JPH08220035A - ガスセンサ - Google Patents
ガスセンサInfo
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- JPH08220035A JPH08220035A JP2445095A JP2445095A JPH08220035A JP H08220035 A JPH08220035 A JP H08220035A JP 2445095 A JP2445095 A JP 2445095A JP 2445095 A JP2445095 A JP 2445095A JP H08220035 A JPH08220035 A JP H08220035A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 センサ部が発熱部を有するガスセンサの、耐
久性や信頼性を改善すると共に、省電力化と応答性向上
とを実現する。 【構成】 発熱部を有するセンサ部４をシリコン基板２
の空洞３上に位置させたガスセンサ１において、シリコ
ン基板２の表面部分を変質させた不純物層５により発熱
部を形成する。発熱部が一層の不純物層５からなり、多
層構造ではないので、熱応力が作用しても破損が発生す
ることがない。発熱部を形成する不純物層５はシリコン
基板２と一体なので、発熱部がシリコン基板２から剥離
しない。不純物層５は小型化が容易なので、発熱部を小
型化して熱容量と熱抵抗とを低減する。
久性や信頼性を改善すると共に、省電力化と応答性向上
とを実現する。 【構成】 発熱部を有するセンサ部４をシリコン基板２
の空洞３上に位置させたガスセンサ１において、シリコ
ン基板２の表面部分を変質させた不純物層５により発熱
部を形成する。発熱部が一層の不純物層５からなり、多
層構造ではないので、熱応力が作用しても破損が発生す
ることがない。発熱部を形成する不純物層５はシリコン
基板２と一体なので、発熱部がシリコン基板２から剥離
しない。不純物層５は小型化が容易なので、発熱部を小
型化して熱容量と熱抵抗とを低減する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発熱部を有する薄膜状
のセンサ部をシリコン基板の表面の空洞上に位置させた
ガスセンサに関する。
のセンサ部をシリコン基板の表面の空洞上に位置させた
ガスセンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、ガス漏れを検出するガスセンサが
実用化されている。このようなガスセンサは、発熱部を
有する薄膜状のセンサ部がシリコン基板の表面の空洞上
に形成されている。このようなガスセンサには、接触燃
焼式と半導体式とがある。
実用化されている。このようなガスセンサは、発熱部を
有する薄膜状のセンサ部がシリコン基板の表面の空洞上
に形成されている。このようなガスセンサには、接触燃
焼式と半導体式とがある。
【０００３】接触燃焼式では、発熱部の表面に酸化触媒
層を積層することにより、センサ部が形成されている。
発熱部を常時発熱させて酸化触媒層を加熱しておき、こ
の酸化触媒層の表面でガスを燃焼させる。この燃焼によ
り発熱部の温度が上昇して電気抵抗が増大するので、こ
の発熱部の抵抗変化によりガスを検知する。
層を積層することにより、センサ部が形成されている。
発熱部を常時発熱させて酸化触媒層を加熱しておき、こ
の酸化触媒層の表面でガスを燃焼させる。この燃焼によ
り発熱部の温度が上昇して電気抵抗が増大するので、こ
の発熱部の抵抗変化によりガスを検知する。
【０００４】半導体式では、発熱部の表面に半導体層を
積層することにより、センサ部が形成されている。発熱
部の加熱により半導体層をガスに反応させる。この反応
により半導体層の電気抵抗が変化するので、この半導体
層の抵抗変化によりガスを検知する。
積層することにより、センサ部が形成されている。発熱
部の加熱により半導体層をガスに反応させる。この反応
により半導体層の電気抵抗が変化するので、この半導体
層の抵抗変化によりガスを検知する。
【０００５】上述のようなガスセンサは、特開昭55-119
381号公報や特開昭56−97857号公報などに開示されてい
る。これらの公報に開示されたガスセンサでは、発熱部
が絶縁層と導電層との積層構造により形成されており、
