JPH08167120A - 多層磁気抵抗効果膜および磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】二つの磁性層で非磁性層を挟み、一方の磁性層
に反強磁性層を接触させた多層磁気抵抗効果膜におい
て、反強磁性層に接していない磁性層にＣｏを主成分と
する非晶質を用い、直接基板上に形成することにより、
磁性層間の相互作用が磁気的に分離され、かつ、反強磁
性層からの交換バイアス磁界が印加される多層磁気抵抗
効果膜。 【効果】低飽和磁界および高磁気抵抗変化率を示し、高
性能な磁気記録再生装置が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は高い磁気抵抗効果を有す
る多層磁気抵抗効果膜およびこれを用いた磁気抵抗効果
素子，磁気ヘッド，磁気記録再生装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気記録の高密度化に伴い、再生用磁気
ヘッドに用いる磁気抵抗効果材料として、高い磁気抵抗
効果を示す材料が求められている。現在、使用されてい
るパーマロイの磁気抵抗変化率は約３％であり、新材料
はこれを上回る磁気抵抗変化率を有することが必要であ
る。

【０００３】フィジカル・レビュー・レターズ(Pysical
Review Letters)，第６１巻，第２１号，２４７２〜２
４７５ページに記載の「(００１)Ｆｅ／(００１)Ｃｒ磁
性超格子の巨大磁気抵抗効果（Giant Magnetoresistanc
e of（００１)Ｆｅ／ (００１)Ｃｒ Magnetic Super
lattices）」のように、多層構造を持つ磁性膜 （Ｆｅ
／Ｃｒ多層膜）において、約５０％の磁気抵抗変化率
(４.２Ｋにおいて)が観測されている。しかし、Ｆｅ／
Ｃｒ多層膜に十分な磁気抵抗変化を生じさせるために
は、８００ｋＡ／ｍもの高い磁界が必要であり、低い磁
界で動作する必要がある磁気抵抗効果素子，磁気ヘッド
に用いることができないという問題がある。

【０００４】フィジカル・レビュー・Ｂ(Pysical Revie
w B)，第４３巻，第１号，１２９７〜１３００ページに
記載の「軟磁性多層膜における巨大磁気抵抗効果（Gian
tMagnetoresistance in Soft Ferromagnetic Multilaye
rs)」のように二層の磁性層を非磁性層で分離し、一方
の磁性層に反強磁性層からの交換バイアス磁界を印加す
る方法が考案された。このような多層膜では、磁性層と
して、Ｎｉ−Ｆｅ系合金を用い、ヨーロッパ 特許(Eur
opean Patent)，0 490 608 A2 に記載のように、多層膜
の組織，結晶粒径等を調整するために、基板上にＴａ，
Ｒｕ，ＣｒＶからなるバッファ層を形成している。

【０００５】また、ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・
アプライド・フィジックス(Japanese Journal of Appli
ed Physics)，第３３巻，第１Ａ号,１３３〜１３７ペー
ジに記載の「様々なバッファ層材料を用いたＦｅーＭｎ
／Ｎｉ−Ｆｅ／Ｃｕ／Ｎｉ−Ｆｅサンドイッチ膜におけ
る磁気抵抗と結晶配向性(Magnetoresistanceand Prefer
ed Orientation in Ｆｅ−Ｍｎ／Ｎｉ−Ｆｅ／Ｃｕ／Ｎ
ｉ−Ｆｅ sandwiches with Various Buffer Layer Mat
erials）」では、二層の磁性層を非磁性層で分離し、一
方の磁性層に反強磁性層からの交換バイアス磁界を印加
する方法を用いた多層膜において、多層膜の結晶配向を
制御するためにＨｆ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂからなる
バッファ層を形成している。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このような多層膜で
は、磁性層間の相互作用を磁気的に分離し、かつ、室温
において、反強磁性層からの交換バイアス磁界が印加さ
れなければならない。特に、反強磁性材料としてＭｎ系
合金を用いる場合、多層膜の組織、あるいは結晶配向性
を制御する必要がある。

