JPH07235219A

JPH07235219A - 導電性透明基材およびその製造方法

Info

Publication number: JPH07235219A
Application number: JP13203094A
Authority: JP
Inventors: Masatsugu Oyama; 正嗣大山; Akira Umigami; 暁海上; Kazuyoshi Inoue; 一吉井上
Original assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Current assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date: 1993-12-28
Filing date: 1994-06-14
Publication date: 1995-09-05
Anticipated expiration: 2016-06-25
Also published as: JP3179287B2

Abstract

(57)【要約】【目的】実用上十分な導電性および光透過性を有する
とともに、エッチング特性および比抵抗の熱的安定性に
優れた透明導電膜であって、低基板温度下でも基板上に
設けることが可能な透明導電膜を利用した導電性透明基
材、およびその製造方法を提供する。【構成】本発明の導電透明基材は、透明基材上に、主
要カチオン元素としてインジウム（Ｉｎ）および亜鉛
（Ｚｎ）を含有する非晶質酸化物からなる透明導電膜で
あって、Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．８〜
０．９の範囲内である透明導電膜が設けられていること
を特徴とする。また、本発明の導電透明基材の製造方法
は、透明基材上に、主要カチオン元素としてインジウム
（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）を含有する非晶質酸化物か
らなる透明導電膜であって、Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ
＋Ｚｎ）が０．８〜０．９の範囲内である透明導電膜を
スパッタリング法により設けることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、導電性透明基材および
その製造方法に係り、特に、電気絶縁性透明基材の上に
透明導電膜を設けてなるタイプの導電性透明基材および
その製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置は軽量化、薄型化が可能で
あり、駆動電圧も低いことから、パ−ソナルコンピュー
タやワードプロセッサ等のＯＡ機器へ活発に導入されて
いる。そして、前述のような利点を有している液晶表示
装置は必然的に大面積化、多画素化、高精細化の方向に
向かっており、表示欠陥のない高品質の液晶表示素子が
求められている。

【０００３】液晶表示素子は、互いに対向して配置され
た２つの透明電極により液晶を挟み込んだサンドイッチ
構造をなしており、透明電極は高品質の液晶表示素子を
得るうえでの重要な要素の一つである。この透明電極
は、例えば透明ガラス基板上に成膜した透明導電膜をフ
ォトリソグラフィー法等により所定形状にパターニング
することで作製されており、近年では表示装置のより一
層の軽量化を図るため、透明ガラス基板に代えて高分子
フィルムを用いることが試みられている。そして、この
ような透明電極を作製するための母材等として、ガラス
や透明高分子からなる電気絶縁性の透明基材の上に透明
導電膜を設けたタイプの導電性透明基材が開発されてい
る。

【０００４】上記タイプの導電性透明基材としては、現
在、透明導電膜としてＩＴＯ膜を利用したものが主流を
占めており、このＩＴＯ膜はスパッタリングターゲット
としてＩＴＯを用いたスパッタリング法等により成膜さ
れている。透明導電膜としてＩＴＯ膜が多用されている
理由は、ＩＴＯ膜の高透明性、低抵抗性の他、エッチン
グ特性、基材への付着性等が良好なためである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、電気抵
抗が低くかつ透明性が高いＩＴＯ膜をスパッタリング法
により得るためには、一般に基板温度を２００〜３００
℃にする必要があり、このようにしてＩＴＯ膜を形成し
た場合にはＩＴＯ膜が結晶化する結果、そのエッチング
特性は良好ではあっても優れているとはいい難いものと
なる。また、基板として高分子フィルムや高分子シート
を用いた場合には、基板温度を２００〜３００℃にする
ことが困難であるために、電気抵抗が低くかつ透明性が
高いＩＴＯ膜を形成することが困難である。

【０００６】ＩＴＯ膜のエッチング特性は当該ＩＴＯ膜
を非晶質にすることで向上させ得るが（米国特許第５１
０５２９１号明細書参照）、非晶質にした場合には導電
性が低下するという難点がある（非晶質のＩＴＯについ
ては『透明導電性フィルムの製造と応用』（第１９〜２
６頁，（株）シー・エム・シー，１９８６年）にも記載
有り）。また、非晶質のＩＴＯは耐熱性や耐湿性に劣
り、例えば大気中で９０℃、１０００時間の耐熱性試験
を行った場合や、９５％ＲＨの雰囲気中で４０℃、１０
００時間の耐湿性試験を行った場合には、表面抵抗が７
０〜８０％増大する。インジウム酸化物を主成分とする
膜で結晶化度が１〜８０％のものも知られているが（特
開平２−２７６６３０号公報参照）、比抵抗が４×１０
^-4Ωｃｍ未満のものは耐熱性が低く、１００〜２５０℃
の熱処理により抵抗値が増大する。

【０００７】本発明は、実用上十分な導電性および光透
過性を有するとともに、エッチング特性および比抵抗の
熱的安定性に優れた透明導電膜であって、低基板温度下
でも基板上に設けることが可能な透明導電膜を利用した
導電性透明基材、およびその製造方法を提供することを
目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の導電性透明基材は、透明基材上に、主要カチオン元
素としてインジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）を含有
する非晶質酸化物からなる透明導電膜であって、Ｉｎの
原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．８〜０．９の範囲内
である透明導電膜が設けられていることを特徴とするも
のである。

【０００９】また、上記目的を達成する本発明の導電性
透明基材の製造方法は、透明基材上に、主要カチオン元
素としてインジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）を含有
する非晶質酸化物からなる透明導電膜であって、Ｉｎの
原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．８〜０．９の範囲内
である透明導電膜をスパッタリング法により設けること
を特徴とするものである。

【００１０】以下、本発明を詳細に説明する。まず本発
明の導電性透明基材について説明する。この導電性透明
基材は、上述したように、主要カチオン元素としてイン
ジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）を含有する特定組成
の非晶質酸化物からなる透明導電膜が透明基材上に設け
られているものである。ここで、透明基材は電気絶縁性
の透明材料からなるものであれば特に限定されるもので
はないが、電気絶縁性の透明高分子または透明ガラスか
らなるものが好ましい。透明基材は可撓性基板（例えば
以下に述べるフィルム状の透明高分子等）であってもよ
いし、可撓性に乏しい基板（例えばガラス基板）であっ
てもよい。

【００１１】電気絶縁性の透明高分子からなる透明基材
（以下、透明高分子基材という）の具体例としては、ポ
リエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル樹脂、
ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエー
テルスルホン樹脂、アモルファスポリオレフィン樹脂、
ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポ
リアミド樹脂、マレイミド樹脂等からなるフィルムまた
はシートが挙げられる。これらの透明高分子基材のなか
でも、透明性および熱的安定性の点から、ポリカーボネ
ート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエチレンテレフタ
レート樹脂、またはポリエーテルスルホン樹脂からなる
ものが好ましい。

【００１２】一方、電気絶縁性の透明ガラスからなる透
明基材（以下、透明ガラス基材という）の具体例として
は、ソーダ石灰ガラス、鉛ガラス、硼硅酸ガラス、高硅
酸ガラス、無アルカリガラス等の透明ガラス製のフィル
ム状物あるいは板状物が挙げられる。これらの透明ガラ
ス基材のなかでも、透明導電膜中へのアルカリイオンの
拡散が起こらない点でアルカリ成分を含有しないものが
好ましい。

【００１３】なお、透明基材において透明導電膜が設け
られる側の表面には、金属酸化物（ケイ素酸化物を含
む）、金属窒化物（ケイ素窒化物を含む）、金属炭化物
（ケイ素炭化物を含む）、架橋性樹脂等からなる単層構
造または複数層構造の中間層が設けられていてもよい。
前記金属酸化物の具体例としてはＡｌ₂Ｏ₃，ＳｉＯ_x
（０＜ｘ≦２），ＺｎＯ，ＴｉＯ₂等が挙げられ、前記
金属窒化物の具体例としてはＡｌＮ，Ｓｉ₃Ｎ₄，Ｔｉ
Ｎ等が挙げられ、前記金属炭化物の具体例としてはＳｉ
Ｃ，Ｂ₄Ｃ等が挙げられる。また、前記架橋性樹脂の具
体例としてはエポキシ樹脂、フェノキシエーテル樹脂、
アクリル樹脂等が挙げられる。

【００１４】上記の中間層は、透明基材と透明導電膜と
の密着性を向上させる上で有用である。透明基材として
透明高分子基材を用いる場合には、架橋性樹脂層と無機
物層（前記の金属酸化物、金属窒化物、または金属炭化
物からなる層）とが順次積層された２層構造の中間層が
設けられていることが好ましく、この２層構造の中間層
が設けられていた場合には単層構造の中間層が設けられ
ていた場合よりも密着性が向上する。一方、透明基材と
して透明ガラス基材を用いる場合には、無機物層（前記
の金属酸化物、金属窒化物、または金属炭化物からなる
層）と架橋性樹脂層とが順次積層された２層構造の中間
層が設けられていることが好ましく、この２層構造の中
間層が設けられていた場合には単層構造の中間層が設け
られていた場合よりも密着性が向上する。また、透明高
分子基材上に熱的安定性がより向上した透明導電膜を形
成するうえからは、中間層またはその一部として設けた
無機物層（前記の金属酸化物、金属窒化物、または金属
炭化物からなる層）上に透明導電膜を形成するようにす
ることが好ましい。

