JPH08203688A - フラッシュ充電回路 - Google Patents
フラッシュ充電回路Info
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- JPH08203688A JPH08203688A JP7012498A JP1249895A JPH08203688A JP H08203688 A JPH08203688 A JP H08203688A JP 7012498 A JP7012498 A JP 7012498A JP 1249895 A JP1249895 A JP 1249895A JP H08203688 A JPH08203688 A JP H08203688A
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- voltage
- charging
- battery voltage
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B41/00—Circuit arrangements or apparatus for igniting or operating discharge lamps
- H05B41/14—Circuit arrangements
- H05B41/30—Circuit arrangements in which the lamp is fed by pulses, e.g. flash lamp
- H05B41/32—Circuit arrangements in which the lamp is fed by pulses, e.g. flash lamp for single flash operation
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- Discharge-Lamp Control Circuits And Pulse- Feed Circuits (AREA)
- Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 充電時間の短縮を図りながら電池電圧の落ち
込みを防ぐ。 【構成】 昇圧トランス１０の一次コイル側回路Ｃ１に
ＦＥＴ１２，１４等のスイッチ素子を設け、そのオンオ
フにより二次コイル側回路Ｃ２に二次電流を誘起し、メ
インコンデンサ２０に充電する。ＣＰＵ２６は、電池電
圧Ｖｐが低い場合には電池電圧Ｖｐが高い場合よりも上
記スイッチ素子のオン時間を短くし、これにより電池電
圧Ｖｐの急激な落ち込みを防ぐ。また、電池電圧Ｖｐが
低くても、メインコンデンサ２０の充電電圧Ｖｃが高い
場合には、充電電圧Ｖｃが低い場合よりも上記スイッチ
素子のオン時間を長くして充電時間を短縮する。
込みを防ぐ。 【構成】 昇圧トランス１０の一次コイル側回路Ｃ１に
ＦＥＴ１２，１４等のスイッチ素子を設け、そのオンオ
フにより二次コイル側回路Ｃ２に二次電流を誘起し、メ
インコンデンサ２０に充電する。ＣＰＵ２６は、電池電
圧Ｖｐが低い場合には電池電圧Ｖｐが高い場合よりも上
記スイッチ素子のオン時間を短くし、これにより電池電
圧Ｖｐの急激な落ち込みを防ぐ。また、電池電圧Ｖｐが
低くても、メインコンデンサ２０の充電電圧Ｖｃが高い
場合には、充電電圧Ｖｃが低い場合よりも上記スイッチ
素子のオン時間を長くして充電時間を短縮する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばカメラに用いら
れる電子閃光装置（以下、フラッシュという）の充電回
路に関するものである。
れる電子閃光装置（以下、フラッシュという）の充電回
路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図７は、従来のフラッシュ充電回路の一
例を示したものである。この回路は、昇圧トランス１０
０、電源電池１０１、フラッシュ発光用のメインコンデ
ンサ１０２、ＦＥＴ（Field Effect Transistor）１０
３、及びダイオード１０４を備えている。上記ＦＥＴ１
０３のゲートＧには、駆動制御回路１０５から一定周波
数のパルス信号が入力され、これによりＦＥＴ１０３が
周期的にオン・オフすることにより、昇圧トランス１０
０の一次コイルＬ１への一次電圧Ｅ１の印加も周期的に
オンオフされ、二次コイルＬ２に交流二次電圧Ｖfが誘
起されるようになっている。
例を示したものである。この回路は、昇圧トランス１０
０、電源電池１０１、フラッシュ発光用のメインコンデ
ンサ１０２、ＦＥＴ（Field Effect Transistor）１０
３、及びダイオード１０４を備えている。上記ＦＥＴ１
０３のゲートＧには、駆動制御回路１０５から一定周波
数のパルス信号が入力され、これによりＦＥＴ１０３が
周期的にオン・オフすることにより、昇圧トランス１０
０の一次コイルＬ１への一次電圧Ｅ１の印加も周期的に
オンオフされ、二次コイルＬ２に交流二次電圧Ｖfが誘
