JPH0817222A

JPH0817222A - 蛍光ランプ装置および照明装置

Info

Publication number: JPH0817222A
Application number: JP6173525A
Authority: JP
Inventors: Takeo Yasuda; 丈夫安田; Takashi Yorifuji; 孝依藤
Original assignee: Toshiba Lighting and Technology Corp
Current assignee: Toshiba Lighting and Technology Corp
Priority date: 1994-06-30
Filing date: 1994-06-30
Publication date: 1996-01-19

Abstract

(57)【要約】【目的】簡単な構成で確実に紫外線の照射量を低下で
きる蛍光ランプ装置を提供する。【構成】カバー１に口金３を設け、仕切盤４に高周波
用のインバータ回路12およびランプ取付筒部23を一体に
形成し、蛍光ランプ21を取り付ける。蛍光ランプ21をガ
ラス製のグローブ35により覆う。インバータ回路12を用
いて蛍光ランプ21を点灯させると管壁負荷の上昇による
紫外線量が無視できないため、グローブ35の内面には拡
散膜を形成し、拡散膜に波長１８５ｎｍの紫外線を含む
紫外線を吸収する紫外線吸収金属酸化物を混入し、紫外
線を遮断する。紫外線吸収金属酸化物は平均粒径が１μ
ｍ未満のため直線透過率が高くなり、可視光拡散効果が
小さくなるとともに、揮発成分が付着してより直線透過
率が高くなり内部が透けてしまうので、可視光散乱用に
平均粒径１μｍ以上の無機微粒子を混入する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、紫外線を吸収させる蛍
光ランプ装置および照明装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ガラスチューブを鞍型に屈曲して
１本の蛇行型の放電路を形成したコンパクト型の電球型
の蛍光ランプが普及しつつある。

【０００３】そして、この電球型の蛍光ランプとして
は、たとえば特開昭６０−２０８０４５号公報に記載の
構成が知られている。

【０００４】この特開昭６０−２０８０４５号公報に
は、プラスチック製の基体部に白熱電球用のねじ込み型
の口金を形成し、基体部に仕切盤を設けて仕切盤内に点
灯回路を装着している。また、仕切盤の外側にガラスチ
ューブを鞍型に屈曲形成し、この鞍型のガラスチューブ
の両端にエミッタを有する電極コイルを備えたランプ部
を設け、このランプ部を内包するグローブを基体部に取
り付けている。そして、ランプ部が仕切盤内のインバー
タ回路に電気的に接続されて、点灯回路により電極コイ
ル間に電圧を印加し、点灯させている。

【０００５】ところが、近年点灯装置としてインバータ
を用いランプ部を高周波点灯させると、ガラスチューブ
の管壁負荷が高まり、紫外線放射量が増加して、グロー
ブを介して紫外線照射量が増加してしまう。

【０００６】一方、紫外線照射を防止する構成として、
たとえば特開平３−２８３３４７号公報に記載の構成が
知られている。

【０００７】この特開平３−２８３３４７号公報に記載
の構成では、バルブの曲成したガラスチューブの内面に
紫外線吸収剤を含む紫外線吸収膜を形成し、バルブから
紫外線が照射されることを防止するものである。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
３−２８３３４７号公報に記載のように、曲成したバル
ブの場合、バルブの内面に紫外線吸収膜を形成した後に
バルブを曲成すると紫外線吸収膜が剥離したり、曲成後
に紫外線吸収膜を均質に塗布することは困難であり、十
分に紫外線を吸収できない問題を有している。

【０００９】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、簡単な構成で確実に紫外線の照射量を低下できる蛍
光ランプ装置および照明装置を提供することを目的とす
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の蛍光ラン
プ装置は、蛍光ランプと、この蛍光ランプを点灯させる
インバータ回路と、口金を備えた外囲器に収容した蛍光
ランプ装置において、前記外囲器は、前記蛍光ランプを
包囲し、内面に紫外線吸収剤を混入した光拡散膜が形成
されたグローブを備えたものである。