【０００７】本発明の目的は、多層膜を用いた磁気抵抗
効果素子の問題の解決手段を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、種々の材
料および膜厚を有する磁性層，非磁性層を積層した多層
磁性膜を用いた磁気抵抗効果素子について鋭意研究を重
ねた結果、反強磁性層に接していない磁性層に非晶質合
金を用い、これを基板上に直接形成することにより、バ
ッファ層を用いることなく、多層膜の結晶配向性，組織
が制御でき、磁性層間の相互作用が磁気的に分離され、
かつ、室温において反強磁性層からの交換バイアス磁界
が十分に印加されることを見出し、本発明を完成するに
至った。

【０００９】すなわち、二層の磁性層を非磁性層で分割
し、反強磁性層が一方の磁性層に接した多層膜を用いた
多層磁気抵抗効果膜において、反強磁性層に接していな
い磁性層として、非晶質の合金を用い、これを基板上に
形成することにより、磁性層間の相互作用は磁気的に分
離され、かつ、反強磁性層からの交換バイアス磁界が十
分に印加される。その結果、低い磁界で磁気抵抗変化を
示す磁気抵抗効果膜を得ることができる。また、高い磁
気抵抗変化率を得るために、反強磁性層に接していない
磁性層として、Ｃｏを主成分とする非晶質の合金を用い
ることが好ましい。非晶質合金の上に形成された膜は、
（１１１）配向を示し、これにより、磁性層間の相互作
用が磁気的に分離され、かつ、反強磁性層からの交換バ
イアス磁界が十分に磁性層に印加することができる。

【００１０】また、多層磁気抵抗効果膜は、磁気抵抗効
果素子，磁界センサ，磁気ヘッドなどに好適である。ま
た、磁気ヘッドを用いることにより、高性能磁気記録再
生装置を得ることができる。

【００１１】

【作用】上述のように、二つの磁性層を非磁性層で分割
し、片側の磁性層に反強磁性層が接した多層磁気抵抗効
果膜において、反強磁性層に接していない磁性層として
Ｃｏを主成分とする非晶質の合金を用い、これを基板上
に直接形成することにより、非晶質の上に形成された多
層膜は強い（１１１）配向を示す。これにより、磁性層
間の相互作用が磁気的に分離され、かつ、反強磁性層か
らの交換バイアス磁界が印加され、多層膜は、高い磁気
抵抗変化率を示す。さらに、多層磁気抵抗効果膜は、磁
気抵抗効果素子，磁界センサ，磁気ヘッドなどに好適で
ある。また、磁気ヘッドを用いることにより、高性能磁
気記録再生装置を得ることができる。

【００１２】

【実施例】

（実施例１）多層膜の作製にはイオンビームスパッタリ
ング法を用いた。到達真空度は、３／１０⁵Ｐａ、スパ
ッタリング時のＡｒ圧力は０.０２Ｐａである。また、
膜形成速度は、０.１〜０.２ｎｍ／ｓである。形成した
多層膜の断面構造を図１に示す。基板１１にはＳｉ(１
００)単結晶基板を用いた。磁性層１２には厚さ１０ｎ
ｍのＣｏー７ａｔ％Ｚｒ合金、及び、Ｎｉ−１９ａｔ％
Ｆｅ合金を用いた。非磁性層１３には厚さ２.２ｎｍ の
Ｃｕを用いた。磁性層１４には厚さ５ｎｍのＮｉ−１９
ａｔ％Ｆｅを用いた。また、反強磁性層１５には厚さ１
０ｎｍのＦｅ−４０ａｔ％Ｍｎ合金を用いた。さらに保
護層１６として厚さ１０ｎｍのＣｕを用いた。

