JP2826940B2 - i線露光用感光性組成物 - Google Patents
i線露光用感光性組成物Info
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Description
配線基板などの電気・電子材料の製造用として有用な新
規感光性組成物に関するものである。さらに詳しくいえ
ば、本発明は、今後半導体製造プロセスにおいて主流に
なる短波長の光源を用いて画像形成し、ポリイミドのパ
ターンを得るのに適した感光性組成物に関するものであ
る。
学的安定性、低い誘電定数及び優れた平坦化能のため
に、マイクロエレクトロニクス関係の材料として注目さ
れるようになってきた。これらは、半導体の表面保護
膜、層間絶縁膜、あるいはマルチチップモジュールなど
の材料として広く使われている。
ソグラフィー技術を利用して所望のパターンを形成する
には、一担形成したポリイミド膜の上にフォトレジスト
とフォトマスクを用いて、フォトレジストのパターンを
形成したのち、エッチング法によりポリイミド樹脂のパ
ターン化を行うという間接的な方法がとられている。
ストのパターンを形成させ、これをマスクとしてポリイ
ミド樹脂をエッチングし、その後で不要になったフォト
レジストパターンの剥離を行わなければならないため工
程が複雑になり、その上にヒドラジンのような有毒物質
を使用する必要があり、また間接的なパターン形成によ
り解像度の低いパターンしか得られないなどの好ましく
ない点がある。
合性の感応基を導入し、直接パターンを形成させる方法
などが研究され、エステル結合、アミド結合、イオン結
合などを介して二重結合を有する化合物を結合したポリ
アミド酸誘導体を、光開始剤等によって不溶化させ、現
像処理したのち、加熱して感光基成分を除去して、熱安
定性を有するポリイミドに変換する方法などが提案され
ている〔山岡,表、「ポリファイル」、第27巻、第2
号、第14〜18頁(1990年)〕。この技術は、一
般に感光性ポリイミドと呼ばれている。
半導体素子の集積度に対する要求は年々高まっており、
それとともに、微細加工可能な技術の開発が必要になっ
てきている。そして、その技術の1つとして、フォトレ
ジストのパターン形成時の露光の光線として、通常のG
線(波長436nm)の代りに、高解像度を望みうる短
波長の光線、例えば波長365nmのi線を用いること
が試みられ、通常のフォトレジストに対してはかなりの
成果をあげている。このため、今後半導体製造工場の露
光装置はすべてi線を光源として用いるものになること
が予想されている。
成物の場合は、通常のフォトレジストとは異なり、主成
分であるポリイミド前駆体のi線に対する吸光度が比較
的大きく、また、熱処理後のポリイミド塗膜は、物性上
6μm以上の膜厚が求められるような用途に用いられる
ことが多く、熱処理時の感光基の揮発分による収縮を考
慮して露光時には12μm程度又はそれ以上の比較的厚
い塗布膜厚さをとっているため、現在用いられているも
のを用いた場合には、i線が十分に塗膜底部まで到達せ
ず、塗膜下面の硬化が不十分になり、パターンが底部か
らすくわれて流れるという理由により一定以上の厚さの
ポリイミドを得るためにはi線を光源として用いること
が困難なことが知られている〔「IEEE/SEMIア
ドバンスド・セミコンダクター・マニュファクチャーリ
ング・コンフェランス(C.Schcket,et a
l.,Advanced Semiconductor
Manufacturing Conferenc
e)」、論文集、第72〜74頁(1990年)〕。こ
のためi線を用いる場合には、十分な膜厚を得るため何
度かに分けて薄膜のパターンを積み重ねていくことにな
り、精度が上がらずかつ工程が複雑になり実用的でな
い。また、塗膜のi線透過率が高いポリイミド前駆体と
しては、フッ素を有するものがこれまで知られていた
〔「ジャーナル・オブ・アプライド・ポリマー・サイエ
ンス(T.Omote,T.Yamaoka.and
K.kosei,J.Appld.Polymer S
ci.)、第38巻、第389〜402頁(1989
年)〕。しかしながら、この前駆体を加熱硬化後に得ら
れる主骨格にフッ素を含むポリイミドは、半導体デバイ
スや多層配線基板を構成する際、他の併用する材料例え
ばベースの無機材料やコーティング層のエポキシ樹脂、
配線用の金属などとの接着力が低く実用性を欠くという
欠点がある。このため、これまでi線を用いてパターン
形成を行いうる感光性ポリイミド前駆体組成物で実用に
供しうるものは、まだ得られていないというのが実情で
あった。
事情に鑑み一定以上の膜厚でi線によるパターン形成が
可能で、実用に供しうる感光性ポリイミド前駆体組成物
を提供することを目的としてなされたものである。
るパターン形成が可能な感光性ポリイミド前駆体組成物
について、種々研究を重ねた結果、数種類の特定の化学
構造を有するか及びまたは特定のアミド結合濃度のポリ
イミド前駆体を含み、かつ塗布乾燥後に得られるフィル
ムが特定の吸光度を示すように調製した感光性ポリイミ
ド前駆体組成物を用いると、i線により、良好なパター
ンが形成され、しかもそのパターンを熱硬化後に得られ
るポリイミドが優れた塗膜物性を示すとともにエポキシ
樹脂、無機材料及び金属との接着力も良好であり、かつ
優れた耐水性を示すことを見出し、この知見に基づいて
本発明をなすに至った。
アミド結合濃度1.5mol/kg以上である芳香族ポ
リイミド前駆体(以下、ポリイミド前駆体という)、
香族基又は2〜4個のフッ素原子を含まない芳香族基が
単結合、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル
結合、メチレン結合、スルホキシド結合及びスルホン結
合の中から選ばれた少なくとも1種の結合を介して結合
した化学構造をもつ四価の有機基であって、−COR基
及び−COR′基と−CONH−基とは互にオルト位置
にあり、RとR′は各々独立に−OR1 (ただしR1
はエチレン性不飽和結合を少なくとも一部に有する有
機基)であり、Yは二価のフッ素原子を含まない芳香族
基又は2〜6個の芳香族基が単結合、エーテル結合、チ
オエーテル結合、カルボニル結合、メチレン結合、2,
2−プロピレン結合、スルホキシド結合及びスルホン結
合の中から選ばれた少なくとも1種の結合を介して相互
に連結した化学構造をもつ、フッ素原子を含まない二価
の有機基である〕 (B)光重合開始剤、及び (C)溶剤 を含むi線露光用感光性組成物において、上記のポリイ
ミド前駆体における (i)アミド結合濃度が2.42mol/kg以下であ
ること、及び/又は (ii)Xが結合基の存在する芳香族基において非プロ
トン性の電子供与基によって置換された芳香族基の化学
構造を有する四価の基であること、及び/又は、Yが
(iii−2)一般式(II)
2 −、−O−、−S−、m−ジオキシフェニレン基、p
−ジオキシフェニレン基または一般式(II−1)
2 −、−O−、−S−、m−ジオキシフェニレン基、p
−ジオキシフェニレン基、kは0または1)で示される
基、mは0または1〕で示される二価の基であること、
又は、 (iii−3)一般式(III)
(iii−3)結合基の存在する芳香族基またはこれと
エーテル結合を介して隣接する芳香族基において非プロ
トン性の電子吸引基によって置換された芳香族基の化学
構造を有する二価の基であること、を特徴とし、かつ上
記の感光性組成物を塗布乾燥後に形成されるi線露光用
感光性組成物のフィルムの波長365nmにおける吸光
度が、膜厚10μm当り1.5以下であることを特徴と
するi線露光用感光性組成物、を提供するものである。
て用いるポリイミド前駆体は、上記一般式(I)で表さ
れる。一般式(I)のX、Yの芳香族基としては、ベン
ゼン環、ナフタレン環、アントラセン環を有する基が、
本発明の感光性組成物を加熱硬化して得られるポリイミ
ド塗膜の耐熱性が高くなるので好ましい。同様の理由に
より芳香族の結合基としては、単結合、エーテル結合、
カルボニル結合及びスルホン結合の中から選ばれた一種
または二種以上が好ましい。
基が一般式(V−1) −CO−OR1 ・・・(V−1) (式中のR1 は前記と同じ意味をもつ)で表わされるエ
ステル基である。エステル基としては、2−アクリロイ
ルオキシエチルオキシカルボニル基、2−メタクロイル
オキシエチルオキシカルボニル基、2−(1−アクリロ
イルオキシ)プロピルオキシカルボニル基、2−(1−
メタクロイルオキシ)プロピルオキシカルボニル基、2
−メタクリルアミノエチルオキシカルボニル基、3−メ
タクロイルオキシ−2−ヒドロキシプロピルオキシカル
ボニル基、アクリルアミノメチルオキシカルボニル基な
どのエチレン性不飽和結合をもつ基を含むことが必要で
あり、これ以外にエトキシカルボニル基、メトキシカル
ボニル基、2−メトキシエトキシカルボニル基、2−エ
トキシエトキシカルボニル基などのエチレン性不飽和結
合をもたない基を含んでもかまわない。
1)で表わされるエステル基のみを有するものを用いる
と、得られた感光性組成物は保存安定性が良好で、かつ
パターニングのプロセス時間の変動などのプロセス条件
の変動に対して得られるポリイミド膜パターンが変化し
ないなどの広いプロセスラチチュードを有するので好ま
しい。
て用いるポリイミド前駆体は、アミド結合濃度が1.5
mol/kg以上であることが必要である。ここでいう
アミド結合濃度とは、ポリイミド前駆体中の繰り返し単
位の分子量あるいはポリイミド前駆体が数種類の繰り返
し単位を有する場合にはそれぞれの分子量とモル分率か
ら計算される平均分子量で2000を除した値であり、
これは1kgのポリイミド前駆体中に存在するアミド基
のモル数を表わすパラメータである。アミド結合濃度が
1.5mol/kg未満の場合、耐熱性が著しく低下す
る。
て用いる芳香族ポリイミド前駆体ポリマーは、耐熱性高
分子化合物の前駆体として既に知られているものであ
り、公知の方法例えばルブナー(R.Rubner)ら
の方法[「フォトグラフィック・サイエンス・アンド・
エンジニアーリング(Photograph.Sci.