【００１１】請求項２記載の蛍光ランプ装置は、請求項
１記載の蛍光ランプ装置において、光拡散膜は、平均１
μｍ以上の金属酸化物粒子と、紫外線吸収剤を構成する
平均粒子径１μｍ未満の金属酸化物微粒子とを主体とし
て構成されたものである。

【００１２】請求項３記載の蛍光ランプ装置は、請求項
１または２記載の蛍光ランプ装置において、紫外線吸収
剤は、粒子径が１μｍ以上のものを３０％以上含むとと
もに、粒子径が１μｍ未満のものを３０％以上含むもの
である。

【００１３】請求項４記載の照明装置は、請求項１ない
し３いずれか記載の蛍光ランプ装置を器具本体に装着し
たものである。

【００１４】

【作用】請求項１記載の蛍光ランプ装置は、内面に光拡
散膜が形成されたグローブ内に、紫外線吸収剤を混入し
たことにより、グローブの形状は蛍光ランプの形状に比
べて容易なため、簡単な構成で容易に紫外線を吸収させ
ることができる。

【００１５】請求項２記載の蛍光ランプ装置は、請求項
１記載の蛍光ランプ装置において、光拡散膜は、平均粒
子径１μｍ以上の金属酸化物粒子と、紫外線吸収剤を構
成する平均粒子径１μｍ未満の金属酸化物微粒子とを主
体として構成したため、直線透過率が必要以上に高くな
り内部構造物が透過することを防止して、陰を防止す
る。

【００１６】請求項３記載の蛍光ランプ装置は、請求項
１または２記載の蛍光ランプ装置において、紫外線吸収
剤は、粒子径が１μｍ以上のものを３０％以上含むとと
もに、粒子径が１μｍ未満のものを３０％以上含むこと
により、より確実に幅広い領域の可視光を拡散する。

【００１７】請求項４記載の照明装置は、請求項１ない
し３いずれか記載の蛍光ランプ装置を器具本体に装着し
たため、簡単な構成で紫外線の照射量を減少する。

【００１８】

【実施例】以下、本発明の照明装置の一実施例を電球型
の蛍光ランプ装置FLを用いた照明装置について図面を参
照して説明する。

【００１９】図１に示す蛍光ランプ装置FLにおいて、１
はカバーで、このカバー１はＰＢＴ樹脂などの耐熱性合
成樹脂にて形成され、このカバー１の一端には円筒部２
が一体に形成されており、この円筒部２にはエジソンタ
イプのＥ２６型などのようなねじ込み型の口金３が被着
され、この口金３は接着剤またはかしめなどにより円筒
部２に固定されている。

【００２０】また、カバー１の他端は仕切盤４により閉
塞され、この仕切盤４はたとえばＰＢＴ樹脂のような耐
熱性合成樹脂によって形成され、ほぼ円形の皿型をなし
ている。さらに、この仕切盤４は、図２に示されるよう
に、立上がり形状の側壁５の上端開口縁にフランジ部６
が形成されており、このフランジ部６には周方向に離間
して、たとえば４個の係止舌片７が形成されている。そ
して、これら係止舌片７は、フランジ部６に形成したス
リット８により、このフランジ部６を周方向に分断する
ようにして形成されている。このため、これら係止舌片
７は径方向へ弾性変形可能となっている。

【００２１】さらに、カバー１の内面にはこれら係止舌
片７に対応し、これら係止舌片７を係止する係止突起９
が一体に形成されている。すなわち、カバー１と仕切盤
４とを突き合わせると、係止舌片７が弾性変形して係止
突起８を乗り越え、カバー１と仕切盤４とを係止舌片７
と係止突起８との係合により結合する。

【００２２】また、仕切盤４のフランジ部６には固定爪
11，11が形成されており、仕切盤４の他の位置の底壁か
ら他の固定爪11が立上がり形成されている。そして、こ
れら固定爪11には、高周波用の点灯装置であるインバー
タ回路12のプリント回路基板13が係止されている。

【００２３】さらに、インバータ回路12は、カバー１に
て覆われる空間内に位置して、仕切盤４に取り付けられ
ており、このインバータ回路12は、回路基板13にトラン
ジスタインバータを用いた高周波点灯用の回路部品14を
実装して構成されている。

