JPH08225369A - 誘電体磁器及び誘電体共振器 - Google Patents
誘電体磁器及び誘電体共振器Info
- Publication number
- JPH08225369A JPH08225369A JP7294613A JP29461395A JPH08225369A JP H08225369 A JPH08225369 A JP H08225369A JP 7294613 A JP7294613 A JP 7294613A JP 29461395 A JP29461395 A JP 29461395A JP H08225369 A JPH08225369 A JP H08225369A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- dielectric
- component selected
- component
- phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 51
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 69
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 54
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 17
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims description 15
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 10
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 25
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 18
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 9
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 7
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 6
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 6
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 6
- 101100513612 Microdochium nivale MnCO gene Proteins 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(II) oxide Inorganic materials [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- -1 W O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000007580 dry-mixing Methods 0.000 description 1
- 239000008240 homogeneous mixture Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000010802 sludge Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
- C04B35/49—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
- H01B3/12—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances ceramics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1236—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on zirconium oxides or zirconates
- H01G4/1245—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on zirconium oxides or zirconates containing also titanates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ZrTiO4系及びZrO2-SnO2-TiO2系磁器の焼成時の
熱履歴による共振周波数の温度係数の変動を低減し、無
負荷Q値が高く比誘電率が大きく、共振周波数の温度係
数を広範囲で任意に調整できる誘電体磁器と誘電体共振
器を提供する。 【解決手段】誘電体磁器2,5の組成式をxZrO2-yTiO2−zA
(1+u)/3B(2-u)/3O2で表わしたとき、Aは{Mg,Co,Zn,Ni,M
n}からなる群から選ばれた一種の成分であり、且つBは
{Nb,Ta}からなる群から選ばれた一種の成分であり、且
つx,y,z,u(ただし、x,y,zはモル分率、uは0≦u≦1.90
の範囲の数値を示す)がx+y+z=1.0, 0.10≦x≦0.60, 0.
20≦y≦0.60, 0.01≦z≦0.70の関係を有する主成分に、
副成分として{Ba,Sr,Ca,Cu,Bi,W}からなる群(C)から選
ばれた一種の成分を、全体重量に対しで0.005〜7.000w
t.%含む。この円筒同軸誘電体共振器は一方の開放端3の
方向から電磁波が入射し、TEMモードを利用して電極1,4
から必要な出力を得る。
熱履歴による共振周波数の温度係数の変動を低減し、無
負荷Q値が高く比誘電率が大きく、共振周波数の温度係
数を広範囲で任意に調整できる誘電体磁器と誘電体共振
器を提供する。 【解決手段】誘電体磁器2,5の組成式をxZrO2-yTiO2−zA
(1+u)/3B(2-u)/3O2で表わしたとき、Aは{Mg,Co,Zn,Ni,M
n}からなる群から選ばれた一種の成分であり、且つBは
{Nb,Ta}からなる群から選ばれた一種の成分であり、且
つx,y,z,u(ただし、x,y,zはモル分率、uは0≦u≦1.90
の範囲の数値を示す)がx+y+z=1.0, 0.10≦x≦0.60, 0.
20≦y≦0.60, 0.01≦z≦0.70の関係を有する主成分に、
副成分として{Ba,Sr,Ca,Cu,Bi,W}からなる群(C)から選
ばれた一種の成分を、全体重量に対しで0.005〜7.000w
t.%含む。この円筒同軸誘電体共振器は一方の開放端3の
方向から電磁波が入射し、TEMモードを利用して電極1,4
から必要な出力を得る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は特に例えばマイクロ
波、ミリ波帯などの高周波領域において使用される誘電
体磁器及び誘電体共振器に関する。
波、ミリ波帯などの高周波領域において使用される誘電
体磁器及び誘電体共振器に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、波長が数cm以下のマイクロ波や
ミリ波(以下これらをマイクロ波と総称する)領域にお
いて、誘電体共振器及びフィルター等に誘電体磁器が多
く使用されている。このような用途で使用される誘電体
材料は、無負荷Q(Qu)値が高く比誘電率(εr)が
大きくかつ共振周波数の温度係数(τf)を任意に変化
させ得るということが要求される。ここでQ値とは、誘
導損失tan δの逆数をいう。
ミリ波(以下これらをマイクロ波と総称する)領域にお
いて、誘電体共振器及びフィルター等に誘電体磁器が多
く使用されている。このような用途で使用される誘電体
材料は、無負荷Q(Qu)値が高く比誘電率(εr)が
大きくかつ共振周波数の温度係数(τf)を任意に変化
させ得るということが要求される。ここでQ値とは、誘
導損失tan δの逆数をいう。
【0003】従来より、このような用途に適する材料と
して種々のものが報告されており、ZrTiO4系磁器
もその一つである。また、ZrO2−SnO2−TiO2
系磁器もその一つであり、例えば特開昭62−1327
69号公報で提案されているZrO2−SnO2−TiO
2−MgO磁器、及び特開平2−192460号公報で
提案されているZrO2−SnO2−TiO2−CoO−
Nb2O5磁器等が知られている。
して種々のものが報告されており、ZrTiO4系磁器
もその一つである。また、ZrO2−SnO2−TiO2
系磁器もその一つであり、例えば特開昭62−1327
69号公報で提案されているZrO2−SnO2−TiO
2−MgO磁器、及び特開平2−192460号公報で
提案されているZrO2−SnO2−TiO2−CoO−
Nb2O5磁器等が知られている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来のZrTiO4磁器は、比誘電率は45と大きいもの
の共振周波数の温度係数が54ppm/℃とプラス側に大き
く、また、焼成時の熱履歴による共振周波数の温度係数
の変動が激しい。ZrO2−SnO2−TiO2系磁器で
は、共振周波数の温度係数は0ppm/℃付近の小さな値が
達成されているものの、熱履歴による共振周波数の温度
係数の変動については問題がある。また、従来の材料で
は比誘電率が小さかったり、無負荷Q値が低かったり、
共振周波数の温度係数を任意に変化させられない等種々
の問題がある。さらに、誘電体磁器表面に電極を形成し
た同軸型共振器、平面型フィルター等への応用を考えた
場合、電極層と誘電体磁器との接着強度が低いと、共振
周波数が容易にずれたり、無負荷Q値が低くなる等の問
題がある。
来のZrTiO4磁器は、比誘電率は45と大きいもの
の共振周波数の温度係数が54ppm/℃とプラス側に大き
く、また、焼成時の熱履歴による共振周波数の温度係数
の変動が激しい。ZrO2−SnO2−TiO2系磁器で
は、共振周波数の温度係数は0ppm/℃付近の小さな値が
達成されているものの、熱履歴による共振周波数の温度
係数の変動については問題がある。また、従来の材料で
は比誘電率が小さかったり、無負荷Q値が低かったり、
共振周波数の温度係数を任意に変化させられない等種々
の問題がある。さらに、誘電体磁器表面に電極を形成し
た同軸型共振器、平面型フィルター等への応用を考えた
場合、電極層と誘電体磁器との接着強度が低いと、共振
周波数が容易にずれたり、無負荷Q値が低くなる等の問
題がある。
【0005】本発明の第一の目的は、ZrTiO4系及
びZrO2−SnO2−TiO2系磁器の焼成時の熱履歴
による共振周波数の温度係数の変動を低減することであ
る。また、本発明の第二の目的は、無負荷Q値が高く、
比誘電率が大きく、共振周波数の温度係数を任意に変化
させ得る誘電体磁器を提供することである。さらに、本
発明の第三の目的は、無負荷Q値が高く強固な電極層を
備えた誘電体共振器を提供することである。本発明は、
本発明の三つの目的のうちの一つ、もしくは二つ以上を
達成しようとするものである。
びZrO2−SnO2−TiO2系磁器の焼成時の熱履歴
による共振周波数の温度係数の変動を低減することであ
る。また、本発明の第二の目的は、無負荷Q値が高く、
比誘電率が大きく、共振周波数の温度係数を任意に変化
させ得る誘電体磁器を提供することである。さらに、本
発明の第三の目的は、無負荷Q値が高く強固な電極層を
備えた誘電体共振器を提供することである。本発明は、
本発明の三つの目的のうちの一つ、もしくは二つ以上を
達成しようとするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の誘電体磁器は、Zrと、Tiと、{Mg,
Co,Zn,Ni,Mn}からなる群(A)から選ばれた
少なくとも一種の成分と、{Nb,Ta}からなる群
(B)から選ばれた少なくとも一種の成分の複合酸化物を
主成分とし、さらに副成分として{Ba,Sr,Ca,
Cu,Bi,W}からなる群(C)から選ばれた少なくと
も一種の成分を含むという構成を備えたものである。
め、本発明の誘電体磁器は、Zrと、Tiと、{Mg,
Co,Zn,Ni,Mn}からなる群(A)から選ばれた
少なくとも一種の成分と、{Nb,Ta}からなる群
(B)から選ばれた少なくとも一種の成分の複合酸化物を
主成分とし、さらに副成分として{Ba,Sr,Ca,
Cu,Bi,W}からなる群(C)から選ばれた少なくと
も一種の成分を含むという構成を備えたものである。
【0007】前記誘電体磁器においては、誘電体磁器の
主成分が、組成式:xZrO2−yTiO2−zA(1+u)/3B
(2-u)/3O2で表わされ、記号Aが{Mg,Co,Zn,
Ni,Mn}からなる群(A)から選ばれた少なくとも一
種の成分であり、且つ記号Bが{Nb,Ta}からなる
群(B)から選ばれた少なくとも一種の成分であり、且つ