Eng.)」、第23号、第303頁(1979)]、
ポッティガー(M.T.Pottiger)らの方法
[「第38回エレクトロニック・コンポーネンツ・カン
フェランス(38th.Electronic Com
ponents Conf.)」、第315頁(198
8)]、ミネマ(L.Minnema)らの方法[「ポ
リマー・エンジニアリング・アンド・サイエンス(Po
lym.Eng.Sci)」、第28巻、第12号、第
815頁(1988)」]などによって製造することが
できる。その他、特開昭61−72022号公報に記載
されている方法などによって製造することもできる。
は、一般式(IV)で表される芳香族テトラカルボン酸
二無水物(以下「ATC二無水物」と称する)、一般式
(V)で表される芳香族ジアミノ化合物を原料の一部と
して用いることにより製造される。
ル基のようなフッ素原子を含む基を有する化合物を本発
明のポリイミド前駆体の原料として用いた場合には、感
光性組成物を加熱硬化した後に得られるフッ素原子を含
むポリイミドが他の併用する材料との接着性が低く実用
性を欠くため好ましくない。
定の条件のポリイミド前駆体を用いる必要があるが、こ
の条件は単一のものではなく、複数のものから選ばれた
条件を1種あるいは2種以上組み合わせて用いてもいず
れも、組成物の他の条件を満足する限りにおいて本発明
に用いることができる。具体的にはポリイミド前駆体は
(i)〜(iii−4)の少なくとも一つを満足するこ
とが必要である。
必要であり、かつアミド濃度が2.42mol/kg以
下であれば構造には無関係に本発明の組成物を得ること
ができる。また、ポリイミド前駆体中のアミド結合の濃
度が低いほど、生成したポリマー塗膜のi線吸収値が低
くかつ熱処理後のポリイミドフィルムの耐水性が高くな
る。また、ポリイミド前駆体中のアミド結合濃度が2.
0〜2.45mol/kgのポリイミド前駆体を用いる
と、得られるポリイミド膜の機械強度及び耐熱性がさら
に高いものを得ることができるのでさらに好ましい。
(ii)の条件のポリイミド前駆体を製造する場合は、
ATC二無水物のうちで、カルボン酸無水物基が存在す
る芳香族基が、非プロトン性の電子供与基によって置換
された芳香族基の化学構造を有するATC二無水物を用
いる。ここで非プロトン性の基とはアルコール、アミ
ン、カルボン酸などの活性水素を有する基以外の基を表
わす。また電子供与基とは、ここではHammett関
係則におけるσpまたはσmの値が負の値をとる置換基
を言い、このような関係則及び数値については例えば化
学便覧、基礎編II、第365項(日本化学会編、丸善
1984年)等によって広く知られている。
好ましい例としては、ジアルキルアミノ基、アルコキシ
基、アリールオキシ基、トリアルキルシリル基、ベンジ
ル基、アルキル基などを挙げることができ、カルボン酸
無水物基が存在する芳香族基が非プロトン性の電子供与
基によって置換された芳香族基の化学構造を有する芳香
族ATC二無水物の具体的な好ましい例としては、3,
3′,4,4′−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸
二無水物、1,4−ジメトキシ−2,3,5,6−ベン
ゼンテトラカルボン酸二無水物、1,4−ジトリメチル
シリル−2,3,5,6−ベンゼンテトラカルボン酸二
無水物、1,4−ビス(3,4−ジカルボキシルフェノ
キシ)ベンゼン二無水物、1,3−ビス(3,4−ジカ
ルボキシルフェノキシ)ベンゼン二無水物、3,3′,
4,4′−ジフェニルメタンテトラカルボン酸二無水
物、ビス(3,4−ジカルボキシルフェノキシ)ジメチ
ルシラン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシルフェ
ノキシ)メチルアミン二無水物、4,4′−ビス(3,
4−ジカルボキシルフェノキシ)ビフェニル二無水物、
4,4′−ビス(3,4−ジカルボキシルフェノキシ)
ジフェニルスルフォン二無水物、などを挙げることがで
きる。
組成物のフィルムの365nmの波長における吸光度が
膜厚10μ当り1.5以下である限り、上記以外の一般
式(IV)で示されたATC二無水物を必要に応じて上
記のATC二無水物に混合して、あるいは以下に述べる
特定の芳香族ジアミノ化合物と組み合わせるか、および
または特定のアミド結合濃度の芳香族ポリイミド前駆体
に用いる場合には単独で用いることができる。
メリット酸二無水物、2,3,5,6−ナフタレンテト
ラカルボン酸二無水物、3,3′,4,4′−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3′,4,4′
−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,5,
6−ピリジンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,
7−キノリンテトラカルボン酸二無水物、3,3′,
4,4′−ジフェニルスルフォンテトラカルボン酸二無
水物、3,3′,4,4′−ジフェニルスルフィドテト
ラカルボン酸二無水物、3,3′,4,4′−ジフェニ
ルスルホキシドテトラカルボン酸二無水物などを用いる
ことができ、その他1,2,8,9−アントラセンテト
ラカルボン酸二無水物、1,4−ビス(3,4−ジカル
ボキシルフェニルスルフォニル)ベンゼン二無水物、
1,4−ビス(3,4−ジカルボキシルフェニルチオ)
ベンゼン二無水物、3,3″,4,4″−タ−フェニル
テトラカルボン酸二無水物、4−フェニルベンゾフェノ
ン−3,3″,4,4″−テトラカルボン酸二無水物、
1,4−ビス(3,4−ジカルボキシルベンゾイル)−
ベンゼン二無水物、3,3''',4, 4''' −クアチルフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物、4,4′−ビス
(3,4−ジカルボキシルフェノキシ)ベンゾフェノン
二無水物、4,4′ビス(3,4−ジカルボキシルフェ
ノキシ)ジフェニルスルホキシド二無水物なども用いる
ことができる。
ド前駆体を製造する場合は、Yが前述の一般式(II)
で示される二価の基であるような芳香族ジアミノ化合物
を用いる。これらの芳香族ジアミノ化合物の具体的な好
ましい例としては、例えば4,4′−ビス(3−アミノ
フェノキシ)ビフェニル、1,3−ビス(3−アミノフ
ェノキシ)ベンゼン、3,3′−ジアミノジフェニル、
3,3′−ジアミノジフェニルエーテル、3,3′−ジ
アミノジフェニルスルホン、3,3′−ジアミノベンゾ
フェノン、3,3′−ジアミノジフェニルメタン、3,
3′−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4′−ビス
(3−アミノフェノキシ)ジフェニルスルホン、4,
4′−ビス(3−アミノフェノキシ)ジフェニルメタ
ン、4,4′−ビス(3−アミノフェノキシ)ジフェニ
ルエーテル、4,4′−ビス(3−アミノフェノキシ)
ジフェニルスルフィドなどが挙げられる。
ド前駆体を製造する場合は、Yが前述の一般式(II
I)で示される二価の基であるような芳香族ジアミノ化
合物を用いる。これらの芳香族ジアミノ化合物の具体的
な好ましい例としては、例えば4,4′−ジアミノジフ
ェニルスルホン、4,4′−ジアミノベンゾフェノン、
4,4′−ジアミノジフェニルスルフォキシド、4,
4′−ビス(4−アミノフェノキシ)ジフェニルスルホ
ン、4,4′−ビス(4−アミノフェノキシ)ジフェニ
ルスルフォキシド、4,4′−ビス(4−アミノフェノ
キシ)ベンゾフェノンなどが挙げられる。
ド前駆体を製造する場合は、芳香族ジアミノ化合物のう
ちで、アミノ基が存在する芳香族基またはこれとエーテ
ル結合を介して隣接する芳香族基において非プロトン性
の電子吸引基によって置換された芳香族基の化学構造を
有する芳香族ジアミノ化合物を用いる。ここでは電子吸
引基とは、前出のδpまたはδmの値が0.2以上の値
をとるような置換基を言う。非プロトン性の電子吸引基
としては、アシルオキシ基、アシルアミノ基、ハロゲン
基、アミド基、アルコキシカルボニル基、アルキルカル
ボニル基、ニトリル基、アルキルスルフォン基、ニトロ
基、アルコキシスルフォン基などを挙げることができ
る。
エーテル結合を介して隣接する芳香族基においてフッ素
原子を含まない非プロトン性の電子吸引基によって置換
された芳香族基の化学構造を有する芳香族ジアミノ化合
物の具体的な好ましい例としては、4,4′−ジアミノ
ベンゾフェノン、4,4′−ジアミノジフェニルスルフ
ォン、3,3′−ジアミノジフェニルスルフォン、4,
4′−ジアミノジフェニルスルフォキシド、ビス〔4−
(4−アミノフェノキシ)フェニル〕スルフォン、4,
