JPH08162584A

JPH08162584A - リードフレームの加工方法

Info

Publication number: JPH08162584A
Application number: JP6302092A
Authority: JP
Inventors: Nobuhiko Tada; 信彦多田
Original assignee: Hitachi Construction Machinery Co Ltd
Current assignee: Hitachi Construction Machinery Co Ltd
Priority date: 1994-12-06
Filing date: 1994-12-06
Publication date: 1996-06-21

Abstract

(57)【要約】【目的】多ピンかつ狭ピッチで、しかも半導体チップの
端子との接合性が良好なリードフレームの加工方法を提
供する。【構成】最初に、無垢の状態の金属板１に多数の貫通穴
２をあける。この貫通穴２をインナーリード２０２内方
先端の部分を分離する間隙とする。次に、インナーリー
ド２０２となる部分の外方を分離する間隙３を適宜の方
法によって形成し、間隙３を延長するようにアウターリ
ード２０３を形成する。さらに、貫通穴２からレーザ切
断によりスリット４ａ，４ｂを外方へ形成して行き、間
隙３まで到達させる。このスリット４ａ，４ｂの形成の
際には、個々の貫通穴２を検出ユニット１４０で順次検
出し、その検出信号を制御部１３０で信号処理し、検出
した情報に基づいたタイミングでレーザ光１１３Ａの照
射タイミングを制御する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、小型かつ高性能な半導
体装置（ＬＳＩ）に使用されるリードフレームの加工方
法に係わり、特に、多ピンかつ狭ピッチの微細な加工パ
ターンを有するインナーリードを加工するのに好適なリ
ードフレームの加工方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体チップの高密度実装化、高
集積化がより一層厳しく要求されてきており、これに対
応するために半導体チップを搭載するリードフレームも
狭ピッチ化、多ピン化することが要求されている。この
ようなリードフレームを得るためには、微細かつ高精度
な加工、例えば板厚が０．３ｍｍ以下の金属板に、リー
ドピッチの最小値が板厚の２倍以下でリード間隙の幅の
最小値が板厚以下となるような加工を施すことが要求さ
れるため、従来のプレス加工やエッチング加工によって
リードフレームを得ることは困難である。

【０００３】これに対し、レーザ光を利用した加工は、
高密度エネルギー熱源であるレーザビームを被加工材表
面上に集光し、被加工材を局部的かつ瞬時に溶融、溶断
する加工方法であるため、微細かつ高精度な加工が可能
な切断法であり、従来のリードフレーム加工に用いられ
ているプレス加工やエッチング加工では不可能であった
加工も可能である。

【０００４】レーザ光を利用したリードフレームの加工
方法としては、例えば、特開平５−２５１６０５号公報
に開示されているように、ダイパッドやアウターリード
等をエッチング加工やプレス加工等の従来の加工方法で
形成し、リードの先端部（インナーリードの先端部）を
レーザ加工によって形成する方式が提案されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記特開平５−２５１
６０５号公報に記載の従来技術によれば、上記のような
板厚が０．３ｍｍ以下の薄い金属板に、リードピッチの
最小値が板厚の２倍以下でリード間隙の幅の最小値が板
厚以下となるような微細かつ高精度な加工を施すことは
可能である。しかし、薄い金属板に微細なスリット状の
溝を形成しながら順次リードを加工していくと、金属板
素材の剛性が著しく低下し、小さな外力によっても変形
してしまう可能性が大きくなる。従って、リードフレー
ム加工中にリードが変形してリードピッチやリード幅の
精度が低下したり、たとえ高精度に加工を終えたとして
もその後の工程において高精度な寸法や形状を維持する
ことができなくなるなどの問題が生じる。

【０００６】特に多ピンかつ狭ピッチのリードフレーム
において、その寸法や形状の精度が低下すると、ワイヤ
ボンディングやバンプによる半導体チップの端子との接
合性が低下する。即ち、半導体チップの端子とインナー
リードとの間に位置ずれが生じて正確に接合作業が行え
なくなり、接合欠陥が発生したり誤った端子間が接合さ
れることとなる。さらに、リードが極わずか変形しただ
けでもリード同士が接触して電気的短絡をおこす危険性
がある。その結果、そのようなリードフレームを使用し
た製品としての半導体装置は欠陥品となってしまう。

【０００７】本発明の目的は、多ピンかつ狭ピッチで、
しかも半導体チップの端子との接合性が良好なリードフ
レームの加工方法を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、半導体チップの各端子と接合され
た後に樹脂モールドにて一体封止される多数のインナー
リード及びそのインナーリードの外方に連続して延びる
アウターリードを有し、板厚が０．３ｍｍ以下で、リー
ドピッチの最小値が板厚の２倍以下で、リード間隙の幅
の最小値が板厚以下のリードフレームを薄い金属板から
形成するリードフレームの加工方法において、前記イン
ナーリードとなる部分の内方先端を分離する貫通穴を前
記金属板に最初に形成する第１の工程と、前記第１の工
程で形成された貫通穴から外方に向かってレーザ光の照
射によりスリットを形成する第２の工程と、前記インナ
ーリードとなる部分の外方及びアウターリードを分離す
る間隙を前記金属板に形成する第３の工程とを有するこ
とを特徴とするリードフレームの加工方法が提供され
る。

【０００９】上記リードフレームの加工方法において、
好ましくは、前記第２の工程でレーザ光によって形成さ
れるスリットの少なくとも一端をわずかに切り残すこと
によって相隣り合うリードを連結する連結部を形成し、
少なくとも樹脂モールドによるリードフレーム及び半導
体チップの一体封止前にその連結部を切断する。

【００１０】好ましくは、相隣り合うインナーリードの
内方先端における半導体チップの各端子と接合される端
子接合部をリード長手方向に少なくとも２段階にずらせ
て配列させる。

【００１１】また、好ましくは、前記第１の工程におけ
る貫通穴の形成前に、予め金属板の少なくともインナー
リードとなる部分の板厚を元の板厚よりも減肉してお
く。

【００１２】また、好ましくは、前記第２の工程のレー
ザ光の照射によるスリットの形成後に、少なくともレー
ザ光によって金属板に形成された熱影響部を表面処理に
より除去する。この場合、表面処理は化学研磨処理であ
ることが好ましい。

【００１３】また、上記リードフレームの加工方法にお
いて、好ましくは、第２の工程のレーザ光の照射による
スリットの形成後に、少なくともインナーリード先端に
おける半導体チップの各端子と接合される端子接合部表
面に接合性を改善するための金属膜を被覆する。

【００１４】また、好ましくは、少なくともインナーリ
ードとなる部分の表面に補強材を固着する。

【００１５】さらに、インナーリードの内方先端におけ
る半導体チップの各端子と接合される端子接合部を除く
部分に耐熱性の絶縁膜を被覆することが好ましい。

【００１６】さらに、上記リードフレームの加工方法に
おいて、好ましくは、前記第２の工程のレーザ光の照射
によるスリットの形成の際に、前記第１の工程で形成さ
れた個々の貫通穴を検出手段によって順次検出し、その
検出情報に基づいたタイミングでレーザ光の照射タイミ
ングを制御する。

【００１７】

【作用】上記のように構成した本発明においては、イン
ナーリード（以下、適宜リードともいう）となる部分の
内方先端を分離する貫通穴を無垢の状態の金属板に最初
に形成する。この加工は、いかなる加工も施されていな
い無垢の状態の薄い金属板に個々に独立した所定の貫通
穴をあけるだけであるため、インナーリードとなる部分
の内方先端、即ち半導体チップの端子と接合される部分
を寸法精度良く、しかも能率良く容易に加工することが
可能である。また、薄い金属板であっても、貫通穴をあ
けるだけでスリット状に溝を切り刻むことがないため、
金属板の剛性を低下させることがない。但し、この時の
加工はレーザ光を用いたものであっても、エッチング加
工やプレス加工等の他の加工であってもよい。

【００１８】上記貫通穴の形成後、貫通穴から外方に向
かってレーザ光の照射によってスリットを形成する。レ
ーザ光の照射を利用すれば、薄い金属板であっても板厚
以下の狭いスリット幅で加工することができる。但し、
順次レーザ光によってスリットを形成していくに従って
熱影響や剛性の低下よる変形の発生が懸念されるが、半
導体チップの端子と接合される部分を分割する貫通穴が
既に上記のように形成されているため、半導体チップの
端子との接合性には支障がない。つまり、各リードが確
実に分離して形成されてさえいれば十分であって、少々
その形状が変形してもほとんど問題とならない。

【００１９】また、上記インナーリードとなる部分の外
方及びアウターリードを分離する間隙は適宜の方法によ
って形成する。この時の加工もレーザ光を用いたもので
あっても、エッチング加工やプレス加工等の他の加工で
あってもよいが、インナーリード内方に比べてリードピ
ッチがある程度広いため、一層容易に加工できる。さら
に、この加工は、上記レーザ光によるスリット形成の前
後どちらで行ってもよい。

【００２０】このように本発明では、上記のような特殊
な加工工程によって加工を行うことにより、板厚が０．
３ｍｍ以下で、リードピッチの最小値が板厚の２倍以下
で、リード間隙の幅の最小値が板厚以下であるような多
ピンかつ狭ピッチのリードフレームを加工する場合であ
っても、最も寸法精度を必要とするインナーリードの寸
法や形状の精度を向上することが可能となる。

【００２１】また、レーザ光によって形成されるスリッ
トの少なくとも一端をわずかに切り残し、相隣り合うリ
ードを連結する連結部を形成することにより、相隣り合
うインナーリード間での剛性が維持され、従って、イン
ナーリードのリードピッチの精度が維持される。また、
金属板の取扱いが容易となり、レーザ光によるスリット
形成後の種々の処理を、金属板に変形を与えることなく
行うことが可能となる。上記連結部は、少なくとも樹脂
モールドによるリードフレーム及び半導体チップの一体
封止前に切断され、リードが個々に分離される。

