JPH08203689A - フラッシュ充電回路 - Google Patents
フラッシュ充電回路Info
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- JPH08203689A JPH08203689A JP1249995A JP1249995A JPH08203689A JP H08203689 A JPH08203689 A JP H08203689A JP 1249995 A JP1249995 A JP 1249995A JP 1249995 A JP1249995 A JP 1249995A JP H08203689 A JPH08203689 A JP H08203689A
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- Discharge-Lamp Control Circuits And Pulse- Feed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 充電時間の短縮を図りながら電池電圧の落ち
込みを防ぐ。 【構成】 昇圧トランス１０の一次コイル側回路Ｃ１に
ＦＥＴ１２，１４等のスイッチ素子を設け、そのオンオ
フにより二次コイル側回路Ｃ２に二次電流を誘起し、メ
インコンデンサ２０に充電する。ＣＰＵ２６は、電池電
圧Ｖｐが一定値を超える場合やＦＥＴ１２，１４等の温
度が高い場合には、電池電圧Ｖｐが一定値以下の場合や
ＦＥＴ１２，１４等の温度が低い場合よりも上記スイッ
チ素子のオン時間を短くし、これによりＦＥＴ１２，１
４の発熱を抑える。
込みを防ぐ。 【構成】 昇圧トランス１０の一次コイル側回路Ｃ１に
ＦＥＴ１２，１４等のスイッチ素子を設け、そのオンオ
フにより二次コイル側回路Ｃ２に二次電流を誘起し、メ
インコンデンサ２０に充電する。ＣＰＵ２６は、電池電
圧Ｖｐが一定値を超える場合やＦＥＴ１２，１４等の温
度が高い場合には、電池電圧Ｖｐが一定値以下の場合や
ＦＥＴ１２，１４等の温度が低い場合よりも上記スイッ
チ素子のオン時間を短くし、これによりＦＥＴ１２，１
４の発熱を抑える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばカメラに用いら
れる電子閃光装置（以下、フラッシュという）の充電回
路に関するものである。
れる電子閃光装置（以下、フラッシュという）の充電回
路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図７は、従来のフラッシュ充電回路の一
例を示したものである。この回路は、昇圧トランス１０
０、電源電池１０１、フラッシュ発光用のメインコンデ
ンサ１０２、ＦＥＴ（Field Effect Transistor）１０
３、及びダイオード１０４を備えている。上記ＦＥＴ１
０３のゲートＧには、駆動制御回路１０５から一定周波
数のパルス信号が入力され、これによりＦＥＴ１０３が
周期的にオン・オフすることにより、昇圧トランス１０
０の一次コイルＬ１への一次電圧Ｅ１の印加も周期的に
オンオフされ、二次コイルＬ２に交流二次電圧Ｖfが誘
起されるようになっている。
例を示したものである。この回路は、昇圧トランス１０
０、電源電池１０１、フラッシュ発光用のメインコンデ
ンサ１０２、ＦＥＴ（Field Effect Transistor）１０
３、及びダイオード１０４を備えている。上記ＦＥＴ１
０３のゲートＧには、駆動制御回路１０５から一定周波
数のパルス信号が入力され、これによりＦＥＴ１０３が
周期的にオン・オフすることにより、昇圧トランス１０
０の一次コイルＬ１への一次電圧Ｅ１の印加も周期的に
オンオフされ、二次コイルＬ２に交流二次電圧Ｖfが誘
起されるようになっている。
【０００３】この二次電圧Ｖfにより出力される交流二
次電流Ｉ２は、上記ダイオード１０４により整流されて
メインコンデンサ１０２に供給され、これによりメイン
コンデンサ１０２が間欠的に充電される。そして、この
メインコンデンサ１０２の充電電圧Ｖhが所定レベルに
達した時点で、上記駆動制御回路１０５による上記パル
ス信号の出力が停止され、充電動作が終了する。
次電流Ｉ２は、上記ダイオード１０４により整流されて
メインコンデンサ１０２に供給され、これによりメイン
コンデンサ１０２が間欠的に充電される。そして、この
メインコンデンサ１０２の充電電圧Ｖhが所定レベルに
達した時点で、上記駆動制御回路１０５による上記パル
