JPH11130534A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH11130534A JPH11130534A JP9297050A JP29705097A JPH11130534A JP H11130534 A JPH11130534 A JP H11130534A JP 9297050 A JP9297050 A JP 9297050A JP 29705097 A JP29705097 A JP 29705097A JP H11130534 A JPH11130534 A JP H11130534A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高周波領域において加工に適した低い比誘電率
と高いＱ値を有する誘電体磁器組成物を提供する。 【解決手段】金属元素としてＮａ、Ｍｇ、Ｗおよび希土
類元素を含有し、これらの金属元素酸化物のモル比によ
る組成式をｘ〔ａＮａＯ1/2 ・（１−ａ）ＡＯ3/ 2 〕・
ｙＭｇＯ・ｚＷＯ3 （ＡはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｙｂ、Ｌｕ
を除く希土類元素）と表した時、前記ｘ、ｙ、ｚおよび
ａが、０．４０≦ｘ≦０．５５、０．１５≦ｙ≦０．３
０、０．２０≦ｚ≦０．３０、０．４０≦ａ≦０．６
０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満足するものである。
と高いＱ値を有する誘電体磁器組成物を提供する。 【解決手段】金属元素としてＮａ、Ｍｇ、Ｗおよび希土
類元素を含有し、これらの金属元素酸化物のモル比によ
る組成式をｘ〔ａＮａＯ1/2 ・（１−ａ）ＡＯ3/ 2 〕・
ｙＭｇＯ・ｚＷＯ3 （ＡはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｙｂ、Ｌｕ
を除く希土類元素）と表した時、前記ｘ、ｙ、ｚおよび
ａが、０．４０≦ｘ≦０．５５、０．１５≦ｙ≦０．３
０、０．２０≦ｚ≦０．３０、０．４０≦ａ≦０．６
０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満足するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波、ミリ
波等の高周波領域において低い比誘電率及び高いＱ値を
有する誘電体磁器組成物に関し、特に、誘電体共振器、
フィルタ、コンデンサ等の高周波用の電子部品やＭＩＣ
用誘電体基板、ミリ波用導波路等に最適な誘電体磁器組
成物に関するものである。
波等の高周波領域において低い比誘電率及び高いＱ値を
有する誘電体磁器組成物に関し、特に、誘電体共振器、
フィルタ、コンデンサ等の高周波用の電子部品やＭＩＣ
用誘電体基板、ミリ波用導波路等に最適な誘電体磁器組
成物に関するものである。
【０００２】
【従来技術】従来、誘電体磁器は、マイクロ波やミリ波
等の高周波領域において、誘電体共振器やＭＩＣ用誘電
体基板等に広く利用されている。また最近では、ミリ波
用導波路に誘電体線路が応用されている。
等の高周波領域において、誘電体共振器やＭＩＣ用誘電
体基板等に広く利用されている。また最近では、ミリ波
用導波路に誘電体線路が応用されている。
【０００３】従来より、この種の誘電体磁器としては、
例えばＺｒＯ2 −ＳｎＯ2 −ＴｉＯ2 系材料、ＢａＯ−
ＴｉＯ2 系材料、（Ｂａ，Ｓｒ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 系
材料及びＢａ（Ｚｎ，Ｔａ）Ｏ3 系材料等が知られてお
り、これらの材料は各種の改良により周波数５００ＭＨ
ｚ〜５ＧＨｚにおいて比誘電率２０〜４０、Ｑ値が１０
００〜３０００（Ｑｆ＝１５０００以下）、さらに共振
周波数の温度係数（τｆ）が０ｐｐｍ／℃付近の特性を
有している。
例えばＺｒＯ2 −ＳｎＯ2 −ＴｉＯ2 系材料、ＢａＯ−
ＴｉＯ2 系材料、（Ｂａ，Ｓｒ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 系
