JPH0820726B2 - 感放射線性樹脂組成物 - Google Patents
感放射線性樹脂組成物Info
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- JPH0820726B2 JPH0820726B2 JP61124319A JP12431986A JPH0820726B2 JP H0820726 B2 JPH0820726 B2 JP H0820726B2 JP 61124319 A JP61124319 A JP 61124319A JP 12431986 A JP12431986 A JP 12431986A JP H0820726 B2 JPH0820726 B2 JP H0820726B2
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- radiation
- resin composition
- sensitive resin
- diisocyanate
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/008—Azides
- G03F7/012—Macromolecular azides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0125—Macromolecular azides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binder or the macromolecular additives other than the macromolecular azides
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は感放射線性樹脂組成物、詳しくは可視光、紫
外線、遠紫外線,X線、電子線、分子線、γ線、プロトン
ビームなどの放射線の照射によって硬化し、その後の熱
処理工程を必要とすることなく耐熱性に優れたポリイミ
ド硬化膜を形成するポリイミド系感放射線性樹脂組成物
に関する。
外線、遠紫外線,X線、電子線、分子線、γ線、プロトン
ビームなどの放射線の照射によって硬化し、その後の熱
処理工程を必要とすることなく耐熱性に優れたポリイミ
ド硬化膜を形成するポリイミド系感放射線性樹脂組成物
に関する。
（従来の技術） ポリイミドが耐熱性に優れていることはよく知られて
いることである。従来から、このポリイミドの優れた耐
熱性に着目し、感光性を有し、加熱処理によってポリイ
ミドを形成する組成物、例えばホトレジストとして好適
な感光性樹脂組成物を得る研究がなされてきた。このよ
うな感光性樹脂組成物としては、脂肪族テトラカルボン
酸とジアミンとから得られる酸価残存率40％以下のポリ
イミド前駆体に重合性不飽和化合物と光重合開始剤を配
合した感光性樹脂組成物（特開昭59−68331号公報）、
脂肪族テトラカルボン酸とジアミンとから得られる酸価
残存率40−５％のポリイミド前駆体に重合性不飽和結合
を有するエポキシ化合物を付加させて得られる、重合性
不飽和結合を有するポリイミド前駆体に光重合開始剤お
よび場合により重合性不飽和化合物を配合した感光性樹
脂組成物（特開昭59−68332号公報）などが知られてい
る。しかし、前記感光性樹脂組成物を用いて得られる硬
化膜はボイドが生じたり、あるいは硬化膜中にイミド化
で生成する低分子化合物が残存したりして、硬化膜の耐
熱性、解像度などが低下するなどの問題がある。
いることである。従来から、このポリイミドの優れた耐
熱性に着目し、感光性を有し、加熱処理によってポリイ
ミドを形成する組成物、例えばホトレジストとして好適
な感光性樹脂組成物を得る研究がなされてきた。このよ
うな感光性樹脂組成物としては、脂肪族テトラカルボン
酸とジアミンとから得られる酸価残存率40％以下のポリ
イミド前駆体に重合性不飽和化合物と光重合開始剤を配
合した感光性樹脂組成物（特開昭59−68331号公報）、
脂肪族テトラカルボン酸とジアミンとから得られる酸価
残存率40−５％のポリイミド前駆体に重合性不飽和結合
を有するエポキシ化合物を付加させて得られる、重合性
不飽和結合を有するポリイミド前駆体に光重合開始剤お
よび場合により重合性不飽和化合物を配合した感光性樹
脂組成物（特開昭59−68332号公報）などが知られてい
る。しかし、前記感光性樹脂組成物を用いて得られる硬
化膜はボイドが生じたり、あるいは硬化膜中にイミド化
で生成する低分子化合物が残存したりして、硬化膜の耐
熱性、解像度などが低下するなどの問題がある。
（発明が解決しようとする問題点） 本発明は、上記問題点を解決し、従来の感光性樹脂組
成物におけるように塗膜形成後に高温処理してイミド化
を起こす必要のない、可視光などの放射線の照射のみに
よって硬化することにより耐熱性、対溶剤性などに優れ
たポリイミド硬化膜を形成し、しかもレジストとして使
用した場合に優れた解像度を有し、保存安定性などに優
れた感放射線性樹脂組成物を提供することを目的とする
ものである。
成物におけるように塗膜形成後に高温処理してイミド化
を起こす必要のない、可視光などの放射線の照射のみに
よって硬化することにより耐熱性、対溶剤性などに優れ
たポリイミド硬化膜を形成し、しかもレジストとして使
用した場合に優れた解像度を有し、保存安定性などに優
れた感放射線性樹脂組成物を提供することを目的とする
ものである。
（問題点を解決するための手段） 本発明は（Ａ）脂肪族テトラカルボン酸またはその無
水物とジアミン化合物またはジイソシアネート化合物と
から得られるポリイミドおよび（Ｂ）芳香族ビスアジド
化合物を溶媒に溶解してなる溶液からなり、該溶液中の
固形分の95重量％以上が前記（Ａ）ポリイミドおよび
（Ｂ）芳香族ビスアジド化合物であることを特徴とする
感放射線性樹脂組成物を提供するものである。
水物とジアミン化合物またはジイソシアネート化合物と
から得られるポリイミドおよび（Ｂ）芳香族ビスアジド
化合物を溶媒に溶解してなる溶液からなり、該溶液中の
固形分の95重量％以上が前記（Ａ）ポリイミドおよび
（Ｂ）芳香族ビスアジド化合物であることを特徴とする
感放射線性樹脂組成物を提供するものである。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明のポリイミドを合成するための出発原料の一つ
は2,3,5−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物
である（以下、（ａ）成分という）。また、（ａ）成分
には、さらに他の脂肪族テトラカルボン酸またはその無
水物（以下、「他のカルボン酸成分」という）を混合す
ることもできる。ここで他のカルボン酸成分としては、
例えばエチレンテトラカルボン酸,1,2,3,4−ブタンテト