4′−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニルス
ルフォニル〕ジフェニルエーテル、ビス〔4−(3−ア
ミノフェノキシ)フェニル〕スルフォン、4,4′−ビ
ス(4−アミノフェノキシ)ベンゾフェノン、1,4−
ビス(4−アミノフェニルスルフォニル)ベンゼン、
1,4−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル
スルフォニル〕ベンゼン、4,4′−ビス(4−アミノ
フェニルスルフォニル)ジフェニルエーテル、3,5−
ジアミノ安息香酸エチルエステル、2,4−ジアミノベ
ンズアミド、3,5−ジアミノベンゾフェノン、4−ジ
メチルアミノ−3′,5′−ジアミノベンゾフェノン、
3,5−ジアミノ安息香酸(メタクリル酸−2−ヒドロ
キシエチル)エステル、3,5−ジアミノアセトアニリ
ド、4−クロロ−m−フェニレンジアミン、3,5−ジ
アミノベンゾニトリル、5−ニトロ−m−フェニレンジ
アミンなどを挙げることができる。
365nmにおける吸光度が10μmあたり1.5以下
である限りにおいて、上記の特定の化学構造を有する芳
香族ジアミノ化合物以外の一般式(V)で表わされる芳
香族ジアミノ化合物を必要に応じて上記の特定の化学構
造を有する芳香族ジアミノ化合物に混合して、あるいは
前記の特定の化学構造を有するATC無水物と組み合わ
せるか、およびまたは特定のアミド結合濃度のポリイミ
ド前駆体に用いる場合には単独で用いることもできる。
な好ましい例としては、4,4′−ジアミノジフェニル
エーテル、4,4′−ジアミノジフェニルスルフィド、
3,4′−ジアミノジフェニルエーテル、1,4−フェ
ニレンジアミン、2,7−ナフタレンジアミン、3,
3′−ジメチル−4,4′−ジアミノビフェニル、3,
3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミノビフェニル、
3,3′−ジクロロ−4,4′−ジアミノビフェニル、
1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,
3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、5,8−
ジアミノキノリン、4,4′−ビス(4−アミノフェノ
キシ)ビフェニル、4,4′−ジアミノジフェニルメタ
ン、ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕エ
ーテル、1,4−ビス(4−アミノフェニル)ベンゼ
ン、9,10−ビス(4−アミノフェニル)アントラセ
ン、4,4′−ビス(4−アミノフェノキシ)ジフェニ
ルメタン、4,4′−ビス(4−アミノフェノキシ)ジ
フェニルスルフィド、ビス〔2−(4−アミノフェニ
ル)−ベンゾチアゾリル〕オキシド、ビス〔2−(4−
アミノフェニル)−ベンズイミダゾリル〕スルホキシ
ド、ビス〔2−(4−アミノフェニル)−ベンズオキサ
ゾリル〕、4−(4−アミノフェニルスルホニル)−
4′−アミノビフェニル、4,4′−ビス(4−アミノ
フェニル)ジフェニルエーテル、1,4−ジ−(4−ア
ミノベンゾイルオキシ)ブタンなどを挙げることができ
る。
ち、Yが前述の一般式(II)または(III)で示さ
れる二価の基である芳香族ジアミノ化合物を用いてポリ
イミド前駆体を製造すると、得られた感光性組成物から
加熱硬化後に得られるポリイミド塗膜の耐熱性、強度、
耐水性が良好であるのでより好ましい。またここに挙げ
た芳香族ジアミノ化合物のうちで、ビス〔4−(3−ア
ミノフェノキシ)フェニル〕スルフォン、3,3′−ジ
アミノジフェニルスルフォン、1,3−ビス(3−アミ
ノフェノキシ)ベンゼン、4,4′−ビス(3−アミノ
フェノキシ)ビフェニルおよびビス〔4−(4−アミノ
フェノキシ)フェニル〕スルフォン、4,4′−ジアミ
ノベンゾフェノン、4,4′−ビス〔4−(4−アミノ
フェノキシ)フェノキシ)ジフェニルスルフォン、4,
4′−ジアミノジフェニルスルフォキシド、4、4′−
ジアミノジフェニルスルフォンを用いると、前述と同様
のポリイミド塗膜の物性の点からさらに好ましい。
用いる光重合開始剤としては、例えばベンゾフェノン、
o−ベンゾイル安息香酸メチル、4−ベンゾイル−4′
−メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオ
レノンなどのベンゾフェノン誘導体、2,2′−ジエト
キシアセトフェノン、2−ヒドロキシ−2−メチルプロ
ピオフェノン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニル
ケトンなどのアセトフェノン誘導体、チオキサントン、
2−メチルチオキサントン、2−イソプロピルチオキサ
ントン、ジエチルチオキサントンなどのチオキサントン
誘導体、ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジ
ル−β−メトキシエチルアセタールなどのベンジル誘導
体、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテルなどのベン
ゾイン誘導体、2,6−ジ(4−アジドベンジリデン)
−4−メチルシクロヘキサノン、2,6′−ジ(4−ア
ジドベンジリデン)シクロヘキサノンなどのアジド類、
1−フェニル−1,2−ブタンジオン−2−(O−メト
キシカルボニル)オキシム、1−フェニル−1,2−プ
ロパンジオン−2−(O−メトキシカルボニル)オキシ
ム、1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−(O
−エトキシカルボニル)オキシム、1−フェニル−1,
2−プロパンジオン−2−(O−ベンゾイル)オキシ
ム、1,3−ジフェニル−プロパントリオン−2−(O
−エトキシカルボニル)オキシム、1−フェニル−3−
エトキシ−プロパントリオン−2−(O−ベンゾイル)
オキシムなどのオキシム類が用いられるが、光感度の点
でオキシム類が好ましい。これらの光重合開始剤の添加
量は前記のポリイミド前駆体ポリマー100重量部に対
し、1〜15重量部が好ましい。
として用いる溶剤は、溶解性の点で極性溶媒が好まし
く、例えばN,N′−ジメチルホルムアミド、N−メチ
ルピロリドン、N−アセチル−2−ピロリドン、N,
N′−ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコールジ
メチルエーテル、シクロペンタノン、γ−ブチロラクト
ン、α−アセチル−γ−ブチロラクトンなどが用いら
れ、これらは単独又は二種以上の組み合わせで用いるこ
とができる。
芳香族ポリイミド前駆体100重量部に対し、100〜
400重量部の範囲で用いることができる。本発明の感
光性組成物には、前記した(A)〜(C)の必須成分に
加えて所望に応じて光感度向上のために反応性炭素−炭
素二重結合を有する化合物を加えることもできる。この
ような化合物としては例えば、1,6−ヘキサンジオー
ルジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレ
ート、エチレングリコールジアクリレート、付加モル数
2〜20のポリエチレングリコールジアクリレート、ペ
ンタエリスリトールジアクリレート、ジペンタエリスリ
トールヘキサアクリレート、トリメチロールプロパント
リアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリ
レート、メチレンビスアクリルアミド、N−メチロール
アクリルアミド及び上記のアクリレート又は相当するメ
タクリレート、メタクリルアミドなどがある。これらの
化合物は、ポリイミド前駆体100重量部当り、1〜3
0重量部の範囲で添加するのが好ましい。
感度向上のための増感剤を添加することができる。この
ような増感剤としては、例えばミヒラーズケトン、4,
4′−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、2,5
−ビス(4′−ジエチルアミノベンジリデン)シクロペ
ンタノン、2,6−ビス(4′−ジエチルアミノベンジ
リデン)シクロヘキサノン、2,6−ビス(4′−ジメ
チルアミノベンジリデン)−4−メチルシクロヘキサノ
ン、2,6−ビス(4′−ジエチルアミノベンジリデ
ン)−4−メチルシクロヘキサノン、4,4′−ビス
(ジメチルアミノ)カルコン、4,4′−ビス(ジエチ
ルアミノ)カルコン、2−(4′−ジメチルアミノシン
ナミリデンインダノン、2−(4′−ジメチルアミノベ
ンジリデンインダノン、2−(p−4′−ジメチルアミ
ノビフェニル)−ベンゾチアゾール、1,3−ビス(4
−ジメチルアミノベンジリデン)アセトン、1,3−ビ
ス(4−ジエチルアミノベンジリデン)アセトン、3,
3′−カルボニル−ビス(7−ジエチルアミノクマリ
ン)、3−アセチル−7−ジメチルアミノクマリン、3
−エトキシカルボニル−7−ジメチルアミノクマリン、
3−ベンジロキシカルボニル−7−ジメチルアミノクマ
リン、3−メトキシカルボニル−7−ジエチルアミノク
マリン、3−エトキシカルボニル−7−ジエチルアミノ
クマリン、N−フェニル−N−エチルエタノールアミ
ン、N−フェニルジエタノールアミン、N−p−トリル
ジエタノールアミン、N−フェニルエタノールアミン、
4−モルホリノベンゾフェノン、4−ジメチルアミノ安
息香酸イソアミル、4−ジエチルアミノ安息香酸イソア
ミル、2−メルカプトベンズイミダゾール、1−フェニ
ル−5−メルカプト−1,2,3,4−テトラゾール、
2−メルカプトベンゾチアゾール、2−(p−ジメチル
アミノスチリル)ベンズオキサゾール、2−(p−ジメ
チルアミノスチリル)ベンズチアゾール、2−(p−ジ
メチルアミノスチリル)ナフト(1,2−d)チアゾー
ル、2−(p−ジメチルアミノベンゾイル)スチレン等
が挙げられる。感度の点で、メルカプト基を有する化合
物と、ジアルキルアミノフェニル基を有する化合物を組
み合わせて用いることが好ましい。これらは単独で又は
2ないし5種類の組み合わせで用いられ、その添加量は
前記のポリイミド前駆体100重量部に対し、0.1〜
10重量部が好ましい。
材との接着性向上のため接着助剤を添加することもでき
る。この接着助剤としては、例えばγ−アミノプロピル
トリメトキシシラン、N−(β−アミノエチル)−γ−
アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシド
キシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキ
シプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メルカプトプ
ロピルメチルジメトキシシラン、3−メタクリロキシプ
ロピルジメトキシメチルシラン、3−メタクリロキシプ
ロピルトリメトキシシラン、ジメトキシメチル−3−ピ
ペリジノプロピルシラン、ジエトキシ−3−グリシドキ
シプロピルメチルシラン、N−(3−ジエトキシメチル
シリルプロピル)スクシンイミド、N−〔3−(トリエ
トキシシリル)プロピル〕フタルアミド酸、ベンゾフェ
ノン−3,3′−ビス(3−トリエトキシシリル)プロ
ピルアミノカルボニル−4,4′−ジカルボン酸、ベン
ゼン−1,4−ビス(3−トリエトキシシリル)プロピ
ルアミノカルボニル−2,5−ジカルボン酸などが用い
られる。これらの添加量は前記のポリイミド前駆体10
0重量部に対し、0.5〜10重量部の範囲が好まし
い。
存時の組成物溶液の粘度や光感度の安定性を向上させる
ために熱重合禁止剤を添加することができる。この熱重
合禁止剤としては、例えばヒドロキノン、N−ニトロソ
ジフェニルアミン、p−tert−ブチルカテコール、
フェノチアジン、N−フェニルナフチルアミン、エチレ
ンジアミン四酢酸、1,2−シクロヘキサンジアミン四
酢酸、グリコールエーテルジアミン四酢酸、2,6−ジ
−tert−ブチル−p−メチルフェノール、5−ニト
ロソ−8−ヒドロキシキノリン、1−ニトロソ−2−ナ
フトール、2−ニトロソ−1−ナフトール、2−ニトロ
ソ−5−(N−エチル−N−スルフォプロピルアミノ)
フェノール、N−ニトロソ−N−フェニルヒドロキシア
ミンアンモニウム塩、N−ニトロソ−N−フェニルヒド
ロキシルアミンアンモニウム塩、N−ニトロソ−N(1
−ナフチル)ヒドロキシルアミンアンモニウム塩、ビス
(4−ヒドロキシ−3,5−tert−ブチル−フェニ
ルメタンなどが用いられる。その添加量は、前記のポリ
イミド前駆体100重量部に対し、0.005〜5重量
部の範囲が好ましい。
ーン形成を可能にするために、それから形成される塗布
乾燥後のフィルムのi線すなわち波長365nmの光線
における吸光度を膜厚10μm当り1.5以下にするこ
とが必要である。これよりも吸光度が大きいと、必要な
光量がフィルムの底部まで到達することができず、パタ
ーン形成が不完全になる。
須成分及び所望に応じ加えられるその他の成分の添加量
を適宜加減して調製することができる。本発明の感光性
組成物は、上記(A)〜(C)の必須成分およびその他
の成分を混合する事によって得られる。そして、ポリイ
ミド塗膜は以下の方法によりその組成物から得ることが
できる。
ーター、バーコーター、ブレードコーター、カーテンコ
ーター、スクリーン印刷器などで塗布する方法、スプレ
ーコーターで噴霧塗布する方法などにより基板上に塗布
することができる。得られた塗膜は、風乾、オーブン又
はホットプレートによる加熱乾燥、真空乾燥などにより
乾燥する。
イナー、ミラープロジェクション、ステッパー等の露光
装置を用いて、紫外線光源等により露光される。パター
ンの解像度及び取扱い性の点で、その光源波長はi線が
好ましく、装置としてはステッパーが好ましい。現像
は、従来知られているフォトレジストの現像方法、例え
ば回転スプレー法、パドル法、超音波処理を伴う浸漬法
などの中から任意の方法を選んで行うことができる。
ー前駆体に対する良溶媒と貧溶媒の組み合わせが好まし
い。この良溶媒としては、N−メチルピロリドン、N−
アセチル−2−ピロリドン、N,N′−ジメチルアセト
アミド、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、γ−ブ
チロラクトン、α−アセチル−γ−ブチロラクトンなど
が、また、貧溶媒としてはトルエン、キシレン、メタノ
ール、エタノール、イソプロピルアルコール及び水など
が用いられる。良溶媒に対する貧溶媒の割合は使用する
ポリイミド前駆体の溶解性により調整される。各溶媒を
組み合わせて用いることもできる。
組成物に対しては、コリンヒドロキシド、テトラメチル
アンモニウムヒドロキシド等、有機塩基の水溶液に、必
要に応じ、上記の溶媒を加えた現像液が用いられる。こ
のようにして得られたポリイミド前駆体組成物のパター
ンフィルムは加熱して感光性成分を揮散させることによ
り、ポリイミドに変換される。加熱変換は、ホットプレ
ート、オーブン、温度プログラムを設定できる昇温式オ
ーブンにより行うことが出来る。加熱変換させる際の雰
囲気気体としては空気を用いてもよく、窒素、アルゴン
等の不活性ガスを用いることができる。
明するが、本願発明の範囲はこれらによって限定される
ものではない。なお、各例中の特性は以下のようにして
測定した。 (1)アミド結合濃度 アミド結合濃度は、以下の式に従い求める。
量を表わし、これは原料として用いたテトラカルボン酸
二無水物の分子量から2個の酸素の原子量32を減じて
求める。テトラカルボン酸二無水物を2種以上用いた場
合は、各テトラカルボン酸二無水物の分子量と使用モル
比より計算した平均分子量を用いる。〔M〕A は、ジア
ミン単位の分子量を表わし、これは、原料として用いた
芳香族ジアミノ化合物の分子量から2個の水素原子の原
子量2を減じて求める。芳香族ジアミノ化合物を2種以
上用いた場合は、各ジアミノ化合物の分子量と使用モル
数より計算した平均分子量を用いる。
合したカルボニル基部分に存在する側鎖置換基(R)お
よび(R′)の合計分子量を示し、同じ置換基が結合し
ている場合は、置換基の分子量に2を乗じればよいし、
2種類以上の置換基が存在する場合には、各置換基の分
子量と使用モル比より計算した平均値分子量に2を乗ず
る。
窒素の原子量を14、酸素の原子量を16、硫黄の原子
量を32、水素の原子量を1として計算して得た値であ
る。式中、2000はポリイミド前駆体1kg中に存在
するアミド結合のモル数を計算するための係数である。 (2)ポリイミド前駆体塗膜の吸光度 ポリイミド前駆体のN−メチルピロリドン溶液を、約1
mm厚の石英板上にスピン塗布したのち、80℃のオー
ブン中で40分間乾燥して、膜厚10μmの塗膜を形成
させる。次いで、この塗膜の365nmにおける吸光度
をUV分光器(島津製作所、UV−240型)を用いて
測定し、下記式に従い、アブソーバンス値で表わした。
光の強度である。) (3)感光性組成物塗膜の吸光度 上記(2)と同様の方法で測定した。 (4)ポリイミド前駆体の粘度数 N−メチルピロリドン中のポリイミド前駆体(1g/d
l)の粘度数(ηsp/c)をオートビスコメーター
AVL−2C(サン電子製)により30℃において測定
した。 (5)感光性組成物の粘度 組成物試料の溶液をE型粘度計(東京計器製、VISC
ONIC−EMD型)を用い、23℃において測定し
た。 (6)ポリイミド塗膜の引張強度と伸度 各例において、ウエハー上の塗膜をフォトマスクを使用