【００２２】ところで、インナーリードの内方先端と半
導体チップの各端子とをワイヤボンディングやバンプ等
によって接合する際にはインナーリード側にある程度の
幅（広さ）が必要であるが、多ピンかつ狭ピッチのリー
ドフレームでは板厚よりもインナーリード先端の幅が狭
くなることがあり、そのため多ピンで狭ピッチになれば
なるほどその接合が難しくなる。その上、ワイヤボンデ
ィングの場合には、インナーリードにおける端子接合部
のピッチが狭すぎると、隣接するワイヤ同士が接触した
り、キャピラリーと呼ばれる接合治具の先端が隣接する
ワイヤや隣接する端子接合部と干渉して良好な接合が行
えなくなる。

【００２３】これに対し、本発明では、相隣り合うイン
ナーリード内方先端における半導体チップの各端子と接
合される端子接合部をリード長手方向にずらせて配列す
る（以下、このような配列を千鳥配置という）。その結
果、半導体チップの各端子との接合に必要な最小の幅を
確保しながら、一定の寸法の中に多数の端子接合部を並
べることができ、良好な接合性を損なうことなく多ピン
化及び狭ピッチ化が可能となる。特に、ワイヤボンディ
ングの場合に、隣接するワイヤ同士が接触したり、接合
治具の先端が隣接するワイヤや端子接合部と干渉するこ
とがなくなる。

【００２４】また、上記最初に形成する貫通穴の形成前
に、予め金属板の少なくともインナーリードとなる部分
の板厚を元の板厚よりも減肉しておくことは、上記で述
べた多ピンかつ狭ピッチのインナーリードの加工に際し
て都合がよい。即ち、レーザ切断を行う場合には板厚が
薄いことにより溶融金属の量が減少してドロスやスパッ
タ等の量が減り、また、プレス加工を行う場合には刃物
に加わる力が軽減され、エッチング加工を行う場合には
サイドエッチの進行に起因して腐食穴が完全に貫通しな
いような事態が避けられ、微細な貫通穴を楽にあけるこ
とが可能となる。特に、プレス加工やエッチング加工な
どの従来から一般的によく利用されている加工方法の場
合、その加工限界を超えて極めて微細な加工を行うこと
ができる。さらに、上述の連結部を設ける場合には、板
厚が薄くなることによる剛性の低下がその連結部によっ
て回避される。

【００２５】また、レーザ光照射によってスリットを形
成すると、入熱によってその部分の温度が上昇しその表
面に酸化膜が形成されたり、溶融した溶湯がスパッタや
ドロスとなって金属板表面に付着したりする。これら酸
化膜やスパッタやドロスは半導体チップの各端子との接
合性を損なうものである。本発明では、少なくとも上記
酸化膜やスパッタやドロス等を含む熱影響部を表面処理
により除去することにより、半導体チップの各端子との
接合性が向上する。さらに、この表面処理を化学研磨処
理とすれば、熱影響部の除去が容易になると共に、表面
の汚染物も除去されて良好な表面状態を得ることができ
る。

【００２６】また、レーザ光照射によるスリットの形成
後に、少なくともインナーリードにおける半導体チップ
の各端子と接合される端子接合部表面に接合性を改善す
るための金属膜を被覆することにより、接合性が一層向
上する。さらに、この金属膜の被覆は上記表面処理によ
る熱影響部の除去後直ちに行えば、化学的に活性な表面
に被覆を行うことができるため、剥がれにくく確実に金
属膜を被覆することが可能である。

【００２７】さらに、少なくともインナーリードとなる
部分の表面に補強材を固着し、リードフレームのうちの
特に剛性の低い部分であるインナーリードの寸法や形状
の精度維持を可能とする。尚、この補強材は、前述の連
結部を切り取る前、即ち個々のリードに分離する前に固
着するのが望ましい。

【００２８】また、少なくとも上記インナーリードの半
導体チップの各端子と接合される端子接合部を除く部分
に耐熱性の絶縁膜を被覆することにより、製造工程中に
リード同士が接触したとしても電気的短絡はおこらない
し、ゴミ等の付着による電気的短絡の危険性も回避でき
る。また、耐熱性の材質を用いることにより、樹脂モー
ルドによる一体封止時にもその絶縁膜が劣化することが
なく、確実に絶縁を行うことが可能となる。この耐熱性
の絶縁膜を被覆するのは、上記半導体チップの各端子と
接合される端子接合部を除く部分であるが、アウターリ
ード外方の電子回路基板との端子接合部も除いておくの
が望ましい。

【００２９】さらに、本発明では、前述のレーザ光照射
によるスリット形成の際に、最初に形成された個々の貫
通穴を検出手段によって順次検出し、その検出情報に基
づいたタイミングでレーザ光の照射タイミングを制御す
る。これにより、被加工物である金属板表面の情報、即
ち貫通穴の有無に応じて所望の加工位置に確実にレーザ
光が照射され、レーザ光の光軸を金属板に対して移動さ
せながら加工を行うことが可能となる。この場合、個々
の貫通穴は前述のように寸法精度良く形成されているた
め、それを検出してレーザ光照射の基準として利用する
ことにより、正確な加工を行うことが可能となる。

【００３０】

【実施例】本発明によるリードフレームの加工方法の一
実施例について、図１から図１１を参照しながら説明す
る。但し、本実施例では、ＱＦＰ型半導体装置用のリー
ドフレームであって、板厚が０．３ｍｍ以下、リードピ
ッチの最小値が板厚の２倍以下、リード間隙の幅の最小
値が板厚以下であるような多ピンかつ狭ピッチのリード
フレームを加工する場合について説明する。

【００３１】図１は本実施例によって加工されるリード
フレームの一例を示す図である。図１において、リード
フレーム２００の中央部分には、半導体チップを搭載す
るダイパッド２０１が設けられており、このダイパッド
２０１を囲むようにして多数のインナーリード２０２
と、これらインナーリード２０２に連続するアウターリ
ード２０３が配設されている。これら隣合うインナーリ
ード２０２とアウターリード２０３とはダムバー２０４
により互いに連結状に支持されている。また、ダイパッ
ド２０４の周辺は腕２０５以外は切欠き部２０６が設け
られており、この切欠き部２０６によりインナーリード
２０２はダイパッド２０１と分離され、かつ隣合うイン
ナーリード２０２はこの切欠き部２０６によりそれぞれ
分離されている。

【００３２】また、インナーリード２０２は、ダイパッ
ド２０１の方へ収束するように延びており、相隣り合う
インナーリード２０２の内方先端における半導体チップ
２１０（図８参照）との端子接合部２０２ａ及び２０２
ｂはリード長手方向に２段階にずらせた千鳥配置となっ
ており、電気的接続を行うのに十分な幅となっている。
インナーリード２０２の内側における相隣合うリード間
隙２０８は特に狭く、極めて微細な構造となっており、
しかもこの部分の加工はリードフレームの加工において
最も寸法精度や清浄度が厳しい部分である。

【００３３】さらに、リードフレーム２００の外周部分
には半導体チップの端子とインナーリード２０２との接
続時の位置決め用に位置決め穴２０７が設けられてい
る。尚、ダムバー２０４は、半導体チップのモールド時
にレジンを堰止める役割とインナーリード２０２及びア
ウターリード２０３を補強する役割を有し、モールド後
に除去される。

【００３４】図２は本実施例のリードフレームの加工方
法を含む半導体装置の製造工程を示すフローチャートで
ある。まず、図２のステップＳ１００において、例えば
鋼、銅合金，４２アロイ、コバール等の薄い金属板をレ
ベラーにかけて平に矯正した後、実際の加工に移る。最
初に、ステップＳ１１０において、金属板１の中央付近
に図３に示すような多数の貫通穴２を形成する。但し、
図３はインナーリード２０２となる部分の近傍を拡大し
て示す図であって、紙面左方にアウターリード２０３が
あり、紙面右方に半導体チップ２１０（図８参照）が搭
載される。上記貫通穴２は、リードフレームの中で最も
寸法精度が厳しいインナーリード２０２内方先端の部分
を分離する間隙となる。この時の加工はレーザ光を用い
たものであっても、従来からのエッチング加工やプレス
加工等の加工であってもよい。このうち、プレス加工や
エッチング加工などで極めて微細な加工を行うことは困
難を伴うことが懸念されるが、この工程は、いかなる加
工も施されていない無垢の状態の薄い金属板１に個々に
独立した所定の貫通穴２をあけるだけであるため、ある
程度容易に能率良く加工することができる。従って、イ
ンナーリード２０２となる部分の内方先端、即ち半導体
チップ２１０の端子と接合される部分を寸法精度良く加
工することが可能となり、また、始めからスリット状に
溝を切り刻まないため、金属板１の剛性を低下させるこ
とがない。

【００３５】次に、ステップＳ１１１において、図３に
示すようにインナーリード２０２となる部分の外方を分
離する間隙３を形成する。また、ステップＳ１１０及び
Ｓ１１１の加工を完了した後に、必要に応じてコイニン
グ加工等の金属板１のひずみ除去処理を行なっても良
い。その後、ステップＳ１１２において金属板１の洗浄
及び乾燥を行う。

【００３６】次に、ステップＳ１２０において、リード
フレーム外周の枠材部分に位置決め穴２０７の加工を行
う。そして、ステップＳ１１１で形成した間隙３を延長
するようにアウターリード２０３を形成する（ステップ
Ｓ１２１）。但し、この時の加工、及び前述のステップ
Ｓ１１１の加工も、レーザ光を用いた加工や、従来から
のエッチング加工またはプレス加工等のいずれであって
もよいが、この間隙３やアウターリード２０３は、イン
ナーリード２０２の内方に比べてリードピッチがある程
度広いため、一層容易に加工できる。その後、ステップ
Ｓ１２２において金属板１の洗浄及び乾燥を行い、さら
に、ステップＳ１２３においてインナーリード２０２と
なる部分に補強テープ２２０（図８参照）を貼り付け
る。この補強テープとしては、耐熱性かつ絶縁性のある
有機フィルムが適しており、特に剛性の低い部分の寸法
や形状の精度維持を可能とする。但し、上記間隙３やア
ウターリード２０３の形成は、次に述べるレーザ切断に
よるスリット形成の後でもよい。