【００１３】図２には、磁性層１２にＣｏ−Ｚｒ合金、
及びＮｉ−Ｆｅ合金を用いた多層膜の磁化曲線を示す。
Ｎｉ−Ｆｅ合金を用いた多層膜の磁化曲線は、単層膜の
場合と同様な曲線を示す。これは、二つの磁性層の磁化
が同時に磁化反転しており、反強磁性層からの交換バイ
アス磁界が印加されていないことを示す。これに対し、
Ｃｏ−Ｚｒ合金を用いた多層膜の磁化曲線は二つの部分
に分離している。これは、磁性層間の相互作用は弱く、
かつ、反強磁性層からの交換バイアス磁界が十分印加さ
れていることを示す。この原因を明らかにするため、多
層膜のＸ線回折を行ったところ、Ｃｏ−Ｚｒ合金を用い
た多層膜は、(１１１)配向しているのに対し、Ｎｉ−Ｆ
ｅ合金を用いた多層膜は、ほとんど配向していない(図
３参照)。このことから、磁性層間の相互作用を磁気的
に分離し、かつ、反強磁性層からの交換バイアス磁界が
十分印加されるためには、多層膜を（１１１）配向させ
る必要がある。

【００１４】図４には、多層膜の磁気抵抗効果曲線を示
す。Ｃｏ−Ｚｒ合金を用いた多層膜は、高い磁気抵抗変
化率を示す。しかし、Ｎｉ−Ｆｅ合金を用いた多層膜で
は、反強磁性層からの交換バイアス磁界が印加されてい
ないため、二つの磁性層は常に平行であり、磁気抵抗変
化率は低い。

【００１５】このように、反強磁性層に接していない磁
性層にＣｏ−Ｚｒなどの非晶質磁性材料を用いた場合、
その上に形成された多層膜は（１１１）配向を示し、こ
れにより、磁性層間の相互作用が磁気的に分離され、か
つ、反強磁性層からの交換バイアス磁界が印加される。
この時、多層膜は高い磁気抵抗変化率を示す。

【００１６】また、磁気抵抗効果曲線にバルクハウゼン
ノイズが生じる場合には、多層磁気抵抗効果膜の磁界検
出方向と直角の方向にバイアス磁界を印加する機構を設
けることで、バルクハウゼンノイズを抑止できる。磁気
抵抗効果膜をトラック幅１μｍ以下の狭トラック磁気ヘ
ッドに用いる場合には、トラック幅を厳密に規定する必
要があるため、バイアス磁界を印加する機構は、反強磁
性層に接していない磁性層のトラック以外の部分に、反
強磁性層あるいは保磁力の高い硬磁性層を接触させる方
法が好ましい。

【００１７】また、本実施例では、磁性層としてＣｏ−
Ｚｒ合金を使用したが、他のＦｅ系の軟磁性を示す非晶
質の合金を用いても、磁化曲線及び磁気抵抗効果曲線の
変化は同様である。しかし、磁気抵抗変化は、磁性層の
飽和磁化に比例して高くなるので、磁性層はＣｏを主成
分とする合金、例えば、Ｃｏ−Ｚｒ，Ｃｏ−Ｔａ，Ｃｏ
−Ｈｆ，Ｃｏ−Ｔｉ，Ｃｏ−Ｖ，Ｃｏ−Ｎｂ等を用いる
ことが好ましい。

【００１８】また、本実施例では、非磁性層として、Ｃ
ｕを用いたが、電気抵抗率の低い、Ａｕ，Ａｇを用いて
も同様の結果が得られる。しかし、磁性層として３ｄ遷
移金属を用いる場合には、磁性層とのフェルミ面のマッ
チングの観点から、非磁性層はＣｕであることが好まし
い。

【００１９】本実施例では、磁性層１４としてＮｉ−Ｆ
ｅ系合金を用いたが、他の面心立方構造を有する磁性層
を用いても、磁化曲線及び磁気抵抗効果曲線の変化は同
様である。しかし、Ｍｎ系の反強磁性材料の形成を容易
にするため、反強磁性層に接した磁性層には、格子定数
の近いＮｉ−Ｆｅ系合金あるいはＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏ系合
金を用いることが好ましい。

