工程
と、を有することを特徴とする。
の一つは、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分と
する配線または電極を形成する工程と、前記配線または
電極の後にコンタクトが形成される部分と後に分断が行
われる部分とに少なくともマスクを設ける工程と、前記
配線または電極を陽極として電解溶液中で陽極酸化を行
うことにより、前記配線または電極の表面の前記マスク
が設けられた以外の領域に陽極酸化膜を形成する工程
と、を有することを特徴とする。
【００３５】上記構成において、アルミニウムを主成分
とするというのは、アルミニウム中に各種元素を含有さ
せた場合のものをいう。例えば、半導体素子の作製工程
中に加えられる加熱処理工程等において、アルミニウム
の以上成長が発生しないように、アルミニウム中に珪素
やスカンジウム等の希土類元素を0.1 〜１％程度含有さ
せる技術があり、このような場合は、アルミニウムを主
成分とする材料が利用されることとなる。
とするというのは、アルミニウム中に各種元素を含有さ
せた場合のものをいう。例えば、半導体素子の作製工程
中に加えられる加熱処理工程等において、アルミニウム
の以上成長が発生しないように、アルミニウム中に珪素
やスカンジウム等の希土類元素を0.1 〜１％程度含有さ
せる技術があり、このような場合は、アルミニウムを主
成分とする材料が利用されることとなる。
【００３６】上記構成を採用した場合の具体的な例を図
１に示す。図１に示されるのは、ガラス基板上に形成さ
れる薄膜トランジスタの作製工程であるが、まず（Ａ）
に示す工程において、スカンジウムを含有したアルミニ
ウムでゲイト電極１０５が形成され、さらにレジストマ
スク１０６と１０７とが形成される。この後、電解溶液
中での陽極酸化によって、ゲイト電極１０５の表面にお
いて、マスクが設けられた以外の領域に陽極酸化膜１０
８が形成される。
１に示す。図１に示されるのは、ガラス基板上に形成さ
れる薄膜トランジスタの作製工程であるが、まず（Ａ）
に示す工程において、スカンジウムを含有したアルミニ
ウムでゲイト電極１０５が形成され、さらにレジストマ
スク１０６と１０７とが形成される。この後、電解溶液
中での陽極酸化によって、ゲイト電極１０５の表面にお
いて、マスクが設けられた以外の領域に陽極酸化膜１０
８が形成される。
【００３７】マスク１０６は、後にゲイト電極１０５へ
のコンタクト電極が形成される領域に形成される。ま
た、マスク１０７は、後にゲイト電極を分断する領域に
形成される。
のコンタクト電極が形成される領域に形成される。ま
た、マスク１０７は、後にゲイト電極を分断する領域に
形成される。
【００３８】アルミニウムまたはアルミニウムを主成分
とする配線または電極を形成する工程と、前記配線また
は電極の後にコンタクトが形成される部分と後に分断が
行われる部分とに少なくともマスクを設ける工程と、前
記配線または電極を陽極として電解溶液中で陽極酸化を
行うことにより、前記配線または電極の表面の前記マス
クが設けられた以外の領域に陽極酸化膜を形成する工程
と、前記配線または電極を覆って酸化珪素膜を形成する
工程と、前記酸化珪素膜を部分的にエッチングし前記陽
極酸化膜が形成されなかった部分の前記配線または電極
を露呈する工程と、全体に金属膜を形成する工程と、前
記金属膜をパターニングし、前記配線または電極に対す
るコンタクトを形成するとともに、他部において前記配
線または電極を分断する工程と、を有することを特徴と
する半導体装置の作製方法。
とする配線または電極を形成する工程と、前記配線また
は電極の後にコンタクトが形成される部分と後に分断が
行われる部分とに少なくともマスクを設ける工程と、前
記配線または電極を陽極として電解溶液中で陽極酸化を
行うことにより、前記配線または電極の表面の前記マス
クが設けられた以外の領域に陽極酸化膜を形成する工程
と、前記配線または電極を覆って酸化珪素膜を形成する
工程と、前記酸化珪素膜を部分的にエッチングし前記陽
極酸化膜が形成されなかった部分の前記配線または電極
を露呈する工程と、全体に金属膜を形成する工程と、前
記金属膜をパターニングし、前記配線または電極に対す
るコンタクトを形成するとともに、他部において前記配
線または電極を分断する工程と、を有することを特徴と
する半導体装置の作製方法。
【００３９】上記構成の具体的な例を図１に示す。図１
において、まずアルニウムを主成分とするゲイト電極１
０５が形成される。そして、後にコンタクト電極が形成
される領域と後に分断が行われる領域にレジストマスク
１０６及び１０７が形成される。そして電解溶液中にお
いて陽極酸化を行うことにより、マスクが形成されなか
ったゲイト電極１０５の表面に陽極酸化膜１０８が形成
される。（図１（Ａ））
において、まずアルニウムを主成分とするゲイト電極１
０５が形成される。そして、後にコンタクト電極が形成
される領域と後に分断が行われる領域にレジストマスク
１０６及び１０７が形成される。そして電解溶液中にお
いて陽極酸化を行うことにより、マスクが形成されなか
ったゲイト電極１０５の表面に陽極酸化膜１０８が形成
される。（図１（Ａ））
【００４０】そして図１（Ｃ）に示す工程において、層
間絶縁膜として酸化珪素膜１００が成膜される。そし
て、酸化珪素膜を部分的にエッチングすることにより、
ゲイト電極１０５へのコンタクトホール１１３と分断領
域の開口１１４とが形成される。
間絶縁膜として酸化珪素膜１００が成膜される。そし
て、酸化珪素膜を部分的にエッチングすることにより、
ゲイト電極１０５へのコンタクトホール１１３と分断領
域の開口１１４とが形成される。
【００４１】この状態でコンタクト電極や配線を形成す
るための金属膜１１７を成膜する。そして金属膜１１７
をパターニングするためのレジストマスク１１８を形成
する。（図１（Ｃ））
るための金属膜１１７を成膜する。そして金属膜１１７
をパターニングするためのレジストマスク１１８を形成
する。（図１（Ｃ））
【００４２】そして、この金属膜１１７をパターニング
するためのエッチングを行うことによって、ゲイト電極
１０５に対するコンタクトを形成するとともに、開口１
１４の領域において金属膜１１７とゲイト電極１０５と
をまとめてエッチング除去することにより、分断を行
う。（図１（Ｄ））
するためのエッチングを行うことによって、ゲイト電極
１０５に対するコンタクトを形成するとともに、開口１
１４の領域において金属膜１１７とゲイト電極１０５と
をまとめてエッチング除去することにより、分断を行
う。（図１（Ｄ））
【００４３】酸化珪素膜をエッチングするには、フッ酸
系のエッチャンであるフッ酸、バッファーフッ酸（ＢＨ
Ｆ）、フッ酸やバッファーフッ酸に酢酸を加えたの、こ
れらフッ酸系のエッチャントに界面活性剤を加えたもの
を挙げることができる。バッファーフッ酸としては、フ
ッ化アンモニウム１０の割合にフッ酸１の割合で混合し
たものを挙げることができる。これらフッ酸系のエッチ
ャントは、珪素に対するエッチングレートに比較して、
酸化珪素やアルミニウムに対するエッチングレートが著
