JPH08204315A - 回路基板の製造方法 - Google Patents
回路基板の製造方法Info
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- JPH08204315A JPH08204315A JP7010514A JP1051495A JPH08204315A JP H08204315 A JPH08204315 A JP H08204315A JP 7010514 A JP7010514 A JP 7010514A JP 1051495 A JP1051495 A JP 1051495A JP H08204315 A JPH08204315 A JP H08204315A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 安価で作業時間も短く、断面積の大きな回路
体を高い位置精度で形成できる回路基板の製造方法を得
る。 【構成】 成形型３１の成形面に電解メッキにより金属
メッキ層からなる回路体３５を形成し、この成形型３１
を熱可塑性の樹脂からなる基板３７に押し付ける。成形
型３１を加熱保持して回路体３５を基板３７へ加熱圧着
し、基板冷却後、成形型３１を基板３７から離反させる
ことで、回路体３５を基板３７側に転写する。
体を高い位置精度で形成できる回路基板の製造方法を得
る。 【構成】 成形型３１の成形面に電解メッキにより金属
メッキ層からなる回路体３５を形成し、この成形型３１
を熱可塑性の樹脂からなる基板３７に押し付ける。成形
型３１を加熱保持して回路体３５を基板３７へ加熱圧着
し、基板冷却後、成形型３１を基板３７から離反させる
ことで、回路体３５を基板３７側に転写する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、加熱圧着による回路基
板の製造方法に関する。
板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、回路基板の製造方法としては、金
属薄膜が被覆された基板の全面に感光性樹脂を塗布し、
写真技術によって配線図形状に耐腐食性樹脂膜を被覆
し、露出した金属薄膜部分を腐食液によって溶解除去
（エッチング）し、所望の回路基板を得るものが一般的
に知られている。
属薄膜が被覆された基板の全面に感光性樹脂を塗布し、
写真技術によって配線図形状に耐腐食性樹脂膜を被覆
し、露出した金属薄膜部分を腐食液によって溶解除去
（エッチング）し、所望の回路基板を得るものが一般的
に知られている。
【０００３】また、無電解メッキによる方法として、図
３に示すように、絶縁基板１の表面に接着剤３を塗布し
（Ａ）、塩化パラジウムの活性化処理液に浸漬して微粒
子の金属パラジウム核５を基板１の全面に付着させ
（Ｂ）、耐腐食性の樹脂からなるレジスト７で配線図形
を印刷し（Ｃ）、金属パラジウムを溶解する腐食液で露
出した金属パラジウム核５を溶解除去し（Ｄ）、レジス
ト７を溶解除去した後、配線図形状に残留した金属パラ
ジウム核５の上に無電解メッキにより金属９を析出させ
（Ｅ）、所望の回路基板を得るものが特開昭５０−１１
３７６６号公報に開示されている。
３に示すように、絶縁基板１の表面に接着剤３を塗布し
（Ａ）、塩化パラジウムの活性化処理液に浸漬して微粒
子の金属パラジウム核５を基板１の全面に付着させ
（Ｂ）、耐腐食性の樹脂からなるレジスト７で配線図形
を印刷し（Ｃ）、金属パラジウムを溶解する腐食液で露
出した金属パラジウム核５を溶解除去し（Ｄ）、レジス
ト７を溶解除去した後、配線図形状に残留した金属パラ
ジウム核５の上に無電解メッキにより金属９を析出させ
（Ｅ）、所望の回路基板を得るものが特開昭５０−１１
３７６６号公報に開示されている。
【０００４】一方、近年では、電気製品の小型化、軽量
化を図るため、ケースの内側表面に回路パターンを形成
し、ケース自体を回路基板としたものも提案されてい
る。このようなケース兼用回路基板を製造する方法とし
て、図４に示すように、導電性インキを印刷して形成し
た回路１１を有する転写シート１３を予備成形し、この
予備成形体を射出成形の金型１５ａ、１５ｂ内に配置し
（Ａ）、合成樹脂の射出成形を行って、成形品１７を得
ると同時に表面に三次元の回路体１１を形成し、この回
路体１１上に金属メッキ１９を施すことにより（Ｂ）、
所望の回路基板を得るものが特開昭６３−１１７４９３
号公報に開示されている。
化を図るため、ケースの内側表面に回路パターンを形成
し、ケース自体を回路基板としたものも提案されてい
る。このようなケース兼用回路基板を製造する方法とし
て、図４に示すように、導電性インキを印刷して形成し
た回路１１を有する転写シート１３を予備成形し、この
予備成形体を射出成形の金型１５ａ、１５ｂ内に配置し
（Ａ）、合成樹脂の射出成形を行って、成形品１７を得
ると同時に表面に三次元の回路体１１を形成し、この回
路体１１上に金属メッキ１９を施すことにより（Ｂ）、
所望の回路基板を得るものが特開昭６３−１１７４９３
号公報に開示されている。
【０００５】また、ケース兼用回路基板を製造する他の
方法として、図５に示すように、コア２１の表面に回路
体２３を形成し（Ａ）、このコア２１を成形型２５にセ
ットし（Ｂ）、成形用の樹脂をスプル２７から圧送し、
キャビティ２９内に充填し、充填された成形樹脂が冷却
硬化された後、成形型２５を開いて成形品を取り出すこ
とによって、所望の回路基板を得るものが特開平２−２
８９９２号公報に開示されている。
方法として、図５に示すように、コア２１の表面に回路
体２３を形成し（Ａ）、このコア２１を成形型２５にセ
ットし（Ｂ）、成形用の樹脂をスプル２７から圧送し、
キャビティ２９内に充填し、充填された成形樹脂が冷却
硬化された後、成形型２５を開いて成形品を取り出すこ
とによって、所望の回路基板を得るものが特開平２−２
８９９２号公報に開示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のエッチングによる方法では、不要部分の金属膜
を腐食液によって溶解除去するため、材料の損失が大き
く、不経済となる欠点があるとともに、製造時間が長
く、回路断面積が大きくとれない問題があった。また、
図３に示した無電解メッキによる方法では、触媒として
使用されるパラジウムが高価であるとともに、メッキ
液、温度などの浴管理が大変めんどうである問題があっ
た。一方、ケース兼用回路基板を製造する方法として、
図４に示した転写シート１３を用いる方法では、予備成
形などの作業工程が増えるとともに、転写シート１３の
伸びにより位置精度が低下する虞れがあり、しかも、三
次元形状の内面への電気メッキが困難なため、生産性が
低下する問題があった。また、ケース兼用回路基板を製
造する方法として、図５に示したコア２１に回路体２３
を形成する方法では、樹脂圧送手段、成形装置が必要と
なり、設備が大掛かりとなるとともに、上述同様、回路
断面積が大きくとれず、大電流が流れる回路には使用で
きない欠点があった。本発明は上記状況に鑑みてなされ
たもので、安価で作業時間も短く、しかも、断面積の大
きな回路体を高い位置精度で形成することができる回路
基板の製造方法を提供し、コストの低減、製造時間の短
縮、精度の向上及び許容電力の増大を図ることを目的と
する。
た従来のエッチングによる方法では、不要部分の金属膜
を腐食液によって溶解除去するため、材料の損失が大き
く、不経済となる欠点があるとともに、製造時間が長
く、回路断面積が大きくとれない問題があった。また、
図３に示した無電解メッキによる方法では、触媒として
使用されるパラジウムが高価であるとともに、メッキ
液、温度などの浴管理が大変めんどうである問題があっ
た。一方、ケース兼用回路基板を製造する方法として、
図４に示した転写シート１３を用いる方法では、予備成
形などの作業工程が増えるとともに、転写シート１３の
伸びにより位置精度が低下する虞れがあり、しかも、三
次元形状の内面への電気メッキが困難なため、生産性が
低下する問題があった。また、ケース兼用回路基板を製
造する方法として、図５に示したコア２１に回路体２３
を形成する方法では、樹脂圧送手段、成形装置が必要と
なり、設備が大掛かりとなるとともに、上述同様、回路
断面積が大きくとれず、大電流が流れる回路には使用で
きない欠点があった。本発明は上記状況に鑑みてなされ
たもので、安価で作業時間も短く、しかも、断面積の大
きな回路体を高い位置精度で形成することができる回路
基板の製造方法を提供し、コストの低減、製造時間の短
縮、精度の向上及び許容電力の増大を図ることを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明に係る回路基板の製造方法は、成形型の成形面
に電解メッキにより金属メッキ層からなる回路体を形成
し、該成形型を熱可塑性の樹脂からなる基板に押し付
け、成形型を加熱保持して前記回路体を該基板へ加熱圧
着し、基板冷却後、前記成形型を基板から離反させるこ
とで前記回路体を基板側に転写することを特徴とするも
のである。また、回路基板の製造方法は、凸状成形型の
成形面に電解メッキにより金属メッキ層からなる回路体
を形成し、熱可塑性の樹脂からなる基板を凹状成形型上
にのせ、該基板を加熱状態とし、前記凸状成形型で該基
板を凹状成形型の穴の中に押し込み、凸状成形型及び凹
状成形型を加熱保持して回路体を基板へ加熱圧着し、基
板冷却後、前記凸状成形型を凹状成形型から離反させる
ことで樹脂成形ケースの内面へ三次元回路体を転写する
ものであってもよい。
の本発明に係る回路基板の製造方法は、成形型の成形面
に電解メッキにより金属メッキ層からなる回路体を形成
し、該成形型を熱可塑性の樹脂からなる基板に押し付
け、成形型を加熱保持して前記回路体を該基板へ加熱圧
着し、基板冷却後、前記成形型を基板から離反させるこ
とで前記回路体を基板側に転写することを特徴とするも
のである。また、回路基板の製造方法は、凸状成形型の
成形面に電解メッキにより金属メッキ層からなる回路体
を形成し、熱可塑性の樹脂からなる基板を凹状成形型上
にのせ、該基板を加熱状態とし、前記凸状成形型で該基
板を凹状成形型の穴の中に押し込み、凸状成形型及び凹
状成形型を加熱保持して回路体を基板へ加熱圧着し、基
板冷却後、前記凸状成形型を凹状成形型から離反させる
ことで樹脂成形ケースの内面へ三次元回路体を転写する
ものであってもよい。
【０００８】
【作用】成形型に金属メッキ層からなる回路体が形成さ
れ、この成形型が基板に押し付けられ、加熱保持される
ことで、回路体が基板へ加熱圧着され、無電解メッキを
行わずに回路基板の製造が可能となる。また、凸状成形
型の成形面に金属メッキ層からなる回路体が形成され、
凸状成形型で基板が凹状成形型の穴の中に押し込まれ、
凸状成形型及び凹状成形型が加熱保持されることで、回
路体が三次元形状の状態のままで、樹脂成形ケースの内
面へ加熱圧着され、回路体が高い位置精度で配設され
る。そして、凸状成形型の回路体が厚膜形成容易な電解
メッキにより形成されることで、回路体の導体厚を大き
くとることが容易となる。
れ、この成形型が基板に押し付けられ、加熱保持される
ことで、回路体が基板へ加熱圧着され、無電解メッキを
行わずに回路基板の製造が可能となる。また、凸状成形
型の成形面に金属メッキ層からなる回路体が形成され、
凸状成形型で基板が凹状成形型の穴の中に押し込まれ、
凸状成形型及び凹状成形型が加熱保持されることで、回
路体が三次元形状の状態のままで、樹脂成形ケースの内
面へ加熱圧着され、回路体が高い位置精度で配設され
る。そして、凸状成形型の回路体が厚膜形成容易な電解
メッキにより形成されることで、回路体の導体厚を大き
くとることが容易となる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明に係る回路基板の製造方法の好
適な実施例を図面を参照して詳細に説明する。図１は本
発明に係る回路基板製造方法の第一実施例による製造手
順を示す図で、（Ａ）は電解メッキ工程、（Ｂ）は加熱
圧着工程、（Ｃ）は加熱保持工程、（Ｄ）は成形型の除
去工程を表す。先ず、（Ａ）に示すように、成形型（凸
状成形型）３１に、逆配線図形状で絶縁テープ３３又は
樹脂などによりマスキングし、このマスキングされた成
形型３１を光沢剤などの入った銅メッキ液に入れ、液を
攪拌しながら電解メッキを行い、露出した成形面に所望
の厚さの金属メッキ層からなる回路体３５を得る。本実
施例では、液を攪拌しながら５（Ａ／ｄｍ2 ）で導体を
析出させ、導体厚１００〜３００（μｍ）までメッキす
る。また、この際、メッキ層の剥離性を向上させるた
め、成形型３１に予め導電性ペーストを塗布してもよ
い。
適な実施例を図面を参照して詳細に説明する。図１は本
発明に係る回路基板製造方法の第一実施例による製造手
順を示す図で、（Ａ）は電解メッキ工程、（Ｂ）は加熱
圧着工程、（Ｃ）は加熱保持工程、（Ｄ）は成形型の除
去工程を表す。先ず、（Ａ）に示すように、成形型（凸
状成形型）３１に、逆配線図形状で絶縁テープ３３又は
樹脂などによりマスキングし、このマスキングされた成
形型３１を光沢剤などの入った銅メッキ液に入れ、液を
攪拌しながら電解メッキを行い、露出した成形面に所望
の厚さの金属メッキ層からなる回路体３５を得る。本実
施例では、液を攪拌しながら５（Ａ／ｄｍ2 ）で導体を
析出させ、導体厚１００〜３００（μｍ）までメッキす
る。また、この際、メッキ層の剥離性を向上させるた
め、成形型３１に予め導電性ペーストを塗布してもよ
い。
【００１０】次いで、（Ｂ）に示すように、マスキング
が除去された成形型３１を熱可塑性のＡＢＳ樹脂からな
る基板３７に押し付け、この後、成形型３１を加熱して
回路体３５の加熱圧着を行う。本実施例では、成形型３
１を１０（ｋｇ／ｃｍ2 ）で押し付け、１２０（℃）ま
で加熱する。
が除去された成形型３１を熱可塑性のＡＢＳ樹脂からな
る基板３７に押し付け、この後、成形型３１を加熱して
回路体３５の加熱圧着を行う。本実施例では、成形型３
１を１０（ｋｇ／ｃｍ2 ）で押し付け、１２０（℃）ま
で加熱する。
【００１１】（Ｃ）に示すように、加熱圧着は、回路体
３５が充分に基板３７へ密着するまで成形型３１を加熱
保持することにより行う。本実施例では、上述の加熱温
度で約５分間保持した後、室温まで冷却する。
３５が充分に基板３７へ密着するまで成形型３１を加熱
保持することにより行う。本実施例では、上述の加熱温
度で約５分間保持した後、室温まで冷却する。
【００１２】次いで、（Ｄ）に示すように、熱可塑性の
ＡＢＳ樹脂が充分な強度を得るまで成形型３１を冷却し
た後、成形型３１を基板３７から離反させ、回路体３５
を基板３７側に転写して回路基板３９を得る。
ＡＢＳ樹脂が充分な強度を得るまで成形型３１を冷却し
た後、成形型３１を基板３７から離反させ、回路体３５
を基板３７側に転写して回路基板３９を得る。
【００１３】次に、本発明に係る回路基板の製造方法の
応用例として、三次元回路体を形成する実施例を説明す
る。図２は本発明に係る回路基板製造方法の第二実施例
による三次元回路体の形成手順を示す図で、（Ａ）は電