【００３７】次に、ステップＳ１３０において、図４に
示すように貫通穴２から外方に向かってレーザ光の照射
によりスリット４ａ及び４ｂを形成していく（以下、レ
ーザ光照射による切断のことをレーザ切断という）。

【００３８】このレーザ切断時における加工現象を簡単
に説明する。図５は、レーザ切断される被加工物（金属
板１）の断面を概念的に示した図である。図５におい
て、レーザ光１１３Ａ（図９参照）は充分な熱エネルギ
密度を供給できるように集光レンズ１１６（図９参照）
で集光されており、金属板１表面の照射された部分が溶
融し、これが熱源となってこの溶融が表面から順次深さ
方向に向って進行し、やがて切断される。レーザ光１１
３Ａは極めて小さく集光できるので微細な加工に好適で
あり、金属板１の板厚よりも狭いスリット４ａ，４ｂを
形成することができる。

【００３９】上記のようなレーザ光照射によって発生し
た溶融金属はほとんどがアシストガスによって吹き飛ば
され金属板１の裏面から落下するが、一部分の残留した
溶融金属はその裏面に付着し凝固してドロス１０とな
り、切断後の側壁でその溶融金属が凝固して再凝固層１
１を形成する。また、飛散した溶融金属が金属板１表面
に付着し凝固しスパッタ１２となる。ドロス１０は主に
レーザ光が照射された側とは反対側に多く付着し、スパ
ッタ１２はレーザ光が照射された側の面に多く付着す
る。さらに、レーザ光照射による入熱によってその部分
の温度が上昇し金属板１表面に酸化膜（図示せず）が形
成される。上記ドロス１０やスパッタ１２や酸化膜は熱
加工であるレーザ切断に特有のものであって、接合性を
損なうものである。尚、予め金属板１両面にスパッタ防
止膜を形成しておけば、スパッタ１２の付着をある程度
回避することができる。

【００４０】また、上記レーザ切断の際、ステップＳ１
１０で形成した多数の貫通穴２を、横切る方向、即ち図
中軌跡Ｋに沿って検出し、その検出結果に基づいてレー
ザ光の照射タイミングを制御し、リードを横切る方向に
レーザ光軸を移動させながら切断を順次実行する。そし
てレーザ光軸を中央周りに周回させることによりできる
放射状の溝を各周回毎に外方へ延長して行き、それによ
ってできるスリット４ａ及び４ｂを図６のように間隙３
と連結させる。この時のレーザ切断装置の概略構成及び
そのレーザ切断動作の詳細は図９〜図１１で後述する。

【００４１】本実施例では、ステップＳ１３０のレーザ
切断によって形成されるスリット４ａ，４ｂの内方側即
ち貫通穴２側をわずかに切り残し、相隣り合うリードを
連結する連結部５を形成する。これにより、相隣り合う
リード間での剛性が維持され、従って、インナーリード
２０２のリードピッチの精度が維持される。また、工程
中の金属板１の取扱いが容易となり、スリット４ａ，４
ｂ形成後の種々の処理を、金属板１に変形を与えること
なく行うことができる。尚、連結部５は必ずしも形成し
なくてもよい。

【００４２】ところで、インナーリード２０２の内方先
端と半導体チップ２１０の各端子とをワイヤボンディン
グやバンプ等によって接合する際にはインナーリード２
０２側にある程度の幅（広さ）が必要である。ワイヤボ
ンディングを例に考えると、良好な接合を実現するため
には、端子接合部２０２ａ、２０２ｂの幅を十分確保す
ることが必要であり、ワイヤ径が仮に０．０２ｍｍ〜
０．０３ｍｍの時には、端子接合部２０２ａ，２０２ｂ
の幅はワイヤ径の３〜５倍が必要であると言われてい
る。しかし、多ピンかつ狭ピッチのリードフレームでは
板厚よりもインナーリード先端の幅が狭くなることがあ
り、そのため多ピンで狭ピッチになればなるほどその接
合が難しくなる。その上、ワイヤボンディングの場合に
は、インナーリードにおける端子接合部のピッチが狭す
ぎると、隣接するワイヤ同士が接触したり、キャピラリ
ーと呼ばれる接合治具の先端が隣接するワイヤや隣接す
る端子接合部と干渉して良好な接合が行えなくなる。

【００４３】これに対し、本実施例では、相隣り合う半
導体チップ２１０の各端子と接合される端子接合部２０
２ａ及び２０２ｂを前述のように千鳥配置とする。これ
により、接合に必要な最小の幅を確保しながら、一定の
寸法の中に多数の端子接合部２０２ａ及び２０２ｂを並
べることができ、良好な接合性を損なうことなく極限に
まで多ピン化及び狭ピッチ化ができる。さらに、ワイヤ
ボンディングの場合には、隣接するワイヤ同士が接触し
たり、接合治具の先端が隣接するワイヤや端子接合部と
干渉することがなくなる。

【００４４】以上のステップＳ１３０のレーザ切断が終
了した後、図６に示すように、ダイパッド２０１周囲の
切欠き部２０６を打ち抜く（ステップＳ１３１）。この
時、貫通穴２の内方側を同時に打ち抜くことにより、貫
通穴２は歯形状の切欠きとなる。ステップＳ１３１の後
には、金属板表面のホコリ等の異物や上述のスパッタ１
２のうち落ちやすいものを除去する（ステップＳ１３
２）。

【００４５】ステップＳ１３２の後、金属板１に表面処
理を施す（ステップＳ１４０）。即ち、図７（ａ）に断
面図で示す金属板１のレーザ切断対象領域にステップＳ
１３０で図７（ｂ）のようなレーザ切断を施した後に、
化学研磨液に金属板１を浸漬して化学研磨処理を行うこ
とにより、少なくとも上記酸化膜やドロス１０やスパッ
タ１２等を含む熱影響部を容易に除去することができ
る。また、レーザ切断後の側壁に形成された再凝固層１
１も同時に除去され、この表面処理後は図７（ｃ）のよ
うに汚染物も除去されてきれいな表面状態となる。これ
により、半導体チップ２１０の各端子との接合性が向上
する。

【００４６】また、上記化学研磨処理の前に、ローラ等
でレジスト剤を金属板１表面に膜を塗布、乾燥しレジス
ト膜を形成しておいてもよい。その場合には、化学研磨
処理時の金属板１の肉やせが抑制される。

【００４７】次に、ステップＳ１５０において、端子接
合部２０２ａ及び２０２ｂを除く部分に耐熱性の絶縁膜
２２１（図８参照）を被覆する。これにより、製造工程
中にリード同士が接触したとしても電気的短絡はおこら
ないし、ゴミ等の付着による電気的短絡の危険性も回避
できる。また、耐熱性の材質を用いることにより、樹脂
モールド２３０（図８参照）による一体封止時にもその
絶縁膜が劣化することがなく、確実に絶縁を行うことが
できる。また、アウターリード２０３外方の部分は後に
電子回路基板との端子接合部となるため、少なくともそ
の部分も耐熱性の絶縁膜２２１を被覆する領域から除外
される。さらに、前述の補強テープ２２０に耐熱性や絶
縁性をもたせておけば、必ずしも耐熱性の絶縁膜２２１
を被覆しなくてもよい。

【００４８】次に、ステップＳ１６０において、端子接
合部２０２ａ及び２０２ｂの表面に銀メッキを施す。銀
メッキを施すことにより、端子接合部２０２ａ及び２０
２ｂの接合性が一層向上する。また、メッキする金属と
しては銀の他、金や錫などでもよい。さらに、この銀メ
ッキ処理は、ステップＳ１４０の化学研磨処理後に直ち
に行えば、化学的に活性な表面に被覆を行うことができ
るため、剥がれにくく確実にメッキ膜を被覆することが
可能である。その場合には耐熱性の絶縁膜の被覆は銀メ
ッキ処理の後で行うことになる。上記ステップＳ１６０
の後、洗浄及び乾燥を行う（ステップＳ１６１）。

【００４９】次に、ステップＳ１７０において、相隣り
合うリードを連結していた連結部５を切断し、端子接合
部２０２ａと端子接合部２０２ｂ、従ってインナーリー
ド２０２を個々に分離する。この時の切断方法はレーザ
切断が適しているが、その他の方法でもよい。その後、
洗浄及び乾燥を行い（ステップＳ１７１）、リードフレ
ームの加工が完了する。

【００５０】引き続き半導体装置の製造を行う。図８
は、本実施例によるリードフレームを用いた半導体装置
の断面図であって、図８（ａ）はインナーリードの端子
接合部２０２ａに対応する断面図であり、図８（ｂ）は
インナーリードの端子接合部２０２ｂに対応する断面図
である。

【００５１】図８（ａ）及び（ｂ）において、ダイパッ
ド２０１には半導体チップ２１０が搭載され、インナー
リード２０２内方先端の端子接合部２０２ａ（または２
０２ｂ）がそれぞれ半導体チップ２１０の各端子（図示
せず）とワイヤ（金線等）２１０を用いたワイヤボンデ
ィングにより接合されている。また、インナーリード２
０２にはステップＳ１２３で説明した補強テープ２２０
が貼り付けられ、さらにインナーリード２０２の端子接
合部２０２ａ（または２０２ｂ）を除く部分にはステッ
プＳ１５０で説明した耐熱性の絶縁膜２２１が被覆され
ている。そして、ダイパッド２０１及び半導体チップ２
１０を含むインナーリード２０２より内側の部分が樹脂
モールド２３０によって一体封止されており、樹脂モー
ルド２３０より外側のアウターリード２０３がガルウィ
ング状に折り曲げ成形されている。

