JPH0817009A - 複合磁気ヘッド - Google Patents
複合磁気ヘッドInfo
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- JPH0817009A JPH0817009A JP14730594A JP14730594A JPH0817009A JP H0817009 A JPH0817009 A JP H0817009A JP 14730594 A JP14730594 A JP 14730594A JP 14730594 A JP14730594 A JP 14730594A JP H0817009 A JPH0817009 A JP H0817009A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 疑似ギャップ作用によるコンター効果が生
じない、しかも再生出力の大きなＭＩＧヘッドを提供す
る。 【構成】 金属磁性薄膜３を単結晶フェライト１の磁気
ギャップ対向面２に被着形成して構成される一対の磁気
コア半体１３を突き合わし、前記金属磁性薄膜３の突き
合せ面に磁気ギャップＧが形成されて成る複合磁気ヘッ
ドであって、該単結晶フェライト１の磁気ギャップ対向
面２の結晶面が（１１１）面、媒体対向面４が（１１
２）面、磁路構成面５が（１１０）面で構成され、磁路
構成面５内の＜１１０＞方向は磁気ギャツプ対向面２に
対して、前記磁気ギャップＧとは反対側に傾斜してお
り、かつ、前記金属磁性薄膜３が一軸磁気異方性を有
し、磁化困難軸１４をギャップデプス方向に配したこと
を特徴とする。
じない、しかも再生出力の大きなＭＩＧヘッドを提供す
る。 【構成】 金属磁性薄膜３を単結晶フェライト１の磁気
ギャップ対向面２に被着形成して構成される一対の磁気
コア半体１３を突き合わし、前記金属磁性薄膜３の突き
合せ面に磁気ギャップＧが形成されて成る複合磁気ヘッ
ドであって、該単結晶フェライト１の磁気ギャップ対向
面２の結晶面が（１１１）面、媒体対向面４が（１１
２）面、磁路構成面５が（１１０）面で構成され、磁路
構成面５内の＜１１０＞方向は磁気ギャツプ対向面２に
対して、前記磁気ギャップＧとは反対側に傾斜してお
り、かつ、前記金属磁性薄膜３が一軸磁気異方性を有
し、磁化困難軸１４をギャップデプス方向に配したこと
を特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は複合磁気ヘッドに関し、
特に疑似ギャップの作用による出力の周波数特性上のう
ねり、いわゆるコンター効果を低減した、高密度磁気記
録に好適する複合磁気ヘッドに関する。
特に疑似ギャップの作用による出力の周波数特性上のう
ねり、いわゆるコンター効果を低減した、高密度磁気記
録に好適する複合磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、磁気記録の高密度化が進み磁気記
録媒体として、高抗磁力磁性微粉末を用いたメタルテー
プ等の高密度記録用メタル媒体が広く使用されている。
このようなメタルテープに記録するためには強い磁力を
発生する磁気ヘッドが必要となり、磁気ヘッドの材料に
も高い飽和磁束密度を有する金属磁性薄膜を磁気ギャッ
プ部に配し、磁路は酸化物磁性材料で形成したメタルイ
ンギャップ型複合磁気ヘッド（以下ＭＩＧヘッドと呼
ぶ）が使用されている。このＭＩＧヘッドは、図５に示
すように、酸化物磁性材料である単結晶フェライト１の
磁気ギャップ対向面２となる結晶面（１１１）面にセン