解メッキ工程、（Ｂ）は加熱圧着工程、（Ｃ）は加熱保
持工程、（Ｄ）は成形型の除去工程を表す。先ず、
（Ａ）に示すように、凸状成形型４１に上述の実施例と
同様に、絶縁テープ４２などでマスキングし、電解メッ
キを行い、所望の厚さ（本実施例では、導体厚１００〜
３００μｍ）の金属メッキ層からなる回路体４３を得
る。
応用例として、三次元回路体を形成する実施例を説明す
る。図２は本発明に係る回路基板製造方法の第二実施例
による三次元回路体の形成手順を示す図で、（Ａ）は電
解メッキ工程、（Ｂ）は加熱圧着工程、（Ｃ）は加熱保
持工程、（Ｄ）は成形型の除去工程を表す。先ず、
（Ａ）に示すように、凸状成形型４１に上述の実施例と
同様に、絶縁テープ４２などでマスキングし、電解メッ
キを行い、所望の厚さ（本実施例では、導体厚１００〜
３００μｍ）の金属メッキ層からなる回路体４３を得
る。
【００１４】次いで、（Ｂ）に示すように、熱可塑性の
ＡＢＳ樹脂からなる基板４５を加熱状態の凹状成形型４
７の上にのせ、マスキングが除去された加熱状態の凸状
成形型４１で基板４５を凹状成形型４７の穴の中に押し
込む。本実施例では、凸状成形型４１を１０（ｋｇ／ｃ
ｍ2 ）で押し付け、凸状成形型４１、凹状成形型４７を
１２０（℃）まで加熱し、更に凸状成形型４１の圧力を
３０（ｋｇ／ｃｍ2 ）に上げて成形を行う。
ＡＢＳ樹脂からなる基板４５を加熱状態の凹状成形型４
７の上にのせ、マスキングが除去された加熱状態の凸状
成形型４１で基板４５を凹状成形型４７の穴の中に押し
込む。本実施例では、凸状成形型４１を１０（ｋｇ／ｃ
ｍ2 ）で押し付け、凸状成形型４１、凹状成形型４７を
１２０（℃）まで加熱し、更に凸状成形型４１の圧力を
３０（ｋｇ／ｃｍ2 ）に上げて成形を行う。
【００１５】（Ｃ）に示すように、加熱圧着は、回路体
４３が充分に基板４５へ密着するまで凸状成形型４１、
凹状成形型４７を加熱保持することにより行う。本実施
例では、上述の加熱温度で約５分間保持した後、室温ま
で冷却する。
４３が充分に基板４５へ密着するまで凸状成形型４１、
凹状成形型４７を加熱保持することにより行う。本実施
例では、上述の加熱温度で約５分間保持した後、室温ま
で冷却する。
【００１６】次いで、（Ｄ）に示すように、熱可塑性の
ＡＢＳ樹脂が充分な強度を得るまで凸状成形型４１、凹
状成形型４７を冷却した後、凸状成形型４１を基板４５
から離反させ、三次元回路体４３を基板４５の内面へ転
写した樹脂成形ケース４９をを得る。
ＡＢＳ樹脂が充分な強度を得るまで凸状成形型４１、凹
状成形型４７を冷却した後、凸状成形型４１を基板４５
から離反させ、三次元回路体４３を基板４５の内面へ転
写した樹脂成形ケース４９をを得る。
【００１７】なお、基板３７、４５となる樹脂部材とし
ては、上述したＡＢＳ樹脂の他、ポリカーボネイト、ポ
リエーテルサルホンなどの非晶質、及びポリエチレン、
ポリプロピレンなどの結晶性の熱硬化性樹脂が使用でき
る。また、回路体３５、４３の素材としては、銅又は銀
などが使用できる。
ては、上述したＡＢＳ樹脂の他、ポリカーボネイト、ポ
リエーテルサルホンなどの非晶質、及びポリエチレン、
ポリプロピレンなどの結晶性の熱硬化性樹脂が使用でき
る。また、回路体３５、４３の素材としては、銅又は銀
などが使用できる。
【００１８】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る回路基板の製造方法によれば、成形型に金属メッキ層
からなる回路体を形成し、この成形型を基板に押し付け
て加熱保持し、回路体を基板へ加熱圧着するようにした
ので、無電解メッキ工程が省かれ、高価な触媒を使用せ
ずに済み、作業時間を短縮することができるとともに、
材料費も削減することができる。また、凸状成形型の成