【００５２】図２のステップＳ１７１の後、ステップＳ
１８０及びＳ１８１でダイパッド２０１に半導体チップ
２１０を接着剤等により搭載し、ダイパッド２０１と半
導体チップ２１０とを接着する。次に、ステップＳ１９
０で半導体チップ２１０の所定の端子とインナーリード
２０２の端子接合部２０２ａとを図８（ａ）のようにワ
イヤボンディングにより接合し、さらにステップＳ１９
１で半導体チップ２１０の残りの端子とインナーリード
２０２の端子接合部２０２ｂとを図８（ｂ）のようにワ
イヤボンディングにより接合し、ステップＳ１９２でそ
れらの接合状況を検査する。

【００５３】次に、ステップＳ２００で、上記のように
接合したインナーリード２０２と半導体チップ２１０及
びダイパッド２０１を樹脂モールド２３０で一体的に封
止する。尚、前述の連結部５を切断せずにステップＳ２
００の直前まで残しておいてから切断してもよいが、ス
テップＳ１９０，Ｓ１９１でワイヤボンディングを利用
する場合にはワイヤボンディングのためのワイヤが連結
部５の直上にない場合に限られる。なぜならば、ワイヤ
２１１が連結部５の直上にあると、レーザ切断によって
連結部５と共にワイヤ２１１まで切断されてしまうから
である。

【００５４】次に、ステップＳ２０１ではみ出した樹
脂、即ちレジンばりを除去し、ステップＳ２０２でアウ
ターリード２０３にハンダメッキを施す。このハンダメ
ッキは電子回路基板に半導体装置を実装する際のハンダ
付け性を向上するために行う。

【００５５】次に、ステップＳ２１０でアウターリード
２０３間に設けておいたダムバー２０４をレーザ切断す
る。さらに、ダムバーのレーザ切断時に発生したスパッ
タやホコリを除去し（ステップＳ２１１）、洗浄及び乾
燥を行う（ステップＳ２１２）。さらに、ステップＳ２
２０でアウターリード２０３の外側の枠材及びリードフ
レーム２００のコーナー部分を切断し、ステップＳ２２
１でアウターリード２０３をガルウィング状に折り曲げ
成形し、ステップＳ２２２で半導体チップ２１０の種々
の電気的特性の確認を行う。

【００５６】さらに、製品番号や製造番号等をマーキン
グし（ステップＳ２３０）、外観検査を行い（ステップ
Ｓ２３１）、半導体装置が完成する。そして包装後に出
荷される（ステップＳ２４０）。

【００５７】本実施例のステップＳ１１１またはステッ
プＳ１２１において、インナーリード２０２の外方部分
（間隙３に相当）やアウターリード２０３等の比較的大
きなパターンの部分は、前述のようにレーザ切断によっ
て加工してもよいが、加工能率がよく加工コストの安い
従来のプレス加工やエッチング加工によって形成するこ
とがより望ましい。これは、レーザ切断は比較的加工能
率の点で従来のプレス加工やエッチング加工に劣るから
である。このように、リードフレーム２００の加工部分
に応じて、適当な加工方法を適宜選択し組み合せること
により、要求される加工寸法及び加工精度を満たしつつ
加工能率を向上させ、かつ加工コストを低減することが
できる。

【００５８】例えば、リードフレーム２００の諸元を、板厚：0.15mm リード本数：344本アウターリードのピッチ：0.3mm インナーリードのピッチ：0.3mm（但し、隣接する端子
接合部２０２ａのみのピッチ）と仮定し、プレス加工やエッチング加工等の従来の加工
方法によって加工できる最小のリードピッチを０．２５
ｍｍとした場合、従来の加工方法によって加工する部分
が全体の５／６程度、レーザ切断で加工する部分が全体
の１／６程度となる。即ち、全体の１／６だけをレーザ
切断すればよいことになり、加工能率の向上を図ること
ができる。

【００５９】ここで、ステップＳ１３０で使用するレー
ザ切断装置の概略構成及びそのレーザ切断動作の詳細を
図９から図１１により説明する。

【００６０】図９に示すレーザ切断装置は、パルス状の
レーザ光（以下、パルスレーザ光または単にレーザ光と
いう）を発生させるレーザ発振器１１０、凸型及び凹型
シリンドリカルレンズ（図示せず）を備えたビーム変換
器１１１ａ、像回転プリズム（図示せず）を備えたビー
ム回転器１１１ｂ、加工ヘッド１１２、加工ノズル１１
３、加工テーブル１２１、制御部１３０、及び検出ユニ
ット１４０を備える。

【００６１】加工ヘッド１１２には、ダイクロイックミ
ラー１１４、カメラ用ハーフミラー１１８ｄが備えら
れ、さらにテレビカメラ１１８、カメラ用結像レンズ１
１８ａ、カメラ用光源１１８ｂが取り付けられ、テレビ
カメラ１１８にはモニターテレビ１１８ｃが接続されて
いる。加工ノズル１１３内には、集光レンズ１１６、ア
シストガス供給口１１７が備えられている。

【００６２】また、検出ユニット１４０は加工ノズル１
１３の側方の近接位置に設置されており、加工ノズル１
１３はリードフレーム２００を含む面（水平面）内で検
出ユニット１４０に対して相対的に移動可能である。こ
の検出ユニット１４０には、必要とする波長の光のみを
選択的に透過させるバンドパスフィルタ１４０ａ及び検
出用結像レンズ１４０ｂが取り付けられている。

【００６３】また、図１０に示すように、制御部１３０
は、微分回路１３１、ホールド回路１３２、ディレイ回
路１３３、レーザ用トリガ信号発生回路１３４、検出位
置設定回路１３５、ビーム制御部１３６、テーブル制御
部１３７、及び制御回路１３８を備える。また、検出ユ
ニット１４０は、光電式検出器１４１、検出信号増幅器
１４２、比較手段であるコンパレータ１４３、検出用Ｌ
Ｄレーザ発生器１４４、検出位置調節器１４５を備え
る。

【００６４】但し、ビーム変換器１１１ａ及びビーム回
転器１１１ｂはレーザ発振器１１０からのレーザ光の断
面を楕円形に変換しその断面の長軸方向を光軸回りに回
転させる機能を有し、それらの調整はビーム制御部１３
６によって行われる。また、加工ノズル１１３はその中
心軸が被加工物である金属板１に対して垂直になるよう
に取り付けられている。金属板１は固定治具１２５上に
載置されると共に押さえ治具１２６で外方部分が押さえ
られており、さらに加工テーブル１２１に搭載されてい
る。

【００６５】上記のような構成において、レーザ用トリ
ガ信号発生回路１３４の制御のもとにレーザ発振器１１
０よりパルスレーザ光１１０Ａが発せられる。そして、
ビーム変換器１１１ａ及びビーム回転器１１１ｂを経て
加工ヘッド１１２に入射したパルスレーザ光１１１Ａ
は、ダイクロイックミラー１１４で方向が変えられ、集
光レンズ１１６で集光されパルスレーザ光１１３Ａとな
って加工ノズル１１３先端の開口部１１３ａを通過し、
金属板１上に照射される。

【００６６】また、レーザ切断中またはレーザ切断の準
備段階においては、加工ノズル１１３先端の開口部１１
３ａを通してテレビカメラ１１８により切断位置近傍の
画像が撮像され、モニターテレビ１１８ｃに表示され
る。但し、カメラ用光源１１８ｂからの照明光がカメラ
用ハーフミラー１１８ｄを介して切断位置近傍に照射さ
れ、反射した光がカメラ用結像レンズ１１８ａを介して
テレビカメラ１１８に取り込まれる。

【００６７】また、検出ユニット１４０の検出用ＬＤレ
ーザ発生器１４４から発せられた検出光１４４Ａは加工
ノズル１１３の側方の近接位置より金属板１に照射さ
れ、金属板１表面の検出位置で反射し、検出光１４１Ａ
となって検出ユニット１４０の光電式検出器１４１に入
射する。但し、検出光１４１Ａは光電式検出器１４１に
入射する直前にバンドパスフィルタ１４０ａで不必要な
波長部分が除かれ、検出用結像レンズ１４０ｂで集光さ
れる。検出光として上記のような検出用レーザ光を用い
ることにより、上記検出信号（図１１参照）の立ち上が
り（応答）がシャープになり、高い分解能で高精度な検
出が行える。

【００６８】また、金属板１上の検出位置の調節は、光
電式検出器１４１及び検出用ＬＤレーザ発生器１４４を
検出位置調節器１４５で調節することにより行う。さら
に、検出位置調節器１４５は制御部１３０の検出位置設
定回路１３５によって制御される。上記光電式検出器１
４１と検出用ＬＤレーザ発生器１４４の実際の設置状況
は図１では詳細に示していないが、例えば検出用ＬＤレ
ーザ発生器１４４の周りに同心円状に光電式検出器１４
１を設置することができ、これによってコンパクトにで
きる。

【００６９】以上のようなレーザ切断装置を用いて、貫
通穴２から外方に向かってスリット４ａ及び４ｂを形成
していく動作を説明する。制御部１３０の制御回路１３
８には外部より加工対象とするリードフレーム（金属板
１）のデータ、例えばリードフレームのリード本数やリ
ードピッチや形成すべきリード間のスリット幅及び長
さ、レーザ光軸１１３Ｃの移動軌跡、パルスレーザ光の
発振条件やエネルギ条件等が入力される。また、微分回
路１３１、ホールド回路１３２、ディレイ回路１３３、
レーザ用トリガ信号発生回路１３４、検出位置設定回路
１３５、ビーム制御部１３６、及びテーブル制御部１３
７は制御回路１３０によって制御される。