ス信号の出力が停止され、充電動作が終了する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記充電回路では、上
記ＦＥＴ１０３をはじめとするスイッチ素子の温度上昇
をいかに避けるかが大きな課題となる。特に、電池を新
品のものに交換した直後では、電池電圧が通常の使用電
圧よりも高い場合があり、このような場合には上記ＦＥ
Ｔ１０３の温度上昇が著しく、その性能に悪影響を与え
るおそれがある。
記ＦＥＴ１０３をはじめとするスイッチ素子の温度上昇
をいかに避けるかが大きな課題となる。特に、電池を新
品のものに交換した直後では、電池電圧が通常の使用電
圧よりも高い場合があり、このような場合には上記ＦＥ
Ｔ１０３の温度上昇が著しく、その性能に悪影響を与え
るおそれがある。
【０００５】従来、このような温度上昇を防ぐ手段とし
て、特別な放熱材等を設けてＦＥＴ１０３等の放熱を促
すことが行われているが、このような手段ではＦＥＴ１
０３の昇温の原因であるＦＥＴ１０３等の発熱自体を積
極的に抑えることはできず、コストの増大や構造の複雑
化、大型化を招く不都合がある。
て、特別な放熱材等を設けてＦＥＴ１０３等の放熱を促
すことが行われているが、このような手段ではＦＥＴ１
０３の昇温の原因であるＦＥＴ１０３等の発熱自体を積
極的に抑えることはできず、コストの増大や構造の複雑
化、大型化を招く不都合がある。
【０００６】また、ＦＥＴ１０３等の発熱を抑える手段
としては、そのオン時間を短く設定する（すなわち駆動
制御回路１０５からＦＥＴ１０３に出力されるパルス信
号のデューティ比を小さく設定する）ことが考えられる
が、このような設定では常に充電時間が長くなり、迅速
な充電が全く不可能になる。
としては、そのオン時間を短く設定する（すなわち駆動
制御回路１０５からＦＥＴ１０３に出力されるパルス信
号のデューティ比を小さく設定する）ことが考えられる
が、このような設定では常に充電時間が長くなり、迅速
な充電が全く不可能になる。
【０００７】本発明は、このような事情に鑑み、迅速な
充電を図りながらスイッチ素子の昇温を効果的に抑制で
きるフラッシュ充電回路を提供することを目的とする。
充電を図りながらスイッチ素子の昇温を効果的に抑制で
きるフラッシュ充電回路を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、フラッシュ発
光用のメインコンデンサを充電するフラッシュ充電回路
において、電池により一次コイルに入力された電圧を昇
圧して二次コイルに出力する昇圧トランスと、上記一次
コイル側の回路に設けられ、入力電圧をオンオフするス
イッチ素子と、このスイッチ素子を周期的にオンオフ駆
動することにより上記昇圧トランスに昇圧動作を行わせ
る昇圧制御手段と、上記二次コイル側の回路に設けら
れ、上記二次コイルを流れる電流を整流して上記メイン
コンデンサに供給する整流手段とを備えるとともに、電
池電圧が予め設定された一定値を超える場合には電池電
圧が上記一定値以下の場合よりも上記スイッチ素子のオ
ン時間を短くするように上記昇圧制御手段を構成したも
のである（請求項１）。
光用のメインコンデンサを充電するフラッシュ充電回路
において、電池により一次コイルに入力された電圧を昇
圧して二次コイルに出力する昇圧トランスと、上記一次
コイル側の回路に設けられ、入力電圧をオンオフするス
イッチ素子と、このスイッチ素子を周期的にオンオフ駆
動することにより上記昇圧トランスに昇圧動作を行わせ
る昇圧制御手段と、上記二次コイル側の回路に設けら
れ、上記二次コイルを流れる電流を整流して上記メイン
コンデンサに供給する整流手段とを備えるとともに、電
池電圧が予め設定された一定値を超える場合には電池電
圧が上記一定値以下の場合よりも上記スイッチ素子のオ
ン時間を短くするように上記昇圧制御手段を構成したも
のである（請求項１）。
【０００９】また本発明は、フラッシュ発光用のメイン
コンデンサを充電するフラッシュ充電回路において、電
池により一次コイルに入力された電圧を昇圧して二次コ
イルに出力する昇圧トランスと、上記一次コイル側の回
路に設けられ、入力電圧をオンオフするスイッチ素子
と、このスイッチ素子を周期的にオンオフ駆動すること
により上記昇圧トランスに昇圧動作を行わせる昇圧制御
手段と、上記二次コイル側の回路に設けられ、上記二次
コイルを流れる電流を整流して上記メインコンデンサに
供給する整流手段と、上記一次コイル側の回路の構成要
素の温度を検出する温度検出手段とを備えるとともに、
この温度検出手段により検出された温度が予め設定され
た一定値を超える場合には上記温度が上記一定値以下の