ダスト等の高飽和磁束密度を有する金属磁性薄膜３を被
着して形成し、媒体対向面４の結晶面を（１１２）面、
磁路構成面５の結晶面を（１１０）面とし、磁路構成面
５内の＜１１０＞方向を磁気ギャップ対向面２に対し、
磁気ギャップＧ側にθ（θ＝５４．８）度傾斜させて構
成した磁気コア半体６を、前記金属磁性薄膜３形成面を
対向させ、ギャップスペーサ（図示せず）を介してガラ
ス７で接合一体化して、磁気ギャップＧを形成して構成
されている。
録媒体として、高抗磁力磁性微粉末を用いたメタルテー
プ等の高密度記録用メタル媒体が広く使用されている。
このようなメタルテープに記録するためには強い磁力を
発生する磁気ヘッドが必要となり、磁気ヘッドの材料に
も高い飽和磁束密度を有する金属磁性薄膜を磁気ギャッ
プ部に配し、磁路は酸化物磁性材料で形成したメタルイ
ンギャップ型複合磁気ヘッド（以下ＭＩＧヘッドと呼
ぶ）が使用されている。このＭＩＧヘッドは、図５に示
すように、酸化物磁性材料である単結晶フェライト１の
磁気ギャップ対向面２となる結晶面（１１１）面にセン
ダスト等の高飽和磁束密度を有する金属磁性薄膜３を被
着して形成し、媒体対向面４の結晶面を（１１２）面、
磁路構成面５の結晶面を（１１０）面とし、磁路構成面
５内の＜１１０＞方向を磁気ギャップ対向面２に対し、
磁気ギャップＧ側にθ（θ＝５４．８）度傾斜させて構
成した磁気コア半体６を、前記金属磁性薄膜３形成面を
対向させ、ギャップスペーサ（図示せず）を介してガラ
ス７で接合一体化して、磁気ギャップＧを形成して構成
されている。
【０００３】上記のように、単結晶フェライト１の媒体
対向面４の結晶面を（１１２）面とすることで磁気記録
媒体との摺接に対する耐磨耗性を向上し、また、単結晶
フェライト１の磁気ギャップ対向面２の結晶面を（１１
１）面、磁路構成面５の結晶面を（１１０）面とし、磁
路構成面５内の＜１１０＞方向を磁気ギャップＧ側にθ
度傾斜させて構成することで、磁路の磁気抵抗を小さく
して最適化し、再生出力を向上したＭＩＧヘッド８が得
られることがよく知られている。 しかし、このＭＩＧ
ヘッド８は、金属磁性薄膜３をスパッタ等の方法で被着
形成する工程や、ガラス融着工程などでの高温加熱によ
り、金属磁性薄膜３と単結晶フェライト１とがその接合
界面において反応し、著しく透磁率の低下した領域、す
なわち反応層９が生成されるため、その反応層９が疑似
ギャップとして作用し、再生信号の周波数特性が周期的
に変動する、いわゆるコンター効果が発生し、再生出力
のＳ／Ｎ比を低下させていた。一方、上記の反応層９の
生成と単結晶フェライト１の結晶面や結晶方位との関係
については、特開平１−３０３６１２号公報に開示され
ているように、単結晶フェライト１の磁気ギャップ対向
面２を（１１１）面、磁路構成面５を（１１０）面と
し、磁路構成面５内の＜１１０＞方向を磁気ギャツプ対
向面２に対し、磁気ギャツプＧの反対側方向に傾斜させ
て配し、磁気ギャップ対向面２に金属磁性膜３を形成す
ると、反応層９の生成が抑制できる。
対向面４の結晶面を（１１２）面とすることで磁気記録
媒体との摺接に対する耐磨耗性を向上し、また、単結晶
フェライト１の磁気ギャップ対向面２の結晶面を（１１
１）面、磁路構成面５の結晶面を（１１０）面とし、磁
路構成面５内の＜１１０＞方向を磁気ギャップＧ側にθ
度傾斜させて構成することで、磁路の磁気抵抗を小さく
して最適化し、再生出力を向上したＭＩＧヘッド８が得
られることがよく知られている。 しかし、このＭＩＧ
