JPH0822907A - バリスタの製造方法 - Google Patents
バリスタの製造方法Info
- Publication number
- JPH0822907A JPH0822907A JP6153502A JP15350294A JPH0822907A JP H0822907 A JPH0822907 A JP H0822907A JP 6153502 A JP6153502 A JP 6153502A JP 15350294 A JP15350294 A JP 15350294A JP H0822907 A JPH0822907 A JP H0822907A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- varistor
- reaction accelerator
- varistor element
- heated
- manufacturing
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、バリスタの製造方法に関するもの
で、浸入水分によるバリスタ電圧の低下を防止すること
を目的とするものである。 【構成】 そしてこの目的を達成するために、本発明
は、焼成後のバリスタ素子１を未反応物質の反応促進剤
１３と接触させて加熱するものである。
で、浸入水分によるバリスタ電圧の低下を防止すること
を目的とするものである。 【構成】 そしてこの目的を達成するために、本発明
は、焼成後のバリスタ素子１を未反応物質の反応促進剤
１３と接触させて加熱するものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、バリスタの製造方法に
関するものである。
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、バリスタはそのバリスタ素子
を半導体化させるために、例えば１２００℃程度の高温
で焼成している。
を半導体化させるために、例えば１２００℃程度の高温
で焼成している。
【０００３】上記焼成により、バリスタ素子を構成する
各元素は、ほとんど全てが、焼結反応し定形のバリスタ
素子が、形成されることとなる。
各元素は、ほとんど全てが、焼結反応し定形のバリスタ
素子が、形成されることとなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記構成において、問
題となるのは、バリスタ素子に水分が浸入すると、バリ
スタ電圧が低下してしまうということであった。即ち、
上述したように、高温焼結によりバリスタ素子を構成す
る各元素は、ほとんど全てが焼結反応しているのではあ
るが、一部の未反応物質は、この浸入水分によりイオン
化し、その結果として上述のごとくバリスタ電圧を低下
させてしまうものであった。
題となるのは、バリスタ素子に水分が浸入すると、バリ
スタ電圧が低下してしまうということであった。即ち、
上述したように、高温焼結によりバリスタ素子を構成す
る各元素は、ほとんど全てが焼結反応しているのではあ
るが、一部の未反応物質は、この浸入水分によりイオン
化し、その結果として上述のごとくバリスタ電圧を低下
させてしまうものであった。
【０００５】そこで本発明は、浸入水分によるバリスタ
電圧の低下を防止することを目的とするものである。
電圧の低下を防止することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そしてこの目的を達成す
るために、本発明は、焼成後のバリスタ素子を未反応物
質の反応促進剤と接触させて加熱するものである。
るために、本発明は、焼成後のバリスタ素子を未反応物
質の反応促進剤と接触させて加熱するものである。
【０００７】
【作用】以上の方法によれば、未反応物質は、反応促進
剤と反応することにより、例え浸入水分があったとして
も、イオン化しなくなるので、バリスタ電圧の低下はお
きなくなるのである。
剤と反応することにより、例え浸入水分があったとして
も、イオン化しなくなるので、バリスタ電圧の低下はお
きなくなるのである。
【０００８】
【実施例】図１において、１はバリスタ素子で、その内
部にはＮｉ製の内部電極２が複数設けられている。これ