ラカルボン酸、1,1,2,2−シクロプロパンテトラカルボ
ン酸,1,1,2,3−シクロブタンテトラカルボン酸,1,2,3,4
−シクロペンタンテトラカルボン酸、1,2,3,4−シクロ
ヘキサンテトラカルボン酸、1,2,4,5−シクロヘキサン
テトラカルボン酸、メチル−シクロヘキセンテトラカル
ボン酸、３、５、６−トリカルボキシ−ノルボナン−２
−酢酸、ビシクロ［２、２、２］−オクト−７−エン−
テトラカルボン酸、５−［２、５−ジオキソテトラヒド
ロフリル］−３−メチル−シクロヘキセンジカルボン
酸、などの鎖状もしくは環状脂肪族テトラカルボン酸お
よびこれらの無水物を挙げることができるが環状脂肪族
テトラカルボン酸が好ましい。
は2,3,5−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物
である（以下、（ａ）成分という）。また、（ａ）成分
には、さらに他の脂肪族テトラカルボン酸またはその無
水物（以下、「他のカルボン酸成分」という）を混合す
ることもできる。ここで他のカルボン酸成分としては、
例えばエチレンテトラカルボン酸,1,2,3,4−ブタンテト
ラカルボン酸、1,1,2,2−シクロプロパンテトラカルボ
ン酸,1,1,2,3−シクロブタンテトラカルボン酸,1,2,3,4
−シクロペンタンテトラカルボン酸、1,2,3,4−シクロ
ヘキサンテトラカルボン酸、1,2,4,5−シクロヘキサン
テトラカルボン酸、メチル−シクロヘキセンテトラカル
ボン酸、３、５、６−トリカルボキシ−ノルボナン−２
−酢酸、ビシクロ［２、２、２］−オクト−７−エン−
テトラカルボン酸、５−［２、５−ジオキソテトラヒド
ロフリル］−３−メチル−シクロヘキセンジカルボン
酸、などの鎖状もしくは環状脂肪族テトラカルボン酸お
よびこれらの無水物を挙げることができるが環状脂肪族
テトラカルボン酸が好ましい。
本発明に用いられるジアミン化合物としては、例えば
下記一般式 H2N−R1−NH2 （式中、R1は２価の炭化水素基であり、該炭化水素はケ
イ素原子、酸素原子および／またはイオウ原子を含んで
いてもよい）で示される化合物を挙げることができる。
上記一般式におけるR1の好ましい例としては、下記一般
式 （式中、X1，X2，X3およびX4は、同一でも異なっていて
もよく、水素原子またはメチル基であり、Ｙは−CH
2−，−C2H4−，−Ｏ−，−Ｓ−，−C(CH3)2−，−C(CF
3)2−、−SO2−、−CONH−または であり、ｎは０または１である）で示される芳香族炭化
水素基またはイオン含有炭化水素基、−(CH2)n−（ここ
でｎは２−９の整数である）、 で示される炭素数６−13程度の脂肪族炭化水素基および
次の一般式 （式中，X5およびX6は、同一でも異なっていてもよく、
水素原子、メチル基またはフェニル基であり、,Pおよび
Ｑは、同一でも異なっていてもよく、−CnH2n−（ここ
でｎは１−20の整数である）で示されるアルキレン基で
あり、ｍは０または１以上の整数を示す）で表されるシ
ロキサン含有基を挙げることができる。特に，感放射線
性樹脂組成物を硬化して得られるポリイミド硬化膜の耐
熱性を更に向上させるためには、R1が芳香族基であるこ
とが好ましい。
下記一般式 H2N−R1−NH2 （式中、R1は２価の炭化水素基であり、該炭化水素はケ
イ素原子、酸素原子および／またはイオウ原子を含んで
いてもよい）で示される化合物を挙げることができる。
上記一般式におけるR1の好ましい例としては、下記一般
式 （式中、X1，X2，X3およびX4は、同一でも異なっていて
もよく、水素原子またはメチル基であり、Ｙは−CH
2−，−C2H4−，−Ｏ−，−Ｓ−，−C(CH3)2−，−C(CF
3)2−、−SO2−、−CONH−または であり、ｎは０または１である）で示される芳香族炭化
水素基またはイオン含有炭化水素基、−(CH2)n−（ここ
でｎは２−９の整数である）、 で示される炭素数６−13程度の脂肪族炭化水素基および
次の一般式 （式中，X5およびX6は、同一でも異なっていてもよく、
水素原子、メチル基またはフェニル基であり、,Pおよび
Ｑは、同一でも異なっていてもよく、−CnH2n−（ここ
でｎは１−20の整数である）で示されるアルキレン基で
あり、ｍは０または１以上の整数を示す）で表されるシ
ロキサン含有基を挙げることができる。特に，感放射線
性樹脂組成物を硬化して得られるポリイミド硬化膜の耐
熱性を更に向上させるためには、R1が芳香族基であるこ
とが好ましい。
上記ジアミン化合物の具体例としては、パラフェニレ
ンジアミン、メタフェニレンジアミン、4,4′−ジアミ
ノジフェニルメタン、4,4′−ジアミノジフェニルエタ
ン,2,2−ジ（ｐ−アミノフェニル）ヘキサフロロプロパ
ン,4,4′−ジアミノジフェニルプロパン、ベンジジン,
4,4′−ジアミノジフェニルスルフィド,4,4′−ジアミ
ノジフェニルスルホン,4,4′−ジアミノジフェニルエー
テル,1,5−ジアミノナフタレン,3,3′−ジメチル−4,
4′−ジアミノビフェニル,3,4′−ジアミノベンズアニ
リド,3,4′−ジアミノジフェニルエーテル、メタキシリ
レンジアミン、パラキシリレンジアミン、エチレンジア
ミン、プロパンジアミン、テトラメチレンジアミン、ペ
ンタメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプ
タメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナメ
チレンジアミン、4,4′−ジメチルヘプタメチレンジア
ミン、1,4−ジアミノシクロヘキサン、テトラヒドロジ
シクロペンタフェニレンジアミン、ヘキサヒドロ−4,7
−メタノインダニレンジメチレンジアミン、トリシクロ
［６、２、1,02.7］−ウンデシレンジメチルジアミン、
ジ（β−アミノエトキシ）フェニルメチルシラン、ジ
（β−アミノエトキシ）ジメチルシラン、ジ（β−アミ
ノプロポキシ）ジメチルシラン、ジ（β−アミノプロポ
キシ）ジフェニルシランなどを、好ましくはパラフェニ
レンジアミン、メタフェニレンジアミン,4,4′−ジアミ
ノジフェニルメタン、4,4′−ジアミノジフェニルスル
ホン,4,4′−ジアミノジフェニルエーテルなどを挙げる
ことができる。これらジアミン化合物は単独でまたは混
合して使用することができる。
ンジアミン、メタフェニレンジアミン、4,4′−ジアミ
ノジフェニルメタン、4,4′−ジアミノジフェニルエタ
ン,2,2−ジ（ｐ−アミノフェニル）ヘキサフロロプロパ
ン,4,4′−ジアミノジフェニルプロパン、ベンジジン,
4,4′−ジアミノジフェニルスルフィド,4,4′−ジアミ
ノジフェニルスルホン,4,4′−ジアミノジフェニルエー
テル,1,5−ジアミノナフタレン,3,3′−ジメチル−4,
4′−ジアミノビフェニル,3,4′−ジアミノベンズアニ
リド,3,4′−ジアミノジフェニルエーテル、メタキシリ
レンジアミン、パラキシリレンジアミン、エチレンジア
ミン、プロパンジアミン、テトラメチレンジアミン、ペ
ンタメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプ
タメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナメ
チレンジアミン、4,4′−ジメチルヘプタメチレンジア
ミン、1,4−ジアミノシクロヘキサン、テトラヒドロジ
シクロペンタフェニレンジアミン、ヘキサヒドロ−4,7
−メタノインダニレンジメチレンジアミン、トリシクロ
［６、２、1,02.7］−ウンデシレンジメチルジアミン、
ジ（β−アミノエトキシ）フェニルメチルシラン、ジ
（β−アミノエトキシ）ジメチルシラン、ジ（β−アミ
ノプロポキシ）ジメチルシラン、ジ（β−アミノプロポ
キシ）ジフェニルシランなどを、好ましくはパラフェニ
レンジアミン、メタフェニレンジアミン,4,4′−ジアミ
ノジフェニルメタン、4,4′−ジアミノジフェニルスル
ホン,4,4′−ジアミノジフェニルエーテルなどを挙げる
ことができる。これらジアミン化合物は単独でまたは混
合して使用することができる。
本発明で用いられるジイソシアネート化合物として
は、下記一般式 OCN−R2−NCO （式中、R2は２価の炭化水素基を示す）で表されるジイ
ソシアネート化合物を挙げることができる。
は、下記一般式 OCN−R2−NCO （式中、R2は２価の炭化水素基を示す）で表されるジイ
ソシアネート化合物を挙げることができる。
上記ジイソシアネート化合物の具体例としては、ヘキ
サメチレンジイソシアネートのような脂肪族ジイソシア
ネート、シクロヘキサンジイソシアネートのような脂環
式ジイソシアネート、およびジフェニルメタン−4,4′
−ジイソシアネート、ジフェニルエーテル−4,4′−ジ
イソシアネート、ジフェニルスルホン−4,4′−ジイソ
シアネート、ジフェニルスルフィド−4,4′−ジイソシ
アネート,1,2−ジフェニルエタン−p,p′−ジイソシア
ネート,2,2−ジフェニルプロパン−p,p′−ジイソシア
ネート,2,2−ジフェニル−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオ
ロプロパン−p,p′−ジイソシアネート,2,2−ジフェニ
ルブタン−p,p′−ジイソシアネート、ジフェニルジク
ロロメタン−4,4′−ジイソシアネート、ジフェニルフ
ルオロメタン−4,4′−ジイソシアネート，ベンゾフェ
ノン−４、４′−ジイソシアネート,N−フェニル安息香
酸アミド−4,4′−ジイソシアネートなどのような芳香
族ジイソシアネートを挙げることができる。上記一般式
のR2の好ましい例としては、上記ジアミン化合物の一般
式のR1として挙げたと同じ芳香族炭化水素基を挙げるこ
とができ、具体例としては、ジフェニルメタン−4,4′
−ジイソシアネート、ジフェニルエーテル−4,4′−ジ
イソシアネート、ジフェニルスルホン−4,4′−ジイソ
シアネートおよびジフェニルスルフィド−4,4′−ジイ
ソシアネートを、特に好ましくはジフェニルメタン−4,
4′−ジイソシアネートなどを挙げることができる。こ
れらジイソシアネート化合物は単独でまたは混合して使
用することができる。
サメチレンジイソシアネートのような脂肪族ジイソシア
ネート、シクロヘキサンジイソシアネートのような脂環
式ジイソシアネート、およびジフェニルメタン−4,4′
−ジイソシアネート、ジフェニルエーテル−4,4′−ジ
イソシアネート、ジフェニルスルホン−4,4′−ジイソ
シアネート、ジフェニルスルフィド−4,4′−ジイソシ
アネート,1,2−ジフェニルエタン−p,p′−ジイソシア
ネート,2,2−ジフェニルプロパン−p,p′−ジイソシア
ネート,2,2−ジフェニル−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオ
ロプロパン−p,p′−ジイソシアネート,2,2−ジフェニ
ルブタン−p,p′−ジイソシアネート、ジフェニルジク
ロロメタン−4,4′−ジイソシアネート、ジフェニルフ
ルオロメタン−4,4′−ジイソシアネート，ベンゾフェ
ノン−４、４′−ジイソシアネート,N−フェニル安息香
酸アミド−4,4′−ジイソシアネートなどのような芳香
族ジイソシアネートを挙げることができる。上記一般式
のR2の好ましい例としては、上記ジアミン化合物の一般
式のR1として挙げたと同じ芳香族炭化水素基を挙げるこ
とができ、具体例としては、ジフェニルメタン−4,4′
−ジイソシアネート、ジフェニルエーテル−4,4′−ジ
イソシアネート、ジフェニルスルホン−4,4′−ジイソ
シアネートおよびジフェニルスルフィド−4,4′−ジイ
ソシアネートを、特に好ましくはジフェニルメタン−4,
4′−ジイソシアネートなどを挙げることができる。こ
れらジイソシアネート化合物は単独でまたは混合して使
用することができる。
なお、以下、上記ジアミン化合物とジイソシアネート
化合物とを（ｂ）成分と総称する。
化合物とを（ｂ）成分と総称する。
本発明で使用するポリイミドは上記（ａ）成分と
（ｂ）成分とを従来公知の方法にて反応させて直接また
はポリアミック酸を経由して調製することができる。こ
の反応においては、溶媒としてポリイミドの分子量を高
めるために上記（ａ）成分および（ｂ）成分のいずれを
も溶解する溶媒を使用することが好ましく、その具体例
としては、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン,N,N−ジメチルホルムアミド,N,N−ジメチルアセ
トアミド，ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、
ヘキサメチルホスホルトリアミドなどの非プロトン系双
極子極性溶媒を挙げることができる。その他、一般的に
使用されるアルコール類、フェノール類、ケトン類、エ
ーテル類などのような有機溶媒、例えばエチルアルコー
ル、イソプロピルアルコール、エチレングリコール、プ
ロピレングリコール,1,4−ブタンジオール、トリエチレ
ングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、フェノール、クレゾール、メチルエチルケトン、テ
トラヒドロフランなども使用することができる。これら
の溶媒の使用量は、通常、（ａ）成分および（ｂ）成分
の総量の0.5−20重量倍である。
（ｂ）成分とを従来公知の方法にて反応させて直接また
はポリアミック酸を経由して調製することができる。こ
の反応においては、溶媒としてポリイミドの分子量を高
めるために上記（ａ）成分および（ｂ）成分のいずれを
も溶解する溶媒を使用することが好ましく、その具体例