ヘッド８は、金属磁性薄膜３をスパッタ等の方法で被着
形成する工程や、ガラス融着工程などでの高温加熱によ
り、金属磁性薄膜３と単結晶フェライト１とがその接合
界面において反応し、著しく透磁率の低下した領域、す
なわち反応層９が生成されるため、その反応層９が疑似
ギャップとして作用し、再生信号の周波数特性が周期的
に変動する、いわゆるコンター効果が発生し、再生出力
のＳ／Ｎ比を低下させていた。一方、上記の反応層９の
生成と単結晶フェライト１の結晶面や結晶方位との関係
については、特開平１−３０３６１２号公報に開示され
ているように、単結晶フェライト１の磁気ギャップ対向
面２を（１１１）面、磁路構成面５を（１１０）面と
し、磁路構成面５内の＜１１０＞方向を磁気ギャツプ対
向面２に対し、磁気ギャツプＧの反対側方向に傾斜させ
て配し、磁気ギャップ対向面２に金属磁性膜３を形成す
ると、反応層９の生成が抑制できる。
【０００４】そこで、図６に示すように、片側の磁気コ
ア半体６ａとなる単結晶フェライト１の金属磁性薄膜３
を形成する磁気ギャップ対向面２の結晶面を（１１１）
面、媒体対向面４の結晶面を（１１２）面、磁路構成面
５の結晶面を（１１０）面とし、磁路構成面５内の＜１
１０＞方向を磁気ギャップ対向面２に対して、磁気ギャ
ップＧと反対側に傾斜させることにより、反応層の生成
を抑制するとともに、金属磁性薄膜を形成しないもう一
方の磁気コア半体６ｂとなる単結晶フェライト１の結晶
面を前記磁気コア半体６ａと同様にし、磁路構成面５内
の＜１１０＞方向を磁気ギャップＧ側に傾斜させること
により、磁路の磁気抵抗を低下させ、これらの磁気コア
半体６ａ，６ｂをガラス７で接合一体化して磁気コアを
構成することにより、再生出力を落とさずに、疑似ギャ
ップ作用によるコンター効果を抑制した、いわゆる片Ｍ
ＩＧヘッド１０が、特開平４−１８１５０８号公報に開
示されている。
ア半体６ａとなる単結晶フェライト１の金属磁性薄膜３
を形成する磁気ギャップ対向面２の結晶面を（１１１）
面、媒体対向面４の結晶面を（１１２）面、磁路構成面
５の結晶面を（１１０）面とし、磁路構成面５内の＜１
１０＞方向を磁気ギャップ対向面２に対して、磁気ギャ
ップＧと反対側に傾斜させることにより、反応層の生成
を抑制するとともに、金属磁性薄膜を形成しないもう一
方の磁気コア半体６ｂとなる単結晶フェライト１の結晶
面を前記磁気コア半体６ａと同様にし、磁路構成面５内
の＜１１０＞方向を磁気ギャップＧ側に傾斜させること
により、磁路の磁気抵抗を低下させ、これらの磁気コア
半体６ａ，６ｂをガラス７で接合一体化して磁気コアを
構成することにより、再生出力を落とさずに、疑似ギャ
ップ作用によるコンター効果を抑制した、いわゆる片Ｍ
ＩＧヘッド１０が、特開平４−１８１５０８号公報に開
示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述した片
ＭＩＧヘッドは、磁気ギャップの両側の形成材料がそれ
ぞれ異なるため、磁気特性にも差ができ、再生出力波形
が歪むという問題があった。そこで、単結晶フェライト
の結晶面を該片ＭＩＧヘッドと同一にして、それぞれの
磁気コア半体に金属磁性薄膜を形成してＭＩＧヘッドを
構成すると、前述のように、磁路構成面内の＜１１０＞
方向を磁気ギャップ側に傾斜させた磁気コア半体には反
応層が生成するため、疑似ギャップ作用によるコンター
効果が発生し、再生出力のＳ／Ｎ比を低下させる。（図
３に示す試作で確認済み） また、磁路構成面内の＜１
１０＞方向を両方の磁気コア半体ともに磁気ギャップの