【００２０】また、本実施例では、反強磁性層として、
Ｆｅ−Ｍｎ系合金を用いたが、他の反強磁性材料を用い
ることもできる。反強磁性材料は、Ｆｅ−Ｍｎ系合金お
よびＦｅ−Ｍｎ系合金に耐食性向上元素を添加した合金
が好ましい。Ｆｅ−Ｍｎ系合金に耐食性向上元素を添加
した合金は、Ｆｅ−ＭｎーＲｕ系合金が、耐食性，ネー
ル温度の高さの点から好ましい。他にも、ネール点の高
い、Ｍｎ系反強磁性材料を用いることができる。例え
ば、ＭｎーＰｄ，ＭｎーＰｔ，ＭｎーＮｉ，ＭｎーＩ
ｒ，ＭｎーＣｏ系合金を用いることができる。

【００２１】さらに、反強磁性層として、酸化物系の材
料、例えば、ＮｉＯ，ＣｏＯあるいはＮｉＣｏＯを用い
ることができる。しかし、これらの反強磁性材料はＭｎ
系の反強磁性材料と異なり、多層膜の組織あるいは結晶
配向性を十分に制御する必要がない。従って、これらの
反強磁性材料を用いる場合、反強磁性層は基板上に直接
形成することも可能である。

【００２２】（実施例２）実施例１と同様な構造を持つ
多層膜を作製した。図１の基板１１として、Ｓｉ(１０
０)単結晶基板を用いた。磁性層１２として、厚さ１０
ｎｍのＣｏ−７ａｔ％Ｚｒを用いた。非磁性層１３とし
て、Ｃｕを用い、その膜厚を変化させた。磁性層１４に
は厚さ５ｎｍのＮｉ−１９ａｔ％Ｆｅを用いた。さら
に、反強磁性層１５として厚さ１０ｎｍのＦｅ−４０ａ
ｔ％Ｍｎを用い、保護層１６として厚さ１０ｎｍのＣｕ
を用いた。

【００２３】図５にＣｕ膜厚に対する磁気抵抗変化率の
変化を示す。Ｃｕ膜厚が１.７ｎｍより厚くなるにつれ
て、磁気抵抗変化率は増加する。Ｃｕ膜厚が２.５ｎｍ
の時、磁気抵抗変化率は最大値を示し、その値は４.５
％ である。また、Ｃｕ膜厚が２.０ｎｍ〜５.０ｎｍの
領域では、磁気抵抗変化率の値は３％以上の値を示す。
従って、高い磁気抵抗変化率を得るためにはＣｕ膜厚が
２.０ｎｍ〜５.０ｎｍの領域に設定することが好まし
い。

【００２４】（実施例３）実施例１と同様な構造を持つ
多層膜を作製した。図１の基板１１として、Ｓｉ(１０
０)単結晶基板を用いた。磁性層１２として、厚さ１０
ｎｍのＣｏ−７ａｔ％Ｚｒ，Ｃｏ−７ａｔ％Ｔａ，Ｃｏ
−８ａｔ％Ｈｆ，Ｃｏ−１０ａｔ％Ｖ，Ｆｅ−１０ａｔ
％Ｚｒ，Ｆｅ−８ａｔ％Ｔａを用いた。非磁性層１３と
して、厚さ２.５ｎｍ のＣｕを用い、磁性層１４には厚
さ５ｎｍのＮｉ−１９ａｔ％Ｆｅを用いた。さらに、反
強磁性層として厚さ１０ｎｍのＦｅ−４０ａｔ％Ｍｎを
用い、保護層として厚さ１０ｎｍのＣｕを用いた。

