JPH08239226A - 二酸化シリコンを含んだプリフォ−ムを作成するために反応物蒸気を与える方法および装置 - Google Patents
二酸化シリコンを含んだプリフォ−ムを作成するために反応物蒸気を与える方法および装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い温度と汚染ガムおよびゲルに対する露呈
を最小限に抑えて、ハロゲン化物を含まずシリコンを含
有した反応物を蒸発させる方法と装置を提供すること。 【解決手段】 プリフォ−ムを作成するのに使用される
ハロゲン化物を含まずシリコンを含有した液体反応物の
蒸発器が、加熱される垂直に配向された膨張チャンバ
（２０）と、このチャンバ内に延長しかつ上端部（４
４）に複数のオリフィス（４５）を有する垂直の中空軸
（４２）を具備している。予熱された反応物が上昇した
圧力で垂直軸（４２）に供給され、そしてオリフィス
（４５）によってチャンバの加熱された壁（２２）に噴
射される。液体反応物の一部分は、前記軸の内側と前記
チャンバの内側との間の圧力低下によってチャンバ（２
０）の内部容積（２４）内に入ると蒸発する。液体反応
物の残部はチャンバの壁（２２）と接触して加熱される
ことによって蒸発する。原材料中に存在するまたは蒸発
処理によって発生された高分子量物質がチャンバの底部
分に集められ、そこから定期的に除去され得る。
を最小限に抑えて、ハロゲン化物を含まずシリコンを含
有した反応物を蒸発させる方法と装置を提供すること。 【解決手段】 プリフォ−ムを作成するのに使用される
ハロゲン化物を含まずシリコンを含有した液体反応物の
蒸発器が、加熱される垂直に配向された膨張チャンバ
（２０）と、このチャンバ内に延長しかつ上端部（４
４）に複数のオリフィス（４５）を有する垂直の中空軸
（４２）を具備している。予熱された反応物が上昇した
圧力で垂直軸（４２）に供給され、そしてオリフィス
（４５）によってチャンバの加熱された壁（２２）に噴
射される。液体反応物の一部分は、前記軸の内側と前記
チャンバの内側との間の圧力低下によってチャンバ（２
０）の内部容積（２４）内に入ると蒸発する。液体反応
物の残部はチャンバの壁（２２）と接触して加熱される
ことによって蒸発する。原材料中に存在するまたは蒸発
処理によって発生された高分子量物質がチャンバの底部
分に集められ、そこから定期的に除去され得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、直接またはコア・ケ−
ンの中間作成を介して光または音波導波路ファイバを作
成するために用いることができるプリフォ−ムを作成す
るのに使用するためにの蒸発器に関する。
ンの中間作成を介して光または音波導波路ファイバを作
成するために用いることができるプリフォ−ムを作成す
るのに使用するためにの蒸発器に関する。
【０００２】
【従来の技術】歴史的には、ＭＣＶＤ法（modified che
mical vapor deposition）、ＶＡＤ法（vapor axial de
position）、およびＯＶＤ法（outside vapor depositi
on）のような気相沈積技術によってプリフォ−ムを作製
する場合には、SiCl4、またはSiCl4と種々のド−パント
との混合物のようなハロゲン化物を含んだ原材料が用い
られてきた。
mical vapor deposition）、ＶＡＤ法（vapor axial de
position）、およびＯＶＤ法（outside vapor depositi
on）のような気相沈積技術によってプリフォ−ムを作製
する場合には、SiCl4、またはSiCl4と種々のド−パント
との混合物のようなハロゲン化物を含んだ原材料が用い
られてきた。
【０００３】ＭＣＶＤ法では、ハロゲン化物を含んだ原
材料が気化されそして酸素と反応させられて酸化物粒子
を生成し、その酸化物粒子が溶融シリカ・チュ−ブの内
側に沈積される。ＶＡＤ法とＯＶＤ法では、気化したハ
ロゲン化物を含んだ原材料がバ−ナで加水されてス−ト
粒子を生成し、そのス−ト粒子が、ＶＡＤ法の場合には
回転する出発ロッド（ベイト・チュ−ブ）上にそしてＯ
ＶＤ法の場合には回転するマンドレル上に集められる。
ある種のＯＶＤシステムでは、プリフォ−ムのクラッド
部分が、マンドレル上ではなくて、前以て形成されたコ
ア・プリフォ−ム上に沈積される。
材料が気化されそして酸素と反応させられて酸化物粒子
を生成し、その酸化物粒子が溶融シリカ・チュ−ブの内
側に沈積される。ＶＡＤ法とＯＶＤ法では、気化したハ
ロゲン化物を含んだ原材料がバ−ナで加水されてス−ト
粒子を生成し、そのス−ト粒子が、ＶＡＤ法の場合には
回転する出発ロッド（ベイト・チュ−ブ）上にそしてＯ
ＶＤ法の場合には回転するマンドレル上に集められる。
ある種のＯＶＤシステムでは、プリフォ−ムのクラッド
部分が、マンドレル上ではなくて、前以て形成されたコ
ア・プリフォ−ム上に沈積される。
【０００４】これらの方法で使用できる種々の蒸発器が
開発されており、その例が米国特許第４２１２６６３
号、第４３１４８３７号、第４９３８７８９号、および
英国特許第１５５９９７８号に開示されている。
開発されており、その例が米国特許第４２１２６６３
号、第４３１４８３７号、第４９３８７８９号、および
英国特許第１５５９９７８号に開示されている。
【０００５】特に、米国特許第４５２９４２７号は、酸
素と、少なくとも１つの液体反応物、例えばSiCl4が加
熱されたチャンバ内に導入され、そこでフラッシュ蒸発
される。その結果得られた酸素／反応物ガス混合物が所
望のプリフォ−ムを生成するために用いられる。他のフ
ラッシュ蒸発器が特公昭５８−１２５６３３号（特に第
４図参照）および米国特許第５０７８０９２号（蒸発さ
れる材料はハロゲン化物を含まなくてよい）に開示され
ている。米国特許第５０９０９８５号は被覆されたガラ
ス物品を作製するのに用いられる種々の原材料を蒸発さ
せるために水平薄膜蒸発器を使用することを開示してい
る。
素と、少なくとも１つの液体反応物、例えばSiCl4が加
熱されたチャンバ内に導入され、そこでフラッシュ蒸発
される。その結果得られた酸素／反応物ガス混合物が所
望のプリフォ−ムを生成するために用いられる。他のフ
ラッシュ蒸発器が特公昭５８−１２５６３３号（特に第
４図参照）および米国特許第５０７８０９２号（蒸発さ
れる材料はハロゲン化物を含まなくてよい）に開示され
ている。米国特許第５０９０９８５号は被覆されたガラ
ス物品を作製するのに用いられる種々の原材料を蒸発さ
せるために水平薄膜蒸発器を使用することを開示してい
る。
【０００６】ハロゲン化物を含んだ原材料を使用する
と、相当な量のハロゲン含有副産物、たとえば塩化水素
酸を発生する。環境汚染を回避するために、これらの副
産物を収集しなければならないが、そのためにプリフォ
−ム作成法の全体のコストが増加する。したがって、ハ
ロゲン化物を含まない材料および特にハロゲン化物を含
まずシリコンを含有した材料がプリフォ−ムを作成する
ための出発材料としては望ましい。米国特許第５０４３
００２号を参照されたい。
と、相当な量のハロゲン含有副産物、たとえば塩化水素
酸を発生する。環境汚染を回避するために、これらの副
産物を収集しなければならないが、そのためにプリフォ
−ム作成法の全体のコストが増加する。したがって、ハ
ロゲン化物を含まない材料および特にハロゲン化物を含
まずシリコンを含有した材料がプリフォ−ムを作成する
ための出発材料としては望ましい。米国特許第５０４３
００２号を参照されたい。
【０００７】米国特許第５０４３００２号で説明されて
いるように、プリフォ−ムを作成のに用いる特に好まし
いハロゲン化物を含まずシリコンを含有した材料はポリ
メチルシロキサンであり、ポリメチルシクロキサンが特
に好ましく、そしてオクタメチルシクロテトラシロキサ
ン（ＯＭＣＴＳ）が特に好ましい。これらの同じハロゲ
ン化物を含まずシリコンを含有した原材料は本発明で使
用するのにも好ましいものである。
いるように、プリフォ−ムを作成のに用いる特に好まし
いハロゲン化物を含まずシリコンを含有した材料はポリ
メチルシロキサンであり、ポリメチルシクロキサンが特
に好ましく、そしてオクタメチルシクロテトラシロキサ
ン（ＯＭＣＴＳ）が特に好ましい。これらの同じハロゲ
ン化物を含まずシリコンを含有した原材料は本発明で使
用するのにも好ましいものである。
【０００８】米国特許第５３５６４５１号は、ＯＭＣＴ
Ｓのようなハロゲン化物を含まずシリコンを含有した原
