JPH08199352A - 光学薄膜の製造方法 - Google Patents
光学薄膜の製造方法Info
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- JPH08199352A JPH08199352A JP7008719A JP871995A JPH08199352A JP H08199352 A JPH08199352 A JP H08199352A JP 7008719 A JP7008719 A JP 7008719A JP 871995 A JP871995 A JP 871995A JP H08199352 A JPH08199352 A JP H08199352A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スパッタリングによる金属フッ化物の解離を
有効に防止し、有害なフッ素系ガスを使用することな
く、可視光吸収のない良好な金属フッ化物薄膜を形成す
ることができる光学薄膜の製造方法を提供することを目
的とする。 【構成】 金属フッ化物を含有する顆粒状材料をターゲ
ットとし、このターゲットに高周波電力を投入してター
ゲット上にプラズマを発生させ、温度上昇により発生し
たターゲットからの蒸気をスパッタリングすることによ
り成膜を行う。
有効に防止し、有害なフッ素系ガスを使用することな
く、可視光吸収のない良好な金属フッ化物薄膜を形成す
ることができる光学薄膜の製造方法を提供することを目
的とする。 【構成】 金属フッ化物を含有する顆粒状材料をターゲ
ットとし、このターゲットに高周波電力を投入してター
ゲット上にプラズマを発生させ、温度上昇により発生し
たターゲットからの蒸気をスパッタリングすることによ
り成膜を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光学部品の表面に形成さ
れる反射防止膜やハーフミラー、干渉フィルタなどの光
学薄膜の製造方法に関し、より詳しくはスパッタリング
により金属フッ化物の薄膜を形成する方法に関する。
れる反射防止膜やハーフミラー、干渉フィルタなどの光
学薄膜の製造方法に関し、より詳しくはスパッタリング
により金属フッ化物の薄膜を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の光学薄膜は高屈折薄膜と低屈折
薄膜を組合わせて構成されるが、低屈折薄膜の材料とし
ては化学的に安定で屈折率が低い金属フッ化物が好まし
い。
薄膜を組合わせて構成されるが、低屈折薄膜の材料とし
ては化学的に安定で屈折率が低い金属フッ化物が好まし
い。
【０００３】ところが金属フッ化物をターゲットとして
スパッタリングをおこなおうとすると、イオンがターゲ
ットに衝突した際、金属フッ化物が金属とフッ素に解離
してしまうため、形成された薄膜はフッ素が不足したも
のとなる。この結果、得られた薄膜は可視光の吸収を生
じるという問題点があった。
スパッタリングをおこなおうとすると、イオンがターゲ
ットに衝突した際、金属フッ化物が金属とフッ素に解離
してしまうため、形成された薄膜はフッ素が不足したも
のとなる。この結果、得られた薄膜は可視光の吸収を生
じるという問題点があった。
【０００４】この点を解決すべく特開平４−２８９１６
５号公報では、スパッタガスとしてフッ素ガス（または
フッ素含有化合物ガス）を用いる技術が提案されてい
る。フッ素系ガスを含む雰囲気下でスパッタリングを行
えば、解離したフッ素を補充できるため、可視光の吸収
のない良好な光学薄膜を形成することができる。
５号公報では、スパッタガスとしてフッ素ガス（または
フッ素含有化合物ガス）を用いる技術が提案されてい
る。フッ素系ガスを含む雰囲気下でスパッタリングを行
えば、解離したフッ素を補充できるため、可視光の吸収
のない良好な光学薄膜を形成することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述の従
来技術で使用するようなフッ素系のガスは一般に極めて
腐食性が高い特性を有しており、これがため真空チャン
バや真空ポンプなど設備を急速に劣化させコスト高の原