【００７０】そして、金属板１を加工テーブル１２１に
よって移動させ、図８に示すように、光電式検出器１４
１による検出位置を各貫通穴２を横切るように（軌跡
Ｋ）一定速度ｖ₀で相対的に移動させる。

【００７１】光電式検出器１４１では入射した検出光１
４１Ａの変化が金属板１表面の情報、即ち材料の有無
（配列状態）の情報を含んだ電気的な検出信号に変換さ
れて出力され、検出信号増幅器１４２に送られる。この
ように、レーザ光軸１１３Ｃの直前の位置のリードの配
列状態を検出し、すぐにパルスレーザ光を照射して加工
を行うため、検出時から加工時までの間に外部からの擾
乱要素が入りにくく、微細な加工に適している。

【００７２】また、アシストガス供給口１１７より供給
されたアシストガス１１７Ａは加工ノズル１１３の開口
部１１３ａより噴射される。このアシストガス１１７Ａ
は、本実施例に限らず溶断加工であるレーザ加工を行う
際に、一般的に用いられるものであり、溶融物の大部分
を吹き飛ばして良好な加工を行うためのものである。

【００７３】光電式検出器１４１から出力された検出信
号は検出信号増幅器１４２に送られ、増幅される。検出
信号増幅器１４２で増幅された光電式検出器１４１から
の検出信号Ｓ₁の変化は図１１に示すように金属板１の
材料がある部分（以下、簡単のためリード部という）１
ａで高い出力となり、貫通穴２で低い出力となる。その
後この信号Ｓ₁は、コンパレータ１４３に入力され、コ
ンパレータ１４３によって所定の敷居値Ｅ₀で二値化さ
れ（Ｓ₂）、制御部１３０の微分回路１３１に入力され
る。この微分回路１３１では、コンパレータ１４３から
の信号Ｓ₂の立ち上がり及び立ち下がりに対応する信号
Ｓ₃が作成され、その信号Ｓ₃はホールド回路１３２に入
力される。ここで、図１１のｔ₁は貫通穴２の幅Ｗを速
度ｖ₀で移動する時間であり、ｔ₁＝Ｗ／ｖ₀ である。

【００７４】ホールド回路１３２では微分回路１３１か
らの信号Ｓ₃に対応してホールド信号Ｓ₄が作成される。
このホールド回路１３２では、信号Ｓ₃が正のパルス出
力（貫通穴２の始まりに対応する）を発した時刻Ｔ₀に
パルスを立ち上げ、制御回路１３８から指定された所定
時間ｔ₂の間その値が保持されたのちパルスを立ち下げ
る。ここで制御回路１３８から指定される所定時間ｔ₂
としては、ｔ₁よりも大きく、かつリードピッチｐの間
をｖ₀で移動する時間ｐ／ｖ₀よりも短くなるように、つ
まり、ｔ₁＜ｔ₂＜（ｐ／ｖ₀）となるように設定される。このホールド信号Ｓ₄は、信
号Ｓ₃の正のパルス出力（貫通穴２の始まりに対応する
信号）以外の信号を除外するためのものである。

【００７５】上記ホールド信号Ｓ₄はディレイ回路１３
３に入力され、ホールド信号Ｓ₄の立ち上がりの時刻Ｔ₀
から遅延時間ｔ₃だけ経過した時刻Ｔ₁にパルスを発生さ
せてレーザ用トリガ信号Ｓ₅を作成する。即ち、ディレ
イ回路１３３では微分回路１３１からの信号Ｓ₃の正の
パルスに遅延時間ｔ₃を与えて出力することになる。
（この遅延時間ｔ₃については後述する。）上記レーザ
用トリガ信号Ｓ₅はレーザ用トリガ信号発生回路１３４
に入力され、それをもとにレーザ発振器１１０からパル
スレーザ光１１０Ａが発振する。この時のパルスレーザ
光１１０Ａのパルス幅ｔ₄は、それ以外のパルスレーザ
光のエネルギその他の諸条件とともに制御回路１３８よ
り指定される。以上の信号処理により、金属板１の所定
の位置にパルスレーザ光１１３Ａが照射されるようにす
ることができる。

【００７６】このように、パルスレーザ光を発振させな
がら加工テーブル１２１によってレーザ光軸１１３Ｃを
一定速度ｖ₀で相対的に移動させると、そのパルスレー
ザ光の発振時刻によってその照射位置が一義的に決定さ
れ、順次スリット４ａ及び４ｂが形成され、確実かつ高
速に加工が行える。

【００７７】また、前述のビーム変換器１１１ａ及びビ
ーム回転器１１１ｂを適宜操作することにより、パルス
レーザ光１１３Ａの照射位置におけるスポットの長軸方
向を形成すべきスリット４ａ及び４ｂの長手方向と一致
させる。これにより、一回のパルスレーザ光１１３Ａの
照射による加工長さをかせぐことができ、加工時間を短
縮することができる。尚、加工時間がある程度長くても
よい場合には、ビーム変換器１１１ａやビーム回転器１
１１ｂを用いずにほぼ円形断面のレーザ光をそのまま利
用してもよい。

【００７８】本実施例では、前もって検出ユニット１４
０の位置と加工ノズル１１３の位置、即ち貫通穴２の検
出位置とレーザ光軸１１３Ｃとを適宜ずらせておく。そ
の位置関係は、図３及び図４の貫通穴２の始まりを検出
してから所定の遅延時間ｔ₃後にスリット４ａの内方先
端にレーザ光軸１３Ｃが来るように選定する。そして、
上記のように多数の貫通穴２を横切る方向に、即ち軌跡
Ｋに沿って検出し、その検出結果に基づいてリードを横
切る方向にレーザ光軸１１３Ｃを移動させて切断を順次
実行する。ＱＦＰ型半導体装置用のリードフレームの場
合、レーザ光軸１１３Ｃを中央周りに１周させて切断を
行うことになるが、１周分の切断が完了した時には、形
成すべきスリット４ａの全長うちパルスレーザ光１１３
Ａのスポットの長軸長さ分の溝が放射状に形成されるこ
とになる。

【００７９】その後、スリット４ｂの内方先端に合わせ
てレーザ光軸１１３Ｃをずらせてからスリット４ａの場
合と同様にスリット４ｂに対する１周の切断を行う。こ
の段階では、形成すべきスリット４ｂの全長うちパルス
レーザ光１１３Ａのスポットの長軸寸法分の溝が放射状
に形成されることになる。

【００８０】さらに、スリット４ａに合わせてレーザ光
軸１１３Ｃを外方へずらせ、貫通穴２を検出しながら４
ａに対する２周目の切断を行う。その時、４ａに対する
１周目で切断された各々の溝を延長するようにする。さ
らに、その後、スリット４ｂに合わせてレーザ光軸１１
３Ｃを外方へずらせ、貫通穴２を検出しながら４ｂに対
する２周目の切断を行う。その時には、４ｂに対する１
周目で切断された溝を延長するようにする。

【００８１】上記のように、リードを横切る方向に検出
位置及びレーザ光軸１１３Ｃを移動させつつ、４ａに対
する周回動作と、４ｂに対する周回動作を交互に繰り返
して放射状の各々の溝を順次外方へ延長して行き、図６
のように間隙３に到達するまでスリット４ａ及び４ｂを
形成する。

【００８２】ここで、ＱＦＰ型半導体装置用のリードフ
レームの場合、リードの延びる方向は図１のように中央
から周辺部に向かって放射状となり、そのため隣接する
スリット４ａ及び４ｂ間の距離も外方へ向かうに従って
大きくする必要があるが、その距離の変化は、遅延時間
ｔ₃の大きさを変化させることにより対応させることが
できる。即ち、その距離の変化に対応する位置ずれ量を
各リード毎に決めておくか、または適宜の関数テーブル
等に記憶させておき、その位置ずれ量から遅延時間ｔ₃
を算出してディレイ回路１３３で与える。

【００８３】例えば、貫通穴２の始まりの位置（図１１
中、点Ａで示す）から所定の距離Ｌだけ加工進行方向に
離れた位置（図１１中、点Ｂで示す）にパルスレーザ光
１１３Ａが照射されるようにするためのディレイ回路１
３３で与える遅延時間ｔ₃について説明する。

【００８４】各回路での応答のための遅れやパルスレー
ザ光発振までの遅れを総合した遅延時間をδ_tとする
と、レーザ光軸１１３Ｃが貫通穴２の始まりから点Ｂま
で移動する時間ｔ_Sは、ｔ_S＝Ｌ／ｖ₀ … （１）となる。また、レーザ光軸１１３Ｃが貫通穴２に入って
からパルスレーザ光が照射されるまでの時間ｔ_Bは、デ
ィレイ回路１３３で与えられる遅延時間ｔ₃を用いて、ｔ_T＝δ_t＋ｔ₃ … （２）と表される。

【００８５】パルスレーザ光が点Ｂの位置に照射される
べき条件は、ｔ_S＝ｔ_T … （３）であるから、式（１）〜（３）より遅延時間ｔ₃は、ｔ₃＝Ｌ／ｖ₀−δ_t … （４）となり、式（４）の通りに遅延時間ｔ₃を設定すればパ
ルスレーザ光１１３Ａが概ね所定の位置に照射されるこ
とになる。

【００８６】上記のようにしてスリット４ａ，４ｂを形
成する場合、個々の貫通穴２は前述のように寸法精度良
く形成されているため、それを検出してレーザ光１１３
Ａ照射の基準として利用することにより、正確な加工を
行うことが可能となる。また、貫通穴２から外方に向っ
て周回させながらレーザ切断を進めるので、レーザ光照
射時の入熱が１箇所に集中することがなく、さらにその
入熱による熱変形の影響が内方、即ち端子接合部２０２
ａ，２０２ｂの方には及ばない。