【００１５】また、透明高分子基材の直上に中間層とし
てまたはその一部として架橋性樹脂層を設ける場合、こ
の架橋性樹脂層と前記の透明基材との間には接着層やガ
スバリヤー層を介在させてもよい。接着層の材質として
は、エポキシ系、アクリルウレタン系、フェノキシエー
テル系の接着剤等が挙げられる。ガスバリヤー層は、例
えば導電性透明基材を最終的に液晶表示素子用の透明電
極として利用したときに、液晶への水蒸気や酸素等の拡
散を防止するうえで有用である。ガスバリヤー層の材質
としては、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリ
ビニルアルコール、ポリアクリルニトリル、ポリ塩化ビ
ニリデン、ポリフッ化ビニリデン等が挙げられる。

【００１６】前述した透明高分子基材や透明ガラス基材
等からなる透明基材は、その光透過率が７０％以上であ
ることが好ましい。７０％未満では透明基材として不適
である。透明基材としては光透過率が８０％以上のもの
がより好ましく、更に好ましいものは光透過率が９０％
以上のものである。また、透明基材の厚さは目的とする
導電性透明基材の用途や透明基材の材質等に応じて適宜
選択されるが、概ね１５μｍ〜３ｍｍが好ましく、５０
μｍ〜１ｍｍがより好ましい。

【００１７】本発明の導電性透明基材では、上述した透
明基材の上に、主要カチオン元素としてインジウム（Ｉ
ｎ）および亜鉛（Ｚｎ）を含有する非晶質酸化物からな
る透明導電膜であって、Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚ
ｎ）が０．８〜０．９の範囲内である透明導電膜が設け
られている。ここで、Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚ
ｎ）を前記の範囲に限定する理由は、この原子比が０．
８未満では比抵抗の熱的安定性が低くなり、０．９を超
えると比抵抗の熱的安定性が低くなるとともにエッチン
グ特性も低くなるからである。Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉ
ｎ＋Ｚｎ）は０．８１〜０．９０の範囲内であることが
より好ましく、特に０．８２〜０．９０の範囲内が好ま
しい。

【００１８】上記の非晶質酸化物は、カチオン元素とし
て実質的にインジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）のみ
を含有するものであってもよいし、インジウム（Ｉｎ）
および亜鉛（Ｚｎ）以外のカチオン元素として価数が正
３価以上である１種以上の第３元素を含有するものであ
ってもよい。前記第３元素の具体例としてはアルミニウ
ム（Ａｌ）、アンチモン（Ｓｂ）、ガリウム（Ｇａ）、
ゲルマニウム（Ｇｅ）等が挙げられる。また、第３元素
の含有量は、その総量の原子比（全第３元素）／（Ｉｎ
＋Ｚｎ＋全第３元素）が０．２以下となる量であること
が好ましい。第３元素の総量の原子比が０．２を超える
と、イオンの散乱により導電性が低くなる。第３元素の
総量のより好ましい原子比は０．０８以下であり、さら
に好ましくは０．０１以下である。なお、組成が同じで
あっても結晶化したものは非晶質のものより導電性に劣
るので、本発明の導電性透明基材で利用する透明導電膜
は非晶質のものに限定される。

【００１９】上述の非晶質酸化物は、薄膜にすることで
透明導電膜として利用することが可能になる。このとき
の膜厚は用途や当該透明導電膜が設けられる基材の材質
等に応じて適宜選択可能であるが、概ね３ｎｍ〜３００
０ｎｍの範囲内である。３ｎｍ未満では導電性が不十分
となり易い。一方、３０００ｎｍを超えると光透過性が
低下したり、導電性透明基材を製造する過程や製造後に
おいて故意または不可避的に透明基材を変形させたとき
に透明導電膜にクラック等が生じ易くなる。透明導電膜
の好ましい膜厚は５〜１０００ｎｍであり、特に好まし
い膜厚は１０〜８００ｎｍである。

【００２０】なお、上記の透明導電膜の比抵抗の熱的安
定性は、例えば後述する本発明の方法により当該透明導
電膜を形成する場合、成膜時の雰囲気ガス中の酸素分圧
の影響を受ける。より比抵抗の熱的安定性が高い透明導
電膜を得るうえからは、前記の酸素分圧を後述のように
制御することが好ましい。

【００２１】上述した透明導電膜が前述した透明基材の
上に設けられている本発明の導電性透明基材は、実用上
十分な導電性および光透過性を有しており、かつ、この
導電性透明基材を構成する透明導電膜はエッチング特性
に優れている。また、その比抵抗の熱的安定性は高い。
さらに、後述するように、前記透明導電膜は低基板温度
下においても基板上に設けることができるため、高分子
フィルムのような耐熱性が比較的低いものでも基板とし
て利用することができる。このような特徴を有する本発
明の導電性透明基材は、液晶表示素子用の透明電極、エ
レクトロルミネッセンス素子用の透明電極、太陽電池用
の透明電極等、種々の用途の透明電極をエッチング法に
より形成する際の母材等として、あるいは帯電防止膜や
窓ガラス等用の氷結防止ヒータ等として好適である。

【００２２】なお、本発明の導電性透明基材は、透明導
電膜が設けらていれる面とは反対の側の面に、ガスバリ
ヤー層、ハードコート層、反射防止層等を有していても
よい。ガスバリヤー層の具体例としては、透明高分子基
材の説明の中で例示したものと同じものが挙げられる。
また、ハードコート層の具体例としては、チタン系やシ
リカ系のハードコート剤、ポリメチルメタクリレート等
の高分子、ポリフォスファゼン等の無機高分子等からな
るものが挙げられる。そして、反射防止層の具体例とし
ては、低屈折率ポリマー、ＭｇＦ₂やＣａＦ₂等のフッ
化物、ＳｉＯ₂，ＺｎＯ，ＢｉＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃等の酸
化物等からなるものが挙げられる。また、本発明の導電
性透明基材は、透明導電膜上に有機重合体薄膜または無
機薄膜を有していてもよい。

【００２３】以上説明した本発明の導電性透明基材は、
スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ
法、スプレイパイロリシス、蒸着法等、種々の方法によ
り製造することが可能であるが、透明導電膜の性能、生
産性等の点から、以下に述べる本発明の方法により製造
することが好ましい。

【００２４】本発明の導電性透明基材の製造方法は、前
述したように、透明基材上に、主要カチオン元素として
インジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）を含有する非晶
質酸化物からなる透明導電膜であって、Ｉｎの原子比Ｉ
ｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．８〜０．９の範囲内である透
明導電膜を所定のスパッタリングターゲットを用いたス
パッタリング法により設けることを特徴とするもので
る。

【００２５】ここで、前記透明基材については本発明の
導電性透明基材の説明の中で述べたとおりである。ま
た、透明導電膜は、前述したようにカチオン元素として
実質的にインジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）のみを
含有する非晶質酸化物からなるものであってもよいし
（以下、この透明導電膜を透明導電膜Ｉという）、イン
ジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）以外のカチオン元素
として価数が正３価以上である１種以上の第３元素を含
有する非晶質酸化物からなるものであってもよい（以
下、この透明導電膜を透明導電膜IIという）。

【００２６】スパッタリングの方法はＲＦあるいはＤＣ
マグネトロンスパッタリング等の通常のスパッタリング
（以下、ダイレクトスパッタリングという）でも反応性
スパッタリングでもよく、使用するスパッタリングター
ゲットの組成やスパッタリング条件は、成膜しようとす
る透明導電膜の組成等に応じて適宜選択される。例えば
ダイレクトスパッタリング法により透明導電膜Ｉを設け
る場合には、下記(i) 〜(ii)のスパッタリング用酸化物
ターゲット（酸化物ターゲット）を用いることが好まし
い。

【００２７】(i) 酸化インジウムと酸化亜鉛との組成物
からなる焼結体ターゲットで、Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉ
ｎ＋Ｚｎ）が所定の値のもの。ここで、「Ｉｎの原子比
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が所定の値のもの」とは、最終的
に得られる膜におけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚ
ｎ）が０．８〜０．９の範囲内の所望値（この値の好ま
しい範囲については本発明の導電性透明基材の説明の中
で述べたとおりである）となるものを意味する。具体的
には、Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．７５〜
０．９である焼結体ターゲットを用いることで達成され
る。前記原子比が０．７５〜０．９の範囲から外れる
と、このターゲットをスパッタリングすることで得られ
る膜におけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．
８未満に、または０．９を超えるようになり易く、目的
とする透明導電膜Ｉを得ることが困難になる。この焼結
体ターゲットは、酸化インジウムと酸化亜鉛との混合物
からなる焼結体であってもよいし、Ｉｎ₂Ｏ₃（Ｚｎ
Ｏ）_m（ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物の
１種以上とＩｎ₂Ｏ₃とから実質的になる焼結体であっ
てもよい。なお、六方晶層状化合物を表す前記式におい
てｍを２〜２０に限定する理由は、ｍが前記範囲外では
六方晶層状化合物にならないからである。ｍの好ましい
範囲は２〜８であり、更に好ましくは２〜６である。

