JP2006351639A

JP2006351639A - 積層型電子部品及び積層セラミックコンデンサ

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Publication number: JP2006351639A
Application number: JP2005172881A
Authority: JP
Inventors: Akinori Iwasaki; 彰則岩▲崎▼; Hiroshi Okuyama; 博奥山; Kotoku Wada; 洪徳和田
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2005-06-13
Filing date: 2005-06-13
Publication date: 2006-12-28
Anticipated expiration: 2025-06-13
Also published as: JP4293615B2

Abstract

【課題】焼成ムラが抑制された積層型電子部品及び積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
【解決手段】
積層セラミックコンデンサＣ１は、内層部１０と、当該内層部１０を挟むように配置される一対の外層部２０とを備えている。内層部１０では、複数の第１のセラミック層１２と、複数の内部回路要素導体１４とが交互に積層されている。内部回路要素導体１４及び第２のセラミック層２２は、Niを含んでいる。このNiが焼結助剤として機能することにより、第１のセラミック層１２及び第２のセラミック層２２の双方で、焼結温度が低くなる。その結果、内層部１０と外層部２０との間で焼結温度の差が小さくなるため、焼成ムラを抑制することが可能となる。
【選択図】図１

Description

本発明は、積層型電子部品及び積層セラミックコンデンサに関する。

この種の積層型電子部品として、複数の内部回路要素導体及びセラミック層が積層された積層体を備えるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載された積層型電子部品（積層セラミックコンデンサ）は、内部回路要素導体（内部電極）とセラミック層とが交互に積層された内層部と、セラミック層が積層された外層部とを備える。
特開平９−１２９４８６号公報

本発明は、焼成ムラが抑制された積層型電子部品及び積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。

本発明者等は、焼成ムラを抑制し得る積層型電子部品について鋭意検討を行った結果、以下のような事実を新たに見出した。

特許文献１には、内層部と外層部とを備える積層型電子部品が記載されている。本発明者等は、このような積層型電子部品を焼成すると、内層部が外層部よりも低温で焼結し、その結果積層型電子部品に焼成ムラが生じてしまうことを見出した。

上述した焼成ムラは、内層部に合わせた温度で焼成を行っても、あるいは外層部に合わせた温度で焼成を行っても起こる。すなわち、内層部に合わせた温度で焼成を行うと、外層部が十分に焼結されない。一方、外層部に合わせた温度で焼成を行うと、内層部が過度に焼成されてしまう。内層部が過度に焼成されてしまうと、内層部のセラミック層には半導体化の問題が生じ、内部回路要素導体には球状化による被覆率の低下の問題が生じる。

本発明者等は、内層部が外層部よりも低温で焼結することについて検討したところ、内部回路要素導体に含まれる金属が、内部回路要素導体と交互に積層されるセラミック層に対して、焼成時に焼結助剤として機能してしまうのではないかとの考察を得た。近年、電子機器の小型化に伴い、電子機器内に実装される積層型電子部品の薄層化が求められている。したがって、この考察によると、薄層化により内層部での各セラミック層に与える内部回路要素導体の影響が大きくなり、焼成ムラの問題がより顕著になると考えられる。

このような検討結果を踏まえ、本発明に係る積層型電子部品は、複数の第１のセラミック層と複数の内部回路要素導体とが交互に積層された内層部と、内層部を挟むように複数の第２のセラミック層がそれぞれ積層された一対の外層部と、を備え、内部回路要素導体及び第２のセラミック層が、Niを含むことを特徴とする。

内部回路要素導体に含まれるNiは、内層部において第１のセラミック層に対する焼結助剤として機能し、第１のセラミック層の焼結温度を実質的に低下させる。第２のセラミック層に含まれるNiもまた、第２のセラミック層において焼結助剤として機能し、第２のセラミック層の焼結温度を低下させる。これにより、内層部及び外層部の双方において焼結温度が低下することとなるため、内層部と外層部との間における焼結温度の差が小さくなる。したがって、内層部の焼結温度に合わせて焼成を行った場合に、内層部及び外層部を共に焼結させることができる。その結果、焼成ムラを抑制することが可能となる。また、内層部と外層部との焼結温度の差が小さくなることによって、内層部と外層部との間の縮率差が小さくなる。その結果、クラックの発生も抑制される。