起されるようになっている。
【０００３】この二次電圧Ｖfにより出力される交流二
次電流Ｉ２は、上記ダイオード１０４により整流されて
メインコンデンサ１０２に供給され、これによりメイン
コンデンサ１０２が間欠的に充電される。そして、この
メインコンデンサ１０２の充電電圧Ｖhが所定レベルに
達した時点で、上記駆動制御回路１０５による上記パル
ス信号の出力が停止され、充電動作が終了する。
次電流Ｉ２は、上記ダイオード１０４により整流されて
メインコンデンサ１０２に供給され、これによりメイン
コンデンサ１０２が間欠的に充電される。そして、この
メインコンデンサ１０２の充電電圧Ｖhが所定レベルに
達した時点で、上記駆動制御回路１０５による上記パル
ス信号の出力が停止され、充電動作が終了する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記充電回路におい
て、電池が消耗してその電圧が比較的低くなった状態で
は、急激な昇圧動作を行うと電池電圧が急激に落ち込
み、カメラにおける他の回路への電源供給に支障が生ず
るおそれがある。このような電池電圧降下を防ぐには、
ＦＥＴ１０３のオン時間を短く設定する（すなわち駆動
制御回路１０５からＦＥＴ１０３へ出力されるデューテ
ィ比を小さく設定する）ことが考えられるが、このよう
な設定では常に充電時間が長くなり、素早い充電が全く
不可能になる。
て、電池が消耗してその電圧が比較的低くなった状態で
は、急激な昇圧動作を行うと電池電圧が急激に落ち込
み、カメラにおける他の回路への電源供給に支障が生ず
るおそれがある。このような電池電圧降下を防ぐには、
ＦＥＴ１０３のオン時間を短く設定する（すなわち駆動
制御回路１０５からＦＥＴ１０３へ出力されるデューテ
ィ比を小さく設定する）ことが考えられるが、このよう
な設定では常に充電時間が長くなり、素早い充電が全く
不可能になる。
【０００５】なお、特公平５−２２８９１号公報では、
マイコン電圧や電池電圧が低い場合に昇圧回路を断続的
に作動させ、断続充電を行うようにしたものが示されて
いるが、この回路でも、電池電圧が最も降下しやすい充
電開始時での電池電圧の落ち込みを効果的に防ぐことは
困難である。
マイコン電圧や電池電圧が低い場合に昇圧回路を断続的
に作動させ、断続充電を行うようにしたものが示されて
いるが、この回路でも、電池電圧が最も降下しやすい充
電開始時での電池電圧の落ち込みを効果的に防ぐことは
困難である。
【０００６】本発明は、このような事情に鑑み、充電時
間の短縮を図りながら電池電圧の落ち込みを未然に防止
できるフラッシュ充電回路を提供することを目的とす
る。
間の短縮を図りながら電池電圧の落ち込みを未然に防止
できるフラッシュ充電回路を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、フラッシュ発
光用のメインコンデンサを充電するフラッシュ充電回路
において、電池により一次コイルに入力された電圧を昇
圧して二次コイルに出力する昇圧トランスと、上記一次
コイル側の回路に設けられ、入力電圧をオンオフするス
イッチ素子と、このスイッチ素子を周期的にオンオフ駆
動することにより上記昇圧トランスに昇圧動作を行わせ
る昇圧制御手段と、上記二次コイル側の回路に設けら
れ、上記二次コイルを流れる電流を整流して上記メイン
コンデンサに供給する整流手段とを備えるとともに、電
池電圧が予め設定された一定値未満の場合には電池電圧
が上記一定値以上の場合よりも上記スイッチ素子のオン
時間を短くするように上記昇圧制御手段を構成したもの
である（請求項１）。
光用のメインコンデンサを充電するフラッシュ充電回路
において、電池により一次コイルに入力された電圧を昇
圧して二次コイルに出力する昇圧トランスと、上記一次
コイル側の回路に設けられ、入力電圧をオンオフするス
イッチ素子と、このスイッチ素子を周期的にオンオフ駆
動することにより上記昇圧トランスに昇圧動作を行わせ
る昇圧制御手段と、上記二次コイル側の回路に設けら
れ、上記二次コイルを流れる電流を整流して上記メイン
コンデンサに供給する整流手段とを備えるとともに、電
池電圧が予め設定された一定値未満の場合には電池電圧
が上記一定値以上の場合よりも上記スイッチ素子のオン
時間を短くするように上記昇圧制御手段を構成したもの
である（請求項１）。
【０００８】ここで、上記電池電圧が上記一定値未満の
場合であっても、上記メインコンデンサの充電電圧が所
定値以上の場合には、充電電圧が所定値未満の場合より
も上記スイッチ素子のオン時間を長くするように上記昇
圧制御手段を構成するのが、より好ましい（請求項
２）。この場合、電池電圧が一定値未満で上記メインコ
ンデンサの充電電圧が所定値以上の時のスイッチ素子の
オン時間は、電池電圧が一定値以上の時のスイッチ素子
のオン時間と同等であってもよいし、異なっていてもよ
い。
場合であっても、上記メインコンデンサの充電電圧が所
定値以上の場合には、充電電圧が所定値未満の場合より