しないで全面露光して、現像しない他は、同様に処理し
た。得られたポリイミド塗膜をウエハーから剥がして、
その引張強度および伸度をASTM D−882−88
に従って測定した。
にして測定した。熱処理後のシリコンウエハー上のポリ
イミド塗膜にエポキシ樹脂接着剤(昭和高分子社製、ア
ラルダイトスタンダード)を用いて、直径2mmのピン
を接合した。このサンプルを引取試験機(クワッドグル
ープ社製、セバスチャン5型)を用いて引き剥がし試験
を行った。 評価:引き剥がし強度7kg/mm2 以上・・・接着力良好 6〜5kg/mm2 ・・・使用可 5kg/mm2 未満・・・不良
水中に48時間保持したあと、50℃のオーブン中で2
時間乾燥した後、上記と同様の引き剥がし試験を行っ
た。 評価:引き剥がし強度7kg/mm2 以上・・・接着力良好 6−3kg/mm2 ・・・使用可 3kg/mm2 未満・・・不良 (9)原料 製造例に用いたATC二無水物は次の記号で表す。次の
構造式は(VI)のXを表す。
の記号で表す。次の構造式は式(VII)中のYを表
す。
1g、(X−11)10.9g、(E−1)27.0g
を及びγ−ブチロラクトン60mlを装入し、氷冷下、
かきまぜながらピリジン17.0gを加えた。室温で1
6時間かきまぜたのち、ジシクロヘキシルカルボジイミ
ド41.2gを含むγ−ブチロラクトン40mlの溶液
を氷冷下、30分間で加え、続いて(Y−1)35.0
gを70mlのγ−ブチロラクトンに懸濁したものを6
0分間で加えた。氷冷下、3時間かきまぜたのち、エタ
ノール5mlを加えて、さらに1時間かきまぜ、上記の
プロセスで生じた固形物を濾過により除去した。反応溶
液を10lのエタノールに加え、生成した沈澱を濾別し
たのち、真空乾燥した。このようにしてポリイミド前駆
体(A1−1)を製造した。(A1−1)の粘度数、ア
ミド結合濃度、吸光度を表5に示す。
0g及びN,N′−ジメチルアセトアミド(以下DMA
cという)462mlを入れ、かきまぜながら(Y−
2)68.4gを含むDMAc100mlを加え、室温
で16時間かきまぜたのち氷冷下(E−2)43.4g
を加え、3時間かきまぜた。この反応液を10lのエタ
ノールに加え、生成した沈澱を濾過したのち、真空乾燥
した。このようにしてポリイミド前駆体(A2−1)を
製造した。(A2−1)の粘度数、アミド結合濃度、吸
光度を表5に示す。
に溶解し(X−3)71.6gを加えて50℃で6時間
反応させた。これに(E−3)74.0gをN−メチル
ピロリドン110gに溶かした溶液を室温でゆっくりと
加えてポリイミド前駆体(A3−1)の溶液を得た。
(A3−1)のアミド結合濃度、吸光度を表5に示す。
gに溶解し、(X−8)88.2gを加え、室温で12
時間かきまぜた。次に、(E−4)85.3gを加え、
70℃で36時間かきまぜた。このようにしてポリイミ
ド前駆体(A4−1)の溶液を製造した。この(A4−
1)のアミド結合濃度、吸光度を表5に示す。
に溶解し、(E−1)5.2gを加えて100℃で1時
間加熱した。これを50℃まで冷却し、(Y−5)4
4.4gをN−メチルピロリドン110gとともに加え
て、50℃で5時間かきまぜた。次いで、トリフルオロ
酢酸無水物76.0gをテトラヒドロフラン280ml
とともに加えて、50℃で2時間かきまぜた。この際に
不溶固型分が析出した。次いで、(E−1)52.0g
を加えて50℃で5時間かきまぜることにより、固型分
が溶解して均一な溶液が得られた。この溶液を10lの
水中に加え、生成した沈澱を濾過、水洗後真空乾燥し
た。このようにしてポリイミド前駆体(A5−1)を製
造した。この(A5−1)の粘度数、アミド結合濃度、
吸光度を表5に示す。
とR含有化合物をそれぞれ表1に示された量を用いる以
外は製造例1と同様にして、ポリイミド前駆体(A1−
2)〜(A1−17)を製造した。得られたポリイミド
前駆体の粘度数、アミド結合濃度、吸光度を表5に示
す。
物とその他の化合物をそれぞれ表2に示された量を用い
る以外は製造例3と同様にして、ポリイミド前駆体(A
3−2)〜(A3−9)を製造した。得られたポリイミ
ド前駆体のアミド結合濃度、吸光度を表6に示す。
た量だけ用いる以外は、製造例5と同様にして、ポリイ
ミド前駆体(A5−2)〜(A5−4)を製造した。こ
のようにして得たポリイミド前駆体の粘度数、アミド結
合濃度、吸光度を表6に示す。
ぞれ表2に示された量を用いる以外は製造例1と同様に
して、ポリイミド前駆体(A1−14)、(A1−1
5)を製造した。このようにして得たポリイミド前駆体
の粘度数、アミド結合濃度、吸光度を表6に示す。
1.0g、ピリジン17.0g、γ−ブチロラクトン6
0mlを入れ、かきまぜながら(E−1)、27.0g
を加えた。溶液を40℃に加熱し、4時間保持した後、
室温で16時間かきまぜたのち、ジシクロヘキシルカル
ボジイミド41.2gのγ−ブチロラクトン40mlに
よる溶液を氷冷下、30分間で加え、続いて(Y−8)
40.4gを80mlのγ−ブチロラクトンに懸濁した
ものを60分間で加えた。さらに3時間氷冷下でかきま
ぜた後、エタノール5mlを加えてさらに1時間かきま
ぜ、上記プロセスで生じた固形物を濾過により除去した
反応溶液を10lのエタノールに加え生成した沈澱を濾
別し、真空乾燥した。このようにしてポリイミド前駆体
(A1−16)を製造した。この(A1−16)の粘度
数、アミド結合濃度、吸光度を表6に示す。
をそれぞれ表2に示された量を用い、(Y−1)35.
0gを70mlのγ−ブチロラクトンに懸濁したものを
加える替わりに(Y−5)23.6gを含む160ml
γ−ブチロラクトン溶液を加えること以外は製造例1と
同様にして、ポリイミド前駆体(A1−17)を製造し
た。この(A1−17)の粘度数、アミド結合濃度、吸
光度を表6に示す。
の化合物をそれぞれ表2に示された量を用いる以外は製
造例2と同様にして、ポリイミド前駆体(A2−2)を
製造した。この(A2−2)の粘度数、アミド結合濃
度、吸光度を表6に示す。
0gに溶解し、(X−11)120gを加え、50℃で
6時間反応させた。この溶液50gに、(E−9)2.
5gを50gのN−メチルピロリドンに溶解した溶液を
加えポリイミド前駆体(A3−10)を得た。(A3−
10)の粘度数、アミド結合濃度、吸光度を表6に示
す。
とその他化合物をそれぞれ表3に示された量を用いる以
外は製造例32と同様にして、ポリイミド前駆体(A1
−18)〜(A1−26)を製造した。ポリイミド前駆
体の粘度数、アミド結合濃度、吸光度を表7に示す。
gに溶解し、(X−3)35.8gを加えて50℃で6
時間反応させた。これに(E−3)37.2gをN−メ
チルピロリドン66gに溶かした溶液を室温でゆっくり
と加えてポリイミド前駆体溶液(A3−11)を得た。
(A3−11)の粘度数、アミド結合濃度、吸光度を表
7に示す。
とその他の化合物をそれぞれ表3に示された量を用いる
以外は製造例32と同様にして、ポリイミド前駆体(A
1−28)〜(A1−31)を製造した。ポリイミド前
駆体の粘度数、アミド結合濃度、吸光度を表7に示す。
物を表3に示された量用いる以外は参考例4と同様の合
成法でポリイミド前駆体溶液(A4−2)、(A4−
3)を製造した。ポリイミド前駆体溶液の粘度数、アミ
ド結合濃度、吸光度を表7に示す。
用いる以外は製造例44と同様の合成法を用いてポリイ
ミド前駆体溶液(A3−12)、(A3−13)を製造
した。ポリイミド前駆体溶液の粘度数、アミド結合濃
度、吸光度を表7に示す。
物を表4に示された量用いる以外は製造例43と同様の
合成法でポリイミド前駆体(A1−32)〜(A1−3
7)を製造した。ポリイミド前駆体の粘度数、アミド結
合濃度、吸光度を表8に示す。
された量だけ用いる以外は製造例5と同様にして、ポリ
イミド前駆体(A5−5)、(A5−6)を製造した。
ポリイミド前駆体の粘度数、アミト結合濃度、吸光度を
表8に示す。
水物、芳香族ジアミノ化合物とその他の化合物をそれぞ
れ表4に示された量を用いる以外は製造例32と同様に
して、ポリイミド前駆体(A1−38)を製造した。ポ
リイミド前駆体の粘度数、アミド結合濃度、吸光度を表
8に示す。