x,y,z,u(ただし、x,y,zはモル分率、uは
前記式(数1)で表わされる数値を示す)が前記式(数
1)で示される範囲にあることが好ましい。
主成分が、組成式:xZrO2−yTiO2−zA(1+u)/3B
(2-u)/3O2で表わされ、記号Aが{Mg,Co,Zn,
Ni,Mn}からなる群(A)から選ばれた少なくとも一
種の成分であり、且つ記号Bが{Nb,Ta}からなる
群(B)から選ばれた少なくとも一種の成分であり、且つ
x,y,z,u(ただし、x,y,zはモル分率、uは
前記式(数1)で表わされる数値を示す)が前記式(数
1)で示される範囲にあることが好ましい。
【0008】また前記誘電体磁器においては、誘電体磁
器の副成分が、全体重量に対し0.005重量%以上
7.000重量%以下存在していることが好ましい。な
お、副成分の量は、磁器内の成分が存在する酸化物形態
の重量で、(BaO,SrO,CaO,CuO,Bi2
O3,WO3)に換算しての値である。
器の副成分が、全体重量に対し0.005重量%以上
7.000重量%以下存在していることが好ましい。な
お、副成分の量は、磁器内の成分が存在する酸化物形態
の重量で、(BaO,SrO,CaO,CuO,Bi2
O3,WO3)に換算しての値である。
【0009】また前記誘電体磁器においては、{Mg,
Co,Zn,Ni,Mn}からなる群(A)から選ばれた
少なくとも一種の成分と{Nb,Ta}からなる群(B)
から選ばれた少なくとも一種の成分が、固溶置換してい
るZrTiO4相もしくは結晶学的にZrTiO4 相を
主成分とすることが好ましい。
Co,Zn,Ni,Mn}からなる群(A)から選ばれた
少なくとも一種の成分と{Nb,Ta}からなる群(B)
から選ばれた少なくとも一種の成分が、固溶置換してい
るZrTiO4相もしくは結晶学的にZrTiO4 相を
主成分とすることが好ましい。
【0010】また前記誘電体磁器においては、{Mg,
Co,Zn,Ni,Mn}からなる群(A)から選ばれた
少なくとも一種の成分と{Nb,Ta}からなる群(B)
から選ばれた少なくとも一種の成分が、固溶置換してい
るZrTiO4相もしくは結晶学的にZrTiO4相を主
成分とし、且つa/b(ただし、記号a及びbはそれぞ
れ前記群(A)及び(B)の成分のモル分率の合計を示す)が
0.5以上1.9以下であることが好ましい。
Co,Zn,Ni,Mn}からなる群(A)から選ばれた
少なくとも一種の成分と{Nb,Ta}からなる群(B)
から選ばれた少なくとも一種の成分が、固溶置換してい
るZrTiO4相もしくは結晶学的にZrTiO4相を主
成分とし、且つa/b(ただし、記号a及びbはそれぞ
れ前記群(A)及び(B)の成分のモル分率の合計を示す)が
0.5以上1.9以下であることが好ましい。
【0011】また前記誘電体磁器においては、誘電体磁
器の主成分として、さらに{Sn,Hf,Ge}からな
る群(D)から選ばれた少なくとも一種の成分の複合酸化
物を含むことが好ましい。
器の主成分として、さらに{Sn,Hf,Ge}からな
る群(D)から選ばれた少なくとも一種の成分の複合酸化
物を含むことが好ましい。
【0012】また前記誘電体磁器においては、誘電体磁
器の主成分が、組成式:xZrO2−yTiO2−zA
(1+u)/3B(2-u)/3O2−vDO2で表わされ、記号Aが
{Mg,Co,Zn,Ni,Mn}からなる群(A)から
選ばれた少なくとも一種の成分であり、且つ記号Bが
{Nb,Ta}からなる群(B)から選ばれた少なくとも
一種の成分であり、且つ記号Dが{Sn,Hf,Ge}
からなる群(D)から選ばれた少なくとも一種の成分であ
り、且つx,y,z,v,u(ただし、x,y,z,v
はモル分率、uは前記式(数2)で表わされる数値を示
す)が前記式(数2)で示される範囲にあることが好ま
しい。
器の主成分が、組成式:xZrO2−yTiO2−zA
(1+u)/3B(2-u)/3O2−vDO2で表わされ、記号Aが
{Mg,Co,Zn,Ni,Mn}からなる群(A)から
選ばれた少なくとも一種の成分であり、且つ記号Bが
{Nb,Ta}からなる群(B)から選ばれた少なくとも
一種の成分であり、且つ記号Dが{Sn,Hf,Ge}
からなる群(D)から選ばれた少なくとも一種の成分であ
り、且つx,y,z,v,u(ただし、x,y,z,v
はモル分率、uは前記式(数2)で表わされる数値を示
す)が前記式(数2)で示される範囲にあることが好ま
しい。
【0013】また前記誘電体磁器においては、誘電体磁
器の副成分が、{Ba,Sr,Ca,Cu,Bi,W}
からなる群(C)から選ばれた少なくとも一種の成分を、
全体重量に対し0.005重量%以上7.000重量%
以下含むことが好ましい。
器の副成分が、{Ba,Sr,Ca,Cu,Bi,W}
からなる群(C)から選ばれた少なくとも一種の成分を、
全体重量に対し0.005重量%以上7.000重量%
以下含むことが好ましい。
【0014】また前記誘電体磁器においては、{Mg,
Co,Zn,Ni,Mn}からなる群(A)から選ばれた
少なくとも一種の成分と{Nb,Ta}からなる群(B)
から選ばれた少なくとも一種の成分と{Sn,Hf,G
e}からなる群(D)から選ばれた少なくとも一種の成分
が、固溶置換しているZrTiO4相もしくは結晶学的
にZrTiO4 相を主成分とすることが好ましい。
Co,Zn,Ni,Mn}からなる群(A)から選ばれた
少なくとも一種の成分と{Nb,Ta}からなる群(B)
から選ばれた少なくとも一種の成分と{Sn,Hf,G
e}からなる群(D)から選ばれた少なくとも一種の成分
が、固溶置換しているZrTiO4相もしくは結晶学的
にZrTiO4 相を主成分とすることが好ましい。
【0015】また前記誘電体磁器においては、{Mg,
Co,Zn,Ni,Mn}からなる群(A)から選ばれた
少なくとも一種の成分と{Nb,Ta}からなる群(B)
から選ばれた少なくとも一種の成分と{Sn,Hf,G
e}からなる群(D)から選ばれた少なくとも一種の成分
が、固溶置換しているZrTiO4相もしくは結晶学的
にZrTiO4相を主成分とし、且つa/b(ただし、
記号a及びbはそれぞれ前記群(A)及び(B)の成分のモル
分率の合計を示す)が0.5以上1.9以下であること
が好ましい。
Co,Zn,Ni,Mn}からなる群(A)から選ばれた
少なくとも一種の成分と{Nb,Ta}からなる群(B)
から選ばれた少なくとも一種の成分と{Sn,Hf,G
e}からなる群(D)から選ばれた少なくとも一種の成分
が、固溶置換しているZrTiO4相もしくは結晶学的
にZrTiO4相を主成分とし、且つa/b(ただし、
記号a及びbはそれぞれ前記群(A)及び(B)の成分のモル
分率の合計を示す)が0.5以上1.9以下であること
が好ましい。
【0016】次に本発明の誘電体共振器は、前記各構成
の誘電体磁器からなり、前記誘電体磁器表面に電極を備
えたことを特徴とする。前記誘電体共振器においては、
電極が銅または銀であることが好ましい。
の誘電体磁器からなり、前記誘電体磁器表面に電極を備
えたことを特徴とする。前記誘電体共振器においては、
電極が銅または銀であることが好ましい。
【0017】前記した本発明の構成によれば、Zrと、
Tiと、{Mg,Co,Zn,Ni,Mn}からなる群
(A)から選ばれた少なくとも一種の成分と、{Nb,T
a}からなる群(B)から選ばれた少なくとも一種の成分
の複合酸化物を主成分とし、さらに副成分として{B
a,Sr,Ca,Cu,Bi,W}からなる群(C)から
選ばれた少なくとも一種の成分を含むという構成を備え
たことにより、ZrTiO4系磁器の焼成時の熱履歴に
よる共振周波数の温度係数の変動が低減された誘電体磁
器を提供することができる。
Tiと、{Mg,Co,Zn,Ni,Mn}からなる群
(A)から選ばれた少なくとも一種の成分と、{Nb,T
a}からなる群(B)から選ばれた少なくとも一種の成分
の複合酸化物を主成分とし、さらに副成分として{B
a,Sr,Ca,Cu,Bi,W}からなる群(C)から
選ばれた少なくとも一種の成分を含むという構成を備え
たことにより、ZrTiO4系磁器の焼成時の熱履歴に
よる共振周波数の温度係数の変動が低減された誘電体磁
器を提供することができる。
【0018】また前記組成式と前記式(数1)の好まし
い構成によれば、無負荷Q値が高く、比誘電率が大き
く、共振周波数の温度係数を任意に変化させ得る誘電体
磁器を提供できる。
い構成によれば、無負荷Q値が高く、比誘電率が大き
く、共振周波数の温度係数を任意に変化させ得る誘電体
磁器を提供できる。
【0019】また、前記組成式と前記式(数1)の誘電
体磁器において、{Mg,Co,Zn,Ni,Mn}か
らなる群(A)から選ばれた少なくとも一種の成分と{N
b,Ta}からなる群(B)から選ばれた少なくとも一種
の成分が固溶置換しているZrTiO4相もしくは結晶
学的にZrTiO4相を主成分とする本発明の好ましい
態様の誘電体磁器とすることにより、より無負荷Q値が
高く、比誘電率が大きく、共振周波数の温度安定性に優
れた誘電体磁器を提供できる。
体磁器において、{Mg,Co,Zn,Ni,Mn}か
らなる群(A)から選ばれた少なくとも一種の成分と{N
b,Ta}からなる群(B)から選ばれた少なくとも一種
の成分が固溶置換しているZrTiO4相もしくは結晶
学的にZrTiO4相を主成分とする本発明の好ましい
態様の誘電体磁器とすることにより、より無負荷Q値が
高く、比誘電率が大きく、共振周波数の温度安定性に優
れた誘電体磁器を提供できる。
【0020】また、前記組成式と前記式(数1)の誘電
体磁器において、{Mg,Co,Zn,Ni,Mn}か
らなる群(A)から選ばれた少なくとも一種の成分と{N
b,Ta}からなる群(B)から選ばれた少なくとも一種
の成分が固溶置換しているZrTiO4相もしくは結晶
学的にZrTiO4相を主成分とし、且つa/b(ただ
し、記号a及びbはそれぞれ前記群(A)及び(B)の成分の
モル分率の合計を示す)が0.5以上1.9以下である
本発明の好ましい態様の誘電体磁器とすることにより、
更に一層無負荷Q値が高く、比誘電率が大きく、共振周
波数の温度安定性に優れた誘電体磁器を提供できる。
体磁器において、{Mg,Co,Zn,Ni,Mn}か
らなる群(A)から選ばれた少なくとも一種の成分と{N
b,Ta}からなる群(B)から選ばれた少なくとも一種
の成分が固溶置換しているZrTiO4相もしくは結晶
学的にZrTiO4相を主成分とし、且つa/b(ただ
し、記号a及びbはそれぞれ前記群(A)及び(B)の成分の
モル分率の合計を示す)が0.5以上1.9以下である
本発明の好ましい態様の誘電体磁器とすることにより、
更に一層無負荷Q値が高く、比誘電率が大きく、共振周
波数の温度安定性に優れた誘電体磁器を提供できる。
【0021】また前記誘電体磁器においては、誘電体磁
器の主成分として、さらに{Sn,Hf,Ge}からな
る群(D)から選ばれた少なくとも一種の成分の複合酸化
物を含むことが好ましい。ZrO2−SnO2−TiO2
系磁器の焼成時の熱履歴による共振周波数の温度係数の
変動が低減された誘電体磁器を提供することができる。
器の主成分として、さらに{Sn,Hf,Ge}からな
る群(D)から選ばれた少なくとも一種の成分の複合酸化
物を含むことが好ましい。ZrO2−SnO2−TiO2
系磁器の焼成時の熱履歴による共振周波数の温度係数の
変動が低減された誘電体磁器を提供することができる。
【0022】また、前記組成式と前記式(数2)の誘電
体磁器において、{Mg,Co,Zn,Ni,Mn}か
らなる群(A)から選ばれた少なくとも一種の成分と、
{Nb,Ta}からなる群(B)から選ばれた少なくとも
一種の成分と、{Sn,Hf,Ge}からなる群(D)か
ら選ばれた少なくとも一種の成分が固溶置換しているZ
rTiO4相もしくは結晶学的にZrTiO4相を主成分
とする本発明の好ましい構成の誘電体磁器とすることに
より、より無負荷Q値が高く、比誘電率が大きく、共振
周波数の温度安定性に優れた誘電体磁器を提供できる。
体磁器において、{Mg,Co,Zn,Ni,Mn}か
らなる群(A)から選ばれた少なくとも一種の成分と、
{Nb,Ta}からなる群(B)から選ばれた少なくとも
一種の成分と、{Sn,Hf,Ge}からなる群(D)か
ら選ばれた少なくとも一種の成分が固溶置換しているZ
rTiO4相もしくは結晶学的にZrTiO4相を主成分
とする本発明の好ましい構成の誘電体磁器とすることに
より、より無負荷Q値が高く、比誘電率が大きく、共振
周波数の温度安定性に優れた誘電体磁器を提供できる。
【0023】また、前記組成式と前記式(数2)の誘電
体磁器において、{Mg,Co,Zn,Ni,Mn}か
らなる群(A)から選ばれた少なくとも一種の成分と、
{Nb,Ta}からなる群(B)から選ばれた少なくとも
一種の成分と、{Sn,Hf,Ge}からなる群(D)か
ら選ばれた少なくとも一種の成分が固溶置換しているZ
rTiO4相もしくは結晶学的にZrTiO4相を主成分
とし、且つa/b(ただし、記号a及びbはそれぞれ前
記群(A)及び(B)の成分のモル分率の合計を示す)が0.