しく大きいので、酸化珪素やアルミニウムでなる材料
（またはこれら材料を主成分とする材料）を選択的に取
り除いたり、これら材料にコンタクトホールを形成した
りする場合に有用なエッチャントである。
系のエッチャンであるフッ酸、バッファーフッ酸（ＢＨ
Ｆ）、フッ酸やバッファーフッ酸に酢酸を加えたの、こ
れらフッ酸系のエッチャントに界面活性剤を加えたもの
を挙げることができる。バッファーフッ酸としては、フ
ッ化アンモニウム１０の割合にフッ酸１の割合で混合し
たものを挙げることができる。これらフッ酸系のエッチ
ャントは、珪素に対するエッチングレートに比較して、
酸化珪素やアルミニウムに対するエッチングレートが著
しく大きいので、酸化珪素やアルミニウムでなる材料
（またはこれら材料を主成分とする材料）を選択的に取
り除いたり、これら材料にコンタクトホールを形成した
りする場合に有用なエッチャントである。
【００４４】また、フッ素系のガス、例えばＣＦ4 やＣ
ＨＦ3 を用いたドライエッチングを用いてもよい。
ＨＦ3 を用いたドライエッチングを用いてもよい。
【００４５】他の発明の構成は、半導体上に絶縁膜を形
成する工程と、前記絶縁膜上にアルミニウムまたはアル
ミニウムを主成分とする配線または電極を形成する工程
と、前記配線または電極の後にコンタクトが形成される
部分と後に分断が行われる部分とに少なくともマスクを
設ける工程と、前記配線または電極を陽極として電解溶
液中で陽極酸化を行うことにより、前記配線または電極
の表面の前記マスクが設けられた以外の領域に陽極酸化
膜を形成する工程と、前記マスクを除去する工程と、前
記配線または電極を覆って絶縁膜を形成する工程と、前
記半導体に対するコンタクトホールと前記配線または電
極に対するコンタクトホールの形成を同時に行うととも
に、前記分断が行われる領域の前記配線または電極を露
呈する工程と、全体に金属膜を形成する工程と、前記金
属膜をパターニングし、前記配線または電極に対するコ
ンタクトを形成するとともに、前記分断が行われる領域
において前記配線または電極を分断する工程と、を有す
ることを特徴とする。
成する工程と、前記絶縁膜上にアルミニウムまたはアル
ミニウムを主成分とする配線または電極を形成する工程
と、前記配線または電極の後にコンタクトが形成される
部分と後に分断が行われる部分とに少なくともマスクを
設ける工程と、前記配線または電極を陽極として電解溶
液中で陽極酸化を行うことにより、前記配線または電極
の表面の前記マスクが設けられた以外の領域に陽極酸化
膜を形成する工程と、前記マスクを除去する工程と、前
記配線または電極を覆って絶縁膜を形成する工程と、前
記半導体に対するコンタクトホールと前記配線または電
極に対するコンタクトホールの形成を同時に行うととも
に、前記分断が行われる領域の前記配線または電極を露
呈する工程と、全体に金属膜を形成する工程と、前記金
属膜をパターニングし、前記配線または電極に対するコ
ンタクトを形成するとともに、前記分断が行われる領域
において前記配線または電極を分断する工程と、を有す
ることを特徴とする。
【００４６】他の発明の構成は、アルミニウムまたはア
ルミニウムを主成分とする配線または電極を形成する工
程と、前記配線または電極を陽極として電解溶液中で陽
極酸化を行うことにより、前記配線または電極の表面の
所定の領域を除いた領域に陽極酸化膜を形成する工程
と、前記配線または電極の所定の領域に対してのコンタ
クト電極を形成すると同時に前記配線または電極の一部
を取り除く工程と、を有することを特徴とする。
ルミニウムを主成分とする配線または電極を形成する工
程と、前記配線または電極を陽極として電解溶液中で陽
極酸化を行うことにより、前記配線または電極の表面の
所定の領域を除いた領域に陽極酸化膜を形成する工程
と、前記配線または電極の所定の領域に対してのコンタ
クト電極を形成すると同時に前記配線または電極の一部
を取り除く工程と、を有することを特徴とする。
【００４７】また本明細書で開示する発明は、薄膜トラ
ンジスタのみならず、一般のＭＯＳ型のトランジスタの
作製に利用できるものである。
ンジスタのみならず、一般のＭＯＳ型のトランジスタの
作製に利用できるものである。
【００４８】
【作用】アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とす
る配線や電極の周囲表面に陽極酸化工程により、陽極酸
化膜を形成する場合において、その一部にマスクを形成
し、選択的に陽極酸化が行われないようにすることによ
って、当該配線や電極に対するコンタクトホールの形成
を容易にすることができる。そして、アルミニウムまた
はアルミニウムを主成分とする配線や電極の周囲表面に
陽極酸化膜を形成した構成を有する半導体装置の生産性
や歩留りを大きく改善することができる。
る配線や電極の周囲表面に陽極酸化工程により、陽極酸
化膜を形成する場合において、その一部にマスクを形成
し、選択的に陽極酸化が行われないようにすることによ
って、当該配線や電極に対するコンタクトホールの形成
を容易にすることができる。そして、アルミニウムまた
はアルミニウムを主成分とする配線や電極の周囲表面に
陽極酸化膜を形成した構成を有する半導体装置の生産性
や歩留りを大きく改善することができる。
【００４９】また、上記陽極酸化工程の前に形成される
マスクの形成工程において、複数の薄膜トランジスタ間
におけるゲイト電極同士を切断する領域にもマスクを形
成することによって、当該領域に陽極酸化膜を形成され
ることがない構成とすることができる。そして、後の工
程の配線を形成する際のパターニング工程において、こ
のゲイト電極同士を分断する領域のエッチングを同時に
行うことができる。この結果、ゲイト電極同士を分断す
る工程を特別に設けなくてよい作製工程とすることがで
きる。
マスクの形成工程において、複数の薄膜トランジスタ間
におけるゲイト電極同士を切断する領域にもマスクを形
成することによって、当該領域に陽極酸化膜を形成され
ることがない構成とすることができる。そして、後の工
程の配線を形成する際のパターニング工程において、こ
のゲイト電極同士を分断する領域のエッチングを同時に
行うことができる。この結果、ゲイト電極同士を分断す
る工程を特別に設けなくてよい作製工程とすることがで
きる。
【００５０】
〔実施例１〕本実施例は、アルミニウムを主成分とする
ゲイト電極を有する薄膜トランジスタにおいて、ゲイト
電極の一部に陽極酸化物層を形成せずに、この部分をゲ
イト電極へのコンタクト部として利用することを特徴と
する。また、複数の薄膜トランジスタを同時に作製する
場合に必要とされるゲイト電極間の分断工程を、ソース
／ドレイン領域へのコンタクト電極や配線の形成、さら
にはゲイト電極へのコンタクト電極や配線の形成と同時
に行うことを特徴とする。
ゲイト電極を有する薄膜トランジスタにおいて、ゲイト
電極の一部に陽極酸化物層を形成せずに、この部分をゲ
イト電極へのコンタクト部として利用することを特徴と
する。また、複数の薄膜トランジスタを同時に作製する
場合に必要とされるゲイト電極間の分断工程を、ソース