【００２５】多層膜の磁気抵抗変化率と反強磁性層に接
していない磁性層の保磁力を調べた。これを表１に示
す。

【００２６】

【表１】

【００２７】本実施例のように、反強磁性層に接してい
ない磁性層に非晶質を用いることにより、磁気抵抗変化
が生じる。しかし、Ｆｅ系の材料を用いた多層膜では、
Ｃｏ系の材料を用いた多層膜と比較して、保磁力は低い
ものの、磁気抵抗変化率は１.５％ 以下と低い。従っ
て、反強磁性層に接していない磁性層には、Ｃｏを主成
分とする非晶質合金が好ましい。

【００２８】（実施例４）実施例１と同様な構造の多層
膜を作製した。図１の基板１１として、Ｓｉ(１００)単
結晶基板を用いた。磁性層１２には、Ｃｏ−７ａｔ％Ｔ
ａを用い、非磁性層１３には厚さ２.５ｎｍ のＣｕ，Ａ
ｕ，Ａｇを用いた。磁性層１４には厚さ５ｎｍのＮｉ−
１６ａｔ％Ｆｅ−１８ａｔ％Ｃｏを用いた。反強磁性層
１５には厚さ１０ｎｍのＦｅ−４０ａｔ％Ｍｎ，保護層
１６には厚さ１０ｎｍのＣｕを用いた。

【００２９】表２に多層膜の磁気抵抗変化率を示す。

【００３０】

【表２】

【００３１】表２のように、非磁性中間層にＡｕあるい
はＡｇを用いた多層膜と比較して、Ｃｕを用いた多層膜
の方が高い磁気抵抗変化率が得られる。従って、非磁性
中間層は、Ｃｕを用いることが好ましい。

【００３２】（実施例５）実施例１と同様な方法で、図
６に示す多層膜を形成した。本実施例では、図６の基板
２１にはＳｉ(１００)単結晶基板を用いた。磁性層２２
には厚さ１０ｎｍのＣｏ−７ａｔ％Ｚｒ，非磁性層２３
には厚さ２.５ｎｍ のＣｕ，磁性層２４には厚さ２ｎｍ
のＣｏ，磁性層２５には厚さ３ｎｍのＮｉ−１９ａｔ％
Ｆｅを用いた。反強磁性層２６には厚さ１０ｎｍのＦｅ
−４０ａｔ％Ｍｎを用い、保護層には厚さ１０ｎｍのＣ
ｕを用いた。

【００３３】Ｎｉ−Ｆｅ磁性層とＣｕ中間層との界面に
Ｃｏ層を形成した多層膜は、５.４％の磁気抵抗変化率
を示す。これに対し、Ｃｏ層を形成していない多層膜の
磁気抵抗変化率は、４.５％ である。従って、本実施例
のように、反強磁性層に接した磁性層と非磁性層との界
面にＣｏ層を形成することにより、高い磁気抵抗変化率
を得ることができる。また、反強磁性層に接していない
磁性層と非磁性層との界面に、Ｃｏ層を形成しても、同
様に、高い磁気抵抗変化率が得られる。

【００３４】（実施例６）本発明を用いた磁気抵抗効果
素子を形成した。本実施例では、図１の磁性層１２に
は、Ｃｏ−７ａｔ％Ｚｒを用い、非磁性層１３には厚さ
２.５ｎｍ のＣｕを用いた。磁性層１４には厚さ５ｎｍ
のＮｉ−１６ａｔ％Ｆｅ−１８ａｔ％Ｃｏを用いた。反
強磁性層１５には厚さ１０ｎｍのＦｅ−４０ａｔ％Ｍ
ｎ，保護層１６には厚さ１０ｎｍのＣｕを用いた。

【００３５】図７に磁気抵抗効果素子の構造を示す。磁
気抵抗効果素子は、多層磁気抵抗効果膜３１および電極
３２をシールド層３３，３４で挟んだ構造を有する。磁
気抵抗効果素子に磁界を印加し、電気抵抗率の変化を測
定したところ、本発明の多層磁気抵抗効果膜を用いた磁
気抵抗効果素子は、２.４ｋＡ／ｍ(３０Ｏｅ）程度の印
加磁界で４.９％ 程度の磁気抵抗変化率を示した。ま
た、本発明の磁気抵抗効果素子の再生出力は、Ｎｉ−Ｆ
ｅ単層膜を用いた磁気抵抗効果素子と比較して約３.３
倍であった。