も上記スイッチ素子のオン時間を長くするように上記昇
圧制御手段を構成するのが、より好ましい（請求項
２）。この場合、電池電圧が一定値未満で上記メインコ
ンデンサの充電電圧が所定値以上の時のスイッチ素子の
オン時間は、電池電圧が一定値以上の時のスイッチ素子
のオン時間と同等であってもよいし、異なっていてもよ
い。
【０００９】
【作用】請求項１記載の回路では、昇圧制御手段による
スイッチ素子のオン・オフ駆動により、昇圧トランスに
印加される電池電圧が所定周期で断続され、これにより
二次コイルに電池電圧よりも大きい電圧値を有する交流
電圧が誘起される。この交流電圧により発生する電流
は、整流手段により整流されてメインコンデンサに供給
され、充電が行われる。
スイッチ素子のオン・オフ駆動により、昇圧トランスに
印加される電池電圧が所定周期で断続され、これにより
二次コイルに電池電圧よりも大きい電圧値を有する交流
電圧が誘起される。この交流電圧により発生する電流
は、整流手段により整流されてメインコンデンサに供給
され、充電が行われる。
【００１０】ここで、上記電池電圧が一定値未満の場
合、すなわち電池電圧の落ち込みが生じやすい場合に
は、上記スイッチ素子のオン時間が短く設定され、充電
速度が抑制されることにより、電池電圧の落ち込みが未
然に防がれる。一方、電池電圧が一定値以上の場合、す
なわち電池電圧の落ち込みが生じにくい場合には、上記
スイッチ素子のオン時間が長く設定されることにより、
充電時間が短縮される。
合、すなわち電池電圧の落ち込みが生じやすい場合に
は、上記スイッチ素子のオン時間が短く設定され、充電
速度が抑制されることにより、電池電圧の落ち込みが未
然に防がれる。一方、電池電圧が一定値以上の場合、す
なわち電池電圧の落ち込みが生じにくい場合には、上記
スイッチ素子のオン時間が長く設定されることにより、
充電時間が短縮される。
【００１１】さらに、請求項２記載の回路によれば、電
池電圧が一定値未満の場合であっても、充電電圧が既に
所定値以上に達している場合、すなわち充電負荷が軽く
て電池電圧の落ち込みが生じにくい場合には、上記スイ
ッチ素子のオン時間が長く設定されることにより、さら
に充電時間が短縮される。
池電圧が一定値未満の場合であっても、充電電圧が既に
所定値以上に達している場合、すなわち充電負荷が軽く
て電池電圧の落ち込みが生じにくい場合には、上記スイ
ッチ素子のオン時間が長く設定されることにより、さら
に充電時間が短縮される。
【００１２】
【実施例】本発明の第１実施例を図１〜図４に基づいて
説明する。
説明する。
【００１３】図１に示すフラッシュ充電回路は、昇圧ト
ランス１０を備え、その一次コイルＬ１の両端には一次
コイル側回路Ｃ１が、二次コイルＬ２の両端には二次コ
イル側回路Ｃ２がそれぞれ接続されている。上記一次コ
イル側回路Ｃ１の途中には、ＭＯＳ型ＦＥＴからなる２
つのスイッチ素子１２，１４が設けられ、両スイッチ素
子１２，１４同士の間がアースされている。また、図略
の電池により上記一次コイルＬ１へ電圧（電池電圧）Ｖ
ｐが印加されるようになっている。
ランス１０を備え、その一次コイルＬ１の両端には一次
コイル側回路Ｃ１が、二次コイルＬ２の両端には二次コ
イル側回路Ｃ２がそれぞれ接続されている。上記一次コ
イル側回路Ｃ１の途中には、ＭＯＳ型ＦＥＴからなる２
つのスイッチ素子１２，１４が設けられ、両スイッチ素
子１２，１４同士の間がアースされている。また、図略
の電池により上記一次コイルＬ１へ電圧（電池電圧）Ｖ
ｐが印加されるようになっている。
【００１４】なお、上記電池として、例えばカメラでは
同カメラのメイン電源用の電池を利用すればよく、スイ
ッチ素子１２，１４としては、上記ＭＯＳ型ＦＥＴの
他、接合型ＦＥＴやシリコントランジスタといった種々
の半導体スイッチ素子等を代用してもよい。
同カメラのメイン電源用の電池を利用すればよく、スイ
ッチ素子１２，１４としては、上記ＭＯＳ型ＦＥＴの
他、接合型ＦＥＴやシリコントランジスタといった種々
の半導体スイッチ素子等を代用してもよい。
【００１５】上記二次コイル側回路Ｃ２の途中には、全
波整流手段として、例えば４個のダイオードＤ１〜Ｄ４
からなるダイオードブリッジ回路１６が設けられ、この
ダイオードブリッジ回路１６の出力端とアースとの間
に、ダイオード１８及びフラッシュ充電用のメインコン
デンサ２０が設けられている。
波整流手段として、例えば４個のダイオードＤ１〜Ｄ４
からなるダイオードブリッジ回路１６が設けられ、この
ダイオードブリッジ回路１６の出力端とアースとの間
に、ダイオード１８及びフラッシュ充電用のメインコン
デンサ２０が設けられている。
【００１６】上記電池電圧Ｖｐ、及びメインコンデンサ
２０による充電電圧Ｖｃは、それぞれＡ／Ｄコンバータ
２２，２４を介してＣＰＵ（昇圧制御手段）２６に入力
されるようになっている。このＣＰＵ２６は、ＦＥＴ１
２，１４の各ゲートＧ１，Ｇ２に適宜パルス信号を入力
することによりＦＥＴ１２，１４をオンオフ駆動すると