このような発熱部がシリコン基板の表面に積層されてい
る。
381号公報や特開昭56−97857号公報などに開示されてい
る。これらの公報に開示されたガスセンサでは、発熱部
が絶縁層と導電層との積層構造により形成されており、
このような発熱部がシリコン基板の表面に積層されてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述のようなガスセン
サは、ガスを検知することができる。しかし、ガスセン
サは、発熱部を常時発熱させておく必要があるために消
費電力が大きく、応答性も充分ではない。
サは、ガスを検知することができる。しかし、ガスセン
サは、発熱部を常時発熱させておく必要があるために消
費電力が大きく、応答性も充分ではない。
【０００７】ガスセンサの消費電力と応答性とを改善す
るためには、発熱部を小型化して熱容量と熱抵抗とを低
下させることが好ましい。しかし、一般的なガスセンサ
は、前記公報に開示されているように、発熱部が多層構
造からなるため、これを現状より小型化して熱容量と熱
抵抗とを低下させることが困難である。
るためには、発熱部を小型化して熱容量と熱抵抗とを低
下させることが好ましい。しかし、一般的なガスセンサ
は、前記公報に開示されているように、発熱部が多層構
造からなるため、これを現状より小型化して熱容量と熱
抵抗とを低下させることが困難である。
【０００８】さらに、前記公報に開示されているよう
に、発熱部が多層構造からなる場合、発熱部の各層が熱
応力により剥離する可能性がある。また、この発熱部も
シリコン基板の表面に積層されているので、熱応力によ
り発熱部がシリコン基板から剥離する可能性もある。
に、発熱部が多層構造からなる場合、発熱部の各層が熱
応力により剥離する可能性がある。また、この発熱部も
シリコン基板の表面に積層されているので、熱応力によ
り発熱部がシリコン基板から剥離する可能性もある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
発熱部を有する薄膜状のセンサ部をシリコン基板の表面
の空洞上に位置させたガスセンサにおいて、前記シリコ
ン基板の表面部分を変質させて形成した不純物層により
前記発熱部を形成した。
発熱部を有する薄膜状のセンサ部をシリコン基板の表面
の空洞上に位置させたガスセンサにおいて、前記シリコ
ン基板の表面部分を変質させて形成した不純物層により
前記発熱部を形成した。
【００１０】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
明において、ガスを燃焼させる酸化触媒層を発熱部の表
面に形成した。
明において、ガスを燃焼させる酸化触媒層を発熱部の表
面に形成した。
【００１１】請求項３記載の発明は、請求項１記載の発
明において、ガスに反応して電気抵抗が変化する半導体
層を発熱部の表面に形成した。
明において、ガスに反応して電気抵抗が変化する半導体
層を発熱部の表面に形成した。
【００１２】請求項４記載の発明は、請求項１記載の発
明において、ガスを燃焼させる酸化触媒層とガスに反応
して電気抵抗が変化する半導体層とを発熱部の表面に形
成した。
明において、ガスを燃焼させる酸化触媒層とガスに反応
して電気抵抗が変化する半導体層とを発熱部の表面に形
成した。
【００１３】
【作用】請求項１記載の発明は、発熱部を形成する不純
物層がシリコン基板の表面部分からなることにより、発
熱部が一層の不純物層からなるので、熱応力が作用して
も、多層構造の層間剥離のような破損が発生することが
なく、発熱部を形成する不純物層がシリコン基板と一体
なので、発熱部がシリコン基板から剥離することもな
く、不純物層からなる発熱部は小型化が容易なので、熱
容量と熱抵抗とを低減できる。
物層がシリコン基板の表面部分からなることにより、発
熱部が一層の不純物層からなるので、熱応力が作用して
も、多層構造の層間剥離のような破損が発生することが
なく、発熱部を形成する不純物層がシリコン基板と一体
なので、発熱部がシリコン基板から剥離することもな
く、不純物層からなる発熱部は小型化が容易なので、熱
容量と熱抵抗とを低減できる。
【００１４】請求項２記載の発明は、発熱部が加熱する
酸化触媒層がガスを燃焼させると、この燃焼により発熱
部の温度が上昇して電気抵抗も上昇するので、この発熱
部の抵抗変化によりガスを検知できる。