因となっていた。またフッ素系ガスは人体に有害なた
め、特殊な排ガス処理設備が必要である問題点もあっ
た。
来技術で使用するようなフッ素系のガスは一般に極めて
腐食性が高い特性を有しており、これがため真空チャン
バや真空ポンプなど設備を急速に劣化させコスト高の原
因となっていた。またフッ素系ガスは人体に有害なた
め、特殊な排ガス処理設備が必要である問題点もあっ
た。
【０００６】なおスパッタリング法に代えて真空蒸着法
を採用すれば、フッ素の解離が生じないため比較的容易
に良質な薄膜が得られるが、大面積基板への適用、自動
化省力化の観点からは不利になる。
を採用すれば、フッ素の解離が生じないため比較的容易
に良質な薄膜が得られるが、大面積基板への適用、自動
化省力化の観点からは不利になる。
【０００７】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
で、スパッタリングによる金属フッ化物の解離を有効に
防止し、有害なフッ素系ガスを使用することなく、可視
光吸収のない良好な金属フッ化物薄膜を形成することが
できる光学薄膜の製造方法を提供することを目的とす
る。
で、スパッタリングによる金属フッ化物の解離を有効に
防止し、有害なフッ素系ガスを使用することなく、可視
光吸収のない良好な金属フッ化物薄膜を形成することが
できる光学薄膜の製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の光学薄膜の製造方法は、金属フッ化物を含有
する顆粒状材料をターゲットとし、このターゲットに高
周波電力を投入してターゲット上にプラズマを発生せし
め、前記プラズマにより前記ターゲット表面の温度を上
昇させ、前記ターゲットからの蒸気をスパッタリングす
ることにより成膜を行うことを特徴としている。
に本発明の光学薄膜の製造方法は、金属フッ化物を含有
する顆粒状材料をターゲットとし、このターゲットに高
周波電力を投入してターゲット上にプラズマを発生せし
め、前記プラズマにより前記ターゲット表面の温度を上
昇させ、前記ターゲットからの蒸気をスパッタリングす
ることにより成膜を行うことを特徴としている。
【０００９】ここで請求項２に記載したように、金属フ
ッ化物としてはＬｉＦ，ＮａＦ，ＣａＦ2 ，ＳｒＦ2 ，
ＢａＦ2 ，ＡｌＦ3 ，ＧａＦ3 ，ＩｎＦ3 ，ＬａＦ3 ，
ＣｅＦ3 ，ＮｄＦ3 ，ＳｍＦ3 ，Ｎａ3 ＡｌＦ6 ，Ｎａ
5 ＡＬ3 Ｆ14のいずれかを用いるとよい。
ッ化物としてはＬｉＦ，ＮａＦ，ＣａＦ2 ，ＳｒＦ2 ，
ＢａＦ2 ，ＡｌＦ3 ，ＧａＦ3 ，ＩｎＦ3 ，ＬａＦ3 ，
ＣｅＦ3 ，ＮｄＦ3 ，ＳｍＦ3 ，Ｎａ3 ＡｌＦ6 ，Ｎａ
5 ＡＬ3 Ｆ14のいずれかを用いるとよい。
【００１０】また請求項３に記載したように、前記顆粒
状材料としては粒径０．１〜１０mmの顆粒を用いるのが
好ましい。
状材料としては粒径０．１〜１０mmの顆粒を用いるのが
好ましい。
【００１１】さらに請求項４に記載したように、前記高
周波電力として２Ｗ/cm2以上の電力を投入するのが望ま
しい。
周波電力として２Ｗ/cm2以上の電力を投入するのが望ま
しい。
【００１２】
【作用】上記構成からなる本発明の光学薄膜の製造方法
では、ターゲットに高周波電力を投入すると、ターゲッ
ト上にプラズマが発生し、ターゲットの表面温度が上昇
する。そしてターゲットの表面が蒸発して発生した蒸気
にイオンを衝突させてスパッタリングする。つまりター
ゲットに直接イオンを衝突させるのではなく、ターゲッ
トから発生した蒸気にイオンを衝突させてスパッタリン
グする。
では、ターゲットに高周波電力を投入すると、ターゲッ
ト上にプラズマが発生し、ターゲットの表面温度が上昇
する。そしてターゲットの表面が蒸発して発生した蒸気
にイオンを衝突させてスパッタリングする。つまりター
ゲットに直接イオンを衝突させるのではなく、ターゲッ
トから発生した蒸気にイオンを衝突させてスパッタリン
グする。
【００１３】すなわち金属フッ化物の蒸気は分子の状態
で存在しており、その分子に加速イオンが衝突するの
で、分子の大部分は解離せず分子のまま基板上にスパッ
タされる。