【００２４】また、プリント回路基板13の一端部には、
接続端子15が突設されており、これら接続端子15は回路
部品14に電気的に接続されているものであり、外囲器の
一部を構成する鞍型の蛍光ランプ21の外部リード線22が
巻き付けられて接続される。なお、蛍光ランプ21はＵ字
型、Ｗ字型などいずれでもよい。

【００２５】そして、仕切盤４の下面には、保持部とし
てのランプ取付筒部23，23が一体に形成されている。こ
れらランプ取付筒部23，23には蛍光ランプ21が取り付け
られており、この蛍光ランプ21は、消費電力１５Ｗ〜１
７Ｗでランプ電流は２５０ｍＡ〜３５０ｍＡである。な
お、明るさとしては６０Ｗの白熱電球程度である。

【００２６】また、蛍光ランプ21は、内面に図示しない
蛍光体膜が形成され内部に水銀およびアルゴンなどの希
ガスが封入されたバルブ25の両端部26，26が互いに接近
して並設され、口金３方向に向けて位置されており、こ
れら両端部26，26の間にＵ字型に屈曲された中央屈曲部
27を有しており、この中央屈曲部27は両端部26，26と同
一方向を向くように屈曲形成されている。さらに、バル
ブ25の両端部26，26には電極コイル28，28が封装されて
おり、これら電極コイル28，28にはそれぞれ補助アマル
ガム29，29が取り付けられている。そして、これら電極
コイル28，28に接続された各一対の外部リード線22，22
がそれぞれバルブ25の端部26，26から外部に導かれ、接
続端子15，15にたとえば複数回巻回して接続されてい
る。

【００２７】ここで、電極コイル28は図３ないし図５に
示すようにトリプルコイルで構成されている。

【００２８】すなわち、まず、図３に示すように、６．
３ＭＧの第１のモリブデンワイヤM1に対して平行に９．
０ＭＧのメインワイヤ28a を配置するとともに、これら
第１のモリブデンワイヤM1およびメインワイヤ28a に
１．８ＭＧのサブワイヤ28b を０．０８ｍｍピッチで巻
回し、第１のモリブデンワイヤM1を焼損させる。なお、
単位ＭＧは、長さ２００ｍｍ当たりのｍｇで表される質
量を示す。

【００２９】次に、この図３で形成されたメインワイヤ
28a およびサブワイヤ28b を、図４に示すように、１０
０ＭＧの第２のモリブデンワイヤM2に０．２ｍｍピッチ
で巻回する。

【００３０】そして、第２のモリブデンワイヤM2を焼損
させ、図５に示すように、所定長さ当たりのターン数が
３で直径１．０ｍｍで０．７ｍｍピッチの電極コイル28
を形成する。

【００３１】また、この電極コイル28は、周囲温度２５
℃の冷抵抗値が２．６Ωに設定されている。

【００３２】さらに、バルブ25の両端部26，26には細管
31，31が突出されており、これら細管31，31の少なくと
も一方には点灯中の水銀蒸気圧を制御するアマルガム32
が収容されている。

【００３３】また、補助アマルガム29およびアマルガム
32は、ビスマス（Ｂｉ）−インジウム（Ｉｎ）−鉛（Ｐ
ｂ）−水銀（Ｈｇ）にて構成され、各金属の比率は４
５．０ｗｔ％≦Ｂｉ≦５８．０ｗｔ％，１．５ｗｔ％≦
Ｉｎ≦４．５ｗｔ％，３５．０ｗｔ％≦Ｐｂ≦４７．０
ｗｔ％および２．５ｗｔ％≦Ｈｇ≦６．０ｗｔ％であ
り、好ましくは、５０．６ｗｔ％≦Ｂｉ≦５２．６ｗｔ
％，２．６ｗｔ％≦Ｉｎ≦３．２ｗｔ％，３９．５ｗｔ
％≦Ｐｂ≦４１．５ｗｔ％および３．６ｗｔ％≦Ｈｇ≦
４．４ｗｔ％である。