【００２８】(ii)酸化物系ディスクと、このディスク上
に配置した１個以上の酸化物系タブレットとからなるス
パッタリングターゲット。酸化物系ディスクは、酸化イ
ンジウムから実質的になるものであってもよいし、Ｉｎ
₂Ｏ₃（ＺｎＯ）_m（ｍ＝２〜２０）で表される六方晶
層状化合物の１種以上とＩｎ₂Ｏ₃とから実質的になる
焼結体であってもよい。また、酸化物系タブレットは、
酸化亜鉛または酸化インジウムから実質的になるもので
あってもよいし、Ｉｎ₂Ｏ₃（ＺｎＯ）_m（ｍ＝２〜２
０）で表される六方晶層状化合物の１種以上から実質的
になるものであってもよし、Ｉｎ₂Ｏ₃（ＺｎＯ）
_m（ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物の１種
以上とＩｎ₂Ｏ₃とから実質的になるものであってもよ
い。酸化物系ディスクおよび酸化物系タブレットの組成
並びに酸化物系ディスクと酸化物系タブレットの使用割
合は、最終的に得られる膜におけるＩｎの原子比Ｉｎ／
（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．８〜０．９の範囲内の所望値（こ
の値の好ましい範囲については本発明の導電性透明基材
の説明の中で述べたとおりである）となるように適宜決
定される。

【００２９】上記(i) 〜(ii)のいずれのスパッタリング
ターゲットも、その純度は９８％以上であることが好ま
しい。９８％未満では、不純物の存在により、得られる
膜の化学的安定性が低下したり、導電性が低下したり、
光透過性が低下したりすることがある。より好ましい純
度は９９％以上であり、更に好ましい純度は９９．９％
以上である。また、焼結体ターゲットを用いる場合、こ
のターゲットの相対密度は７０％以上とすることが好ま
しい。相対密度が７０％未満では、成膜速度の低下や膜
質の低下をまねき易い。より好ましい相対密度は８５％
以上であり、更に好ましくは９０％以上である。

【００３０】ダイレクトスパッタリング法により透明導
電膜Ｉを設ける場合のスパッタリング条件は、ダイレク
トスパッタリングの方法やスパッタリングターゲットの
組成、用いる装置の特性等により種々変ってくるために
一概に規定することは困難であるが、ＤＣマグネトロン
スパッタリング法による場合には例えば以下のように設
定することが好ましい。

【００３１】・到達真空度スパッタリングを行う前に、真空槽内を予め１×１０^-3
Ｐａ以下に減圧する。・スパッタリング時の真空度およびターゲット印加電圧スパッタリング時の真空度は１×１０^-4〜５×１０^-2To
rr程度（１．３×１０^-2〜６．７×１０⁰Ｐａ程度）、
より好ましくは２×１０^-4〜１×１０^-2Torr（２．７×
１０^-2〜１．３×１０⁰Ｐａ程度）、更に好ましくは３
×１０^-4〜５×１０^-3Torr（４．０×１０^-2〜６．７×
１０^-1Ｐａ程度）とする。また、ターゲット印加電圧は
２００〜５００Ｖが好ましい。ここで、スパッタリング
時の真空度とはスパッタリング時の真空槽内の圧力を示
す。スパッタリング時の真空度が１×１０^-4Torrより高
い（１×１０^-4Torrよりも圧力が低い）とプラズマの安
定性が悪く、５×１０^-2Torrに達しない（５×１０^-2To
rrよりも圧力が高い）とスパッタリングターゲットへの
印加電圧を高くすることができなくなる。また、ターゲ
ット印加電圧が２００Ｖ未満では良質の薄膜を得ること
が困難になったり、成膜速度が制限されることがある。

【００３２】・雰囲気ガス雰囲気ガスとしては、アルゴンガス等の不活性ガスと酸
素ガスとの混合ガスが好ましい。不活性ガスとしてアル
ゴンガスを用いる場合、このアルゴンガスと酸素ガスと
の混合比（体積比）は概ね０．６：０．４〜０．９９
９：０．００１とすることが好ましい。この範囲を外れ
ると、低抵抗かつ光透過率の高い膜が得られない場合が
ある。不活性ガスと酸素ガスとの混合比を前記の範囲内
とし、かつ酸素分圧を１×１０^-3〜４×１０^-5Ｐａの範
囲内とすることにより、大気中９０℃で１０００時間保
持した後の比抵抗Ｒ₁₀₀₀と初期比抵抗Ｒ₀との比Ｒ₁₀₀₀
／Ｒ₀で表される抵抗変化率が２．０以下の透明導電膜
を容易に得ることができる。ここで、酸素分圧はスパッ
タリング時の真空度とこのときの雰囲気ガス中の酸素ガ
スの体積分率との積により表される。また、酸素分圧を
前記の範囲内とすることによりファン・デル・ポウ（ｖ
ａｎｄｅｒＰａｕｗ）法に基づいて測定したキャリ
ア濃度が０．５×１０²¹／ｃｍ³以上の透明導電膜を容
易に得ることができる。前記のキャリア濃度が高いほ
ど、耐熱性および温度変化に対する電気抵抗の安定性に
優れた膜が得やすい。

【００３３】・基板温度基板温度（透明基材の温度）は、透明基材の耐熱性に応
じて、当該基材が熱により変形や変質を起こさない温度
の範囲内で適宜選択される。基板温度が室温未満では冷
却用の機器が別途必要になるため、製造コストが上昇す
る。また、基板温度を高温に加熱するにしたがって製造
コストが上昇する。透明基材として透明高分子基材を用
いる場合には室温〜２００℃が好ましく、２００℃を超
えると透明高分子基材が変形することがある。また、透
明ガラス基板を用いる場合には室温〜４００℃が好まし
く、４００℃を超えると透明ガラス基材が変形したり、
高温に加熱することの効果が得られなくなる場合があ
る。

【００３４】前述した(i) 〜（ii）等のスパッタリング
ターゲットを用いて上述したような条件でダイレクトス
パッタリングを行うことにより、目的とする透明導電膜
Ｉを透明基材上に設けることができる。

【００３５】なお、前記(i) のスパッタリングターゲッ
ト並びに前記(ii)の酸化物系ディスクおよび酸化物系タ
ブレットの１つである、Ｉｎ₂Ｏ₃（ＺｎＯ）_m（ｍ＝
２〜２０）で表される六方晶層状化合物の１種以上とＩ
ｎ₂Ｏ₃とから実質的になる焼結体は、例えば次のよう
にして作ることができる。

【００３６】すなわち、インジウム化合物と亜鉛化合物
とを混合し、この混合で得られた混合物を仮焼して仮焼
物を得た後、この仮焼物を成型し焼結して、目的とする
酸化物の焼結体を得る。ここで、原料として用いるイン
ジウム化合物および亜鉛化合物は、酸化物または焼成後
に酸化物になるもの（酸化物前駆体）であればよい。イ
ンジウム酸化物前駆体、亜鉛酸化物前駆体としては、イ
ンジウムおよび亜鉛それぞれについての硫化物、硫酸
塩、硝酸塩、ハロゲン化物（塩化物、臭化物等）、炭酸
塩、有機酸塩（酢酸塩、しゅう酸塩、プロピオン酸塩、
ナフテン酸塩等）、アルコキシド（メトキシド、エトキ
シド等）、有機金属錯体（アセチルアセトナート等）等
が挙げられる。低温で完全に熱分解し、不純物が残存し
ないようにするためには、この中でも硝酸塩、有機酸
塩、アルコキシド、有機金属錯体を用いるのが好まし
い。

【００３７】また、上記のインジウム化合物と亜鉛化合
物との混合物は、下記(A) 溶液法（共沈法）または(B)
物理混合法により得ることが好ましい。

【００３８】(A) 溶液法（共沈法）この方法は、インジウム化合物および亜鉛化合物を溶解
した溶液、もしくは少なくともインジウム化合物を溶解
した溶液と少なくとも亜鉛化合物を溶解した溶液の他
に、沈澱形成剤を溶解した溶液をそれぞれ調製し、別に
用意した容器（必要により溶媒を入れておいてもよい）
に、必要により撹拌しながら、前述の溶液を同時にある
いは順次添加混合してインジウム化合物と亜鉛化合物の
共沈物を形成させるものである。またインジウム化合物
と亜鉛化合物を溶解した溶液に、沈澱形成剤を溶解した
溶液を添加してもよいし、またその逆であってもよい。

【００３９】インジウム化合物と亜鉛化合物を溶解した
溶液と沈澱形成剤を溶解した溶液とをそれぞれ調製し、
溶媒を入れた別の容器に撹拌しながら両者の溶液を同時
に添加混合して沈澱を形成する場合を例として以下詳細
に説明する。

【００４０】まず、上記インジウム化合物と亜鉛化合物
とを適当な溶媒に溶解させた溶液（以下溶液Ａという）
を準備する。溶媒は、用いるインジウム化合物または亜
鉛化合物の溶解性に応じて適宜選択すればよく、例え
ば、水、アルコール、非プロトン性極性溶媒（ＤＭＳ
Ｏ、ＮＭＰ、スルホラン、ＴＨＦ等）を用いることがで
き、生成する沈澱の溶解度が低いことから、特に炭素数
１〜５のアルコール（メタノール、エタノール、イソプ
ロパノール、メトキシエタノール、エチレングリコール
等）が好ましい。溶液Ａ中の各金属の濃度は０．０１〜
１０ mol／リットルが好ましい。その理由は０．０１ m
ol／リットル未満では生産性が劣り、１０ mol／リット
ルを超えると不均一な沈澱が生成するからである。

【００４１】さらに、原料の溶解を促進するため、各種
溶媒により適宜、酸（硝酸、塩酸等）やアセチルアセト
ン類、多価アルコール（エチレングリコール等）、エタ
ノールアミン類（モノエタノールアミン、ジエタノール
アミン等）を溶液中の金属量の０．０１〜１０倍程度添
加してもよい。