酸化触媒層がガスを燃焼させると、この燃焼により発熱
部の温度が上昇して電気抵抗も上昇するので、この発熱
部の抵抗変化によりガスを検知できる。
【００１５】請求項３記載の発明は、発熱部が加熱する
半導体層がガスに反応すると、この半導体層の電気抵抗
が変化するので、この半導体層の抵抗変化によりガスを
検知できる。
半導体層がガスに反応すると、この半導体層の電気抵抗
が変化するので、この半導体層の抵抗変化によりガスを
検知できる。
【００１６】請求項４記載の発明は、発熱部が加熱する
酸化触媒層がガスを燃焼させると、この燃焼により発熱
部の温度が上昇して電気抵抗も上昇し、発熱部が加熱す
る半導体層がガスに反応すると、この半導体層の電気抵
抗が変化するので、発熱部と半導体層との抵抗変化によ
りガスを検知できる。
酸化触媒層がガスを燃焼させると、この燃焼により発熱
部の温度が上昇して電気抵抗も上昇し、発熱部が加熱す
る半導体層がガスに反応すると、この半導体層の電気抵
抗が変化するので、発熱部と半導体層との抵抗変化によ
りガスを検知できる。
【００１７】
【実施例】本発明の第一の実施例を図１及び図２に基づ
いて以下に説明する。本実施例のガスセンサ１は、接触
燃焼式であり、Ｎ型のシリコン基板２を有している。こ
のシリコン基板２の表面には空洞３が形成されており、
この空洞３上に薄膜状の架橋構造のセンサ部４が橋架さ
れている。このセンサ部４は、発熱部であるＰ型の不純
物層５と酸化膜６と矩形の酸化触媒層７とからなり、前
記不純物層５の両端には電極８が設けられている。
いて以下に説明する。本実施例のガスセンサ１は、接触
燃焼式であり、Ｎ型のシリコン基板２を有している。こ
のシリコン基板２の表面には空洞３が形成されており、
この空洞３上に薄膜状の架橋構造のセンサ部４が橋架さ
れている。このセンサ部４は、発熱部であるＰ型の不純
物層５と酸化膜６と矩形の酸化触媒層７とからなり、前
記不純物層５の両端には電極８が設けられている。
【００１８】前記不純物層５は、前記シリコン基板２の
変質させた表面部分からなるため、このシリコン基板２
と一体である。より具体的には、前記不純物層５は、前
記シリコン基板２の表面部分に硼素を拡散させたもので
あり、その不純物濃度は“７×1019（atom／cm2)”以上
である。
変質させた表面部分からなるため、このシリコン基板２
と一体である。より具体的には、前記不純物層５は、前
記シリコン基板２の表面部分に硼素を拡散させたもので
あり、その不純物濃度は“７×1019（atom／cm2)”以上
である。
【００１９】このような構成において、本実施例のガス
センサ１は、ガス管の周囲などに配置され、ガス漏れの
検知に利用される。このガスセンサ１によりガスを検知
する場合、電力を発生すると共に通電抵抗を検出する検
出回路（図示せず）を電極８に接続する。この検出回路
の電力により不純物層５を常時発熱させて酸化触媒層７
を“ 400〜600(℃）”に加熱し、検出回路により不純物
層５の電気抵抗の変化を監視する。このような状態にお
いて、もしも雰囲気にガスが混入すると、加熱された酸
化触媒層７の表面でガスが燃焼し、この発熱により不純
物層５の電気抵抗が変化するので、この抵抗変化により
検出回路がガスを検知する。
センサ１は、ガス管の周囲などに配置され、ガス漏れの
検知に利用される。このガスセンサ１によりガスを検知
する場合、電力を発生すると共に通電抵抗を検出する検
出回路（図示せず）を電極８に接続する。この検出回路
の電力により不純物層５を常時発熱させて酸化触媒層７
を“ 400〜600(℃）”に加熱し、検出回路により不純物
層５の電気抵抗の変化を監視する。このような状態にお
いて、もしも雰囲気にガスが混入すると、加熱された酸
化触媒層７の表面でガスが燃焼し、この発熱により不純
物層５の電気抵抗が変化するので、この抵抗変化により
検出回路がガスを検知する。
【００２０】本実施例のガスセンサ１では、発熱部が一
層の不純物層５からなるので、その発熱により熱応力が
作用しても、多層構造の層間剥離のような破損が発生す
ることがない。また、不純物層５はシリコン基板２の変
質させた表面部分からなるので、不純物層５からなる発
熱部がシリコン基板２から剥離することもない。このた
め、本実施例のガスセンサ１は、耐久性や信頼性が良好
である。
層の不純物層５からなるので、その発熱により熱応力が
