JP2542033B2 - 芳香族ポリアミド樹脂およびこれを用いた耐熱性感光材料 - Google Patents
芳香族ポリアミド樹脂およびこれを用いた耐熱性感光材料Info
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、電気またはエレクトロニクス装置、たとえ
ば半導体、コンデンサー、および印刷回路上のレリーフ
構造の形成、また半導体工業における固体素子の絶縁層
や保護層の形成に有用な、放射線感受性または光重合性
を有する芳香族ポリアミドに関する。
ば半導体、コンデンサー、および印刷回路上のレリーフ
構造の形成、また半導体工業における固体素子の絶縁層
や保護層の形成に有用な、放射線感受性または光重合性
を有する芳香族ポリアミドに関する。
［従来の技術］ 耐熱性に優れた感光材料、特に半導体工業における固
体素子の絶縁層やパッシベーション層としては一般に無
機物質が用いられてきた。これらの無機物質からなる層
は熱的に安定であり、化学的にも不活性であるので半導
体素子に要求される条件を充たしているが、柔軟性に欠
け、こわれ易いという欠点がある。近年、ポリイミド樹
脂のような耐熱性の高い樹脂の使用が試みられている。
体素子の絶縁層やパッシベーション層としては一般に無
機物質が用いられてきた。これらの無機物質からなる層
は熱的に安定であり、化学的にも不活性であるので半導
体素子に要求される条件を充たしているが、柔軟性に欠
け、こわれ易いという欠点がある。近年、ポリイミド樹
脂のような耐熱性の高い樹脂の使用が試みられている。
ポリイミド樹脂は300℃以上の耐熱性と化学的安定性
を有し、また、適度な柔軟性を有するため、無機物質に
みられるような欠点を改善することができる。しかし、
ポリイミド樹脂はそれ自体に放射線感受性や感光性を持
たないため、感光材料として使用するためには他の感光
材料、例えばクロム化合物（Polymer Eng.＆ Sci.,11、
426（1971））などを混合する必要がある。このように
混合物として使用する場合は、感光材料として保存性が
劣るばかりでなく、ポリイミド樹脂本来の優れた特性を
損なうことが多い。また、西独公開特許公報第1,764,97
7号によれば、ポリイミド前駆体（ポリアミド酸）から
成る層の上に通常のフォトレジストを用いてパターンを
形成し、レジストがなくなった部分のポリイミド前駆体
の溶出、レジスト剥離、ポリイミド前駆体の熱処理をお
こなってポリイミドのレリーフパターンを得ているが、
このような方法では作業工程数が多く、工業的には極め
て不利である。
を有し、また、適度な柔軟性を有するため、無機物質に
みられるような欠点を改善することができる。しかし、
ポリイミド樹脂はそれ自体に放射線感受性や感光性を持
たないため、感光材料として使用するためには他の感光
材料、例えばクロム化合物（Polymer Eng.＆ Sci.,11、
426（1971））などを混合する必要がある。このように
混合物として使用する場合は、感光材料として保存性が
劣るばかりでなく、ポリイミド樹脂本来の優れた特性を
損なうことが多い。また、西独公開特許公報第1,764,97
7号によれば、ポリイミド前駆体（ポリアミド酸）から
成る層の上に通常のフォトレジストを用いてパターンを
形成し、レジストがなくなった部分のポリイミド前駆体
の溶出、レジスト剥離、ポリイミド前駆体の熱処理をお
こなってポリイミドのレリーフパターンを得ているが、
このような方法では作業工程数が多く、工業的には極め
て不利である。
［問題点を解決するための手段］ 本発明者らは、前記のような従来の耐熱性感光樹脂の
持つ問題点を解決すべく鋭意検討の結果、一般式（Ｉ）
で表わされている新規な樹脂を見出し本発明を完成させ
るに至ったものである。
持つ問題点を解決すべく鋭意検討の結果、一般式（Ｉ）
で表わされている新規な樹脂を見出し本発明を完成させ
るに至ったものである。
すなわち本発明は一般式 （式中R1は２価の芳香族炭化水素基で、−OH基はアミド
基に対して、オルトまたはペリの位置にある。R2は２価
の炭化水素基で、活性エネルギー線により、２量化また
は重合可能な炭素−炭素二重結合を含む。ｎは重合度を
示す。）で表される芳香族ポリアミド樹脂、さらには、
これらの新規な芳香族ポリアミド樹脂（Ｉ）を主成分と
する耐熱性感光材料である。
基に対して、オルトまたはペリの位置にある。R2は２価
の炭化水素基で、活性エネルギー線により、２量化また
は重合可能な炭素−炭素二重結合を含む。ｎは重合度を
示す。）で表される芳香族ポリアミド樹脂、さらには、
これらの新規な芳香族ポリアミド樹脂（Ｉ）を主成分と
する耐熱性感光材料である。
一般式（Ｉ）で表される新規な化合物は、一般式 （式中R1は芳香族炭化水素基で、−NH2基は−OH基とオ
ルトまたはペリの位置にある。）で表されるジアミンと
一般式 （式中R2は前記と同じ。）で表わされるジカルボン酸、
または一般式 （式中R2は前記と同じ。Ｘはハロゲンを表わす。）で表
わされるジカルボン酸ジハライド、もしくは一般式 （式中R2は前記と同じ。Ｒ′はアルキル基またはフェニ
ル基を表わす。）で表わされるジカルボン酸ジエステ
ル、または一般式 （式中R2は前記と同じ。）で表わされるカルボン酸無水
物のいずれかと反応させることにより製造することがで
きる。
ルトまたはペリの位置にある。）で表されるジアミンと
一般式 （式中R2は前記と同じ。）で表わされるジカルボン酸、
または一般式 （式中R2は前記と同じ。Ｘはハロゲンを表わす。）で表
わされるジカルボン酸ジハライド、もしくは一般式 （式中R2は前記と同じ。Ｒ′はアルキル基またはフェニ
ル基を表わす。）で表わされるジカルボン酸ジエステ
ル、または一般式 （式中R2は前記と同じ。）で表わされるカルボン酸無水
物のいずれかと反応させることにより製造することがで
きる。
また、本発明において、一般式（IV）で表わされるジ
カルボン酸、一般式（Ｖ）で表わされるジカルボン酸ジ
ハライド、一般式（VI）で表わされるジカルボン酸ジエ
ステル、一般式（VII）で表わされるカルボン酸無水物
としては、例えば、パラフェニレンジアクリル酸、パラ
フェニレンジアクリル酸ジクロリド、パラフェニレンジ
アクリル酸ジエチルエステル、パラフェニレンジアクリ
ル酸ジメチルエステル、パラフェニレンジアクリル酸ジ
フェニルエステルなどが有効である。
カルボン酸、一般式（Ｖ）で表わされるジカルボン酸ジ
ハライド、一般式（VI）で表わされるジカルボン酸ジエ
ステル、一般式（VII）で表わされるカルボン酸無水物
としては、例えば、パラフェニレンジアクリル酸、パラ
フェニレンジアクリル酸ジクロリド、パラフェニレンジ
アクリル酸ジエチルエステル、パラフェニレンジアクリ
ル酸ジメチルエステル、パラフェニレンジアクリル酸ジ
フェニルエステルなどが有効である。
本発明において、一般式（III）で表わされる芳香族
ジアミンとしては、例えば、2,2−ビス（３−アミノ−
４−ヒドロキシフェニル）プロパン、3,3′−ジアミノ
−4,4′−ジヒドロキシビフェニル、4,4′−ジアミノ−
3,3′−ジヒドロキシビフェニル、ビス（３−アミノ−
４−ヒドロキシフェニル）スルホン、3,3,−ジアミノ−
4,4′−ジヒドロキシベンゾフェノン、ビス（３−アミ
ノ−４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（３−アミ
ノ−４−ヒドロキシフェニル）エーテル、１−フェニル
−1,1−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）
エタン、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）
スルフィド、2,2−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ
フェニル）ヘキサフルオロプロパン、１−フェニル−1,
1−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）トリ
フルオロエタン、１−トリフルオロメチル−1,1−ビス
（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）エタン、1,1,
3−トリメチル−３（３′−アミノ−４′−ヒドロキ
シ）−５−ヒドロキシ−６−アミノ−インダン、1,4−
ジアミノ−2,5−ジヒドロキシベンゼン、1,5−ジアミノ
−2,4−ジヒドロキシベンゼン、3,3′−ジアミノ−4,
4′−ジヒドロキシターフェニルなどが有効である。な
お、これらの芳香族ジアミンは単独で用いることも、ま
た二種類以上を混合して用いることも可能である。この
場合には対応する共重合体が得られる。
ジアミンとしては、例えば、2,2−ビス（３−アミノ−
４−ヒドロキシフェニル）プロパン、3,3′−ジアミノ
−4,4′−ジヒドロキシビフェニル、4,4′−ジアミノ−
3,3′−ジヒドロキシビフェニル、ビス（３−アミノ−
４−ヒドロキシフェニル）スルホン、3,3,−ジアミノ−
4,4′−ジヒドロキシベンゾフェノン、ビス（３−アミ
ノ−４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（３−アミ
ノ−４−ヒドロキシフェニル）エーテル、１−フェニル
−1,1−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）
エタン、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）
スルフィド、2,2−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ
フェニル）ヘキサフルオロプロパン、１−フェニル−1,
1−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）トリ
フルオロエタン、１−トリフルオロメチル−1,1−ビス
（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）エタン、1,1,
3−トリメチル−３（３′−アミノ−４′−ヒドロキ
シ）−５−ヒドロキシ−６−アミノ−インダン、1,4−
ジアミノ−2,5−ジヒドロキシベンゼン、1,5−ジアミノ
−2,4−ジヒドロキシベンゼン、3,3′−ジアミノ−4,
4′−ジヒドロキシターフェニルなどが有効である。な
お、これらの芳香族ジアミンは単独で用いることも、ま
た二種類以上を混合して用いることも可能である。この
場合には対応する共重合体が得られる。
本発明化合物の製造において、一般式（III）で表わ
される芳香族ジアミンと一般式（IV）で表わされる芳香
族ジカルボン酸、または、一般式（VII）で表わされる
カルボン酸無水物との反応では、N,N−ジメチルホルム
アミド、N,N−ジメチルアセトアミオ、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ピリジンなどの
極性有機溶媒中で室温ないし溶媒の沸点の範囲で、ま
た、一般式（Ｖ）で表わされる芳香族ジカルボン酸ジハ
ライドとの反応は、同様の溶媒中で−10〜50℃の範囲で
反応させる。また、一般式（III）で表わされる芳香族
ジアミンと一般式（VI）で表わされる芳香族ジカルボン
酸ジエステルとの反応は50〜300℃の範囲が好ましい。
される芳香族ジアミンと一般式（IV）で表わされる芳香
族ジカルボン酸、または、一般式（VII）で表わされる
カルボン酸無水物との反応では、N,N−ジメチルホルム
アミド、N,N−ジメチルアセトアミオ、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ピリジンなどの
極性有機溶媒中で室温ないし溶媒の沸点の範囲で、ま
た、一般式（Ｖ）で表わされる芳香族ジカルボン酸ジハ
ライドとの反応は、同様の溶媒中で−10〜50℃の範囲で
反応させる。また、一般式（III）で表わされる芳香族
ジアミンと一般式（VI）で表わされる芳香族ジカルボン
酸ジエステルとの反応は50〜300℃の範囲が好ましい。
本発明の芳香族ポリアミド樹脂を感光材料として使用
する場合はこれを主成分として通常溶液の形で調合さ
れ、必要に応じて、増感剤、光開始剤、共重合モノマ
ー、基板との接着を良好にする接着助剤などの添加剤を
添加して使用される。使用する溶媒としては主成分であ
る芳香族ポリアミド樹脂および増感剤、光開始剤、共重
合モノマーなどの添加剤を共に溶解し得る溶媒が用いら
れるが、一般に使用される極性溶媒を広く用いることが
できる。例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジ
メチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジ
メチルスルホキシド、テトラヒドロフラン、シクロヘキ
サノンなどが有効である。
する場合はこれを主成分として通常溶液の形で調合さ
れ、必要に応じて、増感剤、光開始剤、共重合モノマ
ー、基板との接着を良好にする接着助剤などの添加剤を
添加して使用される。使用する溶媒としては主成分であ
る芳香族ポリアミド樹脂および増感剤、光開始剤、共重
合モノマーなどの添加剤を共に溶解し得る溶媒が用いら
れるが、一般に使用される極性溶媒を広く用いることが
できる。例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジ
メチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジ
メチルスルホキシド、テトラヒドロフラン、シクロヘキ
サノンなどが有効である。
光開始剤、増感剤は、「材料技術,2（10），（198
4）,P553〜570」、「“増感剤",講談社,1987,P64〜84,P
247〜260」に詳細に記載されており、これらの内から適
宜選択でき、具体的には、例えば、ベンゾフェノン、ミ
ヒラズケトン、4,4′−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾ
フェノン、アセトフェノン、トリクロロアセトフェノ
ン、2,2−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、
1,1−ジエトキシ−１−アセトフェノン、４′−メチル
チオ−1,1−ジメチル−１−モルホリノアセトフェノ
ン、２−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオフェノン、
メチルベンゾイルホルメイト、ベンゾイルエーテル、２
−ｔ−ブチル−9,10−アントラキノン、1,2−ベンゾ−
9,10−アントラキノン、Ｎ−メチル−1,2−ナフトチア
ゾイル−2,2−ジベンゾイルエチレン、キサントン、チ
オキサントン、２−クロロチオキサントン、ベンジル、
ベンジルジメチルジチオカーバメイト、１−フェニル−
1,2−プロパンジオン−２−（０−ベンゾイル）オキシ
ム、５−ニトロアセナフテン、クロロヒドロキシベンズ
アントロンなどが有効である。
4）,P553〜570」、「“増感剤",講談社,1987,P64〜84,P
247〜260」に詳細に記載されており、これらの内から適
宜選択でき、具体的には、例えば、ベンゾフェノン、ミ
ヒラズケトン、4,4′−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾ
フェノン、アセトフェノン、トリクロロアセトフェノ
ン、2,2−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、
1,1−ジエトキシ−１−アセトフェノン、４′−メチル
チオ−1,1−ジメチル−１−モルホリノアセトフェノ
ン、２−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオフェノン、
メチルベンゾイルホルメイト、ベンゾイルエーテル、２
−ｔ−ブチル−9,10−アントラキノン、1,2−ベンゾ−
9,10−アントラキノン、Ｎ−メチル−1,2−ナフトチア
ゾイル−2,2−ジベンゾイルエチレン、キサントン、チ
オキサントン、２−クロロチオキサントン、ベンジル、
ベンジルジメチルジチオカーバメイト、１−フェニル−
1,2−プロパンジオン−２−（０−ベンゾイル）オキシ
ム、５−ニトロアセナフテン、クロロヒドロキシベンズ
アントロンなどが有効である。
共重合モノマーとしては、モノマレイド、ポリマレイ
ド、アクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらの誘導
体が有効であるが、これらに限定されるものではない。
ド、アクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらの誘導
体が有効であるが、これらに限定されるものではない。
本発明の感光材料の種々の基板への接着性を向上させ
るために接着助剤を用いることも可能である。接着助剤
としては、例えばビニルトリエトキシシラン、ビニルト
リメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピルトリ
メトキシシランなどの有機ケイ素化合物が有効である。
るために接着助剤を用いることも可能である。接着助剤
としては、例えばビニルトリエトキシシラン、ビニルト
リメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピルトリ
メトキシシランなどの有機ケイ素化合物が有効である。
本発明の新規な耐熱性感光材料は通常のフォトレジス
ト技術でパターン加工することができる。基板への塗布
は例えば高速回転塗布機（スピンナー）で行うことがで
きる。この塗布膜にメガマスクを置き活性エネルギー線
を照射する。活性エネルギー線としてはＸ線、電子線、
紫外線、可視光線などが例として挙げられる。
ト技術でパターン加工することができる。基板への塗布
は例えば高速回転塗布機（スピンナー）で行うことがで
きる。この塗布膜にメガマスクを置き活性エネルギー線
を照射する。活性エネルギー線としてはＸ線、電子線、
紫外線、可視光線などが例として挙げられる。
次いで未露光部を現像液で溶解除去することにより、
レリーフパターンを得る。現像液としては、感光材料の
溶剤であるジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリド
ン、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、シク
ロヘキサノンなどと、感光材料の貧溶剤であるメタノー
ル、エタノール、酢酸エチル、メチルセルソルブ、酢酸
イソアミルなどを単独もしくは適当に混合して使用す
る。
レリーフパターンを得る。現像液としては、感光材料の
溶剤であるジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリド
ン、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、シク
ロヘキサノンなどと、感光材料の貧溶剤であるメタノー
ル、エタノール、酢酸エチル、メチルセルソルブ、酢酸
イソアミルなどを単独もしくは適当に混合して使用す
る。
本発明の新規な化合物のうち一般式（Ｉ）で表わされ
る化合物はポリベンズオキサゾールの前駆体であり、現
像後得られたパターンを熱処理もしくは化学処理するこ
とにより環化され、ポリベンズオキサゾールとなり、よ
り優れた耐熱性を持つレリーフパターンに変換しうる。
本発明の感光材料により得られたパターンは400℃付近
まで重量減少が見られず、優れた耐熱性を示す。また、
優れた機械的特性、絶縁特性、誘電特性、耐候性、防湿
性を有しており、半導体の保護膜、パッシベーション
膜、集積回路の絶縁膜、あるいはプリント回路の半田付
保護膜などの形成に有用である。さらに高耐熱性のフォ
トレジストとして金属蒸着やドライエッチングプロセス
への応用も可能である。
る化合物はポリベンズオキサゾールの前駆体であり、現
像後得られたパターンを熱処理もしくは化学処理するこ
とにより環化され、ポリベンズオキサゾールとなり、よ
り優れた耐熱性を持つレリーフパターンに変換しうる。
本発明の感光材料により得られたパターンは400℃付近
まで重量減少が見られず、優れた耐熱性を示す。また、
優れた機械的特性、絶縁特性、誘電特性、耐候性、防湿
性を有しており、半導体の保護膜、パッシベーション
膜、集積回路の絶縁膜、あるいはプリント回路の半田付
保護膜などの形成に有用である。さらに高耐熱性のフォ
トレジストとして金属蒸着やドライエッチングプロセス
への応用も可能である。
以下、実施例により本発明をより具体的に説明する
が、これに限定されるものではない。
が、これに限定されるものではない。
実施例１［一般式（II）の化合物］ 3,3′−ジヒドロキシ−4,4′−ジアミノビフェニル4.
32gを100mlのナス型フラスコに採り、ジメチルアセトア
ミド40mlを加えて溶解した。この溶液をドライアイス−
アセトン浴上で完全に凍結し、Ｐ−フェニレンジアクリ
ル酸ジクロリド5.10gを加えた。次に浴を氷冷に替え、
８時間撹拌を続けた。反応終了後溶液を200mlのメタノ
ール中に投入し、ポリマーを析出させた。得られたポリ
マーは、赤外線吸光分析、元素分析、NMR分析により、
式（１）で表わされるポリアミドであることを確認し
た。
32gを100mlのナス型フラスコに採り、ジメチルアセトア
ミド40mlを加えて溶解した。この溶液をドライアイス−
アセトン浴上で完全に凍結し、Ｐ−フェニレンジアクリ
ル酸ジクロリド5.10gを加えた。次に浴を氷冷に替え、
８時間撹拌を続けた。反応終了後溶液を200mlのメタノ
ール中に投入し、ポリマーを析出させた。得られたポリ
マーは、赤外線吸光分析、元素分析、NMR分析により、
式（１）で表わされるポリアミドであることを確認し
た。
固有粘度 ηinh＝1.02dL/g（ジメチルアセトアミド中、30℃） 赤外線吸収スペクトル（フィルム） 3100cm-1（ν OH） 1600cm-1（ν Ｃ＝０） 1620cm-1（ν Ｃ＝Ｃ） 1050cm-1（芳香族Ｃ＝Ｃ） 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ 理論値（％） 72.35 4.55 7.03 分析値（％） 72.11 4.53 7.09 得られたポリマー10部をＮ−メチル−２−ピロリドン
90部に溶解し、ミヒラーズケトン0.5部を加えて溶液と
した。得られた溶液をスピンナーを用いてシリコンウェ
ハー上に塗布し、100℃でで３分間乾燥して厚さ１μｍ
の塗膜を得た。塗膜の上にフォトマスクを密着させ、30
cmの距離から450Wの高圧水銀ランプで10分間露光した。
露光後シクロヘキサノン（80部）／メチルセルソルブ
（20部）の混合液で現像し、レリーフパターンを得た。
このパターンを300℃で５分間熱処理し耐熱性のパター
ンを得た。
90部に溶解し、ミヒラーズケトン0.5部を加えて溶液と
した。得られた溶液をスピンナーを用いてシリコンウェ
ハー上に塗布し、100℃でで３分間乾燥して厚さ１μｍ
の塗膜を得た。塗膜の上にフォトマスクを密着させ、30
cmの距離から450Wの高圧水銀ランプで10分間露光した。
露光後シクロヘキサノン（80部）／メチルセルソルブ
（20部）の混合液で現像し、レリーフパターンを得た。
このパターンを300℃で５分間熱処理し耐熱性のパター
ンを得た。
このパターンは400℃付近まで加熱しても、パターン
のぼやけや熱減量はなかった。
のぼやけや熱減量はなかった。
実施例２［一般式（Ｉ）の化合物］ 実施例１と同じ方法で、2,2−ビス（３−アミノ−４
−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン7.32g
とＰ−フェニレンジアクリル酸ジクロリド5.10gを反応
させ、式（２）で表わされるポリマーを得た。
−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン7.32g
とＰ−フェニレンジアクリル酸ジクロリド5.10gを反応
させ、式（２）で表わされるポリマーを得た。
固有粘度 ηinh＝1.02dL/g（ジメチルアセトアミド中、30℃） 赤外線吸収スペクトル（フィルム） 3100cm-1（ν OH） 1660cm-1（ν Ｃ＝０） 1620cm-1（ν Ｃ＝Ｃ） 1180cm-1（ν Ｃ−Ｆ） 1050cm-1（芳香族Ｃ＝Ｃ） 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ 理論値（％） 59.13 3.31 5.11 分析値（％） 59.05 3.33 5.19 得られたポリマー10部をメチルセロソルブ90部に溶解
し、ミヒラーズケトン0.5部を加えて溶液とした。実施
例１と同じ方法で塗膜、露光し、シクロヘキサン（80
部）／メチルセロソルブ（20部）の混合液で現像するこ
とによりレリーフパターンを得た。このパターンを実施
例１と同じ条件で熱処理して耐熱性のレリーフパターン
を得た。
し、ミヒラーズケトン0.5部を加えて溶液とした。実施
例１と同じ方法で塗膜、露光し、シクロヘキサン（80
部）／メチルセロソルブ（20部）の混合液で現像するこ
とによりレリーフパターンを得た。このパターンを実施
例１と同じ条件で熱処理して耐熱性のレリーフパターン
を得た。
実施例３ 実施例２で得たポリマー10部をメチルセロソルブ90部
に溶解し、５−ニトロアセナフテン0.5部を加えて溶液
とした。実施例１と同様にして塗膜、露光し、シクロヘ
キサノン（80部）／メチルセロソルブ（20部）の混合液
で現像することによりレリーフパターンを得た。このパ
ターンを実施例１と同じ条件で熱処理して耐熱性のレリ
ーフパターンを得た。
に溶解し、５−ニトロアセナフテン0.5部を加えて溶液
とした。実施例１と同様にして塗膜、露光し、シクロヘ
キサノン（80部）／メチルセロソルブ（20部）の混合液
で現像することによりレリーフパターンを得た。このパ
ターンを実施例１と同じ条件で熱処理して耐熱性のレリ
ーフパターンを得た。
実施例４ 実施例２で得たポリマー10部をメチルセロソルブ90部
に溶解し、Ｎ−メチル−1,2−ナフトチアゾール−2,2−
ジベンゾイルエチレン0.5部を加えて溶液とした。実施
例１と同様にして塗膜、露光し、メチルセロソルブ（30
部）／酢酸イソアミル（90部）の混合液で現像すること
によりレリーフパターンを得た。このパターンを実施例
１と同じ条件で熱処理して耐熱性のレリーフパターンを
得た。
に溶解し、Ｎ−メチル−1,2−ナフトチアゾール−2,2−
ジベンゾイルエチレン0.5部を加えて溶液とした。実施
例１と同様にして塗膜、露光し、メチルセロソルブ（30
部）／酢酸イソアミル（90部）の混合液で現像すること
によりレリーフパターンを得た。このパターンを実施例
１と同じ条件で熱処理して耐熱性のレリーフパターンを
得た。
実施例５ 実施例２で得たポリマー10部をＮ−メチル−２−ピロ
リドン90部に溶解し、ミヒラーズケトン0.5部、ビスマ
レイド１部を加えて溶液とした。実施例１と同様にして
塗膜、露光し、シクロヘキサノン（80部）／メチルセロ
ソルブ（20部）の混合液で現像することによりレリーフ
パターンを得た。このパターンを実施例１と同じ条件で
熱処理して耐熱性のレリーフパターンを得た。
リドン90部に溶解し、ミヒラーズケトン0.5部、ビスマ
レイド１部を加えて溶液とした。実施例１と同様にして
塗膜、露光し、シクロヘキサノン（80部）／メチルセロ
ソルブ（20部）の混合液で現像することによりレリーフ
パターンを得た。このパターンを実施例１と同じ条件で
熱処理して耐熱性のレリーフパターンを得た。
実施例６ 実施例２で得たポリマー10部をＮ−メチル−２−ピロ
リドン90部に溶解し、2,2−ビス［４−（２−エトキシ
エトキシ）フェニル］プロパンジアクリレートを３部加
えて溶液とした。実施例１と同様にして塗膜、露光し、
シクロヘキサノン（40部）／酢酸イソアミル（60部）の
混合液で現像することによりレリーフパターンを得た。
このパターンを実施例１と同じ条件で熱処理して耐熱性
のレリーフパターンを得た。
リドン90部に溶解し、2,2−ビス［４−（２−エトキシ
エトキシ）フェニル］プロパンジアクリレートを３部加
えて溶液とした。実施例１と同様にして塗膜、露光し、
シクロヘキサノン（40部）／酢酸イソアミル（60部）の
混合液で現像することによりレリーフパターンを得た。
このパターンを実施例１と同じ条件で熱処理して耐熱性
のレリーフパターンを得た。
［発明の効果］ 本発明の新規な樹脂は感光性に優れ、かつ得られたパ
ターンは400℃付近まで重量減少が見られず、優れた耐
熱性を示す。また、優れた機械的特性、絶縁特性、誘電
特性、耐候性、防湿性を有しており、半導体の保護膜、
パッシベーション膜、集積回路の絶縁膜、あるいはプリ
ント回路の半田付保護膜などの形成に有用である。さら
に高耐熱性のフォトレジストとして金属蒸着やドライエ
ッチングプロセスへの応用も可能である。
ターンは400℃付近まで重量減少が見られず、優れた耐
熱性を示す。また、優れた機械的特性、絶縁特性、誘電
特性、耐候性、防湿性を有しており、半導体の保護膜、
パッシベーション膜、集積回路の絶縁膜、あるいはプリ
ント回路の半田付保護膜などの形成に有用である。さら
に高耐熱性のフォトレジストとして金属蒸着やドライエ
ッチングプロセスへの応用も可能である。
Claims (3)
- 【請求項１】一般式 （式中R1は２価の芳香族炭化水素基で、−OH基はアミド
基に対して、オルトまたはペリの位置にある。R2は２価
の炭化水素基で、活性エネルギー線により、２量化また
は重合可能な炭素−炭素二重結合を含む。ｎは重合度を
示す。）で表される芳香族ポリアミド樹脂。 - 【請求項２】R2が で表される２価の炭化水素基であることを特徴とする請
求項１記載の芳香族ポリアミド樹脂。 - 【請求項３】請求項１または２記載の芳香族ポリアミド
樹脂を主成分として含む耐熱性感光材料。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63048726A JP2542033B2 (ja) | 1988-03-03 | 1988-03-03 | 芳香族ポリアミド樹脂およびこれを用いた耐熱性感光材料 |
| IT8919593A IT1228515B (it) | 1988-03-03 | 1989-02-28 | Resine poliammidi aromatiche resistenti al calore e fotosensibili e metodo per la loro preparazione |
| DE3906684A DE3906684A1 (de) | 1988-03-03 | 1989-03-02 | Hitzebestaendige und photoempfindliche, aromatische polyamidharze und verfahren zu ihrer herstellung |
| FR8902716A FR2628112B1 (fr) | 1988-03-03 | 1989-03-02 | Resines thermoresistantes et photosensibles de polyamide aromatique et procede pour leur preparation |
| GB8904786A GB2216532B (en) | 1988-03-03 | 1989-03-02 | Heat resistant and photosensitive aromatic polyamide resins and method of preparing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63048726A JP2542033B2 (ja) | 1988-03-03 | 1988-03-03 | 芳香族ポリアミド樹脂およびこれを用いた耐熱性感光材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01223126A JPH01223126A (ja) | 1989-09-06 |
| JP2542033B2 true JP2542033B2 (ja) | 1996-10-09 |
Family
ID=12811299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63048726A Expired - Fee Related JP2542033B2 (ja) | 1988-03-03 | 1988-03-03 | 芳香族ポリアミド樹脂およびこれを用いた耐熱性感光材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2542033B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111138657B (zh) * | 2019-12-30 | 2022-09-09 | 温州大学 | 一种三元共聚树脂 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5855926A (ja) * | 1981-09-29 | 1983-04-02 | Masaki Hasegawa | ポリアミド系線状高分子を用いる画像形成方法 |
| JPS60178446A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-09-12 | Ube Ind Ltd | 有機溶媒可溶性の感光材料 |
| JPS61254605A (ja) * | 1985-05-07 | 1986-11-12 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 感光性組成物 |
-
1988
- 1988-03-03 JP JP63048726A patent/JP2542033B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01223126A (ja) | 1989-09-06 |
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|---|---|---|---|
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