【００４２】上記溶液Ａとともに、沈澱形成剤を溶解さ
せた溶液（以下、溶液Ｂという）を準備する。溶液Ｂに
溶解させる沈澱形成剤としては、アルカリ（水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウ
ム、重炭酸ナトリウム、重炭酸カリウム、水酸化アンモ
ニウム、炭酸アンモニウム、重炭酸アンモニウム等）、
有機酸（ギ酸、蓚酸、クエン酸等）等を用いることがで
きる。沈澱は、沈澱形成剤により水酸化物、無機酸塩、
有機酸塩となる。

【００４３】また、沈澱形成剤を溶解するための溶媒、
および沈澱を形成させる容器に入れる溶媒としては、イ
ンジウム化合物、亜鉛化合物を溶解するために用いる前
述の溶媒を用いることができる。また、各種溶液に用い
る溶媒は、操作上同じものを用いた方がよいが、異なる
溶媒を用いてもよい。

【００４４】この方法においては上述のいずれかの手段
で沈澱を形成させるが、沈澱形成時の温度は、溶媒の融
点以上沸点以下であればよい。また、沈澱形成後に１〜
５０時間沈澱を熟成させてもよい。このようにして得ら
れた沈澱物を次に固液分離、乾燥する。沈澱物の固液分
離は、遠心分離、濾過等の常法により行われる。固液分
離後、沈澱物から陰イオンやアルカリ金属イオン等を除
去する目的で、溶液Ａ、Ｂに用いた溶媒またはその他の
溶媒で沈澱物を十分に洗浄することが望ましい。固液分
離後の乾燥は、４０〜２００℃で０．１〜１００時間行
うのが好ましい。４０℃未満では乾燥に時間がかかり過
ぎ、２００℃以上では粒子の凝集が起きやすくなる。

【００４５】(B) 物理混合法この方法は、上記のインジウム化合物が酸化インジウム
またはその前駆体（水溶性、難溶性を問わない）であ
り、上記の亜鉛化合物が酸化亜鉛またはその前駆体（水
溶性、難溶性を問わない）である場合のいずれにも行な
うことができる方法であり、インジウム化合物と亜鉛化
合物をボールミル、ジェットミル、パールミル等の混合
器に入れ、両化合物を均一に混ぜ合わせるものである。
混合時間は１〜２００時間とするのが好ましい。１時間
未満では均一化が不十分となりやすく、２００時間を超
えると生産性が低下するからである。特に好ましい混合
時間は１０〜１２０時間である。

【００４６】上記溶液法、物理混合法等の方法で上述の
インジウム化合物と亜鉛化合物の混合物を得た後、この
混合物を仮焼する。この仮焼工程は、温度と時間との兼
ね合いで種々異なってくるが、５００〜１２００℃で１
〜１００時間行うことが好ましい。５００℃未満または
１時間未満ではインジウム化合物と亜鉛化合物の熱分解
が不十分であり、１２００℃を超えた場合または１００
時間を超えた場合には粒子が焼結して粒子の粗大化が起
こる。特に好ましい焼成温度および焼成時間は、８００
〜１２００℃で２〜５０時間である。

【００４７】上述のようにして仮焼した後、得られた仮
焼物の粉砕を行なった方が好ましく、また必要に応じ
て、粉砕前後に還元処理を行ってもよい。仮焼物の粉砕
は、ボールミル、ロールミル、パールミル、ジェットミ
ル等を用いて、粒子径が０．０１〜１．０μｍになるよ
うに行うことが好ましい。粒子径が０．０１μｍ未満で
は粉末が凝集しやすく、ハンドリングが悪くなる上、緻
密な焼結体が得にくい。一方１．０μｍを超えると緻密
な焼結体が得にくい。なお仮焼と粉砕を繰り返し行なっ
た方が組成の均一な焼結体が得られる。

【００４８】また還元処理を行う場合の還元方法として
は還元性ガスによる還元、真空焼成または不活性ガスに
よる還元等を適用することができる。還元性ガスによる
還元を行う場合、還元性ガスとしては水素、メタン、Ｃ
Ｏ等や、これらのガスと酸素との混合ガス等を用いるこ
とができる。また、不活性ガス中での焼成による還元の
場合、不活性ガスとしては窒素、アルゴン等や、これら
のガスと酸素との混合ガス等を用いることができる。還
元温度は１００〜８００℃が好ましい。１００℃未満で
は十分な還元を行うことが困難である。一方、８００℃
を超えると酸化亜鉛の蒸発が生じて組成が変化する。特
に好ましい還元温度は２００〜８００℃である。還元時
間は、還元温度にもよるが、０．０１〜１０時間が好ま
しい。０．０１時間未満では十分な還元を行うことが困
難である。一方、１０時間を超えると経済性に乏しくな
る。特に好ましい還元時間は０．０５〜５時間である。

【００４９】上述のようにして仮焼物（当該仮焼物の粉
末を含む）を得た後、この仮焼物の成型、焼結を次に行
なう。仮焼物の成型は、金型成型、鋳込み成型、射出成
型等により行なわれるが、焼結密度の高い焼結体を得る
ためには、ＣＩＰ（冷間静水圧）等で成型し、後記する
焼結処理に付するのが好ましい。成型体の形状は、ター
ゲットとして好適な各種形状とすることができる。また
成型するにあたっては、ＰＶＡ（ポリビニルアルコー
ル）、ＭＣ（メチルセルロース）、ポリワックス、オレ
イン酸等の成型助剤を用いてもよい。

【００５０】成型後の焼結は、常圧焼成、ＨＩＰ（熱間
静水圧）焼成等により行なわれる。焼結温度は、インジ
ウム化合物と亜鉛化合物が熱分解し、酸化物となる温度
以上であればよく、通常８００〜１７００℃が好まし
い。１７００℃を超えると酸化亜鉛および酸化インジウ
ムが昇華し組成のずれを生じるので好ましくない。特に
好ましい焼結温度は１２００〜１７００℃である。焼結
時間は焼結温度にもよるが、１〜５０時間、特に２〜１
０時間が好ましい。

【００５１】焼結は還元雰囲気で行なってもよく、還元
雰囲気としては、Ｈ₂、メタン、ＣＯ等の還元性ガス、
Ａｒ、Ｎ₂等の不活性ガスの雰囲気が挙げられる。な
お、この場合酸化亜鉛、酸化インジウムが蒸発しやすい
ので、ＨＩＰ焼結等により加圧焼結することが望まし
い。このようにして焼結を行なうことにより、目的とす
るターゲットを得ることができる。

【００５２】次に、反応性スパッタリング法によって透
明基材上に透明導電膜Ｉを設ける場合について説明す
る。反応性スパッタリング法により透明導電膜Ｉを設け
る場合には、スパッタリングターゲットとして、インジ
ウムと亜鉛との合金からなるものであって、Ｉｎの原子
比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が所定の値のものを用いること
が好ましい。ここで、「Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚ
ｎ）が所定の値のもの」とは、最終的に得られる膜にお
けるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．８〜０．
９の範囲内の所望値（この値の好ましい範囲については
本発明の導電性透明基材の説明の中で述べたとおりであ
る）となるものを意味するが、前記原子比が概ね０．７
５〜０．９のものである。

【００５３】この合金ターゲットは、例えば、溶融イン
ジウム中に亜鉛の粉末またはチップの所定量を分散させ
た後、これを冷却することにより得られる。なお、この
合金ターゲットの純度は、前述した(i) 〜(ii)のスパッ
タリングターゲットと同様の理由から９８％以上である
ことが好ましい。より好ましい純度は９９％以上であ
り、更に好ましい純度は９９．９％以上である。

【００５４】反応性スパッタリングを行う場合のスパッ
タリング条件は、スパッタリングターゲットの組成や用
いる装置の特性等により種々変ってくるために一概に規
定することは困難であるが、スパッタリング時の真空
度、ターゲット印加電圧および基板温度については、先
に例示したＤＣダイレクトスパッタリングの条件と同様
である。また、雰囲気ガスとしてはＤＣダイレクトスパ
ッタリングの場合と同様にアルゴンガス等の不活性ガス
と酸素ガスとの混合ガスが好ましいが、酸素ガスの割合
はダイレクトスパッタリングのときよりも高めにするこ
とが好ましい。不活性ガスとしてアルゴンガスを用いる
場合、このアルゴンガスと酸素ガスとの混合比（体積
比）は概ね０．５：０．５〜０．９９：０．０１とする
ことが好ましい。前述した合金ターゲットを用いて上述
のような条件で反応性スパッタリングを行うことによ
り、目的とする透明導電膜Ｉを透明基材上に設けること
ができる。

【００５５】次に、ダイレクトスパッタリング法により
所定の基材上に透明導電膜IIを設ける場合について説明
する。ダイレクトスパッタリング法により透明導電膜II
を設ける場合には、下記(iii) 〜(iv)のものをスパッタ
リングターゲットとして用いることが好ましい。

【００５６】(iii) 酸化インジウムと酸化亜鉛の他に
価数が正３価以上である１種以上の第３元素の酸化物を
含有させた組成物からなる焼結体ターゲットで、Ｉｎの
原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）および第３元素の総量の原
子比（全第３元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３元素）がそ
れぞれ所定値のもの。ここで、「Ｉｎの原子比Ｉｎ／
（Ｉｎ＋Ｚｎ）が所定の値のもの」とは、最終的に得ら
れる膜におけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が
０．８〜０．９の範囲内の所望値（この値の好ましい範
囲については本発明の導電性透明基材の説明の中で述べ
たとおりである）となるものを意味するが、前記原子比
が概ね０．７５〜０．９である焼結体ターゲットを用い
ることで達成される。また、「第３元素の総量の原子比
（全第３元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３元素）が所定値
のもの」とは、最終的に得られる膜における第３元素の
総量の原子比（全第３元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３元
素）が０．２以下の所望値（この値の好ましい範囲につ
いては本発明の導電性透明基材の説明の中で述べたとお
りである）となるものを意味する。第３元素の具体例と
してはＡｌ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｇｅ等が挙げられる。この焼
結体ターゲットは、酸化インジウムと酸化亜鉛と少なく
とも１種の第３元素の酸化物との混合物から実質的にな
る焼結体であってもよいし、Ｉｎ₂Ｏ₃（ＺｎＯ）
_m（ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物に少な
くとも１種の前記第３元素を含有させてなる化合物の１
種以上とＩｎ₂Ｏ₃とから実質的になる焼結体であって
もよい。

【００５７】(iv) 酸化物系ディスクと、このディスク
上に配置した１個以上の酸化物系タブレットとからなる
もの。酸化物系ディスクは、酸化インジウムから実質的
になるものであってもよいし、価数が正３価以上である
１種以上の第３元素の酸化物と酸化インジウムとの混合
物からなるものであってもよいし、Ｉｎ₂Ｏ₃（Ｚｎ
Ｏ）_m（ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物の
少なくとも１種と前記第３元素の少なくとも１種とＩｎ
₂Ｏ₃とから実質的になる焼結体であってもよいし、Ｉ
ｎ₂Ｏ₃（ＺｎＯ）_m（ｍ＝２〜２０）で表される六方
晶層状化合物に少なくとも１種の前記第３元素を含有さ
せてなる化合物（例えばＺｎ_mＩｎＡｌＯ_m+3（ｍ＝２
〜７）で表される酸化インジウム・酸化亜鉛・酸化アル
ミニウムの六方晶層状化合物や、Ｚｎ_mＩｎＧａＯ_m+3
（ｍ＝２〜７）で表される酸化インジウム・酸化亜鉛・
酸化ガリウムの六方晶層状化合物等）の１種以上とＩｎ
₂Ｏ₃とから実質的になる焼結体であってもよい。ま
た、酸化物系タブレットは、酸化亜鉛および／または酸
化インジウムから実質的になるものであってもよいし、
Ｉｎ₂Ｏ₃（ＺｎＯ）_m（ｍ＝２〜２０）で表される六
方晶層状化合物の１種以上から実質的になる焼結体であ
ってもよいし、Ｉｎ₂Ｏ₃（ＺｎＯ）_m（ｍ＝２〜２
０）で表される六方晶層状化合物に少なくとも１種の第
３元素を含有させてなる化合物（例えばＺｎ_mＩｎＡｌ
Ｏ_m+3（ｍ＝２〜７）で表される酸化インジウム・酸化
亜鉛・酸化アルミニウムの六方晶層状化合物や、Ｚｎ_m
ＩｎＧａＯ_m+3（ｍ＝２〜７）で表される酸化インジウ
ム・酸化亜鉛・酸化ガリウムの六方晶層状化合物等）か
ら実質的になる焼結体であってもよいし、Ｉｎ₂Ｏ
₃（ＺｎＯ）_m（ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状
化合物に少なくとも１種の第３元素を含有させてなる化
合物の１種以上とＩｎ₂Ｏ₃とから実質的になる焼結体
であってもよいし、Ｚｎ₇Ｓｂ₂Ｏ₁₂，ＺｎＡｌ₂Ｏ₄
等のスピネル構造化合物から実質的になっていてもよい
し、三重ルチル構造化合物から実質的になっていてもよ
い。

【００５８】酸化物系ディスクおよび酸化物系タブレッ
トの組成並びに酸化物系ディスクと酸化物系タブレット
の使用割合は、最終的に得られる膜におけるＩｎの原子
比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．８〜０．９の範囲内の所
望値（この値の好ましい範囲については本発明の導電性
透明基材の説明の中で述べたとおりである）で、かつ第
３元素の総量の原子比（全第３元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋
全第３元素）が０．２以下の所望値（この値の好ましい
範囲については本発明の導電性透明基材の説明の中で述
べたとおりである）となるように適宜決定される。

【００５９】上記(iii) 〜(iv)のいずれのスパッタリン
グターゲットも、その純度は９８％以上であることが好
ましい。９８％未満では、不純物の存在により、得られ
る膜の化学的安定性が低下したり、導電性が低下した
り、光透過性が低下したりすることがある。より好まし
い純度は９９％以上であり、更に好ましい純度は９９．
９％以上である。また、焼結体ターゲットを用いる場
合、このターゲットの相対密度は７０％以上とすること
が好ましい。相対密度が７０％未満では、成膜速度の低
下や膜質の低下をまねき易い。より好ましい相対密度は
８５％以上であり、更に好ましくは９０％以上である。

【００６０】ダイレクトスパッタリング法により透明導
電膜IIを設ける場合のスパッタリング条件も、ダイレク
トスパッタリングの方法やスパッタリングターゲットの
組成、用いる装置の特性等により種々変ってくるために
一概に規定することは困難であるが、ＤＣダイレクトス
パッタリング法による場合には、この方法により透明導
電膜Ｉを設ける場合と同様に設定することができる。

【００６１】前述した(iii) 〜(iv)等のスパッタリング
ターゲットを用いて上述したような条件でダイレクトス
パッタリングを行うことにより、目的とする透明導電膜
IIを透明基材上に設けることができる。

【００６２】なお、上記(iii) のスパッタリングターゲ
ットの１つである、Ｉｎ₂Ｏ₃（ＺｎＯ）_m（ｍ＝２〜
２０）で表される六方晶層状化合物に少なくとも１種の
第３元素を含有させてなる化合物の１種以上とＩｎ₂Ｏ
₃とから実質的になる焼結体は、例えば次のようにして
得ることができる。すなわち、出発原料に所望の第３元
素の酸化物または焼成により所望の第３元素の酸化物と
なる化合物を所定量加える以外は前述した物理混合法と
同様にして混合物を得た後、または、インジウム化合物
および亜鉛化合物の他に所望の第３元素の化合物をも溶
解させた溶液と沈殿形成剤を溶解させた溶液とを反応さ
せて沈殿物を生成させる以外は前述した溶液法（共沈
法）と同様にして混合物を得た後、この混合物を前述し
た(i) のスパッタリングターゲットを得る場合と同様に
仮焼、焼結することにより得ることができる。

【００６３】例えば第３元素としてアルミニウム（Ａ
ｌ）を含有する焼結体用の混合物を物理混合法に準じて
得る場合には、酸化アルミニウムまたは焼成により酸化
アルミニウムとなる化合物、具体的には塩化アルミニウ
ム、アルミニウムアルコキシド（トリメトキシアルミニ
ウム、トリエトキシアルミニウム、トリプロポキシアル
ミニウム、トリブトキシアルミニウム等）、硫酸アルミ
ニウム、硝酸アルミニウム、しゅう酸アルミニウム等を
出発原料に所望量加え、溶液法に準じて得る場合にはア
ルミニウム化合物として前述の「焼成により酸化アルミ
ニウムとなる化合物」の所望量を加える。

【００６４】また、第３元素としてアンチモン（Ｓｂ）
を含有する焼結体用の混合物を物理混合法に準じて得る
場合には、酸化アンチモンまたは焼成により酸化アンチ
モンとなる化合物、具体的には塩化アンチモン、フッ化
アンチモン、アンチモンアルコキシド（トリメトキシア
ンチモン、トリエトキシアンチモン、トリプロポキシア
ンチモン、トリブトキシアンチモン等）、硫酸アンチモ
ン、水酸化アンチモン等を出発原料に所望量加え、溶液
法に準じて得る場合にはアンチモン化合物として前述の
「焼成により酸化アンチモンとなる化合物」の所望量を
加える。

【００６５】第３元素としてガリウム（Ｇａ）を含有す
る焼結体用の混合物を物理混合法に準じて得る場合に
は、酸化ガリウムまたは焼成により酸化ガリウムとなる
化合物、具体的には塩化ガリウム、ガリウムアルコキシ
ド（トリメトキシガリウム、トリエトキシガリウム、ト
リプロポキシガリウム、トリブトキシガリウム等）、硫
酸ガリウム等を出発原料に所望量加え、溶液法に準じて
得る場合にはガリウム化合物として前述の「焼成により
酸化ガリウムとなる化合物」の所望量を加える。

【００６６】そして、第３元素としてゲルマニウム（Ｇ
ｅ）を含有する焼結体用の混合物を物理混合法に準じて
得る場合には、酸化ゲルマニウムまたは焼成により酸化
ゲルマニウムとなる化合物、具体的には塩化ゲルマニウ
ム、ゲルマニウムアルコキシド（テトラメトキシゲルマ
ニウム、テトラエトキシゲルマニウム、テトラプロポキ
シゲルマニウム、テトラブトキシゲルマニウム等）等を
出発原料に所望量加え、溶液法に準じて得る場合にはゲ
ルマニウム化合物として前述の「焼成により酸化ゲルマ
ニウムとなる化合物」の所望量を加える。

【００６７】次に、反応性スパッタリング法により透明
基材上に透明導電膜IIを設ける場合について説明する。
反応性スパッタリング法により透明導電膜IIを設ける場
合には、インジウムと亜鉛と価数が正３価以上である少
なくとも１種の第３元素との合金からなるものであっ
て、Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）および第３元素
の総量の原子比（全第３元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３
元素）がそれぞれ所定値であるものをスパッタリングタ
ーゲットとして用いることが好ましい。

【００６８】ここで、「Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚ
ｎ）が所定の値のもの」とは、最終的に得られる膜にお
けるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．８〜０．
９の範囲内の所望値（この値の好ましい範囲については
本発明の導電性透明基材の説明の中で述べたとおりであ
る）となるものを意味するが、前記原子比が概ね０．７
５〜０．９のものである。また、「第３元素の総量の原
子比（全第３元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３元素）が所
定値のもの」とは、最終的に得られる膜における第３元
素の総量の原子比（全第３元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第
３元素）が０．２以下の所望値（この値の好ましい範囲
については本発明の導電性透明基材の説明の中で述べた
とおりである）となるものを意味する。第３元素の具体
例としてはＡｌ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｇｅ等が挙げられる。

【００６９】この合金ターゲットは、例えば、溶融イン
ジウム中に亜鉛の粉末またはチップの所定量並びに第３
元素の単体（固体）の粉末またはチップの所定量を分散
させた後、これを冷却することにより得られる。また、
インジウムと少なくとも１種の第３元素との合金を溶融
させ、この中に亜鉛の粉末またはチップの所定量を分散
させた後、これを冷却することによっても得られる。な
お、この合金ターゲットの純度は、前述した(iii) 〜(i
v)のスパッタリングターゲットと同様の理由から９８％
以上であることが好ましい。より好ましい純度は９９％
以上であり、更に好ましい純度は９９．９％以上であ
る。

【００７０】反応性スパッタリング法により透明導電膜
IIを設ける場合のスパッタリング条件も、スパッタリン
グターゲットの組成や用いる装置の特性等により種々変
ってくるために一概に規定することは困難であるが、こ
の方法により透明導電膜Ｉを設ける場合と同様に設定す
ることができる。前述した合金ターゲットを用いて上述
のような条件で反応性スパッタリングを行うことによ
り、目的とする透明導電膜IIを透明基材上に設けること
ができる。

【００７１】以上説明したスパッタリング法により所定
の透明基材上に透明導電膜Ｉまたは透明導電膜IIを設け
ることにより、目的とする本発明の導電性透明基材を得
ることができる。このときの透明導電膜Ｉまたは透明導
電膜IIの膜厚は、前述した本発明の導電性透明基材の説
明の中で述べたように、目的とする導電性透明基材の用
途や透明導電膜が設けられる基材の材質等に応じて適宜
選択されるが、概ね３ｎｍ〜３０００ｎｍの範囲内であ
る。そして、透明導電膜Ｉおよび透明導電膜IIのいずれ
を設ける場合でも好ましい膜厚は５〜１０００ｎｍであ
り、特に好ましい膜厚は１０〜８００ｎｍである。

【００７２】なお本発明の導電性透明基材は、前述した
ように透明導電膜が設けらていれる面とは反対の側の面
にガスバリヤー層、ハードコート層、反射防止層等を有
していてもよいわけであるが、これらの層の形成は透明
導電膜の形成に先立て行ってもよいし、透明導電膜の形
成後に行ってもよい。ガスバリヤー層、ハードコート
層、反射防止層等の形成は、常法により行うことができ
る。

【００７３】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。実施例１透明高分子基材として厚さ１００μｍの２軸延伸ポリエ
ステルフィルム（ポリエチレンテレフタレートフィル
ム）を用い、スパッタリングターゲットとして、Ｉｎ₂
Ｏ₃焼結体（直径４インチ、厚さ５ｍｍ、相対密度７３
％）の上にＺｎＯ焼結体（直径１０ｍｍ、厚さ５ｍｍ、
相対密度８０％）を３個載せたものを用いて、以下の要
領で導電性透明フィルムを製造した。まず、前記ポリエ
ステルフィルムをＲＦスパッタリング装置に装着し、真
空槽内を１×１０^-3Ｐａ以下まで減圧した。この後、ア
ルゴンガス（純度９９．９９％）と酸素ガスとの混合ガ
ス（酸素ガスの濃度＝０．２８％）を１×１０^-1Ｐａま
で導入し（酸素分圧は２．８×１０^-4Ｐａ）、ＲＦ出力
１．２Ｗ／ｃｍ²、基板温度２０℃の条件で膜厚２７３
ｎｍの透明導電膜Ｉを前記ポリエステルフィルム上に設
けた。なお、透明導電膜の膜厚はスローン（Ｓｌｏａ
ｎ）社製のＤＥＫＴＡＫ３０３０を用いた触針法により
測定した（以下の実施例および比較例においても同
じ）。

【００７４】このようにして得られた導電性透明フィル
ムを構成する前記透明導電膜Ｉは、Ｘ線回折測定（使用
機種はリガク社製のロータフレックスＲＵ−２００Ｂ。
以下の実施例および比較例においても同じ。）の結果、
非晶質であることが確認された。このＸ線回折の測定結
果を図１に示す。また、この透明導電膜ＩにおけるＩｎ
の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は、ＩＣＰ分析（誘導結
合プラズマ発光分光分析；使用機種はセイコー電子工業
社製のＳＰＳ−１５００ＶＲ。以下の実施例および比較
例においても同じ。）の結果、０．８８であった。透明
導電膜Ｉの成膜条件の抜粋とＩｎの原子比を表１に示
す。

【００７５】また、導電性透明フィルムの光線透過率を
ＵＶ分光測定（使用機種は日立製作所製のＵ−３２１
０、試験光の波長＝５５０ｎｍ）により求めると共に、
透明導電膜Ｉの表面抵抗（以下、初期表面抵抗という）
を四端子法（使用機種は三菱油化社製のロレスタＦＰ）
により測定し、その比抵抗（以下、初期比抵抗Ｒ₀とい
う）を算出した。さらに、このときのキャリア濃度と移
動度を東洋テクニカ社製のホール係数測定装置（商品名
ＲＥＳＩＴＥＳＴ８２００；ｖａｎｄｅｒＰａｕｗ
法に基づく測定装置）により測定した。また、この導電
性透明フィルムを２つに分け、一方の断片については大
気中９０℃で１０００時間保持することで耐熱性試験を
行い、試験後に透明導電膜Ｉの比抵抗（以下、比抵抗Ｒ
₁₀₀₀という）を求めて、この比抵抗Ｒ₁₀₀₀と初期比抵抗
Ｒ₀との比Ｒ₁₀₀₀／Ｒ₀で定義される抵抗変化率を算出
した。残りの断片については、ＨＣｌ：ＨＮＯ₃：Ｈ₂
Ｏ＝１：０．０８：１（モル比）の溶液をエッチング容
液として用いて透明導電膜Ｉのエッチング速度（以下、
初期エッチング速度という）を測定した。これらの結果
を表２に示す。

【００７６】実施例２透明ガラス基材として無アルカリガラス板（コーニング
社製の＃７０５９）を用い、その他は実施例１と同条件
で、膜厚２００ｎｍの透明導電膜Ｉを前記ガラス板上に
設けた。このようにして得られた導電性透明ガラスを構
成する前記透明導電膜Ｉは、Ｘ線回折測定の結果、非晶
質であることが確認された。また、この透明導電膜Ｉに
おけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は、ＩＣＰ分
析の結果、０．８８であった。この透明導電膜Ｉの成膜
条件の抜粋とＩｎの原子比を表１に示す。また、この導
電性透明ガラスの光線透過率を実施例１と同様にして測
定した。さらに、この導電性透明ガラスを３つに分け、
うち２片を用いて透明導電膜Ｉの初期表面抵抗、初期比
抵抗Ｒ₀、キャリア濃度、移動度、抵抗変化率、および
初期エッチング速度を実施例１と同様にして測定ないし
算出した。これらの結果を表２に示す。３つに分けたう
ちの残りの１片については、これを２００℃で１時間加
熱した後に、透明導電膜Ｉの表面抵抗およびエッチング
速度を実施例１と同様にして測定した。また、加熱後に
おける透明導電膜Ｉの比抵抗を算出した。これらの結果
を表３に示す。

【００７７】実施例３基板温度を２００℃とし、その他は実施例２と同条件
で、膜厚１００ｎｍの透明導電膜Ｉをガラス板（コーニ
ング社製の＃７０５９）上に設けた。このようにして得
られた導電性透明ガラスを構成する前記透明導電膜Ｉ
は、Ｘ線回折測定の結果、非晶質であることが確認され
た。また、この透明導電膜ＩにおけるＩｎの原子比Ｉｎ
／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は、ＩＣＰ分析の結果、０．８８であ
った。この透明導電膜Ｉの成膜条件の抜粋とＩｎの原子
比を表１に示す。また、この導電性透明ガラスの光線透
過率を実施例１と同様にして測定した。さらに、この導
電性透明ガラスを３つに分け、うち２片を用いて透明導
電膜Ｉの初期表面抵抗、初期比抵抗Ｒ₀、キャリア濃
度、移動度、抵抗変化率、および初期エッチング速度を
実施例１と同様にして測定ないし算出した。これらの結
果を表２に示す。３つに分けたうちの残りの１片につい
ては、これを２００℃で１時間加熱した後に、透明導電
膜Ｉの表面抵抗およびエッチング速度を実施例１と同様
にして測定した。また、加熱後における透明導電膜Ｉの
比抵抗を算出した。これらの結果を表３に示す。