作用しても、多層構造の層間剥離のような破損が発生す
ることがない。また、不純物層５はシリコン基板２の変
質させた表面部分からなるので、不純物層５からなる発
熱部がシリコン基板２から剥離することもない。このた
め、本実施例のガスセンサ１は、耐久性や信頼性が良好
である。
【００２１】さらに、詳細には後述するように、シリコ
ン基板２の変質させた表面部分からなる不純物層５は、
小型化して熱容量と熱抵抗とを低減することが容易であ
るため、本実施例のガスセンサ１は、省電力で応答性も
良好である。
ン基板２の変質させた表面部分からなる不純物層５は、
小型化して熱容量と熱抵抗とを低減することが容易であ
るため、本実施例のガスセンサ１は、省電力で応答性も
良好である。
【００２２】ここで、本実施例のガスセンサ１の製作方
法を以下に説明する。まず、シリコン基板２としてＮ型
のシリコンウエハーを用意し、これを酸化性の雰囲気中
で加熱して酸化させ、表面部分にＳｉＯ2 膜を形成す
る。このＳｉＯ2 膜を不純物層５の形状にフォトエッチ
ングして部分的にシリコンを露出させ、これを硼素を混
入した雰囲気中で加熱し、露出したシリコンの部分に硼
素を拡散させる。これを酸化性の雰囲気中でドライブイ
ンさせ、不純物濃度と拡散深度とを調節したＰ型の不純
物層５を形成する。この場合、ドライブインを酸化性の
雰囲気により実行しているので、不純物層５の表面に酸
化膜６が成長する。
法を以下に説明する。まず、シリコン基板２としてＮ型
のシリコンウエハーを用意し、これを酸化性の雰囲気中
で加熱して酸化させ、表面部分にＳｉＯ2 膜を形成す
る。このＳｉＯ2 膜を不純物層５の形状にフォトエッチ
ングして部分的にシリコンを露出させ、これを硼素を混
入した雰囲気中で加熱し、露出したシリコンの部分に硼
素を拡散させる。これを酸化性の雰囲気中でドライブイ
ンさせ、不純物濃度と拡散深度とを調節したＰ型の不純
物層５を形成する。この場合、ドライブインを酸化性の
雰囲気により実行しているので、不純物層５の表面に酸
化膜６が成長する。
【００２３】つぎに、エチレンジアミン水溶液や水酸化
カリウム水溶液による異方性エッチングにより空洞３を
形成する。この場合、不純物層５の不純物濃度を“７×
1019（atom／cm2)”以上としておくと、この不純物層５
にはエッチングが進行しない。このため、シリコン基板
２に空洞３がアンダーカットされ、不純物層５が架橋構
造に形成される。
カリウム水溶液による異方性エッチングにより空洞３を
形成する。この場合、不純物層５の不純物濃度を“７×
1019（atom／cm2)”以上としておくと、この不純物層５
にはエッチングが進行しない。このため、シリコン基板
２に空洞３がアンダーカットされ、不純物層５が架橋構
造に形成される。
【００２４】つぎに、アルミナやシリカを主成分とする
ターゲットに白金やパラジウムを貼付し、これをターゲ
ットとしてスパッタリングすることにより、アルミナや
シリカを主成分として白金やパラジウムが均一に分散し
た酸化触媒層７を形成し、ガスセンサ１を完成する。
ターゲットに白金やパラジウムを貼付し、これをターゲ
ットとしてスパッタリングすることにより、アルミナや
シリカを主成分として白金やパラジウムが均一に分散し
た酸化触媒層７を形成し、ガスセンサ１を完成する。
【００２５】本実施例のガスセンサ１は、上述のように
Ｐ型の不純物層５を形成する場合、Ｎ型のシリコン基板
２の表面部分に硼素を拡散させるが、この拡散の深度は
“0.2(μm)”程度まで浅くすることができ、拡散の横幅
も“2.0(μm)”程度まで狭くすることができる。つま
り、不純物層５を小型化することが容易であるため、そ
の熱容量と熱抵抗とを低減し、ガスセンサ１の消費電力
を低下させると共に応答性を向上させることができる。
Ｐ型の不純物層５を形成する場合、Ｎ型のシリコン基板
２の表面部分に硼素を拡散させるが、この拡散の深度は
“0.2(μm)”程度まで浅くすることができ、拡散の横幅
も“2.0(μm)”程度まで狭くすることができる。つま
り、不純物層５を小型化することが容易であるため、そ
の熱容量と熱抵抗とを低減し、ガスセンサ１の消費電力
を低下させると共に応答性を向上させることができる。
【００２６】なお、上述したガスセンサ１の製作方法で
は、シリコン基板２の表面部分に硼素を拡散させて不純