【００３４】さらに、蛍光ランプ21は、両端部26，26が
仕切盤４に形成されたランプ取付筒部23，23に、仕切盤
４の下から差し込まれ、これら端部26，26とランプ取付
筒部23，23との間に充填されたシリコーン系などの熱硬
化性接着剤33によって仕切盤４に固定されている。ま
た、蛍光ランプ21の中央屈曲部27は、シリコーン系など
の熱硬化性接着剤34によって仕切盤４の下面に接合され
ている。このため、蛍光ランプ21は、両端部26，26と中
央屈曲部27の合計３箇所により仕切盤４に固定されてい
る。

【００３５】そして、蛍光ランプ21は、たとえばガラス
製のグローブ35により覆われており、ガラス製のグロー
ブ35は上端が開口したカップ形状をなしている。なお、
グローブ35は、透明または光拡散性の合成樹脂もしくは
ガラスからなり、このグローブ35は上端開口部を若干径
小にしてしてストレート型の首部36を有してもよい。さ
らに、この首部36の開口端部には、全周に亘り連続して
肉溜まり部37が形成され、この肉溜まり部37は、グロー
ブ35の上端開口部を加熱して軟化させることにより溶融
した肉が集まって肉溜まりとなったものである。なお、
カバー１およびグローブ８にて、外囲器38を構成してい
る。

【００３６】さらに、インバータ回路12を用いて蛍光ラ
ンプ21を点灯させると管壁負荷の上昇による紫外線量が
無視できないため、グローブ35の内面には図示しない拡
散膜が形成され、この拡散膜はたとえば波長１８５ｎｍ
の紫外線を含む紫外線を吸収する紫外線吸収金属酸化物
などの紫外線吸収無機微粒子の紫外線吸収剤が混入さ
れ、紫外線を遮断している。また、紫外線吸収無機微粒
子は、平均粒径が１μｍ未満のため、直線透過率が高く
なり、可視光拡散効果が小さくなるとともに、揮発成分
が付着してより直線透過率が高くなり内部が透けてしま
うので、可視光散乱用に平均粒径１μｍ以上の無機微粒
子を混入する。さらに、単に平均粒径を大きくするのみ
では、膜肌が悪化して陰を作ってしまうので、平均粒子
径が１μｍのものを３０％以上含むとともに、平均粒子
径が１μｍ以上のものを３０％以上含み、粒子径の分布
を広く分散させてもよい。

【００３７】なお、グローブ35内をコーティングするに
際しては、表１に示すような材料を混合すればよい。

【００３８】

【表１】このように、グローブ35内に紫外線吸収剤を混入するこ
とにより、従来では図６に示すように、３６５ｎｍ近傍
にピークを有するスペクトルを吸収でき、図７に示すよ
うに、紫外線照射量を減少させて可視光線を中心に照射
することができる。

【００３９】また、このようなグローブ35の首部36は、
図１に示すように、カバー１の内面と仕切盤４の立上が
り側壁５との間に形成されたリング形状の隙間に差し込
まれるようになっており、このグローブ35はシリコーン
系などの熱硬化性接着剤41によってカバー１の内面およ
び仕切盤４の立上がり側壁５の両者に接合されている。
なお、熱硬化性接着剤41は、カバー１の内面または仕切
盤４の立上がり側壁５の少なくとも一方に接合するよう
にすればよい。

【００４０】なお、この熱硬化性接着剤41は熱硬化性
で、たとえばシリコーン系が使用されており、硬化時点
の硬度は２０以上、５０以下であり、シリコーン系の場
合には、シリコーンに混合される硬化剤の混合割合を調
整することにより、硬度の変更が可能である。

【００４１】そして、カバー１およびグローブ35からな
る外囲器の大きさは５２０ｃｍ³程度であり、６００ｃ
ｍ³以下に設定される。

【００４２】次に、インバータ回路12の回路構成を図９
を参照して説明する。

【００４３】商用交流電源Ｅの両端にヒューズF1を介し
てコンデンサC1を接続し、このコンデンサC1の両端子間
にインダクタL1を介して全波整流器51の入力端子を接続
する。そして、この全波整流器51の出力端子間に、電解
コンデンサC2を接続し、この電解コンデンサC2の両端子
間に電界効果トランジスタQ1のドレイン、ソース、およ
び、電界効果トランジスタQ2のドレイン、ソースを接続
する。さらに、電界効果トランジスタQ1のソースおよび
電界効果トランジスタQ2のドレイン間に、可飽和電流ト
ランスCTの入力巻線CT1 の一端を接続する。