材料に使用するために特に開発された蒸発器を開示して
いる。その技術によれば、原材料の状態を液体から蒸気
に変化させるために平板蒸発器と直列の予熱器が使用さ
れる。その予熱器と平板蒸発器は両用ともそれらの加熱
源として電気抵抗ワイヤを用いている。予熱器では、液
体がそれの沸点より低い温度に加熱される。平板蒸発器
では、（１）流体を沸点温度にするためおよび（２）材
料の気化熱を克服するのに必要なエネルギ−を与えるた
めに付加的な熱が加えられ、それに伴って流体が蒸気に
なる。
Ｓのようなハロゲン化物を含まずシリコンを含有した原
材料に使用するために特に開発された蒸発器を開示して
いる。その技術によれば、原材料の状態を液体から蒸気
に変化させるために平板蒸発器と直列の予熱器が使用さ
れる。その予熱器と平板蒸発器は両用ともそれらの加熱
源として電気抵抗ワイヤを用いている。予熱器では、液
体がそれの沸点より低い温度に加熱される。平板蒸発器
では、（１）流体を沸点温度にするためおよび（２）材
料の気化熱を克服するのに必要なエネルギ−を与えるた
めに付加的な熱が加えられ、それに伴って流体が蒸気に
なる。
【０００９】ハロゲン化物を含まずシリコンを含有した
材料は、過剰な温度になされると、亀裂や重合化を受け
やすいために、蒸発させるのが困難である。重合化は、
ガムおよびゲルを形成する高分子量物質を生ずる。さら
に、その高分子量物質は最初に作成された原材料に存在
しうる。このような物質は容易に蒸発せず、そして時間
が経つと、重合化した材料が熱伝達表面を汚しかつパイ
プ系統を詰らせる傾向がある。現時点でのデ−タは、あ
る程度の多重化を伴うことなしにはＯＭＣＴＳのような
材料から蒸気を生成することは可能でないであろうこと
が示唆している。
材料は、過剰な温度になされると、亀裂や重合化を受け
やすいために、蒸発させるのが困難である。重合化は、
ガムおよびゲルを形成する高分子量物質を生ずる。さら
に、その高分子量物質は最初に作成された原材料に存在
しうる。このような物質は容易に蒸発せず、そして時間
が経つと、重合化した材料が熱伝達表面を汚しかつパイ
プ系統を詰らせる傾向がある。現時点でのデ−タは、あ
る程度の多重化を伴うことなしにはＯＭＣＴＳのような
材料から蒸気を生成することは可能でないであろうこと
が示唆している。
【００１０】
【本発明が解決しようとする課題】上述の点を考慮し
て、本発明の１つの目的は、（１）材料の高温に対する
露呈を最小限に抑えかつ（２）このような材料に伴うガ
ムおよびゲルを、それらが熱伝達面を汚したりあるいは
給送パイプを詰らせることのない場所に集める、ハロゲ
ン化物をふくまずシリコンを含有した材料のための蒸発
器を提供することである。
て、本発明の１つの目的は、（１）材料の高温に対する
露呈を最小限に抑えかつ（２）このような材料に伴うガ
ムおよびゲルを、それらが熱伝達面を汚したりあるいは
給送パイプを詰らせることのない場所に集める、ハロゲ
ン化物をふくまずシリコンを含有した材料のための蒸発
器を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】これらのおよび他の目的
を達成するために、本発明は請求項１に記載された方法
および請求項９に記載された装置を提供する。
を達成するために、本発明は請求項１に記載された方法
および請求項９に記載された装置を提供する。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明のある好ましい実施例で
は、液体反応物が十分に高い温度まで、すなわち膨張チ
ャンバの動作圧力における液体反応物の沸点より高い温
度に加熱され、その液体反応物の一部分がチャンバの内
部容積（２４）に入ると、導入手段とその内部容積との
間の圧力低下のために直ちに蒸発するようになされてい
る。液体反応物の残部はチャンバの加熱された壁（２
２）によって加熱されて蒸発する。
は、液体反応物が十分に高い温度まで、すなわち膨張チ
ャンバの動作圧力における液体反応物の沸点より高い温
度に加熱され、その液体反応物の一部分がチャンバの内
部容積（２４）に入ると、導入手段とその内部容積との
間の圧力低下のために直ちに蒸発するようになされてい
る。液体反応物の残部はチャンバの加熱された壁（２
２）によって加熱されて蒸発する。
【００１３】他の好ましい実施例では、チャンバの内部
容積（２４）は、第２のゾ−ン２８の上方に第３の過熱
ゾ−ン（３０）を具備しており、そこで蒸発した反応物
はチャンバの動作圧力における沸点より高い温度に加熱
される。他の好ましい実施例では、導入手段は、（i）
第２のゾ−ン（２８）に配置されかつ（ii）チャンバの
壁（２２）の方に向けられた一連の噴射オリフィス（４
５）を含んだ上端部を有する垂直の中空軸（４２）で構
成される。ある実施例では、膨張チャンバ（２０）は酸
素のような希釈ガスを導入するためのポ−トを具備す
る。
容積（２４）は、第２のゾ−ン２８の上方に第３の過熱
ゾ−ン（３０）を具備しており、そこで蒸発した反応物
はチャンバの動作圧力における沸点より高い温度に加熱
される。他の好ましい実施例では、導入手段は、（i）
第２のゾ−ン（２８）に配置されかつ（ii）チャンバの
壁（２２）の方に向けられた一連の噴射オリフィス（４
５）を含んだ上端部を有する垂直の中空軸（４２）で構
成される。ある実施例では、膨張チャンバ（２０）は酸
素のような希釈ガスを導入するためのポ−トを具備す
る。
【００１４】本発明の蒸発器は従来の蒸発器と比較して
次のような利点を有する。（１）蒸発処理から抵抗加熱
器を排除したことによってホット・スポットが減少し
た。（２）蒸発器に収集用サンプを付加したことによっ
て熱伝達面の汚れおよび給送パイプの詰りを軽減した。
（３）蒸発処理時に希釈ガスを添加することによって気
化温度を大幅に低下させることができる。
次のような利点を有する。（１）蒸発処理から抵抗加熱
器を排除したことによってホット・スポットが減少し
た。（２）蒸発器に収集用サンプを付加したことによっ
て熱伝達面の汚れおよび給送パイプの詰りを軽減した。
（３）蒸発処理時に希釈ガスを添加することによって気
化温度を大幅に低下させることができる。
【００１５】
【実施例】図１は本発明の蒸発器を使用することができ
るプリフォ−ムを作成するための装置全体を示してい
る。図示のように、ＯＭＣＴＳのような反応物液体が液
体供給タンク１１に貯蔵されている。計量ポンプ１２が
タンク１１から予熱器１４に反応物液体を転送する。液
体流量計１３が全体の液体流量をモニタし、そして計量
ポンプの回転速度を上昇または低下させる信号を装置の
制御器（図示せず）に送る。下記にさらに詳細に説明す
るように、液体流量計１３を通じてポンプ１２で送られ
る液体は、予熱器における液体の揮発を防止するのに十
分な圧力である。
るプリフォ−ムを作成するための装置全体を示してい
る。図示のように、ＯＭＣＴＳのような反応物液体が液
体供給タンク１１に貯蔵されている。計量ポンプ１２が
タンク１１から予熱器１４に反応物液体を転送する。液
体流量計１３が全体の液体流量をモニタし、そして計量
ポンプの回転速度を上昇または低下させる信号を装置の
制御器（図示せず）に送る。下記にさらに詳細に説明す
るように、液体流量計１３を通じてポンプ１２で送られ
る液体は、予熱器における液体の揮発を防止するのに十
分な圧力である。
【００１６】蒸発器１５は液体反応物を蒸気に変える。
その蒸発した反応物に蒸発器であるいは別個にミキサ−
１６で酸素を添加し得る。蒸発器で添加された場合に
は、その酸素は希釈剤として機能し、したがって蒸発器
をより低い温度で動作させることができる。所望に応じ
て、不活性ガスのような他の希釈剤を用いてもよい。
その蒸発した反応物に蒸発器であるいは別個にミキサ−
１６で酸素を添加し得る。蒸発器で添加された場合に
は、その酸素は希釈剤として機能し、したがって蒸発器
をより低い温度で動作させることができる。所望に応じ
て、不活性ガスのような他の希釈剤を用いてもよい。
【００１７】この方法における最後の工程はバ−ナ１０
に反応物／酸素混合物を送ることであり、そのバ−ナが
反応物を酸化させてガラスス−ト粒子を形成する。その
反応物／酸素混合物のほかに、バ−ナ１０には、パイロ
ット炎を形成するために、インナ−シ−ルド・ガス、例
えばN2、アウタ−シ−ルド・ガス、例えばO2、およびCH
4と酸素の混合物が供給される。
に反応物／酸素混合物を送ることであり、そのバ−ナが
反応物を酸化させてガラスス−ト粒子を形成する。その