物層５を形成する場合、硼素を混入した雰囲気中で加熱
することを例示したが、これはイオン注入法でも良く、
この場合はＳｉＯ2 上からイオン注入することも可能で
ある。また、不純物層５のドライブインを不活性な雰囲
気中で行なうことも可能である。さらに、酸化触媒層７
を形成する場合は、アルミナやシリカの表面に白金やパ
ラジウムを薄膜状に堆積させたり、交互に積層させるこ
とも可能である。
は、シリコン基板２の表面部分に硼素を拡散させて不純
物層５を形成する場合、硼素を混入した雰囲気中で加熱
することを例示したが、これはイオン注入法でも良く、
この場合はＳｉＯ2 上からイオン注入することも可能で
ある。また、不純物層５のドライブインを不活性な雰囲
気中で行なうことも可能である。さらに、酸化触媒層７
を形成する場合は、アルミナやシリカの表面に白金やパ
ラジウムを薄膜状に堆積させたり、交互に積層させるこ
とも可能である。
【００２７】また、本実施例のガスセンサ１では、セン
サ部４を架橋構造とすることを例示したが、本発明は上
記実施例に限定されるものではなく、センサ部４は空洞
３上に位置すれば形状は自由であるので、図３に示すよ
うに、センサ部９をＵ字形としたガスセンサ１０なども
実現できる。
サ部４を架橋構造とすることを例示したが、本発明は上
記実施例に限定されるものではなく、センサ部４は空洞
３上に位置すれば形状は自由であるので、図３に示すよ
うに、センサ部９をＵ字形としたガスセンサ１０なども
実現できる。
【００２８】つぎに、本発明の第二の実施例を図４に基
づいて以下に説明する。なお、本実施例のガスセンサ１
１に関し、上述した第一の実施例のガスセンサ１と同一
の部分は、同一の名称と符号とを利用して詳細な説明は
省略する。
づいて以下に説明する。なお、本実施例のガスセンサ１
１に関し、上述した第一の実施例のガスセンサ１と同一
の部分は、同一の名称と符号とを利用して詳細な説明は
省略する。
【００２９】まず、本実施例のガスセンサ１１は、半導
体式であり、シリコン基板２の空洞３上に薄膜状の架橋
構造のセンサ部１２が橋架されている。このセンサ部１
２は、発熱部であるＰ型の不純物層５と絶縁層１３と矩
形の半導体層１４とからなり、この半導体層１４にはリ
ード電極１５が接続されている。
体式であり、シリコン基板２の空洞３上に薄膜状の架橋
構造のセンサ部１２が橋架されている。このセンサ部１
２は、発熱部であるＰ型の不純物層５と絶縁層１３と矩
形の半導体層１４とからなり、この半導体層１４にはリ
ード電極１５が接続されている。
【００３０】このような構成において、本実施例のガス
センサ１１によりガスを検知する場合、電力を発生する
駆動回路（図示せず）を電極８に接続し、通電抵抗を検
出する検出回路（図示せず）をリード電極１５に接続す
る。この駆動回路の電力により不純物層５を常時発熱さ
せて半導体層１４を加熱し、検出回路により半導体層１
４の電気抵抗の変化を監視する。このような状態におい
て、もしも雰囲気にガスが混入すると、半導体層１４が
反応して電気抵抗が変化するので、この抵抗変化により
検出回路がガスを検知する。
センサ１１によりガスを検知する場合、電力を発生する
駆動回路（図示せず）を電極８に接続し、通電抵抗を検
出する検出回路（図示せず）をリード電極１５に接続す
る。この駆動回路の電力により不純物層５を常時発熱さ
せて半導体層１４を加熱し、検出回路により半導体層１
４の電気抵抗の変化を監視する。このような状態におい
て、もしも雰囲気にガスが混入すると、半導体層１４が
反応して電気抵抗が変化するので、この抵抗変化により
検出回路がガスを検知する。
【００３１】本実施例のガスセンサ１１も、第一の実施
例として前述したガスセンサ１と同様に、発熱する不純
物層５がシリコン基板２の変質させた表面部分からなる
ため、耐久性や信頼性が良好であり、不純物層５が小型
化されて熱容量と熱抵抗とが低減されているので、省電
力で応答性も良好である。
例として前述したガスセンサ１と同様に、発熱する不純
物層５がシリコン基板２の変質させた表面部分からなる
ため、耐久性や信頼性が良好であり、不純物層５が小型
化されて熱容量と熱抵抗とが低減されているので、省電
力で応答性も良好である。
【００３２】なお、半導体層１４は、金属酸化物により
形成され、その材料としては、錫、亜鉛、鉄、チタン、
インジウム、ニッケル、タングステン、パナジウム等が