ともに、上記各電圧Ｖｐ，Ｖｃに応じて次のような制御
を行うように構成されている。 ａ）電池電圧Ｖｐが予め設定された一定値Ｖpo未満であ
り、かつ、充電電圧Ｖｃが所定値Ｖco未満である場合：
ＦＥＴ１２のゲートＧ１にのみパルス信号を出力してＦ
ＥＴ１２のみをオンオフ駆動する、いわゆるシングル制
御を行う。 ｂ）電池電圧Ｖｐが上記一定値Ｖpo以上である場合、も
しくは充電電圧Ｖｃが上記所定値Ｖco以上である場合：
両ＦＥＴ１２，１４のゲートＧ１，Ｇ２に対し、図２に
示すように相互位相を逆にして（すなわち一方の信号が
オンの時に他方の信号をオフにしながら）パルス信号を
出力し、ＦＥＴ１２，１４をオンオフ駆動する、いわゆ
るプッシュプル制御を行う。次に、この回路の作用を説
明する。
２０による充電電圧Ｖｃは、それぞれＡ／Ｄコンバータ
２２，２４を介してＣＰＵ（昇圧制御手段）２６に入力
されるようになっている。このＣＰＵ２６は、ＦＥＴ１
２，１４の各ゲートＧ１，Ｇ２に適宜パルス信号を入力
することによりＦＥＴ１２，１４をオンオフ駆動すると
ともに、上記各電圧Ｖｐ，Ｖｃに応じて次のような制御
を行うように構成されている。 ａ）電池電圧Ｖｐが予め設定された一定値Ｖpo未満であ
り、かつ、充電電圧Ｖｃが所定値Ｖco未満である場合：
ＦＥＴ１２のゲートＧ１にのみパルス信号を出力してＦ
ＥＴ１２のみをオンオフ駆動する、いわゆるシングル制
御を行う。 ｂ）電池電圧Ｖｐが上記一定値Ｖpo以上である場合、も
しくは充電電圧Ｖｃが上記所定値Ｖco以上である場合：
両ＦＥＴ１２，１４のゲートＧ１，Ｇ２に対し、図２に
示すように相互位相を逆にして（すなわち一方の信号が
オンの時に他方の信号をオフにしながら）パルス信号を
出力し、ＦＥＴ１２，１４をオンオフ駆動する、いわゆ
るプッシュプル制御を行う。次に、この回路の作用を説
明する。
【００１７】フラッシュ充電の指令が入力された時点
で、電池の消耗が少なくて電池電圧Ｖｐが一定値Ｖpo以
上である場合には、ＣＰＵ２６は、デューティ比５０％
で一定設定周波数のパルス列信号を生成し、相互位相を
反転してＦＥＴ１２，１４の各ゲートＧ１，Ｇ２に出力
する。これにより、ＦＥＴ１２，１４は交互にオン・オ
フ駆動される。
で、電池の消耗が少なくて電池電圧Ｖｐが一定値Ｖpo以
上である場合には、ＣＰＵ２６は、デューティ比５０％
で一定設定周波数のパルス列信号を生成し、相互位相を
反転してＦＥＴ１２，１４の各ゲートＧ１，Ｇ２に出力
する。これにより、ＦＥＴ１２，１４は交互にオン・オ
フ駆動される。
【００１８】すなわち、ＦＥＴ１２がオンの期間では、
ＦＥＴ１４がオフとされるので、この期間では一次コイ
ルＬ１からＦＥＴ１２に向かう方向に一次電流ｉ1が流
れる。このため、二次コイルＬ２には同コイルＬ２から
ダイオードＤ１，Ｄ２同士の接続点へ二次電流Ｉ1を流
す向きの二次電圧が誘起され、上記二次電流Ｉ1はダイ
オードブリッジ回路１６で全波整流されてからメインコ
ンデンサ２０に入力される。
ＦＥＴ１４がオフとされるので、この期間では一次コイ
ルＬ１からＦＥＴ１２に向かう方向に一次電流ｉ1が流
れる。このため、二次コイルＬ２には同コイルＬ２から
ダイオードＤ１，Ｄ２同士の接続点へ二次電流Ｉ1を流
す向きの二次電圧が誘起され、上記二次電流Ｉ1はダイ
オードブリッジ回路１６で全波整流されてからメインコ
ンデンサ２０に入力される。
【００１９】一方、ＦＥＴ１２がオフの期間では、ＦＥ
Ｔ１４がオンとされるので、この期間では一次コイルＬ
１からＦＥＴ１４に向かう方向に一次電流ｉ2が流れ
る。このため、二次コイルＬ２には同コイルＬ２からダ
イオードＤ３，Ｄ４同士の接続点へ二次電流Ｉ2を流す
向きの二次電圧が誘起され、上記二次電流Ｉ2はダイオ
ードブリッジ回路１６で全波整流されてからメインコン
デンサ２０に入力される。
Ｔ１４がオンとされるので、この期間では一次コイルＬ
１からＦＥＴ１４に向かう方向に一次電流ｉ2が流れ
る。このため、二次コイルＬ２には同コイルＬ２からダ
イオードＤ３，Ｄ４同士の接続点へ二次電流Ｉ2を流す
向きの二次電圧が誘起され、上記二次電流Ｉ2はダイオ
ードブリッジ回路１６で全波整流されてからメインコン
デンサ２０に入力される。
【００２０】従って、ＦＥＴ１２，１４が交互にオン・
オフ駆動されることにより、二次コイルＬ２の両端に正
負の二次電圧が交互に誘起され、この二次電圧により発
生する二次電流Ｉ1，Ｉ2はダイオードブリッジ回路１６
により全波整流されて連続的にメインコンデンサ２０に
供給される。これら二次電流Ｉ1，Ｉ2の連続供給により
メインコンデンサ２０に電荷が蓄積され、その充電電圧
Ｖｃが素早く増加する。そして、この充電電圧Ｖｃが所
定の最終電圧に達した時点で、ＣＰＵ２６は、充電が完
了したと判断してパルス信号の出力を停止し、充電動作
を終了する。
オフ駆動されることにより、二次コイルＬ２の両端に正
負の二次電圧が交互に誘起され、この二次電圧により発
生する二次電流Ｉ1，Ｉ2はダイオードブリッジ回路１６
により全波整流されて連続的にメインコンデンサ２０に