【００７８】実施例４透明高分子基材として厚さ１００μｍの２軸延伸ポリエ
ステルフィルム（ポリエチレンテレフタレートフィル
ム）を用い、スパッタリングターゲットとして、Ｉｎ₂
Ｏ₃（ＺｎＯ）₃で表される六方晶層状化合物とＩｎ₂
Ｏ₃とからなる焼結体ターゲット（Ｉｎの原子比Ｉｎ／
（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．８４、相対密度９５％）を用い
て、以下の要領で導電性透明フィルムを製造した。ま
ず、前記ポリエステルフィルムをＤＣスパッタリング装
置に装着し、真空槽内を１×１０^-3Ｐａ以下まで減圧し
た。この後、アルゴンガス（純度９９．９９％）と酸素
ガスとの混合ガス（酸素ガスの濃度＝０．５０％）を１
×１０^-1Ｐａまで導入し（酸素分圧は５×１０^-4Ｐ
ａ）、ＤＣ出力１．２Ｗ／ｃｍ²、基板温度２０℃の条
件で膜厚３００ｎｍの透明導電膜Ｉを前記ポリエステル
フィルム上に設けた。このようにして得られた導電性透
明フィルムを構成する前記透明導電膜Ｉは、Ｘ線回折測
定の結果、非晶質であることが確認された。また、この
透明導電膜ＩにおけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚ
ｎ）は、ＩＣＰ分析の結果、０．８８であった。この透
明導電膜Ｉの成膜条件の抜粋とＩｎの原子比を表１に示
す。また、この導電性透明フィルムの光線透過率を実施
例１と同様にして測定した。さらに、この導電性透明フ
ィルムを２つに分け、透明導電膜Ｉの初期表面抵抗、初
期比抵抗Ｒ₀、キャリア濃度、移動度、抵抗変化率、お
よび初期エッチング速度を実施例１と同様にして測定な
いし算出した。これらの結果を表２に示す。

【００７９】実施例５透明ガラス基材として無アルカリガラス板（コーニング
社製の＃７０５９）を用い、その他は実施例４と同条件
で、膜厚２５０ｎｍの透明導電膜Ｉを前記ガラス板上に
設けた。このようにして得られた導電性透明ガラスを構
成する前記透明導電膜Ｉは、Ｘ線回折測定の結果、非晶
質であることが確認された。また、この透明導電膜Ｉに
おけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は、ＩＣＰ分
析の結果、０．８７であった。この透明導電膜Ｉの成膜
条件の抜粋とＩｎの原子比を表１に示す。また、この導
電性透明ガラスの光線透過率を実施例１と同様にして測
定した。さらに、この導電性透明ガラスを３つに分け、
うち２片を用いて透明導電膜Ｉの初期表面抵抗、初期比
抵抗Ｒ₀、キャリア濃度、移動度、抵抗変化率、および
初期エッチング速度を実施例１と同様にして測定ないし
算出した。これらの結果を表２に示す。３つに分けたう
ちの残りの１片については、これを２００℃で１時間加
熱した後に、透明導電膜Ｉの表面抵抗およびエッチング
速度を実施例１と同様にして測定した。また、加熱後に
おける透明導電膜Ｉの比抵抗を算出した。これらの結果
を表３に示す。

【００８０】実施例６スパッタリングターゲットとして、Ｉｎ₂Ｏ₃（Ｚｎ
Ｏ）₄で表される六方晶層状化合物とＩｎ₂Ｏ₃とから
なる焼結体ターゲット（Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚ
ｎ）＝０．８０、相対密度８７％）を用い、その他は実
施例５と同条件で、膜厚２１０ｎｍの透明導電膜Ｉをガ
ラス板（コーニング社製の＃７０５９）上に設けた。こ
のようにして得られた導電性透明ガラスを構成する前記
透明導電膜Ｉは、Ｘ線回折測定の結果、非晶質であるこ
とが確認された。また、この透明導電膜ＩにおけるＩｎ
の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は、ＩＣＰ分析の結果、
０．８４であった。この透明導電膜Ｉの成膜条件の抜粋
とＩｎの原子比を表１に示す。また、この導電性透明ガ
ラスの光線透過率を実施例１と同様にして測定した。さ
らに、この導電性透明ガラスを３つに分け、うち２片を
用いて透明導電膜Ｉの初期表面抵抗、初期比抵抗Ｒ₀、
キャリア濃度、移動度、抵抗変化率、および初期エッチ
ング速度を実施例１と同様にして測定ないし算出した。
これらの結果を表２に示す。３つに分けたうちの残りの
１片については、これを２００℃で１時間加熱した後
に、透明導電膜Ｉの表面抵抗およびエッチング速度を実
施例１と同様にして測定した。また、加熱後における透
明導電膜Ｉの比抵抗を算出した。これらの結果を表３に
示す。

【００８１】実施例７厚さ１００μｍの２軸延伸ポリエステルフィルム（ポリ
エチレンテレフタレートフィルム）の上に厚さ１μｍの
エポキシ樹脂層をスピンコート法により設け、ＵＶ照射
により前記エポキシ樹脂を架橋させて架橋性樹脂層を形
成した。この後は実施例６と同条件で、前記架橋性樹脂
層上に膜厚２００ｎｍの透明導電膜Ｉを設けた。このよ
うにして得られた導電性透明フィルムを構成する前記透
明導電膜Ｉは、Ｘ線回折測定の結果、非晶質であること
が確認された。また、この透明導電膜ＩにおけるＩｎの
原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は、ＩＣＰ分析の結果、
０．８４であった。この透明導電膜Ｉの成膜条件の抜粋
とＩｎの原子比を表１に示す。また、この導電性透明フ
ィルムの光線透過率を実施例１と同様にして測定した。
さらに、この導電性透明フィルムを２つに分け、透明導
電膜Ｉの初期表面抵抗、初期比抵抗Ｒ₀、キャリア濃
度、移動度、抵抗変化率、および初期エッチング速度を
実施例１と同様にして測定ないし算出した。これらの結
果を表２に示す。

【００８２】実施例８透明高分子基材として厚さ１００μｍの２軸延伸ポリエ
ステルフィルム（ポリエチレンテレフタレートフィル
ム）を用い、スパッタリングターゲットとして、Ｉｎ₂
Ｏ₃（ＺｎＯ）₄で表される六方晶層状化合物とＩｎ₂
Ｏ₃とからなる焼結体ターゲット（Ｉｎの原子比Ｉｎ／
（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．８４、相対密度９５％）を用い
て、スパッタリング時の混合ガス雰囲気中の酸素ガス量
を０．１％（酸素分圧は１×１０^-4Ｐａ）とした以外は
実施例１と同条件で、膜厚１００ｎｍの透明導電膜Ｉを
前記ポリエステルフィルム上に設けた。このようにして
得られた導電性透明フィルムを構成する前記透明導電膜
Ｉは、Ｘ線回折測定の結果、非晶質であることが確認さ
れた。また、この透明導電膜ＩにおけるＩｎの原子比Ｉ
ｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は、ＩＣＰ分析の結果、０．８８で
あった。この透明導電膜Ｉの成膜条件の抜粋とＩｎの原
子比を表１に示す。また、この導電性透明フィルムの光
線透過率を実施例１と同様にして測定した。さらに、こ
の導電性透明フィルムを２つに分け、透明導電膜Ｉの初
期表面抵抗、初期比抵抗Ｒ₀、キャリア濃度、移動度、
抵抗変化率、および初期エッチング速度を実施例１と同
様にして測定ないし算出した。これらの結果を表２に示
す。

【００８３】実施例９厚さ１００μｍの２軸延伸ポリエステルフィルム（ポリ
エチレンテレフタレートフィルム）の上に厚さ１００ｎ
ｍのＳｉＯ₂層をＥＢ蒸着法により形成し、このＳｉＯ
₂層表面に実施例４と同条件で膜厚１００ｎｍの透明導
電膜Ｉを設けた。このようにして得られた導電性透明フ
ィルムを構成する前記透明導電膜Ｉは、Ｘ線回折測定の
結果、非晶質であることが確認された。また、この透明
導電膜ＩにおけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）
は、ＩＣＰ分析の結果、０．８８であった。この透明導
電膜Ｉの成膜条件の抜粋とＩｎの原子比を表１に示す。
また、この導電性透明フィルムの光線透過率を実施例１
と同様にして測定した。さらに、この導電性透明フィル
ムを２つに分け、透明導電膜Ｉの初期表面抵抗、初期比
抵抗Ｒ₀、キャリア濃度、移動度、抵抗変化率、および
初期エッチング速度を実施例１と同様にして測定ないし
算出した。これらの結果を表２に示す。

【００８４】実施例１０スパッタリング時の混合ガス雰囲気中の酸素ガス量を３
％（酸素分圧は３×１０^-3Ｐａ）とした以外は実施例９
と同条件で、膜厚１００ｎｍの透明導電膜Ｉをポリエス
テルフィルム（厚さ１００μｍの２軸延伸ポリエステル
フィルム（ポリエチレンテレフタレートフィルム））上
に設けた。このようにして得られた導電性透明フィルム
を構成する前記透明導電膜Ｉは、Ｘ線回折測定の結果、
非晶質であることが確認された。また、この透明導電膜
ＩにおけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は、ＩＣ
Ｐ分析の結果、０．８８であった。この透明導電膜Ｉの
成膜条件の抜粋とＩｎの原子比を表１に示す。また、こ
の導電性透明フィルムの光線透過率を実施例１と同様に
して測定した。さらに、この導電性透明フィルムを２つ
に分け、透明導電膜Ｉの初期表面抵抗、初期比抵抗
Ｒ₀、キャリア濃度、移動度、抵抗変化率、および初期
エッチング速度を実施例１と同様にして測定ないし算出
した。これらの結果を表２に示す。