反応物／酸素混合物のほかに、バ−ナ１０には、パイロ
ット炎を形成するために、インナ−シ−ルド・ガス、例
えばN2、アウタ−シ−ルド・ガス、例えばO2、およびCH
4と酸素の混合物が供給される。
【００１８】図２および３は本発明の種々の構成要素を
さらに詳細に示している。特に、これらの図は、ポンプ
１２、熱油熱伝達装置３２、反応物予熱器１４、希釈剤
予熱器４６、垂直膨張チャンバ２０、および上端部４４
に噴射オリフィス４５を有する垂直中空軸４２を示して
いる。
さらに詳細に示している。特に、これらの図は、ポンプ
１２、熱油熱伝達装置３２、反応物予熱器１４、希釈剤
予熱器４６、垂直膨張チャンバ２０、および上端部４４
に噴射オリフィス４５を有する垂直中空軸４２を示して
いる。
【００１９】噴射オリフィス４５は、反応物が予熱器内
で蒸発（沸騰）しないように十分な背圧をその予熱器に
与えるサイズとなされている。沸騰すると、装置に振動
が生じ、それによってバ−ナ１０の動作に、したがって
光ファイバ・プリフォ−ムに変化を生ずるおそれがあ
る。
で蒸発（沸騰）しないように十分な背圧をその予熱器に
与えるサイズとなされている。沸騰すると、装置に振動
が生じ、それによってバ−ナ１０の動作に、したがって
光ファイバ・プリフォ−ムに変化を生ずるおそれがあ
る。
【００２０】必要とされる背圧の大きさは、反応物が予
熱器内で加熱される温度およびその温度における反応物
の蒸気圧に依存する。所望の背圧を発生するのに必要と
されるオリフィスのサイズは、この装置が与えるべき反
応物の流量に依存し、かつオリフィスによって発生され
る背圧は流量が低下すると低下するから、特に装置内で
の最低所望流量に依存する。
熱器内で加熱される温度およびその温度における反応物
の蒸気圧に依存する。所望の背圧を発生するのに必要と
されるオリフィスのサイズは、この装置が与えるべき反
応物の流量に依存し、かつオリフィスによって発生され
る背圧は流量が低下すると低下するから、特に装置内で
の最低所望流量に依存する。
【００２１】実際には、ハロゲン化物を含まずシリコン
を含有した原材料としてＯＭＣＴＳを用いてプリフォ−
ムを作成するための好ましい反応物流量は約80グラム／
分〜約200グラム／分以上の範囲であり得る。予熱器１
４に対する好ましい動作温度は、酸素が蒸発器１５に対
してではなくてミキサ−１６に加えられる装置の場合に
は約190℃である（図１）。大気圧におけるＯＭＣＴＳ
の沸点は約175.5℃である。190℃でＯＭＣＴＳが沸騰す
るのを阻止するためには予熱器１４に少なくとも約10ps
igの背圧を必要とする。それより幾分高い最低背圧、例
えば約15psigの背圧が用いられるのが好ましい。このよ
うにして、液体反応物が、所望に応じて、予熱器１４内
に亜冷却された（圧縮された）液体として維持される。
を含有した原材料としてＯＭＣＴＳを用いてプリフォ−
ムを作成するための好ましい反応物流量は約80グラム／
分〜約200グラム／分以上の範囲であり得る。予熱器１
４に対する好ましい動作温度は、酸素が蒸発器１５に対
してではなくてミキサ−１６に加えられる装置の場合に
は約190℃である（図１）。大気圧におけるＯＭＣＴＳ
の沸点は約175.5℃である。190℃でＯＭＣＴＳが沸騰す
るのを阻止するためには予熱器１４に少なくとも約10ps
igの背圧を必要とする。それより幾分高い最低背圧、例
えば約15psigの背圧が用いられるのが好ましい。このよ
うにして、液体反応物が、所望に応じて、予熱器１４内
に亜冷却された（圧縮された）液体として維持される。
【００２２】約0.25mmの直径を有するオリフィス、例え
ば垂直軸４２の周囲のまわりに分布された６つのオリフ
ィスで、80グラム／分のような低い反応物流量に対して
所望の15psigの背圧を発生することが認められた。他の
流量および背圧に対する適当なオリフィスのサイズはこ
の明細書に開示されら事項に基づいて当業者が容易に決
定することができる。
ば垂直軸４２の周囲のまわりに分布された６つのオリフ
ィスで、80グラム／分のような低い反応物流量に対して
所望の15psigの背圧を発生することが認められた。他の
流量および背圧に対する適当なオリフィスのサイズはこ
の明細書に開示されら事項に基づいて当業者が容易に決
定することができる。
【００２３】図２に示されているように、基本的は処理
は液体反応物を予熱器１４を通ってポンプで送ることか
ら始まる。ポンプ１２は装置の制御器によって要求され
る所望の流量で液体反応物を送る。
は液体反応物を予熱器１４を通ってポンプで送ることか
ら始まる。ポンプ１２は装置の制御器によって要求され
る所望の流量で液体反応物を送る。
【００２４】予熱器１４は、液体反応物が膨張チャンバ
２０の内部容積２４に入ると同時にそれの圧力がオリフ
ィスで低下すると少なくとも部分的に蒸発するのに十分
な熱を液体反応物に加えるように構成されることが好ま
しい。予熱器２４は、液体反応物を室温から装置の最小
反応物流量においてオリフィスに発生する背圧における
沸点より少し低い温度にするのに必要な熱を加えるサイ
ズとなされたプレ−ト型の熱交換器であることが好まし
い。特に、予熱器１４は、上限がオリフィス４５によっ
て発生される最小背圧において反応物が飽和した液体で
ある温度（飽和温度）でありかつ下限がその飽和温度か
ら50℃を差引いた温度である範囲の温度に液体反応物を
加熱するのが好ましい。しかし、最優先事項は、反応物
の重合化を最少限に抑えることであり、したがって予熱
器１４はできるだけ低い温度で稼働されるのが好まし
い。特に、予熱器１４は、反応物がチャンバ２０に入る
と少なくとも部分的に蒸発する最低温度、例えばそのチ
ャンバの動作温度における反応物の沸点より約10℃だけ
高い温度で稼働されるのが好ましい。反応物がＯＭＳＣ
ＴＳでありかつチャンバ２０内の動作温度が約1psigで
ある場合には、190℃が予熱器１４に対するそのような
最低温度である。
２０の内部容積２４に入ると同時にそれの圧力がオリフ
ィスで低下すると少なくとも部分的に蒸発するのに十分
な熱を液体反応物に加えるように構成されることが好ま
しい。予熱器２４は、液体反応物を室温から装置の最小
反応物流量においてオリフィスに発生する背圧における
沸点より少し低い温度にするのに必要な熱を加えるサイ
ズとなされたプレ−ト型の熱交換器であることが好まし
い。特に、予熱器１４は、上限がオリフィス４５によっ
て発生される最小背圧において反応物が飽和した液体で
ある温度（飽和温度）でありかつ下限がその飽和温度か
ら50℃を差引いた温度である範囲の温度に液体反応物を
加熱するのが好ましい。しかし、最優先事項は、反応物
の重合化を最少限に抑えることであり、したがって予熱
器１４はできるだけ低い温度で稼働されるのが好まし
い。特に、予熱器１４は、反応物がチャンバ２０に入る
と少なくとも部分的に蒸発する最低温度、例えばそのチ
ャンバの動作温度における反応物の沸点より約10℃だけ
高い温度で稼働されるのが好ましい。反応物がＯＭＳＣ
ＴＳでありかつチャンバ２０内の動作温度が約1psigで
ある場合には、190℃が予熱器１４に対するそのような
最低温度である。
【００２５】この装置は、予熱器１４から出て来た液体
反応物の温度が膨張チャンバの動作圧力におけるその反
応物の沸点より低くなるように予熱器が構成された状態
で動作されてもよい。その場合には、定常状態では、反
応物蒸気は蒸発ゾ−ンにおいて実質的に飽和しているか
ら、オリフィス４５における圧力低下の結果として蒸発
は発生しない。この構成では、蒸発はすべてチャンバの
加熱された壁２２によって液体反応物が加熱されること
による。これらの同じラインに沿って、予熱器１４が除
去され、かつ膨張チャンバは反応物の加熱がすべてこの
膨張チャンバ内で生ずるようなサイズ、例えばより大き
くなされうる。しかし、このような手法は、装置が大流
量で流れ振動を受けやすくする傾向があるので好ましく
ない。
反応物の温度が膨張チャンバの動作圧力におけるその反
応物の沸点より低くなるように予熱器が構成された状態
で動作されてもよい。その場合には、定常状態では、反
応物蒸気は蒸発ゾ−ンにおいて実質的に飽和しているか
ら、オリフィス４５における圧力低下の結果として蒸発
は発生しない。この構成では、蒸発はすべてチャンバの
加熱された壁２２によって液体反応物が加熱されること
による。これらの同じラインに沿って、予熱器１４が除
去され、かつ膨張チャンバは反応物の加熱がすべてこの
膨張チャンバ内で生ずるようなサイズ、例えばより大き