で存在しており、その分子に加速イオンが衝突するの
で、分子の大部分は解離せず分子のまま基板上にスパッ
タされる。
【００１４】また本発明では、固体状の膜原料をそのま
まスパッタリングするのではなく、膜原料を加熱し原料
の上部に存在する蒸気にイオンを衝突させるので、加速
されたイオンのエネルギーは全てスパッタリングに使わ
れるためにスパッタ収率が高くなる。その結果、従来法
と比較して成膜速度を著しく速くすることができ、生産
性も非常に高くなる。
まスパッタリングするのではなく、膜原料を加熱し原料
の上部に存在する蒸気にイオンを衝突させるので、加速
されたイオンのエネルギーは全てスパッタリングに使わ
れるためにスパッタ収率が高くなる。その結果、従来法
と比較して成膜速度を著しく速くすることができ、生産
性も非常に高くなる。
【００１５】ここで顆粒状材料を用いることとしたの
は、材料に多量のエッジが存在するため、この部分に電
場・磁場が集中するので加熱されやすく、さらに熱伝導
が悪いために温度が上昇しやすいからである。
は、材料に多量のエッジが存在するため、この部分に電
場・磁場が集中するので加熱されやすく、さらに熱伝導
が悪いために温度が上昇しやすいからである。
【００１６】請求項２においては、金属フッ化物の中で
も特に光吸収が生じにくい、ＬｉＦ，ＮａＦ，Ｃａ
Ｆ2 ，ＳｒＦ2 ，ＢａＦ2 ，ＡｌＦ3 ，ＧａＦ3 ，Ｉｎ
Ｆ3 ，ＬａＦ3 ，ＣｅＦ3 ，ＮｄＦ3 ，ＳｍＦ3 ，Ｎａ
3 ＡｌＦ6 ，Ｎａ5 ＡＬ3 Ｆ14を用いる。この場合、こ
れらの金属フッ化物材料が主成分であれば、これらを互
いに混合させてもよいし、また他の金属フッ化物や金属
酸化物などが少量混ざっていてもよい。
も特に光吸収が生じにくい、ＬｉＦ，ＮａＦ，Ｃａ
Ｆ2 ，ＳｒＦ2 ，ＢａＦ2 ，ＡｌＦ3 ，ＧａＦ3 ，Ｉｎ
Ｆ3 ，ＬａＦ3 ，ＣｅＦ3 ，ＮｄＦ3 ，ＳｍＦ3 ，Ｎａ
3 ＡｌＦ6 ，Ｎａ5 ＡＬ3 Ｆ14を用いる。この場合、こ
れらの金属フッ化物材料が主成分であれば、これらを互
いに混合させてもよいし、また他の金属フッ化物や金属
酸化物などが少量混ざっていてもよい。
【００１７】また請求項３においてはターゲットである
顆粒を規定している。顆粒の大きさは、あまり小さすぎ
るとチャンバ内で舞い上がりパーティクルとなるため、
粒径０．１mm以上の方がよく、望ましくは０．５mm以上
が良い。また、顆粒が大きすぎるとエッジ部が少なくな
り電場・磁場の集中による効果が小さくなるため、粒径
１０mm以下、望ましくは５mm以下が良い。顆粒の大き
さ、形状は均一である必要はない。
顆粒を規定している。顆粒の大きさは、あまり小さすぎ
るとチャンバ内で舞い上がりパーティクルとなるため、
粒径０．１mm以上の方がよく、望ましくは０．５mm以上
が良い。また、顆粒が大きすぎるとエッジ部が少なくな
り電場・磁場の集中による効果が小さくなるため、粒径
１０mm以下、望ましくは５mm以下が良い。顆粒の大き
さ、形状は均一である必要はない。
【００１８】また請求項４においては高周波の投入電力
を規定している。投入電力とターゲットの温度とは相関
があり、２Ｗ／cm2 以上の高周波電力を投入したとき、
金属フッ化物からなる多孔質ターゲットの温度は７００
℃以上に達し、蒸気圧が十分に高まる。
を規定している。投入電力とターゲットの温度とは相関
があり、２Ｗ／cm2 以上の高周波電力を投入したとき、
金属フッ化物からなる多孔質ターゲットの温度は７００
℃以上に達し、蒸気圧が十分に高まる。
【００１９】ちなみに、イオンの衝突により、加熱され
て発生した金属フッ化物の蒸気以外に固体のターゲット
からもスパッタリングが起こるが、本発明においてはス
パッタリング収率が蒸気に比べて十分に小さいので、吸
収の原因とはならない。
て発生した金属フッ化物の蒸気以外に固体のターゲット
からもスパッタリングが起こるが、本発明においてはス
パッタリング収率が蒸気に比べて十分に小さいので、吸
収の原因とはならない。
【００２０】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明に係る光学
薄膜の製造方法の実施例を説明する。
薄膜の製造方法の実施例を説明する。
