JPH08209338A - 透明導電膜の製造方法 - Google Patents
透明導電膜の製造方法Info
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- JPH08209338A JPH08209338A JP1673195A JP1673195A JPH08209338A JP H08209338 A JPH08209338 A JP H08209338A JP 1673195 A JP1673195 A JP 1673195A JP 1673195 A JP1673195 A JP 1673195A JP H08209338 A JPH08209338 A JP H08209338A
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- transparent conductive
- sputtering
- film
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 抵抗膜方式のタブレット用透明電極として要
求される初期性能および信頼性を満足する透明導電膜の
製造方法を提供する。 【構成】 ＳｉＯ2 が２．２〜３．２重量％、残部がＺ
ｎＯからなる焼結体をスパッタリングターゲットとし
て、スパッタリングする。
求される初期性能および信頼性を満足する透明導電膜の
製造方法を提供する。 【構成】 ＳｉＯ2 が２．２〜３．２重量％、残部がＺ
ｎＯからなる焼結体をスパッタリングターゲットとし
て、スパッタリングする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、抵抗膜方式の
タブレット用透明電極として使用される透明導電膜の製
造方法に関する。
タブレット用透明電極として使用される透明導電膜の製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、錫ドープ酸化インジウム（以下、
ＩＴＯという。）に代わる透明導電膜材料として、材料
コストが安価であるＺｎＯが注目されている。ＺｎＯ単
独ではＩＴＯに比べると高抵抗であり、ＩＴＯと同レベ
ルの導電性を得るためには周期律表第III 族の元素を不
純物としてドープすればよいことが提案されており（特
公平４−９２９号公報、特公平３−７２０１１号公
報）、第III 族の元素がアルミニウムの場合では亜鉛原
子との合計原子数を基準として１．０〜１０原子％、ホ
ウ素、スカンジウム、ガリウム、イットリウム、インジ
ウムまたはタリウムの場合では１〜２０原子％含有する
材料が提案されている。
ＩＴＯという。）に代わる透明導電膜材料として、材料
コストが安価であるＺｎＯが注目されている。ＺｎＯ単
独ではＩＴＯに比べると高抵抗であり、ＩＴＯと同レベ
ルの導電性を得るためには周期律表第III 族の元素を不
純物としてドープすればよいことが提案されており（特
公平４−９２９号公報、特公平３−７２０１１号公
報）、第III 族の元素がアルミニウムの場合では亜鉛原
子との合計原子数を基準として１．０〜１０原子％、ホ
ウ素、スカンジウム、ガリウム、イットリウム、インジ
ウムまたはタリウムの場合では１〜２０原子％含有する
材料が提案されている。
【０００３】また、周期律表第IV族の元素を不純物とし
てドープしても同様の効果が得られることが提案されて
おり（特公平５−６７６６号公報）、ケイ素、ゲルマニ
ウムおよびジルコニウムからなる群から選ばれた少なく
とも一種を、亜鉛原子との合計原子数を基準にして０．
１〜２０原子％含有する材料が提案されている。
てドープしても同様の効果が得られることが提案されて
おり（特公平５−６７６６号公報）、ケイ素、ゲルマニ
ウムおよびジルコニウムからなる群から選ばれた少なく
とも一種を、亜鉛原子との合計原子数を基準にして０．
１〜２０原子％含有する材料が提案されている。
【０００４】このように、ＺｎＯに上記の第III 族また
は第IV族の元素を不純物として、上記範囲内の含有量に
なるようドープすることにより、ＺｎＯでもＩＴＯと同
等の導電性と光学特性が得られることが見出されてい
る。
は第IV族の元素を不純物として、上記範囲内の含有量に
なるようドープすることにより、ＺｎＯでもＩＴＯと同
等の導電性と光学特性が得られることが見出されてい
る。
【０００５】また、ＺｎＯからなる透明導電膜をスパッ
タリング法により形成するのに用いるターゲット材料と
して、正三価以上の原子価を有する元素を含有する酸化
亜鉛焼結体で、焼結密度が５ｇ／ｃｍ3 以上、比抵抗が
１Ω・ｃｍ以下である酸化亜鉛ターゲットが提案されて
いる（特開平２−１４９４５９号公報）。この提案にお
いて、正三価以上の原子価を有する元素としては、例え
ば周期律表III Ａ族のＳｃ、Ｙ；III Ｂ族のＢ、Ａｌ、
Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ；IVＡ族のＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｈ；
IVＢ族のＣ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ等が挙げられ、こ
れら元素の使用量は亜鉛に対して０．１〜２０原子％が
好ましいことが記述されている。
タリング法により形成するのに用いるターゲット材料と
して、正三価以上の原子価を有する元素を含有する酸化
亜鉛焼結体で、焼結密度が５ｇ／ｃｍ3 以上、比抵抗が
１Ω・ｃｍ以下である酸化亜鉛ターゲットが提案されて
いる（特開平２−１４９４５９号公報）。この提案にお
いて、正三価以上の原子価を有する元素としては、例え
ば周期律表III Ａ族のＳｃ、Ｙ；III Ｂ族のＢ、Ａｌ、
Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ；IVＡ族のＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｈ；
IVＢ族のＣ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ等が挙げられ、こ
れら元素の使用量は亜鉛に対して０．１〜２０原子％が
好ましいことが記述されている。
【０００６】透明導電膜の用途の一つとして、抵抗膜方
式のタブレット用透明電極がある。タブレットとは、ペ
ン位置（座標）を検出することが可能である装置であ
り、このうち抵抗膜方式によるものは、例えば、図１の
構成で表される。図１において、１１は透明導電体を示
し、透明導電体１１は透明基材１２上に、例えばＺｎＯ
透明導電膜のような透明導電膜１３が形成されたもので
ある。上記透明導電体１１の透明導電膜１３は、スペー
サー１４を介して、透明フィルム１５上に形成された透
明導電膜１６と相対し、かつ粘着テープ１７により固定
されており、透明フィルム１５側からペン又は指で押圧
して両方の透明導電膜１３及び１６を接触させて短絡す
ることにより、タブレットとして使用するものである。
なお、１８は保護のためのハードコート層である。
式のタブレット用透明電極がある。タブレットとは、ペ
ン位置（座標）を検出することが可能である装置であ
り、このうち抵抗膜方式によるものは、例えば、図１の
構成で表される。図１において、１１は透明導電体を示
し、透明導電体１１は透明基材１２上に、例えばＺｎＯ
透明導電膜のような透明導電膜１３が形成されたもので
ある。上記透明導電体１１の透明導電膜１３は、スペー
サー１４を介して、透明フィルム１５上に形成された透
明導電膜１６と相対し、かつ粘着テープ１７により固定
されており、透明フィルム１５側からペン又は指で押圧
して両方の透明導電膜１３及び１６を接触させて短絡す
ることにより、タブレットとして使用するものである。
なお、１８は保護のためのハードコート層である。
【０００７】前記ＺｎＯ透明導電膜、または上記酸化亜
鉛焼結体を用いてスパッタリング法により形成されたＺ
ｎＯ透明導電膜を、抵抗膜方式のタブレット用透明電極
として使用する場合、以下の性能が必要となる。 初期シート抵抗：３００Ω／□〜２０００Ω／□。 光学特性：５５０ｎｍにおける光線透過率が８５％以
上であること。 信頼性：高温高湿放置等の環境試験で電気特性の経時
変化が少ないこと。 上記については、シート抵抗が上記範囲より大きくな
っても小さくなっても、ペン入力時の座標検出精度及び
消費電力に問題が生じて、タブレット用透明電極として
使用することが困難となるので、座標検出精度及び消費
電力の兼ね合いから上記範囲が好ましく、については
視認性の観点から８５％以上であることが要求され、
については電気特性の経時変化が生じると正確な座標検
出が不可能となり誤作動を起こすために問題となる。
鉛焼結体を用いてスパッタリング法により形成されたＺ
ｎＯ透明導電膜を、抵抗膜方式のタブレット用透明電極
として使用する場合、以下の性能が必要となる。 初期シート抵抗：３００Ω／□〜２０００Ω／□。 光学特性：５５０ｎｍにおける光線透過率が８５％以
上であること。 信頼性：高温高湿放置等の環境試験で電気特性の経時
変化が少ないこと。 上記については、シート抵抗が上記範囲より大きくな
っても小さくなっても、ペン入力時の座標検出精度及び
消費電力に問題が生じて、タブレット用透明電極として
使用することが困難となるので、座標検出精度及び消費
電力の兼ね合いから上記範囲が好ましく、については
視認性の観点から８５％以上であることが要求され、
については電気特性の経時変化が生じると正確な座標検
出が不可能となり誤作動を起こすために問題となる。
【０００８】しかしながら、前記の提案のＺｎＯ透明導
電膜、または上記酸化亜鉛焼結体を用いてスパッタリン
グ法により形成されたＺｎＯ透明導電膜では、ドープす
る不純物元素の種類を最適なものに選択し、更に不純物
の含有量を制御しなければ、例えば温度６０℃、相対湿
度９５％の高温高湿下に放置すると、電気抵抗値が経時
的に変化し導電性が低下する現象が生じる。このため、
上記透明導電膜を抵抗膜方式のタブレット用透明電極と
して使用する場合、その信頼性が問題であった。
電膜、または上記酸化亜鉛焼結体を用いてスパッタリン
グ法により形成されたＺｎＯ透明導電膜では、ドープす
る不純物元素の種類を最適なものに選択し、更に不純物
の含有量を制御しなければ、例えば温度６０℃、相対湿
度９５％の高温高湿下に放置すると、電気抵抗値が経時
的に変化し導電性が低下する現象が生じる。このため、
上記透明導電膜を抵抗膜方式のタブレット用透明電極と
して使用する場合、その信頼性が問題であった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記欠点に
鑑みてなされたものであり、その目的は抵抗膜方式のタ
ブレット用透明電極として要求される初期性能および信
頼性を満足する透明導電膜の製造方法を提供することに
ある。
鑑みてなされたものであり、その目的は抵抗膜方式のタ
ブレット用透明電極として要求される初期性能および信
頼性を満足する透明導電膜の製造方法を提供することに
ある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の透明導電膜の製
造方法は、ＳｉＯ2 が２．２〜３．２重量％、残部がＺ
ｎＯからなる焼結体をスパッタリングターゲットとし
て、スパッタリングすることを特徴とする。
造方法は、ＳｉＯ2 が２．２〜３．２重量％、残部がＺ
ｎＯからなる焼結体をスパッタリングターゲットとし
て、スパッタリングすることを特徴とする。
【００１１】本発明で使用される焼結体は、ＳｉＯ2 含
有量が少なくなると得られる透明導電膜を抵抗膜方式の
タブレット用透明電極として使用する場合、高温高湿放
置等の環境試験によりシート抵抗の経時変化が大きくな
るために高信頼性が得られなくなり、またＳｉＯ2 含有
量が多くなると透明導電膜の結晶性が著しく劣化するた
め信頼性に問題が生じ、また、焼結体中のＳｉＯ2 含有
量が、少なくなっても多くなっても、３００Ω／□〜２
０００Ω／□の範囲のシート抵抗と高信頼性を同時に満
たすことが出来なくなるため、焼結体中のＳｉＯ2 含有
量は、ＳｉＯ2とＺｎＯの合計重量に対して２．２重量
％〜３．２重量％に限定され、好ましい範囲は２．２重
量％〜２．８重量％である。
有量が少なくなると得られる透明導電膜を抵抗膜方式の
タブレット用透明電極として使用する場合、高温高湿放
置等の環境試験によりシート抵抗の経時変化が大きくな
るために高信頼性が得られなくなり、またＳｉＯ2 含有
量が多くなると透明導電膜の結晶性が著しく劣化するた
め信頼性に問題が生じ、また、焼結体中のＳｉＯ2 含有
量が、少なくなっても多くなっても、３００Ω／□〜２
０００Ω／□の範囲のシート抵抗と高信頼性を同時に満
たすことが出来なくなるため、焼結体中のＳｉＯ2 含有
量は、ＳｉＯ2とＺｎＯの合計重量に対して２．２重量
％〜３．２重量％に限定され、好ましい範囲は２．２重
量％〜２．８重量％である。
【００１２】上記焼結体の製造方法は、一般的なスパッ
タリングターゲットと同様の製造方法が好適に用いられ
る。具体的には、酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末に酸化珪素
（ＳｉＯ2 ）粉末を、焼結後の焼結体のＳｉＯ2 含有量
が上記範囲になるように所定量添加した混合粉末を、ボ
ールミルや振動ミル等の乾式及び湿式粉砕・混合装置を
使用して粉砕・混合を行う。この際、均一な分散状態が
得られるまで粉砕・混合を行う。この後、バインダーを
添加し所望の形状にプレス成形を行い、この成形体を電
気炉等により８００℃〜１４５０℃の高温で焼結するこ
とによって焼結体を得ることが出来る。より高密度な焼
結体を得るためには、粉砕・混合を行った後、ホットプ
レスにより加圧焼結することが好ましい。
タリングターゲットと同様の製造方法が好適に用いられ
る。具体的には、酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末に酸化珪素
（ＳｉＯ2 ）粉末を、焼結後の焼結体のＳｉＯ2 含有量
が上記範囲になるように所定量添加した混合粉末を、ボ
ールミルや振動ミル等の乾式及び湿式粉砕・混合装置を
使用して粉砕・混合を行う。この際、均一な分散状態が
得られるまで粉砕・混合を行う。この後、バインダーを
添加し所望の形状にプレス成形を行い、この成形体を電
気炉等により８００℃〜１４５０℃の高温で焼結するこ
とによって焼結体を得ることが出来る。より高密度な焼
結体を得るためには、粉砕・混合を行った後、ホットプ
レスにより加圧焼結することが好ましい。
【００１３】使用する粉末の純度については９９．９９
％以上の高純度粉末であることが好ましい。また粉末の
粒径については成形性・焼結性の点から０．１〜数μｍ
程度であることが好ましい。上記焼結体の密度について
は、スパッタリング成膜時の放電の安定性の点から４．
４ｇ／ｃｍ3 以上の高密度であることが好ましい。
％以上の高純度粉末であることが好ましい。また粉末の
粒径については成形性・焼結性の点から０．１〜数μｍ
程度であることが好ましい。上記焼結体の密度について
は、スパッタリング成膜時の放電の安定性の点から４．
４ｇ／ｃｍ3 以上の高密度であることが好ましい。
【００１４】上記焼結体をスパッタリングターゲットと
して用いてスパッタリングして、透明導電膜を製造する
には、上記焼結体をバッキングプレートとボンディング
を行った後、スパッタ装置に取り付け、スパッタリング
を行い、基材上に透明導電膜を形成する。具体的な成膜
条件を以下に示す。
して用いてスパッタリングして、透明導電膜を製造する
には、上記焼結体をバッキングプレートとボンディング
を行った後、スパッタ装置に取り付け、スパッタリング
を行い、基材上に透明導電膜を形成する。具体的な成膜
条件を以下に示す。
【００１５】スパッタ装置としては、ターゲットと基材
の位置関係によって、平行平板型またはカルーセル型が
挙げられる。
の位置関係によって、平行平板型またはカルーセル型が
挙げられる。
【００１６】スパッタ方式としては、放電形式により高
周波スパッタリングまたは直流スパッタリングが可能で
あるが、ターゲットに使用する焼結体の密度が低く、抵
抗値が高い場合は高周波スパッタリングで行うことが好
ましい。
周波スパッタリングまたは直流スパッタリングが可能で
あるが、ターゲットに使用する焼結体の密度が低く、抵
抗値が高い場合は高周波スパッタリングで行うことが好
ましい。
【００１７】スパッタリングに先立って、スパッタ装置
内の空気を排気して真空にするが、その際の真空到達度
は、１×１０-5Ｔｏｒｒよりも高真空とするのが、得ら
れる透明導電膜の信頼性の向上の点から好ましい。
内の空気を排気して真空にするが、その際の真空到達度
は、１×１０-5Ｔｏｒｒよりも高真空とするのが、得ら
れる透明導電膜の信頼性の向上の点から好ましい。
【００１８】スパッタリングに使用するガスとしては、
Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ等の不活性ガスが使用される。スパッ
タリング時のガス圧は、１×１０-3〜１×１０-1Ｔｏｒ
ｒの範囲であることが好ましい。その理由は、ガス圧が
この範囲を超えると、不活性ガスによるターゲットのス
パッタリングが効率よく行われないため、成膜速度が著
しく低くなり成膜が困難となるからである。スパッタリ
ング時のガス圧は、得られる透明導電膜の信頼性の向上
の点から、１×１０-3〜１×１０-2Ｔｏｒｒの範囲とす
ることが更に好ましい。
Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ等の不活性ガスが使用される。スパッ
タリング時のガス圧は、１×１０-3〜１×１０-1Ｔｏｒ
ｒの範囲であることが好ましい。その理由は、ガス圧が
この範囲を超えると、不活性ガスによるターゲットのス
パッタリングが効率よく行われないため、成膜速度が著
しく低くなり成膜が困難となるからである。スパッタリ
ング時のガス圧は、得られる透明導電膜の信頼性の向上
の点から、１×１０-3〜１×１０-2Ｔｏｒｒの範囲とす
ることが更に好ましい。
【００１９】ターゲットと基材との距離は、６０〜１３
０ｍｍの範囲とするのが、得られる透明導電膜のシート
抵抗の面内分布の均一性の点から好ましい。
０ｍｍの範囲とするのが、得られる透明導電膜のシート
抵抗の面内分布の均一性の点から好ましい。
【００２０】スパッタリングターゲットへの投入電力
は、高周波スパッタリングの場合、異常放電によるター
ゲットの損傷を少なくし、且つ十分な成膜速度を得るた
めに、ターゲットの１ｃｍ2 あたり１〜８Ｗとするのが
好ましい。
は、高周波スパッタリングの場合、異常放電によるター
ゲットの損傷を少なくし、且つ十分な成膜速度を得るた
めに、ターゲットの１ｃｍ2 あたり１〜８Ｗとするのが
好ましい。
【００２１】基材加熱を８０〜３５０℃の範囲で行う
と、得られる透明導電膜の信頼性が向上するので好まし
い。
と、得られる透明導電膜の信頼性が向上するので好まし
い。
【００２２】成膜時間は光線透過率と信頼性を同時に満
たす膜厚である１０００〜１６００Åとなるように設定
することが好ましい。
たす膜厚である１０００〜１６００Åとなるように設定
することが好ましい。
【００２３】
【実施例】以下に、本発明の実施例を説明する。 （実施例１〜３）純度９９．９９％の酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）粉末に二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）粉末を所定量添加し
た後、ボールミルにより湿式混合を２４時間行った。得
られた混合粉末をホットプレスにより、焼結密度が４．
５ｇ／ｃｍ3 となるように加圧焼結して直径５インチ、
厚みが５ｍｍの円板状の焼結体を作製した。焼結体のＳ
ｉＯ 2 含有量を測定した結果、表１に示した通りのＳｉ
Ｏ2 含有量の酸化亜鉛焼結体が得られていることが確認
された。
Ｏ）粉末に二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）粉末を所定量添加し
た後、ボールミルにより湿式混合を２４時間行った。得
られた混合粉末をホットプレスにより、焼結密度が４．
５ｇ／ｃｍ3 となるように加圧焼結して直径５インチ、
厚みが５ｍｍの円板状の焼結体を作製した。焼結体のＳ
ｉＯ 2 含有量を測定した結果、表１に示した通りのＳｉ
Ｏ2 含有量の酸化亜鉛焼結体が得られていることが確認
された。
【００２４】上記酸化亜鉛焼結体からなるスパッタリン
グターゲットをバッキングプレートとボンディングした
後、図２に示したスパッタリング装置にターゲットＡと
して取り付けた。ターゲットＡは、マッチングボックス
２、高周波電源３に接続されている。使用したスパッタ
リング装置はスパッタアップ方式の高周波マグネトロン
スパッタ装置（芝浦製作所社製、CFS-8EP-55）であり、
ターゲットＡと対抗する位置に基材回転が可能であるス
パッタテーブル５が配置されている。上記スパッタテー
ブルの回転軸４近傍にスライドガラス（マツナミ社製、
S1111 、サイズ８０ｍｍ×３０ｍｍ×１ｍｍ）よりなる
基材Ｂを取り付けた。なおターゲットＡと基材Ｂの垂直
距離は１００ｍｍとした。
グターゲットをバッキングプレートとボンディングした
後、図２に示したスパッタリング装置にターゲットＡと
して取り付けた。ターゲットＡは、マッチングボックス
２、高周波電源３に接続されている。使用したスパッタ
リング装置はスパッタアップ方式の高周波マグネトロン
スパッタ装置（芝浦製作所社製、CFS-8EP-55）であり、
ターゲットＡと対抗する位置に基材回転が可能であるス
パッタテーブル５が配置されている。上記スパッタテー
ブルの回転軸４近傍にスライドガラス（マツナミ社製、
S1111 、サイズ８０ｍｍ×３０ｍｍ×１ｍｍ）よりなる
基材Ｂを取り付けた。なおターゲットＡと基材Ｂの垂直
距離は１００ｍｍとした。
【００２５】次いで、真空槽１内を１×１０-5Ｔｏｒｒ
以下の真空に排気した後、ガス導入バルブ８を開きスパ
ッタガスとしてＡｒガスをマスフローコントローラー９
を用いて真空槽１内に５０ＳＣＣＭ導入し、真空槽１内
のガス圧を５×１０-3Ｔｏｒｒとした。さらに、真空槽
１内の底部に配置された赤外線ランプ１０により、基材
Ｂを１００℃の設定温度になるよう加熱を行った。さら
に、スパッタテーブル５をモーター６によって、回転速
度３０ｒｐｍで回転させながら、ターゲットＡに５００
Ｗの高周波電力（発振周波数１３．５６ＭＨｚ）を投入
し、シャッター７を開けることにより成膜を開始し、基
材Ｂ上にケイ素を含有するＺｎＯ透明導電膜を形成し
た。尚成膜時間については、透明導電膜の膜厚が１２０
０Åになるように調節した。
以下の真空に排気した後、ガス導入バルブ８を開きスパ
ッタガスとしてＡｒガスをマスフローコントローラー９
を用いて真空槽１内に５０ＳＣＣＭ導入し、真空槽１内
のガス圧を５×１０-3Ｔｏｒｒとした。さらに、真空槽
１内の底部に配置された赤外線ランプ１０により、基材
Ｂを１００℃の設定温度になるよう加熱を行った。さら
に、スパッタテーブル５をモーター６によって、回転速
度３０ｒｐｍで回転させながら、ターゲットＡに５００
Ｗの高周波電力（発振周波数１３．５６ＭＨｚ）を投入
し、シャッター７を開けることにより成膜を開始し、基
材Ｂ上にケイ素を含有するＺｎＯ透明導電膜を形成し
た。尚成膜時間については、透明導電膜の膜厚が１２０
０Åになるように調節した。
【００２６】（比較例１〜３）スパッタリングターゲッ
トとして使用した酸化亜鉛焼結体のＳｉＯ2 含有量が、
表１に示した値となるようにターゲットの作製を行った
ことの他は実施例１と同様に行った。
トとして使用した酸化亜鉛焼結体のＳｉＯ2 含有量が、
表１に示した値となるようにターゲットの作製を行った
ことの他は実施例１と同様に行った。
【００２７】（比較例４）純度９９．９９％の酸化亜鉛
（ＺｎＯ）粉末に添加する粉末をアルミナ（Ａｌ
2 Ｏ3 ）粉末とした以外は実施例１と同様にしてＡｌ2
Ｏ3 を含有する酸化亜鉛焼結体を作製した。焼結体のＡ
ｌ2 Ｏ3 含有量を測定した結果、２．０重量％のＡｌ2
Ｏ3 が含有された酸化亜鉛焼結体が得られていることが
確認された。上記焼結体をスパッタリングターゲットと
して使用して実施例１と同様の方法により、基材Ｂ上に
Ａｌを含有するＺｎＯ透明導電膜を形成した。
（ＺｎＯ）粉末に添加する粉末をアルミナ（Ａｌ
2 Ｏ3 ）粉末とした以外は実施例１と同様にしてＡｌ2
Ｏ3 を含有する酸化亜鉛焼結体を作製した。焼結体のＡ
ｌ2 Ｏ3 含有量を測定した結果、２．０重量％のＡｌ2
Ｏ3 が含有された酸化亜鉛焼結体が得られていることが
確認された。上記焼結体をスパッタリングターゲットと
して使用して実施例１と同様の方法により、基材Ｂ上に
Ａｌを含有するＺｎＯ透明導電膜を形成した。
【００２８】透明導電膜の性能評価 上記実施例及び比較例で得られたスパッタリングターゲ
ット、および透明導電膜につき下記の性能評価を行い、
その結果を表１に示した。 スパッタリングターゲット中のＳｉＯ2 含有量 スパッタリングターゲットとして使用した焼結体から試
料をサンプリングしＩＣＰ発光分析により、以下の計算
式によりスパッタリングターゲット中のＳｉＯ 2 含有量
を求めた。用いたＩＣＰ発光分析装置はセイコー電子社
製、ＳＰＳ４０００である。 ＳｉＯ2 含有量（重量％）＝１００×ＳｉＯ2 （重量）
／〔ＺｎＯ（重量）＋ＳｉＯ2 （重量）〕 初期シート抵抗 成膜直後の透明導電膜のシート抵抗を抵抗率計により四
端子法で測定した。測定に用いた抵抗率計は、三菱油化
社製のロレスタＭＣＰ−Ｔ５００である。測定は基材上
の６点で行い、これを平均したものを初期のシート抵抗
値として表示した。
ット、および透明導電膜につき下記の性能評価を行い、
その結果を表１に示した。 スパッタリングターゲット中のＳｉＯ2 含有量 スパッタリングターゲットとして使用した焼結体から試
料をサンプリングしＩＣＰ発光分析により、以下の計算
式によりスパッタリングターゲット中のＳｉＯ 2 含有量
を求めた。用いたＩＣＰ発光分析装置はセイコー電子社
製、ＳＰＳ４０００である。 ＳｉＯ2 含有量（重量％）＝１００×ＳｉＯ2 （重量）
／〔ＺｎＯ（重量）＋ＳｉＯ2 （重量）〕 初期シート抵抗 成膜直後の透明導電膜のシート抵抗を抵抗率計により四
端子法で測定した。測定に用いた抵抗率計は、三菱油化
社製のロレスタＭＣＰ−Ｔ５００である。測定は基材上
の６点で行い、これを平均したものを初期のシート抵抗
値として表示した。
【００２９】光線透過率 透明導電膜（基材も含む）の波長５５０ｎｍにおける光
線透過率を、自記分光光度計（島津製作所社製、ＵＶ−
３１０１ＰＣ）を用いて測定した。 信頼性評価 上記初期シート抵抗を測定した透明導電膜を、温度６
０℃、相対湿度９６％に設定した恒温恒湿槽（東洋製作
所社製、アテンプターＡＧ−２型）内で１０００時間放
置した後、と同様にしてシート抵抗を測定し、以下の
式によりシート抵抗の変化量を求め、この値により信頼
性を評価した。 シート抵抗変化量＝試験後シート抵抗−初期シート抵抗
線透過率を、自記分光光度計（島津製作所社製、ＵＶ−
３１０１ＰＣ）を用いて測定した。 信頼性評価 上記初期シート抵抗を測定した透明導電膜を、温度６
０℃、相対湿度９６％に設定した恒温恒湿槽（東洋製作
所社製、アテンプターＡＧ−２型）内で１０００時間放
置した後、と同様にしてシート抵抗を測定し、以下の
式によりシート抵抗の変化量を求め、この値により信頼
性を評価した。 シート抵抗変化量＝試験後シート抵抗−初期シート抵抗
【００３０】
【表１】
【００３１】
【発明の効果】本発明の透明導電膜の製造方法は、上述
の通りであり、ＳｉＯ2 が２．２〜３．２重量％、残部
がＺｎＯからなる焼結体をスパッタリングターゲットと
して、スパッタリングするので、得られた透明導電膜
は、抵抗膜方式のタブレット用透明電極として要求され
る初期性能及び信頼性を満足するものである。従って、
上記透明導電膜は、抵抗膜方式が採用されるペン入力装
置のタブレット用透明電極として好適に使用できる。
の通りであり、ＳｉＯ2 が２．２〜３．２重量％、残部
がＺｎＯからなる焼結体をスパッタリングターゲットと
して、スパッタリングするので、得られた透明導電膜
は、抵抗膜方式のタブレット用透明電極として要求され
る初期性能及び信頼性を満足するものである。従って、
上記透明導電膜は、抵抗膜方式が採用されるペン入力装
置のタブレット用透明電極として好適に使用できる。
【図１】図１は、本発明の透明導電膜が用いられた抵抗
膜方式のタブレット用透明電極の一例を示す模式的に表
した断面図である。
膜方式のタブレット用透明電極の一例を示す模式的に表
した断面図である。
【図２】図２は、本発明で使用される高周波スパッタリ
ング装置を示す概略図である。
ング装置を示す概略図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 ＳｉＯ2 が２．２〜３．２重量％、残部
がＺｎＯからなる焼結体をスパッタリングターゲットと
して、スパッタリングすることを特徴とする透明導電膜
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1673195A JPH08209338A (ja) | 1995-02-03 | 1995-02-03 | 透明導電膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1673195A JPH08209338A (ja) | 1995-02-03 | 1995-02-03 | 透明導電膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08209338A true JPH08209338A (ja) | 1996-08-13 |
Family
ID=11924416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1673195A Withdrawn JPH08209338A (ja) | 1995-02-03 | 1995-02-03 | 透明導電膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08209338A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010026899A1 (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-11 | 株式会社カネカ | 透明電極付き基板および透明電極付き基板の製造方法 |
| WO2010090101A1 (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-12 | 株式会社カネカ | 薄膜光電変換装置およびその製造方法 |
| WO2013042423A1 (ja) * | 2011-09-22 | 2013-03-28 | 住友金属鉱山株式会社 | Ｚｎ－Ｓｉ－Ｏ系酸化物焼結体とその製造方法および透明導電膜 |
-
1995
- 1995-02-03 JP JP1673195A patent/JPH08209338A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010026899A1 (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-11 | 株式会社カネカ | 透明電極付き基板および透明電極付き基板の製造方法 |
| US8895427B2 (en) | 2008-09-04 | 2014-11-25 | Kaneka Corporation | Substrate having a transparent electrode and method for producing the same |
| JP5697449B2 (ja) * | 2008-09-04 | 2015-04-08 | 株式会社カネカ | 透明電極付き基板および透明電極付き基板の製造方法 |
| WO2010090101A1 (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-12 | 株式会社カネカ | 薄膜光電変換装置およびその製造方法 |
| JPWO2010090101A1 (ja) * | 2009-02-06 | 2012-08-09 | 株式会社カネカ | 薄膜光電変換装置およびその製造方法 |
| WO2013042423A1 (ja) * | 2011-09-22 | 2013-03-28 | 住友金属鉱山株式会社 | Ｚｎ－Ｓｉ－Ｏ系酸化物焼結体とその製造方法および透明導電膜 |
| JP2013067531A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-04-18 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Ｚｎ−Ｓｉ−Ｏ系酸化物焼結体とその製造方法および透明導電膜 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A761 | Written withdrawal of application |
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