くなされうる。しかし、このような手法は、装置が大流
量で流れ振動を受けやすくする傾向があるので好ましく
ない。
【００２６】従来の供給ラインおよび取り付け具（図示
せず）によって予熱器１４の油取入れポ−ト５６および
油取り出しポ−ト５８に連結された油供給３４および油
戻し３６を有する熱油熱伝達装置３２によって液体反応
物に熱が加えられるのが好ましい。
せず）によって予熱器１４の油取入れポ−ト５６および
油取り出しポ−ト５８に連結された油供給３４および油
戻し３６を有する熱油熱伝達装置３２によって液体反応
物に熱が加えられるのが好ましい。
【００２７】熱油熱伝達装置に使用するための好ましい
油はシリコ−ン油であるが、もし所望されれば他の流体
を用いてもよい。上述のように、ＯＭＣＴＳが反応物液
体である場合には、好ましい油温度は190℃である。図
２に示されているように、予熱器１４、膨張チャンバ２
０、および希釈剤予熱器４６に対して１つの熱油熱伝達
装置が用いられているので、これらの構成要素はすべて
ほぼ同じ温度、例えば190℃で動作する。もし所望され
れば、これらの構成要素は、各構成要素に対して個別の
加熱装置を用いることによって異なる温度で動作され得
る。予熱器１４および膨張チャンバ２０に対しては１つ
の熱油系統を用いるのが好ましい。電気的加熱を含む他
の加熱手段を用いてもよい。
油はシリコ−ン油であるが、もし所望されれば他の流体
を用いてもよい。上述のように、ＯＭＣＴＳが反応物液
体である場合には、好ましい油温度は190℃である。図
２に示されているように、予熱器１４、膨張チャンバ２
０、および希釈剤予熱器４６に対して１つの熱油熱伝達
装置が用いられているので、これらの構成要素はすべて
ほぼ同じ温度、例えば190℃で動作する。もし所望され
れば、これらの構成要素は、各構成要素に対して個別の
加熱装置を用いることによって異なる温度で動作され得
る。予熱器１４および膨張チャンバ２０に対しては１つ
の熱油系統を用いるのが好ましい。電気的加熱を含む他
の加熱手段を用いてもよい。
【００２８】液体反応物は液体入口ポ−ト６０を通じて
予熱器１４に入り、そして液体出口ポ−ト６２を通って
予熱器から出る。液体反応物の予熱器での滞在時間、し
たがって重合化の機会を最少限に抑えるためには、熱油
チャンネルによって包囲かれた単一の真っ直ぐなトラ
フ、反応物流れチャンネルを有する予熱器が好ましい
が、もし所望されれば他の構成を用いることができる。
上述のように、プレ−ト型の予熱器が好ましく、そして
プレ−ト間の好ましい間隔は約1.2mmである。流体と流
体との間の熱伝達を用いると均一な加熱が得られ、かつ
反応物の重合化を生ずるおそれのあるホットスポットを
確実に無くする。
予熱器１４に入り、そして液体出口ポ−ト６２を通って
予熱器から出る。液体反応物の予熱器での滞在時間、し
たがって重合化の機会を最少限に抑えるためには、熱油
チャンネルによって包囲かれた単一の真っ直ぐなトラ
フ、反応物流れチャンネルを有する予熱器が好ましい
が、もし所望されれば他の構成を用いることができる。
上述のように、プレ−ト型の予熱器が好ましく、そして
プレ−ト間の好ましい間隔は約1.2mmである。流体と流
体との間の熱伝達を用いると均一な加熱が得られ、かつ
反応物の重合化を生ずるおそれのあるホットスポットを
確実に無くする。
【００２９】加熱された液体反応物は導管５２によって
予熱器１４から膨張チャンバ２０に送られる。膨張チャ
ンバは蒸気を自由に膨張させるための内部容積２４と、
完全な蒸発と若干の過熱のために必要とされる付加的な
熱を加えるための加熱された壁２２を具備している。こ
のチャンバはまたガムおよびゲルのための収集領域とし
ても作用しかつもし所望されれば希釈ガスの添加を与え
る。
予熱器１４から膨張チャンバ２０に送られる。膨張チャ
ンバは蒸気を自由に膨張させるための内部容積２４と、
完全な蒸発と若干の過熱のために必要とされる付加的な
熱を加えるための加熱された壁２２を具備している。こ
のチャンバはまたガムおよびゲルのための収集領域とし
ても作用しかつもし所望されれば希釈ガスの添加を与え
る。
【００３０】壁２２の加熱は、その壁の外表面の少なく
とも一部分上に、加熱された流体、例えば熱油熱伝達装
置３２から熱油を通すことによって行なわれることが好
ましい。壁２２の内表面全体が同じ温度、例えば190℃
に加熱されることが好ましい。チャンバを包囲しかつ取
入れ口３８と取り出し口４０を有する加熱ジャケットが
この目的のために用いられ得る。図２では、それらの取
入れ口と取り出し口は従来の供給ラインおよび取り付け
具（図示せず）によって油供給源３４および油戻し３６
に連結されている。図２および３に示されているよう
に、チャンバ２０は上方および下方の円錐状部分と、円
筒状の中央部分を有している。壁２２の周囲のまわりに
熱油の均一な分布を与えるために円錐状部分と円筒状部
分との間に境界に分布マニフォルド（図示せず）が使用
され得る。
とも一部分上に、加熱された流体、例えば熱油熱伝達装
置３２から熱油を通すことによって行なわれることが好
ましい。壁２２の内表面全体が同じ温度、例えば190℃
に加熱されることが好ましい。チャンバを包囲しかつ取
入れ口３８と取り出し口４０を有する加熱ジャケットが
この目的のために用いられ得る。図２では、それらの取
入れ口と取り出し口は従来の供給ラインおよび取り付け
具（図示せず）によって油供給源３４および油戻し３６
に連結されている。図２および３に示されているよう
に、チャンバ２０は上方および下方の円錐状部分と、円
筒状の中央部分を有している。壁２２の周囲のまわりに
熱油の均一な分布を与えるために円錐状部分と円筒状部
分との間に境界に分布マニフォルド（図示せず）が使用
され得る。
【００３１】図３に示されているように、チャンバ２０
は下方のゲル収集ゾ−ン２６、中間の蒸発ゾ−ン２８、
および上方の過熱ゾ−ン３０を具備している。ゲル収集
ゾ−ン２６は、例えば装置の定期的なメンテナンス時に
垂直蒸発器によって反応物蒸気から分離された高分子物
質を除去するためのポ−ト８０を具備している。ＯＭＣ
ＴＳでは、蒸発処理の場合に約100ppmのゲル生成速度が
観察された。すなわち、図１の装置によって蒸発された
ＯＭＣＴＳ百万グラム毎に、ゲル収集ポ−ト２６に約10
0グラムのゲルが収集される。
は下方のゲル収集ゾ−ン２６、中間の蒸発ゾ−ン２８、
および上方の過熱ゾ−ン３０を具備している。ゲル収集
ゾ−ン２６は、例えば装置の定期的なメンテナンス時に
垂直蒸発器によって反応物蒸気から分離された高分子物
質を除去するためのポ−ト８０を具備している。ＯＭＣ
ＴＳでは、蒸発処理の場合に約100ppmのゲル生成速度が
観察された。すなわち、図１の装置によって蒸発された
ＯＭＣＴＳ百万グラム毎に、ゲル収集ポ−ト２６に約10
0グラムのゲルが収集される。
【００３２】加熱された液体反応物が、上端部がオリフ
ィス・ヘッドを構成している中空の垂直軸４２によって
チャンバ２０内に導入される。軸４２の好ましい内径は
約4mmである。オリフィス・ヘッドは膨張チャンバ内の
ある距離のところに配置され、蒸発ゾ−ン２８の領域に
おいて壁２２の内表面に対して液体反応物を送る。特
に、オリフィス・ヘッドは、そのヘッドからの流れがゲ
ル収集ゾ−ン２６から相当な量のゲルをピックアップし
ないように十分なだけチャンバ内に配置される必要があ
る。例えば、全長が約75cmで、それぞれ15cmの長さの２
つの円錐状部分と、長さが45cmの中央の円筒状部分で構
成されたチャンバでは、そのチャンバの底から約55cmの
オリフィス位置が首尾よく機能する。
ィス・ヘッドを構成している中空の垂直軸４２によって
チャンバ２０内に導入される。軸４２の好ましい内径は
約4mmである。オリフィス・ヘッドは膨張チャンバ内の
ある距離のところに配置され、蒸発ゾ−ン２８の領域に
おいて壁２２の内表面に対して液体反応物を送る。特
に、オリフィス・ヘッドは、そのヘッドからの流れがゲ
ル収集ゾ−ン２６から相当な量のゲルをピックアップし
ないように十分なだけチャンバ内に配置される必要があ
る。例えば、全長が約75cmで、それぞれ15cmの長さの２
つの円錐状部分と、長さが45cmの中央の円筒状部分で構
成されたチャンバでは、そのチャンバの底から約55cmの
オリフィス位置が首尾よく機能する。
【００３３】オリフィス・ヘッドはチャンバの壁に沿っ
て流体を分布させるために多数のオリフィスを含んでい
てもよい。あるいは、チャンバの側璧に流体を送るため
に１つの組のスロットおよび／またはバッフルとの組合