／ドレイン領域へのコンタクト電極や配線の形成、さら
にはゲイト電極へのコンタクト電極や配線の形成と同時
に行うことを特徴とする。
【００５１】図１〜図３に本実施例の作製工程を示す。
図１のＡ−Ａ’で切った断面が図２である。また、図１
のＢ−Ｂ’で切った断面が図３である。また、図１のＣ
−Ｃ’で切った断面が図４である。また各図の（Ａ）〜
（Ｄ）は、それぞれ対応するものである。従って、図１
（Ａ）でその箇所が示される断面もそれぞれの図の
（Ａ）〜（Ｄ）において対応する。
図１のＡ−Ａ’で切った断面が図２である。また、図１
のＢ−Ｂ’で切った断面が図３である。また、図１のＣ
−Ｃ’で切った断面が図４である。また各図の（Ａ）〜
（Ｄ）は、それぞれ対応するものである。従って、図１
（Ａ）でその箇所が示される断面もそれぞれの図の
（Ａ）〜（Ｄ）において対応する。
【００５２】まずガラス基板１０１上に下地膜として、
酸化珪素膜１０２を３０００Åの厚さにプラズマＣＶＤ
法で成膜する。ここでは、アクティブマトリクス型の液
晶電気光学装置を作製する場合を前提としているので、
ガラス基板を用いるが、適当な絶縁基板や絶縁表面を有
する基板を用いることができる。
酸化珪素膜１０２を３０００Åの厚さにプラズマＣＶＤ
法で成膜する。ここでは、アクティブマトリクス型の液
晶電気光学装置を作製する場合を前提としているので、
ガラス基板を用いるが、適当な絶縁基板や絶縁表面を有
する基板を用いることができる。
【００５３】下地膜１０２を成膜したら、非晶質珪素膜
を５００Åの厚さにプラズマＣＶＤ法または減圧熱ＣＶ
Ｄ法で成膜する。この非晶質珪素膜が薄膜トランジスタ
の活性層を構成するための出発膜となる。なお、活性層
とは、ソース／ドレイン領域やチャネル形成領域が形成
される半導体層のことをいう。
を５００Åの厚さにプラズマＣＶＤ法または減圧熱ＣＶ
Ｄ法で成膜する。この非晶質珪素膜が薄膜トランジスタ
の活性層を構成するための出発膜となる。なお、活性層
とは、ソース／ドレイン領域やチャネル形成領域が形成
される半導体層のことをいう。
【００５４】非晶質珪素膜を成膜したら、加熱やレーザ
ー光の照射を行うことにより、非晶質珪素膜の結晶化を
行う。ここでは、ＫｒＦエキシマレーザーの照射によ
り、結晶性珪素膜を作製する。次にパターニングを行う
ことにより、薄膜トランジスタの活性層１０３を形成す
る。この状態の上面図を図９（Ａ）に示す。
ー光の照射を行うことにより、非晶質珪素膜の結晶化を
行う。ここでは、ＫｒＦエキシマレーザーの照射によ
り、結晶性珪素膜を作製する。次にパターニングを行う
ことにより、薄膜トランジスタの活性層１０３を形成す
る。この状態の上面図を図９（Ａ）に示す。
【００５５】図では１つの活性層しか示されていない
が、アクティブマトリクス型の液晶表示装置の画素領域
や周辺駆動回路を構成する場合は、数百〜数十万以上の
薄膜トランジスタが同時に数十ｃｍ各のガラス基板上に
形成される。この場合、薄膜トランジスタの数に応じた
活性層が同時に、パターニングされ形成されることとな
る。
が、アクティブマトリクス型の液晶表示装置の画素領域
や周辺駆動回路を構成する場合は、数百〜数十万以上の
薄膜トランジスタが同時に数十ｃｍ各のガラス基板上に
形成される。この場合、薄膜トランジスタの数に応じた
活性層が同時に、パターニングされ形成されることとな
る。
【００５６】活性層１０３を形成したら、ゲイト絶縁膜
として機能する酸化珪素膜１０４をプラズマＣＶＤ法で
１０００Åの厚さで成膜する。次に後にゲイト電極を形
成することとなるアルミニウムを主成分とする膜を電子
ビーム蒸着法またはスパッタ法により、５０００Åの厚
さに成膜する。このアルミニウムを主成分とする膜に
は、スカンジウムを0.1 ｗｔ％混入させる。これは、ア
ルミウムの以上成長を防止するためである。
として機能する酸化珪素膜１０４をプラズマＣＶＤ法で
１０００Åの厚さで成膜する。次に後にゲイト電極を形
成することとなるアルミニウムを主成分とする膜を電子
ビーム蒸着法またはスパッタ法により、５０００Åの厚
さに成膜する。このアルミニウムを主成分とする膜に
は、スカンジウムを0.1 ｗｔ％混入させる。これは、ア
ルミウムの以上成長を防止するためである。
【００５７】次にパターニングを施すことにより、アル
ミニウムを主成分とするゲイト電極１０５を形成する。
このゲイト電極（ゲイト配線もいう）は、１層目の電極
の配線ともいわれる。
ミニウムを主成分とするゲイト電極１０５を形成する。
このゲイト電極（ゲイト配線もいう）は、１層目の電極
の配線ともいわれる。
【００５８】次にゲイト電極の上部にレジストマスク１
０６と１０７を形成する。レジストマスク１０６が形成
された領域が、後の工程においてゲイト電極１０５への
コンタクトホールが形成される領域となる。また、レジ
ストマクス１０７が形成された領域が後のゲイト電極の
分断を行う領域となる。
０６と１０７を形成する。レジストマスク１０６が形成
された領域が、後の工程においてゲイト電極１０５への
コンタクトホールが形成される領域となる。また、レジ
ストマクス１０７が形成された領域が後のゲイト電極の
分断を行う領域となる。
【００５９】次に電解溶液中において陽極酸化を行うこ
とにより、アルミニウムを主成分とする材料の酸化物層
１０８を形成する。この酸化物層１０８の厚さは２００
０Åとする。ここでは、電解溶液として、アンモニアで
中性にｐＨ調整したエチレングリコール溶液を用いる。
とにより、アルミニウムを主成分とする材料の酸化物層
１０８を形成する。この酸化物層１０８の厚さは２００
０Åとする。ここでは、電解溶液として、アンモニアで
中性にｐＨ調整したエチレングリコール溶液を用いる。
【００６０】この陽極酸化工程において、ゲイト電極１
０５のレジストマスク１０６及び１０７に接している領
域は、電解溶液に接しないので、酸化が進行せず、酸化
物層が形成されない。
０５のレジストマスク１０６及び１０７に接している領
域は、電解溶液に接しないので、酸化が進行せず、酸化
物層が形成されない。
【００６１】こうして、図１〜４の（Ａ）で示す状態を
得る。また、図１〜４の（Ａ）で示す状態の上面図を図
９（Ｂ）に示す。図９（Ｂ）において、Ｄ−Ｄ’で切り
取られる断面が図２（Ａ）に対応する。また、Ｅ−Ｅ’
で切り取られる断面が図１（Ａ）に対応する。また、Ｆ
−Ｆ’で切り取られる断面が図３（Ａ）に対応する。ま
た、Ｇ−Ｇ’で切り取られる断面が図４（Ａ）に対応す
る。
得る。また、図１〜４の（Ａ）で示す状態の上面図を図
９（Ｂ）に示す。図９（Ｂ）において、Ｄ−Ｄ’で切り
取られる断面が図２（Ａ）に対応する。また、Ｅ−Ｅ’
で切り取られる断面が図１（Ａ）に対応する。また、Ｆ
−Ｆ’で切り取られる断面が図３（Ａ）に対応する。ま
た、Ｇ−Ｇ’で切り取られる断面が図４（Ａ）に対応す
る。
【００６２】陽極酸化工程の終了後、レジストマスク１
０６及び１０７を除去する。そして、ソース／ドレイン
領域を形成するための不純物イオンの注入を行う。ここ
では、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタを形成するため
にプラズマドーピング法を用いて、Ｐ（リン）イオンの
注入を行う。（図１〜４（Ｃ））
０６及び１０７を除去する。そして、ソース／ドレイン
領域を形成するための不純物イオンの注入を行う。ここ
では、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタを形成するため
にプラズマドーピング法を用いて、Ｐ（リン）イオンの
注入を行う。（図１〜４（Ｃ））
【００６３】上記Ｐイオンの注入を行うことで、ソース
領域１０９、ドレイン領域１１２が形成される。また同
時にチャネル形成領域１１１とオフセットゲイト領域１
１０が形成される。
領域１０９、ドレイン領域１１２が形成される。また同
時にチャネル形成領域１１１とオフセットゲイト領域１
１０が形成される。
【００６４】次に層間絶縁膜として酸化珪素膜１００を
７０００Åの厚さにＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶ
Ｄ法で成膜する。そして図２（Ｃ）に示すようにソース
／ドレイン領域へのコンタクトホール１１５と１１６の
形成を行う。また同時に図１（Ｃ）と図３（Ｃ）に示す
ゲイト電極１０５へのコンタクトホール１１３の形成を
行う。さらに同時に図４（Ｃ）に示すように分断領域上
の層間絶縁膜１００を除去し、開口１１４を形成する。
即ち、コンタクトホール１１５、１１６、１１３の形成
と、開口１１４の形成を同時に行う。
７０００Åの厚さにＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶ
Ｄ法で成膜する。そして図２（Ｃ）に示すようにソース
／ドレイン領域へのコンタクトホール１１５と１１６の
形成を行う。また同時に図１（Ｃ）と図３（Ｃ）に示す
ゲイト電極１０５へのコンタクトホール１１３の形成を
行う。さらに同時に図４（Ｃ）に示すように分断領域上
の層間絶縁膜１００を除去し、開口１１４を形成する。
即ち、コンタクトホール１１５、１１６、１１３の形成
と、開口１１４の形成を同時に行う。
【００６５】この工程は、バッファフッ酸に酢酸を加え
たエッチャントを用いたウエットエッチングによって行
う。この工程において、酸化珪素膜１００のエッチング
が終了した段階で、コンタクトホール１１５と１１６の
部分では、酸化珪素膜１０４のエッチングが始まる。ま
た、酸化珪素膜１００のエッチングが終了した段階で、
コンタクトホール１１３の部分と開口１１４の部分で
は、ゲイト電極１０５のエッチングが始まる。
たエッチャントを用いたウエットエッチングによって行
う。この工程において、酸化珪素膜１００のエッチング
が終了した段階で、コンタクトホール１１５と１１６の
部分では、酸化珪素膜１０４のエッチングが始まる。ま
た、酸化珪素膜１００のエッチングが終了した段階で、
コンタクトホール１１３の部分と開口１１４の部分で
は、ゲイト電極１０５のエッチングが始まる。
【００６６】なお、図では、酸化珪素膜１００の膜厚が
均一でないかのように示されているが、実際には、ゲイ
ト電極１０５の上部においては、酸化珪素膜１００はゲ
イト電極の高さ分だけ盛り上がってあり、全体として均
一な厚さと見なすことができる。
均一でないかのように示されているが、実際には、ゲイ
ト電極１０５の上部においては、酸化珪素膜１００はゲ
イト電極の高さ分だけ盛り上がってあり、全体として均
一な厚さと見なすことができる。
【００６７】実測によれば、バッファフ酸によるアルミ
ニウムのエッチング速度は、酸化珪素膜のエッチング速
度の約半分である。また、酸化珪素膜１０４の厚さは１
０００Å程度（最大での１５００Å程度）であり、ゲイ
ト電極１０５の厚さは一般に４０００Å以上ある。従っ
て、上記工程において、酸化珪素膜１０４がエッチング
されて、コンタクトホール１１５と１１６とが形成され
た状態において、ゲイト電極１０５の上部が一部エッチ
ングされた状態となる。しかし、このゲイト電極に対す
るエッチングは、ほんの少し進行するのみであり、図６
（Ｂ）に示すような状態とはならない。
ニウムのエッチング速度は、酸化珪素膜のエッチング速
度の約半分である。また、酸化珪素膜１０４の厚さは１
０００Å程度（最大での１５００Å程度）であり、ゲイ
ト電極１０５の厚さは一般に４０００Å以上ある。従っ
て、上記工程において、酸化珪素膜１０４がエッチング
されて、コンタクトホール１１５と１１６とが形成され
た状態において、ゲイト電極１０５の上部が一部エッチ
ングされた状態となる。しかし、このゲイト電極に対す
るエッチングは、ほんの少し進行するのみであり、図６
（Ｂ）に示すような状態とはならない。
【００６８】また、このエッチング工程は、酸化珪素に
対するエッチングレートを基にして、活性層が現れた段
階で終了するようにする。このようにして、ソース／ド
レイン領域へのコンタクトホールの形成と、ゲイト電極
へのコンタクトホールの形成、さらには分断領域への開
口の形成とを同時に行う。（図１〜４（Ｄ））
対するエッチングレートを基にして、活性層が現れた段
階で終了するようにする。このようにして、ソース／ド
レイン領域へのコンタクトホールの形成と、ゲイト電極
へのコンタクトホールの形成、さらには分断領域への開
口の形成とを同時に行う。（図１〜４（Ｄ））
【００６９】この状態を上面から見た様子を図１０
（Ａ）に示す。図１０（Ａ）に示すのは、ソース領域へ
のコンタクトホール１１５とドレイン領域へのコンタク
トホール１１６とゲイト電極へのコンタクトホール１１
３と分断領域の開口１１４が形成された状態が示されて
いる。
（Ａ）に示す。図１０（Ａ）に示すのは、ソース領域へ
のコンタクトホール１１５とドレイン領域へのコンタク
トホール１１６とゲイト電極へのコンタクトホール１１
３と分断領域の開口１１４が形成された状態が示されて
いる。
【００７０】この状態においては、コンタクトホール１
１５と１１６とにおいて、活性層が露呈した状態となっ
ている。また、コンタクトホール１１３と開口１１４と
において、ゲイト電極１０５が露呈している状態となっ
ている。
１５と１１６とにおいて、活性層が露呈した状態となっ
ている。また、コンタクトホール１１３と開口１１４と
において、ゲイト電極１０５が露呈している状態となっ
ている。
【００７１】１１３で示されるコンタクトホールの形成
は、多少位置合わせがずれても薄膜トランジスタの動作
にとっては、特に問題がない。従って、作製工程におけ
る誤差をある程度許容することができる。これは、ゲイ
ト電極１０５には、ほとんど電流が流れないので、ゲイ
ト電極とその引き出し電極との接触面積が多少変化して
もトランジスタの動作には大した問題とならないからで
ある。
は、多少位置合わせがずれても薄膜トランジスタの動作
にとっては、特に問題がない。従って、作製工程におけ
る誤差をある程度許容することができる。これは、ゲイ
ト電極１０５には、ほとんど電流が流れないので、ゲイ
ト電極とその引き出し電極との接触面積が多少変化して
もトランジスタの動作には大した問題とならないからで
ある。
【００７２】次にチタン膜とアルミニウム膜との積層膜
１１７を成膜する。この積層膜は２層目に配線を形成す
るためのものである。ここで、チタン膜とアルミニウム
膜との積層を成膜するのは、アルミニウムと珪素とが反
応することがあり、コンタクトホール１１５と１１６の
部分における電気的なコンタクトが不良となる場合があ
るからである。そして、このチタンとアルミニウムとの
積層膜をパターニングするためのレジストマスク１１８
を形成する。このようにして、図１〜４（Ｃ）に示す状
態を得る。
１１７を成膜する。この積層膜は２層目に配線を形成す
るためのものである。ここで、チタン膜とアルミニウム
膜との積層を成膜するのは、アルミニウムと珪素とが反
応することがあり、コンタクトホール１１５と１１６の
部分における電気的なコンタクトが不良となる場合があ
るからである。そして、このチタンとアルミニウムとの
積層膜をパターニングするためのレジストマスク１１８
を形成する。このようにして、図１〜４（Ｃ）に示す状
態を得る。
【００７３】次にＲＩＥ法によるドライエッチングを行
い、露呈した積層膜１１７を除去する。このドライチン
グは、ＢＣｌ3 とＣｌ3 とＳｉＣｌ4 との混合ガスを用
いて行う。
い、露呈した積層膜１１７を除去する。このドライチン
グは、ＢＣｌ3 とＣｌ3 とＳｉＣｌ4 との混合ガスを用
いて行う。
【００７４】この工程で、チタン膜とアルミニウム膜と
の積層膜１１７のパターニングが行われる。またこの工
程において、開口１１４の領域の積層膜１１７がエッチ
ングされと同時に、開口１１４下のゲイト電極１０５を
も同時にエッチングされる。そしてゲイト電極１０５の
分断がこのパターニング工程において同時に行われるこ
ととなる。こうして、２層目の配線のパターニングが行
われると同時に、ゲイト配線（電極）の分断が行われ
る。
の積層膜１１７のパターニングが行われる。またこの工
程において、開口１１４の領域の積層膜１１７がエッチ
ングされと同時に、開口１１４下のゲイト電極１０５を
も同時にエッチングされる。そしてゲイト電極１０５の
分断がこのパターニング工程において同時に行われるこ
ととなる。こうして、２層目の配線のパターニングが行
われると同時に、ゲイト配線（電極）の分断が行われ
る。
【００７５】また塩素系のエッチングガスを用いてドラ
イエッチングを行った場合、酸化珪素膜１０４の所でエ
ッチングが実質的に停止するので、酸化珪素膜１０４を
実質的にエッチングストッパーとして利用することがで
きる。これは、塩素系のガスによるエッチングでは、酸
化珪素膜のエッチングレートがアルミニウムやチタンの
エッチングレートに比較して著しく低いからである。
イエッチングを行った場合、酸化珪素膜１０４の所でエ
ッチングが実質的に停止するので、酸化珪素膜１０４を
実質的にエッチングストッパーとして利用することがで
きる。これは、塩素系のガスによるエッチングでは、酸
化珪素膜のエッチングレートがアルミニウムやチタンの
エッチングレートに比較して著しく低いからである。
【００７６】また、上記のエッチング工程をウエットエ
ッチングで行うこも可能であるが、チタン膜のエッチン
グとアルミニウム膜とのエッチングで異なるエッチャン
トを用いなければならなので、工程が煩雑となる。
ッチングで行うこも可能であるが、チタン膜のエッチン
グとアルミニウム膜とのエッチングで異なるエッチャン
トを用いなければならなので、工程が煩雑となる。
【００７７】こうして、図２（Ｄ）に示すソース電極１
１９、ドレイン電極１２０、図１（Ｄ）と図３（Ｄ）に
示すゲイト電極へのコンタクト電極１２１が形成され
る。そして、図１（Ｄ）や図４（Ｄ）に示されるように
開口１１４の領域において、ゲイト電極の分断が行われ
る。また、この状態を上面から見た状態を図１０（Ｂ）
に示す。このようにして薄膜トランジスタが完成する。
図１０（Ｂ）を見れば分かるように、開口１１４の部分
でゲイト電極が分断される。
１９、ドレイン電極１２０、図１（Ｄ）と図３（Ｄ）に
示すゲイト電極へのコンタクト電極１２１が形成され
る。そして、図１（Ｄ）や図４（Ｄ）に示されるように
開口１１４の領域において、ゲイト電極の分断が行われ
る。また、この状態を上面から見た状態を図１０（Ｂ）
に示す。このようにして薄膜トランジスタが完成する。
図１０（Ｂ）を見れば分かるように、開口１１４の部分
でゲイト電極が分断される。
【００７８】本実施例においては、説明を簡単にするた
めに１つの薄膜トランジスタを作製する場合の例を示し
たが、実際には、複数の薄膜トランジスタによって複雑
な回路が構成される。このような場合の簡単な回路の例
を図７に示す。図７に示すのは、アクティブマトリクス
型の液晶表示装置に周辺駆動回路の一部を構成する回路
（インバーター回路）である。
めに１つの薄膜トランジスタを作製する場合の例を示し
たが、実際には、複数の薄膜トランジスタによって複雑
な回路が構成される。このような場合の簡単な回路の例
を図７に示す。図７に示すのは、アクティブマトリクス
型の液晶表示装置に周辺駆動回路の一部を構成する回路
（インバーター回路）である。
【００７９】図７に示す回路の等価回路を図８に示す。
図７において、７０２で示される配線が図１〜４のゲイ
ト配線１０５に対応する。また、７０３や７０４が図１
〜４のドレイン電極１２０に対応する。
図７において、７０２で示される配線が図１〜４のゲイ
ト配線１０５に対応する。また、７０３や７０４が図１
〜４のドレイン電極１２０に対応する。
【００８０】図７において、７０１が分断が行われる領
域である。この領域は、図１（Ｄ）や図４（Ｄ）、さら
には図１０（Ｂ）の開口１１４の領域に示されるよう
に、ゲイト電極（ゲイト配線）１０５（図７においては
７０２で示される）が部分的に除去される領域である。
域である。この領域は、図１（Ｄ）や図４（Ｄ）、さら
には図１０（Ｂ）の開口１１４の領域に示されるよう
に、ゲイト電極（ゲイト配線）１０５（図７においては
７０２で示される）が部分的に除去される領域である。
【００８１】図７においては、簡単な回路パターンが示
されているが、実際には、さらに複雑な回路が構成さ
れ、７０１で示されるような分断領域が多数設けられる
ことになる。
されているが、実際には、さらに複雑な回路が構成さ
れ、７０１で示されるような分断領域が多数設けられる
ことになる。
【００８２】〔実施例２〕本実施例は、実施例１を変形
応用したものである。本実施例は、実施例１の図１
（Ｄ）や図１０（Ｂ）に示されるゲイト電極の分断が行
われた領域（開口）１１４の領域を利用して、配線を形
成することを特徴とする。
応用したものである。本実施例は、実施例１の図１
（Ｄ）や図１０（Ｂ）に示されるゲイト電極の分断が行
われた領域（開口）１１４の領域を利用して、配線を形
成することを特徴とする。
【００８３】本実施例の概略の構成を図１１に示す。本
実施例の場合は、図１１（Ａ）に示すように、分断が行
われた領域を利用して、配線１００１が形成されてい
る。図１１（Ａ）にＥ−Ｅ’で切り取られる断面が図１
１（Ｂ）である。
実施例の場合は、図１１（Ａ）に示すように、分断が行
われた領域を利用して、配線１００１が形成されてい