材料及びＢａ（Ｚｎ，Ｔａ）Ｏ3 系材料等が知られてお
り、これらの材料は各種の改良により周波数５００ＭＨ
ｚ〜５ＧＨｚにおいて比誘電率２０〜４０、Ｑ値が１０
００〜３０００（Ｑｆ＝１５０００以下）、さらに共振
周波数の温度係数（τｆ）が０ｐｐｍ／℃付近の特性を
有している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年に
おいては使用する周波数がより高くなる傾向にあるとと
もに、誘電体材料に対してさらに優れた誘電特性、特に
Ｑ値の向上が要求されている。ところが、前述した従来
の誘電体材料では、１０ＧＨｚの使用周波数領域におい
て実用的レベルの高いＱ値を有していないのが現状であ
る。
おいては使用する周波数がより高くなる傾向にあるとと
もに、誘電体材料に対してさらに優れた誘電特性、特に
Ｑ値の向上が要求されている。ところが、前述した従来
の誘電体材料では、１０ＧＨｚの使用周波数領域におい
て実用的レベルの高いＱ値を有していないのが現状であ
る。
【０００５】また、近年では、加工性の面から比誘電率
が小さい材料が要求されているが、上記従来の誘電体材
料では比誘電率が２０〜４０であり、加工性という観点
からさらに比誘電率の小さい材料が要求されていた。
が小さい材料が要求されているが、上記従来の誘電体材
料では比誘電率が２０〜４０であり、加工性という観点
からさらに比誘電率の小さい材料が要求されていた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記問題点
に対して種々検討を加えた結果、金属元素としてＮａ、
Ｍｇ、Ｗおよび希土類元素（Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｙｂ、Ｌ
ｕを除く）を含有し、これらの金属元素酸化物のモル比
による組成式をｘ〔ａＮａＯ1/2 ・（１−ａ）Ａ
Ｏ3/2 〕・ｙＭｇＯ・ｚＷＯ3 と表した時、ｘ、ｙ、ｚ
およびａが所定値である誘電体磁器組成物では、比誘電
率が小さく、かつ、高周波領域において高Ｑ値を有する
ことを見出し、本発明に至った。
に対して種々検討を加えた結果、金属元素としてＮａ、
Ｍｇ、Ｗおよび希土類元素（Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｙｂ、Ｌ
ｕを除く）を含有し、これらの金属元素酸化物のモル比
による組成式をｘ〔ａＮａＯ1/2 ・（１−ａ）Ａ
Ｏ3/2 〕・ｙＭｇＯ・ｚＷＯ3 と表した時、ｘ、ｙ、ｚ
およびａが所定値である誘電体磁器組成物では、比誘電
率が小さく、かつ、高周波領域において高Ｑ値を有する
ことを見出し、本発明に至った。
【０００７】即ち、本発明の誘電体磁器組成物は、金属
元素としてＮａ、Ｍｇ、Ｗおよび希土類元素を含有し、
これらの金属元素酸化物のモル比による組成式をｘ〔ａ
ＮａＯ1/2 ・（１−ａ）ＡＯ3/2 〕・ｙＭｇＯ・ｚＷＯ
3 （ＡはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｙｂ、Ｌｕを除く希土類元
素）と表した時、前記ｘ、ｙ、ｚおよびａが、０．４０
≦ｘ≦０．５５、０．１５≦ｙ≦０．３０、０．２０≦
ｚ≦０．３０、０．４０≦ａ≦０．６０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１を満足するものである。ここで、（Ｎａ1/2 Ａ1/2 ）
（Ｍｇ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 で表されるペロブスカイト型結
晶を主結晶相とすることが望ましい。
元素としてＮａ、Ｍｇ、Ｗおよび希土類元素を含有し、
これらの金属元素酸化物のモル比による組成式をｘ〔ａ
ＮａＯ1/2 ・（１−ａ）ＡＯ3/2 〕・ｙＭｇＯ・ｚＷＯ
3 （ＡはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｙｂ、Ｌｕを除く希土類元