せた単一のオリフィスを用いることができる。もし所望
されれば、図３において５４で示されているもののよう
なパタ−ンで液体を噴射するための他の設計を用いるこ
ともできる。
て流体を分布させるために多数のオリフィスを含んでい
てもよい。あるいは、チャンバの側璧に流体を送るため
に１つの組のスロットおよび／またはバッフルとの組合
せた単一のオリフィスを用いることができる。もし所望
されれば、図３において５４で示されているもののよう
なパタ−ンで液体を噴射するための他の設計を用いるこ
ともできる。
【００３４】膨張チャンバ２０は、ゲルの分離を可能に
しかつゲルのキャリイオバ−を最小限に抑えるように反
応物の速度を比較的低く保持するのに十分なだけ大きい
断面積を有していなければならない。実際には、上述し
た75cmのチャンバでは、約8cmの内径で、チャンバ２０
内に所望の低い流速、例えば、ミキサ−１６に酸素を加
えながら、約200グラム／分の反応物供給速度で、約0.5
メ−トル／秒より低い、好ましくは約0.1グラム／秒よ
り低い流速を生ずることが認められた。
しかつゲルのキャリイオバ−を最小限に抑えるように反
応物の速度を比較的低く保持するのに十分なだけ大きい
断面積を有していなければならない。実際には、上述し
た75cmのチャンバでは、約8cmの内径で、チャンバ２０
内に所望の低い流速、例えば、ミキサ−１６に酸素を加
えながら、約200グラム／分の反応物供給速度で、約0.5
メ−トル／秒より低い、好ましくは約0.1グラム／秒よ
り低い流速を生ずることが認められた。
【００３５】好ましい動作モ−ドでは、加熱された液体
反応物の一部分が蒸発ゾ−ン２８に入ると、軸４２の内
側とチャンバ２０の外側の間の圧力低下、例えば軸４２
の内側における15psig（あるいは高い流速ではそれより
高い）からチャンバ２０の内側における1psigまでの低
下によって直ちに蒸発する。（上述のように、このよう
な即時の蒸発は、予熱器１４が、膨張チャンバの動作圧
力における反応物の沸点より高く液体反応物の温度を上
昇された場合にのみ生ずることに注目されたい。）直ち
に蒸発する反応物の量は、予熱器１４内で行なわれる加
熱の程度に依存する。すなわち、それは液体反応物の蒸
発のエンタルピ−に関してその液体反応物がチャンバ２
０に入る時の温度に依存する。
反応物の一部分が蒸発ゾ−ン２８に入ると、軸４２の内
側とチャンバ２０の外側の間の圧力低下、例えば軸４２
の内側における15psig（あるいは高い流速ではそれより
高い）からチャンバ２０の内側における1psigまでの低
下によって直ちに蒸発する。（上述のように、このよう
な即時の蒸発は、予熱器１４が、膨張チャンバの動作圧
力における反応物の沸点より高く液体反応物の温度を上
昇された場合にのみ生ずることに注目されたい。）直ち
に蒸発する反応物の量は、予熱器１４内で行なわれる加
熱の程度に依存する。すなわち、それは液体反応物の蒸
発のエンタルピ−に関してその液体反応物がチャンバ２
０に入る時の温度に依存する。
【００３６】液体反応物の温度は実質的に完全な即時蒸
発を得るのに十分なだけ高くなされ得るが、そのような
加熱は、過剰に高い温度に露呈されたことから生ずる反
応物の重合化を回避する目的を果せなくするであろう。
例えば、ＯＭＣＴＳの場合には、完全な即時蒸発は約25
0℃の温度まで加熱することを必要とし、その温度では1
90℃におけるよりも実質的な重合化が生じやすいであろ
う。
発を得るのに十分なだけ高くなされ得るが、そのような
加熱は、過剰に高い温度に露呈されたことから生ずる反
応物の重合化を回避する目的を果せなくするであろう。
例えば、ＯＭＣＴＳの場合には、完全な即時蒸発は約25
0℃の温度まで加熱することを必要とし、その温度では1
90℃におけるよりも実質的な重合化が生じやすいであろ
う。
【００３７】この問題を回避するために、本発明の好ま
しい実施例によれば、液体反応物の一部分だけが、例え
ば15％がチャンバ２０に入ると直ちに蒸発され、残りは
加熱された壁２２に噴射されて蒸発される。
しい実施例によれば、液体反応物の一部分だけが、例え
ば15％がチャンバ２０に入ると直ちに蒸発され、残りは
加熱された壁２２に噴射されて蒸発される。
【００３８】チャンバ２０に入ると直ちに蒸発する液体
反応物の部分は、チャンバ内の液体反応物の分圧を低下
させかつその反応物の露点を下げるようにチャンバに希
釈ガスを導入することによって増大され得る。あるい
は、チャンバ２０内で所望のレベルの即時蒸発を得るた
めに液体反応物が予熱器１４で加熱されなければならな
い温度を下げるために希釈ガスを用いてもよい。例え
ば、ＯＭＣＴＳのグラム／分当りのO2の0.3slpm（stand
ard liters per minute）の流量でチャンバ２０に酸素
を導入することによって、即時蒸発と壁２２による加熱
との組合せによるＯＭＣＴＳの蒸発を得ることができ、
この場合、熱油熱伝達装置３２によって与えられる加熱
油の温度は190℃から約150℃まで低下した。
反応物の部分は、チャンバ内の液体反応物の分圧を低下
させかつその反応物の露点を下げるようにチャンバに希
釈ガスを導入することによって増大され得る。あるい
は、チャンバ２０内で所望のレベルの即時蒸発を得るた
めに液体反応物が予熱器１４で加熱されなければならな
い温度を下げるために希釈ガスを用いてもよい。例え
ば、ＯＭＣＴＳのグラム／分当りのO2の0.3slpm（stand
ard liters per minute）の流量でチャンバ２０に酸素
を導入することによって、即時蒸発と壁２２による加熱
との組合せによるＯＭＣＴＳの蒸発を得ることができ、
この場合、熱油熱伝達装置３２によって与えられる加熱
油の温度は190℃から約150℃まで低下した。
【００３９】図２に示されているように、希釈ガスは、
希釈剤入口ポ−ト６８と、希釈剤出口ポ−ト７０を有す
る予熱器４６によって加熱される。予熱器４６は油ポ−
ト６４および６６を有しており、それらの油ポ−トは従
来の供給ラインおよび取り付け具（図示せず）によって
油供給源３４および油戻し３６に連結されている。予熱
器４６は板形ヒ−タであることが好ましい。
希釈剤入口ポ−ト６８と、希釈剤出口ポ−ト７０を有す
る予熱器４６によって加熱される。予熱器４６は油ポ−
ト６４および６６を有しており、それらの油ポ−トは従
来の供給ラインおよび取り付け具（図示せず）によって
油供給源３４および油戻し３６に連結されている。予熱
器４６は板形ヒ−タであることが好ましい。
【００４０】出口ポ−ト７０は２位置弁４８に連結され
ている。図２に示されている弁位置では、希釈ガスがチ
ャンバ２０から出た反応物蒸気の流れに導管５０を通じ
て加えられる。例えば、希釈ガスは図１のミキサ−１６
で加えられる。他の位置では、希釈ガスは壁２２に透設
されたポ−ト８２を通じてチャンバ２０に加えられる。
可変２位置弁に代えて、この装置はチャンバ２０にガス
を供給するかあるいは供給しないように永久的に構成さ
れてもよい。また、希釈ガスのすべてがチャンバ２０に
加えられる必要はなく、ある部分はミキサ−１６内の下
流で加えられてもよい。例えば、弁４８はポ−ト８２と
導管５０の両方に流れを与えることができる。
ている。図２に示されている弁位置では、希釈ガスがチ
ャンバ２０から出た反応物蒸気の流れに導管５０を通じ
て加えられる。例えば、希釈ガスは図１のミキサ−１６
で加えられる。他の位置では、希釈ガスは壁２２に透設
されたポ−ト８２を通じてチャンバ２０に加えられる。
可変２位置弁に代えて、この装置はチャンバ２０にガス
を供給するかあるいは供給しないように永久的に構成さ
れてもよい。また、希釈ガスのすべてがチャンバ２０に
加えられる必要はなく、ある部分はミキサ−１６内の下
流で加えられてもよい。例えば、弁４８はポ−ト８２と
導管５０の両方に流れを与えることができる。
【００４１】チャンバ２０に導入される希釈ガスのモル
分率が十分に高い場合には、液体反応物の主要部分が、
予熱器１４内の液体の温度を重合化が重大な問題となる
点まで上昇させる必要を無くして、チャンバに入ると直
ちに蒸発され得る。このような場合には、チャンバの壁
によって加熱されることにより蒸発される液体反応物の
部分は極めて少なくなりうる。チャンバ２０に希釈ガス
を加えると、反応物の高分子物質が幾分高いレベルで導
管５０を通じてチャンバ２０から出て来た蒸気流にキャ
リイオ−バ−することになる。また、希釈ガスとして酸
素を加えることにより、反応物の高分子物質がより高い