【００２１】（実施例１）本発明で用いる成膜装置を図
１に示す。真空槽１内の上方には屈折率１．６５のガラ
スからなる基板２が設置されている。膜原料である粒径
０．１〜１０mmのＡｌＦ3 顆粒３は、直径４インチ（約
１００mm）の石英製の皿４に入れてマグネトロンカソー
ド５上に載置されている。カソード５はスパッタリング
用ＲＦ電源６と接続されている。真空槽１の側面にはガ
ス導入口７がある。
１に示す。真空槽１内の上方には屈折率１．６５のガラ
スからなる基板２が設置されている。膜原料である粒径
０．１〜１０mmのＡｌＦ3 顆粒３は、直径４インチ（約
１００mm）の石英製の皿４に入れてマグネトロンカソー
ド５上に載置されている。カソード５はスパッタリング
用ＲＦ電源６と接続されている。真空槽１の側面にはガ
ス導入口７がある。
【００２２】まず真空槽１内を１×１０-4Paまで排気し
た後、ガス導入口７からＡｒガスを４×１０-1Paまで導
入する。ＲＦ電源６から４００Ｗ（約５Ｗ／cm2 ）の電
力をマグネトロンカソード５に供給し、プラズマを発生
させる。このプラズマにより、ＡｌＦ3 顆粒３は約８０
０℃に加熱され、顆粒３の上方近傍にＡｌＦ3 蒸気が発
生する。このＡｌＦ3 の蒸気がプラズマ中の加速された
Ａｒイオンによって叩かれ、分子の状態のまま上方に飛
び出す。この状態で、シャッタ８を開閉して、基板２上
に光学的膜厚１３０nmのＡｌＦ3 膜を形成する。
た後、ガス導入口７からＡｒガスを４×１０-1Paまで導
入する。ＲＦ電源６から４００Ｗ（約５Ｗ／cm2 ）の電
力をマグネトロンカソード５に供給し、プラズマを発生
させる。このプラズマにより、ＡｌＦ3 顆粒３は約８０
０℃に加熱され、顆粒３の上方近傍にＡｌＦ3 蒸気が発
生する。このＡｌＦ3 の蒸気がプラズマ中の加速された
Ａｒイオンによって叩かれ、分子の状態のまま上方に飛
び出す。この状態で、シャッタ８を開閉して、基板２上
に光学的膜厚１３０nmのＡｌＦ3 膜を形成する。
【００２３】上記方法により得られたＡｌＦ3 膜は、可
視域（４００〜７００nm）で吸収が０．３％以下であ
り、屈折率も約１．３８と低く、反射防止膜として良好
な特性を有していた。なお、成膜速度は７０nm／分と速
く、膜の密着性や硬度も実用上十分なものであった。
視域（４００〜７００nm）で吸収が０．３％以下であ
り、屈折率も約１．３８と低く、反射防止膜として良好
な特性を有していた。なお、成膜速度は７０nm／分と速
く、膜の密着性や硬度も実用上十分なものであった。
【００２４】（変形例）変形例１〜１３は、実施例１と
同様の成膜装置を使用し、顆粒３として表１のような金
属フッ化物をそれぞれ用いて実施した。成膜条件、得ら
れた膜の特性、成膜速度を表１に示す。表１から明らか
なように、全ての変形例で光吸収の少ない、良好な光学
薄膜が生産性良く得られた。
同様の成膜装置を使用し、顆粒３として表１のような金
属フッ化物をそれぞれ用いて実施した。成膜条件、得ら
れた膜の特性、成膜速度を表１に示す。表１から明らか
なように、全ての変形例で光吸収の少ない、良好な光学
薄膜が生産性良く得られた。
【００２５】
【表１】
【００２６】（実施例２）本実施例は、実施例１と同様
の成膜装置を使用し、顆粒３としてＳｒＦ2 を用いた。
また本実施例では、金属フッ化物（ＳｒＦ2 ）と金属酸
化物（ＴｉＯ2 ）との多層膜（偏光フィルタ）を作製す
るため、もう一方のカソード１０上に、板状のターゲッ
ト９として金属Ｔｉを取付けてある。なお、カソード１
０はスパッタリング用ＤＣ電源１１と接続されており、
基板近傍の側面にガス導入口１２、ターゲット９近傍に
ガス導入口１３がある。
の成膜装置を使用し、顆粒３としてＳｒＦ2 を用いた。
また本実施例では、金属フッ化物（ＳｒＦ2 ）と金属酸
化物（ＴｉＯ2 ）との多層膜（偏光フィルタ）を作製す
るため、もう一方のカソード１０上に、板状のターゲッ
ト９として金属Ｔｉを取付けてある。なお、カソード１
０はスパッタリング用ＤＣ電源１１と接続されており、
基板近傍の側面にガス導入口１２、ターゲット９近傍に
ガス導入口１３がある。
【００２７】まず、プリズム形状をした、屈折率１．５
５のガラスからなる基板２を真空槽１内に設置した後、