反対側に傾斜させると、疑似ギャップ作用によるコンタ
ー効果は抑制されるが、再生出力が低下する。本発明の
目的は、上記問題を解決するために、金属磁性薄膜を磁
気ギャップの両側に、かつ、磁気ギャップと平行に配置
しても、再生出力波形の歪まない、しかも、コンター効
果が抑制でき、再生出力の大きなＭＩＧヘッドを提供す
るものである。
ＭＩＧヘッドは、磁気ギャップの両側の形成材料がそれ
ぞれ異なるため、磁気特性にも差ができ、再生出力波形
が歪むという問題があった。そこで、単結晶フェライト
の結晶面を該片ＭＩＧヘッドと同一にして、それぞれの
磁気コア半体に金属磁性薄膜を形成してＭＩＧヘッドを
構成すると、前述のように、磁路構成面内の＜１１０＞
方向を磁気ギャップ側に傾斜させた磁気コア半体には反
応層が生成するため、疑似ギャップ作用によるコンター
効果が発生し、再生出力のＳ／Ｎ比を低下させる。（図
３に示す試作で確認済み） また、磁路構成面内の＜１
１０＞方向を両方の磁気コア半体ともに磁気ギャップの
反対側に傾斜させると、疑似ギャップ作用によるコンタ
ー効果は抑制されるが、再生出力が低下する。本発明の
目的は、上記問題を解決するために、金属磁性薄膜を磁
気ギャップの両側に、かつ、磁気ギャップと平行に配置
しても、再生出力波形の歪まない、しかも、コンター効
果が抑制でき、再生出力の大きなＭＩＧヘッドを提供す
るものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】金属磁性薄膜を単結晶フ
ェライトの磁気ギャップ対向面に被着形成して構成され
る一対の磁気コア半体を突き合わし、前記金属磁性薄膜
の突き合せ面に磁気ギャップＧが形成されて成る複合磁
気ヘッドであって、該単結晶フェライトの磁気ギャツプ
対向面の結晶面が（１１１）面、媒体対向面の結晶面が
（１１２）面、磁路構成面の結晶面が（１１０）面で構
成され、磁路構成面内の＜１１０＞方向は磁気ギャツプ
対向面に対して、前記磁気ギャップとは反対側に傾斜さ
せ、かつ、前記金属磁性薄膜が一軸磁気異方性を有し、
磁化困難軸をギャップデプス方向に配した構成とする。
また、前記金属磁性薄膜をギャップデプスを規制するよ
うに形成した斜面部（以下斜面部と記す）から媒体対向
面までの間のみに形成し、前記金属磁性薄膜がＦｅＴａ
Ｎ合金またはＦｅＴａＣｕＮ合金からなる薄膜とするこ
とが望ましい。
ェライトの磁気ギャップ対向面に被着形成して構成され
る一対の磁気コア半体を突き合わし、前記金属磁性薄膜
の突き合せ面に磁気ギャップＧが形成されて成る複合磁
気ヘッドであって、該単結晶フェライトの磁気ギャツプ
対向面の結晶面が（１１１）面、媒体対向面の結晶面が
（１１２）面、磁路構成面の結晶面が（１１０）面で構
成され、磁路構成面内の＜１１０＞方向は磁気ギャツプ
対向面に対して、前記磁気ギャップとは反対側に傾斜さ
せ、かつ、前記金属磁性薄膜が一軸磁気異方性を有し、
磁化困難軸をギャップデプス方向に配した構成とする。
また、前記金属磁性薄膜をギャップデプスを規制するよ
うに形成した斜面部（以下斜面部と記す）から媒体対向
面までの間のみに形成し、前記金属磁性薄膜がＦｅＴａ
Ｎ合金またはＦｅＴａＣｕＮ合金からなる薄膜とするこ
とが望ましい。
【０００７】
【作用】単結晶フェライトの金属磁性薄膜を形成する磁
気ギャップ対向面を（１１１）面、磁路構成面を（１１
０）面とし、磁路構成面内の＜１１０＞方向を磁気ギャ
ップ対向面に対して磁気ギャップと反対側に傾斜させる