る。図１１（Ａ）にＥ−Ｅ’で切り取られる断面が図１
１（Ｂ）である。
【００８４】配線１００１は、ゲイト電極１０５を形成
する際に同時に形成し、コンタクト電極１２１のパター
ニングの際に、開口１１４において、ゲイト電極と分離
すればよい。なお、この分離の際に、ゲイト電極の分断
がなされることとなる。
する際に同時に形成し、コンタクト電極１２１のパター
ニングの際に、開口１１４において、ゲイト電極と分離
すればよい。なお、この分離の際に、ゲイト電極の分断
がなされることとなる。
【００８５】
【発明の効果】アルミニウムでなる配線または電極、ま
たはアルミニウムを主成分とする配線または電極（１層
目）の周囲に陽極酸化工程において陽極酸化物層を形成
する際に、選択的にその一部に陽極酸化物を形成しない
ことで、後の工程において、前記配線または電極に対す
るコンタクトの形成（２層目の配線の形成）を容易にす
ることができる。
たはアルミニウムを主成分とする配線または電極（１層
目）の周囲に陽極酸化工程において陽極酸化物層を形成
する際に、選択的にその一部に陽極酸化物を形成しない
ことで、後の工程において、前記配線または電極に対す
るコンタクトの形成（２層目の配線の形成）を容易にす
ることができる。
【００８６】即ち、エッチング除去が容易でない酸化ア
ルミニウミまたは酸化アルミニウムを主成分とする膜
（陽極酸化膜）を除去することなく、コンタクトホール
を形成することができ、素子や半導体集積回路の作製工
程をより容易な安定したものとすることができる。そし
て薄膜半導体デバイスや半導体集積回路の生産歩留りを
高めることができる。
ルミニウミまたは酸化アルミニウムを主成分とする膜
（陽極酸化膜）を除去することなく、コンタクトホール
を形成することができ、素子や半導体集積回路の作製工
程をより容易な安定したものとすることができる。そし
て薄膜半導体デバイスや半導体集積回路の生産歩留りを
高めることができる。
【００８７】また、上記マスクを形成する工程におい
て、１層目の配線または電極の後に分断しなけらばなら
ない領域にマスクを設けておくことで、２層目に配線の
パターニングの際に２層目の配線または電極の分断を同
時に行うことができる。こうして、パターニングの工程
を１つ減らすことができる。このことにより、その生産
コストを下げることができ、また同時に生産歩留りを高
めることができる。
て、１層目の配線または電極の後に分断しなけらばなら
ない領域にマスクを設けておくことで、２層目に配線の
パターニングの際に２層目の配線または電極の分断を同
時に行うことができる。こうして、パターニングの工程
を１つ減らすことができる。このことにより、その生産
コストを下げることができ、また同時に生産歩留りを高
めることができる。
【図１】 実施例における薄膜トランジスタの作製工程
を示す図。
を示す図。
【図２】 実施例における薄膜トランジスタの作製工程
を示す図。
を示す図。
【図３】 実施例における薄膜トランジスタの作製工程
を示す図。
を示す図。
【図４】 実施例における薄膜トランジスタの作製工程
を示す図。
を示す図。
【図５】 従来における薄膜トランジスタの作製工程を
示す図。
示す図。
【図６】 従来におけるゲイト電極へのコンタクトホー
ルの形成の状態を示す図。
ルの形成の状態を示す図。
【図７】 薄膜トランジスタで構成されるパターンの一
例を示す図。
例を示す図。
【図８】 図７で示される回路パターンの等価回路を示
す図。
す図。
【図９】 実施例で示す薄膜トランジスタの作製工程を
示す上面図。
示す上面図。
【図１０】実施例で示す薄膜トランジスタの作製工程を
示す上面図。
示す上面図。
１０１ ガラス基板 １０２ 下地膜（酸化珪素膜） １０３ 活性層 １０４ ゲイト絶縁膜 １０５ アルミニウムを主成分とす
るゲイト電極（１層目の配線） １０６、１０７ レジストマスク １０８ 陽極酸化膜（酸化アルミウ
ム膜） １０９ ソース領域 １１０ オフセットゲイト領域 １１１ チャネル形成領域 １１２ ドレイン領域 １００ 層間絶縁膜（酸化珪素膜） １１５ ソース領域へのコンタクト
ホール １１６ ドレイン領域へのコンタク
トホール １１３ ゲイト電極へのコンタクト
ホール １１４ 分断が行われる領域の開口 １１８ レジストマスク １１９ ソース電極（２層目の配
線） １２０ ドレイン電極（２層目の配
線） １２１ ゲイト電極へのコンタクト
電極（２層目の配線） ７０１ 分断領域 ７０２ ゲイト配線（ゲイト電極）
（１層目の配線） ７０３ ドレイン領域にコンタクト
した配線（２層目に配線）
るゲイト電極（１層目の配線） １０６、１０７ レジストマスク １０８ 陽極酸化膜（酸化アルミウ
ム膜） １０９ ソース領域 １１０ オフセットゲイト領域 １１１ チャネル形成領域 １１２ ドレイン領域 １００ 層間絶縁膜（酸化珪素膜） １１５ ソース領域へのコンタクト
ホール １１６ ドレイン領域へのコンタク
トホール １１３ ゲイト電極へのコンタクト
ホール １１４ 分断が行われる領域の開口 １１８ レジストマスク １１９ ソース電極（２層目の配
線） １２０ ドレイン電極（２層目の配
線） １２１ ゲイト電極へのコンタクト
電極（２層目の配線） ７０１ 分断領域 ７０２ ゲイト配線（ゲイト電極）
（１層目の配線） ７０３ ドレイン領域にコンタクト
した配線（２層目に配線）
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年７月２６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施例における薄膜トランジスタの作製工程
を示す図。
を示す図。
【図２】 実施例における薄膜トランジスタの作製工程
を示す図。
を示す図。
【図３】 実施例における薄膜トランジスタの作製工程
を示す図。
を示す図。
【図４】 実施例における薄膜トランジスタの作製工程
を示す図。
を示す図。
【図５】 従来における薄膜トランジスタの作製工程を
示す図。
示す図。
【図６】 従来におけるゲイト電極へのコンタクトホー
ルの形成の状態を示す図。
ルの形成の状態を示す図。
【図７】 薄膜トランジスタで構成されるパターンの一
例を示す図。
例を示す図。
【図８】 図７で示される回路パターンの等価回路を示
す図。
す図。
【図９】 実施例で示す薄膜トランジスタの作製工程を
示す上面図。
示す上面図。
【図１０】実施例で示す薄膜トランジスタの作製工程を
示す上面図。
示す上面図。
【図１１】実施例で示す薄膜トランジスタの作製工程を
示す上面図。
示す上面図。
【符号の説明】 １０１ ガラス基板 １０２ 下地膜（酸化珪素膜） １０３ 活性層 １０４ ゲイト絶縁膜 １０５ アルミニウムを主成分とす
るゲイト電極（１層目の配線） １０６、１０７ レジストマスク １０８ 陽極酸化膜（酸化アルミウ
ム膜） １０９ ソース領域 １１０ オフセットゲイト領域 １１１ チャネル形成領域 １１２ ドレイン領域 １００ 層間絶縁膜（酸化珪素膜） １１５ ソース領域へのコンタクト
ホール １１６ ドレイン領域へのコンタク
トホール １１３ ゲイト電極へのコンタクト