【００８７】また、スリット４ａ，４ｂを形成していく
に従って剛性が低下し変形し易くなるが、半導体チップ
２１０の端子と接合される部分は既に貫通穴２によって
形成されているため、半導体チップ２１０の端子との接
合性には支障がない。さらに、リードを横切る方向に検
出位置及びレーザ光軸１１３Ｃを移動させつつ、周回動
作を繰り返して順次外方へスリット４ａ，４ｂを延長し
て行くので、熱変形による寸法誤差が発生したとして
も、その誤差が小さい間に補正され、誤差が累積される
ことを回避できる。

【００８８】尚、上記のように貫通穴２を検出しリード
を横切る方向にレーザ光軸１１３Ｃを移動させつつ、周
回動作を繰り返して順次外方へスリット４ａ，４ｂを延
長して行くのではなく、各スリット４ａ，４ｂを１本ず
つ貫通穴２から間隙３まで順次形成して行ってもよい。

【００８９】また、リードの延びる方向が放射状である
ことに起因するスリット４ａ及び４ｂ間の距離の変化に
対しては、上記のように遅延時間ｔ₃の大きさを適宜変
化させることで対応させるのではなく、貫通穴２の検出
位置とレーザ光軸１１３Ｃとの相対位置を適宜機械的に
ずらせることだけで対応させることもできる。つまり、
時間的ずれを利用するのではなく、機械的（メカ的）ず
れを利用することもできる。

【００９０】ところで、最近、多ピンかつ狭ピッチであ
るが加工コストが高く、構造が複雑で、しかも加工が難
しい複合構造のリードフレーム等が盛んに開発されてい
る。例えば、特開平４−３５２３３７号公報に記載のも
のは、内側がＴＡＢで外側が従来のリードフレームとい
う複合溝造型のリードフレームであり、ＴＡＢとリード
フレームの端子接合部におけるリードピッチは０．３ｍ
ｍである。しかし、本発明のリードフレームの加工方法
では、上記のような複合構造のリードフレームとほぼ同
等の多ピン化及び狭ピッチ化を低コストで、しかも容易
な方法により実現しうる。

【００９１】以上のような本実施例によれば、最初に、
無垢の状態の金属板１に独立した貫通穴２をあけるの
で、インナーリード２０２となる部分の内方先端、即ち
半導体チップ２１０の端子と接合される端子接合部２０
２ａ，２０２ｂを寸法精度良く、しかも能率良く容易に
加工することができ、しかも金属板１の剛性を低下させ
ることがない。

【００９２】また、貫通穴２からレーザ切断によりスリ
ット４ａ，４ｂを形成するので、板厚以下の狭いスリッ
ト幅で加工することができる。また、端子接合部２０２
ａ，２０２ｂを分離する貫通穴２を形成してからレーザ
切断するので、その熱影響等が端子接合部２０２ａ，２
０２ｂに及ばず、接合性には支障がない。

【００９３】従って、板厚が０．３ｍｍ以下、リードピ
ッチの最小値が板厚の２倍以下、リード間隙の幅の最小
値が板厚以下であるような多ピンかつ狭ピッチのリード
フレームを加工する場合であっても、最も寸法精度を必
要とするインナーリードの寸法や形状の精度を向上する
ことができ、半導体チップの端子との接合性を良好にす
ることができる。

【００９４】また、レーザ切断によるスリット４ａ，４
ｂの形成時に連結部５を形成するので、相隣り合うリー
ド間での剛性が維持され、リードピッチの精度が維持さ
れる。しかも、金属板１の取扱いが容易となると共に、
金属板１に変形を与えることなく種々の処理を行うこと
ができる。

【００９５】また、相隣り合う端子接合部２０２ａ及び
２０２ｂをリード長手方向に２段階にずらせた千鳥配置
とするので、良好な接合性を損なうことなく極限にまで
多ピン化及び狭ピッチ化ができる。

【００９６】また、酸化膜やドロス１０やスパッタ１２
を含む熱影響部を化学研磨処理により除去するので、半
導体チップ２１０の各端子との接合性が向上し、表面の
汚染物も除去されて良好な表面状態を得ることができ
る。

【００９７】また、端子接合部２０２ａ及び２０２ｂの
表面に銀メッキを施すので、その部分の接合性が一層向
上し、この銀メッキ処理を化学研磨処理後の化学的に活
性な表面に対して行えば、剥がれにくく確実なメッキ膜
を被覆することができる。

【００９８】さらに、インナーリード２０２となる部分
に補強テープ２２０を貼り付けるので、剛性の低い部分
の寸法や形状の精度維持が可能となる。

【００９９】また、端子接合部２０２ａ及び２０２ｂを
除く部分に耐熱性の絶縁膜２２１を被覆するので、リー
ド同士の接触や異物の付着によっても電気的短絡がおこ
らず、樹脂モールド２３０による一体封止時にも劣化す
ることなく確実に絶縁を行うことができる。

【０１００】さらに、レーザ切断によるスリット４ａ，
４ｂの形成の際に、個々の貫通穴２を順次検出し、その
検出情報に基づいたタイミングでレーザ光１１３Ａの照
射タイミングを制御するので、レーザ光軸１１３Ｃを金
属板１に対して移動させながら貫通穴２の有無に応じて
所望の加工位置を確実に切断することができる。

【０１０１】また、寸法精度良く形成された個々の貫通
穴２を基準とするので、正確な加工を行うことができ
る。その上、貫通穴２から外方に向って周回させながら
レーザ切断を進めるので、入熱が１箇所に集中すること
がなく、熱変形の影響が端子接合部２０２ａ，２０２ｂ
の方には及ばない。

【０１０２】次に、本発明によるリードフレームの加工
方法の他の実施例について、図１２から図１６を参照し
ながら説明する。

【０１０３】図１２は本実施例のリードフレームの加工
方法を含む半導体装置の製造工程を示すフローチャート
である。まず、図１２のステップＳ３００において、例
えば鋼、銅合金，４２アロイ、コバール等の薄い金属板
をレベラーにかけて平に矯正した後、実際の加工に移
る。最初に、ステップＳ３１０において、図１３に示す
ように金属板５１の中央に多数の貫通穴５２を形成し、
さらに図２または図８で示したダイパッド程度の大きな
四角形の貫通穴５０を形成する。この時、貫通穴５０が
貫通穴５２の内方側にかかるようにすることにより、貫
通穴５２が歯形状の切欠き部となる（以下、貫通穴５２
のことを切欠き部５２ともいう）。また、貫通穴５０を
形成することにより、本実施例によって加工されるリー
ドフレームにはダイパッドが存在しないことになる。但
し、図１３はインナーリード４０２となる部分の近傍を
拡大して示す図であり、図３に相当する図である。

【０１０４】上記切欠き部５２は、リードフレームの中
で最も寸法精度が厳しいインナーリード４０２（図１６
参照）内方先端の部分を分離する間隙となる。上記貫通
穴５２の加工も、図３の貫通穴２と同様に金属板５１に
個々に独立してあけるだけであるため、インナーリード
４０２となる部分の内方先端、即ち半導体チップ４１０
（図１６参照）の端子と接合される部分を寸法精度良
く、しかも能率良く容易に加工することができる。ま
た、始めからスリット状に溝を切り刻まないため、金属
板５１の剛性を低下させることがない。

【０１０５】次のステップＳ３１１からステップＳ３２
２までは、図２のステップＳ１１１からステップＳ１２
２までと同様である。また、ステップＳ３１１では、図
３の間隙３に相当する間隙５３が形成される。

【０１０６】次に、ステップＳ３３０において、図２の
ステップＳ１３０と同様の方法で切欠き部５２から外方
に向かってレーザ切断によりスリット５４ａ及び５４ｂ
を形成していく。このスリット５４ａ及び５４ｂの形成
は間隙５３近傍に到達するまで行う。図１４はスリット
５４ａ及び５４ｂの形成途中の状況を示す図であり、図
１５はスリット５４ａ及び５４ｂの形成が完了した状態
を示す図である。

【０１０７】本実施例でも、スリット５４ａ，５４ｂの
端部を切り残して、相隣り合うリードを連結する連結部
５５を形成するが、図６とは異なり、連結部５５をスリ
ット５４ａ，５４ｂの外方側即ち間隙５３側に設ける。
この連結部５５によっても、相隣り合うリード間での剛
性が維持され、従ってリードピッチの精度が維持され、
また工程中の金属板５１の取扱いが容易となる。

【０１０８】また、図６と同様に、相隣り合う半導体チ
ップ４１０の各端子と接合される端子接合部４０２ａ及
び４０２ｂをリード長手方向に２段階にずらせた千鳥配
置とする。これにより、接合に必要な最小の幅を確保し
ながら、一定の寸法の中に多数の端子接合部４０２ａ及
び４０２ｂを並べることができ、良好な接合性を損なう
ことなく極限にまで多ピン化及び狭ピッチ化ができる。

【０１０９】ステップＳ３３０の後、ホコリ等の異物や
スパッタを除去し（ステップＳ３３１）、図２のステッ
プＳ１４０と同様の表面処理を施し（ステップＳ３４
０）、図２のステップＳ１６０と同様の銀メッキ処理を
施し（ステップＳ３５０）、洗浄及び乾燥を行う（ステ
ップＳ３５１）。

【０１１０】次に、ステップＳ３６０において、金属板
５１のインナーリード４０２となる部分に支持板４１５
（図１６参照）を固着する。そして、ステップＳ３６１
において、連結部５５を切断し、端子接合部４０２ａと
端子接合部４０２ｂ、従ってインナーリード４０２を個
々に分離する。この時の切断方法もレーザ切断が適して
いる。上記ステップＳ３６１の後、洗浄及び乾燥を行う
（ステップＳ３６２）。これで本実施例によるリードフ
レームの加工が完了する。