供給される。これら二次電流Ｉ1，Ｉ2の連続供給により
メインコンデンサ２０に電荷が蓄積され、その充電電圧
Ｖｃが素早く増加する。そして、この充電電圧Ｖｃが所
定の最終電圧に達した時点で、ＣＰＵ２６は、充電が完
了したと判断してパルス信号の出力を停止し、充電動作
を終了する。
【００２１】これに対し、上記フラッシュ充電指令の入
力時点でかなり電池が消耗されており、電池電圧Ｖｐが
一定値Ｖpo未満である場合には、ＣＰＵ２６は、デュー
ティ比５０％で一定設定周波数のパルス列信号をＦＥＴ
１２のゲートＧ１にのみ出力する。これにより、ＦＥＴ
１２のみがオンオフ駆動され、ＦＥＴ１４はオフ状態に
維持される。
力時点でかなり電池が消耗されており、電池電圧Ｖｐが
一定値Ｖpo未満である場合には、ＣＰＵ２６は、デュー
ティ比５０％で一定設定周波数のパルス列信号をＦＥＴ
１２のゲートＧ１にのみ出力する。これにより、ＦＥＴ
１２のみがオンオフ駆動され、ＦＥＴ１４はオフ状態に
維持される。
【００２２】従ってこの場合には、ＦＥＴ１２のオン期
間にのみ二次コイルＬ２に二次電圧が誘起され、メイン
コンデンサ２０での充電が行われる。このようなシング
ル制御により、ＦＥＴ１２，１４を交互にオンオフする
プッシュプル制御に比べて充電速度が抑えられ、急激な
昇圧動作による電池電圧Ｖｐの落ち込みが防がれる。
間にのみ二次コイルＬ２に二次電圧が誘起され、メイン
コンデンサ２０での充電が行われる。このようなシング
ル制御により、ＦＥＴ１２，１４を交互にオンオフする
プッシュプル制御に比べて充電速度が抑えられ、急激な
昇圧動作による電池電圧Ｖｐの落ち込みが防がれる。
【００２３】このようにして充電がゆっくり行われるう
ち、充電電圧Ｖｃが上記最終電圧よりも低い所定電圧Ｖ
coに到達した時点、すなわち、充電負荷がかなり軽減さ
れて電池電圧Ｖｐの落ち込みが生じにくくなった時点
で、ＣＰＵ２６はシングル制御から上記プッシュプル制
御に切換え、メインコンデンサ２０への充電速度をアッ
プする。そして、上記最終電圧に達した時点でパルス信
号の出力を停止し、充電動作を終了する。
ち、充電電圧Ｖｃが上記最終電圧よりも低い所定電圧Ｖ
coに到達した時点、すなわち、充電負荷がかなり軽減さ
れて電池電圧Ｖｐの落ち込みが生じにくくなった時点
で、ＣＰＵ２６はシングル制御から上記プッシュプル制
御に切換え、メインコンデンサ２０への充電速度をアッ
プする。そして、上記最終電圧に達した時点でパルス信
号の出力を停止し、充電動作を終了する。
【００２４】以上のように、この実施例の回路は、原則
として、電池電圧Ｖｐが一定値Ｖpo未満の場合、すなわ
ち比較的電池電圧Ｖｐの落ち込みが発生しやすい場合に
は、いわゆるシングル制御を行って両ＦＥＴ１２，１４
の総合オン時間を減らす一方、電池電圧Ｖｐが一定値Ｖ
po以上の場合、すなわち比較的電池電圧Ｖｐの落ち込み
が生じにくい場合には、いわゆるプッシュプル制御を行
って両ＦＥＴ１２，１４の総合オン時間を長くするよう
にしたものであるので、電池電圧Ｖｐが比較的高い状態
で充電時間の短縮を図りながら、電池電圧Ｖｐが比較的
低いときの該電池電圧Ｖｐの落ち込みを未然に防ぐこと
ができる。
として、電池電圧Ｖｐが一定値Ｖpo未満の場合、すなわ
ち比較的電池電圧Ｖｐの落ち込みが発生しやすい場合に
は、いわゆるシングル制御を行って両ＦＥＴ１２，１４
の総合オン時間を減らす一方、電池電圧Ｖｐが一定値Ｖ
po以上の場合、すなわち比較的電池電圧Ｖｐの落ち込み
が生じにくい場合には、いわゆるプッシュプル制御を行
って両ＦＥＴ１２，１４の総合オン時間を長くするよう
にしたものであるので、電池電圧Ｖｐが比較的高い状態
で充電時間の短縮を図りながら、電池電圧Ｖｐが比較的
低いときの該電池電圧Ｖｐの落ち込みを未然に防ぐこと
ができる。
【００２５】さらに、上記電池電圧Ｖｐが上記一定値Ｖ
po未満の場合であっても、上記メインコンデンサ２０の
充電電圧Ｖｃが所定値Ｖco以上の場合、すなわち充電負
荷が比較的軽い状態にある場合には、上記プッシュプル
制御を行って両ＦＥＴ１２，１４の総合オン時間を長く
確保するようにしているので、充電時間をより短縮する
ことが可能となっている。
po未満の場合であっても、上記メインコンデンサ２０の
充電電圧Ｖｃが所定値Ｖco以上の場合、すなわち充電負
荷が比較的軽い状態にある場合には、上記プッシュプル
制御を行って両ＦＥＴ１２，１４の総合オン時間を長く
確保するようにしているので、充電時間をより短縮する
ことが可能となっている。
【００２６】図４は、電池電圧Ｖｐが一定値Ｖpo未満の
場合において、図３に示すように、充電電圧Ｖｃが０か
ら所定値Ｖco（＜最終電圧）に至る時点ｔｏまでの期間
ではシングル制御を行い、上記時点ｔｏ以降はプッシュ
プル制御を行った時の電池電圧Ｖｐの時間変化を実線で
示したものである。この図に示されるように、上記時点
ｔｏに至るまでの期間はシングル制御を行うことによ
り、同期間でプッシュプル制御を行う場合（図４に二点