ホール １１４ 分断が行われる領域の開口 １１８ レジストマスク １１９ ソース電極（２層目の配
線） １２０ ドレイン電極（２層目の配
線） １２１ ゲイト電極へのコンタクト
電極（２層目の配線） ７０１ 分断領域 ７０２ ゲイト配線（ゲイト電極）
（１層目の配線） ７０３ ドレイン領域にコンタクト
した配線（２層目に配線）
るゲイト電極（１層目の配線） １０６、１０７ レジストマスク １０８ 陽極酸化膜（酸化アルミウ
ム膜） １０９ ソース領域 １１０ オフセットゲイト領域 １１１ チャネル形成領域 １１２ ドレイン領域 １００ 層間絶縁膜（酸化珪素膜） １１５ ソース領域へのコンタクト
ホール １１６ ドレイン領域へのコンタク
トホール １１３ ゲイト電極へのコンタクト
ホール １１４ 分断が行われる領域の開口 １１８ レジストマスク １１９ ソース電極（２層目の配
線） １２０ ドレイン電極（２層目の配
線） １２１ ゲイト電極へのコンタクト
電極（２層目の配線） ７０１ 分断領域 ７０２ ゲイト配線（ゲイト電極）
（１層目の配線） ７０３ ドレイン領域にコンタクト
した配線（２層目に配線）
Claims (4)
- 【請求項１】アルミニウムまたはアルミニウムを主成分
とする配線または電極を形成する工程と、 前記配線または電極の後にコンタクトが形成される部分
と後に分断が行われる部分とに少なくともマスクを設け
る工程と、 前記配線または電極を陽極として電解溶液中で陽極酸化
を行うことにより、前記配線または電極の表面の前記マ
スクが設けられた以外の領域に陽極酸化膜を形成する工
程と、 を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 【請求項２】アルミニウムまたはアルミニウムを主成分
とする配線または電極を形成する工程と、 前記配線または電極の後にコンタクトが形成される部分
と後に分断が行われる部分とに少なくともマスクを設け
る工程と、 前記配線または電極を陽極として電解溶液中で陽極酸化
を行うことにより、前記配線または電極の表面の前記マ
スクが設けられた以外の領域に陽極酸化膜を形成する工
程と、 前記配線または電極を覆って酸化珪素膜を形成する工程
と、 前記酸化珪素膜を部分的にエッチングし前記陽極酸化膜
が形成されなかった部分の前記配線または電極を露呈す
る工程と、 全体に金属膜を形成する工程と、 前記金属膜をパターニングし、前記配線または電極に対
するコンタクトを形成するとともに、他部において前記
配線または電極を分断する工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 【請求項３】半導体上に絶縁膜を形成する工程と、 前記絶縁膜上にアルミニウムまたはアルミニウムを主成
分とする配線または電極を形成する工程と、 前記配線または電極の後にコンタクトが形成される部分
と後に分断が行われる部分とに少なくともマスク設ける
工程と、 前記配線または電極を陽極として電解溶液中で陽極酸化
を行うことにより、前記配線または電極の表面の前記マ
スクが設けられた以外の領域に陽極酸化膜を形成する工
程と、 前記マスクを除去する工程と、 前記配線または電極を覆って絶縁膜を形成する工程と、 前記半導体に対するコンタクトホールと前記配線または
電極に対するコンタクトホールの形成を同時に行うとと
もに、前記分断が行われる領域の前記配線または電極を
露呈する工程と、 全体に金属膜を形成する工程と、 前記金属膜をパターニングし、前記配線または電極に対
するコンタクトを形成するとともに、前記分断が行われ
る領域において前記配線または電極を分断する工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 【請求項４】アルミニウムまたはアルミニウムを主成分
とする配線または電極を形成する工程と、 前記配線または電極を陽極として電解溶液中で陽極酸化
を行うことにより、前記配線または電極の表面の所定の
領域を除いた領域に陽極酸化膜を形成する工程と、 前記配線または電極の所定の領域に対してのコンタクト
電極を形成すると同時に前記配線または電極の一部を取
り除く工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7080755A JPH08250746A (ja) | 1995-03-13 | 1995-03-13 | 半導体装置の作製方法 |
| TW085102442A TW293174B (ja) | 1995-03-13 | 1996-02-29 | |
| US08/613,372 US5849604A (en) | 1995-03-13 | 1996-03-11 | Method of manufacturing a semiconductor device |
| CN96102945A CN1092840C (zh) | 1995-03-13 | 1996-03-13 | 制造半导体器件的方法 |
| KR1019960007150A KR100309630B1 (ko) | 1995-03-13 | 1996-03-13 | 반도체장치제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7080755A JPH08250746A (ja) | 1995-03-13 | 1995-03-13 | 半導体装置の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08250746A true JPH08250746A (ja) | 1996-09-27 |
Family
ID=13727234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7080755A Pending JPH08250746A (ja) | 1995-03-13 | 1995-03-13 | 半導体装置の作製方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5849604A (ja) |
| JP (1) | JPH08250746A (ja) |
| KR (1) | KR100309630B1 (ja) |
| CN (1) | CN1092840C (ja) |
| TW (1) | TW293174B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7163854B2 (en) | 1996-11-07 | 2007-01-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Fabrication method of a semiconductor device |
| JP2012513687A (ja) * | 2008-12-23 | 2012-06-14 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 陽極酸化された薄膜構造用の電気的接続 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999025906A1 (fr) * | 1997-11-18 | 1999-05-27 | Mitsubishi Chemical Corporation | Fluide de conversion chimique destine a la formation d'une couche mince d'oxyde metallique |
| JP4363684B2 (ja) | 1998-09-02 | 2009-11-11 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 薄膜トランジスタ基板およびこれを用いた液晶表示装置 |
| US6433473B1 (en) | 1998-10-29 | 2002-08-13 | Candescent Intellectual Property Services, Inc. | Row electrode anodization |
| EP1041641B1 (en) * | 1999-03-26 | 2015-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | A method for manufacturing an electrooptical device |
| US7230965B2 (en) * | 2001-02-01 | 2007-06-12 | Cymer, Inc. | Anodes for fluorine gas discharge lasers |
| US6930053B2 (en) * | 2002-03-25 | 2005-08-16 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of forming grating microstructures by anodic oxidation |
| WO2006025793A1 (en) * | 2004-08-31 | 2006-03-09 | Agency For Science, Technology And Research | Nanostructures and method of making the same |
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| CN104461142B (zh) * | 2014-12-10 | 2017-06-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 触控显示基板及其制备方法、触控显示装置 |
| CN104966674A (zh) | 2015-07-09 | 2015-10-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管和阵列基板的制备方法及相关装置 |
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|---|---|---|---|---|
| US4879219A (en) * | 1980-09-19 | 1989-11-07 | General Hospital Corporation | Immunoassay utilizing monoclonal high affinity IgM antibodies |
| JP2786628B2 (ja) * | 1987-10-15 | 1998-08-13 | シャープ株式会社 | 液晶パネルの電極構造 |
| JP2741883B2 (ja) * | 1989-02-10 | 1998-04-22 | 株式会社日立製作所 | 液晶パネルの製造方法 |
| JPH0816758B2 (ja) * | 1989-02-17 | 1996-02-21 | 松下電器産業株式会社 | 液晶画像表示装置およびその製造方法 |
| JPH0772780B2 (ja) * | 1989-03-06 | 1995-08-02 | 日本電気株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ基板 |
| JP3009438B2 (ja) * | 1989-08-14 | 2000-02-14 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
| US5576225A (en) * | 1992-05-09 | 1996-11-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of forming electric circuit using anodic oxidation |
| US5532853A (en) * | 1993-03-04 | 1996-07-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Reparable display device matrix for repairing the electrical connection of a bonding pad to its associated signal line |
| KR950019817A (ko) * | 1993-12-17 | 1995-07-24 | 이헌조 | 액정모듈의 수분방지용 패드 |
-
1995
- 1995-03-13 JP JP7080755A patent/JPH08250746A/ja active Pending
-
1996
- 1996-02-29 TW TW085102442A patent/TW293174B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-03-11 US US08/613,372 patent/US5849604A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-03-13 CN CN96102945A patent/CN1092840C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1996-03-13 KR KR1019960007150A patent/KR100309630B1/ko not_active IP Right Cessation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW293174B (ja) | 1996-12-11 |
| KR100309630B1 (ko) | 2002-06-20 |
| CN1092840C (zh) | 2002-10-16 |
| CN1137170A (zh) | 1996-12-04 |
| US5849604A (en) | 1998-12-15 |
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