5以上1.9以下である本発明の好ましい構成の誘電体
磁器とすることにより、更に一層無負荷Q値が高く、比
誘電率が大きく、共振周波数の温度安定性に優れた誘電
体磁器を提供できる。
体磁器において、{Mg,Co,Zn,Ni,Mn}か
らなる群(A)から選ばれた少なくとも一種の成分と、
{Nb,Ta}からなる群(B)から選ばれた少なくとも
一種の成分と、{Sn,Hf,Ge}からなる群(D)か
ら選ばれた少なくとも一種の成分が固溶置換しているZ
rTiO4相もしくは結晶学的にZrTiO4相を主成分
とし、且つa/b(ただし、記号a及びbはそれぞれ前
記群(A)及び(B)の成分のモル分率の合計を示す)が0.
5以上1.9以下である本発明の好ましい構成の誘電体
磁器とすることにより、更に一層無負荷Q値が高く、比
誘電率が大きく、共振周波数の温度安定性に優れた誘電
体磁器を提供できる。
【0024】次に本発明の誘電体共振器の構成によれ
ば、高い無負荷Qを有し、且つ強固な電極層を備えた誘
電体共振器を実現できる。なお前記において、群(A)と
群(B)(と群(D))の各々少なくとも一種の成分が固溶置
換しているZrTiO4相もしくは結晶学的にZrTi
O4相とは、Zr、Ti両サイトまたはどちらかのサイ
トが、群(A)と群(B)(と群(D))の各々少なくとも一種
の成分により置換されているものを示しており、ZrT
iO4相は基本的には元素比Zr/Ti=1であるが、
実際にはこれが1より大きい方向あるいは小さい方向へ
多少ずれた組成領域(例えばZrTiO4相にZr、T
iが固溶している場合など)に於いてもZrTiO4構
造として認定できる領域が存在するのでその様なものを
結晶学的にZrTiO4相と表現してる。
ば、高い無負荷Qを有し、且つ強固な電極層を備えた誘
電体共振器を実現できる。なお前記において、群(A)と
群(B)(と群(D))の各々少なくとも一種の成分が固溶置
換しているZrTiO4相もしくは結晶学的にZrTi
O4相とは、Zr、Ti両サイトまたはどちらかのサイ
トが、群(A)と群(B)(と群(D))の各々少なくとも一種
の成分により置換されているものを示しており、ZrT
iO4相は基本的には元素比Zr/Ti=1であるが、
実際にはこれが1より大きい方向あるいは小さい方向へ
多少ずれた組成領域(例えばZrTiO4相にZr、T
iが固溶している場合など)に於いてもZrTiO4構
造として認定できる領域が存在するのでその様なものを
結晶学的にZrTiO4相と表現してる。
【0025】
【発明の実施の形態】本発明における誘電体磁器の出発
原料としては、前記した各成分元素の酸化物、炭酸塩、
水酸化物、塩化物、アルコキシド等いずれを用いてもよ
い。原料粉体の混合方法としては、ボールミル中で水も
しくは有機溶媒と共に混合する湿式混合法や、ミキサー
等で混合したり溶媒を用いないボールミル中で混合する
乾式混合法等が一般的であり、いずれを用いてもよい。
また、出発原料に応じてアルコキシド法や共沈法を用い
てもよい。工程が比較的複雑でないこと、均質な混合物
を得やすいこと等から、溶媒を用いてボールミル中で混
合する方法が望ましく、さらに、粉体の分散性を高める
ために分散剤を用いたりPH調整を行ってもよい。
原料としては、前記した各成分元素の酸化物、炭酸塩、
水酸化物、塩化物、アルコキシド等いずれを用いてもよ
い。原料粉体の混合方法としては、ボールミル中で水も
しくは有機溶媒と共に混合する湿式混合法や、ミキサー
等で混合したり溶媒を用いないボールミル中で混合する
乾式混合法等が一般的であり、いずれを用いてもよい。
また、出発原料に応じてアルコキシド法や共沈法を用い
てもよい。工程が比較的複雑でないこと、均質な混合物
を得やすいこと等から、溶媒を用いてボールミル中で混
合する方法が望ましく、さらに、粉体の分散性を高める
ために分散剤を用いたりPH調整を行ってもよい。
【0026】混合物は仮焼しなくてもよいが、仮焼する
ことにより焼成時間を短縮できる。仮焼温度は組成によ
り異なるが、通常、温度:700〜1200℃程度、時
間:1〜8時間程度である。
ことにより焼成時間を短縮できる。仮焼温度は組成によ
り異なるが、通常、温度:700〜1200℃程度、時
間:1〜8時間程度である。
【0027】仮焼物もしくは混合物の粉砕方法として
は、ボールミル、高速回転式粉砕機、媒体撹拌ミル、気
流粉砕機等を用いる方法があるが、いずれを用いてもよ
い。成形は通常プレス成形により所望の形状に成形す
る。特に限定するものではないが、プレス成形における
圧力は、通常0.5〜2ton/cm2程度の範囲である。成
形の際に用いるバインダーとしては、セラミックスの成
形の際に用いられるバインダーであれば特に制限はない
が、例えば、ポリビニルアルコール系バインダー、ポリ
ビニルブチラール系バインダー、アクリル樹脂系バイン
ダー、ワックス系バインダー等が挙げられる。バインダ
ーの使用量も特に制限するものではないが、通常固形分
換算で全体の0.05〜1重量%程度である。
は、ボールミル、高速回転式粉砕機、媒体撹拌ミル、気
流粉砕機等を用いる方法があるが、いずれを用いてもよ
い。成形は通常プレス成形により所望の形状に成形す
る。特に限定するものではないが、プレス成形における
圧力は、通常0.5〜2ton/cm2程度の範囲である。成
形の際に用いるバインダーとしては、セラミックスの成
形の際に用いられるバインダーであれば特に制限はない
が、例えば、ポリビニルアルコール系バインダー、ポリ
ビニルブチラール系バインダー、アクリル樹脂系バイン
ダー、ワックス系バインダー等が挙げられる。バインダ
ーの使用量も特に制限するものではないが、通常固形分
換算で全体の0.05〜1重量%程度である。
【0028】焼成は、組成や成形物の大きさなどにより
異なるので、特に限定するものではないが、通常バイン
ダーを除去するために400〜700℃程度で1〜24
時間程度行なった後、1100〜1650℃程度で2〜
100時間程度焼成することが望ましい。
異なるので、特に限定するものではないが、通常バイン
ダーを除去するために400〜700℃程度で1〜24
時間程度行なった後、1100〜1650℃程度で2〜
100時間程度焼成することが望ましい。
【0029】次に、円筒同軸誘電体共振器の一例を図面
を用いて説明する。図1Aは円筒同軸誘電体共振器の軸
方向に添った断面図で、円筒状誘電体磁器2の表面に電
極1,4が連続して形成されている。ただし一方の開放
端3の表面には電極は形成されていない。図1Bは図1
AのI−I断面図である。この円筒同軸誘電体共振器
は、一方の開放端3の方向から電磁波が入射し、特定の
周波数領域の電磁波の共振(TEMモード)を利用して
電極1,4から必要な出力を得るものである。
を用いて説明する。図1Aは円筒同軸誘電体共振器の軸
方向に添った断面図で、円筒状誘電体磁器2の表面に電
極1,4が連続して形成されている。ただし一方の開放
端3の表面には電極は形成されていない。図1Bは図1
AのI−I断面図である。この円筒同軸誘電体共振器
は、一方の開放端3の方向から電磁波が入射し、特定の
周波数領域の電磁波の共振(TEMモード)を利用して
電極1,4から必要な出力を得るものである。
【0030】
【実施例】以下具体的実施例を挙げて、さらに本発明を
説明する。 (実施例1)出発原料には化学的に高純度(98重量%
以上の純度)のZrO2,TiO2,MgO,CoO,Z
nO,NiO,Nb2O5,Ta2O5,MnCO3,Ba
CO3,SrCO3,CaCO3,CuO,Bi2O3,W
O3,SnO2,HfO2,GeO2を用い、これらを所定
の組成になるよう秤量し、ボールミルを用いてエタノー
ルとともに湿式混合した。粉体とエタノールの体積比は
約2:3である。
説明する。 (実施例1)出発原料には化学的に高純度(98重量%
以上の純度)のZrO2,TiO2,MgO,CoO,Z
nO,NiO,Nb2O5,Ta2O5,MnCO3,Ba
CO3,SrCO3,CaCO3,CuO,Bi2O3,W
O3,SnO2,HfO2,GeO2を用い、これらを所定
の組成になるよう秤量し、ボールミルを用いてエタノー
ルとともに湿式混合した。粉体とエタノールの体積比は
約2:3である。
【0031】この混合物をボールミルから取り出して乾
燥したのち空気中において1000℃の温度で2時間仮
焼した。仮焼物はエタノールとともに前記のボールミル
中で湿式粉砕した。粉砕泥しょうをボールミルから取り
出して乾燥したのち、粉末にバインダーとして濃度6容
量%のポリビニールアルコール溶液を8重量%添加して
混合し均質とし、32メッシュのふるいを通して整粒し
た。整粒粉体は金型と油圧プレスを用いて成形圧力1.
3ton/cm2で直径7mm厚さ約3mmの円板に成
形した。
燥したのち空気中において1000℃の温度で2時間仮
焼した。仮焼物はエタノールとともに前記のボールミル
中で湿式粉砕した。粉砕泥しょうをボールミルから取り
出して乾燥したのち、粉末にバインダーとして濃度6容
量%のポリビニールアルコール溶液を8重量%添加して
混合し均質とし、32メッシュのふるいを通して整粒し
た。整粒粉体は金型と油圧プレスを用いて成形圧力1.
3ton/cm2で直径7mm厚さ約3mmの円板に成
形した。
【0032】成形体を高純度のマグネシアさや鉢の中に
入れ、空気中において600℃の温度で4時間保持して
バインダーアウトを行なった後、空気中において120
0〜1500℃の温度で24時間保持して焼成した後、
急冷(炉外に取り出して空冷)または1000℃まで徐
冷(冷却速度20℃/時間)し、誘電体磁器を得た。
入れ、空気中において600℃の温度で4時間保持して
バインダーアウトを行なった後、空気中において120
0〜1500℃の温度で24時間保持して焼成した後、
急冷(炉外に取り出して空冷)または1000℃まで徐
冷(冷却速度20℃/時間)し、誘電体磁器を得た。
【0033】導体空洞型誘電体円柱共振器法による測定
から共振周波数を求めた。共振周波数の温度係数
(τf)は−25℃から85℃の範囲で求めた。このよ
うにして作製した誘電体磁器の主成分組成を表1に、副
成分添加量を表2に、焼成後の冷却条件と共振周波数の
温度係数(ppm/℃)を表3に示す。なお、表1〜3
において*印のついたものは比較例である。
から共振周波数を求めた。共振周波数の温度係数
(τf)は−25℃から85℃の範囲で求めた。このよ
うにして作製した誘電体磁器の主成分組成を表1に、副
成分添加量を表2に、焼成後の冷却条件と共振周波数の
温度係数(ppm/℃)を表3に示す。なお、表1〜3
において*印のついたものは比較例である。
【0034】
【表1】
【0035】
【表2】
【0036】
【表3】
【0037】表3に示す結果から明らかなように、本実
施例の試料番号3〜14及び19〜26の誘電体磁器
は、ZrTiO4系及びZrO2−Sn02−TiO2系磁
器の焼成時の熱履歴による共振周波数の温度係数の変動
が低減されていた。
施例の試料番号3〜14及び19〜26の誘電体磁器
は、ZrTiO4系及びZrO2−Sn02−TiO2系磁
器の焼成時の熱履歴による共振周波数の温度係数の変動
が低減されていた。
【0038】(実施例2)出発原料には実施例1と同様
の化学的に高純度のZrO2,TiO2,MgO,Co
O,ZnO,NiO,MnCO3,Nb2O5,Ta
2O5,BaCO3,SrCO3,CaCO3,CuO,B
i2O3,WO3を用い、これらを所定の組成になるよう
秤量し、ボールミルを用いてエタノールとともに湿式混
合した。粉体とエタノールの体積比は約2:3である。
の化学的に高純度のZrO2,TiO2,MgO,Co
O,ZnO,NiO,MnCO3,Nb2O5,Ta
2O5,BaCO3,SrCO3,CaCO3,CuO,B
i2O3,WO3を用い、これらを所定の組成になるよう
秤量し、ボールミルを用いてエタノールとともに湿式混
合した。粉体とエタノールの体積比は約2:3である。
【0039】この混合物をボールミルから取り出して乾
燥したのち空気中において800〜1250℃の温度で
2〜8時間仮焼した。仮焼物はエタノールとともに前記
のボールミル中で湿式粉砕した。粉砕泥しょうをボール
ミルから取り出して乾燥したのち、粉末にバインダーと
して濃度6容量%のポリビニールアルコール溶液を8重
量%添加して混合し均質とし、32メッシュのふるいを
通して整粒した。整粒粉体は金型と油圧プレスを用いて
成形圧力1.3ton/cm2で直径7mm厚さ約3m
mの円板に成形した。
燥したのち空気中において800〜1250℃の温度で
2〜8時間仮焼した。仮焼物はエタノールとともに前記
のボールミル中で湿式粉砕した。粉砕泥しょうをボール
ミルから取り出して乾燥したのち、粉末にバインダーと
して濃度6容量%のポリビニールアルコール溶液を8重
量%添加して混合し均質とし、32メッシュのふるいを
通して整粒した。整粒粉体は金型と油圧プレスを用いて
成形圧力1.3ton/cm2で直径7mm厚さ約3m
mの円板に成形した。
【0040】成形体を高純度のマグネシアさや鉢の中に
入れ、空気中において400℃〜700℃の温度で4〜
8時間保持してバインダーアウトを行なった後、空気中
において1200℃〜1650℃の温度で1〜100時
間保持して焼成し誘電体磁器を得た。
入れ、空気中において400℃〜700℃の温度で4〜
8時間保持してバインダーアウトを行なった後、空気中
において1200℃〜1650℃の温度で1〜100時
間保持して焼成し誘電体磁器を得た。
【0041】導体空洞型誘電体円柱共振器法による測定
から共振周波数と無負荷Q(Qu)値と比誘電率(εr)
を求めた。共振周波数の温度係数(τf)は−25℃か
ら85℃の範囲で求めた。共振周波数は4〜12GHzの
範囲であった。
から共振周波数と無負荷Q(Qu)値と比誘電率(εr)
を求めた。共振周波数の温度係数(τf)は−25℃か
ら85℃の範囲で求めた。共振周波数は4〜12GHzの
範囲であった。
【0042】このようにして作製した誘電体磁器の主成
分組成及び副成分添加量を表4〜6に、得られた比誘電
率と共振周波数の温度係数(ppm/℃)および無負荷
Q値を表7〜8に示す。なお、表4及び表5において*
印のついたものは比較例である。
分組成及び副成分添加量を表4〜6に、得られた比誘電
率と共振周波数の温度係数(ppm/℃)および無負荷
Q値を表7〜8に示す。なお、表4及び表5において*
印のついたものは比較例である。
【0043】
【表4】
【0044】
【表5】
【0045】
【表6】
【0046】
【表7】
【0047】
【表8】
【0048】表7〜8に示す結果から明らかなように、
本発明の組成範囲内の誘電体磁器組成物はマイクロ波周
波数帯において比誘電率を大きな値に保ちながら高い無
負荷Q値を有していた。
本発明の組成範囲内の誘電体磁器組成物はマイクロ波周
波数帯において比誘電率を大きな値に保ちながら高い無
負荷Q値を有していた。
【0049】これに対して、xが0.60よりも大きく
なると、試料56,57のように無負荷Q値が著しく低
くなり、本発明の目的を達成することができない。ま
た、xが0.10より小さくなった場合も試料61,6
2のように無負荷Q値が低くなり、本発明の目的を達成
することができない。
なると、試料56,57のように無負荷Q値が著しく低
くなり、本発明の目的を達成することができない。ま
た、xが0.10より小さくなった場合も試料61,6
2のように無負荷Q値が低くなり、本発明の目的を達成
することができない。
【0050】yが0.60よりも大きくなると、試料3
8のように無負荷Q値が著しく低くなり、yが0.20
より小さくなった場合にも試料27〜30及び試料39
のように無負荷Q値が低くなりすぎるため、本発明の目
的を達成することができない。
8のように無負荷Q値が著しく低くなり、yが0.20
より小さくなった場合にも試料27〜30及び試料39
のように無負荷Q値が低くなりすぎるため、本発明の目
的を達成することができない。
【0051】zが0.70よりも大きくなると試料39
のように無負荷Q値が低くなり、zが0.01より小さ
くなった場合も試料42のように無負荷Q値が低くなる
ため、本発明の目的を達成することができない。
のように無負荷Q値が低くなり、zが0.01より小さ
くなった場合も試料42のように無負荷Q値が低くなる
ため、本発明の目的を達成することができない。
【0052】また、uを0よりも大きくすることにより
無負荷Q値を改善することができるが、uが1.90よ
りも大きくなると試料82のように無負荷Q値が劣化し
てしまう。しかし、試料82でも、従来の誘電体磁器と
比較して特性は良好であった。
無負荷Q値を改善することができるが、uが1.90よ
りも大きくなると試料82のように無負荷Q値が劣化し
てしまう。しかし、試料82でも、従来の誘電体磁器と
比較して特性は良好であった。
【0053】また、副成分の添加量が7.000wt.%よ
りも多くなると、試料98のように無負荷Q値が著しく
低くなってしまうため、本発明の目的を達成することが
できない。
りも多くなると、試料98のように無負荷Q値が著しく
低くなってしまうため、本発明の目的を達成することが
できない。
【0054】なお、A(ただし、AはMg,Co,Z
n,Ni,Mnから選ばれた少なくとも1種の元素を示
す)とB(ただし、BはNb,Taから選ばれた少なく
とも1種の元素を示す)の酸化物を800〜1200℃
で予め仮焼した粉体を原料粉として用いると、無負荷Q
値が向上することが本実施例の組成範囲内で確認され
た。
n,Ni,Mnから選ばれた少なくとも1種の元素を示
す)とB(ただし、BはNb,Taから選ばれた少なく
とも1種の元素を示す)の酸化物を800〜1200℃
で予め仮焼した粉体を原料粉として用いると、無負荷Q
値が向上することが本実施例の組成範囲内で確認され
た。
【0055】また、本発明の実施例1及び2の組成範囲
内の誘電体磁器の粉末X線回折より、ZrTiO4相も
しくは結晶学的にZrTiO4相である相が確認され
た。さらに、ZrTiO4相もしくは結晶学的にZrT
iO4相である相を主成分とする誘電体磁器の、破断面
及び研磨面の局所X線回折装置による組成分析により、
単一結晶粒内にZr,Ti,A,B(ただし、AはM
g,Co,Zn,Ni,Mnの少なくとも一種、BはN
b,Taの少なくとも一種を示す)成分の全てが存在す
ることが確認され、その組成比は、同一誘電体磁器内に
おいて主相を構成する他の結晶粒の組成比と一致した。
また、単一粒内に、配合した全てのA及びB成分が存在
することが確認された。さらに、主相を構成する結晶粒
内にZr,Ti,A,B成分が存在する誘電体磁器で
は、同一焼成条件で得られたZrTiO4磁器と比較し
て格子常数が大きくなっていることが確認された。これ
らのことより、ZrTiO4相もしくは結晶学的にZr
TiO4相にA,B成分が固溶置換していることが確認
された。
内の誘電体磁器の粉末X線回折より、ZrTiO4相も
しくは結晶学的にZrTiO4相である相が確認され
た。さらに、ZrTiO4相もしくは結晶学的にZrT
iO4相である相を主成分とする誘電体磁器の、破断面
及び研磨面の局所X線回折装置による組成分析により、
単一結晶粒内にZr,Ti,A,B(ただし、AはM
g,Co,Zn,Ni,Mnの少なくとも一種、BはN
b,Taの少なくとも一種を示す)成分の全てが存在す
ることが確認され、その組成比は、同一誘電体磁器内に
おいて主相を構成する他の結晶粒の組成比と一致した。
また、単一粒内に、配合した全てのA及びB成分が存在
することが確認された。さらに、主相を構成する結晶粒
内にZr,Ti,A,B成分が存在する誘電体磁器で
は、同一焼成条件で得られたZrTiO4磁器と比較し
て格子常数が大きくなっていることが確認された。これ
らのことより、ZrTiO4相もしくは結晶学的にZr
TiO4相にA,B成分が固溶置換していることが確認
された。
【0056】このような誘電体磁器は、特に無負荷Q値
が高く、比誘電率が大きく、共振周波数の温度安定性が
優れており、前述したA成分とB成分のモル分率の比a
/bが0.5以上1.9以下である場合はさらに無負荷
Q値が高かった。
が高く、比誘電率が大きく、共振周波数の温度安定性が
優れており、前述したA成分とB成分のモル分率の比a
/bが0.5以上1.9以下である場合はさらに無負荷
Q値が高かった。
【0057】以上の結果より、本実施例の誘電体磁器
は、マイクロ波周波数帯において比誘電率を大きな値に
保ちながら高い無負荷Q値を有し、共振周波数の温度安
定性が優れていることが確認できた。
は、マイクロ波周波数帯において比誘電率を大きな値に
保ちながら高い無負荷Q値を有し、共振周波数の温度安
定性が優れていることが確認できた。