鎖線で図示）よりも充填開始時の電池電圧ＶｐをΔＶだ
け高く維持することが可能となっている。
場合において、図３に示すように、充電電圧Ｖｃが０か
ら所定値Ｖco（＜最終電圧）に至る時点ｔｏまでの期間
ではシングル制御を行い、上記時点ｔｏ以降はプッシュ
プル制御を行った時の電池電圧Ｖｐの時間変化を実線で
示したものである。この図に示されるように、上記時点
ｔｏに至るまでの期間はシングル制御を行うことによ
り、同期間でプッシュプル制御を行う場合（図４に二点
鎖線で図示）よりも充填開始時の電池電圧ＶｐをΔＶだ
け高く維持することが可能となっている。
【００２７】次に、第２実施例を図５に基づいて説明す
る。この実施例では、前記第１実施例で示したＦＥＴ１
４を省略し、ＦＥＴ１２のみをオンオフ駆動するシング
ル制御を常時実行するとともに、電池電圧Ｖｐが一定値
未満の場合には比較的低いデューティ比（例えば３３
％）のパルス信号をゲートＧ１に出力し、電池電圧Ｖｐ
が上記一定値以上の場合には比較的高いデューティ比
（例えば５０％）のパルス信号をゲートＧ１に出力する
ように、ＣＰＵ２６が構成されている。
る。この実施例では、前記第１実施例で示したＦＥＴ１
４を省略し、ＦＥＴ１２のみをオンオフ駆動するシング
ル制御を常時実行するとともに、電池電圧Ｖｐが一定値
未満の場合には比較的低いデューティ比（例えば３３
％）のパルス信号をゲートＧ１に出力し、電池電圧Ｖｐ
が上記一定値以上の場合には比較的高いデューティ比
（例えば５０％）のパルス信号をゲートＧ１に出力する
ように、ＣＰＵ２６が構成されている。
【００２８】このようにデューティ比の設定でＦＥＴの
オン時間を変化させることにより、シングル制御であっ
ても、電池電圧Ｖｐの落ち込みを防ぎながら充電時間の
短縮化を図るという効果を得ることが可能である。
オン時間を変化させることにより、シングル制御であっ
ても、電池電圧Ｖｐの落ち込みを防ぎながら充電時間の
短縮化を図るという効果を得ることが可能である。
【００２９】また、常時ＦＥＴ１２，１４のプッシュプ
ル制御を行う場合でも、第３実施例として図６に示すよ
うに、電池電圧Ｖｐが一定値以上の場合には同図（ａ）
のように各ゲートＧ１，Ｇ２へのパルス信号のデューテ
ィ比を大きく設定し、電池電圧Ｖｐが一定値未満の場合
には同図（ｂ）のように各ゲートＧ１，Ｇ２へのパルス
信号のデューティ比を小さく設定することにより、前記
第１実施例及び第２実施例と同様の効果を得ることが可
能である。
ル制御を行う場合でも、第３実施例として図６に示すよ
うに、電池電圧Ｖｐが一定値以上の場合には同図（ａ）
のように各ゲートＧ１，Ｇ２へのパルス信号のデューテ
ィ比を大きく設定し、電池電圧Ｖｐが一定値未満の場合
には同図（ｂ）のように各ゲートＧ１，Ｇ２へのパルス
信号のデューティ比を小さく設定することにより、前記
第１実施例及び第２実施例と同様の効果を得ることが可
能である。
【００３０】また、前記第２実施例及び第３実施例にお
いても、前記第１実施例と同様、充電電圧Ｖｃが比較的
高い場合には同電圧Ｖｃが低い場合よりもデューティ比
を高めることにより、充電時間をさらに短縮できること
は、いうまでもない。この場合、電池電圧Ｖｐが低くか
つ充電電圧Ｖｃが高い場合のデューティ比は、電池電圧
Ｖｐが高い場合のデューティ比と必ずしも一致していな
くても良く、これらの場合のデューティ比を、電池電圧
Ｖｐ及び充電電圧Ｖｃの双方が低い場合のデューティ比
よりも大きく設定しさえすればよい。
いても、前記第１実施例と同様、充電電圧Ｖｃが比較的
高い場合には同電圧Ｖｃが低い場合よりもデューティ比
を高めることにより、充電時間をさらに短縮できること
は、いうまでもない。この場合、電池電圧Ｖｐが低くか
つ充電電圧Ｖｃが高い場合のデューティ比は、電池電圧
Ｖｐが高い場合のデューティ比と必ずしも一致していな
くても良く、これらの場合のデューティ比を、電池電圧
Ｖｐ及び充電電圧Ｖｃの双方が低い場合のデューティ比
よりも大きく設定しさえすればよい。
【００３１】
【発明の効果】以上のように本発明は、昇圧トランスの
一次コイル側回路にスイッチ素子を設け、このスイッチ
素子のオンオフ駆動により上記昇圧トランスの二次コイ
ル側回路に二次電圧を発生させてフラッシュ発光用のメ
インコンデンサを充電するとともに、電池電圧が一定値
未満の場合、すなわち比較的電池電圧の落ち込みが発生
しやすい場合には、電池電圧が一定値以上の場合、すな
わち比較的電池電圧の落ち込みが生じにくい場合よりも
上記スイッチ素子のオン時間を短くするようにしたもの
であるので、充電時間の短縮を図りながら電池電圧の落
ち込みを未然に防ぐことができる効果がある。
一次コイル側回路にスイッチ素子を設け、このスイッチ
素子のオンオフ駆動により上記昇圧トランスの二次コイ
ル側回路に二次電圧を発生させてフラッシュ発光用のメ
インコンデンサを充電するとともに、電池電圧が一定値
未満の場合、すなわち比較的電池電圧の落ち込みが発生
しやすい場合には、電池電圧が一定値以上の場合、すな