る略号は、以下の通りである。 (光重合開始剤(成分B)) I−1 ベンゾフェノン I−2 ベンジル I−3 2−イソプロピルチオキサントン I−4 1,3−ジフェニルプロパントリオン−2−(O−エトキシカルボ ニル)オキシム I−5 1−フェニル−3−エトキシプロパントリオン−2−(O−ベンゾ イル)オキシム (反応性炭素−炭素二重結合を有する化合物) M−1 テトラエチレングリコールジメタクリレート M−2 ペンタエリスリトールジアクリレート M−3 メチレンビスアクリルアミド M−4 N−メチロールアクリルアミド M−5 トリメチロールプロパントリアクリレート (増感剤) S−1 ミヒラーズケトン S−2 4,4′−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン S−3 2−(p−ジメチルアミノスチリル)ベンズオキサゾール S−4 2−(p−ジメチルアミノベンゾイル)スチレン S−5 N−フェニルジエタノールアミン S−6 N−p−トリルジエタノールアミン S−7 N−フェニルエタノールアミン S−8 2−メルカプトベンズイミダゾール S−9 1−フェニル−5−メルカプト−1,2,3,4−テトラゾール S−10 2−メルカプトベンゾチアゾール (接着助剤) F−1 γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン F−2 3−メタクリロキシプロピルトリメトシキキラン F−3 3−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン F−4 N−〔3−(トリエトキシシリル)プロピル〕フタルアミド酸 F−5 ベンゾフェノン−3,3′−ビス〔N−(3−トリエトキシシリル )プロピルアミド〕−4,4′−ジカルボン酸 (熱重合禁止剤) Z−1 N−ニトロソジフェニルアミン Z−2 ビス(4−ヒドロキシ−3,5−tert−ブチルフェニル)メタ ン Z−3 2,6−ジ−tert−ブチル−p−メチルフェノール Z−4 2−ニトロソ−1−ナフトール
g、(M−1)6g、(S−1)0.05g、(S−
5)1g、(S−8)1.5g、(F−1)1gおよび
(Z−1)0.05gを、N−メチルピロリドン75g
に溶解して、感光性組成物(W−1)を調製した。この
組成物の塗膜の吸光度は1.5、この粘度は73.5ポ
イズであった。
にスピン塗布し、乾燥して13μm厚の塗膜を形成させ
た。この塗膜にテストパターン付レチクルを用いてi線
ステッパーEPA2001iI(キャノン製)により、
800mJ/cm2 のエネルギーを照射した。次いでこ
のウエハーをγ−ブチロラクトンとキシレン(50/5
0(%))を用いてスプレー現像し、イソプロピルアル
コールでリンスしたところ、10μmライン/スペース
の解像するシャープなパターンが得られた。
て、窒素雰囲気下、140℃で1時間、続いて300℃
で1時間熱処理することにより7μm厚のポリイミドの
フィルムを得た。このフィルムは引き剥がし試験および
耐水性試験のいずれにおいても応力8kg/mm2 の時
点でエポキシ樹脂が破断し、接着力、耐水性ともに良好
であった。また、ポリイミドフィルムの引張強度は14
kg/mm2 、伸度は30%であった。
3g、(M−2)0.5g、(S−2)0.02g、
(S−9)0.1g、(F−3)0.15gおよび(Z
−2)メタン0.01gをN−メチルピロリドン40g
に溶解して、感光性組成物(W−2)を調製した。この
組成物の塗膜の吸光度は1.5、粘度は44ポイズであ
った。
ハー上にスピン塗布し、乾燥して13μm厚の塗膜を得
た。この塗膜にi線ステッパー露光機NSR1505i
(ニコン製)により、レチクルを通してi線光源から4
00mJ/cm2 のエネルギーに露光させた。次いでこ
のウエハーをテトラメチルアンモニウムヒドロキシド/
メタノール/水(0.3/2.7/97(容量%))で
パドル現像し、水でリンスしたところ、10μmライン
/スペースの解像するシャープなパターンが得られた。
10分間ベーキングし、さらに縦型キュア炉に入れ、窒
素雰囲気下、350℃で1時間熱処理して7μm厚のポ
リイミドのパターンを得た。このフィルムは、引き剥が
し試験および耐水性試験いずれにおいても応力8kg/
mm2 の時点でエポキシ樹脂が破断し、接着力、耐水性
ともに良好であった。また、このポリイミド塗膜の引張
強度は20kg/mm、伸度は9%であった。
3)0.2g、(M−3)0.8g、(S−3)0.0
2g、(S−6)0.3g、(S−10)0.15g、
(F−3)0.1gおよび(Z−3)0.01gを溶解
し、感光性組成物(W−3)を調製した。この組成物の
塗膜の吸光度は0.8、粘度は55.0ポイズであっ
た。
ハー上にスピン塗布し、乾燥して17μm厚の塗膜を得
た。この塗膜にフォトマスクを通して、PLA50lF
露光機(キャノン製)により、i線バンドパスフィルタ
ーUVD36C(東芝色ガラス製)を通して1000m
J/cm2 のエネルギーで露光した。このウエハーを
N,N′−ジメチルアセトアミド/エタノール(80/
20(vol%))の現像液により、スプレー現像後、
イソプロピルアルコールによりリンスしたところ、10
μmライン/スペースの解像するシャープなパターンが
得られた。
下、140℃1時間、300℃1時間熱処理して、8μ
m厚のポリイミドのパターンを得た。このフィルムは、
引き剥がし試験および耐水性試験いずれにおいても応力
8kg/mm2 の時点でエポキシ樹脂が破断し、接着
力、耐水性ともに良好であった。また、このポリイミド
塗膜の引張強度は12kg/mm2 、伸度は70%であ
った。
(I−4)0.6g、(M−4)0.8g、(S−4)
0.03g、(S−7)0.2g、(S−8)0.1g、
(F−4)0.1gおよび(Z−4)0.01gを溶解
して感光性組成物(W−4)を調製した。この組成物の
塗膜の吸光度は1.5、粘度は38ポイズであった。
にスピン塗布・乾燥して13μm厚の塗膜を得た。この
塗膜にパターンレチクルを用いてi線ステッパーFPA
2000iI(キャノン製)により800mJ/cm2
のエネルギーで露光した。このウエハーをコリンヒドロ
キシド/エタノール/水(0.5/9.5/90(vo
l%))の現像液によりパドル現像後、水によりリンス
したところ、10μmライン/スペースの解像するシャ
ープなパターンが得られた。これをイナートオーブン中
で、窒素雰囲気下、140℃1時間、300℃1時間熱
処理して、7μm厚のポリイミドのパターンを得た。こ
のフィルムは、引き剥がし試験および耐熱性試験のいず
れにおいても応力8kg/mm2 の時点でエポキシ樹脂
が破断し、接着力、耐水性ともに良好であった。また、
このポリイミド塗膜の引張強度は18kg/mm2 、伸
度は12%であった。
g、(M−5)3g、(S−3)0.1g、(S−9)
0.5g、(F−5)1gおよび(Z−4)0.02g
とをN−メチルピロリドン75gに溶解して感光性組成
物(W−5)を調製した。この組成物の塗膜の吸光度は
1.0、粘度は47.0ポイズであった。
にスピン塗布・乾燥して19μm厚の塗膜を得た。この
塗膜にテストパターン付レチクルを用いてi線ステッパ
ーFPA2001iI(キャノン製)により600mJ
/cm2 のエネルギーで露光した。このウエハーをシク
ロヘキサノン/キシレン(70/30(vol%))の
現像液によりパドル現像液、イソプロピルアルコールに
よりリンスしたところ、15μmライン/スペースの解
像するシャープなパターンが得られた。
て、窒素雰囲気下、140℃1時間、350℃2時間熱
処理して、10μm厚のポリイミドのパターンを得た。
このフィルムは、引き剥がし試験および耐水性試験のい
ずれにおいても応力8kg/mm2 の時点でエポキシ樹
脂が破断し、接着力、耐水性共に良好であった。また、
このポリイミド塗膜の引張強度は18kg/mm2 、伸
度は18%であった。
2g、(M−5)3g、(S−3)0.3g、(S−
9)0.5g、(F−5)1gおよび(Z−4)0.0
2gをN−メチルピロリドン75gに溶解して感光性組
成物(W−6)〜(W−18)を調製した。これら組成
物の粘度及び塗膜の吸光度を表9に示す。
ハー上にスピン塗布・乾燥した。得られた塗膜の膜厚を
表9に示す。これらの塗膜にテストパターン付レチクル
を用いてi線ステッパーFPA2001iI(キャノン
製)により、800mJ/cm2 のエネルギーで露光し
た。このウエハーをシクロヘキサノン/キシレン(70
/30(vol%))の現像液によりパドル現像後、イ
ソプロピルアルコールによりリンスして、得られた解像
度を表9に示す。
いて、窒素雰囲気下、140℃1時間、350℃2時間
熱処理してポリイミドのパターンを得た。また、このポ
リイミド塗膜の引き剥がし試験、耐水性試験の結果およ
び引張強度、伸度、フィルムの膜厚を表9に示す。
い、参考例3と同様にして感光性組成物(W−19)〜
(W−26)を調製した。これらの組成物の粘度及び塗
膜の吸光度を表10に示す。これらの組成物を用いて、
参考例3と同様にして塗膜を形成し、その解像度及び熱
処理後のポリイミド塗膜の引き剥がし試験、耐水性試験
の結果および引張強度、伸度、膜厚を表10に示す。
2g、(M−5)3g、(S−3)0.1g、(S−
9)0.5g、(F−5)1gおよび(Z−4)0.0
2gとをN−メチルピロリドン75gに溶解して感光性
組成物(W−27)〜(W−28)を調製した。これら
の粘度および塗膜の吸光度を表10に示す。
処理して得たパターンの解像度、また、加熱硬化後のポ
リイミドの塗膜の引き剥がし試験、耐水性試験および膜
厚、引張強度、伸度を表10に示す。
g、(M−5)3g、(S−3)0.05g、(S−
9)0.5g、(F−5)1gおよび(O−4)0.02
gとをN−メチルピロリドン75gに溶解して感光性組
成物(WR−1)および(WR−2)を調製した。これ
らの組成物の粘度および塗膜の吸光度を表10に示す。
処理したところ、比較例1のものは、強い逆台形性のパ
ターン断面形状により、ライン/スペースのラインが流
れ、比較例2のものは、更に強い逆台形性のパターン断
面形状によりラインが流れ、いずれも実用上問題があっ
た。また、加熱硬化後のポリイミド塗膜の引き剥がし試
験、耐水性試験および膜厚、引張強度、伸度を表10に
示す。
駆体(A1−14)を用い、比較例1と同様にして感光
性組成物(WR−3)を調製した。この組成物の粘度は
66.3ポイズ、塗膜の吸光度は0.41であった。こ
の組成物を、3インチのシリコンウエハー上にスピン塗
布し、乾燥して27μm厚の塗膜を得た。この塗膜を実
施例1と同様に処理して得たパターンは、露光部の膨潤
が強く、ライン/スペースを解像できなかった。このフ
ィルムは、引き剥がし試験および耐水性試験のいずれに
おいても応力8kg/mm2 の時点でエポキシ樹脂が破
断,接着力、耐水性ともに良好であった。また、ポリイ
ミド塗膜の引張強度は9kg/mm2 、伸度は120%
であった。
g、(M−1)6g、(S−1)0.05g、(S−
5)1g、(S−10)1.5g、(F−1)1g、
(Z−1)0.05gをN−メチルピロリドン75gに
溶解して組成物(W−29)を調製した。この組成物の
粘度は78ポイズ、塗膜の吸光度は1.5であった。
μm厚の塗膜を形成し、現像した後、キシレンによりリ
ンスしたところ、10μmライン/スペースの解像する
シャープなパターンが得られた。このウエハーを実施例
1と同様に熱処理して7μm厚のポリイミドのパターン
を得た。このフィルムは、引き剥がし試験および耐水性
試験のいずれにおいても応力8kg/mm2 の時点でエ
ポキシ樹脂が破断、接着力、耐水性ともに良好であっ
た。また、このポリイミド塗膜の引張強度は15kg/
mm2 、伸度は14%であった。
0.3g、(M−2)0.5g、(S−2)0.02
g、(S−9)0.1g,(F−2)0.15g、(Z
−2)0.01gを溶解して感光性組成物(W−30)
を調製した。この組成物の粘度は129ポイズ、塗膜の
吸光度は1.5であった。
μm厚の塗膜を形成し、現像したところ、10μmのラ
イン/スペースの解像するシャープなパターンが得られ
た。このウエハーを実施例2と同様に熱処理して、7μ
m厚のポリイミドパターンを得た。このフィルムは、引
き剥がし試験では5〜6kg/mm2 の時点でフィルム
が破断し、耐水性試験では、引き剥がし強度が3kg/
mm2 に低下した。また、このポリイミド塗膜の引張強
度は17kg/mm2 、伸度は10%であった。
駆体(A3−10)を用い、参考例3と同様にして感光
性組成物(W−31)を調製した。この組成物の粘度は
50ポイズ、塗膜の吸光度は1.4であった。この組成
物を参考例3と同様の方法で17μm厚の塗膜を形成
し、現像したところ、10μmのライン/スペースの解
像するシャープなパターンが得られた。このウエハーを
実施例3と同様に熱処理して、9μm厚のポリイミドパ
ターンを得た。このフィルムは、引き剥がし試験および
耐水性試験のいずれにおいても応力8kg/mm2 の時
点でエポキシ樹脂が破断、接着力、耐水性ともに良好で
あった。また、このポリイミド塗膜の引張強度は16k
g/mm2 、伸度は10%であった。
(但し34は参考例) 表11に示す種々のポリイミド前駆体やその他の成分を
N−メチルピロリドン75gに溶解して組成物(W−3
2)〜(W−36)および(WR−4)〜(WR−6)
を調製した。これらの粘度および塗膜の吸光度を表12
に示す。これらの組成物を3インチシリコンウエハー上
にスピン塗布・乾燥した。得られた塗膜の厚みを表12
に示す。この塗膜にテストパターン付レチクルを用い
て、i線ステッパーFPA200liI(キャノン製)
の表11に示す露光エネルギーで露光した。このウエハ
ーをシクロヘキサノン/キシレン(70/30(vol
%))の現像液によりパドル現像後、表11に示す溶媒
にてリンスし、得られた解像度を表12に示す。実施例
のものは、いずれもシャープなパターンが得られた。
いて、窒素雰囲気下、140℃1時間、350℃、2時
間熱処理して、表12に示す厚みのポリイミドのパター
ンを得た。このポリイミド塗膜の引き剥がし試験、耐水
性試験の結果および引張強度、伸度を表12に示す。
1)2g、(M−1)6g、(S−1)0.05g、
(S−5)1g、(S−8)1.5g、(F−1)1
g、(Z−1)0.05gをN−メチルピロリドン75
gに溶解して組成物(W−37)〜(W−40)を調製
した。これらの粘度および塗膜の吸光度を表13に示
す。
ー上にスピン塗布・乾燥した。得られた塗膜の厚みを表
13に示す。この塗膜にテストパターン付レチクルを用
いて、表13に示すi線ステッパー、露光条件にて露光
した。このウエハーをγ−ブチロラクトン/キシレン
(50/50(vol%))の現像液によりスプレー現
像液、キシレンによりリンスしたところ、いずれもシャ
ープなパターンが得られた。これらの解像度を表13に
示す。
て、窒素雰囲気下、140℃1時間、300℃、1時間
熱処理して得られたポリイミド塗膜の引き剥がし試験、
耐水性試験結果および塗膜、引張強度、伸度を表13に
示す。
0.6g、(M−4)0.8g、(S−4)0.03
g、(S−7)0.2g、(S−8)0.1g、(F−
4)0.1g、(Z−4)0.01gを溶解して感光性
組成物(W−41)および(W−42)を調製した。こ
れらの組成物の粘度および塗膜の吸光度を表13に示
す。
/cm2 と代える他は、実施例5と同様に処理したとこ
ろ、いずれもシャープなパターンが得られた。これらの
解像度を表13に示す。このウエハーをイナートオーブ
ンを用いて、窒素雰囲気下、140℃1時間、350
℃、1時間熱処理して得たポリイミド塗膜の引き剥がし
試験、耐水性試験の結果および塗膜、引張強度、伸度を
表13に示す。
2g、(M−3)0.8g、(S−3)0.02g、
(S−6)0.3g、(S−10)0.15g、(F−
3)0.1g、(Z−3)0.01gを溶解して感光性
組成物(W−43)〜(W−45)を調製した。これら
の組成物の粘度および塗膜の吸光度を表13に示す。
ー上にスピン塗布・乾燥した。得られた塗膜の厚みを表
13に示す。この塗膜にレチクルを通してi線光源で表
13に示す露光条件にて露光した。このウエハーをN,
N′−ジメチルアセトアミド/エタノール=80/20
(vol%))の現像液によりスプレー現像液、イソプ
ロピルアルコールによりリンスしたところ、何れもシャ
ープなパターンが得られた。これらの解像度を表13に
示す。このウエハーをイナートオープンを用いて、窒素
雰囲気下、140℃1時間、350℃、1時間熱処理し
て表13に示す厚みのポリイミドのパターンを得た。ま
た、このポリイミド塗膜の引き剥がし試験、耐水性試験
の結果および引張強度、伸度を表13に示す。
g、(M−1)6g、(S−1)0.05g、(S−
5)1g、(S−10)1.5g、(F−1)1gおよ
び(Z−1)0.05gをN−メチルピロリドン75g
に溶解して感光性組成物(W−46)を調製した。この
組成物の粘度は43ポイズ、塗膜の吸光度は1.5であ
った。
にスピン塗布・乾燥して13μm厚の塗膜を得た。この
塗膜にi線ステッパー露光機NSR−1505i(ニコ
ン製)により、レチクルを通してi線光源で600mJ
/cm2 のエネルギーで露光した。このウエハーをγ−
ブチロラクトン/キシレン=50/50(vol/vo
l%)の現像液によりスプレー現像後、キシレンにより
リンスしたところ、10μmライン/スペースの解像す
るシャープなパターンが得られた。このウエハーをイナ
ートオープンを用いて、窒素雰囲気下、140℃1時
間、300℃、1時間熱処理して7μm厚のポリイミド
のパターンを得た。このフィルムは、引き剥がし試験お
よび耐水性試験のいずれにおいても応力8kg/mm2
の時点でエポキシ樹脂が破断、接着力、耐水性ともに良
好であった。また、このポリイミド塗膜の引張強度は1
4kg/mm2 、伸度は15%であった。
(M−5)3g、(S−3)0.1g、(S−9)0.