【０１１１】引き続き半導体装置の製造を行う。図１６
は、本実施例によるリードフレームを用いた半導体装置
の断面図であって、図１６（ａ）はインナーリードの端
子接合部４０２ａに対応する断面図であり、図１６
（ｂ）はインナーリードの端子接合部４０２ｂに対応す
る断面図である。

【０１１２】図１６（ａ）及び（ｂ）において、リード
フレーム４００には、ダイパッドが存在せず、そのイン
ナーリード４０２の下面には接着剤４１５ａを介して支
持板４１５が固着されており、支持板４１５には半導体
チップ４１０が搭載され、インナーリード４０２内方先
端の端子接合部４０２ａ（または４０２ｂ）がそれぞれ
半導体チップ４１０の各端子（図示せず）とワイヤ（金
線等）４１１を用いたワイヤボンディングにより接合さ
れている。そして、支持板４１５及び半導体チップ４１
０を含むインナーリード４０２より内側の部分が樹脂モ
ールド４３０によって一体封止されており、樹脂モール
ド４３０より外側のアウターリード４０３がガルウィン
グ状に折り曲げ成形されている。

【０１１３】支持板４１５の材質としては、耐熱性かつ
絶縁性のあるセラミックや有機樹脂などの基板が適して
いるが、表面に絶縁膜を被覆した金属板であっても良
い。このように、リードフレーム４００のうちの特に剛
性の低い部分であるインナーリード４０２に支持板４１
５を固着することにより、インナーリード４０２の剛性
が支持板４１５によって強化され、従って変形すること
が防止され、その寸法や形状の精度が維持される。

【０１１４】また、支持板４１５には予め貫通溝４１５
Ａを設けておくが、ステップＳ３６０の金属板５１への
固着時にその貫通溝４１５ＡがステップＳ３３０で切り
残しておいた連結部５５の位置に丁度来るようにしてお
く。このようにすると、ステップＳ３６１の連結部５５
の切断にレーザ切断を利用する場合、上記支持板４１５
に設けた貫通溝４１５Ａの位置に連結部５５があること
により、レーザ切断によって除去する金属部分が最小と
なってドロスの量が減少し、しかもその時発生するドロ
スは貫通溝４１５Ａの中に収容される。これにより、そ
の後の接合作業等において、加工治具や拘束治具や固定
治具などと突出したドロスが接触することがなく、変形
や加工誤差や寸法誤差の発生が避けられ、さらにドロス
の不規則な剥落などに起因する電気的短絡が生じること
が避けられる。

【０１１５】図１２のステップＳ３６２の後、ステップ
Ｓ３７０及びＳ３７１で支持板４１５に半導体チップ４
１０を接着剤等により搭載し、支持板４１５と半導体チ
ップ４１０とを接着する。即ち、本実施例ではダイパッ
ドではなく支持板４１５に直接半導体チップ４１０が搭
載されることとなる。

【０１１６】次のステップＳ３８０からステップＳ４３
０までは、図２のステップＳ１９０からステップＳ２４
０までと同様であり、半導体装置が完成した後、包装さ
れ出荷される。

【０１１７】尚、半導体チップ４１０の端子と端子接合
部４０２ａ，４０２ｂの接合方法としては、図１２及び
図１６のようにワイヤボンディングが一般的であるが、
端子接合部を半導体チップの端子直上まで伸延させてお
き、金バンプ等によって接合する方法を用いてもよい。

【０１１８】以上のような本実施例は、連結部５５の位
置が前述の実施例と異なるが、実質的には同様の効果が
得られる。また、インナーリード４０２に支持板４１５
を固着するので、その剛性が強化され、従って変形が防
止され、その寸法や形状の精度が維持される。さらに、
支持板４１５に設けた貫通溝４１５Ａの位置に連結部５
５を位置させるので、レーザ切断を利用して連結部５５
を切断する際にドロスの量が減少し、そのドロスが貫通
溝４１５Ａの中に収容されて治具類と突出したドロスの
接触に起因する変形や誤差の発生が避けられ、さらにド
ロスの不規則な剥落などに起因する電気的短絡が回避さ
れる。

【０１１９】次に、本発明によるリードフレームの加工
方法のさらに他の実施例について、図１７及び図１８に
より説明する。本実施例のリードフレームの加工方法
は、図１から図１１で説明した実施例とほぼ同様である
が、図１７に示すように、素材としての金属板７１の少
なくともインナーリードとなる部分の板厚を元の板厚よ
りも減肉し、薄肉部７１Ａを形成しておく。但し、図１
７はレーザ切断によるスリット７４ａ，７４ｂの形成が
完了した状態を示す図６に相当する図である。

【０１２０】この薄肉部７１Ａは、エッチング加工を利
用してハーフエッチングにより形成したり、またはコイ
ニング加工を利用して機械的に形成するなど、種々の方
法を採用することができる。

【０１２１】そして、それ以後の工程、つまり貫通穴７
２の形成、間隙７３の形成、アウターリードの形成、補
強テープ６２０（図１８参照）の貼り付け、スリット７
４ａ，７４ｂの形成、表面処理、耐熱性の絶縁膜６２１
（図１８参照）の被覆、連結部７５の切断等は図１から
図１１で説明した実施例と同様に行う。また、相隣り合
う半導体チップの各端子と接合される端子接合部６０２
ａ及び６０２ｂをリード長手方向に２段階にずらせた千
鳥配置とする。

【０１２２】図１８は本実施例によるリードフレームを
用いた半導体装置の断面図であり、上記インナーリード
の端子接合部６０２ａに対応する図である（端子接合部
６０２ｂに対応する図は省略する）。リードフレーム６
００において、インナーリード６０２の内方はその板厚
を元の板厚よりも減肉してあり、薄肉部７１Ａとなって
いる。ダイパッド６０１には半導体チップ６１０が搭載
され、インナーリード６０２内方先端の端子接合部６０
２ａ（６０２ｂも同じ）がそれぞれ半導体チップ６１０
の各端子（図示せず）とワイヤ６０５によって接合され
ている。また、インナーリード６０２には補強テープ６
２０が貼り付けられ、剛性が補われており、さらにイン
ナーリード６０２の端子接合部６０２ａを除く部分（６
０２ｂについても同じ）には耐熱性の絶縁膜６２１が被
覆されている。そして、ダイパッド６０１及び半導体チ
ップ６１０を含むインナーリード６０２より内側の部分
が樹脂モールド６３０によって一体封止されており、樹
脂モールド６３０より外側のアウターリード６０３がガ
ルウィング状に折り曲げ成形されている。

【０１２３】本実施例のように貫通穴７２の形成前に予
め金属板７１を減肉しておくことにより次のような作用
効果が得られる。まず、レーザ切断を行う場合には、板
厚が薄いことにより溶融金属の量が減少してドロスやス
パッタ等の量が減る。また、プレス加工を行う場合に
は、板厚が薄いことにより刃物に加わる力が軽減され、
刃物の破損等による不具合が回避される。さらに、エッ
チング加工を行う場合には、サイドエッチの進行に起因
して腐食穴が完全に貫通しないような事態が避けられ、
微細な貫通穴を楽にあけることができる。特に、プレス
加工やエッチング加工などの従来から一般的によく利用
されている加工方法の場合、従来の加工限界を超えて極
めて微細な加工を行うことができる。

【０１２４】さらに、連結部７５を設けることにより、
またインナーリード６０２となる部分に補強テープ６２
０を貼り付けることにより、金属板７１の板厚が薄くな
ることに起因する剛性の低下が回避される。

【０１２５】従って、本実施例によれば、図１から図１
１で説明した実施例と同様の効果が得られるだけでな
く、多ピンかつ狭ピッチのインナーリードの加工を一層
高精度に、かつ容易に行うことができると共に、プレス
加工やエッチング加工によっても従来の加工限界を超え
る極めて微細な加工が行える。

【０１２６】

【発明の効果】本発明によれば、最初に、無垢の状態の
金属板に貫通穴を形成するので、半導体チップの端子と
接合される部分を寸法精度良く、能率良く容易に加工す
ることができ、しかも金属板の剛性を低下させることが
ない。また、貫通穴からレーザ切断によりスリットを形
成するので、板厚以下の狭いスリット幅で加工すること
ができ、さらに貫通穴を形成してからレーザ切断するの
で、その熱影響等が接合性を損なうことがない。従っ
て、板厚が０．３ｍｍ以下、リードピッチの最小値が板
厚の２倍以下、リード間隙の幅の最小値が板厚以下であ
るような多ピンかつ狭ピッチのリードフレームを加工す
る場合であっても、最も寸法精度を必要とするインナー
リードの寸法や形状の精度を向上することができ、半導
体チップの端子との接合性を良好にすることができる。

【０１２７】また、レーザ切断によるスリットの形成時
に連結部を形成するので、相隣り合うリード間での剛性
が維持され、リードピッチの精度が維持されると共に、
金属板の取扱いが容易になり、変形を与えることなく種
々の処理が行える。

【０１２８】また、相隣り合うインナーリード内方先端
における半導体チップの各端子と接合される端子接合部
をリード長手方向にずらせた千鳥配置とするので、良好
な接合性を損なうことなく極限にまで多ピン化及び狭ピ
ッチ化ができる。

【０１２９】また、予め金属板の少なくともインナーリ
ードとなる部分の板厚を元の板厚よりも減肉しておくの
で、多ピンかつ狭ピッチのインナーリードの加工を一層
高精度に、かつ容易に行うことができると共に、プレス
加工やエッチング加工によっても従来の加工限界を超え
る極めて微細な加工が行える。

【０１３０】また、熱影響部を表面処理により除去する
ので、半導体チップの各端子との接合性が向上する。さ
らに、化学研磨処理を施すので表面の汚染物も除去され
て良好な表面状態を得ることができる。

【０１３１】また、少なくともインナーリードにおける
半導体チップの各端子と接合される端子接合部表面に接
合性を改善する金属膜を被覆するので、接合性が一層向
上する。