素）と表した時、前記ｘ、ｙ、ｚおよびａが、０．４０
≦ｘ≦０．５５、０．１５≦ｙ≦０．３０、０．２０≦
ｚ≦０．３０、０．４０≦ａ≦０．６０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１を満足するものである。ここで、（Ｎａ1/2 Ａ1/2 ）
（Ｍｇ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 で表されるペロブスカイト型結
晶を主結晶相とすることが望ましい。
【０００８】
【作用】本発明の誘電体磁器組成物では、１０ＧＨｚの
測定周波数で比誘電率が１７以下と小さいため、マイク
ロ波、ミリ波等の高周波で要求される精度での磁器の加
工が容易であり、かつ、１０ＧＨｚの測定周波数でのＱ
値を１５００以上（Ｑｆ＝１５０００以上）とすること
ができる。
測定周波数で比誘電率が１７以下と小さいため、マイク
ロ波、ミリ波等の高周波で要求される精度での磁器の加
工が容易であり、かつ、１０ＧＨｚの測定周波数でのＱ
値を１５００以上（Ｑｆ＝１５０００以上）とすること
ができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の誘電体磁器組成物は、金
属元素酸化物のモル比による組成式を、ｘ〔（ａＮａＯ
1/2 ・（１−ａ）ＡＯ3/2 ）〕・ｙＭｇＯ・ｚＷＯ
3 （ＡはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｙｂ、Ｌｕを除く希土類元
素）と表した時、前記ｘ、ｙ、ｚおよびａが、０．４０
≦ｘ≦０．５５、０．１５≦ｙ≦０．３０、０．２０≦
ｚ≦０．３０、０．４０≦ａ≦０．６０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１を満足するものである。
属元素酸化物のモル比による組成式を、ｘ〔（ａＮａＯ
1/2 ・（１−ａ）ＡＯ3/2 ）〕・ｙＭｇＯ・ｚＷＯ
3 （ＡはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｙｂ、Ｌｕを除く希土類元
素）と表した時、前記ｘ、ｙ、ｚおよびａが、０．４０
≦ｘ≦０．５５、０．１５≦ｙ≦０．３０、０．２０≦
ｚ≦０．３０、０．４０≦ａ≦０．６０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１を満足するものである。
【００１０】組成式ｘ〔（ａＮａＯ1/2 ・（１−ａ）Ａ
Ｏ3/2 ）〕・ｙＭｇＯ・ｚＷＯ3 において、（ａＮａＯ
1/2 ・（１−ａ）ＡＯ3/2 ）のモル比ｘを０．４０≦ｘ
≦０．５５としたのは、ｘが０．４０よりも小さい場合
や０．５５よりも大きい場合には焼結不良となったり、
Ｑ値が低下するからである。ｘはＱ値向上という観点か
ら０．４８〜０．５２が望ましい。
Ｏ3/2 ）〕・ｙＭｇＯ・ｚＷＯ3 において、（ａＮａＯ
1/2 ・（１−ａ）ＡＯ3/2 ）のモル比ｘを０．４０≦ｘ
≦０．５５としたのは、ｘが０．４０よりも小さい場合
や０．５５よりも大きい場合には焼結不良となったり、
Ｑ値が低下するからである。ｘはＱ値向上という観点か
ら０．４８〜０．５２が望ましい。
【００１１】また、ＭｇＯのモル比ｙを０．１５≦ｙ≦
０．３０としたのは、ｙが０．１５よりも小さい場合に
は焼結不良となったり、Ｑ値が低下し、０．３０よりも
大きい場合にはＱ値が低下したり、焼結不良となるから
である。ＭｇＯのモル比ｙは０．２２〜０．２８である
ことが望ましい。
０．３０としたのは、ｙが０．１５よりも小さい場合に
は焼結不良となったり、Ｑ値が低下し、０．３０よりも
大きい場合にはＱ値が低下したり、焼結不良となるから
である。ＭｇＯのモル比ｙは０．２２〜０．２８である
ことが望ましい。
【００１２】さらに、ＷＯ3 のモル比ｚを０．２０≦ｚ
≦０．３０としたのは、ｚが０．２０よりも小さい場合
や０．３０よりも大きい場合にはＱ値が低下するからで
ある。ＷＯ3 のモル比ｚは、Ｑ値の向上と焼結性という
観点から０．２２〜０．２８であることが望ましい。
≦０．３０としたのは、ｚが０．２０よりも小さい場合
や０．３０よりも大きい場合にはＱ値が低下するからで
ある。ＷＯ3 のモル比ｚは、Ｑ値の向上と焼結性という
観点から０．２２〜０．２８であることが望ましい。
【００１３】また、ａＮａＯ1/2 ・（１−ａ）ＡＯ3/2
と表されるＮａＯ1/2 とＡＯ3/2 のモル比ａを０．４０
≦ａ≦０．６０としたのは、ａが０．４０よりも小さい
場合や０．６０よりも大きい場合にはＱ値が低下するか
らである。ａは、高Ｑ値および低比誘電率という観点か
ら０．４３〜０．５２であることが望ましい。
と表されるＮａＯ1/2 とＡＯ3/2 のモル比ａを０．４０
≦ａ≦０．６０としたのは、ａが０．４０よりも小さい
場合や０．６０よりも大きい場合にはＱ値が低下するか
らである。ａは、高Ｑ値および低比誘電率という観点か
ら０．４３〜０．５２であることが望ましい。
【００１４】本発明の誘電体磁器組成物は、高Ｑ値およ
び低比誘電率という観点から、金属元素酸化物のモル比
による組成式をｘ〔（ａＮａＯ1/2 ・（１−ａ）ＡＯ
3/2 ）〕・ｙＭｇＯ・ｚＷＯ3 と表した時、前記ｘ、
ｙ、ｚおよびａが、０．４８≦ｘ≦０．５２、０．２２
≦ｙ≦０．２８、０．２２≦ｚ≦０．２８、０．４３≦
ａ≦０．５２、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満足することが望まし
い。この場合には、比誘電率が１６以下で、１０ＧＨｚ
でのＱ値が２５００以上の特性を得ることができる。
び低比誘電率という観点から、金属元素酸化物のモル比
による組成式をｘ〔（ａＮａＯ1/2 ・（１−ａ）ＡＯ
3/2 ）〕・ｙＭｇＯ・ｚＷＯ3 と表した時、前記ｘ、
ｙ、ｚおよびａが、０．４８≦ｘ≦０．５２、０．２２
≦ｙ≦０．２８、０．２２≦ｚ≦０．２８、０．４３≦
ａ≦０．５２、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満足することが望まし
い。この場合には、比誘電率が１６以下で、１０ＧＨｚ
でのＱ値が２５００以上の特性を得ることができる。
【００１５】ＡをＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｙｂ、Ｌｕを除く希
土類元素としたのは、イオン半径が小さいＳｃ、Ｙ、Ｙ
ｂ、Ｌｕではペロブスカイト構造をとらず、焼結不良と
なったり、高いＱ値が得られないからである。Ａとして
は、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｄｙが望ましく、特にＮｄが望
ましい。
土類元素としたのは、イオン半径が小さいＳｃ、Ｙ、Ｙ
ｂ、Ｌｕではペロブスカイト構造をとらず、焼結不良と
なったり、高いＱ値が得られないからである。Ａとして
は、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｄｙが望ましく、特にＮｄが望
ましい。
【００１６】本発明の誘電体磁器組成物は、Ｎａ
Ｏ1/2 、ＡＯ3/2 、ＭｇＯ、ＷＯ3 からなるものであ
り、結晶相として（Ｎａ1/2 Ａ1/2 ）（Ｍｇ
1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 で表されるペロブスカイト型結晶を主
結晶相とするものである。即ち、ペロブスカイト型結晶
のＡサイトをＮａおよびＡで構成し、ＢサイトをＭｇお
よびＷを１：１で構成してなる結晶を主結晶とするもの
である。このような結晶を有する誘電体はそれ自体焼結
体等の多結晶体でもあるいは単結晶体のいずれの形態で
も良い。
Ｏ1/2 、ＡＯ3/2 、ＭｇＯ、ＷＯ3 からなるものであ
り、結晶相として（Ｎａ1/2 Ａ1/2 ）（Ｍｇ
1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 で表されるペロブスカイト型結晶を主
結晶相とするものである。即ち、ペロブスカイト型結晶
のＡサイトをＮａおよびＡで構成し、ＢサイトをＭｇお
よびＷを１：１で構成してなる結晶を主結晶とするもの