また、Niを含む第２のセラミック層は、Ni粉末を含むセラミックグリーンシートを焼成することにより形成されており、当該Ni粉末は、セラミック材料によって被覆されていることが好ましい。セラミックグリーンシートは、セラミック材料を含むペーストをシート状にして乾燥させることにより作製される。セラミック材料を含むペーストは、セラミック材料、樹脂バインダ、及び有機溶剤等を混合してスラリー化したものである。ここで、セラミック材料にNiを単体のまま混合すると、セラミック材料とNiとの比重が異なるため、Niがペースト中に均一に分散されないことがある。本発明のようにセラミック材料で被覆されたNi粉末であれば、混合した際になじみがよくなるため、Ni粉末の分散性が良好なペーストを得ることができる。このようなペーストを用いることによって、Ni粉末が均一に分散されたセラミックグリーンシートを得ることができる。このセラミックグリーンシートを第２のセラミック層に用いるので、外層部内での焼成ムラが生じにくくなる。

また、Ni粉末を被覆するセラミック材料は、第１のセラミック層に含まれるセラミック材料と同一であることが好ましい。この場合、第２のセラミック層を形成するセラミックグリーンシートは、焼結助剤として機能するNi粉末の影響で、このNi粉末を覆うセラミック材料の部分から徐々に焼成されていく。したがって、第２のセラミック層と第１のセラミック層とは、ほぼ同じ温度で焼成し始めることとなる。その結果、第２のセラミック層と第１のセラミック層との間における焼結温度の差は小さくなり、焼成ムラを確実に抑制することが可能となる。

また、第１のセラミック層はガラス成分を含んでおり、Niを含む第２のセラミック層は、Ni粉末を含むセラミックグリーンシートを焼成することにより形成されており、当該Ni粉末は、第１のセラミック層に含まれるガラス成分と比べて同等以下の融点を有するガラス成分によって被覆されていることが好ましい。セラミック層にガラス成分を含ませることにより、セラミック層の焼結温度を低くすることが可能となる。第２のセラミック層となるセラミックグリーンシートでは、焼結助剤として機能するNi粉末の影響で、ガラス成分の融点が実質的に低くなる。ガラス成分の融点の低下に伴って、このセラミックグリーンシートの焼結温度、すなわち第２のセラミック層の焼結温度も低下することとなる。一方、内部回路要素導体と交互に積層されている第１のセラミック層では、内部回路要素導体に含まれるNiとガラス成分との影響を受けて、焼結温度が低下する。これにより、内層部及び外層部の双方において焼結温度が低下することとなる。その結果、内層部と外層部との間で焼結温度の差が小さくなる。したがって、内層部の焼結温度に合わせて焼成を行っても、外層部を十分に焼結させることができるので、焼成ムラを確実に抑制することができる。

また、第１のセラミック層は、ガラス成分としてBa-Ca-Si-O系ガラスを含んでおり、Ni粉末は、ガラス成分としてBa-Ca-Si-O系ガラスにより被覆されることが好ましい。この場合、第１のセラミック層では、内部回路要素導体に含まれるNiとBa-Ca-Si-O系ガラスとの影響で、焼結温度が低くなる。第２のセラミック層となるセラミックグリーンシートでは、Ni粉末の影響で、このNi粉末を覆うBa-Ca-Si-O系ガラスの融点が実質的に低くなる。Ba-Ca-Si-O系ガラスの融点が低下するため、セラミックグリーンシートの焼結温度、すなわち第２のセラミック層の焼結温度が十分に低下する。よって、第２のセラミック層と第１のセラミック層との焼結温度の差が小さくなり、外層部と内層部との間、及び内層部内における焼成ムラを確実に抑制することが可能となる。