真空槽１内を１×１０-4Paまで排気する。その後、ガス
導入口１３からＡｒガスを３．６Paの圧力で導入すると
同時にガス導入口１２からＯ 2 ガスを０．４Paの圧力で
導入する。次にＤＣ電源１１から７５０Ｗの電力をマグ
ネトロンカソード１０に供給し、Ｔｉをスパッタリング
する。Ｔｉは上方に向かう途中、Ｏイオンと結びつき、
酸化されて、ＴｉＯ2 となる。ここでシャッタ１４を開
閉して、基板２上に光学的膜厚１６５nmのＴｉＯ2 膜か
らなる第１層を形成する。
５のガラスからなる基板２を真空槽１内に設置した後、
真空槽１内を１×１０-4Paまで排気する。その後、ガス
導入口１３からＡｒガスを３．６Paの圧力で導入すると
同時にガス導入口１２からＯ 2 ガスを０．４Paの圧力で
導入する。次にＤＣ電源１１から７５０Ｗの電力をマグ
ネトロンカソード１０に供給し、Ｔｉをスパッタリング
する。Ｔｉは上方に向かう途中、Ｏイオンと結びつき、
酸化されて、ＴｉＯ2 となる。ここでシャッタ１４を開
閉して、基板２上に光学的膜厚１６５nmのＴｉＯ2 膜か
らなる第１層を形成する。
【００２８】次に、一旦ガス導入を止めた後、ガス導入
口７からＡｒガスを４×１０-1Paまで導入する。ＲＦ電
源６から３５０Ｗの電力をマグネトロンカソード５に供
給し、プラズマを発生させる。このプラズマにより、Ｓ
ｒＦ2 顆粒３は加熱され、顆粒３の上方近傍にＳｒＦ2
蒸気が発生する。このＳｒＦ2 の蒸気がプラズマ中の加
速されたＡｒイオンによって叩かれ、分子の状態のまま
上方に飛び出す。シャッタ８を開閉して、基板２上に光
学的膜厚２４８nmのＳｒＦ2 膜からなる第２層を形成す
る。
口７からＡｒガスを４×１０-1Paまで導入する。ＲＦ電
源６から３５０Ｗの電力をマグネトロンカソード５に供
給し、プラズマを発生させる。このプラズマにより、Ｓ
ｒＦ2 顆粒３は加熱され、顆粒３の上方近傍にＳｒＦ2
蒸気が発生する。このＳｒＦ2 の蒸気がプラズマ中の加
速されたＡｒイオンによって叩かれ、分子の状態のまま
上方に飛び出す。シャッタ８を開閉して、基板２上に光
学的膜厚２４８nmのＳｒＦ2 膜からなる第２層を形成す
る。
【００２９】以下、第１層と同様の方法により、第３，
５，７，９層に光学的膜厚１６５nmのＴｉＯ2 膜を、ま
た第２層と同様の方法により第４，６，８層に光学的膜
厚２４８nmのＳｒＦ2 膜を形成して９層からなる偏光フ
ィルタを形成する。
５，７，９層に光学的膜厚１６５nmのＴｉＯ2 膜を、ま
た第２層と同様の方法により第４，６，８層に光学的膜
厚２４８nmのＳｒＦ2 膜を形成して９層からなる偏光フ
ィルタを形成する。
【００３０】こうして偏光フィルタを形成したプリズム
に他のプリズムを接着すると偏光プリズムが完成する。
本実施例の偏光フィルタは、可視域のほぼ全域で偏光比
１００以上であり、吸収も３％以下と十分に実用的な特
性が得られた。
に他のプリズムを接着すると偏光プリズムが完成する。
本実施例の偏光フィルタは、可視域のほぼ全域で偏光比
１００以上であり、吸収も３％以下と十分に実用的な特
性が得られた。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように本発明の光学薄膜の
製造方法によれば、金属フッ化物を含有する顆粒状材料
をターゲットとし、このターゲットに高周波電力を投入
してターゲット上にプラズマを発生せしめ、前記プラズ
マにより前記ターゲット表面の温度を上昇させ、前記タ
ーゲットからの蒸気をスパッタリングすることにより成
膜を行うので、スパッタリングによる金属フッ化物の解
離を有効に防止することが可能となって、従来のような
有害なフッ素系ガスを使用しなくても、可視光吸収のな
い良好な金属フッ化物薄膜を形成することができる。
製造方法によれば、金属フッ化物を含有する顆粒状材料
をターゲットとし、このターゲットに高周波電力を投入
してターゲット上にプラズマを発生せしめ、前記プラズ
マにより前記ターゲット表面の温度を上昇させ、前記タ
ーゲットからの蒸気をスパッタリングすることにより成
膜を行うので、スパッタリングによる金属フッ化物の解
離を有効に防止することが可能となって、従来のような
有害なフッ素系ガスを使用しなくても、可視光吸収のな
い良好な金属フッ化物薄膜を形成することができる。
【図１】本発明の実施例による光学薄膜の製造方法に使
用される装置を示す模式的断面図である。
用される装置を示す模式的断面図である。
１ 真空槽 ２ 基板 ３ 顆粒 ４ 皿 ５ マグネトロンカソード ６ ＲＦ電源 ７ ガス導入口 ８ シャッタ ９ ターゲット １０ カソード １１ ＤＣ電源 １２ ガス導入口 １３ ガス導入口 １４ シャッタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０２Ｂ 5/08 Ｄ 5/28
Claims (4)
- 【請求項１】 金属フッ化物を含有する顆粒状材料をタ
ーゲットとし、このターゲットに高周波電力を投入して
ターゲット上にプラズマを発生せしめ、前記プラズマに
より前記ターゲット表面の温度を上昇させ、前記ターゲ
ットからの蒸気をスパッタリングすることにより成膜を
行うことを特徴とする光学薄膜の製造方法。 - 【請求項２】 前記金属フッ化物が、ＬｉＦ，ＮａＦ，
ＣａＦ2 ，ＳｒＦ2，ＢａＦ2 ，ＡｌＦ3 ，ＧａＦ3 ，
ＩｎＦ3 ，ＬａＦ3 ，ＣｅＦ3 ，ＮｄＦ3 ，ＳｍＦ3 ，
Ｎａ3 ＡｌＦ6 ，Ｎａ5 ＡＬ3 Ｆ14のいずれかである請
求項１記載の光学薄膜の製造方法。 - 【請求項３】 前記顆粒状材料が粒径０．１〜１０ｍｍ
であることを特徴とする請求項１又は２いずれか記載の
光学薄膜の製造方法。 - 【請求項４】 前記高周波電力として２Ｗ/cm2以上の電
力を投入することを特徴とする請求項１〜３いずれか記
載の光学薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00871995A JP3670697B2 (ja) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | 光学薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00871995A JP3670697B2 (ja) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | 光学薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08199352A true JPH08199352A (ja) | 1996-08-06 |
| JP3670697B2 JP3670697B2 (ja) | 2005-07-13 |
Family
ID=11700763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00871995A Expired - Fee Related JP3670697B2 (ja) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | 光学薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3670697B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10183332A (ja) * | 1996-12-24 | 1998-07-14 | Olympus Optical Co Ltd | 光学薄膜の製造方法及び製造装置 |
-
1995
- 1995-01-24 JP JP00871995A patent/JP3670697B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10183332A (ja) * | 1996-12-24 | 1998-07-14 | Olympus Optical Co Ltd | 光学薄膜の製造方法及び製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3670697B2 (ja) | 2005-07-13 |
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