である。このような結晶を有する誘電体はそれ自体焼結
体等の多結晶体でもあるいは単結晶体のいずれの形態で
も良い。
【００１７】尚、本発明の誘電体磁器組成物では、（Ｎ
ａ1/2 Ａ1/2 ）（Ｍｇ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 以外の結晶相と
して、ＡＯ3/2 、Ａ2/3 （Ｍｇ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 、Ｍｇ
ＷＯ4 等が存在することもあるが、微量であれば特性上
問題ない。
ａ1/2 Ａ1/2 ）（Ｍｇ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 以外の結晶相と
して、ＡＯ3/2 、Ａ2/3 （Ｍｇ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 、Ｍｇ
ＷＯ4 等が存在することもあるが、微量であれば特性上
問題ない。
【００１８】本発明の誘電体磁器組成物を作製する方法
としては、先ずＮａ、Ａ、Ｍｇ、Ｗを含有する原料粉末
を準備する。この原料粉末は、Ｎａ、Ａ、Ｍｇ、Ｗを含
有する酸化物、炭酸塩、酢酸塩等の無機化合物、もしく
は有機金属等の有機化合物のいずれであっても、焼成に
より酸化物となるものであれば良い。
としては、先ずＮａ、Ａ、Ｍｇ、Ｗを含有する原料粉末
を準備する。この原料粉末は、Ｎａ、Ａ、Ｍｇ、Ｗを含
有する酸化物、炭酸塩、酢酸塩等の無機化合物、もしく
は有機金属等の有機化合物のいずれであっても、焼成に
より酸化物となるものであれば良い。
【００１９】これらの原料をＮａＯ1/2 、ＡＯ3/2 、Ｍ
ｇＯ、ＷＯ3 換算で前述の範囲となるように秤量した
後、十分に混合する。その後、混合物を９００〜１１０
０℃で仮焼し、粉砕する。そして、この仮焼粉末に所定
のバインダー等を添加し、プレス成形やドクターブレー
ド法等の周知の成形法により所定の形状に成形する。次
に成形体を大気中等の酸化性雰囲気中で１１００〜１３
５０℃で２〜１０時間焼成することにより本発明の誘電
体磁器組成物を得ることができる。
ｇＯ、ＷＯ3 換算で前述の範囲となるように秤量した
後、十分に混合する。その後、混合物を９００〜１１０
０℃で仮焼し、粉砕する。そして、この仮焼粉末に所定
のバインダー等を添加し、プレス成形やドクターブレー
ド法等の周知の成形法により所定の形状に成形する。次
に成形体を大気中等の酸化性雰囲気中で１１００〜１３
５０℃で２〜１０時間焼成することにより本発明の誘電
体磁器組成物を得ることができる。
【００２０】本発明の誘電体磁器組成物では、不可避不
純物としてＣｌ、Ａｌ、Ｐ、Ｓｒ、Ｚｒ、Ｙ、Ｌａ、Ｙ
ｂ、Ｌｕ等が混入する場合があり、また、これらが全量
中０．１重量％程度混入しても特性上問題ない。また、
粉砕時の粉砕ボールから金属等が混入する場合もある。
また、本発明の誘電体磁器組成物の平均結晶粒径は０．
３〜４μｍである。
純物としてＣｌ、Ａｌ、Ｐ、Ｓｒ、Ｚｒ、Ｙ、Ｌａ、Ｙ
ｂ、Ｌｕ等が混入する場合があり、また、これらが全量
中０．１重量％程度混入しても特性上問題ない。また、
粉砕時の粉砕ボールから金属等が混入する場合もある。
また、本発明の誘電体磁器組成物の平均結晶粒径は０．
３〜４μｍである。
【００２１】
【実施例】原料として純度９９％以上のＮａ2 ＣＯ3 、
Ａ2 Ｏ3 、ＭｇＣＯ3 及びＷＯ3の各粉末を用いて、焼
結体が上記組成式におけるｘ、ｙ、ｚ、ａが表１に示す
値となるように秤量し、これをゴムで内張りしたボール
ミルに水とともに入れ、ＺｒＯ2 ボールを用いたボール
ミルにて８時間湿式混合した。次いで、この混合物を脱
水、乾燥した後、１０００℃で２時間仮焼し、当該仮焼
物をボールミルに水、有機バインダーとともに入れ８時
間湿式粉砕した。
Ａ2 Ｏ3 、ＭｇＣＯ3 及びＷＯ3の各粉末を用いて、焼
結体が上記組成式におけるｘ、ｙ、ｚ、ａが表１に示す
値となるように秤量し、これをゴムで内張りしたボール
ミルに水とともに入れ、ＺｒＯ2 ボールを用いたボール
ミルにて８時間湿式混合した。次いで、この混合物を脱
水、乾燥した後、１０００℃で２時間仮焼し、当該仮焼
物をボールミルに水、有機バインダーとともに入れ８時
間湿式粉砕した。
【００２２】その後、この粉砕物を乾燥した後、５０番
メッシュの網を通して造粒し、得られた粉末を３０００
ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で直径１０ｍｍ、厚み５ｍｍの寸法
の円柱に成形した。更に、この円柱を１３００℃６時間
の条件で焼成して磁器試料を得た。この磁器を研摩して
直径８ｍｍ、厚み４〜５ｍｍの寸法の試料を得た。
メッシュの網を通して造粒し、得られた粉末を３０００
ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で直径１０ｍｍ、厚み５ｍｍの寸法
の円柱に成形した。更に、この円柱を１３００℃６時間
の条件で焼成して磁器試料を得た。この磁器を研摩して
直径８ｍｍ、厚み４〜５ｍｍの寸法の試料を得た。
【００２３】かくして得られた磁器試料について、周波
数１０ＧＨｚにおける比誘電率（εr ）、Ｑ値を誘電体
共振器法にて測定した。それらの結果を表１に示した。
数１０ＧＨｚにおける比誘電率（εr ）、Ｑ値を誘電体
共振器法にて測定した。それらの結果を表１に示した。
【００２４】
【表１】
【００２５】この表１によれば、本発明の範囲外にある
試料Ｎｏ．２２〜２６、３７〜４０、４４はＱ値が１３
００以下、もしくは比誘電率が大きく、あるいは焼結不
良を生じた。これに対して本発明に係る試料Ｎｏ．１〜
２１、２７〜３６、４１〜４３は比誘電率が１７以下、
Ｑ値が１５００以上（Ｑｆ＝１５０００以上）であっ
た。
試料Ｎｏ．２２〜２６、３７〜４０、４４はＱ値が１３
００以下、もしくは比誘電率が大きく、あるいは焼結不
良を生じた。これに対して本発明に係る試料Ｎｏ．１〜
２１、２７〜３６、４１〜４３は比誘電率が１７以下、
Ｑ値が１５００以上（Ｑｆ＝１５０００以上）であっ
た。
【００２６】特に、ｘ、ｙ、ｚおよびａが、０．４８≦
ｘ≦０．５２、０．２２≦ｙ≦０．２８、０．２２≦ｚ
≦０．２８、０．４３≦ａ≦０．５２を満足する試料Ｎ
o.１、２７〜３２、３４、３５、４１〜４３では、比誘
電率が１６以下でＱ値が２５００以上であり、そのうち
ＮａＯ1/2 ：ＮｄＯ3/2 ：ＭｇＯ：ＷＯ3 が１：１：
１：１の比率からなる試料Ｎo.１では比誘電率が１６で
Ｑ値が３５００であった。
ｘ≦０．５２、０．２２≦ｙ≦０．２８、０．２２≦ｚ
≦０．２８、０．４３≦ａ≦０．５２を満足する試料Ｎ
o.１、２７〜３２、３４、３５、４１〜４３では、比誘
電率が１６以下でＱ値が２５００以上であり、そのうち
ＮａＯ1/2 ：ＮｄＯ3/2 ：ＭｇＯ：ＷＯ3 が１：１：
１：１の比率からなる試料Ｎo.１では比誘電率が１６で
Ｑ値が３５００であった。
【００２７】そして、試料Ｎo.１の磁器に対してＸ線回
折測定を行い、その結果を図１に示した。図１によれ
ば、○印の回折ピークによりペロブスカイト型結晶構造
であることが理解され、さらに、△印の回折ピークによ
りＮａ−Ｎｄの規則配列による超格子構造、●印の回折
ピークによりＭｇ−Ｗの規則配列による超格子構造であ
ることが理解される。
折測定を行い、その結果を図１に示した。図１によれ
ば、○印の回折ピークによりペロブスカイト型結晶構造
であることが理解され、さらに、△印の回折ピークによ
りＮａ−Ｎｄの規則配列による超格子構造、●印の回折
ピークによりＭｇ−Ｗの規則配列による超格子構造であ
ることが理解される。
【００２８】尚、作製された本発明の誘電体磁器は、殆
どが（Ｎａ1/2 Ａ1/2 ）（Ｍｇ1/2Ｗ1/2 ）Ｏ3 （Ａは
Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｙｂ、Ｌｕを除く希土類元素）結晶粒
子からなり、その平均結晶粒径は１〜３μｍであった。
どが（Ｎａ1/2 Ａ1/2 ）（Ｍｇ1/2Ｗ1/2 ）Ｏ3 （Ａは
Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｙｂ、Ｌｕを除く希土類元素）結晶粒
子からなり、その平均結晶粒径は１〜３μｍであった。
【００２９】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、高
周波領域において加工に適した低い比誘電率と高いＱ値
を有することができ、マイクロ波やミリ波領域において
使用される共振器材料、ＭＩＣ用誘電体基板材料、コン
デンサー用材料、誘電体アンテナ用材料、誘電体導波路
用材料等として充分適用することができる。
周波領域において加工に適した低い比誘電率と高いＱ値
を有することができ、マイクロ波やミリ波領域において
使用される共振器材料、ＭＩＣ用誘電体基板材料、コン
デンサー用材料、誘電体アンテナ用材料、誘電体導波路
用材料等として充分適用することができる。
【図１】表１の試料Ｎｏ．１のＸ線回折チャート図であ
る。
る。
Claims (2)
- 【請求項１】金属元素としてＮａ、Ｍｇ、Ｗおよび希土
類元素を含有し、これらの金属元素酸化物のモル比によ
る組成式を ｘ〔ａＮａＯ1/2 ・（１−ａ）ＡＯ3/2 〕・ｙＭｇＯ・
ｚＷＯ3 （ＡはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｙｂ、Ｌｕを除く希土類元素）
と表した時、前記ｘ、ｙ、ｚおよびａが ０．４０≦ｘ≦０．５５ ０．１５≦ｙ≦０．３０ ０．２０≦ｚ≦０．３０ ０．４０≦ａ≦０．６０ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１ を満足することを特徴とする誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】（Ｎａ1/2 Ａ1/2 ）（Ｍｇ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ
3 で表されるペロブスカイト型結晶を主結晶相とする請
求項１記載の誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9297050A JPH11130534A (ja) | 1997-10-29 | 1997-10-29 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9297050A JPH11130534A (ja) | 1997-10-29 | 1997-10-29 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11130534A true JPH11130534A (ja) | 1999-05-18 |
Family
ID=17841573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9297050A Pending JPH11130534A (ja) | 1997-10-29 | 1997-10-29 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11130534A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114213125A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-03-22 | 杭州电子科技大学 | 一种微波介质陶瓷及其制备方法 |
-
1997
- 1997-10-29 JP JP9297050A patent/JPH11130534A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114213125A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-03-22 | 杭州电子科技大学 | 一种微波介质陶瓷及其制备方法 |
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