ことにより、金属磁性薄膜と単結晶フェライトとの反応
層の生成を抑制して、疑似ギャップ作用によるコンター
効果を防止できる。また、一軸磁気異方性を有する金属
磁性薄膜の磁化困難軸をギャップデプス方向に配するこ
とにより、金属磁性薄膜内のギャップデプス方向へ磁束
が流れやすくして、磁路構成面内の＜１１０＞方向とほ
ぼ直交する斜面部において、金属磁性薄膜から単結晶フ
ェライトへ磁束が流れやすくして、磁気ギャップで捕捉
した磁束を効率よく単結晶フェライトの磁路に導くこと
ができるため、再生出力を大きくできる。当然のことな
がら、磁気ギャップの両側は同一材料の金属磁性薄膜で
構成されているため、再生出力波形も歪まない。さら
に、金属磁性薄膜を斜面部から媒体対向面までの間のみ
に形成することにより、磁気ヘッドのいわゆるバックギ
ャップ部での磁路を磁化困難軸の直交する金属磁性薄膜
を介さずに、単結晶フェライト同志の接合で、低磁気抵
抗で形成できるため、再生出力を更に向上できる。な
お、金属磁性薄膜を高飽和磁束密度のＦｅＴａＮ合金ま
たはＦｅＴａＣｕＮ合金で構成すれば、高抗磁力磁気記
録媒体への磁気記録性能を向上できる。
気ギャップ対向面を（１１１）面、磁路構成面を（１１
０）面とし、磁路構成面内の＜１１０＞方向を磁気ギャ
ップ対向面に対して磁気ギャップと反対側に傾斜させる
ことにより、金属磁性薄膜と単結晶フェライトとの反応
層の生成を抑制して、疑似ギャップ作用によるコンター
効果を防止できる。また、一軸磁気異方性を有する金属
磁性薄膜の磁化困難軸をギャップデプス方向に配するこ
とにより、金属磁性薄膜内のギャップデプス方向へ磁束
が流れやすくして、磁路構成面内の＜１１０＞方向とほ
ぼ直交する斜面部において、金属磁性薄膜から単結晶フ
ェライトへ磁束が流れやすくして、磁気ギャップで捕捉
した磁束を効率よく単結晶フェライトの磁路に導くこと
ができるため、再生出力を大きくできる。当然のことな
がら、磁気ギャップの両側は同一材料の金属磁性薄膜で
構成されているため、再生出力波形も歪まない。さら
に、金属磁性薄膜を斜面部から媒体対向面までの間のみ
に形成することにより、磁気ヘッドのいわゆるバックギ
ャップ部での磁路を磁化困難軸の直交する金属磁性薄膜
を介さずに、単結晶フェライト同志の接合で、低磁気抵
抗で形成できるため、再生出力を更に向上できる。な
お、金属磁性薄膜を高飽和磁束密度のＦｅＴａＮ合金ま
たはＦｅＴａＣｕＮ合金で構成すれば、高抗磁力磁気記
録媒体への磁気記録性能を向上できる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明について、図面を参照して説明
する。従来例と同一部分には同一参照符号を付して説明
を省略する。本発明の複合磁気ヘッドは金属磁性薄膜３
の形成に特徴を有する。すなわち、図１に示すように、
単結晶フェライト１の磁気ギャップ対向面２の結晶面を
（１１１）面、媒体対向面４の結晶面を（１１２）面、
磁路構成面５の結晶面を（１１０）面とし、磁路構成面
５内の＜１１０＞方向を磁気ギャップ対向面２に対して
磁気ギャップＧとは反対側に、θ（θ＝５４．８）度だ
け傾斜させて構成されるように、単結晶フェライト１を
研削し、さらに、斜面部１１及び卷線溝１２を加工し
て、磁気ギャップ対向面２を研磨して磁気コア基体１３
ａを作成する。次いで、この磁気コア基体１３ａの磁気
ギャップ対向面２及び斜面部１１に、図２に示すよう
に、Ｆｅ77Ｔａ9 Ｎ14（原子％）の組成の合金（以下Ｆ
ｅＴａＮ合金と記す）からなる金属磁性薄膜３の磁化困