【００４４】また、電界効果トランジスタQ1のゲート、
ソース間に可飽和電流トランスCTの制御巻線CT2 を接続
し、電界効果トランジスタQ2のゲート、ソース間に可飽
和電流トランスCTの制御巻線CT3 を接続する。さらに、
電界効果トランジスタQ2のゲート、ソース間にツェナダ
イオードZD1 およびツェナダイオードZD2 を逆特性で接
続した直列回路と、抵抗R1およびコンデンサC3の直列回
路とを並列に接続する。

【００４５】さらに、電界効果トランジスタQ2のゲート
に抵抗R2およびトリガ素子Q3の直列回路を接続し、抵抗
R2およびトリガ素子Q3の接続点と、全波整流器51の負極
との間にコンデンサC4を接続する。また、ヒューズF2お
よび電界効果トランジスタQ1のソース間に抵抗R3を接続
し、抵抗R2および抵抗R3の間にダイオードD1を接続す
る。

【００４６】そして、可飽和電流トランスCTは、０．６
４ｍＨの共振用のチョークコイルL2および３３３μＦの
直流カット用のコンデンサC4を介して端子ａが接続さ
れ、全波整流器51の負極には端子ｂが接続され、端子ａ
および端子ｂにはそれぞれ電極コイル28，28の一端が接
続されている。

【００４７】また、１２３μＦの共振用コンデンサC5の
両端には端子ｃおよび端子ｄが接続され、これら端子ｃ
および端子ｄには電極コイル28，28の他端が接続されて
いる。

【００４８】なお、端子ａおよび端子ｃ間と、端子ｂお
よび端子ｄ間の電極コイル28の冷抵抗値は２Ω〜４Ωに
設定される。

【００４９】また、端子ａおよび端子ｃ間と、端子ｂお
よび端子ｄ間を抵抗値が５Ωで短絡すると、端子ａおよ
び端子ｂ間に２６０Ｖ以上の電圧が生ずる。

【００５０】そして、蛍光ランプ装置の組立の順序を説
明する。

【００５１】まず、仕切盤４の上面に、予め高周波点灯
の回路部品14が実装されたプリント回路基板13を固定爪
11を介して係止する。また、この仕切盤４の下面に蛍光
ランプ21を固定し、この蛍光ランプ21は、端部26，26を
仕切盤４に形成したランプ取付筒部23，23に差し込み、
これらバルブ25の端部26，26とランプ取付筒部23，23を
熱硬化性接着剤33により固定する。また、バルブ25の中
央屈曲部27を、熱硬化性接着剤33によって仕切盤４の下
面に接合する。このようにすれば、蛍光ランプ21はバル
ブ25の端部26，26がランプ取付筒部23，23に挿入された
状態で熱硬化性接着剤33にて固定されるとともに、中央
屈曲部27が熱硬化性接着剤34により仕切盤４の下面に接
合されるので、合計３箇所により仕切盤４に固定され
る。

【００５２】この状態で、仕切盤４をカバー１に取り付
ける。この作業は、仕切盤４のフランジ部６に形成した
係止舌片７をカバー１に形成した係止突起９を乗り越え
させ、係止舌片７が弾性変形して係止突起８に係止し、
カバー１と仕切盤４とが結合される。

【００５３】次に、インバータ回路12と口金３とを電気
的に接続し、この口金３をカバー１の円筒部２に固定す
る。

【００５４】このような組み付けが終わると、仕切盤４
の立上がり側壁５の外周面と、カバー１の開口部内面と
の間に、熱硬化性接着剤41を充填する。この熱硬化性接
着剤41は仕切盤４とカバー１を接合するようになるか
ら、仕切盤４はカバー１に接着され、抜け出しが防止さ
れる。そして、この熱硬化性接着剤41が未だ硬化しない
うちに、蛍光ランプ21にグローブ35を被せ、このグロー
ブ35の開口端部を仕切盤４の立上がり側壁５の外周面と
カバー１の開口部内面との間に差し込み、ここに充填さ
れている熱硬化性接着剤41の中に埋め込む。すると、熱
硬化性接着剤41は、グローブ35の首部36の内面および外
面に亘って接着し、この状態で熱硬化性接着剤41の乾燥
を待つ。