わち比較的電池電圧の落ち込みが生じにくい場合よりも
上記スイッチ素子のオン時間を短くするようにしたもの
であるので、充電時間の短縮を図りながら電池電圧の落
ち込みを未然に防ぐことができる効果がある。
【００３２】さらに、請求項２記載の回路では、上記電
池電圧が上記一定値未満の場合であっても、上記メイン
コンデンサの充電電圧が所定値以上の場合、すなわち充
電負荷が比較的軽い状態にある場合には、充電電圧が上
記所定値未満の場合よりも上記スイッチ素子のオン時間
を長くするようにしているので、さらに充電時間を短縮
できる効果がある。
池電圧が上記一定値未満の場合であっても、上記メイン
コンデンサの充電電圧が所定値以上の場合、すなわち充
電負荷が比較的軽い状態にある場合には、充電電圧が上
記所定値未満の場合よりも上記スイッチ素子のオン時間
を長くするようにしているので、さらに充電時間を短縮
できる効果がある。
【図１】本発明の第１実施例におけるフラッシュ充電回
路を示す回路図である。
路を示す回路図である。
【図２】上記実施例において各ゲートに出力されるパル
ス信号を示す波形図である。
ス信号を示す波形図である。
【図３】上記実施例における充電電圧の時間変化を示す
グラフである。
グラフである。
【図４】上記実施例における電池電圧の時間変化を示す
グラフである。
グラフである。
【図５】本発明の第２実施例におけるフラッシュ充電回
路を示す回路図である。
路を示す回路図である。
【図６】（ａ）は本発明の第３実施例において電池電圧
が高い場合に各ゲートに出力されるパルス信号の波形
図、（ｂ）は同実施例において電池電圧が低い場合に各
ゲートに出力されるパルス信号の波形図である。
が高い場合に各ゲートに出力されるパルス信号の波形
図、（ｂ）は同実施例において電池電圧が低い場合に各
ゲートに出力されるパルス信号の波形図である。
【図７】従来のフラッシュ充電回路の一例を示す回路図
である。
である。
【符号の説明】 １０ 昇圧トランス １２，１４ ＦＥＴ １６ ダイオードブリッジ回路（整流手段） ２０ メインコンデンサ ２２，２４ Ａ／Ｄコンバータ ２６ ＣＰＵ（昇圧制御手段） Ｃ１ 一次コイル側回路 Ｃ２ 二次コイル側回路 Ｌ１ 一次コイル Ｌ２ 二次コイル
Claims (2)
- 【請求項１】 フラッシュ発光用のメインコンデンサを
充電するフラッシュ充電回路において、電池により一次
コイルに入力された電圧を昇圧して二次コイルに出力す
る昇圧トランスと、上記一次コイル側の回路に設けら
れ、入力電圧をオンオフするスイッチ素子と、このスイ
ッチ素子を周期的にオンオフ駆動することにより上記昇
圧トランスに昇圧動作を行わせる昇圧制御手段と、上記
二次コイル側の回路に設けられ、上記二次コイルを流れ
る電流を整流して上記メインコンデンサに供給する整流
手段とを備えるとともに、電池電圧が予め設定された一
定値未満の場合には電池電圧が上記一定値以上の場合よ
りも上記スイッチ素子のオン時間を短くするように上記
昇圧制御手段を構成したことを特徴とするフラッシュ充
電回路。 - 【請求項２】 請求項１記載のフラッシュ充電回路にお
いて、上記電池電圧が上記一定値未満の場合であっても
上記メインコンデンサの充電電圧が所定値以上の場合に
は充電電圧が所定値未満の場合よりも上記スイッチ素子
のオン時間を長くするように上記昇圧制御手段を構成し
たことを特徴とするフラッシュ充電回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7012498A JPH08203688A (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | フラッシュ充電回路 |
| US08/593,459 US6546205B1 (en) | 1995-01-30 | 1996-01-29 | Charging circuit and accompanying equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7012498A JPH08203688A (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | フラッシュ充電回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08203688A true JPH08203688A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=11807046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7012498A Pending JPH08203688A (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | フラッシュ充電回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6546205B1 (ja) |
| JP (1) | JPH08203688A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016027775A (ja) * | 2014-06-27 | 2016-02-18 | サンケン電気株式会社 | スイッチング電源装置 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3541420A (en) * | 1968-03-27 | 1970-11-17 | Motorola Inc | Voltage converter and regulator |
| DE2626673A1 (de) * | 1976-06-15 | 1977-12-29 | Rollei Werke Franke Heidecke | Elektronenblitzgeraet mit blitzbereitschaftsanzeige |
| US4150306A (en) * | 1976-07-16 | 1979-04-17 | Siemens Aktiengesellschaft | Blocking converter for flash equipment |
| JPS54163026A (en) * | 1978-06-14 | 1979-12-25 | Canon Inc | Power circuit of flash device |
| JPS5846331A (ja) * | 1981-09-16 | 1983-03-17 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 電子閃光装置 |
| US4566769A (en) * | 1982-12-29 | 1986-01-28 | Olympus Optical Co., Ltd. | Power supply unit for electronic flash |
| JPS62164323U (ja) * | 1986-04-08 | 1987-10-19 | ||
| EP0272701B1 (en) * | 1986-12-23 | 1993-04-21 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Apparatus for controlling charging of main capacitor of flash unit |
| JP2691279B2 (ja) * | 1988-04-18 | 1997-12-17 | 富士写真光機株式会社 | ストロボ装置付カメラ |
| US5045876A (en) * | 1988-08-03 | 1991-09-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Camera with flash device |
| DE4008384C2 (de) * | 1989-03-15 | 1997-04-03 | Asahi Optical Co Ltd | Verfahren zum Laden des Blitzkondensators eines Blitzlichtgeräts |
| JP3120864B2 (ja) * | 1991-02-07 | 2000-12-25 | 旭光学工業株式会社 | フラッシュ装置の充電制御装置 |
| JP2970881B2 (ja) * | 1991-03-19 | 1999-11-02 | オリンパス光学工業株式会社 | 閃光発光装置 |
| JP2995113B2 (ja) * | 1991-08-23 | 1999-12-27 | コニカ株式会社 | 閃光発光回路 |
| JP2587890Y2 (ja) * | 1992-11-10 | 1998-12-24 | 株式会社ニコン | 電子閃光装置 |
| FR2707051B1 (ja) * | 1993-06-10 | 1996-03-08 | Matsushita Electric Works Ltd | |
| US5717308A (en) * | 1995-10-20 | 1998-02-10 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Electric-supply equipment for camera |
-
1995
- 1995-01-30 JP JP7012498A patent/JPH08203688A/ja active Pending
-
1996
- 1996-01-29 US US08/593,459 patent/US6546205B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6546205B1 (en) | 2003-04-08 |
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