らの内部電極には、交互にバリスタ素子の両端に引き出
され、その両端において、外部電極３と電気的に接続さ
れている。外部電極３は、二層構造よりなり、内層３ａ
はＮｉ製、外層３ｂはＡｇ製となっている。
部にはＮｉ製の内部電極２が複数設けられている。これ
らの内部電極には、交互にバリスタ素子の両端に引き出
され、その両端において、外部電極３と電気的に接続さ
れている。外部電極３は、二層構造よりなり、内層３ａ
はＮｉ製、外層３ｂはＡｇ製となっている。
【０００９】また、内部電極２間、及びその外側に積層
されたセラミックシート１ａは、ＳｒＴｉＯ3を主成分
とし、副成分として、炭酸カルシウム、酸化チタン、五
酸化ニオブ、５酸化タンタル、炭酸マンガン、シリカ、
アルミナ、ケイ酸ナトリウムを含んでいる。
されたセラミックシート１ａは、ＳｒＴｉＯ3を主成分
とし、副成分として、炭酸カルシウム、酸化チタン、五
酸化ニオブ、５酸化タンタル、炭酸マンガン、シリカ、
アルミナ、ケイ酸ナトリウムを含んでいる。
【００１０】図２は、製造工程を示し、セラミックシー
ト１ａは図２において（４）で示すごとく原料の混合、
仮焼、粉砕、スラリー化、シート成形によりつくられ
る。次に、このセラミックシート１ａと、内部電極２と
を積層（５）し、それを切断（６）、脱バイ（７）、面
とり（８）する。
ト１ａは図２において（４）で示すごとく原料の混合、
仮焼、粉砕、スラリー化、シート成形によりつくられ
る。次に、このセラミックシート１ａと、内部電極２と
を積層（５）し、それを切断（６）、脱バイ（７）、面
とり（８）する。
【００１１】次に、外部電極３の内層３ａを塗布（９）
し、１２００℃〜１３００℃で還元焼成（１０）し、そ
の後外層３ｂを塗布（１１）し、８００℃〜８５０℃で
再酸化のための加熱（１２）をする。次に、図１に示す
バリスタ素子を、図３に示すごとく反応促進剤１３中に
埋没させ、この状態で７００℃〜８５０℃で１５〜３０
分間、加熱する（図２の１４）。なお、図３において１
５は白色系のアルミナ板、１６はアルミナ製の受皿であ
る。
し、１２００℃〜１３００℃で還元焼成（１０）し、そ
の後外層３ｂを塗布（１１）し、８００℃〜８５０℃で
再酸化のための加熱（１２）をする。次に、図１に示す
バリスタ素子を、図３に示すごとく反応促進剤１３中に
埋没させ、この状態で７００℃〜８５０℃で１５〜３０
分間、加熱する（図２の１４）。なお、図３において１
５は白色系のアルミナ板、１６はアルミナ製の受皿であ
る。
【００１２】さて、この加熱によりバリスタ素子１に残
っていた未反応物質は、反応促進剤１３として用いたＳ
ｉＯ2と反応し、その結果として浸入水分があったとし
てもイオン化しにくい物質となり、これにより浸入水分
によるバリスタ電圧の低下が防止できるものである。も
ちろん、この反応により生じた物質は、バリスタの他の
特性への悪影響は生じず、バリスタとして極めて特性の
優れたものが得られる。ここで、重要なことは、図３に
示すごとく個々のバリスタ素子１を、全て反応促進剤１
３中に埋没させておくことである。そのために、まずア
ルミナ板１５上に所定の厚さで反応促進剤１３をしきつ
め、その上にバリスタ素子１を隣接するものと接触しな
いように並べ、その状態で反応促進剤１３を充分に覆い
かぶせる。この状態で加熱を行った後に、バリスタ素子
１表面と、外部電極３表面の反応促進剤１３を取り除
く。この除去は、例えば容器内にＳｉＣの玉石と純水と
バリスタ素子１とを入れて撹拌したり、エアーガンで複
数のバリスタ素子を容器内で揺動させたりして行う。そ
の後、外部電極３表面にＮｉメッキ、その上に半田メッ
キ（図２の１７）する。図４は他の実施例を示し、この
実施例においては加熱（１２）後のバリスタ素子１に、
（（Ｃ2Ｈ5Ｏ）4Ｓｉを含浸させ、それを７００℃〜８
５０℃で加熱して未反応物質の反応を行わせるものであ
る。
っていた未反応物質は、反応促進剤１３として用いたＳ
ｉＯ2と反応し、その結果として浸入水分があったとし
てもイオン化しにくい物質となり、これにより浸入水分
によるバリスタ電圧の低下が防止できるものである。も
ちろん、この反応により生じた物質は、バリスタの他の
特性への悪影響は生じず、バリスタとして極めて特性の
優れたものが得られる。ここで、重要なことは、図３に