としては、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン,N,N−ジメチルホルムアミド,N,N−ジメチルアセ
トアミド，ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、
ヘキサメチルホスホルトリアミドなどの非プロトン系双
極子極性溶媒を挙げることができる。その他、一般的に
使用されるアルコール類、フェノール類、ケトン類、エ
ーテル類などのような有機溶媒、例えばエチルアルコー
ル、イソプロピルアルコール、エチレングリコール、プ
ロピレングリコール,1,4−ブタンジオール、トリエチレ
ングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、フェノール、クレゾール、メチルエチルケトン、テ
トラヒドロフランなども使用することができる。これら
の溶媒の使用量は、通常、（ａ）成分および（ｂ）成分
の総量の0.5−20重量倍である。
（ａ）成分と（ｂ）成分との使用割合は等モルが好ま
しいが、本発明の目的が達成できるかぎり若干の過不足
があってもよい。高分子量のポリイミドを得るために
は、通常、（ａ）成分１モルに対して（ｂ）成分を0.7
−1.3モル程度使用する。また、ポリイミドの分子量を
調節するため、ジカルボン酸またはその無水物、例えば
フタル酸、マレイン酸、無水フタル酸、無水マレイン酸
などを使用することができる。これらジカルボン酸また
はその無水物の使用量は、テトラカルボン酸成分１モル
に対して0.3モル以下が好ましい。
しいが、本発明の目的が達成できるかぎり若干の過不足
があってもよい。高分子量のポリイミドを得るために
は、通常、（ａ）成分１モルに対して（ｂ）成分を0.7
−1.3モル程度使用する。また、ポリイミドの分子量を
調節するため、ジカルボン酸またはその無水物、例えば
フタル酸、マレイン酸、無水フタル酸、無水マレイン酸
などを使用することができる。これらジカルボン酸また
はその無水物の使用量は、テトラカルボン酸成分１モル
に対して0.3モル以下が好ましい。
上記ポリイミドの生成反応には、イミド化に一般に用
いられるイミド化触媒および脱水剤を使用することがで
きる。イミド化触媒としては、トリエチルアミン、ピリ
ジン、ルチジン、コリジン、トリフェニルアミン,1,4−
ジアザビシクロ［２、２、２］オクタンなどのようなア
ミン類を、また脱水剤としては、無水酢酸、無水プロピ
オン酸、無水イソ酪酸、無水安息香酸などの酸無水物を
挙げることができる。
いられるイミド化触媒および脱水剤を使用することがで
きる。イミド化触媒としては、トリエチルアミン、ピリ
ジン、ルチジン、コリジン、トリフェニルアミン,1,4−
ジアザビシクロ［２、２、２］オクタンなどのようなア
ミン類を、また脱水剤としては、無水酢酸、無水プロピ
オン酸、無水イソ酪酸、無水安息香酸などの酸無水物を
挙げることができる。
イミド化反応温度は，（ａ）成分および（ｂ）成分の
組合せによって異なるが、通常０−300℃であり、好ま
しくは０−180℃の範囲である。
組合せによって異なるが、通常０−300℃であり、好ま
しくは０−180℃の範囲である。
本発明に使用するポリイミドの固有粘度は、通常,0.1
−５（ηsp/c,ジメチルホルムアミド中、温度30℃）、
好ましくは0.2−２（ηsp/c,ジメチルホルムアミド中、
温度30℃）である。
−５（ηsp/c,ジメチルホルムアミド中、温度30℃）、
好ましくは0.2−２（ηsp/c,ジメチルホルムアミド中、
温度30℃）である。
本発明に用いるポリイミドは、実質的にイミド化が完
了したポリイミドを意味するが、その効果を損なわない
範囲内においてイミドの前駆体であるアミック酸構造を
含んでいてもよい。例えば、本発明の感放射線性樹脂組
成物を、特に高い耐熱性の要求される用途に使用する場
合には100％イミド化されたポリイミドを使用するのが
好ましいが、使用する基板との密着性を高めるなどの目
的で部分的にアミック酸構造を有するポリイミドも使用
することができる。イミド化以前の系内の（ａ）成分の
酸価（酸価は試料1g当りのカルボキシル基のmg当量で示
す）を100％としてイミド化反応後のカルボキシル基の
残存割合を示す酸価残存率で表示した場合、本発明に用
いるポリイミドの酸価残存率は、好ましくは約５％以下
である。
了したポリイミドを意味するが、その効果を損なわない
範囲内においてイミドの前駆体であるアミック酸構造を
含んでいてもよい。例えば、本発明の感放射線性樹脂組
成物を、特に高い耐熱性の要求される用途に使用する場
合には100％イミド化されたポリイミドを使用するのが
好ましいが、使用する基板との密着性を高めるなどの目
的で部分的にアミック酸構造を有するポリイミドも使用
することができる。イミド化以前の系内の（ａ）成分の
酸価（酸価は試料1g当りのカルボキシル基のmg当量で示
す）を100％としてイミド化反応後のカルボキシル基の
残存割合を示す酸価残存率で表示した場合、本発明に用
いるポリイミドの酸価残存率は、好ましくは約５％以下
である。
上記のようにして得られたポリイミドは、メタノー
ル、エタノール、アセトン、トルエン、水などの溶媒中
に沈澱させて精製することができる。通常は、精製した
のち、使用目的に適した溶媒に再溶解して用いるが、用
途によっては反応溶液をそのまま使用することができ
る。このポリイミドの再溶解には、先に挙げたイミド化
反応に使用する溶媒を使用することができる。
ル、エタノール、アセトン、トルエン、水などの溶媒中
に沈澱させて精製することができる。通常は、精製した
のち、使用目的に適した溶媒に再溶解して用いるが、用
途によっては反応溶液をそのまま使用することができ
る。このポリイミドの再溶解には、先に挙げたイミド化
反応に使用する溶媒を使用することができる。
本発明は芳香族ビスアジド化合物が、放射線の照射に
よって上記のポリイミドを架橋させることができること
を見出したものである。これら芳香族ビスアジド化合物
の例としては,4,4′−ジアジドスチルベン、４、４′−
ジアジドスチルベン−2,2′−ジスホン酸ナトリウム、
1,5−ジアジドナフタレン,1,5−ジアジドナフタレン−
3,7−ジスルホン酸ナトリウム、4,4′−ジアジドベンゾ
フェノン,4,4′−ジアジドフェニルメタン,4,4′−ジア
ジドカルコン,4,4′−ジアジドベンジルアセトン,2,6−
ジ（４′−アジドベンザル）シクロヘキサノン,2,6−ジ
（４′−アジドベンザル）−４−メチルシクロヘキサノ
ン、６−アジド−２−（４′−アジドスチリル）ベンズ
イミダゾール,2,6−ジ（４′−アジドベンジル）シクロ
ペンタノン、4,4′−ジアジドビフェニル,3,3′−ジア
ジドビフェニル,4,4′−ジアジドジフェニルメタン,3,
3′−ジアジドジフェニルメタン,4,4′−ジアジドジフ
ェニルエタン,3,3′−ジアジドジフェニルエタン,4,4′
−ジアジドジフェニルエーテル,3,3′−ジアジドジフェ
ニルエーテル,4,4′−ジアジドジフェニルスルフィド,
3,3′−ジアジドジフェニルスルフィド,4,4′−ジアジ
ドジフェニルスルフォン,3,3′−ジアジドジフェニルス
ルフォンなどを挙げることができる。
よって上記のポリイミドを架橋させることができること
を見出したものである。これら芳香族ビスアジド化合物
の例としては,4,4′−ジアジドスチルベン、４、４′−
ジアジドスチルベン−2,2′−ジスホン酸ナトリウム、
1,5−ジアジドナフタレン,1,5−ジアジドナフタレン−
3,7−ジスルホン酸ナトリウム、4,4′−ジアジドベンゾ
フェノン,4,4′−ジアジドフェニルメタン,4,4′−ジア
ジドカルコン,4,4′−ジアジドベンジルアセトン,2,6−
ジ（４′−アジドベンザル）シクロヘキサノン,2,6−ジ
（４′−アジドベンザル）−４−メチルシクロヘキサノ
ン、６−アジド−２−（４′−アジドスチリル）ベンズ
イミダゾール,2,6−ジ（４′−アジドベンジル）シクロ
ペンタノン、4,4′−ジアジドビフェニル,3,3′−ジア
ジドビフェニル,4,4′−ジアジドジフェニルメタン,3,
3′−ジアジドジフェニルメタン,4,4′−ジアジドジフ
ェニルエタン,3,3′−ジアジドジフェニルエタン,4,4′
−ジアジドジフェニルエーテル,3,3′−ジアジドジフェ
ニルエーテル,4,4′−ジアジドジフェニルスルフィド,
3,3′−ジアジドジフェニルスルフィド,4,4′−ジアジ
ドジフェニルスルフォン,3,3′−ジアジドジフェニルス
ルフォンなどを挙げることができる。
上記芳香族ビスアジド化合物は単独でまたは二種以上
混合して使用してもよい。
混合して使用してもよい。
上記芳香族ビスアジド化合物の使用量は、ポリイミド
100重量部に対して好ましくは0.05−30重量部、特に好
ましくは0.5−25重量部である。
100重量部に対して好ましくは0.05−30重量部、特に好
ましくは0.5−25重量部である。
本発明の感放射線性樹脂組成物は上記ポリイミド樹脂
と芳香族ビスアジド化合物とから本質的になるものであ
るが、必要に応じて適当な添加剤を含有していてもよ
い。添加剤としては、酸化防止剤、例えばヒドロキノ
ン,p−メトキシフェノール,p−ｔ−ブチルカテコール,
2,6−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、β−ナフトー
ル、ピロガロールなどの芳香族ヒドロキシ化合物、ベン
ゾキノン、ｐ−トルキノンなどのキノン類、ナフチルア
ミン、ｐ−トルイジン、フェノチアジンなどのアミン
類、Ｎ−ニトロソフェニルヒドロキシルアミンのアルミ
ニウム塩およびアンモニウム塩、ならびにニトロベンゼ
ンを挙げることができる。これら添加剤の使用量は、感
放射線性樹脂組成物の固形分全重量の約５重量％未満で
ある。５重量％以上であると、硬化膜の耐熱性が低下し
やすい。本発明の感放射線性樹脂組成物の粘度は通常10
−5,000cps、好ましくは50−10,000cpsであり、また固
形分濃度は通常0.5−30重量％、好ましくは５−20重量
％である。
と芳香族ビスアジド化合物とから本質的になるものであ
るが、必要に応じて適当な添加剤を含有していてもよ
い。添加剤としては、酸化防止剤、例えばヒドロキノ
ン,p−メトキシフェノール,p−ｔ−ブチルカテコール,
2,6−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、β−ナフトー
ル、ピロガロールなどの芳香族ヒドロキシ化合物、ベン
ゾキノン、ｐ−トルキノンなどのキノン類、ナフチルア
ミン、ｐ−トルイジン、フェノチアジンなどのアミン
類、Ｎ−ニトロソフェニルヒドロキシルアミンのアルミ
ニウム塩およびアンモニウム塩、ならびにニトロベンゼ
ンを挙げることができる。これら添加剤の使用量は、感
放射線性樹脂組成物の固形分全重量の約５重量％未満で
ある。５重量％以上であると、硬化膜の耐熱性が低下し
やすい。本発明の感放射線性樹脂組成物の粘度は通常10
−5,000cps、好ましくは50−10,000cpsであり、また固
形分濃度は通常0.5−30重量％、好ましくは５−20重量
％である。
本発明の感放射線性樹脂組成物を、例えばレジストと
して使用する場合、先ず上記ポリイミド樹脂と芳香族ビ
スアジド化合物とを適当な有機溶媒、例えば前記ポリイ
ミドの製法において（ａ）成分および（ｂ）成分を溶解
した溶剤に溶解する。次に、この溶液を、例えば半導体
用シリコンウェハー、ガラス板、アルミニウム板、セラ
ミック板、バイメタル板、プリント回路基板などの基
板、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリ塩化ビニル、ナイロンなどのフィル
ム、紙、布、繊維、金属、セラミックス、陶器などの表
面にスピンコート、スプレイ、ディピングなどの方法に
よって塗布し、80−200℃の温度にて乾燥し、塗膜中の
溶剤を除去し均一な膜厚0.01−50μｍの感放射線性樹脂
組成物被膜を形成する。なお、この際基体との接着性を
向上させるために、シランカップリング剤などのカップ
リング剤で基体表面の前処理するか、またはカップリン
グ剤の予め上記感放射線性樹脂組成物に添加して使用す
ることもできる。次いで、得られた感放射線性樹脂組成
物の塗膜に部分的に放射線を照射したのち、現像液によ
って現像して照射部分を残して非照射部分を除去し目的
の画像パターンを形成する。上記現像液としては、上記
したポリイミドと芳香族ビスアジド化合物両者の溶媒、
例えばγ−ブチロラクトン,N−メチルピロリドン,N,N−
ジメチルアセトアミド,N,N−ジメチルホルムアミドなど
を単独でまた２種以上混合して使用することができる。
さらに、これら溶媒にメタノール、エタノール、プロパ
ノールなどのアルコール類、エチルセロソルブ、ブチル
セルソルブなどのセロソルブ類、アセトン、メチルエチ
ルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、ジオキサ
ン、テトラヒドロフランなどのエーテル類、エチルセル
ブアセテートなどのエステル類などの溶媒を混合して使
用することもできる。現像後、メタノール、エタノー
ル、プロパノールなどのアルコール類、アセトン、メチ
ルエチルケトン、シクロヘキサンなどのケトン類、ジオ
キサン、テトラヒドロフランなどのエーテル類、エチル
セルソルブアセテートなどのエステル類、あるいは水の
ような溶媒でリンスした後溶媒を除くために80−200℃
で加熱乾燥する。リンスに用いる溶媒は、上記の溶媒の
他にγ−ブチロラクトン,N−メチルピロリドン、N,N−
ジメチルアセトアミド,N,N−ジメチルホルミアミド、ジ
メチルスホキシド、テトラメチル尿素、ヘキサメチルホ
スホルアミド、ｍ−クレゾール,p−クロロフェノールを
少量、例えばリンス液の40重量％以下、好ましくは20重
量％以下含有することができる。
して使用する場合、先ず上記ポリイミド樹脂と芳香族ビ
スアジド化合物とを適当な有機溶媒、例えば前記ポリイ
ミドの製法において（ａ）成分および（ｂ）成分を溶解
した溶剤に溶解する。次に、この溶液を、例えば半導体
用シリコンウェハー、ガラス板、アルミニウム板、セラ
ミック板、バイメタル板、プリント回路基板などの基
板、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリ塩化ビニル、ナイロンなどのフィル
ム、紙、布、繊維、金属、セラミックス、陶器などの表
面にスピンコート、スプレイ、ディピングなどの方法に
よって塗布し、80−200℃の温度にて乾燥し、塗膜中の
溶剤を除去し均一な膜厚0.01−50μｍの感放射線性樹脂
組成物被膜を形成する。なお、この際基体との接着性を
向上させるために、シランカップリング剤などのカップ
リング剤で基体表面の前処理するか、またはカップリン
グ剤の予め上記感放射線性樹脂組成物に添加して使用す
ることもできる。次いで、得られた感放射線性樹脂組成
物の塗膜に部分的に放射線を照射したのち、現像液によ
って現像して照射部分を残して非照射部分を除去し目的
の画像パターンを形成する。上記現像液としては、上記
したポリイミドと芳香族ビスアジド化合物両者の溶媒、
例えばγ−ブチロラクトン,N−メチルピロリドン,N,N−
ジメチルアセトアミド,N,N−ジメチルホルムアミドなど
を単独でまた２種以上混合して使用することができる。
さらに、これら溶媒にメタノール、エタノール、プロパ
ノールなどのアルコール類、エチルセロソルブ、ブチル
セルソルブなどのセロソルブ類、アセトン、メチルエチ
ルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、ジオキサ
ン、テトラヒドロフランなどのエーテル類、エチルセル
ブアセテートなどのエステル類などの溶媒を混合して使
用することもできる。現像後、メタノール、エタノー
ル、プロパノールなどのアルコール類、アセトン、メチ
ルエチルケトン、シクロヘキサンなどのケトン類、ジオ
キサン、テトラヒドロフランなどのエーテル類、エチル
セルソルブアセテートなどのエステル類、あるいは水の
ような溶媒でリンスした後溶媒を除くために80−200℃
で加熱乾燥する。リンスに用いる溶媒は、上記の溶媒の
他にγ−ブチロラクトン,N−メチルピロリドン、N,N−
ジメチルアセトアミド,N,N−ジメチルホルミアミド、ジ
メチルスホキシド、テトラメチル尿素、ヘキサメチルホ
スホルアミド、ｍ−クレゾール,p−クロロフェノールを
少量、例えばリンス液の40重量％以下、好ましくは20重
量％以下含有することができる。
（実施例） 以下、実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明す
る。
る。
実施例１ 2,3,5−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物1
1.28g（0.0503モル）と4,4′−ジアミノジフェニルエー
テル10.01g（0.05モル）を355.5gのジメチルホルムアミ
ド中に溶解させ室温で20時間反応した。さらに、ピリジ
ン19.89g（0.25モル）と無水酢酸15.41g（0.15モル）
を、ピリジン、無水酢酸の順に滴下した（滴下時間15
分）。反応温度を室温から130℃に昇温し、ピリジンお
よび無水酢酸の滴下時間を含め合計４時間反応させた。
溶液の温度を室温に戻した後、3lのメタノール中へ反応
溶液をゆっくりと注ぎ、ポリマーを沈澱させた。沈澱し
たポリマーをメタノールで十分に洗浄し,1mmHgの減圧
下、80℃で真空乾燥した。
1.28g（0.0503モル）と4,4′−ジアミノジフェニルエー
テル10.01g（0.05モル）を355.5gのジメチルホルムアミ
ド中に溶解させ室温で20時間反応した。さらに、ピリジ
ン19.89g（0.25モル）と無水酢酸15.41g（0.15モル）
を、ピリジン、無水酢酸の順に滴下した（滴下時間15
分）。反応温度を室温から130℃に昇温し、ピリジンお
よび無水酢酸の滴下時間を含め合計４時間反応させた。
溶液の温度を室温に戻した後、3lのメタノール中へ反応
溶液をゆっくりと注ぎ、ポリマーを沈澱させた。沈澱し
たポリマーをメタノールで十分に洗浄し,1mmHgの減圧
下、80℃で真空乾燥した。
得られたポリマーのIRスペクトルを測定したところ,1
710cm-1、1780cm-1および1370cm-1にイミドカルボニル
基に基づく吸収がみられ、カルボキシル基による吸収が
認められなかったためポリアミドが生成していること、
さらにそのイミド化率は98％以上であることがわかっ
た。
710cm-1、1780cm-1および1370cm-1にイミドカルボニル
基に基づく吸収がみられ、カルボキシル基による吸収が
認められなかったためポリアミドが生成していること、
さらにそのイミド化率は98％以上であることがわかっ
た。
なお、イミド化率は，（ａ）成分とジアミン化合物か
らえられるポリアミック酸のIRスペクトルにおけるカル
ボキシル基の吸光度を測定し、イミド化率を求めるべき
ポリイミドのカルボキシル基の吸光度をポリアミック酸
の場合と同様にして同モル濃度で測定し、これによりイ
ミド化率を算出して求めたものである。
らえられるポリアミック酸のIRスペクトルにおけるカル
ボキシル基の吸光度を測定し、イミド化率を求めるべき
ポリイミドのカルボキシル基の吸光度をポリアミック酸
の場合と同様にして同モル濃度で測定し、これによりイ
ミド化率を算出して求めたものである。
得られたポリイミド（ηsp/c＝1.026dl/g,C＝0.5g/10
0ml、ジメチルホルムアミド中、温度30℃）のジメチル
ホルムアミド溶液（ポリイミド濃度12重量％）に、ポリ
イミド100重量部に対して５重量部の2,6−ジ（４′−ア
ジドベンザル）−４−メチルシクロヘキサノンを添加
し、溶解させて本発明の感放射線性樹脂組成物の溶液を
調製した。
0ml、ジメチルホルムアミド中、温度30℃）のジメチル
ホルムアミド溶液（ポリイミド濃度12重量％）に、ポリ
イミド100重量部に対して５重量部の2,6−ジ（４′−ア
ジドベンザル）−４−メチルシクロヘキサノンを添加
し、溶解させて本発明の感放射線性樹脂組成物の溶液を
調製した。
この溶液をガラス基板上にスピンコーティング法によ
り塗布した後、130℃で15分間熱風乾燥させ、厚み５μ
ｍの均一なレジスト塗膜を形成した。解像力測定用マス
クを介して高圧水銀灯（オーク製作所製）により、露光
量100mJ/cm2の光エネルギーで塗膜を照射した後、N,N−
ジメチルアセトアミドで30秒間現像し、ジオキサンでリ
ンスした後、温度170℃で30分間乾燥しレジストパター
ンを形成した。
り塗布した後、130℃で15分間熱風乾燥させ、厚み５μ
ｍの均一なレジスト塗膜を形成した。解像力測定用マス
クを介して高圧水銀灯（オーク製作所製）により、露光
量100mJ/cm2の光エネルギーで塗膜を照射した後、N,N−
ジメチルアセトアミドで30秒間現像し、ジオキサンでリ
ンスした後、温度170℃で30分間乾燥しレジストパター
ンを形成した。
その結果、ラインアンドスペース100μｍの鮮明なレ
ジストパターンが得られ、解像度が高いことが判明し
た。このレジストパターンにはピンホールがなく、また
顕微鏡で観察したところパターンエッジもシャープであ
った。
ジストパターンが得られ、解像度が高いことが判明し
た。このレジストパターンにはピンホールがなく、また
顕微鏡で観察したところパターンエッジもシャープであ
った。
このレジストパターンを200℃で１時間加熱したが、
レジストパターンに変化は認められなかった。
レジストパターンに変化は認められなかった。
また、別のガラス基板状に本実施例の感放射線性樹脂
組成物の溶液を前記と同様に塗布、乾燥し、全面に放射
線を照射し、200℃１時間の加熱を行ったポリイミド硬
化膜をクロスカットテスト（ナイフでクロスカットした
後、市販のテープを密着した後、はがして被膜のはがれ
を調べる）をしたところ、全くはがれなかった。また、
ポリイミド硬化膜はジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル
ピロリドン、ジメチルアセトアミドなど殆ど全ての有機
溶媒に不溶であり、本発明の感放射線性樹脂組成物から
形成されたレジストパターンは密着性、耐溶剤性および
耐熱性に優れていた。
組成物の溶液を前記と同様に塗布、乾燥し、全面に放射
線を照射し、200℃１時間の加熱を行ったポリイミド硬
化膜をクロスカットテスト（ナイフでクロスカットした
後、市販のテープを密着した後、はがして被膜のはがれ
を調べる）をしたところ、全くはがれなかった。また、
ポリイミド硬化膜はジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル
ピロリドン、ジメチルアセトアミドなど殆ど全ての有機
溶媒に不溶であり、本発明の感放射線性樹脂組成物から
形成されたレジストパターンは密着性、耐溶剤性および
耐熱性に優れていた。
実施例２ 実施例１で得られた感放射線性樹脂組成物のN,N−ジ
メチルホルムアミド溶液を、実施例１と同様にして、ア
ルミニウム基板上に乾燥膜厚0.8μｍにて塗布して評価
したところ、実施例１と同様に100μｍの解像度を有す
るレジストパターンが得られ、またこのレジストパター
ンは、実施例１と同様に密着性、耐溶剤性および耐熱性
に優れていた。
メチルホルムアミド溶液を、実施例１と同様にして、ア
ルミニウム基板上に乾燥膜厚0.8μｍにて塗布して評価
したところ、実施例１と同様に100μｍの解像度を有す
るレジストパターンが得られ、またこのレジストパター
ンは、実施例１と同様に密着性、耐溶剤性および耐熱性
に優れていた。
実施例３ 実施例１で得られた感放射線性樹脂組成物のN,N−ジ
メチルホルムアミド溶液を用い、ガラス基板の代わりに
アルミニウム基板を用いた以外は実施例１と同様にして
評価したところ、実施例１と同様に100μｍの解像度を
有するレジストパターンが得られ、またこのレジストパ
ターンは実施例１と同様に密着性、耐溶剤性および耐熱
性に優れていた。
メチルホルムアミド溶液を用い、ガラス基板の代わりに
アルミニウム基板を用いた以外は実施例１と同様にして
評価したところ、実施例１と同様に100μｍの解像度を
有するレジストパターンが得られ、またこのレジストパ
ターンは実施例１と同様に密着性、耐溶剤性および耐熱
性に優れていた。
実施例４ 2,3,5−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物2
2.4g,4、４′−ジフェニルメタンジイソシアネート25.0
gをメタクレゾール200mlに溶解させた。次に、触媒とし
てトリエチルアミン4gを加え,180−190℃の温度で８時
間反応させた。この反応溶液の温度を室温に戻した後、
3lのメタノール中へ反応溶液をゆっくりと注ぎ、ポリマ
ーを沈澱させた。沈澱したポリマーのメタノールで十分
に洗浄し、1mmHgの減圧下80℃で真空乾燥した。
2.4g,4、４′−ジフェニルメタンジイソシアネート25.0
gをメタクレゾール200mlに溶解させた。次に、触媒とし
てトリエチルアミン4gを加え,180−190℃の温度で８時
間反応させた。この反応溶液の温度を室温に戻した後、
3lのメタノール中へ反応溶液をゆっくりと注ぎ、ポリマ
ーを沈澱させた。沈澱したポリマーのメタノールで十分
に洗浄し、1mmHgの減圧下80℃で真空乾燥した。
得られたポリマーのIRスペクトルを測定したところ,1
710cm-1,1780cm-1および1370-1にイミドカルボニル基に
基づく吸収がみられ、カルボキシル基による吸収が認め
られなかったためポリイミドが生成していること、さら
にはそのイミド化率は98％以上であることがわかった。
710cm-1,1780cm-1および1370-1にイミドカルボニル基に
基づく吸収がみられ、カルボキシル基による吸収が認め
られなかったためポリイミドが生成していること、さら
にはそのイミド化率は98％以上であることがわかった。
なお、イミド化率は実施例１と同様にして求めた。
得られたポリイミド（ηsp/c＝0.962dl/g,C＝1g/100m
l、ジメチルホルムアミド中、温度30℃）のジメチルホ
ルムアミド溶液（ポリイミド濃度10重量％）にポリイミ
ド100重量部に対して５重量部の2,6−ジ（４′−アキド
ベンザル）−４−メチルシクロヘキサンを添加し溶解さ
せて感放射線性樹脂組成物の溶液を調製した。
l、ジメチルホルムアミド中、温度30℃）のジメチルホ
ルムアミド溶液（ポリイミド濃度10重量％）にポリイミ
ド100重量部に対して５重量部の2,6−ジ（４′−アキド
ベンザル）−４−メチルシクロヘキサンを添加し溶解さ
せて感放射線性樹脂組成物の溶液を調製した。
この溶液を用い、実施例１と同様にしてガラス基板上
で評価したところラインアンドスペール60μｍの鮮明な
レジストパターンが得られ、このレジストパターンには
ピンホールがなく、また顕微鏡で観測したところパター
ンエッジもシャープであることが判明した。
で評価したところラインアンドスペール60μｍの鮮明な
レジストパターンが得られ、このレジストパターンには
ピンホールがなく、また顕微鏡で観測したところパター
ンエッジもシャープであることが判明した。
このレジストパターンを200℃で一時間加熱したがレ
ジストパターンに変化は認めらなかった。
ジストパターンに変化は認めらなかった。