【0058】(実施例3)出発原料には実施例1と同様
の化学的に高純度のZrO2,TiO2,MgO,Co
O,ZnO,NiO,MnCO3,Nb2O5,Ta
2O5,SnO2,HfO2,GeO2,BaCO3,SrC
O3,CaCO3,CuO,Bi2O3,WO3を用い、こ
れらを所定の組成になるよう秤量し、ボールミルを用い
てエタノールとともに湿式混合した。粉体とエタノール
の体積比は約2:3である。
の化学的に高純度のZrO2,TiO2,MgO,Co
O,ZnO,NiO,MnCO3,Nb2O5,Ta
2O5,SnO2,HfO2,GeO2,BaCO3,SrC
O3,CaCO3,CuO,Bi2O3,WO3を用い、こ
れらを所定の組成になるよう秤量し、ボールミルを用い
てエタノールとともに湿式混合した。粉体とエタノール
の体積比は約2:3である。
【0059】この混合物をボールミルから取り出して乾
燥したのち、空気中において800〜1250℃の温度
で2〜8時間仮焼した。仮焼物はエタノールとともに前
記のボールミル中で湿式粉砕した。粉砕泥しょうをボー
ルミルから取り出して乾燥したのち、粉末にバインダー
として濃度6容量%のポリビニールアルコール溶液を8
重量%添加して混合し均質とし、32メッシュのふるい
を通して整粒した。整粒粉体は金型と油圧プレスを用い
て成形圧力1.3ton/cm2で直径7mm厚さ約3
mmの円板に成形した。
燥したのち、空気中において800〜1250℃の温度
で2〜8時間仮焼した。仮焼物はエタノールとともに前
記のボールミル中で湿式粉砕した。粉砕泥しょうをボー
ルミルから取り出して乾燥したのち、粉末にバインダー
として濃度6容量%のポリビニールアルコール溶液を8
重量%添加して混合し均質とし、32メッシュのふるい
を通して整粒した。整粒粉体は金型と油圧プレスを用い
て成形圧力1.3ton/cm2で直径7mm厚さ約3
mmの円板に成形した。
【0060】成形体を高純度のマグネシアさや鉢の中に
入れ、空気中において400℃〜700℃の温度で4〜
8時間保持してバインダーアウトを行なった後、空気中
において1200℃〜1650℃の温度で1〜100時
間保持して焼成し誘電体磁器を得た。
入れ、空気中において400℃〜700℃の温度で4〜
8時間保持してバインダーアウトを行なった後、空気中
において1200℃〜1650℃の温度で1〜100時
間保持して焼成し誘電体磁器を得た。
【0061】導体空洞型誘電体円柱共振器法による測定
から共振周波数と無負荷Q(Qu)値と比誘電率(εr)
を求めた。共振周波数の温度係数(τf)は−25℃か
ら85℃の範囲で求めた。共振周波数は4〜12GHzの
範囲であった。
から共振周波数と無負荷Q(Qu)値と比誘電率(εr)
を求めた。共振周波数の温度係数(τf)は−25℃か
ら85℃の範囲で求めた。共振周波数は4〜12GHzの
範囲であった。
【0062】このようにして作製した誘電体磁器の主成
分組成及び副成分添加量を表9〜10に、得られた比誘
電率と共振周波数の温度係数(ppm/℃)および無負
荷Q値を表11〜12に示す。なお、表9〜12におい
て*印のついたものは比較例である。
分組成及び副成分添加量を表9〜10に、得られた比誘
電率と共振周波数の温度係数(ppm/℃)および無負
荷Q値を表11〜12に示す。なお、表9〜12におい
て*印のついたものは比較例である。
【0063】
【表9】
【0064】
【表10】
【0065】
【表11】
【0066】
【表12】
【0067】表9〜12に示す結果から明らかなよう
に、本実施例の組成範囲内の誘電体磁器組成物はマイク
ロ波周波数帯において比誘電率を大きな値に保ちながら
高い無負荷Q値を有することが確認できた。
に、本実施例の組成範囲内の誘電体磁器組成物はマイク
ロ波周波数帯において比誘電率を大きな値に保ちながら
高い無負荷Q値を有することが確認できた。
【0068】これに対して、xが0.60よりも大きく
なると、試料118のように無負荷Q値が著しく低くな
り、本発明の目的を達成することができない。また、x
が0.10より小さくなった場合も試料120のように
無負荷Q値が低くなり、本発明の目的を達成することが
できない。
なると、試料118のように無負荷Q値が著しく低くな
り、本発明の目的を達成することができない。また、x
が0.10より小さくなった場合も試料120のように
無負荷Q値が低くなり、本発明の目的を達成することが
できない。
【0069】yが0.60よりも大きくなると、試料1
07のように無負荷Q値が著しく低くなり、yが0.2
0より小さくなった場合にも試料99及び試料108の
ように無負荷Q値が低くなりすぎるため、本発明の目的
を達成することができない。
07のように無負荷Q値が著しく低くなり、yが0.2
0より小さくなった場合にも試料99及び試料108の
ように無負荷Q値が低くなりすぎるため、本発明の目的
を達成することができない。
【0070】zが0.50よりも大きくなると試料10
8のように無負荷Q値が低くなり、zが0.01より小
さくなった場合も試料111のように無負荷Q値が低く
なるため、本発明の目的を達成することができない。
8のように無負荷Q値が低くなり、zが0.01より小
さくなった場合も試料111のように無負荷Q値が低く
なるため、本発明の目的を達成することができない。
【0071】また、wを0よりも大きくすることにより
無負荷Q値を改善することができるが、wが1.90よ
りも大きくなると試料136のように無負荷Q値が劣化
してしまう。しかし、試料136でも、従来の誘電体磁
器と比較して特性は良好であった。
無負荷Q値を改善することができるが、wが1.90よ
りも大きくなると試料136のように無負荷Q値が劣化
してしまう。しかし、試料136でも、従来の誘電体磁
器と比較して特性は良好であった。
【0072】また、副成分の添加量が7.000wt.%よ
りも多くなると、試料149のように無負荷Q値が著し
く低くなってしまうため、本発明の目的を達成すること
ができない。
りも多くなると、試料149のように無負荷Q値が著し
く低くなってしまうため、本発明の目的を達成すること
ができない。
【0073】なお、A(ただし、AはMg,Co,Z
n,Ni,Mnから選ばれた少なくとも1種の元素を示
す)とB(ただし、BはNb,Taから選ばれた少なく
とも1種の元素を示す)の酸化物を800〜1200℃
で予め仮焼した粉体を原料粉として用いると、無負荷Q
値が向上することが本実施例の組成範囲内で確認され
た。
n,Ni,Mnから選ばれた少なくとも1種の元素を示
す)とB(ただし、BはNb,Taから選ばれた少なく
とも1種の元素を示す)の酸化物を800〜1200℃
で予め仮焼した粉体を原料粉として用いると、無負荷Q
値が向上することが本実施例の組成範囲内で確認され
た。
【0074】また、本発明の実施例1及び3の組成範囲
内の誘電体磁器の粉末X線回折より、ZrTiO4相も
しくは結晶学的にZrTiO4相である相が確認され
た。さらに、ZrTiO4相もしくは結晶学的にZrT
iO4相である相を主成分とする誘電体磁器の、破断面
及び研磨面の局所X線回折装置による組成分析により、
単一結晶粒内にZr,Ti,A,B,D(ただし、Aは
Mg,Co,Zn,Ni,Mnの少なくとも一種、Bは
Nb,Taの少なくとも一種、DはSn,Hf,Geの
少なくとも一種を示す)成分の全てが存在することが確
認され、その組成比は、同一誘電体磁器内において主相
を構成する他の結晶粒の組成比と一致した。また、単一
粒内に、配合した全てのA,B及びD成分が存在するこ
とが確認された。
内の誘電体磁器の粉末X線回折より、ZrTiO4相も
しくは結晶学的にZrTiO4相である相が確認され
た。さらに、ZrTiO4相もしくは結晶学的にZrT
iO4相である相を主成分とする誘電体磁器の、破断面
及び研磨面の局所X線回折装置による組成分析により、
単一結晶粒内にZr,Ti,A,B,D(ただし、Aは
Mg,Co,Zn,Ni,Mnの少なくとも一種、Bは
Nb,Taの少なくとも一種、DはSn,Hf,Geの
少なくとも一種を示す)成分の全てが存在することが確
認され、その組成比は、同一誘電体磁器内において主相
を構成する他の結晶粒の組成比と一致した。また、単一
粒内に、配合した全てのA,B及びD成分が存在するこ
とが確認された。
【0075】さらに、主相を構成する結晶粒内にZr,
Ti,A,B及びD成分が存在する誘電体磁器では、同
一焼成条件で得られたZrTiO4磁器と比較して格子
常数が大きくなっていることが確認された。これらのこ
とより、ZrTiO4相もしくは結晶学的にZrTiO4
相にA,B及びD成分が固溶置換していることが確認さ
れた。
Ti,A,B及びD成分が存在する誘電体磁器では、同
一焼成条件で得られたZrTiO4磁器と比較して格子
常数が大きくなっていることが確認された。これらのこ
とより、ZrTiO4相もしくは結晶学的にZrTiO4
相にA,B及びD成分が固溶置換していることが確認さ
れた。
【0076】このような誘電体磁器は、特に無負荷Q値
が高く、比誘電率が大きく、共振周波数の温度安定性が
優れており、前述したA成分とB成分のモル分率の比a
/bが0.5以上1.9以下である場合はさらに無負荷
Q値が高かった。
が高く、比誘電率が大きく、共振周波数の温度安定性が
優れており、前述したA成分とB成分のモル分率の比a
/bが0.5以上1.9以下である場合はさらに無負荷
Q値が高かった。
【0077】以上の結果より、本実施例の誘電体磁器
は、マイクロ波周波数帯において比誘電率を大きな値に
保ちながら高い無負荷Q値を有し、共振周波数の温度安
定性が優れていることが確認できた。
は、マイクロ波周波数帯において比誘電率を大きな値に
保ちながら高い無負荷Q値を有し、共振周波数の温度安
定性が優れていることが確認できた。
【0078】(実施例4)出発原料には化学的に高純度
のZrO2,TiO2,MgO,CoO,ZnO,Ni
O,MnCO3,Nb2O5,Ta2O5,BaCO3,Sr
CO3,CaCO3,CuO,Bi2O3,WO3を用い、
これらを所定の組成になるよう秤量し、ボールミルを用
いてエタノールとともに湿式混合した。粉体とエタノー
ルの体積比は約2:3である。
のZrO2,TiO2,MgO,CoO,ZnO,Ni
O,MnCO3,Nb2O5,Ta2O5,BaCO3,Sr
CO3,CaCO3,CuO,Bi2O3,WO3を用い、
これらを所定の組成になるよう秤量し、ボールミルを用
いてエタノールとともに湿式混合した。粉体とエタノー
ルの体積比は約2:3である。
【0079】この混合物をボールミルから取り出して乾
燥したのち空気中において800〜1250℃の温度で
2〜8時間仮焼した。仮焼物はエタノールとともに前記
のボールミル中で湿式粉砕した。粉砕泥しょうをボール
ミルから取り出して乾燥したのち、粉末にバインダーと
して濃度6容量%のポリビニールアルコール溶液を8重
量%添加して混合し均質とし、32メッシュのふるいを
通して整粒した。整粒粉体は金型と油圧プレスを用いて
成形圧力1.3ton/cm2で円筒同軸型に成形し
た。
燥したのち空気中において800〜1250℃の温度で
2〜8時間仮焼した。仮焼物はエタノールとともに前記
のボールミル中で湿式粉砕した。粉砕泥しょうをボール
ミルから取り出して乾燥したのち、粉末にバインダーと
して濃度6容量%のポリビニールアルコール溶液を8重
量%添加して混合し均質とし、32メッシュのふるいを
通して整粒した。整粒粉体は金型と油圧プレスを用いて
成形圧力1.3ton/cm2で円筒同軸型に成形し
た。
【0080】成形体を高純度のマグネシアさや鉢の中に
入れ、空気中において400℃〜700℃の温度で4〜
8時間保持してバインダーアウトを行なった後、空気中
において1200℃〜1650℃の温度で1〜100時
間保持して焼成し、外径7.2mm内径3.6mmの円
筒同軸型の誘電体磁器素子を得た。
入れ、空気中において400℃〜700℃の温度で4〜
8時間保持してバインダーアウトを行なった後、空気中
において1200℃〜1650℃の温度で1〜100時
間保持して焼成し、外径7.2mm内径3.6mmの円