場合よりも上記スイッチ素子のオン時間を短くするよう
に上記昇圧制御手段を構成したものである（請求項
２）。
コンデンサを充電するフラッシュ充電回路において、電
池により一次コイルに入力された電圧を昇圧して二次コ
イルに出力する昇圧トランスと、上記一次コイル側の回
路に設けられ、入力電圧をオンオフするスイッチ素子
と、このスイッチ素子を周期的にオンオフ駆動すること
により上記昇圧トランスに昇圧動作を行わせる昇圧制御
手段と、上記二次コイル側の回路に設けられ、上記二次
コイルを流れる電流を整流して上記メインコンデンサに
供給する整流手段と、上記一次コイル側の回路の構成要
素の温度を検出する温度検出手段とを備えるとともに、
この温度検出手段により検出された温度が予め設定され
た一定値を超える場合には上記温度が上記一定値以下の
場合よりも上記スイッチ素子のオン時間を短くするよう
に上記昇圧制御手段を構成したものである（請求項
２）。
【００１０】
【作用】請求項１，２記載の回路では、昇圧制御手段に
よるスイッチ素子のオン・オフ駆動により、昇圧トラン
スに印加される電池電圧が所定周期で断続され、これに
より二次コイルに電池電圧よりも大きい電圧値を有する
交流電圧が誘起される。この交流電圧により発生する電
流は、整流手段により整流されてメインコンデンサに供
給され、充電が行われる。
よるスイッチ素子のオン・オフ駆動により、昇圧トラン
スに印加される電池電圧が所定周期で断続され、これに
より二次コイルに電池電圧よりも大きい電圧値を有する
交流電圧が誘起される。この交流電圧により発生する電
流は、整流手段により整流されてメインコンデンサに供
給され、充電が行われる。
【００１１】ここで、請求項１記載の回路では、上記電
池電圧が一定値を超える場合、すなわちスイッチ素子の
発熱量が多くなる場合には、上記スイッチ素子のオン時
間が短く設定されることにより、スイッチ素子の発熱が
抑制され、スイッチ素子の過度の昇温が回避される。一
方、電池電圧が一定値以下の場合、すなわちスイッチ素
子の発熱量が少ない場合には、このスイッチ素子のオン
時間が長く設定されることにより、迅速な充電がなされ
る。
池電圧が一定値を超える場合、すなわちスイッチ素子の
発熱量が多くなる場合には、上記スイッチ素子のオン時
間が短く設定されることにより、スイッチ素子の発熱が
抑制され、スイッチ素子の過度の昇温が回避される。一
方、電池電圧が一定値以下の場合、すなわちスイッチ素
子の発熱量が少ない場合には、このスイッチ素子のオン
時間が長く設定されることにより、迅速な充電がなされ
る。
【００１２】また、請求項２記載の回路では、一次コイ
ル側の回路の構成要素の温度（例えばスイッチ素子自身
の温度）が一定値を超える場合には、上記スイッチ素子
のオン時間が短く設定されることにより、スイッチ素子
の発熱が抑制され、スイッチ素子の過度の昇温が回避さ
れる。一方、電池電圧が一定値以下の場合、すなわちス
イッチ素子が発熱しにくい場合には、このスイッチ素子
のオン時間が長く設定されることにより、迅速な充電が
なされる。
ル側の回路の構成要素の温度（例えばスイッチ素子自身
の温度）が一定値を超える場合には、上記スイッチ素子
のオン時間が短く設定されることにより、スイッチ素子
の発熱が抑制され、スイッチ素子の過度の昇温が回避さ
れる。一方、電池電圧が一定値以下の場合、すなわちス
イッチ素子が発熱しにくい場合には、このスイッチ素子
のオン時間が長く設定されることにより、迅速な充電が
なされる。
【００１３】
【実施例】本発明の第１実施例を図１〜図３に基づいて
説明する。
説明する。
【００１４】図１に示すフラッシュ充電回路は、昇圧ト
ランス１０を備え、その一次コイルＬ１の両端には一次
コイル側回路Ｃ１が、二次コイルＬ２の両端には二次コ
イル側回路Ｃ２がそれぞれ接続されている。上記一次コ
イル側回路Ｃ１の途中には、ＭＯＳ型ＦＥＴからなる２
つのスイッチ素子１２，１４が設けられ、両スイッチ素
子１２，１４同士の間がアースされている。また、図略
の電池により上記一次コイルＬ１へ電圧（電池電圧）Ｖ
ｐが印加されるようになっている。
ランス１０を備え、その一次コイルＬ１の両端には一次
コイル側回路Ｃ１が、二次コイルＬ２の両端には二次コ
イル側回路Ｃ２がそれぞれ接続されている。上記一次コ
イル側回路Ｃ１の途中には、ＭＯＳ型ＦＥＴからなる２
つのスイッチ素子１２，１４が設けられ、両スイッチ素
子１２，１４同士の間がアースされている。また、図略
の電池により上記一次コイルＬ１へ電圧（電池電圧）Ｖ
ｐが印加されるようになっている。