難軸１４がギャップデプス方向に一軸異方性を有するよ
うに、金属磁性薄膜３をスパッタ等の方法で所定厚さに
被着形成して磁気コア半体１３を形成する。次いで、こ
の一対の磁気コア半体１３の金属磁性薄膜３形成面をギ
ャップスペーサ（図示せず）を介して突き合せ、ガラス
７で溶着一体化して磁気コアを得る。このように構成し
た磁気コアを用いて作成したＭＩＧヘッド１５と、従来
の結晶面方位で構成したＭＩＧヘッド８、及び特開平４
−１８１５０８号公報に開示された結晶面方位で構成し
たＭＩＧヘッド１０ａ，１０ｂとのコンター効果を測定
し、その測定結果を図３に示す。図３の縦軸はコンター
効果の大きさを表し、４〜８ＭＨｚの信号再生における
再生出力のうねりの幅を信号出力で割った値（ｄＢ）で
ある。図３に示すように、本発明のＭＩＧヘッド１５は
コンター効果をほとんど無くすることができる。
する。従来例と同一部分には同一参照符号を付して説明
を省略する。本発明の複合磁気ヘッドは金属磁性薄膜３
の形成に特徴を有する。すなわち、図１に示すように、
単結晶フェライト１の磁気ギャップ対向面２の結晶面を
（１１１）面、媒体対向面４の結晶面を（１１２）面、
磁路構成面５の結晶面を（１１０）面とし、磁路構成面
５内の＜１１０＞方向を磁気ギャップ対向面２に対して
磁気ギャップＧとは反対側に、θ（θ＝５４．８）度だ
け傾斜させて構成されるように、単結晶フェライト１を
研削し、さらに、斜面部１１及び卷線溝１２を加工し
て、磁気ギャップ対向面２を研磨して磁気コア基体１３
ａを作成する。次いで、この磁気コア基体１３ａの磁気
ギャップ対向面２及び斜面部１１に、図２に示すよう
に、Ｆｅ77Ｔａ9 Ｎ14（原子％）の組成の合金（以下Ｆ
ｅＴａＮ合金と記す）からなる金属磁性薄膜３の磁化困
難軸１４がギャップデプス方向に一軸異方性を有するよ
うに、金属磁性薄膜３をスパッタ等の方法で所定厚さに
被着形成して磁気コア半体１３を形成する。次いで、こ
の一対の磁気コア半体１３の金属磁性薄膜３形成面をギ
ャップスペーサ（図示せず）を介して突き合せ、ガラス
７で溶着一体化して磁気コアを得る。このように構成し
た磁気コアを用いて作成したＭＩＧヘッド１５と、従来
の結晶面方位で構成したＭＩＧヘッド８、及び特開平４
−１８１５０８号公報に開示された結晶面方位で構成し
たＭＩＧヘッド１０ａ，１０ｂとのコンター効果を測定
し、その測定結果を図３に示す。図３の縦軸はコンター
効果の大きさを表し、４〜８ＭＨｚの信号再生における
再生出力のうねりの幅を信号出力で割った値（ｄＢ）で
ある。図３に示すように、本発明のＭＩＧヘッド１５は
コンター効果をほとんど無くすることができる。
【０００９】なお、金属磁性薄膜３の磁化困難軸１４を
ギャップデプス方向とした一軸異方性となるように形成
したため、前述したように、磁気ギャップＧで捕捉した
磁束をギャップデプス方向に導き、斜面部１１を経由し
て、単結晶フェライト１の磁路へ効率よく導くことがで
きるため、再生出力も低下しない。本発明の他の実施例
として、図４に示すように、ＦｅＴａＮ合金からなる金
属磁性薄膜３の磁化困難軸１４を、ギャップデプス方向
とした一軸異方性となるようにし、かつ、斜面部１１か
ら媒体対向面４までの間のみに形成すれば、前記実施例
と同様に、磁気ギャップＧで捕捉した磁束を単結晶フェ
ライト１の磁路へ効率よく導くことができるとともに、
バックギャップ部１６での磁路を低磁気抵抗に形成でき
るため、再生出力を更に向上できる。
ギャップデプス方向とした一軸異方性となるように形成