レベルで生成されることになりうる。
分率が十分に高い場合には、液体反応物の主要部分が、
予熱器１４内の液体の温度を重合化が重大な問題となる
点まで上昇させる必要を無くして、チャンバに入ると直
ちに蒸発され得る。このような場合には、チャンバの壁
によって加熱されることにより蒸発される液体反応物の
部分は極めて少なくなりうる。チャンバ２０に希釈ガス
を加えると、反応物の高分子物質が幾分高いレベルで導
管５０を通じてチャンバ２０から出て来た蒸気流にキャ
リイオ−バ−することになる。また、希釈ガスとして酸
素を加えることにより、反応物の高分子物質がより高い
レベルで生成されることになりうる。
【００４２】反応物は、蒸気にいったん変換されて、導
管５０を通じてチャンバ２０から出る。そのようにする
場合に、その反応物はゾ−ン３０を通り、そこでそれの
沸点より高い温度に過熱される。ゾ−ン３０における過
熱の好ましい程度は、約５℃のオ−ダ−であり、例え
ば、ＯＭＣＴＳでかつチャンバ内の動作圧力が1psigで
ある場合には、反応物蒸気は約185℃の温度に加熱され
得る。
管５０を通じてチャンバ２０から出る。そのようにする
場合に、その反応物はゾ−ン３０を通り、そこでそれの
沸点より高い温度に過熱される。ゾ−ン３０における過
熱の好ましい程度は、約５℃のオ−ダ−であり、例え
ば、ＯＭＣＴＳでかつチャンバ内の動作圧力が1psigで
ある場合には、反応物蒸気は約185℃の温度に加熱され
得る。
【００４３】蒸発器の構成要素は当業者に公知の種々の
標準的な材料で形成され得るものである。例えば、膨張
チャンバ２０および垂直軸４２の反応物に接触する部分
はステンレススチ−ルで作成されるのが好ましい。所望
されれば、他の材料を用いることもできる。
標準的な材料で形成され得るものである。例えば、膨張
チャンバ２０および垂直軸４２の反応物に接触する部分
はステンレススチ−ルで作成されるのが好ましい。所望
されれば、他の材料を用いることもできる。
【図１】本発明に従って構成された蒸気給送系統のブロ
ック図である。
ック図である。
【図２】図１の蒸気給送系統のポンプ、反応物予熱器、
希釈ガス予熱器、および膨張チャンバの概略図である。
希釈ガス予熱器、および膨張チャンバの概略図である。
【図３】図１の蒸気給送系統の膨張チャンバの概略図で
ある。
ある。
２０ 膨張チャンバ ２２ チャンバの加熱された壁 ２４ チャンバの内部容積 ４２ 垂直の中空軸 ４４ 上端部 ４５ オリフィス
Claims (14)
- 【請求項１】 反応物蒸気を分解して粒子を形成するこ
とによって二酸化シリコンを含んだプリフォ−ムを作成
するために前記反応物蒸気を与える方法であって、 内部容積を包囲した壁を具備した垂直に配向された膨張
チャンバを準備し、前記内部容積は前記チャンバの底に
配置されていて前記反応物の高分子量物質を収集するた
めの第１のゾ−ンと、前記第１のゾ−ンの上方に配置さ
れた第２のゾ−ンよりなり、 前記チャンバの壁を加熱し、 高分子量物質を形成するために重合化し得る液体反応物
を前記第２のゾ−ン内に導入しかつ前記反応物を前記チ
ャンバの壁に向って投射し、 前記プリフォ−ムを形成するために、蒸発した反応物を
前記チャンバから蒸気利用場所に給送し、 前記反応物の高分子量物質を前記第１のゾ−ンから定期
的に除去することよりなる二酸化シリコンを含んだプリ
フォ−ムを作成するために反応物蒸気を与える方法。 - 【請求項２】 前記液体反応物の第１の部分が前記チャ
ンバの内部容積内に導入されると蒸発し、かつ第２の部
分が前記チャンバの壁によって加熱されて蒸発する請求
項１の方法。 - 【請求項３】 前記チャンバの内部容積が前記第２のゾ
−ンより上方に第３のゾ−ンを具備しており、前記蒸発
した反応物が前記第３のゾ−ンでそれの沸点より高い温
度に加熱される請求項１または２の方法。 - 【請求項４】 前記チャンバの壁が、その壁の外表面の
少なくとも一部分に沿って加熱された流体を流すことに
よって加熱され、かつ／または前記液体反応物の第１の
部分が前記チャンバに入ると蒸発し、そして第２の部分
が前記チャンバの壁によって加熱されることにより蒸発
する請求項３の方法。 - 【請求項５】 前記液体反応物が前記第２のゾ−ン内と
前記チャンバの壁に向けて噴射され、あるいは前記液体
反応物が垂直の中空軸を通されて、前記軸の上端部の領
域に配置された複数の噴射オリフィスを通じて前記第２
のゾ−ン内と前記チャンバの壁に向けて噴射される請求
項１、２、３または４の方法。 - 【請求項６】 前記液体反応物が導入の前に加熱され、
あるいは前記反応物が、予め定められた最小圧力より高
い上昇圧力で与えられ、かつ上限が前記予め定められた
最小圧力において前記反応物が飽和液体である温度（飽
和温度）でありかつ下限が前記飽和温度から50℃を差引
いた温度である範囲内の温度に加熱される請求項５の方
法。 - 【請求項７】 前記内部容積内に希釈ガスを導入する付
加的な工程を含む請求項１〜６のうちの１つによる方
法。 - 【請求項８】 前記希釈ガスが酸素、またはポリメチル
シロキサン、あるいはオクタメチルシクロテトラシロキ
サンである請求項７の方法。 - 【請求項９】 請求項１〜８のうちの１つによる方法を
実施するための装置であって、 内部容積を包囲した壁を具備した垂直に配向された膨張
チャンバであって、内部容積を包囲した壁を具備し、前
記内部容積が前記チャンバの底に配置されていて前記反
応物の高分子量物質を収集するための第１のゾ−ンと、
前記第１のゾ−ンより上方に配置された第２のゾ−ンよ
りなる膨張チャンバと、 前記第１のゾ−ンから前記反応物の高分子量物質を除去
するための除去手段と、 前記チャンバの壁を加熱するための加熱手段と、 前記液体反応物を前記第２のゾ−ン内に導入しかつ前記
反応物を前記チャンバの壁に向って投射する導入手段で
あって、必要に応じて前記チャンバ内に希釈ガスを導入
する手段をさらに具備している導入手段と、 前記チャンバの内部容積から蒸発した反応物を除去する
ための除去手段と、 前記導入手段に液体反応物を提供する提供手段を具備し
た装置。 - 【請求項１０】 前記チャンバの内部容積が、前記第２
のゾ−ンより上方に、第３のゾ−ンを具備しており、そ
の第３のゾ−ンで、蒸発した反応物がそれの沸点より高
い温度に加熱される請求項９の装置。 - 【請求項１１】 前記加熱手段が、前記チャンバの壁の
外表面の少なくとも一部分に沿って、加熱された流体を
流すための手段を具備している請求項９または１０の装
置。 - 【請求項１２】 前記導入手段が、少なくとも１つの噴
射オリフィス、または垂直の中空軸を具備しており、前
記軸の上端部が（i）前記第２のゾ−ン内に配置されか
つ（ii）前記チャンバの壁に向って方向づけられた複数
の噴射オフィリスを具備しており、必要に応じて前記垂
直の中空軸が前記第１のゾ−ンを貫通している請求項９
の装置。 - 【請求項１３】 前記提供手段が、前記液体反応物を、
それが前記導入手段に提供される前に、加熱するための
予熱器手段を具備し、あるいは前記導入手段が、それを
通る液体反応物の最小流量に対して前記予熱器手段に背
圧を生じさせ、 前記予熱器手段は、上限が前記背圧において前記反応物
が飽和した液体である温度（飽和温度）でありかつ下限
が前記飽和温度から50℃を差引いた温度である範囲内の
温度に前記液体反応物を加熱する請求項９、１０、１１
または１２の装置。 - 【請求項１４】 請求項１〜８のうちの１つにおける方
法によって作成したプリフォ−ムを光導波路ファイバを
作成するために使用すること。
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|---|---|---|---|
| US08/368,318 US5632797A (en) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | Method of providing vaporized halide-free, silicon-containing compounds |
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001517597A (ja) * | 1997-09-24 | 2001-10-09 | コーニング インコーポレイテッド | 溶融ＳｉＯ２−ＴｉＯ２ガラスの製造法 |
| JP2014517801A (ja) * | 2011-04-28 | 2014-07-24 | コーニング インコーポレイテッド | 気化中のガラス前駆体材料のゲル化を低減させるための方法および装置 |
| JP2015500785A (ja) * | 2011-11-25 | 2015-01-08 | ヘレーウス クヴァルツグラース ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフトＨｅｒａｅｕｓ Ｑｕａｒｚｇｌａｓ ＧｍｂＨ ＆ Ｃｏ． ＫＧ | 気相からの堆積によって、かつ液状のシロキサン供給材料を霧化することによる合成石英ガラスの製造法 |
| JP2015505291A (ja) * | 2011-12-16 | 2015-02-19 | ヘレーウス クヴァルツグラース ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフトＨｅｒａｅｕｓ Ｑｕａｒｚｇｌａｓ ＧｍｂＨ ＆ Ｃｏ． ＫＧ | 合成石英ガラスの製造方法 |
| JP2016508478A (ja) * | 2013-02-12 | 2016-03-22 | ヘレウス クワルツグラス ゲーエムベーハー ウント コンパニー カーゲー | チタンドープ合成石英ガラスの製造方法 |
| JP2021143107A (ja) * | 2020-03-13 | 2021-09-24 | 信越化学工業株式会社 | 光ファイバ用多孔質ガラス母材の製造方法 |
| JP2022073751A (ja) * | 2020-11-02 | 2022-05-17 | 信越化学工業株式会社 | 多孔質ガラス母材の製造方法及び製造装置 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6094940A (en) * | 1997-10-09 | 2000-08-01 | Nikon Corporation | Manufacturing method of synthetic silica glass |
| JP3794664B2 (ja) | 1998-07-29 | 2006-07-05 | 信越化学工業株式会社 | 合成石英ガラス部材及びその製造方法、並びにエキシマレーザ用光学部品 |
| JP4143218B2 (ja) | 1999-04-23 | 2008-09-03 | 株式会社日本触媒 | 薄膜式蒸発装置における重合防止方法および薄膜式蒸発装置 |
| GB9920948D0 (en) * | 1999-09-06 | 1999-11-10 | Ici Plc | Apparatus and method for separating mixed liquids |
| ATE370105T1 (de) * | 2002-06-28 | 2007-09-15 | Prysmian Cavi Sistemi Energia | Verfahren und vorrichtung zum verdampfen eines flüssigen vorlaüfers beim herstellen einer glasvorform |
| US7332058B2 (en) * | 2003-07-31 | 2008-02-19 | Fina Technology, Inc. | Heat exchanger and process for devolatilizing polymers using same |
| US20050205215A1 (en) * | 2004-03-17 | 2005-09-22 | General Electric Company | Apparatus for the evaporation of aqueous organic liquids and the production of powder pre-forms in flame hydrolysis processes |
| CA2571176C (en) * | 2004-06-28 | 2013-05-28 | Consolidated Engineering Company, Inc. | Method and apparatus for removal of flashing and blockages from a casting |
| US8495973B2 (en) * | 2009-11-03 | 2013-07-30 | Protonex Technology Corporation | Thin film vaporizer |
| US20140290090A1 (en) * | 2010-08-24 | 2014-10-02 | Jst Manufacturing, Inc. | System and method for drying substrates |
| US8840858B2 (en) | 2011-07-06 | 2014-09-23 | Corning Incorporated | Apparatus for mixing vaporized precursor and gas and method therefor |
| JP6559423B2 (ja) | 2011-08-05 | 2019-08-14 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 蒸気を処理するためのシステム及び方法 |
| DE102011119341A1 (de) | 2011-11-25 | 2013-05-29 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung von synthetischem Quarzglas nach der Sootmethode |
| DE102011119374A1 (de) | 2011-11-25 | 2013-05-29 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung von synthetischem Quarzglas |
| DE102011119373A1 (de) | 2011-11-25 | 2013-05-29 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung von synthetischem Quarzglas |
| JP2013177297A (ja) * | 2012-02-09 | 2013-09-09 | Asahi Glass Co Ltd | ドープ石英ガラスの製造方法 |
| DE102013209673B3 (de) * | 2013-05-24 | 2014-05-22 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Verfahren und Verdampfer zur Herstellung von synthetischem Quarzglas |
| DE102015201423A1 (de) | 2015-01-28 | 2016-07-28 | Wacker Chemie Ag | Durch Kondensationsreaktion vernetzbare Organopolysiloxanmassen |
| JP6650820B2 (ja) * | 2016-04-19 | 2020-02-19 | 株式会社フジクラ | ガラスインゴットの製造方法 |
| EP3409812A1 (de) * | 2017-05-31 | 2018-12-05 | Meyer Burger (Germany) AG | Gasversorgungssystem und gasversorgungsverfahren |
| CN113439074A (zh) | 2019-02-13 | 2021-09-24 | 康宁股份有限公司 | 蒸发器及包含该蒸发器的用于形成玻璃光纤预制件的设备 |
| JP7058627B2 (ja) * | 2019-06-11 | 2022-04-22 | 信越化学工業株式会社 | 光ファイバ用多孔質ガラス母材の製造装置および製造方法 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR729439A (fr) * | 1931-05-30 | 1932-07-23 | Appareil d'évaporation et de concentration des liquides et principalement des liquides fragiles | |