【００３６】（実施例７）実施例６で述べた磁気抵抗効
果素子を用い、磁気ヘッドを作製した。磁気ヘッドの構
造を以下に示す。図８は、記録再生分離型ヘッドの一部
分を切断した場合の斜視図である。多層磁気抵抗効果膜
４１をシールド層４２，４３で挾んだ部分が再生ヘッド
として働き、コイル４４を挾む下部磁極４５，上部磁極
４６の部分が記録ヘッドとして働く。多層磁気抵抗効果
膜４１は実施例６に記載の多層膜からなる。また、電極
４８には、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒという多層構造の材料を用
いた。

【００３７】以下にこのヘッドの作製方法を示す。Ａｌ
₂Ｏ₃・ＴｉＣを主成分とする焼結体をスライダ用の基板
４７とした。シールド層，記録磁極にはスパッタリング
法で形成したＮｉ−Ｆｅ合金を用いた。各磁性膜の膜厚
は、以下のようにした。上下のシールド層４２，４３は
１.０μｍ，下部磁極４５，上部４６は３.０μｍ，各層
間のギャップ材はスパッタリングで形成したＡｌ₂Ｏ₃を
用いた。ギャップ層の膜厚は、シールド層と磁気抵抗効
果素子間で０.２μｍ，記録磁極間では０.４μｍとし
た。さらに再生ヘッドと記録ヘッドの間隔は約４μｍと
し、このギャップもＡｌ₂Ｏ₃で形成した。コイル４４に
は膜厚３μｍのＣｕを使用した。

【００３８】以上述べた構造の磁気ヘッドで記録再生を
行ったところ、Ｎｉ−Ｆｅ単層膜を磁気抵抗効果素子に
用いた磁気ヘッドと比較して、３倍高い再生出力を得
た。これは、本発明の磁気ヘッドに高磁気抵抗効果を示
す多層膜を用いたためと考えられる。

【００３９】また、本発明の磁気抵抗効果素子は、磁気
ヘッド以外の磁界検出器にも用いることができる。

【００４０】（実施例８）実施例７で述べた本発明の磁
気ヘッドを用い、磁気ディスク装置を作製した。図９に
磁気ディスク装置の構造の概略図を示す。

【００４１】磁気記録媒体５１には、残留磁束密度０.
７５Ｔ のＣｏ−Ｎｉ−ＰｔーＴａ系合金からなる材料
を用いた。磁気ヘッド５３の記録ヘッドのトラック幅は
３μｍ，再生ヘッドのトラック幅は２μｍとした。磁気
ヘッド５３における磁気抵抗効果素子は、従来のパーマ
ロイ単層膜を用いた磁気抵抗効果素子の約３.３ 倍の出
力を示すため、さらにトラック幅が狭く、記録密度の高
い磁気ディスク装置を作製することができる。本発明の
磁気ヘッドは、特に１Ｇｂ／ｉｎ² 以上の記録密度を有
する磁気記録再生装置に有効である。また、１０Ｇｂ／
ｉｎ² 以上の記録密度を有する磁気記録再生装置には、
必須であると考えられる。

【００４２】

【発明の効果】本発明によれば、二層の磁性層を非磁性
層で分割し、一層の磁性層に反強磁性層が接した多層膜
において、反強磁性層に接していない磁性層に、Ｃｏを
主成分とする非晶質合金を用い、これを基板上に直接形
成することにより、磁性層間の相互作用が磁気的に分離
され、かつ、反強磁性層からの交換バイアス磁界が印加
される。この時、高い磁気抵抗変化率を有する磁気抵抗
効果膜が得られる。多層磁気抵抗効果膜は、磁気抵抗効
果素子，磁界センサ，磁気ヘッドなどに好適である。ま
た、磁気ヘッドを用いることにより、高性能磁気記録再
生装置を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の多層磁気抵抗効果膜の断面図。