したため、前述したように、磁気ギャップＧで捕捉した
磁束をギャップデプス方向に導き、斜面部１１を経由し
て、単結晶フェライト１の磁路へ効率よく導くことがで
きるため、再生出力も低下しない。本発明の他の実施例
として、図４に示すように、ＦｅＴａＮ合金からなる金
属磁性薄膜３の磁化困難軸１４を、ギャップデプス方向
とした一軸異方性となるようにし、かつ、斜面部１１か
ら媒体対向面４までの間のみに形成すれば、前記実施例
と同様に、磁気ギャップＧで捕捉した磁束を単結晶フェ
ライト１の磁路へ効率よく導くことができるとともに、
バックギャップ部１６での磁路を低磁気抵抗に形成でき
るため、再生出力を更に向上できる。
【００１０】以上、高抗磁力媒体への磁気記録特性の最
適な金属磁性薄膜３としてＦｅＴａＮ合金からなる金属
磁性薄膜を使用した例について説明したが、本発明はこ
れに限定されず、（Ｆｅ79Ｔａ8 Ｎ13）99Ｃｕ1 （原子
％）の組成の合金（以下ＦｅＴａＣｕＮ合金と記す）か
らなる金属磁性薄膜３を使用すれば、耐熱性を向上した
ＭＩＧへッドが得られる。また、センダスト、パーマロ
イ、アモルファス等の金属磁性薄膜３を使用しても同様
にコンター効果や再生出力の低下を生じないＭＩＧヘッ
ドが得られるのは言うまでもない。さらに、金属磁性薄
膜３として、絶縁膜と金属磁性薄膜を交互に積層した積
層膜を使用すれば、渦電流損失を防止した特性の良いＭ
ＩＧヘッドを提供できる。また、磁路構成面５内の＜１
１０＞方向を磁気ギャツプ対向面２に対して磁気ギャッ
プＧと反対側に傾斜させる角度θを単結晶フェライト１
の磁路形成に最適な５４．８度とした例について説明し
たが、本発明はこれに限定されず、傾斜部１１の傾斜角
度と磁路構成面内の＜１１０＞方向がほぼ直交するよう
に設定すれば、同様の効果が得られる。
適な金属磁性薄膜３としてＦｅＴａＮ合金からなる金属
磁性薄膜を使用した例について説明したが、本発明はこ
れに限定されず、（Ｆｅ79Ｔａ8 Ｎ13）99Ｃｕ1 （原子
％）の組成の合金（以下ＦｅＴａＣｕＮ合金と記す）か
らなる金属磁性薄膜３を使用すれば、耐熱性を向上した
ＭＩＧへッドが得られる。また、センダスト、パーマロ
イ、アモルファス等の金属磁性薄膜３を使用しても同様
にコンター効果や再生出力の低下を生じないＭＩＧヘッ
ドが得られるのは言うまでもない。さらに、金属磁性薄
膜３として、絶縁膜と金属磁性薄膜を交互に積層した積
層膜を使用すれば、渦電流損失を防止した特性の良いＭ
ＩＧヘッドを提供できる。また、磁路構成面５内の＜１
１０＞方向を磁気ギャツプ対向面２に対して磁気ギャッ
プＧと反対側に傾斜させる角度θを単結晶フェライト１
の磁路形成に最適な５４．８度とした例について説明し
たが、本発明はこれに限定されず、傾斜部１１の傾斜角
度と磁路構成面内の＜１１０＞方向がほぼ直交するよう
に設定すれば、同様の効果が得られる。
【００１１】
【発明の効果】本発明の複合磁気ヘッドによれば、単結
晶フェライトの金属磁性薄膜形成面の結晶面方位を適正
にすることにより、反応層の生成を抑制して疑似ギャッ
プ作用によるコンター効果を防止できるとともに、磁気
ギャップ近傍での金属磁性薄膜と単結晶フェライトとの
接合面での磁気抵抗を高くすることにより、磁気ギャツ
プで捕捉した磁束を単結晶フェライトの磁路へ効率よく
導けるため、再生出力を向上したＭＩＧヘッドが提供で
きる。
晶フェライトの金属磁性薄膜形成面の結晶面方位を適正
にすることにより、反応層の生成を抑制して疑似ギャッ
プ作用によるコンター効果を防止できるとともに、磁気