5g、(F−5)1g、(Z−4)0.02gをN−メ
チルピロリドンに溶解して感光性組成物(W−47)〜
(W−48)を調製した。これらの組成物の粘度および
塗膜の吸光度を表14に示す。
にスピン塗布・乾燥した。得られた塗膜の厚みを表14
に示す。この塗膜にi線ステッパーNSR−1505i
(ニコン製)により、レチクルを通してi線光源でW−
47に対しては500mJ/cm2 、W−48に対して
は600mJ/cm2 のエネルギーで露光した。このウ
エハーをシクロヘキサノン/キシレン=70/30(v
ol/vol%)の現像液によりパドル現像後、イソプ
ロピルアルコールによりリンスしたところ、いずれもシ
ャープなパターンが得られた。解像度を表14に示す。
このウエハーをイナートオーブンを用いて、窒素雰囲気
下、140℃1時間、350℃、1時間熱処理して表1
4に示す厚みのポリイミドのパターンを得た。また、こ
のポリイミド塗膜の引き剥がし試験、耐水性試験の結果
および引張強度、伸度を表14に示す。
える他は実施例46と同様にして感光性組成物(W−4
9)を調製した。この組成物の粘度は44ポイズ,塗膜
の吸光度は1.0であった。この組成物を露光エネルギ
ーを200mJ/cm2 に代えるほかは実施例46と同
様に処理して20μm厚の塗膜を得、現像液の解像度を
測定したところ、15μmライン/スペースの解像する
シャープなパターンが得られた。このウエハーを実施例
46と同様に熱処理して11μm厚のポリイミドのパタ
ーンを得た。このフィルムは、引き剥がし試験、耐水性
試験ともに応力8kg/mm2 の時点でエポキシ樹脂を
破断し、接着性、耐水性ともに良好であった。また、こ
のポリイミド塗膜の引張強度は14kg/mm2 、伸度
は30%であった。
g、(M−5)3g、(S−3)0.1g、(S−9)
0.5g、(F−5)1g、(Z−4)0.02gをN
−メチルピロリドンに溶解して感光性組成物(W−5
0)および(W−51)を調製した。これらの粘度およ
び塗膜の吸光度を表14に示す。
0に対して200mJ/cm2 、W−51に対し500
mJ/cm2 とする他は実施例5と同様に処理してシャ
ープなパターンを得た。その解像度を表14に示す。こ
のウエハーをイナートオープンを用いて、窒素雰囲気
下、140℃1時間、350℃、1時間熱処理して得た
ポリイミド塗膜引き剥がし試験、耐水性試験の結果およ
び膜厚、引張強度、伸度を表14に示す。
7)とし、N−メチルピロリドン80gを用いたほかは
実施例46と同様にして感光性組成物(W−52)を調
製した。この組成物の粘度は30ポイズ、塗膜の吸光度
は1.2であった。
13μm厚の塗膜を得、現像後の解像度を測定したとこ
ろ、10μmライン/スペースの解像するシャープなパ
ターンが得られた。このウエハーを実施例46と同様に
熱処理して7μm厚のポリイミドのパターンを得た。こ
のフィルムは、引き剥がし試験、耐水性試験ともに応力
8kg/mm2 の時点でエポキシ樹脂を破断し、接着
力、耐水性ともに良好であった。また、このポリイミド
塗膜の引張強度は14kg/mm2 、伸度は25%であ
った。
は実施例6と同様にして感光性組成物(W−53)およ
び(W−54)を調製した。これらの組成物の粘度及び
塗膜の吸光度を表15に示す。これらの組成物を、実施
例6と同様の方法で処理して得られたパターンの解像
度、また、加熱硬化後のポリイミド塗膜の引き剥がし試
験、耐水性試験の結果および膜厚、引張強度、伸度を表
15に示す。
用い、実施例6と同様にして感光性組成物(WR−7)
を調製した。この組成物の粘度は60.2ポイズ、塗膜
の吸光度は2.0であった。次に、これらの組成物を実
施例6と同様に処理して、12μmの塗膜を得、現像後
の解像度を測定したところ、強い逆台形性のパターン断
面形状により、ライン/スペースのラインが流れ、実用
上問題があった。このウエハーから、実施例6と同様の
方法で7μm厚のポリイミドのパターンを得た。このフ
ィルムは、引き剥がし試験では応力5kg/mm2 で破
断し、耐水性試験では3kg/mm2以下に低下した。
また、このポリイミド塗膜の引張強度は14kg/mm
2 、、度は30%であった。<その他の物性試験>以下
に、感光性組成物およびそれから得られるポリイミド塗
膜の種々の物性を測定し、その結果を表16〜17に示
す。測定方法、評価は以下の通りである。
感光性組成物(W−1)〜(W−54)および(WR−
1)〜(WR−6)を40℃でのオープン中で5日間保
持した。保持後の粘度変化、パターン形成能力を測定す
ることにより、組成物の熱安定性を調べた。
布、パターン形成可能・・・良好(○) ±25%までの粘度変化が認められるが、塗布回転数の
変更により塗布、パターン形成可能・・・実用上問題な
し(△) ±25%を超える粘度変化が認められるが、塗布不可能
・・・不良(×) (2)長時間現像の影響 実施例、参考例1〜54、比較例4および6と同様の条
件で感光性組成物(W−1)〜(W−54)、(WR−
4)および(WR−6)を用いて塗布、露光を行い、次
いで実施例、参考例1〜54、比較例4、6において行
った現像よりも30%長い時間現像を行った後リンスし
てパターンを得た。
ミドフィルムを、(i)280℃のハンダ浴上に20秒
間おいた場合および(ii)300℃に加熱した金属の
てこを2秒間押し当てた場合のフィルムの変化を観察し
た。
比較例1、2および7で得られたポリイミドフィルムを
それぞれ沸騰水中に48時間保持した後、50℃のオー
ブン中で2時間乾燥し、フィルムの伸度を測定した。実
施例8、27、28からのフィルムの沸騰後の伸度はそ
れぞれ90%が85%、27%が30%、65%が65
%であり、沸騰水中でのフィルムの伸度の変化はほとん
ど認められなかった。実施例30および54は、夫々、
10%が5%以下に、30%が15%に低下した。比較
例1よび7ではそれぞれ、30%が22%、30%が1
0%に低下した。その比較例2では、8%が2%以下と
なり、伸度測定ができなかった。
導体装置の製造におけるフォトリソグラフィ工程で一般
化してくるi線露光プロセスによって、高い解像度でポ
リイミドのパターンを得ることができる。従って、従来
のように複雑かつ有毒な物質を使用する非感光重合体を
用いることなく、簡便にポリイミド塗膜を得ることがで
きる。
後に得られるポリイミドフィルムは耐水性及び基材との
接着性において優れたものである。
Claims (7)
- 【請求項1】 (A)一般式(I)で表わされる繰り返
し単位を有し、アミド結合濃度1.5mol/kg以上
である芳香族ポリイミド前駆体、 【化1】 〔式中Xは四価のフッ素原子を含まない芳香族基又は2
〜4個のフッ素原子を含まない芳香族基が単結合、エー
テル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、メチレ
ン結合、スルホキシド結合及びスルホン結合の中から選
ばれた少なくとも1種の結合を介して結合した化学構造
をもつ四価の有機基であって、−COR基及び−CO
R′基と−CONH−基とは互にオルト位置にあり、R
とR′は各々独立に−OR1 (ただしR1 はエチレ
ン性不飽和結合を少なくとも一部に有する有機基)であ
り、Yはフッ素原子を含まない二価の芳香族基又は2〜
6個の芳香族基が単結合、エーテル結合、チオエーテル
結合、カルボニル結合、メチレン結合、2,2−プロピ
レン結合、スルホキシド結合及びスルホン結合の中から
選ばれた少なくとも1種の結合を介して相互に連結した
化学構造をもつ、フッ素原子を含まない二価の有機基で
ある〕 (B)光重合開始剤、及び (C)溶剤 を含むi線露光用感光性組成物において、上記の芳香族
ポリイミド前駆体ポリマーにおける (i)アミド結合濃度が2.42mol/kg以下であ
ること、及び/又は(ii)Xが結合基の存在する芳香
族基において非プロトン性の電子供与基によって置換さ
れた芳香族基の化学構造を有する四価の基であること、
及び/又はYが(iii−1)一般式(II) 【化2】 〔式中Aは−CH2 −、−CO−、−SO2 −、−
O−、−S−、m−ジオキシフェニレン基、p−ジオキ
シフェニレン基または一般式(III−1) 【化3】 (式中Bは−CH2 −、−CO−、−SO2 −、−
O−、−S−、m−ジオキシフェニレン基、p−ジオキ
シフェニレン基、kは0または1)で示される基、mは
0または1〕で示される二価の基であること、又は (iii−2)一般式(III) 【化4】 で示される二価の基であること、又は(iii−4)結
合基の存在する芳香族基またはこれとエーテル結合を介
して隣接する芳香族基において非プロトン性の電子吸引
基によって置換された芳香族基の化学構造を有する二価
の基であること、を特徴とし、かつ上記の感光性組成物
を塗布乾燥後に形成されるi線露光用感光性組成物のフ
ィルムの波長365nmにおける吸光度が、膜厚10μ
m当り1.5以下であることを特徴とするi線露光用感
光性組成物。 - 【請求項2】 芳香族ポリイミド前駆体が請求項1にお
ける条件(i)を満足する請求項1のi線露光用感光性
組成物。 - 【請求項3】 芳香族ポリイミド前駆体が請求項1にお
ける条件(iii−1)又は(iii−2)を満足する
請求項1のi線露光用感光性組成物。 - 【請求項4】 一般式(I)のXが2〜4個の芳香族基
が単結合、エーテル結合、カルボニル結合、スルホン結
合の中から選ばれた少なくとも1種の結合を介して相互
に連結した化学構造をもつ四価の有機基である請求項1
のi線露光用感光性組成物。 - 【請求項5】 一般式(I)のYが2〜6個の芳香族基
が単結合、エーテル結合、カルボニル結合及びスルホン
結合の中から選ばれた少なくとも1種の結合を介して相
互に連結した化学構造をもつ二価の有機基である請求項
1のi線露光用感光性組成物。 - 【請求項6】 (B)光重合開始剤がベンゾフェノン誘
導体、アセトフェノン誘導体、チオキサントン誘導体、
ベンジル誘導体、ベンゾイン誘導体、アジド類、オキシ
ム類の群から選ばれた1種以上である請求項1のi線露
光用感光性組成物。 - 【請求項7】 以下の工程: (A)芳香族ポリイミド前駆体(a)と光重合開始剤
(b)と溶剤(c)を含むi線露光用感光性組成物を基
材への塗布工程、 (B)i光線を光源とした塗膜の露光工程、 (C)現像液による非露光部分の除去工程、および (D)得られたパターンの加熱処理工程 からなり、上記のi線露光用感光性組成物が請求項1の
i線露光用感光性組成物であることを特徴とするポリイ
ミドパターンの形成方法。
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