【００１５】なお、上記電池として、例えばカメラでは
同カメラのメイン電源用の電池を利用すればよく、スイ
ッチ素子１２，１４としては、上記ＭＯＳ型ＦＥＴの
他、接合型ＦＥＴやシリコントランジスタといった種々
の半導体スイッチ素子等を代用してもよい。
同カメラのメイン電源用の電池を利用すればよく、スイ
ッチ素子１２，１４としては、上記ＭＯＳ型ＦＥＴの
他、接合型ＦＥＴやシリコントランジスタといった種々
の半導体スイッチ素子等を代用してもよい。
【００１６】上記二次コイル側回路Ｃ２の途中には、全
波整流手段として、例えば４個のダイオードＤ１〜Ｄ４
からなるダイオードブリッジ回路１６が設けられ、この
ダイオードブリッジ回路１６の出力端とアースとの間
に、ダイオード１８及びフラッシュ充電用のメインコン
デンサ２０が設けられている。
波整流手段として、例えば４個のダイオードＤ１〜Ｄ４
からなるダイオードブリッジ回路１６が設けられ、この
ダイオードブリッジ回路１６の出力端とアースとの間
に、ダイオード１８及びフラッシュ充電用のメインコン
デンサ２０が設けられている。
【００１７】上記電池電圧Ｖｐは、Ａ／Ｄコンバータ２
２を介してＣＰＵ（昇圧制御手段）２６に入力されるよ
うになっている。このＣＰＵ２６は、両ＦＥＴ１２，１
４のゲートＧ１，Ｇ２に対し、相互位相を逆にして（す
なわち一方の信号がオンの時に他方の信号をオフにしな
がら）パルス信号を出力し、ＦＥＴ１２，１４をオンオ
フ駆動する、いわゆるプッシュプル制御を行うものであ
る。さらに、この回路の特徴として、ＣＰＵ２６は、電
池電圧Ｖｐが予め設定された一定値Ｖpo以下の場合に
は、図２（ａ）に示すように上記パルス信号のデューテ
ィ比を比較的大きいデューティ比（図例では５０％）に
設定し、上記電池電圧Ｖｐが上記一定値Ｖpoを超える場
合には、同図（ｂ）に示すように上記パルス信号のデュ
ーティ比を比較的小さいデューティ比（図例では３３
％）に設定するように、構成されている。
２を介してＣＰＵ（昇圧制御手段）２６に入力されるよ
うになっている。このＣＰＵ２６は、両ＦＥＴ１２，１
４のゲートＧ１，Ｇ２に対し、相互位相を逆にして（す
なわち一方の信号がオンの時に他方の信号をオフにしな
がら）パルス信号を出力し、ＦＥＴ１２，１４をオンオ
フ駆動する、いわゆるプッシュプル制御を行うものであ
る。さらに、この回路の特徴として、ＣＰＵ２６は、電
池電圧Ｖｐが予め設定された一定値Ｖpo以下の場合に
は、図２（ａ）に示すように上記パルス信号のデューテ
ィ比を比較的大きいデューティ比（図例では５０％）に
設定し、上記電池電圧Ｖｐが上記一定値Ｖpoを超える場
合には、同図（ｂ）に示すように上記パルス信号のデュ
ーティ比を比較的小さいデューティ比（図例では３３
％）に設定するように、構成されている。
【００１８】次に、この回路の作用を説明する。
【００１９】フラッシュ充電の指令が入力された時点
で、電池電圧Ｖｐが一定値Ｖpo以下の通常使用範囲内に
ある場合には、ＣＰＵ２６は、デューティ比５０％で一
定設定周波数のパルス信号を生成し、相互位相を反転し
てＦＥＴ１２，１４の各ゲートＧ１，Ｇ２に出力する。
これにより、ＦＥＴ１２，１４は交互にオン・オフ駆動
される。
で、電池電圧Ｖｐが一定値Ｖpo以下の通常使用範囲内に
ある場合には、ＣＰＵ２６は、デューティ比５０％で一
定設定周波数のパルス信号を生成し、相互位相を反転し
てＦＥＴ１２，１４の各ゲートＧ１，Ｇ２に出力する。
これにより、ＦＥＴ１２，１４は交互にオン・オフ駆動
される。
【００２０】すなわち、ＦＥＴ１２がオンの期間では、
ＦＥＴ１４がオフとされるので、この期間では一次コイ
ルＬ１からＦＥＴ１２に向かう方向に一次電流ｉ1が流
れる。このため、二次コイルＬ２には同コイルＬ２から
ダイオードＤ１，Ｄ２同士の接続点へ二次電流Ｉ1を流
す向きの二次電圧が誘起され、上記二次電流Ｉ1はダイ
オードブリッジ回路１６で全波整流されてからメインコ
ンデンサ２０に入力される。
ＦＥＴ１４がオフとされるので、この期間では一次コイ
ルＬ１からＦＥＴ１２に向かう方向に一次電流ｉ1が流
れる。このため、二次コイルＬ２には同コイルＬ２から
ダイオードＤ１，Ｄ２同士の接続点へ二次電流Ｉ1を流
す向きの二次電圧が誘起され、上記二次電流Ｉ1はダイ
オードブリッジ回路１６で全波整流されてからメインコ
ンデンサ２０に入力される。
【００２１】一方、ＦＥＴ１２がオフの期間では、ＦＥ
Ｔ１４がオンとされるので、この期間では一次コイルＬ
１からＦＥＴ１４に向かう方向に一次電流ｉ2が流れ
る。このため、二次コイルＬ２には同コイルＬ２からダ