筒同軸型の誘電体磁器素子を得た。
【0081】電極材料として銅を用いる場合には、無電
解鍍金法により、誘電体磁器素子表面に約3.5μmの
銅被膜を形成した。また、銀を用いる場合には、市販の
銀ペーストを焼き付けて銀被膜を形成した。いずれの場
合も同軸型素子の2つの端面の内の一つは電極材料を研
削し、TEMモード共振器とした。
解鍍金法により、誘電体磁器素子表面に約3.5μmの
銅被膜を形成した。また、銀を用いる場合には、市販の
銀ペーストを焼き付けて銀被膜を形成した。いずれの場
合も同軸型素子の2つの端面の内の一つは電極材料を研
削し、TEMモード共振器とした。
【0082】このようにして作製した誘電体共振器の主
成分組成及び副成分添加量を(表13〜14)に、用い
た電極材料と無負荷Q値及び接着強度を表15〜16に
示す。なお、共振周波数は1.3〜1.7GHzであっ
た。また、表8及び表9において*印のついたものは比
較例である。
成分組成及び副成分添加量を(表13〜14)に、用い
た電極材料と無負荷Q値及び接着強度を表15〜16に
示す。なお、共振周波数は1.3〜1.7GHzであっ
た。また、表8及び表9において*印のついたものは比
較例である。
【0083】
【表13】
【0084】
【表14】
【0085】
【表15】
【0086】
【表16】
【0087】表13〜16に示す結果から明らかなよう
に、本実施例の誘電体共振器は、銀電極はもとより、無
電解銅電極を形成した場合にも接着強度が高いためマイ
クロ波周波数帯において高い無負荷Q値を有するととも
に、電極はがれによる共振周波数のずれが防止され、電
気的特性が安定している。また、銅鍍金による電極形成
に向くため、大量処理に適し、製造コストを安価にする
ことができる。
に、本実施例の誘電体共振器は、銀電極はもとより、無
電解銅電極を形成した場合にも接着強度が高いためマイ
クロ波周波数帯において高い無負荷Q値を有するととも
に、電極はがれによる共振周波数のずれが防止され、電
気的特性が安定している。また、銅鍍金による電極形成
に向くため、大量処理に適し、製造コストを安価にする
ことができる。
【0088】また、本発明の実施例4の組成範囲内の誘
電体磁器の粉末X線回折より、ZrTiO4相もしくは
結晶学的にZrTiO4相である相が確認された。さら
に、ZrTiO4相もしくは結晶学的にZrTiO4相で
ある相を主成分とする誘電体磁器の、破断面及び研磨面
の局所X線回折装置による組成分析により、単一結晶粒
内にZr,Ti,A,B(ただし、AはMg,Co,Z
n,Ni,Mnの少なくとも一種、BはNb,Taの少
なくとも一種を示す)成分の全てが存在することが確認
され、その組成比は、同一誘電体磁器内において主相を
構成する他の結晶粒の組成比と一致した。また、単一粒
内に、配合した全てのA,B成分が存在することが確認
された。さらに、主相を構成する結晶粒内にZr,T
i,A,B成分が存在する誘電体磁器では、同一焼成条
件で得られたZrTiO4磁器と比較して格子常数が大
きくなっていることが確認された。これらのことより、
ZrTiO4相もしくは結晶学的にZrTiO4相にA,
B成分が固溶置換していることが確認された。
電体磁器の粉末X線回折より、ZrTiO4相もしくは
結晶学的にZrTiO4相である相が確認された。さら
に、ZrTiO4相もしくは結晶学的にZrTiO4相で
ある相を主成分とする誘電体磁器の、破断面及び研磨面
の局所X線回折装置による組成分析により、単一結晶粒
内にZr,Ti,A,B(ただし、AはMg,Co,Z
n,Ni,Mnの少なくとも一種、BはNb,Taの少
なくとも一種を示す)成分の全てが存在することが確認
され、その組成比は、同一誘電体磁器内において主相を
構成する他の結晶粒の組成比と一致した。また、単一粒
内に、配合した全てのA,B成分が存在することが確認
された。さらに、主相を構成する結晶粒内にZr,T
i,A,B成分が存在する誘電体磁器では、同一焼成条
件で得られたZrTiO4磁器と比較して格子常数が大
きくなっていることが確認された。これらのことより、
ZrTiO4相もしくは結晶学的にZrTiO4相にA,
B成分が固溶置換していることが確認された。
【0089】このような誘電体磁器は、特に無負荷Q値
が高く、比誘電率が大きく、共振周波数の温度安定性が
優れており、前述したA成分とB成分のモル分率の比a
/bが0.5以上1.9以下である場合はさらに無負荷
Q値が高かった。また、この様な誘電体磁器を用いた誘
電体共振器は、特に無負荷Q値が高く、高い電極接着強
度を有した。
が高く、比誘電率が大きく、共振周波数の温度安定性が
優れており、前述したA成分とB成分のモル分率の比a
/bが0.5以上1.9以下である場合はさらに無負荷
Q値が高かった。また、この様な誘電体磁器を用いた誘
電体共振器は、特に無負荷Q値が高く、高い電極接着強
度を有した。
【0090】以上の結果より、本実施例の誘電体共振器
は、マイクロ波周波数帯において特に高い無負荷Q値を
有することが確認できた。また、電極はがれによる共振
周波数のずれが防止され、さらには銅鍍金による電極形
成に向くため、大量処理に適し、製造コストが安価にな
る利点を有する。
は、マイクロ波周波数帯において特に高い無負荷Q値を
有することが確認できた。また、電極はがれによる共振
周波数のずれが防止され、さらには銅鍍金による電極形
成に向くため、大量処理に適し、製造コストが安価にな
る利点を有する。
【0091】(実施例5)出発原料には実施例1と同様
の化学的に高純度のZrO2,TiO2,MgO,Co
O,ZnO,NiO,MnCO3,Nb2O5,Ta
2O5,SnO2,HfO2,GeO2,BaCO3,SrC
O3,CaCO3,CuO,Bi2O3,WO3を用い、こ
れらを所定の組成になるよう秤量し、ボールミルを用い
てエタノールとともに湿式混合した。粉体とエタノール
の体積比は約2:3である。この混合物をボールミルか
ら取り出して乾燥したのち空気中において800〜12
50℃の温度で2〜8時間仮焼した。仮焼物はエタノー
ルとともに前記のボールミル中で湿式粉砕した。粉砕泥
しょうをボールミルから取り出して乾燥したのち、粉末
にバインダーとして濃度6%のポリビニールアルコール
溶液を8重量%添加して混合し均質とし、32メッシュ
のふるいを通して整粒した。整粒粉体は金型と油圧プレ
スを用いて成形圧力1.3ton/cm2で円筒同軸型
に成形した。
の化学的に高純度のZrO2,TiO2,MgO,Co
O,ZnO,NiO,MnCO3,Nb2O5,Ta
2O5,SnO2,HfO2,GeO2,BaCO3,SrC
O3,CaCO3,CuO,Bi2O3,WO3を用い、こ
れらを所定の組成になるよう秤量し、ボールミルを用い
てエタノールとともに湿式混合した。粉体とエタノール
の体積比は約2:3である。この混合物をボールミルか
ら取り出して乾燥したのち空気中において800〜12
50℃の温度で2〜8時間仮焼した。仮焼物はエタノー
ルとともに前記のボールミル中で湿式粉砕した。粉砕泥
しょうをボールミルから取り出して乾燥したのち、粉末
にバインダーとして濃度6%のポリビニールアルコール
溶液を8重量%添加して混合し均質とし、32メッシュ
のふるいを通して整粒した。整粒粉体は金型と油圧プレ
スを用いて成形圧力1.3ton/cm2で円筒同軸型
に成形した。
【0092】成形体を高純度のマグネシアさや鉢の中に
入れ、空気中において400℃〜700℃の温度で4〜
8時間保持してバインダーアウトを行なった後、空気中
において1200℃〜1650℃の温度で1〜100時
間保持して焼成し、外径7.2mm内径3.6mmの円
筒同軸型の誘電体磁器素子を得た。
入れ、空気中において400℃〜700℃の温度で4〜
8時間保持してバインダーアウトを行なった後、空気中
において1200℃〜1650℃の温度で1〜100時
間保持して焼成し、外径7.2mm内径3.6mmの円
筒同軸型の誘電体磁器素子を得た。
【0093】電極材料として銅を用いる場合には、無電
解鍍金法により、誘電体磁器素子表面に約3.5μmの
銅被膜を形成した。また、銀を用いる場合には、市販の
銀ペーストを焼き付けて銀被膜を形成した。いずれの場
合も同軸型素子の2つの端面の内の一つは電極材料を研
削し、TEMモード共振器とした。
解鍍金法により、誘電体磁器素子表面に約3.5μmの
銅被膜を形成した。また、銀を用いる場合には、市販の
銀ペーストを焼き付けて銀被膜を形成した。いずれの場
合も同軸型素子の2つの端面の内の一つは電極材料を研
削し、TEMモード共振器とした。
【0094】このようにして作製した誘電体共振器の主
成分組成及び副成分添加量を表17〜18に、用いた電
極材料と無負荷Q値及び接着強度を表19に示す。な
お、共振周波数は1.3〜1.7GHzであった。
成分組成及び副成分添加量を表17〜18に、用いた電
極材料と無負荷Q値及び接着強度を表19に示す。な
お、共振周波数は1.3〜1.7GHzであった。
【0095】
【表17】
【0096】
【表18】
【0097】
【表19】
【0098】表17〜19に示す結果から明らかなよう
に、本実施例の誘電体共振器は、銀電極はもとより、無
電解銅電極を形成した場合にも接着強度が高いためマイ
クロ波周波数帯において高い無負荷Q値を有するととも
に、電極はがれによる共振周波数のずれが防止され、電
気的特性が安定していることが確認できた。また、銅鍍
金による電極形成に向くため、大量処理に適し、製造コ
ストが安価になる利点を有する。
に、本実施例の誘電体共振器は、銀電極はもとより、無
電解銅電極を形成した場合にも接着強度が高いためマイ
クロ波周波数帯において高い無負荷Q値を有するととも
に、電極はがれによる共振周波数のずれが防止され、電
気的特性が安定していることが確認できた。また、銅鍍
金による電極形成に向くため、大量処理に適し、製造コ
ストが安価になる利点を有する。
【0099】また、本実施例5の組成範囲内の誘電体磁
器の粉末X線回折より、ZrTiO 4相もしくは結晶学
的にZrTiO4相である相が確認された。さらに、Z
rTiO4相もしくは結晶学的にZrTiO4相である相
を主成分とする誘電体磁器の、破断面及び研磨面の局所
X線回折装置による組成分析により、単一結晶粒内にZ
r,Ti,A,B,D(ただし、AはMg,Co,Z
n,Ni,Mnの少なくとも一種、BはNb,Taの少
なくとも一種、DはSn,Hf,Geの少なくとも一種
を示す)成分の全てが存在することが確認され、その組
成比は、同一誘電体磁器内において主相を構成する他の
結晶粒の組成比と一致した。また、単一粒内に、配合し
た全てのA,B及びD成分が存在することが確認され
た。さらに、主相を構成する結晶粒内にZr,Ti,
A,B及びD成分が存在する誘電体磁器では、同一焼成
条件で得られたZrTiO4磁器と比較して格子常数が
大きくなっていることが確認された。これらのことよ
り、ZrTiO4相もしくは結晶学的にZrTiO4相に
A,B及びD成分が固溶置換していることが確認され
た。
器の粉末X線回折より、ZrTiO 4相もしくは結晶学
的にZrTiO4相である相が確認された。さらに、Z
rTiO4相もしくは結晶学的にZrTiO4相である相
を主成分とする誘電体磁器の、破断面及び研磨面の局所
X線回折装置による組成分析により、単一結晶粒内にZ
r,Ti,A,B,D(ただし、AはMg,Co,Z
n,Ni,Mnの少なくとも一種、BはNb,Taの少
なくとも一種、DはSn,Hf,Geの少なくとも一種
を示す)成分の全てが存在することが確認され、その組
成比は、同一誘電体磁器内において主相を構成する他の
結晶粒の組成比と一致した。また、単一粒内に、配合し
た全てのA,B及びD成分が存在することが確認され
た。さらに、主相を構成する結晶粒内にZr,Ti,
A,B及びD成分が存在する誘電体磁器では、同一焼成
条件で得られたZrTiO4磁器と比較して格子常数が
大きくなっていることが確認された。これらのことよ
り、ZrTiO4相もしくは結晶学的にZrTiO4相に
A,B及びD成分が固溶置換していることが確認され
た。