【００８５】比較例１スパッタリングターゲットとして、Ｉｎ₂Ｏ₃（Ｚｎ
Ｏ）₃で表される六方晶層状化合物とＩｎ₂Ｏ₃とから
なる焼結体ターゲット（Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚ
ｎ）＝０．９１、相対密度８０％）を用い、その他は実
施例２と同条件で、膜厚３００ｎｍの透明導電膜をガラ
ス板（コーニング社製の＃７０５９）上に設けた。この
ようにして得られた導電性透明ガラスを構成する前記透
明導電膜は、Ｘ線回折測定の結果、非晶質であることが
確認された。また、この透明導電膜におけるＩｎの原子
比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は、ＩＣＰ分析の結果、本発明
の限定範囲外の０．９３であった。この透明導電膜の成
膜条件の抜粋とＩｎの原子比を表１に示す。また、この
導電性透明ガラスの光線透過率を実施例１と同様にして
測定した。さらに、この導電性透明ガラスを３つに分
け、うち２片を用いて透明導電膜Ｉの初期表面抵抗、初
期比抵抗Ｒ₀、抵抗変化率、および初期エッチング速度
を実施例１と同様にして測定ないし算出した。これらの
結果を表２に示す。３つに分けたうちの残りの１片につ
いては、これを２００℃で１時間加熱した後に、透明導
電膜Ｉの表面抵抗およびエッチング速度を実施例１と同
様にして測定した。また、加熱後における透明導電膜Ｉ
の比抵抗を算出した。これらの結果を表３に示す。

【００８６】比較例２スパッタリグターゲトとしてＩＴＯターゲット（Ｉｎ₂
Ｏ₃−５wt％ＳｎＯ₂）を用い、その他は実施例３と同
条件で、膜厚１００ｎｍの透明導電膜をガラス板（コー
ニング社製の＃７０５９）上に設けた。このようにして
得られた導電性透明ガラスを構成する前記透明導電膜に
ついてＸ線回折測定を行った結果、酸化インジウムの結
晶が確認された。この透明導電膜の成膜条件の抜粋を表
１に示す。また、この導電性透明ガラスの光線透過率を
実施例１と同様にして測定した。さらに、この透明導電
膜の初期表面抵抗、初期比抵抗Ｒ₀および初期エッチン
グ速度を実施例１と同様にして測定した。これらの結果
を表２に示す。

【００８７】

【表１】

【００８８】

【表２】

【００８９】

【表３】

【００９０】表２から明らかなように、実施例１〜実施
例１０で得られた各導電性透明基材は、実用上十分な導
電性および光透過性を有しており、各導電性透明基材を
構成する透明導電膜Ｉはいずれも優れたエッチング特性
を有している。また、抵抗変化率の値から明らかなよう
に、実施例１〜実施例９で得られた各導電性透明基材を
構成する透明導電膜Ｉはいずれも比抵抗の熱的安定性に
優れており、特に実施例９の透明導電膜Ｉの比抵抗の熱
的安定性は極めて高い。実施例１０で得られた導電性透
明基材を構成する透明導電膜Ｉは、抵抗変化率について
は他の実施例のものよりも値が大きく、抵抗変化率から
いえる比抵抗の熱的安定性は劣るが、比較例１のものと
比べれば抵抗変化率からいえる比抵抗の熱的安定性は高
い。

【００９１】これらの透明導電膜Ｉのうち実施例２、実
施例３、実施例５および実施例６で得られたものは、表
３に示したように熱処理（２００℃、１時間）後でも比
抵抗がそれ程変化しておらず、この点からも比抵抗の熱
的安定性に優れていることがわかる。またエッチング速
度も殆ど変化していない。なお、実施例１、実施例４、
実施例７、実施例８および実施例９で得られた各導電性
透明基材については、透明基材（ポリエチレンフィル
ム）の耐熱性が低いことから透明導電膜Ｉの比抵抗の熱
的安定性を確かめるための熱処理（２００℃、１時間）
を行っていない。

【００９２】一方、Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）
が本発明の限定範囲外である透明導電膜を備えた比較例
１の導電性透明ガラスは、表２に示したように、実用上
十分な導電性および光透過性を有するとともに、これを
構成する透明導電膜は優れたエッチング特性を有してい
る。しかしながら、抵抗変化率からいえる比抵抗の熱的
安定性はそれ程高くなく（表２参照）、熱処理（２００
℃、１時間）後の比抵抗からいえる熱的安定性は極めて
低い（表３参照）。また、ＩＴＯターゲットを用いて得
た結晶質の透明導電膜を備えた比較例２の導電性透明ガ
ラスは、導電性および光透過性に優れてはいるものの、
表２から明らかなように、これを構成する透明導電膜の
エッチング特性は実施例１〜実施例１０の各導電性透明
基材を構成する透明導電膜Ｉよりも遥かに劣る。

【００９３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の導電性透
明基材は実用上十分な導電性および光透過性を有し、か
つ、これを構成する透明導電膜はエッチング特性および
比抵抗の熱的安定性に優れた透明導電膜である。したが
って本発明によれば、実用上十分な導電性および光透過
性を有し、かつ熱的安定性にも優れた透明電極を、透明
ガラス基材上や透明高分子基材上等にエッチング法によ
り容易に形成することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１で形成した透明導電膜ＩについてのＸ
線回折測定の結果を示すグラフである。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明基材上に、主要カチオン元素として
インジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）を含有する非晶
質酸化物からなる透明導電膜であって、Ｉｎの原子比Ｉ
ｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．８〜０．９の範囲内である透
明導電膜が設けられていることを特徴とする導電性透明
基材。
【請求項２】キャリア濃度が０．５×１０²¹／ｃｍ³
以上である、請求項１に記載の導電性透明基材。
【請求項３】大気中９０℃で１０００時間保持した後
の比抵抗Ｒ₁₀₀₀と初期比抵抗Ｒ₀との比Ｒ₁₀₀₀／Ｒ₀で
表される抵抗変化率が２．０以下である、請求項１また
は請求項２に記載の導電性透明基材。
【請求項４】透明基材が可撓性基板またはガラス基板
である、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の導
電性透明基材。
【請求項５】透明基材がフィルム状またはシート状の
透明高分子からなる、請求項４に記載の導電性透明基
材。
【請求項６】透明基材と透明導電膜との間に単層構造
または複数層構造の中間層が少なくとも介在する、請求
項１〜請求項５のいずれか一項に記載の導電性透明基
材。
【請求項７】中間層が金属酸化物、金属窒化物および
金属炭化物からなる群より選択された１種からなる層を
含む、請求項６に記載の導電性透明基材。
【請求項８】中間層が架橋性樹脂からなる層を含む、
請求項６または請求項７に記載の導電性透明基材。
【請求項９】透明導電膜が、主要カチオン元素として
インジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）の他に価数が正
３価以上である１種以上の第３元素を含有し、前記第３
元素の総量の原子比（全第３元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全
第３元素）が０．２以下である、請求項１〜請求項８の
いずれか一項に記載の導電性透明基材。
【請求項１０】第３元素がアルミニウム（Ａｌ）、ア
ンチモン（Ｓｂ）、ガリウム（Ｇａ）およびゲルマニウ
ム（Ｇｅ）からなる群より選択される少なくとも１種で
ある、請求項９に記載の導電性透明基材。
【請求項１１】透明基材上に、主要カチオン元素とし
てインジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）を含有する非
晶質酸化物からなる透明導電膜であって、Ｉｎの原子比
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．８〜０．９の範囲内である
透明導電膜をスパッタリング法により形成することを特
徴とする導電性透明基材の製造方法。
【請求項１２】スパッタリングターゲットして酸化物
ターゲットを用い、スパッタリング時の酸素分圧を１×
１０^-3〜４×１０^-5Ｐａの範囲内とする、請求項１１に
記載の方法。
【請求項１３】スパッタリング法が、スパッタリング
ターゲットとして（Ａ）酸化インジウムと酸化亜鉛との
組成物からなる焼結体ターゲットであって、Ｉｎの原子
比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が所定の値のもの、または
（Ｂ）酸化物系ディスクと、このディスク上に配置した
１個以上の酸化物系タブレットとからなるターゲットで
あって、Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が所定の値
のものを用いたスパッタリング法である、請求項１１ま
たは請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】透明導電膜として、主要カチオン元素
としてインジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）の他に価
数が正３価以上である１種以上の第３元素を含有する透
明導電膜であって、前記第３元素の総量の原子比（全第
３元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３元素）が０．２以下で
ある透明導電膜を形成する、請求項１１〜請求項１３の
いずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】スパッタリング法が、スパッタリング
ターゲットとして（Ａ）酸化インジウムと酸化亜鉛の他
に価数が正３価以上である１種以上の第３元素の酸化物
を含有する組成物からなる焼結体ターゲットであって、
Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）および第３元素の総
量の原子比（全第３元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３元
素）がそれぞれ所定値のもの、または（Ｂ）酸化物系デ
ィスクと、このディスク上に配置した１個以上の酸化物
系タブレットとからなるターゲットであって、Ｉｎの原
子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）および第３元素の総量の原子
比（全第３元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３元素）がそれ
ぞれ所定値のものを用いたスパッタリング法である、請
求項１４に記載の方法。
【請求項１６】透明基材として透明高分子からなるフ
ィルムまたはシートを用いる、請求項１１〜請求項１５
のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】透明基材として透明ガラス基材を用い
る、請求項１１〜請求項１５のいずれか一項に記載の方
法。