【００５５】そして、熱硬化性接着剤41が乾燥すると、
グローブ35はこの熱硬化性接着剤41を介して仕切盤４の
立上がり側壁５およびカバー１の開口部内面に接合され
る。

【００５６】さらに、図１０に示すように、蛍光ランプ
装置FLを白熱電球を取り付けるエジソンソケットを有す
る照明器具61に取り付けて、照明装置とする。

【００５７】また、蛍光ランプ21の点灯動作について図
９を参照して説明する。

【００５８】まず、商用交流電源Ｅの交流電圧を全波整
流器51で全波整流し、電界効果トランジスタQ2で平滑
し、コンデンサC4を充電してコンデンサC4が所定電圧値
以上になるとトリガ素子Q3をオンし、このトリガ素子Q3
のオン動作によりコンデンサC3を充電し、コンデンサC3
の電圧を上昇させることにより電界効果トランジスタQ2
のゲートに電圧を印加して、電界効果トランジスタQ2を
オンする。そして、可飽和電流トランスCTの飽和に従
い、制御巻線CT2 および制御巻線CT3 で電界効果トラン
ジスタQ1のゲートおよび電界効果トランジスタQ2のゲー
トに交互に電圧を印加し、高周波交流を発生させて蛍光
ランプ21を始動、点灯させ、すなわち電極コイル28，28
間で４０Ｖ程度のアーク放電を行なわせるとともに、電
極コイル28，28を常時予熱する。

【００５９】そして、たとえば寿命末期などになり、い
ずれかの電極コイル28のエミッタが消耗すると、電極コ
イル28，28間で１００Ｖ程度の片側グロー放電が生じ、
イオンの衝撃が大きくなりエミッタが消耗した側の電極
コイル28が加熱して焼損して断線し、端子ａおよび端子
ｃ間、あるいは、端子ｂおよび端子ｄ間が開放されて、
チョークコイルL2および共振用コンデンサC5が開放され
るため共振が停止し、インバータ回路12が発振を停止す
る。

【００６０】なお、電極コイル28にエンドグローが生じ
た状態で、端子ａおよび端子ｂ間は実効電圧値で約２７
０Ｖで、電極コイル28の実効電圧値は１２Ｖで、実効電
流値は２Ａである。すなわち、両側の電極コイル28，28
にエミッタが塗布されている場合には、確実にアーク放
電に移行できる。

【００６１】したがって、蛍光ランプ21の寿命末期時に
電極コイル28，28間でグロー放電をし続けることがなく
なり、電極コイル28の周辺が必要以上に温度上昇するこ
とを防止できるので、蛍光ランプ12のバルブ25の端部26
を保持するランプ取付筒部23が熱劣化することを防止で
きる。

【００６２】なお、インバータ回路12の出力を上昇させ
るため、電極コイル28の抵抗値を減少させることも考え
られるが、電極コイル28の全長を短くするとエミッタの
保持量が減少するので好ましくない。また、ＭＧが極端
に小さいとスポット温度が異常上昇してエミッタの蒸発
が早まり短寿命となり、反対に、ＭＧが極端に大きいと
スポットが形成されにくくスパッタにより短寿命とな
る。

【００６３】ここで、表２に示すように、実験によれ
ば、メインワイヤ28a が６ＭＧ以下の場合には電極コイ
ル28の抵抗が上がり、端子ａおよび端子ｂ間に印加され
る電圧が低下されるためグロー放電せず、２つの電極コ
イル28，28は通電加熱されつづけ、ランプ取付筒部23，
23が熱劣化する。一方、メインワイヤ28a が１４ＭＧ以
上の場合には断線するまでの時間が長すぎてランプ取付
筒部23が熱劣化するおそれがある。したがって、メイン
ワイヤ28a は８ＭＧ以上１２ＭＧ以下が好ましいと考え
る。