【０１３２】また、少なくともインナーリードとなる部
分の表面に補強材を固着するので、剛性の低い部分の寸
法や形状の精度維持が可能となる。

【０１３３】また、少なくとも上記インナーリードの半
導体チップの各端子と接合される端子接合部を除く部分
に耐熱性の絶縁膜を被覆するので、リード同士の接触や
異物の付着によっても電気的短絡がおこらず、樹脂モー
ルドによる一体封止時にも劣化することなく確実に絶縁
を行うことができる。

【０１３４】さらに、レーザ切断の際に、個々の貫通穴
を順次検出し、その検出情報に基づいたタイミングでレ
ーザ光の照射タイミングを制御するので、レーザ光軸を
金属板に対して移動させながら貫通穴の有無に応じて所
望の加工位置を確実に切断することができる。また、寸
法精度良く形成された個々の貫通穴を基準とするので、
正確な加工を行うことができる。その上、貫通穴から外
方に向って周回させながらレーザ切断を進めるので、入
熱が１箇所に集中することがなく、熱変形の影響が内方
には及ばない。

【０１３５】このように、本発明によれば、レーザ切断
すべき部分を限定したにもかかわらず、加工すべき全領
域をレーザ切断による以上に多ピン化及び狭ピッチ化を
達成できる。

【０１３６】従って、本発明によれば、小形かつ高性能
の半導体装置を実現することができ、そのような半導体
装置を容易かつ安価に製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例によるリードフレームの加工
方法によって加工されるリードフレームの一例を示す図
である。

【図２】図１のリードフレームの加工方法を含む半導体
装置の製造工程を示すフローチャートである。

【図３】金属板の中央付近に多数の貫通穴を形成し、イ
ンナーリードとなる部分の外方に間隙を形成した状態を
示す図である。

【図４】最初に形成した貫通穴から外方に向かってレー
ザ切断によりスリット形成していく途中の状況を示す図
である。

【図５】レーザ切断時における加工現象を説明する図で
ある。

【図６】レーザ切断によるスリットの形成が完了し、ダ
イパッド周囲の切欠き部を打ち抜いた状態を示す図であ
る。

【図７】金属板に表面処理を施す状況を説明する図６の
VII−VII方向の断面図であって、（ａ）はレーザ切断前
の金属板の断面図、（ｂ）はレーザ切断を施した後の断
面図、（ｃ）は表面処理後の状態を示す断面図である。

【図８】図１のリードフレームを用いた半導体装置の断
面図であって、（ａ）はインナーリードの端子接合部２
０２ａに対応する図、（ｂ）はインナーリードの端子接
合部２０２ｂに対応する図である。

【図９】図４のレーザ切断に使用されるレーザ切断装置
の概略構成を示す図である。

【図１０】図９のレーザ切断装置における制御部及び検
出ユニットの構成を示す図である。

【図１１】図９及び図１０のレーザ切断装置を用いた貫
通穴の検出からパルスレーザ光の発振までの信号処理を
示すタイムチャートである。

【図１２】本発明の他の実施例によるリードフレームの
加工方法を含んだ半導体装置の製造工程を示すフローチ
ャートである。

【図１３】金属板の中央付近に多数の貫通穴を形成し、
インナーリードとなる部分の外方に間隙を形成した状態
を示す図である。

【図１４】貫通穴から外方に向かってレーザ切断により
スリット形成していく途中の状況を示す図である。

【図１５】レーザ切断によるスリットの形成が完了した
状態を示す図である。

【図１６】図１２の製造工程による半導体装置の断面図
であって、（ａ）はインナーリードの端子接合部４０２
ａに対応する図、（ｂ）はインナーリードの端子接合部
４０２ｂに対応する図である。

【図１７】本発明のさらに他の実施例によるリードフレ
ームの加工方法を説明する図であって、レーザ切断によ
るスリットの形成が完了した状態を示す図である。

【図１８】図１７の実施例によるリードフレームを用い
た半導体装置の断面図である。

【符号の説明】

１金属板２貫通穴３間隙４ａ，４ｂスリット５連結部１０ドロス１１再凝固層１２スパッタ５０貫通穴５１金属板５２貫通穴（切欠き）５３間隙５４ａ，５４ｂスリット５５連結部７１金属板７１Ａ薄肉部７２貫通穴（切欠き）７３間隙７４ａ，７４ｂスリット７５連結部１１０レーザ発振器１１０Ａパルスレーザ光１１１ａビーム変換器１１１ｂビーム回転器１１１Ａパルスレーザ光１１２加工ヘッド１１３加工ノズル１１３ａ（加工ノズル１１３の）開口部１１３Ａパルスレーザ光１１３Ｃレーザ光軸１１４ベンディングミラー１１６集光レンズ１１７アシストガス供給口１１７Ａアシストガス１１８テレビカメラ１１８ｂカメラ用光源１１８ｃモニターテレビ１１８ｄカメラ用ハーフミラー１２１加工テーブル１３０制御部１３１微分回路１３２ホールド回路１３３ディレイ回路１３４レーザ用トリガ信号発生回路１３５検出位置設定回路１３６ビーム制御部１３７テーブル制御部１３８制御回路１４０検出ユニット１４０ａバンドパスフィルタ１４０ｂ検出用結像レンズ１４１光電式検出器１４２検出信号増幅器１４３コンパレータ１４４検出用ＬＤレーザ発生器１４５検出位置調節器２００リードフレーム２０１ダイパッド２０２インナーリード２０２ａ，２０２ｂ端子接合部２０３アウターリード２０６切欠き部２０８（相隣合うリード間の）間隙２１０半導体チップ２１１ワイヤ（金線等）２２０補強テープ２２１耐熱性の絶縁膜２３０樹脂モールド４００リードフレーム４０２インナーリード４０２ａ，４０２ｂ端子接合部４０３アウターリード４１０半導体チップ４１１ワイヤ（金線等）４１５支持板４１５Ａ（支持板の）貫通溝４３０樹脂モールド６００リードフレーム６０１ダイパッド６０２インナーリード６０２ａ，６０２ｂ端子接合部６０３アウターリード６１０半導体チップ６１１ワイヤ（金線等）６２０補強テープ６２１耐熱性の絶縁膜６３０樹脂モールドｔ₃ 遅延時間Ｋ光電式検出器による検出位置の軌跡ｖ₀ 軌跡Ｋ上の検出位置の移動速度

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体チップの各端子と接合された後に
樹脂モールドにて一体封止される多数のインナーリード
及びそのインナーリードの外方に連続して延びるアウタ
ーリードを有し、板厚が０．３ｍｍ以下で、リードピッ
チの最小値が板厚の２倍以下で、リード間隙の幅の最小
値が板厚以下のリードフレームを薄い金属板から形成す
るリードフレームの加工方法において、前記インナーリードとなる部分の内方先端を分離する貫
通穴を前記金属板に最初に形成する第１の工程と、前記第１の工程で形成された貫通穴から外方に向かって
レーザ光の照射によりスリットを形成する第２の工程
と、前記インナーリードとなる部分の外方及びアウターリー
ドを分離する間隙を前記金属板に形成する第３の工程と
を有することを特徴とするリードフレームの加工方法。
【請求項２】請求項１記載のリードフレームの加工方
法において、前記第２の工程でレーザ光によって形成さ
れるスリットの少なくとも一端をわずかに切り残すこと
によって相隣り合うリードを連結する連結部を形成し、
少なくとも前記樹脂モールドによる前記リードフレーム
及び前記半導体チップの一体封止前に前記連結部を切断
することを特徴とするリードフレームの加工方法。
【請求項３】請求項１または２記載のリードフレーム
の加工方法において、相隣り合う前記インナーリードの
内方先端における前記半導体チップの各端子と接合され
る端子接合部をリード長手方向に少なくとも２段階にず
らせて配列させることを特徴とするリードフレームの加
工方法。
【請求項４】請求項１から３のうちいずれか１項記載
のリードフレームの加工方法において、前記第１の工程
における貫通穴の形成前に、予め前記金属板の少なくと
も前記インナーリードとなる部分の板厚を元の板厚より
も減肉しておくことを特徴とするリードフレームの加工
方法。
【請求項５】請求項１から４のうちいずれか１項記載
のリードフレームの加工方法において、前記第２の工程
のレーザ光の照射によるスリットの形成後に、少なくと
もレーザ光によって前記金属板に形成された熱影響部を
表面処理により除去することを特徴とするリードフレー
ムの加工方法。
【請求項６】請求項５記載のリードフレームの加工方
法において、前記表面処理は化学研磨処理であることを
特徴とするリードフレームの加工方法。
【請求項７】請求項１から５のうちいずれか１項記載
のリードフレームの加工方法において、前記第２の工程
のレーザ光の照射によるスリットの形成後に、少なくと
もインナーリード先端における半導体チップの各端子と
接合される端子接合部表面に接合性を改善するための金
属膜を被覆することを特徴とするリードフレームの加工
方法。
【請求項８】請求項１から７のうちいずれか１項記載
のリードフレームの加工方法において、少なくとも前記
インナーリードとなる部分の表面に補強材を固着するこ
とを特徴とするリードフレームの加工方法。
【請求項９】請求項１から７のうちいずれか１項記載
のリードフレームの加工方法において、少なくとも前記
インナーリードの内方先端における前記半導体チップの
各端子と接合される端子接合部を除く部分に耐熱性の絶
縁膜を被覆することを特徴とするリードフレームの加工
方法。
【請求項１０】請求項１から９のうちいずれか１項記
載のリードフレームの加工方法において、前記第２の工
程のレーザ光の照射によるスリットの形成の際に、前記
第１の工程で形成された個々の貫通穴を検出手段によっ
て順次検出し、その検出情報に基づいたタイミングで前
記レーザ光の照射タイミングを制御することを特徴とす
るリードフレームの加工方法。