示すごとく個々のバリスタ素子１を、全て反応促進剤１
３中に埋没させておくことである。そのために、まずア
ルミナ板１５上に所定の厚さで反応促進剤１３をしきつ
め、その上にバリスタ素子１を隣接するものと接触しな
いように並べ、その状態で反応促進剤１３を充分に覆い
かぶせる。この状態で加熱を行った後に、バリスタ素子
１表面と、外部電極３表面の反応促進剤１３を取り除
く。この除去は、例えば容器内にＳｉＣの玉石と純水と
バリスタ素子１とを入れて撹拌したり、エアーガンで複
数のバリスタ素子を容器内で揺動させたりして行う。そ
の後、外部電極３表面にＮｉメッキ、その上に半田メッ
キ（図２の１７）する。図４は他の実施例を示し、この
実施例においては加熱（１２）後のバリスタ素子１に、
（（Ｃ2Ｈ5Ｏ）4Ｓｉを含浸させ、それを７００℃〜８
５０℃で加熱して未反応物質の反応を行わせるものであ
る。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明は、焼成後のバリス
タ素子を未反応物質の反応促進剤と接触させて加熱する
ものであり、以上の方法によれば、未反応物質は、反応
促進剤と反応することにより、例え浸入水分があったと
しても、イオン化しなくなるので、バリスタ電圧の低下
はおきなくなるのである。
タ素子を未反応物質の反応促進剤と接触させて加熱する
ものであり、以上の方法によれば、未反応物質は、反応
促進剤と反応することにより、例え浸入水分があったと
しても、イオン化しなくなるので、バリスタ電圧の低下
はおきなくなるのである。
【図１】本発明の一実施例のバリスタ素子を示す断面図
【図２】その製造工程を示す図
【図３】その製造工程を示す断面図
【図４】本発明の他の実施例の製造工程を示す断面図
１ バリスタ素子 ２ 内部電極 ３ 外部電極
Claims (7)
- 【請求項１】 バリスタ素子を半導体化させるために焼
成し、この焼成後にバリスタ素子を、未反応物質の反応
促進剤と接触させて加熱するバリスタの製造方法。 - 【請求項２】 焼成後のバリスタ素子を反応促進剤中に
埋没させて加熱する請求項１に記載のバリスタの製造方
法。 - 【請求項３】 反応促進剤として、ＳｉＯ2を用いた請
求項２に記載のバリスタの製造方法。 - 【請求項４】 焼成後のバリスタ素子に、反応促進剤を
含浸させて加熱する請求項１に記載のバリスタの製造方
法。 - 【請求項５】 反応促進剤として、Ｓｉを含有する液体
を用いた請求項４に記載のバリスタの製造方法。 - 【請求項６】 液体として、（Ｃ2Ｈ5Ｏ）4Ｓｉを用い
た請求項５に記載のバリスタの製造方法。 - 【請求項７】 半導体化のためのバリスタ素子の焼成後
に、酸化のための加熱を行い、この加熱後にバリスタ素
子を未反応物質の反応促進剤と接触させて加熱する請求
項１に記載のバリスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6153502A JPH0822907A (ja) | 1994-07-05 | 1994-07-05 | バリスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6153502A JPH0822907A (ja) | 1994-07-05 | 1994-07-05 | バリスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0822907A true JPH0822907A (ja) | 1996-01-23 |
Family
ID=15563966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6153502A Pending JPH0822907A (ja) | 1994-07-05 | 1994-07-05 | バリスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0822907A (ja) |
-
1994
- 1994-07-05 JP JP6153502A patent/JPH0822907A/ja active Pending
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