形面に金属メッキ層からなる回路体を形成し、凸状成形
型で基板を凹状成形型の穴の中に押し込み、凸状成形型
及び凹状成形型を加熱保持して回路体を基板へ加熱圧着
すれば、三次元回路体を高い位置精度で樹脂成形ケース
の内面へ転写することができ、しかも、三次元の回路体
においても導体厚を大きくとることができ、電気信号の
みならず高電力の伝達を可能にすることができる。
る回路基板の製造方法によれば、成形型に金属メッキ層
からなる回路体を形成し、この成形型を基板に押し付け
て加熱保持し、回路体を基板へ加熱圧着するようにした
ので、無電解メッキ工程が省かれ、高価な触媒を使用せ
ずに済み、作業時間を短縮することができるとともに、
材料費も削減することができる。また、凸状成形型の成
形面に金属メッキ層からなる回路体を形成し、凸状成形
型で基板を凹状成形型の穴の中に押し込み、凸状成形型
及び凹状成形型を加熱保持して回路体を基板へ加熱圧着
すれば、三次元回路体を高い位置精度で樹脂成形ケース
の内面へ転写することができ、しかも、三次元の回路体
においても導体厚を大きくとることができ、電気信号の
みならず高電力の伝達を可能にすることができる。
【図１】本発明に係る回路基板製造方法の第一実施例に
よる製造手順を示す図で、（Ａ）は電解メッキ工程、
（Ｂ）は加熱圧着工程、（Ｃ）は加熱保持工程、（Ｄ）
は成形型の除去工程を表す。
よる製造手順を示す図で、（Ａ）は電解メッキ工程、
（Ｂ）は加熱圧着工程、（Ｃ）は加熱保持工程、（Ｄ）
は成形型の除去工程を表す。
【図２】本発明に係る回路基板製造方法の第二実施例に
よる三次元回路体の形成手順を示す図で、（Ａ）は電解
メッキ工程、（Ｂ）は加熱圧着工程、（Ｃ）は加熱保持
工程、（Ｄ）は成形型の除去工程を表す。
よる三次元回路体の形成手順を示す図で、（Ａ）は電解
メッキ工程、（Ｂ）は加熱圧着工程、（Ｃ）は加熱保持
工程、（Ｄ）は成形型の除去工程を表す。
【図３】無電解メッキによる従来の回路基板の製造方法
を説明する図である。
を説明する図である。
【図４】転写シートによる従来の回路基板の製造方法を
説明する図である。
説明する図である。
【図５】回路体形成コアを用いる従来の回路基板の製造
方法を説明する図である。
方法を説明する図である。
３１ 成形型 ３５、４３ 回路体 ３７、４５ 基板 ３９ 回路基板 ４１ 凸状成形型 ４７ 凹状成形型 ４９ 樹脂成形ケース
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山梨 秀則 静岡県御殿場市川島田252 矢崎部品株式 会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 成形型の成形面に電解メッキにより金属
メッキ層からなる回路体を形成し、該成形型を熱可塑性
の樹脂からなる基板に押し付け、成形型を加熱保持して
前記回路体を該基板へ加熱圧着し、基板冷却後、前記成
形型を基板から離反させることで前記回路体を基板側に
転写することを特徴とする回路基板の製造方法。 - 【請求項２】 凸状成形型の成形面に電解メッキにより
金属メッキ層からなる回路体を形成し、熱可塑性の樹脂
からなる基板を凹状成形型上にのせ、該基板を加熱状態
とし、前記凸状成形型で該基板を凹状成形型の穴の中に
押し込み、凸状成形型及び凹状成形型を加熱保持して回
路体を基板へ加熱圧着し、基板冷却後、前記凸状成形型
を凹状成形型から離反させることで樹脂成形ケースの内
面へ三次元回路体を転写することを特徴とする回路基板
の製造方法。
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|---|---|---|---|
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