| US2505170A (en) * | 1947-10-28 | 1950-04-25 | Frank Pitterman | Steam generating apparatus |
| US2790428A (en) * | 1952-12-23 | 1957-04-30 | Buttler John Allen | Instantaneous steam generators |
| US3110797A (en) * | 1962-04-23 | 1963-11-12 | Vanne Ahti | Electric steam bath heater |
| US3410986A (en) * | 1965-03-15 | 1968-11-12 | David W. Groom | Electric steam generator |
| US3438803A (en) * | 1965-05-18 | 1969-04-15 | Anchor Hocking Glass Corp | Method and means for vapor coating |
| US4158092A (en) * | 1974-07-25 | 1979-06-12 | Hoechst Aktiengesellschaft | Process for the manufacture of vinyl chloride polymer dispersions with a low monomer content |
| GB1559978A (en) * | 1976-12-01 | 1980-01-30 | Gen Electric Co Ltd | Chemical vapour deposition processes |
| US4529427A (en) * | 1977-05-19 | 1985-07-16 | At&T Bell Laboratories | Method for making low-loss optical waveguides on an industrial scale |
| US4212663A (en) * | 1978-01-26 | 1980-07-15 | Corning Glass Works | Reactants delivery system for optical waveguide manufacturing |
| US4314837A (en) * | 1979-03-01 | 1982-02-09 | Corning Glass Works | Reactant delivery system method |
| NL8102105A (nl) * | 1981-04-29 | 1982-11-16 | Philips Nv | Inrichting en werkwijze voor het verzadigen van een gas met de damp van een vloeistof. |
| JPS58125633A (ja) * | 1982-01-18 | 1983-07-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ガラス微粒子製造におけるガス供給方法 |
| JPS61254242A (ja) * | 1985-05-01 | 1986-11-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 原料供給装置 |
| US5090985A (en) * | 1989-10-17 | 1992-02-25 | Libbey-Owens-Ford Co. | Method for preparing vaporized reactants for chemical vapor deposition |
| US5078092A (en) * | 1989-12-22 | 1992-01-07 | Corning Incorporated | Flash vaporizer system for use in manufacturing optical waveguide fiber |
| US5204314A (en) * | 1990-07-06 | 1993-04-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method for delivering an involatile reagent in vapor form to a CVD reactor |
| US5043002A (en) * | 1990-08-16 | 1991-08-27 | Corning Incorporated | Method of making fused silica by decomposing siloxanes |
| DE4218451A1 (de) * | 1992-06-04 | 1993-12-09 | Transferon Waeschereimasch | Verfahren zur Aufbereitung verunreinigter höhersiedender Lösemittel sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
| US5356451A (en) * | 1993-12-20 | 1994-10-18 | Corning Incorporated | Method and apparatus for vaporization of liquid reactants |
-
1994
- 1994-12-30 US US08/368,318 patent/US5632797A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
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- 1995-12-27 JP JP7351273A patent/JPH08239226A/ja active Pending
-
1997
- 1997-01-08 US US08/780,770 patent/US5938853A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001517597A (ja) * | 1997-09-24 | 2001-10-09 | コーニング インコーポレイテッド | 溶融ＳｉＯ２−ＴｉＯ２ガラスの製造法 |
| JP2014517801A (ja) * | 2011-04-28 | 2014-07-24 | コーニング インコーポレイテッド | 気化中のガラス前駆体材料のゲル化を低減させるための方法および装置 |
| JP2015500785A (ja) * | 2011-11-25 | 2015-01-08 | ヘレーウス クヴァルツグラース ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフトＨｅｒａｅｕｓ Ｑｕａｒｚｇｌａｓ ＧｍｂＨ ＆ Ｃｏ． ＫＧ | 気相からの堆積によって、かつ液状のシロキサン供給材料を霧化することによる合成石英ガラスの製造法 |
| JP2015505291A (ja) * | 2011-12-16 | 2015-02-19 | ヘレーウス クヴァルツグラース ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフトＨｅｒａｅｕｓ Ｑｕａｒｚｇｌａｓ ＧｍｂＨ ＆ Ｃｏ． ＫＧ | 合成石英ガラスの製造方法 |
| JP2016508478A (ja) * | 2013-02-12 | 2016-03-22 | ヘレウス クワルツグラス ゲーエムベーハー ウント コンパニー カーゲー | チタンドープ合成石英ガラスの製造方法 |
| JP2021143107A (ja) * | 2020-03-13 | 2021-09-24 | 信越化学工業株式会社 | 光ファイバ用多孔質ガラス母材の製造方法 |
| JP2022073751A (ja) * | 2020-11-02 | 2022-05-17 | 信越化学工業株式会社 | 多孔質ガラス母材の製造方法及び製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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