挙げられるが、錫が最適である。このような半導体層１
４は、スパッタリングや真空蒸着により形成される。リ
ード電極１５は、金属により形成され、その材料として
は白金が最適であり、これはスパッタリングにより形成
される。
形成され、その材料としては、錫、亜鉛、鉄、チタン、
インジウム、ニッケル、タングステン、パナジウム等が
挙げられるが、錫が最適である。このような半導体層１
４は、スパッタリングや真空蒸着により形成される。リ
ード電極１５は、金属により形成され、その材料として
は白金が最適であり、これはスパッタリングにより形成
される。
【００３３】さらに、本発明の第三の実施例を図５に基
づいて以下に説明する。まず、本実施例のガスセンサ１
６は、接触燃焼式と半導体式とを併用しており、センサ
部１７に酸化触媒層７と半導体層１４とが並設されてい
る。
づいて以下に説明する。まず、本実施例のガスセンサ１
６は、接触燃焼式と半導体式とを併用しており、センサ
部１７に酸化触媒層７と半導体層１４とが並設されてい
る。
【００３４】このような構成において、本実施例のガス
センサ１６は、接触燃焼式と半導体式とを併用している
ので、その両方でガスを検知することができ、ガスの検
知性能が良好である。
センサ１６は、接触燃焼式と半導体式とを併用している
ので、その両方でガスを検知することができ、ガスの検
知性能が良好である。
【００３５】
【発明の効果】請求項１記載の発明は、シリコン基板の
表面部分を変質させて形成した不純物層により発熱部を
形成したことにより、発熱部が一層の不純物層からなる
ので、熱応力が作用しても、多層構造の層間剥離のよう
な破損が発生することがなく、発熱部を形成する不純物
層はシリコン基板と一体なので、発熱部がシリコン基板
から剥離することもなく、耐久性や信頼性を改善するこ
とができ、発熱部を小型化して熱容量と熱抵抗とを低減
することが容易であるため、省電力化や応答性の向上も
可能である。
表面部分を変質させて形成した不純物層により発熱部を
形成したことにより、発熱部が一層の不純物層からなる
ので、熱応力が作用しても、多層構造の層間剥離のよう
な破損が発生することがなく、発熱部を形成する不純物
層はシリコン基板と一体なので、発熱部がシリコン基板
から剥離することもなく、耐久性や信頼性を改善するこ
とができ、発熱部を小型化して熱容量と熱抵抗とを低減
することが容易であるため、省電力化や応答性の向上も
可能である。
【００３６】請求項２記載の発明は、ガスを燃焼させる
酸化触媒層を発熱部の表面に形成したことにより、耐久
性や信頼性が良好で省電力化や応答性の向上も可能な、
接触燃焼式のガスセンサを実現することができる。
酸化触媒層を発熱部の表面に形成したことにより、耐久
性や信頼性が良好で省電力化や応答性の向上も可能な、
接触燃焼式のガスセンサを実現することができる。
【００３７】請求項３記載の発明は、ガスに反応して電
気抵抗が変化する半導体層を発熱部の表面に形成したこ
とにより、耐久性や信頼性が良好で省電力化や応答性の
向上も可能な、半導体式のガスセンサを実現することが
できる。
気抵抗が変化する半導体層を発熱部の表面に形成したこ
とにより、耐久性や信頼性が良好で省電力化や応答性の
向上も可能な、半導体式のガスセンサを実現することが
できる。
【００３８】請求項４記載の発明は、ガスを燃焼させる
酸化触媒層とガスに反応して電気抵抗が変化する半導体
層とを発熱部の表面に形成したことにより、耐久性や信
頼性が良好で省電力化や応答性の向上も可能なガスセン
サを実現することができ、接触燃焼式と半導体式との両
方でガスを検知できるので、ガスの検知性能を向上させ
ることができる。
酸化触媒層とガスに反応して電気抵抗が変化する半導体
層とを発熱部の表面に形成したことにより、耐久性や信
頼性が良好で省電力化や応答性の向上も可能なガスセン
サを実現することができ、接触燃焼式と半導体式との両
方でガスを検知できるので、ガスの検知性能を向上させ
ることができる。
【図１】本発明の第一の実施例のガスセンサを示す縦断
面図である。
面図である。
【図２】平面図である。
【図３】一変形例のガスセンサを示す平面図である。
【図４】第二の実施例のガスセンサを示す平面図であ
る。
る。
【図５】第三の実施例のガスセンサを示す平面図であ
る。
る。
１，１０，１１，１６ ガスセンサ ２ シリコン基板 ３ 空洞 ４，９，１２，１７ センサ部 ５ 発熱部、不純物層 ７ 酸化触媒層 １４ 半導体層
Claims (4)
- 【請求項１】 発熱部を有する薄膜状のセンサ部をシリ
コン基板の表面の空洞上に位置させたガスセンサにおい
て、前記シリコン基板の表面部分を変質させて形成した
不純物層により前記発熱部を形成したことを特徴とする
ガスセンサ。 - 【請求項２】 ガスを燃焼させる酸化触媒層を発熱部の
表面に形成したことを特徴とする請求項１記載のガスセ
ンサ。 - 【請求項３】 ガスに反応して電気抵抗が変化する半導
体層を発熱部の表面に形成したことを特徴とする請求項
１記載のガスセンサ。 - 【請求項４】 ガスを燃焼させる酸化触媒層とガスに反
応して電気抵抗が変化する半導体層とを発熱部の表面に
形成したことを特徴とする請求項１記載のガスセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2445095A JPH08220035A (ja) | 1995-02-14 | 1995-02-14 | ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2445095A JPH08220035A (ja) | 1995-02-14 | 1995-02-14 | ガスセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08220035A true JPH08220035A (ja) | 1996-08-30 |
Family
ID=12138502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2445095A Pending JPH08220035A (ja) | 1995-02-14 | 1995-02-14 | ガスセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08220035A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007132762A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Nippon Ceramic Co Ltd | ガスセンサの構造 |
| JP2007132814A (ja) * | 2005-11-10 | 2007-05-31 | Nippon Ceramic Co Ltd | ガスセンサ用ｍｅｍｓ構造体 |
| CN106018484A (zh) * | 2016-07-13 | 2016-10-12 | 苏州纳格光电科技有限公司 | 半导体气体传感器芯片、传感器及传感器的制备方法 |
| CN109932402A (zh) * | 2019-04-23 | 2019-06-25 | 苏州纳格光电科技有限公司 | 热线型气体传感器芯片、传感器及传感器的制备方法 |
| CN113023658A (zh) * | 2021-03-04 | 2021-06-25 | 上海迈振电子科技有限公司 | 一种谐振式微悬臂梁芯片及其制备方法 |
-
1995
- 1995-02-14 JP JP2445095A patent/JPH08220035A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007132762A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Nippon Ceramic Co Ltd | ガスセンサの構造 |
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| JP2022530944A (ja) * | 2019-04-23 | 2022-07-05 | スーヂョウ ナノグリッド テクノロジー カンパニー リミテッド | 熱線型ガスセンサーチップ、センサー及びセンサーの製造方法 |
| CN113023658A (zh) * | 2021-03-04 | 2021-06-25 | 上海迈振电子科技有限公司 | 一种谐振式微悬臂梁芯片及其制备方法 |
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