また、第１のセラミック層は、ガラス成分としてBa-Ca-Si-O系ガラスを含んでおり、Ni粉末は、ガラス成分としてBa-Ca-B-Si-O系ガラスにより被覆されることが好ましい。この場合、第１のセラミック層では、内部回路要素導体に含まれるNiとBa-Ca-Si-O系ガラスとの影響で、焼結温度が低くなる。第２のセラミック層となるセラミックグリーンシートでは、Ni粉末の影響で、このNi粉末を覆うBa-Ca-B-Si-O系ガラスの融点が実質的に低くなる。そのため、セラミックグリーンシートの焼結温度、すなわち第２のセラミック層の焼結温度が十分に低下する。Ba-Ca-Si-O系ガラスよりも融点が低いBa-Ca-B-Si-O系ガラスでNi粉末を覆うことにより、Ni粉末が少量であっても、第２のセラミック層の焼結温度を十分に下げることができる。これにより、第２のセラミック層と第１のセラミック層との焼結温度の差を小さくすることができ、焼成ムラをより確実に抑制することが可能となる。

また、内部回路要素導体の厚みが１．５μｍ以下であるとともに、第１のセラミック層の厚みが、内部回路要素導体の厚みの１．５倍以下であることが好ましい。この場合、小型化、薄層化の要求を満たすとともに、外層部の過度な焼成を抑制することができる。

また、本発明に係る積層セラミックコンデンサは、複数の第１のセラミック層と複数の内部電極とが交互に積層された内層部と、内層部を挟むように複数の第２のセラミック層がそれぞれ積層された一対の外層部と、を備え、内部電極及び第２のセラミック層が、Ni粉末を含むことを特徴とする。

この積層セラミックコンデンサでは、外層部と内層部との間で焼結温度の差を小さくでき、焼成ムラを抑制することが可能となる。

本発明によれば、焼成ムラが抑制された積層型電子部品及び積層セラミックコンデンサを提供することができる。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

まず、図１及び図２に基づいて、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサＣ１の構成を説明する。図１は本実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。図２は、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサの分解斜視図である。

積層セラミックコンデンサＣ１は、図１に示されるように、内層部１０と、この内層部１０を挟んで位置する一対の外層部２０とを備えている。本実施形態に係る積層セラミックコンデンサＣ１は、長手方向の長さが１．０ｍｍに設定され、幅が０．５ｍｍに設定され、高さが０．５ｍｍに設定された、いわゆる１００５タイプの積層セラミックコンデンサである。積層セラミックコンデンサＣ１の外表面には、端子電極３０が形成されている。

内層部１０は、複数（本実施形態では１３層）の第１のセラミック層１２と、複数（本実施形態では１２層）の内部回路要素導体１４とを有している。第１のセラミック層１２と内部回路要素導体１４とは、交互に積層されている。内部回路要素導体１４は、主成分としてNiを含んでおり、内部電極として機能する。内部回路要素導体１４の厚さは、１．５μｍ以下である。これに対して、第１のセラミック層１２は、セラミック材料としてBaTiO₃を含んでいる。第１のセラミック層１２の厚みは、内部回路要素導体１４の厚さの１．５倍以下となっている。

外層部２０は、第２のセラミック層２２が複数（本実施形態では５層）積層されることにより構成されている。第２のセラミック層２２は、セラミック材料としてBaTiO₃を含んでいる。また、第２のセラミック層２２はNiも含んでいる。

続いて、このような積層セラミックコンデンサＣ１の製造方法について説明する。

まず、第１のセラミック層１２となる第１のセラミックグリーンシートを準備する。より具体的には、BaTiO₃粉末、有機バインダ、及び有機溶剤を混合してスラリー化し、第１の誘電体ペーストを得る。この第１の誘電体ペーストを、ドクターブレード等の公知の方法によりシート状にし、第１のセラミックグリーンシートを得る。

得られた第１のセラミックグリーンシート上に、内部回路要素導体１４となる電極ペーストを塗布して乾燥させる。この電極ペーストは、Ni粉末を有機バインダ及び有機溶剤に分散させてペースト状にしたものである。

次に、第２のセラミック層２２となる第２のセラミックグリーンシートを準備する。より具体的には、BaTiO₃粉末、有機バインダ、有機溶剤、及びNi粉末を混合してスラリー化し、第２の誘電体ペーストを得る。混合されるNi粉末は、BaTiO₃で被覆されたNi粉末である。BaTiO₃で被覆することにより、Ni粉末はBaTiO₃粉末とのなじみがよくなり、誘電体ペースト中において十分に分散される。このようにして得られた第２の誘電体ペーストを、ドクターブレード等の公知の方法によりシート状にし、第２のセラミックグリーンシートを得る。

続いて、得られた第２のセラミックグリーンシートを５枚積層する。積層した第２のセラミックグリーンシート上に、電極ペーストが塗布された第１のセラミックグリーンシートを１２枚積層し、この第１のセラミックグリーンシート上に何も塗布されていない第１のセラミックグリーンシートを１枚積層する。更に、その上に第２のセラミックグリーンシートを５枚積層して、積層方向から押圧し、第１のセラミックグリーンシート、第２のセラミックグリーンシート、及び電極ペーストを互いに圧着させる。このようにして、第１のセラミックグリーンシート、第２のセラミックグリーンシート、及び電極ペーストが積層されたシート積層体が作製される。

次に、作製されたシート積層体を切断してチップ化する。その後、チップ化した積層体２６を焼成して、積層体を得る。焼成により、第１のセラミックグリーンシート及び電極ペーストはそれぞれ、第１のセラミック層１２及び内部回路要素導体１４となる。第２のセラミックグリーンシートは、Ni粉末を覆うBaTiO₃の部分から徐々に焼成されていき、Niを含む第２のセラミック層２２となる。得られた積層体の外表面に、公知の方法で端子電極３０を形成する。このようにして、第１のセラミック層１２と内部回路要素導体１４とが交互に積層された内層部１０と、この内層部１０を挟むように第２のセラミック層２２がそれぞれ積層された一対の外層部２０と、を備える積層セラミックコンデンサＣ１が作製される。

以上のように、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサＣ１では、内層部１０を備えており、内層部１０において第１のセラミック層１２と内部回路要素導体１４とが交互に積層されている。内部回路要素導体１４に含まれるNiは焼結助剤として機能し、第１のセラミック層１２の焼結温度を実質的に低下させる。また、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサＣ１は外層部２０を備えており、この外層部２０が有する第２のセラミック層２２はNiを含んでいる。第２のセラミック層２２に含まれるNiもまた焼結助剤として機能し、第２のセラミック層２２の焼結温度を低下させる。これにより、第１のセラミック層１２及び第２のセラミック層２２の双方で、焼結温度が低下することとなる。その結果、第１のセラミック層１２を有する内層部１０と、第２のセラミック層２２を有する外層部２０とにおける焼結温度の差は小さくなる。内層部１０と外層部２０とにおける焼結温度の差が小さくなるため、外層部２０に合わせた温度で積層セラミックコンデンサＣ１を焼成した場合であっても、内層部１０が過度に焼成されるといったことがなくなる。その結果、積層セラミックコンデンサＣ１に焼成ムラが生じにくくなり、外層部２０と内層部１０とが十分に焼結された、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを得ることができる。また、内層部１０の過度な焼成により生じていた、第１のセラミック層１２の半導体化や、内部回路要素導体１４の球状化が抑制される。更に、内層部１０の焼結温度と外層部２０の焼結温度との差が小さくなることにより、内層部１０の縮率と外層部２０の縮率との差も小さくなるので、クラックの発生が抑制される。

本実施形態に係る積層セラミックコンデンサＣ１では、第２のセラミックグリーンシートが、BaTiO₃で被覆されたNi粉末を含んでいる。BaTiO₃で被覆されたNi粉末は、第２のセラミックグリーンシートの主成分であるBaTiO₃粉末とのなじみがよいため、誘電体ペースト中において十分に分散される。その結果、Ni粉末の分散性が良好な誘電体ペーストを得ることができる。このような誘電体ペーストを用いることによって、Ni粉末が均一に分散された第２のセラミックグリーンシートを得ることができる。Ni粉末が均一に分散された第２のセラミックグリーンシートを有する第２のセラミック層では、焼成ムラが生じにくくなる。したがって、外層部内での焼成ムラが抑制される。

また、第２のセラミックグリーンシートは、Ni粉末が焼結助剤として機能することにより、このNi粉末を覆うBaTiO₃の部分から徐々に焼成される。第１のセラミックグリーンシートもまたBaTiO₃を含んでおり、内部回路要素導体１４のNiの影響を受けながら焼成される。すなわち、第２のセラミックグリーンシートと第１のセラミックグリーンシートとは、ほぼ同じ温度で焼成し始めることとなる。したがって、第２のセラミック層２２と第１のセラミック層１２との間における焼結温度の差が小さくなるため、焼成ムラを抑制することが可能となる。

本実施形態に係る積層セラミックコンデンサＣ１では、内部回路要素導体１４の厚さは１．５μｍ以下である。そのため、積層セラミックコンデンサＣ１の薄層化が可能であり、小型化、さらには多層化も可能となる。また、第１のセラミック層１２の厚さは内部回路要素導体１４の厚さの１．５倍以下である。ここで、例えば、第１のセラミック層１２の厚さを内部回路要素導体１４の厚さの１．５倍よりも大きくした場合を考える。この場合、第１のセラミック層１２と内部回路要素導体１４との間の距離が大きくなるため、第１のセラミック層１２に対する内部回路要素導体１４の影響は小さくなる。その結果、第１のセラミック層１２の焼結温度の実質的な低下が起こらず、第２のセラミック層２２の焼結温度のみ低下することとなる。第２のセラミック層２２の焼結温度のみが低下すると、積層セラミックコンデンサＣ１を焼成した際、外層部２０のみが焼けすぎてしまうおそれがある。本実施形態に係る積層セラミックコンデンサＣ１では、第１のセラミック層１２の厚さを内部回路要素導体１４の厚さの１．５倍以下とすることによって、外層部２０の焼けすぎを抑制している。

以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、本発明を積層セラミックコンデンサに適用した例を示しているが、これに限らず、例えばインダクタ、バリスタ、サーミスタ等の積層型電子部品にも適用可能である。

また、上述した積層セラミックコンデンサＣ１では、第２のセラミック層２２となる第２のセラミックグリーンシートは、BaTiO₃で被覆されたNi粉末を含むとしたが、Ni粉末はBaTiO₃で被覆されていなくてもよい。ただし、BaTiO₃で被覆されていないNi粉末を用いた場合には、積層セラミックコンデンサを作成する際に、セラミック材料とNi粉末との比重が異なるため、誘電体ペースト中にNi粉末が均一に分散されない可能性がある。したがって、上述したように、BaTiO₃で被覆されたNi粉末を用いることが望ましい。

また、上述した積層セラミックコンデンサＣ１では、第２のセラミック層２２となる第２のセラミックグリーンシートは、BaTiO₃で被覆されたNi粉末を含むとした。これを、第２のセラミックグリーンシートは、ガラス成分で被覆されたNi粉末を含むとしてもよい。このとき、第１のセラミック層１２となる第１のセラミックグリーンシートもガラス成分を含むとする。また、第２のセラミックグリーンシートにてNi粉を被覆するガラス成分は、第１のセラミックグリーンシートに含まれるガラス成分と比べて、同等以下の融点を有することとする。

セラミックグリーンシートにガラス成分を含ませることにより、このセラミックグリーンシートを有するセラミック層の焼結温度を低くすることができる。第２のセラミックグリーンシートでは、焼結助剤として機能するNi粉末の影響で、Ni粉末を覆っているガラス成分の融点が実質的に低くなる。ガラス成分の融点の低下に伴って、第２のセラミックグリーンシートの焼結温度、すなわち第２のセラミック層２２の焼結温度は、セラミックグリーンシートにガラス成分のみを含ませた場合と比べて、いっそう低下することとなる。一方、第１のセラミック層１２では、内部回路要素導体１４に含まれるNiの影響で低下した焼結温度が、ガラス成分を含ませることによって更に低下する。このように、第１のセラミック層１２及び第２のセラミック層２２の双方において、焼結温度が低下することとなる。その結果、内層部と外層部との間で焼結温度の差が小さくなるため、焼成ムラを抑制することが可能となる。

より具体的には、第２のセラミックグリーンシートのNi粉末はBa-Ca-Si-O系ガラスで被覆されており、第１のセラミックグリーンシートはBa-Ca-Si-O系ガラスを含んでいることが好ましい。第１のセラミックグリーンシートでは、Ba-Ca-Si-O系ガラス及び内部回路要素導体１４に含まれるNiの影響で、焼結温度が低くなる。第２のセラミックグリーンシートでは、Ni粉末の影響で、このNi粉末を覆うBa-Ca-Si-O系ガラスの融点が実質的に低くなる。そのため、セラミックグリーンシートにBa-Ca-Si-O系ガラスで被覆したNi粉末を含ませた場合には、セラミックグリーンシートにBa-Ca-Si-O系ガラスのみを含ませた場合と比べて、第２のセラミックグリーンシートの焼結温度、すなわち第２のセラミック層の焼結温度が低下する。よって、第２のセラミック層と第１のセラミック層との焼結温度の差を確実に小さくすることができる。

また、第２のセラミックグリーンシートのNi粉末はBa-Ca-Si-O系ガラスで被覆されており、第１のセラミックグリーンシートはBa-Ca-B-Si-O系ガラスを含んでいる、としてもよい。第１のセラミックグリーンシートでは、Ba-Ca-Si-O系ガラス及び内部回路要素導体１４に含まれるNiの影響で、焼結温度が低くなる。第２のセラミックグリーンシートでは、Ni粉末の影響で、このNi粉末を覆うBa-Ca-B-Si-O系ガラスの融点が実質的に低くなる。そのため、セラミックグリーンシートの焼結温度、すなわち第２のセラミック層の焼結温度が低下する。Ni粉末を、Ba-Ca-Si-O系ガラスよりも融点が低いBa-Ca-B-Si-O系ガラスで覆うことにより、Ni粉末が少量であっても、第２のセラミック層の焼結温度を十分に下げることができる。これにより、第２のセラミック層と第１のセラミック層との焼結温度の差を確実に小さくすることができる。

また、上述した積層セラミックコンデンサＣ１では、内部回路要素導体１４の厚みを１．５μｍ以下としたが、１．５μｍを超えていてもよい。第１のセラミック層１２の厚さを内部回路要素導体１４の厚さの１．５倍以下としたが、１．５倍を超えていてもよい。

実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。実施形態に係る積層セラミックコンデンサの分解斜視図である。

符号の説明

Ｃ１…積層セラミックコンデンサ、１０…内層部、１２…第１のセラミック層、１４…内部回路要素導体、２０…外層部、２２…第２のセラミック層、３０…端子電極。

Claims

複数の第１のセラミック層と複数の内部回路要素導体とが交互に積層された内層部と、
前記内層部を挟むように複数の第２のセラミック層がそれぞれ積層された一対の外層部と、を備え、
前記内部回路要素導体及び前記第２のセラミック層が、Niを含むことを特徴とする積層型電子部品。
Niを含む前記第２のセラミック層は、Ni粉末を含むセラミックグリーンシートを焼成することにより形成されており、当該Ni粉末は、セラミック材料によって被覆されていることを特徴とする請求項１に記載の積層型電子部品。
前記Ni粉末を被覆する前記セラミック材料は、前記第１のセラミック層に含まれるセラミック材料と同一であることを特徴とする請求項２に記載の積層型電子部品。
前記第１のセラミック層はガラス成分を含んでおり、
Niを含む前記第２のセラミック層は、Ni粉末を含むセラミックグリーンシートを焼成することにより形成されており、当該Ni粉末は、前記第１のセラミック層に含まれるガラス成分と比べて同等以下の融点を有するガラス成分によって被覆されていることを特徴とする請求項１に記載の積層型電子部品。
前記第１のセラミック層は、前記ガラス成分としてBa-Ca-Si-O系ガラスを含んでおり、
前記Ni粉末は、前記ガラス成分としてBa-Ca-Si-O系ガラスにより被覆されることを特徴とする請求項４に記載の積層型電子部品。
前記第１のセラミック層は、前記ガラス成分としてBa-Ca-Si-O系ガラスを含んでおり、
前記Ni粉末は、前記ガラス成分としてBa-Ca-B-Si-O系ガラスにより被覆されることを特徴とする請求項４に記載の積層型電子部品。
前記内部回路要素導体の厚みが１．５μｍ以下であるとともに、
前記第１のセラミック層の厚みが、前記内部回路要素導体の厚みの１．５倍以下であることを特徴とする請求項１〜６の何れか一項に記載の積層型電子部品。
複数の第１のセラミック層と複数の内部電極とが交互に積層された内層部と、
前記内層部を挟むように複数の第２のセラミック層がそれぞれ積層された一対の外層部と、を備え、
前記内部電極及び前記第２のセラミック層が、Niを含むことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。