【0100】このような誘電体磁器は、特に無負荷Q値
が高く、比誘電率が大きく、共振周波数の温度安定性が
優れており、前述したA成分とB成分のモル分率の比a
/bが0.5以上1.9以下である場合はさらに無負荷
Q値が高かった。また、この様な誘電体磁器を用いた誘
電体共振器は、特に無負荷Q値が高く、高い電極接着強
度を有した。
が高く、比誘電率が大きく、共振周波数の温度安定性が
優れており、前述したA成分とB成分のモル分率の比a
/bが0.5以上1.9以下である場合はさらに無負荷
Q値が高かった。また、この様な誘電体磁器を用いた誘
電体共振器は、特に無負荷Q値が高く、高い電極接着強
度を有した。
【0101】以上の結果より、本実施例の誘電体共振器
は、マイクロ波周波数帯において特に高い無負荷Q値を
有することが確認できた。また、電極はがれによる共振
周波数のずれが防止され、さらには銅鍍金による電極形
成に向くため、大量処理に適し、製造コストが安価にな
る利点を有する。
は、マイクロ波周波数帯において特に高い無負荷Q値を
有することが確認できた。また、電極はがれによる共振
周波数のずれが防止され、さらには銅鍍金による電極形
成に向くため、大量処理に適し、製造コストが安価にな
る利点を有する。
【0102】なお、本発明の実施例4及び5において
は、誘電体磁器として円筒同軸型のものを用いている
が、必ずしもこれに限定されるものではなく、例えば角
柱同軸型、段付き同軸型形状の誘電体磁器を用いたTE
Mモード共振器、あるいは平面形状の誘電体磁器を用い
たマイクロストリップライン共振器、トリプレート共振
器を構成しても、従来と同等以上の高い無負荷Q値を得
ることができ、高安定で低コストの誘電体共振器を得る
ことができた。
は、誘電体磁器として円筒同軸型のものを用いている
が、必ずしもこれに限定されるものではなく、例えば角
柱同軸型、段付き同軸型形状の誘電体磁器を用いたTE
Mモード共振器、あるいは平面形状の誘電体磁器を用い
たマイクロストリップライン共振器、トリプレート共振
器を構成しても、従来と同等以上の高い無負荷Q値を得
ることができ、高安定で低コストの誘電体共振器を得る
ことができた。
【0103】
【発明の効果】本発明に係る誘電体磁器の構成によれ
ば、ZrTiO4系及びZrO2−SnO 2−TiO2系磁
器の焼成時の熱履歴による共振周波数の温度係数の変動
を低減することができる。また、無負荷Q値が高く、し
かも、比誘電率を落とすことなく共振周波数の温度係数
を任意に変化させることができる。
ば、ZrTiO4系及びZrO2−SnO 2−TiO2系磁
器の焼成時の熱履歴による共振周波数の温度係数の変動
を低減することができる。また、無負荷Q値が高く、し
かも、比誘電率を落とすことなく共振周波数の温度係数
を任意に変化させることができる。
【0104】また、前記本発明に係る誘電体共振器の構
成によれば、高い無負荷Q値と強固な電極層を備えた誘
電体共振器を得ることができる。
成によれば、高い無負荷Q値と強固な電極層を備えた誘
電体共振器を得ることができる。
【図1】図1Aは本発明の一実施例の円筒同軸誘電体共
振器の軸方向に添った断面図。図1Bは図1AのI−I
断面図。
振器の軸方向に添った断面図。図1Bは図1AのI−I
断面図。
1,4 電極 2,5 誘電体磁器 3 開放端
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 釘宮 公一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (12)
- 【請求項1】 Zrと、Tiと、{Mg,Co,Zn,
Ni,Mn}からなる群(A)から選ばれた少なくとも一
種の成分と、{Nb,Ta}からなる群(B)から選ばれ
た少なくとも一種の成分の複合酸化物を主成分とし、さ
らに副成分として{Ba,Sr,Ca,Cu,Bi,
W}からなる群(C)から選ばれた少なくとも一種の成分
を含む誘電体磁器。 - 【請求項2】 誘電体磁器の主成分が、組成式:xZr
O2−yTiO2−zA(1+ u)/3B(2-u)/3O2で表わされ、
記号Aが{Mg,Co,Zn,Ni,Mn}からなる群
(A)から選ばれた少なくとも一種の成分であり、且つ記
号Bが{Nb,Ta}からなる群(B)から選ばれた少な
くとも一種の成分であり、且つx,y,z,u(ただ
し、x,y,zはモル分率、uは下記式(数1)で表わ
される数値を示す)が下記式(数1)で示される範囲に
ある請求項1に記載の誘電体磁器。 【数1】 - 【請求項3】 誘電体磁器の副成分が、全体重量に対し
0.005重量%以上7.000重量%以下存在してい
る請求項1に記載の誘電体磁器。 - 【請求項4】 {Mg,Co,Zn,Ni,Mn}から
なる群(A)から選ばれた少なくとも一種の成分と{N
b,Ta}からなる群(B)から選ばれた少なくとも一種
の成分が、固溶置換しているZrTiO4相もしくは結
晶学的にZrTiO4相を主成分とする請求項2に記載
の誘電体磁器。 - 【請求項5】 {Mg,Co,Zn,Ni,Mn}から
なる群(A)から選ばれた少なくとも一種の成分と{N
b,Ta}からなる群(B)から選ばれた少なくとも一種
の成分が、固溶置換しているZrTiO4相もしくは結
晶学的にZrTiO4相を主成分とし、且つa/b(た
だし、記号a及びbはそれぞれ前記群(A)及び(B)の成分
のモル分率の合計を示す)が0.5以上1.9以下であ
る請求項2に記載の誘電体磁器。 - 【請求項6】 誘電体磁器の主成分として、さらに{S
n,Hf,Ge}からなる群(D)から選ばれた少なくと
も一種の成分の複合酸化物を含む請求項1に記載の誘電
体磁器。 - 【請求項7】 誘電体磁器の主成分が、組成式:xZr
O2−yTiO2−zA(1+ u)/3B(2-u)/3O2−vDO2で表
わされ、記号Aが{Mg,Co,Zn,Ni,Mn}か
らなる群(A)から選ばれた少なくとも一種の成分であ
り、且つ記号Bが{Nb,Ta}からなる群(B)から選
ばれた少なくとも一種の成分であり、且つ記号Dが{S
n,Hf,Ge}からなる群(D)から選ばれた少なくと
も一種の成分であり、且つx,y,z,v,u(ただ
し、x,y,z,vはモル分率、uは下記式(数2)で
表わされる数値を示す)が下記式(数2)で示される範
囲にある請求項6に記載の誘電体磁器。 【数2】 - 【請求項8】 誘電体磁器の副成分が、{Ba,Sr,
Ca,Cu,Bi,W}からなる群(C)から選ばれた少
なくとも一種の成分を、全体重量に対し0.005重量
%以上7.000重量%以下含む請求項6に記載の誘電
体磁器。 - 【請求項9】 {Mg,Co,Zn,Ni,Mn}から
なる群(A)から選ばれた少なくとも一種の成分と{N
b,Ta}からなる群(B)から選ばれた少なくとも一種
の成分と{Sn,Hf,Ge}からなる群(D)から選ば
れた少なくとも一種の成分が、固溶置換しているZrT
iO4相もしくは結晶学的にZrTiO4相を主成分とす
る請求項7に記載の誘電体磁器。 - 【請求項10】 {Mg,Co,Zn,Ni,Mn}か
らなる群(A)から選ばれた少なくとも一種の成分と{N
b,Ta}からなる群(B)から選ばれた少なくとも一種
の成分と{Sn,Hf,Ge}からなる群(D)から選ば
れた少なくとも一種の成分が、固溶置換しているZrT
iO4相もしくは結晶学的にZrTiO4相を主成分と
し、且つa/b(ただし、記号a及びbはそれぞれ前記
群(A)及び(B)の成分のモル分率の合計を示す)が0.5
以上1.9以下である請求項7に記載の誘電体磁器。 - 【請求項11】 請求項1〜10のいずれかの誘電体磁
器からなり、前記誘電体磁器表面に電極を備えた誘電体
共振器。 - 【請求項12】 電極が銅または銀である請求項11に
記載の誘電体共振器。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29461395A JP3229528B2 (ja) | 1994-11-22 | 1995-11-13 | 誘電体磁器及び誘電体共振器 |
US08/559,135 US5700745A (en) | 1994-11-22 | 1995-11-17 | Dielectric ceramic compositions and dielectric resonators |
DE69527185T DE69527185T2 (de) | 1994-11-22 | 1995-11-20 | Dielektrische, keramische Zusammensetzungen und dielektrische Resonatoren |
EP95118228A EP0717018B1 (en) | 1994-11-22 | 1995-11-20 | Dielectric ceramic compositions and dielectric resonators |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28828694 | 1994-11-22 | ||
JP6-288286 | 1994-11-22 | ||
JP29461395A JP3229528B2 (ja) | 1994-11-22 | 1995-11-13 | 誘電体磁器及び誘電体共振器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08225369A true JPH08225369A (ja) | 1996-09-03 |
JP3229528B2 JP3229528B2 (ja) | 2001-11-19 |
Family
ID=26557109
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29461395A Expired - Fee Related JP3229528B2 (ja) | 1994-11-22 | 1995-11-13 | 誘電体磁器及び誘電体共振器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5700745A (ja) |
EP (1) | EP0717018B1 (ja) |
JP (1) | JP3229528B2 (ja) |
DE (1) | DE69527185T2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002060270A (ja) * | 2000-08-21 | 2002-02-26 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 電子デバイス用誘電体磁器組成物 |
KR100481958B1 (ko) * | 2001-09-26 | 2005-04-13 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 유전체 자기 및 유전체 디바이스 |
KR100487420B1 (ko) * | 1999-05-20 | 2005-05-03 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 압전 세라믹 재료 및 이를 사용하여 얻은 압전 세라믹 소결체 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100353863B1 (ko) * | 1998-09-10 | 2003-01-24 | 주식회사 케이티 | 마이크로파유전체세라믹조성물 |
JP3698952B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2005-09-21 | 三星電機株式会社 | 誘電体磁器組成物とそれを用いた磁器コンデンサ及びその製造方法 |
RU2167842C1 (ru) * | 2000-07-25 | 2001-05-27 | Ненашева Елизавета Аркадьевна | Керамический материал на основе цинкзамещенного ниобата висмута |