【００６４】

【表２】また、アマルガム32をＢｉ−Ｉｎ−Ｐｂ−Ｈｇの合金と
したため、図８に示すように、アマルガムの温度が８０
℃ないし１００℃で最適となり、従来のＢｉ−Ｉｎ−Ｈ
ｇで重量比が６４．５：３１．５：４．０の合金のアマ
ルガムの最適温度である１００℃ないし１２０℃より低
くすることができるので、消費電力を１７Ｗに抑えて温
度上昇を抑えた省消費電力の蛍光ランプ装置FLに最適な
値とすることができる。

【００６５】すなわち、バルブ25内の温度上昇が低くて
も、アマルガムの最適温度も低いために補助アマルガム
29およびアマルガム32が点灯中に脱落することなく、管
内水銀蒸気圧を確実に制御できる。

【００６６】

【発明の効果】請求項１記載の蛍光ランプ装置によれ
ば、内面に光拡散膜が形成されたグローブ内に、紫外線
吸収剤を混入したことにより、グローブの形状は蛍光ラ
ンプの形状に比べて容易なため、簡単な構成で容易に紫
外線を吸収できる。

【００６７】請求項２記載の蛍光ランプ装置によれば、
請求項１記載の蛍光ランプ装置に加え、光拡散膜は、平
均粒子径１μｍ以上の金属酸化物粒子と、紫外線吸収剤
を構成する平均粒子径１μｍ未満の金属酸化物微粒子を
主体としていることにより、直線透過率が必要以上に高
くなり内部構造物が透過することを防止して、陰を防止
できる。

【００６８】請求項３記載の蛍光ランプ装置によれば、
請求項１または２記載の蛍光ランプ装置に加え、紫外線
吸収剤は、粒子径が１μｍ以上のものを３０％以上含む
とともに、粒子径が１μｍ未満のものを３０％以上含む
ことにより、より確実に幅広い領域の可視光を拡散でき
る。

【００６９】請求項４記載の照明装置によれば、請求項
１ないし３いずれか記載の蛍光ランプ装置を器具本体に
装着したため、簡単な構成で紫外線の照射量を減少でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の蛍光ランプ装置の一実施例を示す断面
図である。

【図２】同上グローブを除いた分解斜視図である。

【図３】同上電極コイルを形成する一工程を示す斜視図
である。

【図４】同上電極コイルを形成する図３に示す次の工程
を示す斜視図である。

【図５】同上電極コイルを形成する図４に示す次の工程
を示す斜視図である。

【図６】同上グローブに紫外線吸収剤を含まない場合の
分光特性を示すグラフである。

【図７】同上グローブに紫外線吸収剤を含む場合の分光
特性を示すグラフである。

【図８】同上アマルガムと温度の関係を示すグラフであ
る。

【図９】同上インバータ回路を示す回路図である。

【図１０】同上照明装置を示す斜視図である。

【符号の説明】

３口金 12 インバータ回路 21 外囲器の一部を構成する蛍光ランプ 35 グローブ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】蛍光ランプと、この蛍光ランプを点灯さ
せるインバータ回路と、口金を備えた外囲器に収容した
蛍光ランプ装置において、前記外囲器は、前記蛍光ランプを包囲し、内面に紫外線
吸収剤を混入した光拡散膜が形成されたグローブを備え
たことを特徴とする蛍光ランプ装置。
【請求項２】光拡散膜は、平均１μｍ以上の金属酸化
物粒子と、紫外線吸収剤を構成する平均粒子径１μｍ未
満の金属酸化物微粒子とを主体として構成されたことを
特徴とする請求項１記載の蛍光ランプ装置。
【請求項３】紫外線吸収剤は、粒子径が１μｍ以上の
ものを３０％以上含むとともに、粒子径が１μｍ未満の
ものを３０％以上含むことを特徴とする請求項１または
２記載の蛍光ランプ装置。
【請求項４】請求項１ないし３いずれか記載の蛍光ラ
ンプ装置を器具本体に装着したことを特徴とする照明装
置。