【図２】本発明の多層磁気抵抗効果膜の磁化特性図。

【図３】本発明の多層磁気抵抗効果膜のＸ線回折プロフ
ァイルを示す図。

【図４】本発明の多層磁気抵抗効果膜の磁気抵抗効果の
特性図。

【図５】Ｃｕ膜厚と磁気抵抗変化率との関係を示す特性
図。

【図６】本発明の磁性層の一部にＣｏ系磁性層を用いた
多層磁気抵抗効果膜の断面図。

【図７】本発明の多層磁気抵抗効果膜を用いた磁気抵抗
効果素子の斜視図。

【図８】本発明の磁気ヘッドの斜視図。

【図９】本発明の磁気記録再生装置の説明図。

【符号の説明】 １１…基板、１２，１４…磁性層、１３…非磁性層。

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】複数層の磁性層を非磁性層で分割し、少な
   くとも一層の前記磁性層に反強磁性層が接しており、少
   なくとも一層の前記磁性層には反強磁性層に接していな
   い多層膜を用いた多層磁気抵抗効果膜において、前記反
   強磁性層に接していない磁性層が、非晶質合金からなる
   ことを特徴とする多層磁気抵抗効果膜。
2. 【請求項２】請求項１において、前記反強磁性層に接し
   ていない磁性層が、Ｃｏを主成分とする非晶質合金から
   なる多層磁気抵抗効果膜。
3. 【請求項３】請求項２において、前記Ｃｏを主成分とす
   る非晶質の合金が、Ｃｏ−Ｚｒ，Ｃｏ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｈ
   ｆ，Ｃｏ−Ｔｉ，Ｃｏ−Ｖ，Ｃｏ−Ｎｂである多層磁気
   抵抗効果膜。
4. 【請求項４】請求項１，２または３において、反強磁性
   層は、Ｍｎ系合金からなる多層磁気抵抗効果膜。
5. 【請求項５】請求項１，２，３または４において、Ｃｏ
   を主成分とする非晶質合金が基板上に形成された多層磁
   気抵抗効果膜。
6. 【請求項６】請求項５において、前記Ｃｏを主成分とす
   る非晶質合金上に形成された膜が面心立方構造を有し、
   （１１１）配向している多層磁気抵抗効果膜。
7. 【請求項７】請求項１，２，３，４，５または６におい
   て、前記非磁性層の少なくとも一部がＣｕ，Ａｕ，Ａｇ
   あるいはそれらを主成分とする合金からなり、非磁性層
   の膜厚が２.０ｎｍ〜５.０ｎｍである多層磁気抵抗効果
   膜。
8. 【請求項８】請求項１，２，３，４，５，６または７に
   おいて、前記反強磁性層に接した磁性層の一部にＮｉ−
   Ｆｅ系合金，Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ系合金を用いた多層磁気
   抵抗効果膜。
9. 【請求項９】請求項１，２，３，４，５，６，７または
   ８において、前記磁性層と前記非磁性層との界面の少な
   くとも一つにＣｏ層を形成した多層磁気抵抗効果膜。
10. 【請求項１０】請求項１，２，３，４，５，６，７，８
    または９において、前記多層磁気抵抗効果膜を少なくと
    も一部に用いた磁気抵抗効果素子。
11. 【請求項１１】請求項１０に記載の前記磁気抵抗効果素
    子を少なくとも一部に用いた磁気ヘッド。
12. 【請求項１２】請求項１０に記載の前記磁気抵抗効果素
    子と誘導型磁気ヘッドとを組み合わせた複合型磁気ヘッ
    ド。
13. 【請求項１３】請求項１１または１２に記載の前記磁気
    ヘッドを用いた磁気記録再生装置。