イオードＤ３，Ｄ４同士の接続点へ二次電流Ｉ2を流す
向きの二次電圧が誘起され、上記二次電流Ｉ2はダイオ
ードブリッジ回路１６で全波整流されてからメインコン
デンサ２０に入力される。
Ｔ１４がオンとされるので、この期間では一次コイルＬ
１からＦＥＴ１４に向かう方向に一次電流ｉ2が流れ
る。このため、二次コイルＬ２には同コイルＬ２からダ
イオードＤ３，Ｄ４同士の接続点へ二次電流Ｉ2を流す
向きの二次電圧が誘起され、上記二次電流Ｉ2はダイオ
ードブリッジ回路１６で全波整流されてからメインコン
デンサ２０に入力される。
【００２２】従って、ＦＥＴ１２，１４が交互にオン・
オフ駆動されることにより、二次コイルＬ２の両端に正
負の二次電圧が交互に誘起され、この二次電圧により発
生する二次電流Ｉ1，Ｉ2はダイオードブリッジ回路１６
により全波整流されて連続的にメインコンデンサ２０に
供給される。これら二次電流Ｉ1，Ｉ2の連続供給により
メインコンデンサ２０に電荷が蓄積され、その充電電圧
Ｖｃが素早く増加する。そして、この充電電圧Ｖｃが所
定の最終電圧に達した時点で、ＣＰＵ２６は、充電が完
了したと判断してパルス信号の出力を停止し、充電動作
を終了する。
オフ駆動されることにより、二次コイルＬ２の両端に正
負の二次電圧が交互に誘起され、この二次電圧により発
生する二次電流Ｉ1，Ｉ2はダイオードブリッジ回路１６
により全波整流されて連続的にメインコンデンサ２０に
供給される。これら二次電流Ｉ1，Ｉ2の連続供給により
メインコンデンサ２０に電荷が蓄積され、その充電電圧
Ｖｃが素早く増加する。そして、この充電電圧Ｖｃが所
定の最終電圧に達した時点で、ＣＰＵ２６は、充電が完
了したと判断してパルス信号の出力を停止し、充電動作
を終了する。
【００２３】これに対し、上記フラッシュ充電指令の入
力時点で電池がほぼ新品でその電池電圧Ｖｐが一定値Ｖ
poを超える場合には、ＣＰＵ２６は、デューティ比３３
％で各ゲートＧ１，Ｇ２にパルス信号を出力し、前記と
同様のプッシュプル制御を行う。
力時点で電池がほぼ新品でその電池電圧Ｖｐが一定値Ｖ
poを超える場合には、ＣＰＵ２６は、デューティ比３３
％で各ゲートＧ１，Ｇ２にパルス信号を出力し、前記と
同様のプッシュプル制御を行う。
【００２４】この回路によれば、電池電圧Ｖｐが一定値
Ｖpoを超える場合、すなわちＦＥＴ１２，１４の発熱量
が多くなる場合には、デューティ比を下げて両ＦＥＴ１
２，１４の総合オン時間を減らすことにより、ＦＥＴ１
２，１４の発熱を減らしてその昇温を未然に防ぐ一方、
電池電圧Ｖｐが一定値Ｖpo以下の場合、すなわち比較的
ＦＥＴ１２，１４の発熱量が少なくなる場合には、上記
デューティ比を通常にして両ＦＥＴ１２，１４の総合オ
ン時間を長くすることにより、迅速な充電を行うことが
できる。
Ｖpoを超える場合、すなわちＦＥＴ１２，１４の発熱量
が多くなる場合には、デューティ比を下げて両ＦＥＴ１
２，１４の総合オン時間を減らすことにより、ＦＥＴ１
２，１４の発熱を減らしてその昇温を未然に防ぐ一方、
電池電圧Ｖｐが一定値Ｖpo以下の場合、すなわち比較的
ＦＥＴ１２，１４の発熱量が少なくなる場合には、上記
デューティ比を通常にして両ＦＥＴ１２，１４の総合オ
ン時間を長くすることにより、迅速な充電を行うことが
できる。
【００２５】図３は、上記実施例のように電池が新品の
うちはデューティ比を３３％にして電池電圧Ｖｐの降下
に伴いデューティ比を５０％に切換えた場合、及び従来
のように電池電圧Ｖｐにかかわらずデューティ比を５０
％に設定した場合について、フラッシュによる発光回数
とＦＥＴの温度との関係を調べた結果を示したものであ
る。この図から明らかなように、最初のうちはデューテ
ィ比を３３％に抑えることにより、ＦＥＴの温度上昇の
大幅な抑制が可能となっている。
うちはデューティ比を３３％にして電池電圧Ｖｐの降下
に伴いデューティ比を５０％に切換えた場合、及び従来
のように電池電圧Ｖｐにかかわらずデューティ比を５０
％に設定した場合について、フラッシュによる発光回数
とＦＥＴの温度との関係を調べた結果を示したものであ
る。この図から明らかなように、最初のうちはデューテ
ィ比を３３％に抑えることにより、ＦＥＴの温度上昇の
大幅な抑制が可能となっている。
【００２６】次に、第２実施例の回路を図４に基づいて
説明する。この実施例では、ＦＥＴ１２の温度を検出す
るサーミスタ（温度検出手段）２８を導入し、その検出
信号をＡ／Ｄコンバータ２２を介してＣＰＵ２６に入力
するとともに、この検出温度が一定値Ｔｏ以下の場合に
は、ゲートＧ１，Ｇ２へのパルス信号のデューティ比を
高いデューティ比（例えば５０％）にし、検出温度が一
定値を超える場合には上記デューティ比を低いデューテ
ィ比（例えば３３％）にするように、ＣＰＵ２６を構成
している。
説明する。この実施例では、ＦＥＴ１２の温度を検出す
るサーミスタ（温度検出手段）２８を導入し、その検出
信号をＡ／Ｄコンバータ２２を介してＣＰＵ２６に入力
するとともに、この検出温度が一定値Ｔｏ以下の場合に
は、ゲートＧ１，Ｇ２へのパルス信号のデューティ比を
高いデューティ比（例えば５０％）にし、検出温度が一
定値を超える場合には上記デューティ比を低いデューテ
ィ比（例えば３３％）にするように、ＣＰＵ２６を構成
している。
【００２７】このような回路によれば、実際のＦＥＴ１
２，１４の温度に即した昇圧制御を実行できる。すなわ
ち、図５に示すように、ＦＥＴ１２，１４の温度が低い
うちはデューティ比を高くして充電時間の短縮を図る一
方、ＦＥＴ１２，１４の温度が高くなった時点からデュ
ーティ比を下げてＦＥＴ１２，１４の温度上昇を効果的
に抑制することができる。
２，１４の温度に即した昇圧制御を実行できる。すなわ
ち、図５に示すように、ＦＥＴ１２，１４の温度が低い
うちはデューティ比を高くして充電時間の短縮を図る一
方、ＦＥＴ１２，１４の温度が高くなった時点からデュ
ーティ比を下げてＦＥＴ１２，１４の温度上昇を効果的
に抑制することができる。
【００２８】なお、この実施例において温度検出手段は
上記サーミスタに限られず、通常用いられている種々の
温度センサが適用可能である。また、温度検出対象は、
一次コイル側回路Ｃ１の構成要素であれば良く、上記Ｆ
ＥＴ１２の他、ＦＥＴ１４の温度を検出してもよいし、
一次コイルＣ１の温度を検出してもよい。また、両ＦＥ
Ｔ１２，１４の温度を同時に検出してその平均値を用い
るようにしてもよい。
上記サーミスタに限られず、通常用いられている種々の
温度センサが適用可能である。また、温度検出対象は、
一次コイル側回路Ｃ１の構成要素であれば良く、上記Ｆ
ＥＴ１２の他、ＦＥＴ１４の温度を検出してもよいし、
一次コイルＣ１の温度を検出してもよい。また、両ＦＥ
Ｔ１２，１４の温度を同時に検出してその平均値を用い
るようにしてもよい。
【００２９】なお、上記のようにデューティ比の設定に
よってスイッチ素子のオン時間を変える場合、必ずしも
２つのスイッチ素子を用いて上記のようにプッシュプル
制御を行う必要はなく、第３実施例として図６に示すよ
うに、前記図１，図４に示したＦＥＴ１４を省略してＦ
ＥＴ１２のみをオンオフ駆動するシングル制御を実行
し、このシングル制御において上記ＦＥＴ１２のゲート
Ｇ１へのパルス信号のデューティ比を切換えることによ
り、前記第１実施例及び第２実施例と同様の効果を得る
ことができる。
よってスイッチ素子のオン時間を変える場合、必ずしも
２つのスイッチ素子を用いて上記のようにプッシュプル
制御を行う必要はなく、第３実施例として図６に示すよ
うに、前記図１，図４に示したＦＥＴ１４を省略してＦ
ＥＴ１２のみをオンオフ駆動するシングル制御を実行
し、このシングル制御において上記ＦＥＴ１２のゲート
Ｇ１へのパルス信号のデューティ比を切換えることによ
り、前記第１実施例及び第２実施例と同様の効果を得る
ことができる。
【００３０】一方、前記第１実施例及び第２実施例のよ
うに２つのスイッチ素子を用いる場合には、デューティ
比を変えるのではなく、シングル制御とプッシュプル制
御との切換によって両ＦＥＴ１２，１４の総合オン時間
を変えることが可能である。すなわち、電池電圧Ｖｐが
低い場合や一次コイル側回路Ｃ１の構成要素の温度が低
い場合には、前記実施例と同様のプッシュプル制御を実
行して迅速な充電を図る一方、電池電圧Ｖｐが高い場合
や一次コイル側回路Ｃ１の構成要素の温度が高い場合に
は、ＦＥＴ１２，１４のいずれか一方のみをオンオフ駆
動するシングル制御に切換え、かつ、このシングル制御
においてオンオフ駆動するＦＥＴを周期的に適宜交代さ
せることにより、ＦＥＴの温度上昇を抑制することが可
能である。 また、第２実施例においては、ＦＥＴの温
度を検出するサーミスタの出力に基づいてデューティ比
を制御しているが、カメラの測光値の補正やレンズ繰り
出し量の補正等のために使用されている環境温度測定用
のサーミスタの出力に基づいてデューティ比を制御する
ようにしてもよい。素子の発熱量が同じでも周囲の環境
温度によって素子の放熱量が変化し、実際の素子の温度
が異なることもあり、このような場合に有効である。
うに２つのスイッチ素子を用いる場合には、デューティ
比を変えるのではなく、シングル制御とプッシュプル制
御との切換によって両ＦＥＴ１２，１４の総合オン時間
を変えることが可能である。すなわち、電池電圧Ｖｐが
低い場合や一次コイル側回路Ｃ１の構成要素の温度が低
い場合には、前記実施例と同様のプッシュプル制御を実
行して迅速な充電を図る一方、電池電圧Ｖｐが高い場合
や一次コイル側回路Ｃ１の構成要素の温度が高い場合に
は、ＦＥＴ１２，１４のいずれか一方のみをオンオフ駆
動するシングル制御に切換え、かつ、このシングル制御
においてオンオフ駆動するＦＥＴを周期的に適宜交代さ
せることにより、ＦＥＴの温度上昇を抑制することが可
能である。 また、第２実施例においては、ＦＥＴの温
度を検出するサーミスタの出力に基づいてデューティ比
を制御しているが、カメラの測光値の補正やレンズ繰り
出し量の補正等のために使用されている環境温度測定用
のサーミスタの出力に基づいてデューティ比を制御する
ようにしてもよい。素子の発熱量が同じでも周囲の環境
温度によって素子の放熱量が変化し、実際の素子の温度
が異なることもあり、このような場合に有効である。
【００３１】さらに、第１実施例においては、電池電圧
Ｖｐと一定値Ｖpoとの比較に基づきデューティ比を変化
させていたが、前記環境温度により上記一定値Ｖpoを変
化させてもよい。例えば、環境温度が高いときには上記
一定値Ｖpoを高く設定し、環境温度が低い時は上記一定
値Ｖpoを低く設定する。
Ｖｐと一定値Ｖpoとの比較に基づきデューティ比を変化
させていたが、前記環境温度により上記一定値Ｖpoを変
化させてもよい。例えば、環境温度が高いときには上記
一定値Ｖpoを高く設定し、環境温度が低い時は上記一定
値Ｖpoを低く設定する。
【００３２】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば次の効果
を得ることができる。
を得ることができる。
【００３３】請求項１記載の回路では、昇圧トランスの
一次コイル側回路にスイッチ素子を設け、このスイッチ
素子のオンオフ駆動により上記昇圧トランスの二次コイ
ル側回路に二次電圧を発生させてフラッシュ発光用のメ
インコンデンサを充電するとともに、電池電圧が一定値
を超える場合、すなわちスイッチ素子の発熱量が多くな
る場合には、電池電圧が一定値以下の場合よりも上記ス
イッチ素子のオン時間を短くするようにしたものである
ので、電池電圧が比較的低い状態では迅速な充電を図り
ながら、電池電圧の高い時にはスイッチ素子の発熱を抑
えてその過度の昇温を未然に防ぐことができる効果があ
る。
一次コイル側回路にスイッチ素子を設け、このスイッチ
素子のオンオフ駆動により上記昇圧トランスの二次コイ
ル側回路に二次電圧を発生させてフラッシュ発光用のメ
インコンデンサを充電するとともに、電池電圧が一定値
を超える場合、すなわちスイッチ素子の発熱量が多くな
る場合には、電池電圧が一定値以下の場合よりも上記ス
イッチ素子のオン時間を短くするようにしたものである
ので、電池電圧が比較的低い状態では迅速な充電を図り
ながら、電池電圧の高い時にはスイッチ素子の発熱を抑
えてその過度の昇温を未然に防ぐことができる効果があ
る。
【００３４】また、請求項２記載の回路では、上記一次
コイル側回路の構成要素の温度を検出し、この検出温度
が一定値を超える場合には、同検出温度が上記一定値以
下の場合よりも上記スイッチ素子のオン時間を短くする
ようにしているので、実際のスイッチ素子の温度に即し
た制御、すなわち、スイッチ素子の温度が低い場合には
そのオン時間を増やして迅速な充電を図る一方、スイッ
チ素子の温度が高い場合にはそのオン時間を減らしてそ
れ以上のスイッチ素子の昇温を素早く抑制するという制
御ができる効果がある。
コイル側回路の構成要素の温度を検出し、この検出温度
が一定値を超える場合には、同検出温度が上記一定値以
下の場合よりも上記スイッチ素子のオン時間を短くする
ようにしているので、実際のスイッチ素子の温度に即し
た制御、すなわち、スイッチ素子の温度が低い場合には
そのオン時間を増やして迅速な充電を図る一方、スイッ
チ素子の温度が高い場合にはそのオン時間を減らしてそ
れ以上のスイッチ素子の昇温を素早く抑制するという制
御ができる効果がある。
【図１】本発明の第１実施例におけるフラッシュ充電回
路を示す回路図である。
路を示す回路図である。
【図２】（ａ）は上記実施例において電池電圧が一定値
以下の場合に各ゲートに出力されるパルス信号の波形
図、（ｂ）は同実施例において電池電圧が一定値を超え
る場合に各ゲートに出力されるパルス信号の波形図であ
る。
以下の場合に各ゲートに出力されるパルス信号の波形
図、（ｂ）は同実施例において電池電圧が一定値を超え
る場合に各ゲートに出力されるパルス信号の波形図であ
る。
【図３】上記実施例及び従来例におけるフラッシュ発光
回数とＦＥＴの温度との関係を示すグラフである。
回数とＦＥＴの温度との関係を示すグラフである。
【図４】本発明の第２実施例におけるフラッシュ充電回
路を示す回路図である。
路を示す回路図である。
【図５】上記実施例におけるフラッシュ発光回数と検出
温度との関係を示すグラフである。
温度との関係を示すグラフである。
【図６】本発明の第３実施例におけるフラッシュ充電回
路を示す回路図である。
路を示す回路図である。
【図７】従来のフラッシュ充電回路の一例を示す回路図
である。
である。
１０ 昇圧トランス １２，１４ ＦＥＴ １６ ダイオードブリッジ回路（整流手段） ２０ メインコンデンサ ２２ Ａ／Ｄコンバータ ２６ ＣＰＵ（昇圧制御手段） ２８ サーミスタ（温度検出手段） Ｃ１ 一次コイル側回路 Ｃ２ 二次コイル側回路 Ｌ１ 一次コイル Ｌ２ 二次コイル
Claims (2)
- 【請求項１】 フラッシュ発光用のメインコンデンサを
充電するフラッシュ充電回路において、電池により一次
コイルに入力された電圧を昇圧して二次コイルに出力す
る昇圧トランスと、上記一次コイル側の回路に設けら
れ、入力電圧をオンオフするスイッチ素子と、このスイ
ッチ素子を周期的にオンオフ駆動することにより上記昇
圧トランスに昇圧動作を行わせる昇圧制御手段と、上記
二次コイル側の回路に設けられ、上記二次コイルを流れ
る電流を整流して上記メインコンデンサに供給する整流
手段とを備えるとともに、電池電圧が予め設定された一
定値を超える場合には電池電圧が上記一定値以下の場合
よりも上記スイッチ素子のオン時間を短くするように上
記昇圧制御手段を構成したことを特徴とするフラッシュ
充電回路。 - 【請求項２】 フラッシュ発光用のメインコンデンサを
充電するフラッシュ充電回路において、電池により一次
コイルに入力された電圧を昇圧して二次コイルに出力す
る昇圧トランスと、上記一次コイル側の回路に設けら
れ、入力電圧をオンオフするスイッチ素子と、このスイ
ッチ素子を周期的にオンオフ駆動することにより上記昇
圧トランスに昇圧動作を行わせる昇圧制御手段と、上記
二次コイル側の回路に設けられ、上記二次コイルを流れ
る電流を整流して上記メインコンデンサに供給する整流
手段と、上記一次コイル側の回路の構成要素の温度を検
出する温度検出手段とを備えるとともに、この温度検出
手段により検出された温度が予め設定された一定値を超
える場合には上記温度が上記一定値以下の場合よりも上
記スイッチ素子のオン時間を短くするように上記昇圧制
御手段を構成したことを特徴とするフラッシュ充電回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1249995A JPH08203689A (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | フラッシュ充電回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1249995A JPH08203689A (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | フラッシュ充電回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08203689A true JPH08203689A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=11807071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1249995A Pending JPH08203689A (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | フラッシュ充電回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08203689A (ja) |
-
1995
- 1995-01-30 JP JP1249995A patent/JPH08203689A/ja active Pending
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