EP1216974A1 (en) | 2000-12-20 | 2002-06-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic-glass composite and dielectric device |
KR100444223B1 (ko) * | 2001-11-13 | 2004-08-16 | 삼성전기주식회사 | 유전체 세라믹 조성물 |
JP3786044B2 (ja) * | 2002-04-17 | 2006-06-14 | 株式会社村田製作所 | 誘電体共振器装置、高周波フィルタおよび高周波発振器 |
US6809612B2 (en) * | 2002-04-30 | 2004-10-26 | Cts Corporation | Dielectric block signal filters with cost-effective conductive coatings |
FR2851852B1 (fr) * | 2003-02-27 | 2005-04-01 | Alstom | Antenne pour detecter des decharges partielles dans une cuve d'appareillage electrique |
JP2007112689A (ja) * | 2005-10-24 | 2007-05-10 | Tdk Corp | 誘電体粉末の製造方法、複合電子部品およびその製造方法 |
JP3985009B1 (ja) * | 2006-07-07 | 2007-10-03 | Tdk株式会社 | 誘電体磁器 |
US10092225B2 (en) * | 2016-02-12 | 2018-10-09 | Sarijit S. Bharj | Non-invasive system and method for measuring blood glucose in the human body utilizing a modified ceramic coaxial resonator |
CN108689708B (zh) * | 2018-05-17 | 2021-04-27 | 韶关学院 | 一种铋掺杂钛钽酸铜巨介电陶瓷材料及制备方法 |
CN115925415B (zh) * | 2022-10-26 | 2023-11-21 | 云南银峰新材料有限公司 | 一种离子改性的微波介质陶瓷、其制备方法及微波元器件 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2223491A1 (de) * | 1972-05-13 | 1973-12-20 | Bayer Ag | Mischphasen mit zrti0 tief 4-struktur |
JPS5217698A (en) * | 1975-07-31 | 1977-02-09 | Murata Mfg Co Ltd | Dielectric porcelain composite to the high frequency purpose |
US4665041A (en) * | 1985-05-10 | 1987-05-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition for high frequencies |
JPS62132769A (ja) | 1985-12-03 | 1987-06-16 | 日揮株式会社 | マイクロ波用誘電体磁器組成物 |
US4785375A (en) * | 1987-06-11 | 1988-11-15 | Tam Ceramics, Inc. | Temperature stable dielectric composition at high and low frequencies |
DE3915339C2 (de) * | 1988-05-11 | 2003-11-27 | Sakai Chemical Industry Co | Masse zur Herstellung von keramischen Dielektrika und Verfahren zur Herstellung eines keramischen Dielektrikums |
JP2681214B2 (ja) * | 1988-05-11 | 1997-11-26 | 堺化学工業株式会社 | セラミック誘電体用組成物、これを用いて得られるセラミック誘電体及びその製造方法 |
JPH02192460A (ja) * | 1988-06-20 | 1990-07-30 | Sanyo Electric Co Ltd | マイクロ波用誘電体磁器組成物 |
US5132258A (en) * | 1990-08-21 | 1992-07-21 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Microwave dielectric ceramic composition |
JP3435607B2 (ja) * | 1992-05-01 | 2003-08-11 | 株式会社村田製作所 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
US5356843A (en) * | 1992-09-10 | 1994-10-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic compositions and dielectric resonators |
JP3368602B2 (ja) * | 1992-10-23 | 2003-01-20 | 株式会社村田製作所 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
US5948767A (en) * | 1994-12-09 | 1999-09-07 | Genzyme Corporation | Cationic amphiphile/DNA complexes |
-
1995
- 1995-11-13 JP JP29461395A patent/JP3229528B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-17 US US08/559,135 patent/US5700745A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-20 EP EP95118228A patent/EP0717018B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-20 DE DE69527185T patent/DE69527185T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100487420B1 (ko) * | 1999-05-20 | 2005-05-03 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 압전 세라믹 재료 및 이를 사용하여 얻은 압전 세라믹 소결체 |
JP2002060270A (ja) * | 2000-08-21 | 2002-02-26 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 電子デバイス用誘電体磁器組成物 |
JP4688008B2 (ja) * | 2000-08-21 | 2011-05-25 | 日立金属株式会社 | 電子デバイス用誘電体磁器組成物 |
KR100481958B1 (ko) * | 2001-09-26 | 2005-04-13 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 유전체 자기 및 유전체 디바이스 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69527185T2 (de) | 2003-01-30 |
EP0717018A1 (en) | 1996-06-19 |
JP3229528B2 (ja) | 2001-11-19 |
US5700745A (en) | 1997-12-23 |
DE69527185D1 (de) | 2002-08-01 |
EP0717018B1 (en) | 2002-06-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3229528B2 (ja) | 誘電体磁器及び誘電体共振器 | |
KR100415757B1 (ko) | 유전체 자기(誘電體磁器)조성물, 유전체 자기의 제조방법 및 유전체 공진기(共振器) | |
JP3974723B2 (ja) | 誘電体磁器の製造方法 | |
JP2768455B2 (ja) | 誘電体磁器及び誘電体共振器 | |
JP5187997B2 (ja) | 誘電体磁器とその製造方法及びこれを用いた誘電体共振器 | |
JP3006188B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
JP3411170B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
JP2002187771A (ja) | 誘電体磁器およびこれを用いた誘電体共振器 | |
JPH10330159A (ja) | マイクロ波誘電体磁器組成物 | |
JP3359427B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
JP3469986B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
JP3330024B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
JP3340008B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
JP3340019B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
JPH05298922A (ja) | マイクロ波用誘電体セラミックス | |
JP2887244B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
JP2835253B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物および誘電体材料 | |
JPH07211139A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JPS6256099B2 (ja) | ||
JPH0773735A (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
JPH0877828A (ja) | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 | |
JPH11130534A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JPS6346024B2 (ja) | ||
JPH09268058A (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
JPH07165466A (ja) | マイクロ波誘電体磁器組成物の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080907 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |