JPH08222667A - 発熱素子の放熱構造 - Google Patents
発熱素子の放熱構造Info
- Publication number
- JPH08222667A JPH08222667A JP7046490A JP4649095A JPH08222667A JP H08222667 A JPH08222667 A JP H08222667A JP 7046490 A JP7046490 A JP 7046490A JP 4649095 A JP4649095 A JP 4649095A JP H08222667 A JPH08222667 A JP H08222667A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- heat
- heat sink
- conductive rubber
- seat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73253—Bump and layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/83385—Shape, e.g. interlocking features
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15312—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 大規模集積回路(LSI)の放熱構造に関
し、特に複数個のチップを1個のパッケージに封入した
マルチチップモジュール(MCM)などを均一に放熱す
ることができる簡単な構造の放熱手段を得ることを課題
としている。 【構成】 発熱素子1のパッケージの上面10に、底面
の一部に接着座5を突出形成したヒートシンク3をその
接着座5部分において接着し、接着座5以外のヒートシ
ンクの底面8と素子1のパッケージの上面10との隙間
に熱伝導性ゴム6を充填した構造をしている。熱伝導性
ゴム6としては、ヒートシンクの接着座5の突出高さH
より若干厚い熱伝導性ゴムシート6をパッケージ11の
外形寸法に切断し、かつ接着座5が嵌まりこむ孔7を設
けて用いるのが容易かつ経済的である。熱伝導性ゴムと
しては、たとえばガラス繊維や金属繊維を混入したシリ
コンゴムなどが用いられる。
し、特に複数個のチップを1個のパッケージに封入した
マルチチップモジュール(MCM)などを均一に放熱す
ることができる簡単な構造の放熱手段を得ることを課題
としている。 【構成】 発熱素子1のパッケージの上面10に、底面
の一部に接着座5を突出形成したヒートシンク3をその
接着座5部分において接着し、接着座5以外のヒートシ
ンクの底面8と素子1のパッケージの上面10との隙間
に熱伝導性ゴム6を充填した構造をしている。熱伝導性
ゴム6としては、ヒートシンクの接着座5の突出高さH
より若干厚い熱伝導性ゴムシート6をパッケージ11の
外形寸法に切断し、かつ接着座5が嵌まりこむ孔7を設
けて用いるのが容易かつ経済的である。熱伝導性ゴムと
しては、たとえばガラス繊維や金属繊維を混入したシリ
コンゴムなどが用いられる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、大規模集積回路(L
SI)などの高発熱電子素子の放熱構造に関するもので
ある。
SI)などの高発熱電子素子の放熱構造に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】小型コンピュータのCPUや制御用カス
タムLSIなどは、チップをセラミックや樹脂パッケー
ジに封入した構造となっているが、チップの温度上昇を
避けるために、パッケージにヒートシンクを接着して放
熱する構造が採用されている。従来のこの種の素子は、
パッケージの中央部に6ないし10mm角程度のチップ
が封入されており、従ってその発熱部はパッケージの中
央部分であった。一方ヒートシンクは、熱伝導性及び成
形性に優れたアルミニウム材が主として用いられてい
る。
タムLSIなどは、チップをセラミックや樹脂パッケー
ジに封入した構造となっているが、チップの温度上昇を
避けるために、パッケージにヒートシンクを接着して放
熱する構造が採用されている。従来のこの種の素子は、
パッケージの中央部に6ないし10mm角程度のチップ
が封入されており、従ってその発熱部はパッケージの中
央部分であった。一方ヒートシンクは、熱伝導性及び成
形性に優れたアルミニウム材が主として用いられてい
る。
【0003】この種のヒートシンクを用いた従来の放熱
構造は、図4及び図5に示すように、プリント板12に
実装された素子1の上面に、底面中央部に接着座5を突
出形成したヒートシンク3を接着するというものであっ
た。接着座5は、ヒートシンクの底面8から1mm程度
突出する高さで設けられており、この接着座を発熱の最
も大きな素子の中央部上面に接着することにより、チッ
プの発熱をヒートシンク3に伝達して、そのフィン4か
ら空気中に放熱するというものである。
構造は、図4及び図5に示すように、プリント板12に
実装された素子1の上面に、底面中央部に接着座5を突
出形成したヒートシンク3を接着するというものであっ
た。接着座5は、ヒートシンクの底面8から1mm程度
突出する高さで設けられており、この接着座を発熱の最
も大きな素子の中央部上面に接着することにより、チッ
プの発熱をヒートシンク3に伝達して、そのフィン4か
ら空気中に放熱するというものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来の素子は、前述し
たように、パッケージの中央に1個のチップを封入した
構造であったが、近時複数個のチップを1個のパッケー
ジに封入した素子(マルチチップモジュール。略称MC
M)が実用化されている。このMCMは1個のパッケー
ジ内に複数の(最大6個程度)のチップを平面に並べて
配置した構造をしており、素子自体は正方形ないし矩形
の板状をしている。この種の素子においては、封入され
ているチップのそれぞれが発熱源となるので、従来の1
個のチップを封入した素子のように、発熱部がパッケー
ジの中央部に限られるわけではなく、発熱部がパッケー
ジの広い範囲にわたって散在することになる。
たように、パッケージの中央に1個のチップを封入した
構造であったが、近時複数個のチップを1個のパッケー
ジに封入した素子(マルチチップモジュール。略称MC
M)が実用化されている。このMCMは1個のパッケー
ジ内に複数の(最大6個程度)のチップを平面に並べて
配置した構造をしており、素子自体は正方形ないし矩形
の板状をしている。この種の素子においては、封入され
ているチップのそれぞれが発熱源となるので、従来の1
個のチップを封入した素子のように、発熱部がパッケー
ジの中央部に限られるわけではなく、発熱部がパッケー
ジの広い範囲にわたって散在することになる。
【0005】このようなMCMに従来と同様な構造でヒ
ートシンク3を接着すると、パッケージの中央部の放熱
は行われるが、周辺部に配置されたチップの放熱はほと
んど行われることがなくなる。
ートシンク3を接着すると、パッケージの中央部の放熱
は行われるが、周辺部に配置されたチップの放熱はほと
んど行われることがなくなる。
【0006】この問題を回避するには、パッケージ11
の上面全体にヒートシンク3の底面を接着するようにす
ればよいが、パッケージはセラミックや樹脂であり、一
方ヒートシンクがアルミニウム材であるために、熱膨張
の相違によって、ヒートシンク接着部に大きな熱応力が
生じ、接着層が破壊されてヒートシンクが剥離してしま
うという問題が生じる。
の上面全体にヒートシンク3の底面を接着するようにす
ればよいが、パッケージはセラミックや樹脂であり、一
方ヒートシンクがアルミニウム材であるために、熱膨張
の相違によって、ヒートシンク接着部に大きな熱応力が
生じ、接着層が破壊されてヒートシンクが剥離してしま
うという問題が生じる。
【0007】この発明は、上記の問題を解決するために
なされたもので、MCMなどの発熱部がパッケージの中
心に集中していない素子をより合理的にかつ均一に放熱
することが可能な技術手段を得ることを課題としてい
る。
なされたもので、MCMなどの発熱部がパッケージの中
心に集中していない素子をより合理的にかつ均一に放熱
することが可能な技術手段を得ることを課題としてい
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】この発明の放熱構造で
は、発熱素子1のパッケージの上面10に、底面の一部
に接着座5を突出形成したヒートシンク3をその接着座
5部分において接着し、接着座5以外のヒートシンクの
底面8と素子1のパッケージの上面10との隙間に熱伝
導性ゴム6を充填した構造としている。
は、発熱素子1のパッケージの上面10に、底面の一部
に接着座5を突出形成したヒートシンク3をその接着座
5部分において接着し、接着座5以外のヒートシンクの
底面8と素子1のパッケージの上面10との隙間に熱伝
導性ゴム6を充填した構造としている。
【0009】上記の熱伝導性ゴム6の充填は、ヒートシ
ンクの接着座5の突出高さHより若干厚い熱伝導性ゴム
シート6をパッケージ11の外形寸法に切断し、かつ接
着座5が嵌まりこむ孔7を設けて、この熱伝導性ゴムシ
ート6をヒートシンクの底面8とパッケージの上面10
に挟みこんだ状態でヒートシンクの接着座5を素子の上
面に接着することによって、容易かつ経済的に行うこと
ができる。