ギャップ近傍での金属磁性薄膜と単結晶フェライトとの
接合面での磁気抵抗を高くすることにより、磁気ギャツ
プで捕捉した磁束を単結晶フェライトの磁路へ効率よく
導けるため、再生出力を向上したＭＩＧヘッドが提供で
きる。
【図１】 本発明の複合磁気ヘッドの単結晶フェライト
の結晶面方位を示す斜視図
の結晶面方位を示す斜視図
【図２】 本発明の一実施例の複合磁気ヘッドの斜視図
【図３】 単結晶フェライトの結晶面方位とコンター効
果の関係を示す分布図
果の関係を示す分布図
【図４】 本発明の他の実施例の複合磁気ヘッドの側面
図
図
【図５】 従来のＭＩＧヘッドの斜視図
【図６】 改良された従来例のＭＩＧヘッドの斜視図
１ 単結晶フェライト ２ 磁気ギャップ対向面 ３ 金属磁性薄膜（ＦｅＴａＮ合金） ４ 媒体対向面 ５ 磁路構成面 ７ ガラス １１ 斜面部 １３ 磁気コア半体 １４ 磁化困難軸 １５ 磁気コア Ｇ 磁気ギャップ
Claims (3)
- 【請求項１】金属磁性薄膜を単結晶フェライトの磁気ギ
ャップ対向面に被着形成して構成される一対の磁気コア
半体を突き合わし、前記金属磁性薄膜の突き合せ面に磁
気ギャップが形成されて成る複合磁気ヘッドであって、
該単結晶フェライトの金属磁性膜形成面の結晶面が（１
１１）面、媒体対向面の結晶面が（１１２）面、磁路構
成面の結晶面が（１１０）面で構成され、該磁路構成面
内の＜１１０＞方向は磁気ギャップ対向面に対して前記
磁気ギャップとは反対側に傾斜しており、且つ、前記金
属磁性薄膜が一軸磁気異方性を有し、磁化困難軸をギャ
ップデプス方向に配することを特徴とする複合磁気ヘッ
ド。 - 【請求項２】前記金属磁性薄膜を前記複合磁気ヘッドの
ギャップデプスを規制するように形成した斜面部から媒
体対向面までの間のみに被着形成することを特徴とする
請求項１記載の複合磁気ヘッド。 - 【請求項３】前記金属磁性薄膜がＦｅＴａＮ合金または
ＦｅＴａＣｕＮ合金からなることを特徴とする請求項１
記載の複合磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14730594A JPH0817009A (ja) | 1994-06-29 | 1994-06-29 | 複合磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14730594A JPH0817009A (ja) | 1994-06-29 | 1994-06-29 | 複合磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0817009A true JPH0817009A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15427198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14730594A Pending JPH0817009A (ja) | 1994-06-29 | 1994-06-29 | 複合磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0817009A (ja) |
-
1994
- 1994-06-29 JP JP14730594A patent/JPH0817009A/ja active Pending
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