また、別のガラス基板状の本実施例の感放射線性樹脂
組成物の溶液を前記と同様に塗布、乾燥し、全面に放射
線を照射し、200℃１時間の加熱を行ったポリイミド硬
化膜をクロスカットテストしたところ、全くはがれなか
った。またジメチルホルムアミド,N−メチルピロリド
ン、ジメチルアセトアミドなどほとんど全ての有機溶媒
に不溶性であり、本発明の感放射線性樹脂組成物から得
られたレジストパターンは実施例１と同様に密着性、耐
溶剤性および耐熱性に優れていた。
組成物の溶液を前記と同様に塗布、乾燥し、全面に放射
線を照射し、200℃１時間の加熱を行ったポリイミド硬
化膜をクロスカットテストしたところ、全くはがれなか
った。またジメチルホルムアミド,N−メチルピロリド
ン、ジメチルアセトアミドなどほとんど全ての有機溶媒
に不溶性であり、本発明の感放射線性樹脂組成物から得
られたレジストパターンは実施例１と同様に密着性、耐
溶剤性および耐熱性に優れていた。
（発明の効果） 本発明の感放射線性樹脂組成物においては、放射線を
照射するだけで耐熱性、耐溶剤性に優れたポリイミド硬
化膜を形成することができる。また、本発明の感放射線
性樹脂組成物はポリイミドと芳香族ビスアジド化合物と
から実質的になるため、レジストとして使用した場合、
得られるポリイミド硬化膜は解像度、残膜率、プロファ
イルなどに優れるため、プリント回路基板状レジスト、
ソルダー用レジスト、金属板エッチング用レジストなど
として好適に使用できる。また、本発明の感放射線性樹
脂組成物から得られる硬化膜は実質的にポリイミドのみ
からなるため、ポリイミド本来の優れた耐熱性を保有し
ている。さらには、本発明の感放射線性樹脂組成物はポ
リイミド前駆体としてのポリアミック酸を含まないため
の保存安定性に優れているなど様々な利点を有してい
る。このため、レジスト以外にジャンクション保護膜、
アルファー線シールド膜、多層配線絶縁膜、層間絶縁膜
などの保護膜および絶縁膜、液晶配向膜、光硬化性耐熱
エナメルなどの塗料、光硬化性耐熱性接着などに用いる
ことができる。
照射するだけで耐熱性、耐溶剤性に優れたポリイミド硬
化膜を形成することができる。また、本発明の感放射線
性樹脂組成物はポリイミドと芳香族ビスアジド化合物と
から実質的になるため、レジストとして使用した場合、
得られるポリイミド硬化膜は解像度、残膜率、プロファ
イルなどに優れるため、プリント回路基板状レジスト、
ソルダー用レジスト、金属板エッチング用レジストなど
として好適に使用できる。また、本発明の感放射線性樹
脂組成物から得られる硬化膜は実質的にポリイミドのみ
からなるため、ポリイミド本来の優れた耐熱性を保有し
ている。さらには、本発明の感放射線性樹脂組成物はポ
リイミド前駆体としてのポリアミック酸を含まないため
の保存安定性に優れているなど様々な利点を有してい
る。このため、レジスト以外にジャンクション保護膜、
アルファー線シールド膜、多層配線絶縁膜、層間絶縁膜
などの保護膜および絶縁膜、液晶配向膜、光硬化性耐熱
エナメルなどの塗料、光硬化性耐熱性接着などに用いる
ことができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−155277（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−143341（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−68331（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−68332（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】（Ａ）2,3,5−トリカルボキシシクロペン
チル酢酸二無水物とジアミン化合物またはジイソシアネ
ート化合物とからなるポリイミドおよび（Ｂ）芳香族ビ
スアジド化合物を溶剤に溶解してなる溶液からなり、該
溶液中の固形分の95重量％以上が前記（Ａ）ポリイミド
および（Ｂ）芳香族ビスアジド化合物であることを特徴
とする感放射線性樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61124319A JPH0820726B2 (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | 感放射線性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61124319A JPH0820726B2 (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | 感放射線性樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62280736A JPS62280736A (ja) | 1987-12-05 |
| JPH0820726B2 true JPH0820726B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=14882390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61124319A Expired - Lifetime JPH0820726B2 (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | 感放射線性樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0820726B2 (ja) |
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| JP2613789B2 (ja) * | 1988-05-12 | 1997-05-28 | 富士写真フイルム株式会社 | 感光性平版印刷版 |
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| JPS5968332A (ja) * | 1982-10-13 | 1984-04-18 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
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-
1986
- 1986-05-29 JP JP61124319A patent/JPH0820726B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62280736A (ja) | 1987-12-05 |
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