ンクの接着座5の突出高さHより若干厚い熱伝導性ゴム
シート6をパッケージ11の外形寸法に切断し、かつ接
着座5が嵌まりこむ孔7を設けて、この熱伝導性ゴムシ
ート6をヒートシンクの底面8とパッケージの上面10
に挟みこんだ状態でヒートシンクの接着座5を素子の上
面に接着することによって、容易かつ経済的に行うこと
ができる。
【0010】この発明の熱伝導性ゴムとしては、たとえ
ば熱伝導性を向上させるためにガラス繊維や金属繊維を
混入したシリコンゴムなどを挙げることができ、熱伝導
性ゴムシートとしてはガラスクロス等で補強したシリコ
ンゴム製のものが一般に提供されている。
ば熱伝導性を向上させるためにガラス繊維や金属繊維を
混入したシリコンゴムなどを挙げることができ、熱伝導
性ゴムシートとしてはガラスクロス等で補強したシリコ
ンゴム製のものが一般に提供されている。
【0011】
【作用】パッケージの中央部に封入されたチップの発熱
は、ヒートシンクの接着部からヒートシンクに直接伝熱
されてフィン4から放熱される。またパッケージの周辺
部に配置されたチップの発熱は、熱伝導性ゴム6を介し
てヒートシンクの底面8に伝熱され、ヒートシンクのフ
ィン4から空気中に放熱される。
は、ヒートシンクの接着部からヒートシンクに直接伝熱
されてフィン4から放熱される。またパッケージの周辺
部に配置されたチップの発熱は、熱伝導性ゴム6を介し
てヒートシンクの底面8に伝熱され、ヒートシンクのフ
ィン4から空気中に放熱される。
【0012】ヒートシンク3は、その接着座5部分での
み素子のパッケージに接着されているので、接着面積は
小さく、パッケージとヒートシンクの熱膨張の差による
変位も接着剤層の弾性変形によって吸収できるから、剥
離の問題は生じない。一方パッケージ周縁部におけるパ
ッケージとヒートシンクとの熱膨張の差は、熱伝導性ゴ
ム6が備える弾性によって吸収される。
み素子のパッケージに接着されているので、接着面積は
小さく、パッケージとヒートシンクの熱膨張の差による
変位も接着剤層の弾性変形によって吸収できるから、剥
離の問題は生じない。一方パッケージ周縁部におけるパ
ッケージとヒートシンクとの熱膨張の差は、熱伝導性ゴ
ム6が備える弾性によって吸収される。
【0013】熱伝導性ゴムとしてゴムシート6を用いた
ときは、このゴムシートはヒートシンク3及びパッケー
ジ11のいずれにも接着する必要はなく、熱伝導性ゴム
シート6の面方向のずれは、ヒートシンクの接着座5と
の嵌合によって阻止され、また熱伝導性ゴムシート6が
若干圧縮された状態でヒートシンクの底面8とパッケー
ジの上面10との間で挟持されるので、熱伝導性ゴムシ
ート6とヒートシンク及びパッケージと密着性が保障さ
れ、境界伝熱係数も小さくでき、良好な放熱効果が得ら
れる。
ときは、このゴムシートはヒートシンク3及びパッケー
ジ11のいずれにも接着する必要はなく、熱伝導性ゴム
シート6の面方向のずれは、ヒートシンクの接着座5と
の嵌合によって阻止され、また熱伝導性ゴムシート6が
若干圧縮された状態でヒートシンクの底面8とパッケー
ジの上面10との間で挟持されるので、熱伝導性ゴムシ
ート6とヒートシンク及びパッケージと密着性が保障さ
れ、境界伝熱係数も小さくでき、良好な放熱効果が得ら
れる。
【0014】
【実施例】図1ないし3はこの発明の実施例を示したも
のである。平面方形の素子1内には、たとえば図に点線
で示すように、複数個のチップ2が封入されている。ヒ
ートシンク3はアルミニウム製で、その上面に多数の角
杆状の放熱フィン4が形成されており、その底面の中央
部には図2、3に示すように、方形の接着座5が突出形
成されている。熱伝導性ゴムシート6はその外形を素子
1のパッケージ11の外形と同一寸法に切断され、かつ
その中央部にヒートシンクの接着座5と同一寸法の嵌合
孔7が切り抜かれている。
のである。平面方形の素子1内には、たとえば図に点線
で示すように、複数個のチップ2が封入されている。ヒ
ートシンク3はアルミニウム製で、その上面に多数の角
杆状の放熱フィン4が形成されており、その底面の中央
部には図2、3に示すように、方形の接着座5が突出形
成されている。熱伝導性ゴムシート6はその外形を素子
1のパッケージ11の外形と同一寸法に切断され、かつ
その中央部にヒートシンクの接着座5と同一寸法の嵌合
孔7が切り抜かれている。
【0015】ヒートシンク3は、嵌合孔7を接着座5に
嵌めこんで、熱伝導性ゴムシート6を底面8に添設した
状態で、その接着座の座面9をパッケージの上面10に
接着される。このとき熱伝導性ゴムシート6の厚さTが
接着座5の高さHより若干厚いために、熱伝導性ゴムシ
ート6はヒートシンク3と素子のパッケージ11との間
で若干圧縮され、その上下面がヒートシンクの底面8と
パッケージの上面10に密着した状態で挟持される。
嵌めこんで、熱伝導性ゴムシート6を底面8に添設した
状態で、その接着座の座面9をパッケージの上面10に
接着される。このとき熱伝導性ゴムシート6の厚さTが
接着座5の高さHより若干厚いために、熱伝導性ゴムシ
ート6はヒートシンク3と素子のパッケージ11との間
で若干圧縮され、その上下面がヒートシンクの底面8と
パッケージの上面10に密着した状態で挟持される。
【0016】接着座5の寸法は、たとえば素子が45m
m角のものに対して15mm角程度であり、ヒートシン
ク3の接着面積は、パッケージの上面面積のおよそ9分
の1にしか過ぎない。この発明の構造では、残りの9分
の8の面積が熱伝導性ゴム6を介したヒートシンク3へ
の熱伝導により放熱され、従来構造に比べてパッケージ
の周縁部の放熱が大幅に向上する。
m角のものに対して15mm角程度であり、ヒートシン
ク3の接着面積は、パッケージの上面面積のおよそ9分
の1にしか過ぎない。この発明の構造では、残りの9分
の8の面積が熱伝導性ゴム6を介したヒートシンク3へ
の熱伝導により放熱され、従来構造に比べてパッケージ
の周縁部の放熱が大幅に向上する。
【0017】
【発明の効果】以上説明したこの発明の放熱構造によれ
ば、素子のパッケージ周辺部における放熱効果が従来構
造に比べて大幅に向上し、特にパッケージ周辺部におけ
る発熱量の大きなMCM等の素子を簡単な構造で効率良
く冷却できるという効果がある。
ば、素子のパッケージ周辺部における放熱効果が従来構
造に比べて大幅に向上し、特にパッケージ周辺部におけ
る発熱量の大きなMCM等の素子を簡単な構造で効率良
く冷却できるという効果がある。
【図1】この発明の放熱構造の実施例を示す分解斜視図
【図2】組み立てた状態で示す図1の側面図
【図3】図2の平面図
【図4】従来構造の一例を示す側面図
【図5】図4の平面図
1 素子 2 チップ 3 ヒートシンク 4 放熱フィン 5 接着座 6 熱伝導性ゴム 7 嵌合孔 8 底面 9 座面 10 上面 11 パッケージ 12 プリント板 T 厚さ H 高さ
Claims (2)
- 【請求項1】 発熱素子(1) のパッケージの上面(10)に
底面の一部に接着座(5) を突出形成したヒートシンク
(3) がその接着座(5) 部分において接着されており、接
着座(5) 以外のヒートシンクの底面(8) と素子(1) のパ
ッケージの上面(10)との隙間に熱伝導性ゴム(6) が充填
されている、発熱素子の放熱構造。 - 【請求項2】 熱伝導性ゴム(6) がヒートシンクの接着
座(5) の突出高さ(H) より若干厚い熱伝導性ゴムシート
からなり、この熱伝導性ゴムシートは、パッケージ(11)
の外形寸法に切断されかつ接着座(5) が嵌まりこむ孔
(7) を備え、ヒートシンクの底面(8) とパッケージの上
面(10)との間に挟持されている、請求項1記載の発熱素
子の放熱構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07046490A JP3119569B2 (ja) | 1995-02-10 | 1995-02-10 | 発熱素子の放熱構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07046490A JP3119569B2 (ja) | 1995-02-10 | 1995-02-10 | 発熱素子の放熱構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08222667A true JPH08222667A (ja) | 1996-08-30 |
JP3119569B2 JP3119569B2 (ja) | 2000-12-25 |
Family
ID=12748665
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP07046490A Expired - Fee Related JP3119569B2 (ja) | 1995-02-10 | 1995-02-10 | 発熱素子の放熱構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3119569B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002003460A2 (de) * | 2000-07-03 | 2002-01-10 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterchip-modul mit schutzfolie |
JP2010064043A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | Kaneka Corp | シート状物の異物除去装置および異物除去方法 |
CN101925289A (zh) * | 2009-06-12 | 2010-12-22 | 索尼公司 | 电子设备 |
JP2012248568A (ja) * | 2011-05-25 | 2012-12-13 | Sanken Electric Co Ltd | 放熱基板及びその製造方法、半導体モジュール |
-
1995
- 1995-02-10 JP JP07046490A patent/JP3119569B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002003460A2 (de) * | 2000-07-03 | 2002-01-10 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterchip-modul mit schutzfolie |
WO2002003460A3 (de) * | 2000-07-03 | 2002-07-18 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterchip-modul mit schutzfolie |
JP2010064043A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | Kaneka Corp | シート状物の異物除去装置および異物除去方法 |
CN101925289A (zh) * | 2009-06-12 | 2010-12-22 | 索尼公司 | 电子设备 |
US8199509B2 (en) | 2009-06-12 | 2012-06-12 | Sony Corporation | Electronic equipment |
JP2012248568A (ja) * | 2011-05-25 | 2012-12-13 | Sanken Electric Co Ltd | 放熱基板及びその製造方法、半導体モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3119569B2 (ja) | 2000-12-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6330158B1 (en) | Semiconductor package having heat sinks and method of fabrication | |
KR970077570A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
JPH0758254A (ja) | マルチチップモジュール及びその製造方法 | |
JP2000012765A (ja) | 積層型半導体装置放熱構造 | |
JP2882116B2 (ja) | ヒートシンク付パッケージ | |
JP2536120B2 (ja) | 電子部品の冷却構造 | |
JP3119569B2 (ja) | 発熱素子の放熱構造 | |
JPH04123441A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP2853666B2 (ja) | マルチチップモジュール | |
JPH02276264A (ja) | ヒートシンク付セラミックパッケージ | |
JPH0878618A (ja) | マルチチップモジュール及びその製造方法 | |
JPH1168360A (ja) | 半導体素子の冷却構造 | |
JPS6161449A (ja) | マルチチップ集積回路パッケ−ジ | |
JPS59219942A (ja) | チツプキヤリア | |
JP2961976B2 (ja) | ヒートシンク付半導体パッケージ | |
JP2001110955A (ja) | 放熱部材及び放熱電子部品 | |
JPH1126660A (ja) | 高発熱素子の放熱構造 | |
JPH0878616A (ja) | マルチチップ・モジュール | |
JPH04269855A (ja) | ヒートシンク付半導体パッケージ | |
JPH0529504A (ja) | ヒートシンク付半導体パツケージ | |
JP3608542B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0448740A (ja) | Tab半導体装置 | |
JPH0290555A (ja) | 半導体装置 | |
JPS6092642A (ja) | 半導体装置の強制冷却装置 | |
JPS60226149A (ja) | ヒ−トシンク付セラミツクパツケ−ジ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |