JPH08162588A

JPH08162588A - リードフレームの加工方法及びリードフレーム並びに半導体装置

Info

Publication number: JPH08162588A
Application number: JP6306486A
Authority: JP
Inventors: Nobuhiko Tada; 信彦多田
Original assignee: Hitachi Construction Machinery Co Ltd
Current assignee: Hitachi Construction Machinery Co Ltd
Priority date: 1994-12-09
Filing date: 1994-12-09
Publication date: 1996-06-21

Abstract

(57)【要約】【目的】多ピンかつ狭ピッチのリードフレームの加工に
際し、レーザ切断時に生じるドロスの悪影響を受けず、
またレーザ光照射時の熱影響を受けることなく、チップ
の端子との接合性を良好にすることができるようにす
る。【構成】インナーリード２０２の内方先端部分を切り残
してダイパッド２０１で相隣り合うリードを連結してお
き、支持板２１５をインナーリード２０２の内方部分に
固着する。そして、支持板２１５の貫通溝２１５Ａの位
置でレーザ切断し、インナーリード２０２を個々に分離
する。また、支持板２１５の板厚をドロス１０の高さよ
りも厚くし、貫通溝２１５Ａ内にドロス１０を完全に収
容する。さらに、分離後のインナーリード２０２の内方
先端から少なくとも熱影響部分２００ａの幅以上離れた
位置よりも外側に端子接合部２０２Ａの内端を配置す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、小型かつ高性能な半導
体装置（ＬＳＩ）に使用されるリードフレームの加工方
法に係わり、特に、多ピンかつ狭ピッチの微細な加工パ
ターンを有するインナーリードを加工するのに好適なリ
ードフレームの加工方法、及びそのリードフレームの加
工方法により加工されたリードフレーム、並びにそのリ
ードフレームを用いた半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体チップの高密度実装化、高
集積化がより一層厳しく要求されてきており、これに対
応するために半導体チップを搭載するリードフレームも
狭ピッチ化、多ピン化することが要求されている。この
ようなリードフレームを得るためには、微細かつ高精度
な加工、例えば板厚が０．３ｍｍ以下の金属板に、リー
ドピッチの最小値、即ちインナーリードの内方先端部分
におけるピッチが板厚の２倍以下でリード間隙の幅の最
小値が板厚以下となるような加工を施すことが要求さ
れ、そのための加工は大変困難になりつつある。

【０００３】薄い金属板に多ピンかつ狭ピッチの微細な
パターンの切断を施していくと、金属板素材の剛性が著
しく低下し、小さな外力によっても変形してしまう可能
性が大きくなり、リードフレーム加工中にリードが変形
してリードピッチやリード幅の精度が低下したり、たと
え高精度に加工を終えたとしてもその後の工程における
リードの変形やリード配列の乱れによって高精度な寸法
や形状を維持することができなくなる。

【０００４】また、多ピンかつ狭ピッチのリードフレー
ムでは、半導体チップ搭載後に行われる半導体チップの
各端子とインナーリードの端子接合部との電気的接合時
にも次のような困難を伴う。即ち、インナーリード部分
ではリード間の隙間が極めて狭くなっており、上記のよ
うにリード間隙の幅が板厚以下にまで狭くなることもあ
るため、接合作業中にわずかなリードの変形などによっ
て端子接合部が動いて位置ずれしたり、隣のリード同士
が接触して製品たる半導体装置が欠陥品となる可能性が
高い。特に、確実かつ安価な接合方法であるワイヤボン
ディング法のうち、最近、狭ピッチのリードフレームに
対して行われているウェッジボンディング法は、従来の
ネイルボンディング法に比較してリードフレームに大き
な振動力（超音波振動）を付与するため、上記のような
端子接合部の位置ずれやリード同士の接触が非常に問題
となる。

【０００５】これに対し、特開平５−２５１６２４号公
報に記載の従来技術（以下、第１の従来技術という）
は、電源層を有する多層リードフレームを開示してい
る。この技術では、電源層の形状を、半導体チップを搭
載する中央部分とその外側に連結部を介して設けられた
リング状の部分とで構成すること、リードフレームのイ
ンナーリード内方先端部分にインナーリード相互間を連
結固定する連結部を設けること、そのインナーリードを
上記電源層のリング状の部分に貼り付けること、その
後、電源層のリング状の部分と中央部分の間に形成され
た貫通する空間（貫通溝）の部分で上記連結部を打ち抜
き加工により切断すること、などにより、電源層のリン
グ状の部分によってインナーリード内方先端がしっかり
と固定され、リードの変形やリード配列の乱れが防止さ
れる。

【０００６】また、特開昭５８−１２３７４７号公報に
記載の従来技術（以下、第２の従来技術という）では、
インナーリードの内方先端部分を連結部にて連結するこ
とによって剛性を確保しておき、セラミック材等の固定
部材（ベース）の所定位置にしっかりと固定した後に、
連結部をレーザ光によって切断（以下、レーザ切断とい
う）している。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】第１の従来技術によれ
ば、インナーリード内方先端がしっかりと固定され、リ
ードの変形やリード配列の乱れが防止される。また、結
果として、ワイヤボンディング等による半導体チップの
各端子とインナーリードとの電気的接合時にも、インナ
ーリード先端部分が位置ずれしたりリード同士が接触す
ることが防止される。

【０００８】さらに、連結部を切断する際に、打ち抜き
加工によらずに第２の従来技術に開示されているレーザ
切断を利用することは容易であるが、このレーザ切断を
利用することにより、打ち抜きのための切断用治具など
でインナーリード先端部分を拘束する必要がなく、切断
位置や切断形状を自由に選択して精度よく切断すること
ができる。特に、剛性の小さいインナーリードの先端部
分を切断するためには、非接触加工であって、被加工物
に不必要な変形をほとんど与えることのないレーザ切断
が有効である。

【０００９】ところが、上記のようにレーザ切断を利用
する場合には、半導体チップの各端子とインナーリード
内方先端との接合性の悪化という点で、さらに問題が生
じる。以下、この問題点について述べる。

【００１０】（１）レーザ切断時に生じるドロスによる
悪影響レーザ切断は、レーザ光を切断すべき部分（連結部）に
照射し、その部分を瞬時に加熱して溶融させ、生じた溶
融金属を排除する熱加工法である。この溶融金属を排除
するためには、一般にアシストガスを噴射してその溶融
金属を吹き飛ばす方法が用いられるが、完全に排除する
ことはほとんど不可能であり、排除しきれず残留した溶
融金属は切断された側壁裏面の縁部付近に付着したまま
冷え固まりドロスとなる。このドロスは容易に除去でき
る場合もあるが、被加工物表面に強固に付着し簡単に除
去できない場合が多い。また、その量はわずかであり、
その寸法も微細ではあるが、リードフレーム表面からド
ロスが突出していると、その後の半導体チップの各端子
との接合作業において加工治具や拘束治具や固定治具な
どと接触し、リードの変形を招き、加工誤差や寸法誤差
が発生することとなる。さらに、このドロスがその後の
工程中に不規則に剥落してリード間隙に入った場合には
リード間での電気的短絡の原因ともなってしまう。

【００１１】（２）レーザ光照射時の入熱に起因する熱
影響レーザ切断は、切断すべき部分以外には比較的悪影響を
与えることが少ない切断方法であるが、上述したような
多ピンかつ狭ピッチのリードフレームのインナーリード
部分をレーザ切断する際にはその熱影響が無視できなく
なる。即ち、レーザ光が照射された部分の近傍がレーザ
光に曝されてその表面が劣化したり、酸化膜が形成され
たりするなどして、元の金属板素材に比較して半導体チ
ップの各端子との接合性が悪化してしまう。

【００１２】本発明の第１の目的は、多ピンかつ狭ピッ
チのリードフレームを加工する際に、レーザ切断時に生
じるドロスによる悪影響を受けることなく半導体チップ
の端子との接合性を良好にすることができるリードフレ
ームの加工方法、及びそのリードフレームの加工方法に
より加工されたリードフレーム、及びそのリードフレー
ムを用いた半導体装置を提供することである。

【００１３】本発明の第２の目的は、多ピンかつ狭ピッ
チのリードフレームを加工する際に、レーザ光照射時の
入熱に起因する熱影響を受けることなく半導体チップの
端子との接合性を良好にすることができるリードフレー
ムの加工方法、及びそのリードフレームの加工方法によ
り加工されたリードフレーム、及びそのリードフレーム
を用いた半導体装置を提供することである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記第１の目的を達成す
るため、本発明によれば、内方先端部分で半導体チップ
の各端子と接合される多数のインナーリード及びそのイ
ンナーリードの外側に連続して延びるアウターリードを
有し、板厚が０．３ｍｍ以下で、リードピッチの最小値
が板厚の２倍以下で、リード間隙の幅の最小値が板厚以
下のリードフレームを薄い金属板から形成するリードフ
レームの加工方法において、前記金属板を適宜に切欠い
て、少なくともインナーリード部分に連結部をもつ相隣
り合うリードを形成する第１の工程と、前記第１の工程
でリードが形成された金属板に、厚さが０．０５ｍｍ以
上で、前記連結部の少なくとも一部に対応する位置に貫
通部を設けた支持板を固着する第２の工程と、前記連結
部の少なくとも一部に前記支持板の反対側からレーザ光
を照射して各々のインナーリードを個別に分離する第３
の工程とを有することを特徴とするリードフレームの加
工方法が提供される。

【００１５】上記第１及び第２の目的を達成するため、
本発明によれば、上記のようなリードフレームの加工方
法において、前記第３の工程のレーザ光照射位置を、イ
ンナーリードの先端部分における半導体チップの各端子
と接合される端子接合部内端よりも、前記レーザ光の照
射による熱影響部分の寸法以上リード長手方向内側に離
した位置とすることを特徴とするリードフレームの加工
方法が提供される。

【００１６】または、上記第１及び第２の目的を達成す
るため、上記第３の工程のレーザ光照射位置を、インナ
ーリード先端部分における半導体チップの各端子と接合
される端子接合部外端よりも、前記レーザ光の照射によ
る熱影響部分の寸法以上リード長手方向外側に離す。

【００１７】ここで好ましくは、支持板として良熱伝導
性の金属を接着する。

【００１８】上記の場合、支持板の少なくともインナー
リード部分に当接する面に絶縁性材料を配置することが
好ましい。

【００１９】或いは、支持板として絶縁性材料を接着す
ることが好ましい。

【００２０】また、以上のようなリードフレームの加工
方法において、好ましくは、支持板を絶縁性及び耐熱性
を有する有機樹脂系または無機質系の接着材料によって
接着する。

【００２１】また、支持板として熱膨脹係数がリードフ
レームの素材の熱膨脹係数とほぼ同じ材質を用いてもよ
い。

【００２２】さらに、支持板の金属板が固着された面と
は反対側の面に、さらに放熱用部材を取り付けてもよ
い。

【００２３】また、上記リードフレームの加工方法にお
いて、好ましくは、少なくとも前記第２の工程で支持板
が固着されたインナーリードのリード間隙に、さらに耐
熱性及び絶縁性を有する充填材料を充填する。

【００２４】さらに、好ましくは、少なくともインナー
リード先端における半導体チップの各端子と接合される
端子接合部表面に、接合性を改善するための金属膜を被
覆する。

【００２５】さらに、少なくともインナーリードにおけ
る半導体チップの各端子と接合される端子接合部を除く
部分に、耐熱性の絶縁膜を被覆するのが好ましい。

【００２６】また、前述の第１の工程のリード形成の際
に好ましくは、多数のインナーリードの内方先端部分
に、第１グループの端子接合部と、この第１グループの
端子接合部よりもリード長手方向外側にずれて位置する
第２グループの端子接合部とを含む端子接合部を形成す
る。

【００２７】さらに、前述の第２の工程で固着される支
持板の上に直接半導体チップが搭載されるように、前記
第１の工程のリード形成の際にインナーリードよりも内
側部分に貫通穴を設けるのもよい。

【００２８】また、本発明によれば、上記のようなリー
ドフレームの加工方法により加工されたリードフレーム
が提供される。

【００２９】さらに、本発明によれば、上記リードフレ
ームに半導体チップが搭載され、その半導体チップの各
端子とインナーリードの端子接合部とが接合され、樹脂
モールドにて半導体チップ及びインナーリードを含む部
分が一体封止されていることを特徴とする樹脂モールド
型の半導体装置が提供される。

【００３０】

【作用】上記のように構成した本発明においては、金属
板をリードフレーム形状に基づいて適宜に切欠く際に、
少なくともインナーリード部分に連結部を形成して隣り
合うリードを形成する。連結部を形成することにより、
相隣り合うインナーリード間での剛性が維持され、リー
ドの変形やリード配列の乱れが防止される。従って、イ
ンナーリードのリードピッチの精度が維持されると共
に、例えばリードフレームとなる金属板素材の洗浄や乾
燥、メッキ処理、固定治具等への装填、寸法検査などの
その後の工程中の金属板素材に変形を与えることなくの
取り扱いが容易となる。

【００３１】上記リードの形成の後に、上記のようにリ
ードが形成された金属板に支持板を固着する。これによ
り、インナーリードが拘束されてその剛性が一層強化さ
れ、またリードの変形やリード配列の乱れが防止され
る。従って、その寸法や形状の精度の維持が一層確実に
なると共に、工程中の金属板素材の取り扱いが一層容易
となる。また、後述するように連結部で連結された各々
のインナーリードをレーザ切断して個別に分離した後で
も、この支持板により引き続きインナーリードが拘束さ
れるため、その剛性が維持され、リードの変形やリード
配列の乱れが防止される。

【００３２】さらに、この支持板で端子接合部が拘束さ
れるため、半導体チップの搭載後に行われるワイヤボン
ディングやインナーリードボンディング（バンプ等によ
る接合方法で、以下、単にバンプ等を用いた方法とい
う）を用いた半導体チップの各端子と端子接合部との接
合時においても、端子接合部の変形や移動によって位置
ずれすること、及び隣のリード同士が接触することが避
けられ、良好な接合性を実現できる。特に、接合方法と
して、ワイヤボンディング法のうちの超音波振動を付与
するウェッジボンディング法を利用する場合において
も、端子接合部が動くことがないように支持板によって
しっかりと固定される。

【００３３】上記支持板固着の後、レーザ光を上記連結
部の少なくとも一部に照射することにより、連結部で連
結された各々のインナーリードが個別に切断分離され
る。レーザ切断を利用することにより、切断位置や切断
形状を自由に選択して精度よく切断することができ、し
かも剛性の小さいインナーリードの先端部分に不必要な
変形をほとんど与えることがない。また、前述の第１の
従来技術のように打ち抜きのための切断用治具などにイ
ンナーリード先端部分を精度よく位置決めして拘束する
必要もない。

【００３４】また、支持板において、上述の連結部の少
なくとも一部に対応する位置、即ちレーザ光の照射部分
に対応する位置に貫通部を設けることにより、上述の連
結部を支持板の反対側からレーザ光を照射して切断する
時に生じる溶融金属の粒子、即ちドロスやスパッタ等の
付着の原因となる溶融金属、及びゴミやホコリが貫通部
を通過しながら排除される。このように、支持板に設け
た貫通部の位置にある連結部をレーザ切断することによ
り、支持板がレーザ切断されないためそのレーザ切断に
より除去する金属部分が最小となってドロスやスパッタ
等の量が減少する。また、貫通部を設ける範囲はレーザ
光の照射部分に対応する位置のごく近傍に限られるか
ら、インナーリードが支持板によって確実に拘束される
ことに変わりはない。

【００３５】さらに、レーザ切断時には前述のようにド
ロスが生じて付着するが、本発明者の実験によると、板
厚が０．１５ｍｍの４２アロイ材料及び銅合金をＹＡＧ
レーザを用いて切欠き部の幅が０．０３〜０．０５ｍｍ
となるように切断した場合、切欠き部の側壁裏面の縁部
に付着するドロスの寸法は、高さが０．０１〜０．０５
ｍｍで幅が０．０３〜０．０５程度ｍｍとなることがわ
かった。さらに、ステンレス、銅及び銅合金、鉄、ハス
テロイ等の金属板を切断する実験も行ったが、ほとんど
の場合、上記寸法以下のドロスの寸法になることを確認
している。つまり、ドロスの寸法は板厚やレーザ切断条
件によって多少変動するものと考えられるが、本発明の
ように板厚が０．３ｍｍ以下の金属板を加工する場合は
ほぼ上記寸法以下になると考えられる。

【００３６】そこで、本発明においては、支持板の厚さ
を０．０５ｍｍ以上とすることにより、支持板の厚さが
常にレーザ切断時に生じるドロスの高さよりも厚くなっ
て、ドロスは貫通部の中に完全に収容されることにな
る。貫通部内に収容されたドロスは、後ほど機械的処理
または化学的表面処理等によって完全には除去すること
が不可能であるが、この場合にはそのようにしてドロス
をことさらに除去する必要はない。そして、ドロスが支
持板表面から突出することがないため、その後の接合作
業等において、加工治具や拘束治具や固定治具などと突
出したドロスが接触することがなく、変形や加工誤差や
寸法誤差の発生が避けられ、さらにドロス等の不規則な
剥落などに起因する電気的短絡が生じることが避けられ
る。

【００３７】また、各々のインナーリードを個別に切断
分離する際のレーザ光の照射位置を、インナーリード先
端部分の半導体チップの各端子と接合される端子接合部
（以下、単に端子接合部ともいう）の端部（内端または
外端）よりもレーザ光照射による熱影響部分の寸法以上
の距離だけリード長手方向（内側または外側）に離した
位置とすることにより、端子接合部がレーザ切断によっ
て熱影響を受けることがなくなり、端子接合部の表面が
劣化したり酸化膜が形成されることが防止され、従って
半導体チップの各端子との接合性が良好となる。

【００３８】このように本発明では、上記のような特殊
な加工を行うことにより、板厚が０．３ｍｍ以下で、リ
ードピッチの最小値が板厚の２倍以下で、リード間隙の
幅の最小値が板厚以下であるような多ピンかつ狭ピッチ
のリードフレームを加工する場合であっても、半導体チ
ップの端子との接合性を良好にすることができる。

【００３９】また、上記支持板を良熱伝導性の金属とす
ることにより、半導体装置が実装された電子機器の動作
中に半導体チップで発生した熱が速やかかつ確実に支持
板を通過して半導体装置外部へ放散されるため、半導体
装置が放熱性の良好なものとなり、誤動作や破損が回避
される。

【００４０】また、インナーリード（リードフレーム）
と支持板の間には電気的導通があってはならないが、支
持板の少なくともインナーリード部分に当接する面に絶
縁性材料を配置することにより、インナーリードと支持
板の間が確実に電気絶縁される。その絶縁性材料の配置
方法としては、例えば、リードフレームと支持板のうち
いずれか、または両方の表面に予め絶縁性皮膜等を被覆
しておいてから固着する方法がある。

【００４１】さらに、支持板自体を絶縁性材料とすれ
ば、上記のような電気絶縁性を考慮する必要がなくな
る。

【００４２】また、支持板をリードフレームのインナー
リードに固着する際には、絶縁性及び耐熱性を有する接
着剤によって接着することにより、接着された時のイン
ナーリードの形状と寸法精度を保つことができると共
に、支持板とインナーリード間の電気絶縁性が確保され
る。さらに、耐熱性の接着剤を用いることにより、樹脂
モールドによる一体封止時の温度上昇によってもその機
能が劣化することがない。この接着剤としては有機樹脂
系のものでも無機質系のものでもよい。

【００４３】また、支持板として熱膨脹係数がリードフ
レームの素材の熱膨脹係数とほぼ同じ材質を用いること
により、樹脂モールドによる一体封止工程、製品となっ
た半導体装置等を使用する際の半導体チップの発熱、或
いは使用環境の温度変化等に伴う熱履歴を受けた場合
に、両者が同様に熱膨脹または熱収縮して両者間に大き
な熱応力が発生することがなくなる。これにより、イン
ナーリードと支持板の間で剥離が生じにくくなり、さら
にリードフレームが破断する可能性もなくなり、製品と
しての半導体装置の信頼性向上に有効となる。

【００４４】また、支持板の金属板が固着された面とは
反対側の面に、さらに放熱用部材を取り付けることによ
り、半導体装置が実装された電子機器の動作中に半導体
チップで発生した熱が速やかかつ確実にこの放熱用部材
より半導体装置外部へ放散される。従って、この場合に
も半導体装置が放熱性の良好なものとなり、誤動作や破
損が回避される。しかも、放熱用部材は簡単に取付ける
ことができるから、容易かつ確実に放熱性を改良するこ
とができる。

【００４５】また、支持板が接着されたインナーリード
のリード間隙に、さらに耐熱性及び絶縁性を有する充填
材料を充填することにより、リード間隙の寸法が維持さ
れ、ワイヤボンディング時などにおいてリードが倒れた
り変形しようとしてもそのことが避けられ、リード同士
が接触することがない。従って、位置ずれせずに良好な
接合性を実現できる。しかも、この充填材料を耐熱性及
び絶縁性の材料とすることにより、樹脂モールドによる
一体封止時の温度上昇によってもその機能が劣化するこ
とがなく、リード間の電気絶縁性が確保される。

【００４６】また、少なくともインナーリードにおける
半導体チップの各端子と接合される端子接合部表面に接
合性を改善するための金属膜を被覆することにより、接
合性が一層向上する。

【００４７】また、少なくとも上記インナーリードの半
導体チップの各端子と接合される端子接合部を除く部分
に耐熱性の絶縁膜を被覆することにより、製造工程中に
リード同士が接触したとしても電気的短絡はおこらない
し、ゴミ等の付着による電気的短絡の可能性も回避でき
る。また、耐熱性の材質を用いることにより、樹脂モー
ルドによる一体封止時にもその絶縁膜が劣化することが
なく、確実に絶縁を行うことが可能となる。この耐熱性
の絶縁膜を被覆するのは、上記半導体チップの各端子と
接合される端子接合部を除く部分であるが、アウターリ
ード外方の電子回路基板との端子接合部も除いておくの
が望ましい。

【００４８】ところで、インナーリードの内方先端と半
導体チップの各端子とをワイヤボンディングやバンプ等
によって接合する際にはインナーリード側にある程度の
幅（広さ）が必要であるが、多ピンかつ狭ピッチのリー
ドフレームでは板厚よりもインナーリード先端の幅が狭
くなることがあり、そのため多ピンで狭ピッチになれば
なるほどその接合が難しくなる。その上、ワイヤボンデ
ィングの場合には、インナーリードにおける端子接合部
のピッチが狭すぎると、隣接するワイヤ同士が接触した
り、キャピラリーと呼ばれる接合治具の先端が隣接する
ワイヤや隣接する端子接合部と干渉して良好な接合が行
えなくなる。

【００４９】これに対し、本発明においては、多数のイ
ンナーリード（以下、適宜リードともいう）の内方先端
部分に形成される端子接合部を、互いにリード長手方向
にずれた第１グループの端子接合部及び第２グループの
端子接合部を含むように形成し、第２グループの端子接
合部を第１グループの端子接合部よりもリード長手方向
外側にずらせて位置させる。これにより、半導体チップ
の各端子との接合に必要な最小の幅を確保しながら、一
定の寸法の中に多数の端子接合部を並べることができ、
良好な接合性を損なうことなく多ピン化及び狭ピッチ化
が可能となる。特に、ワイヤボンディングの場合に、隣
接するワイヤ同士が接触したり、接合治具の先端が隣接
するワイヤや端子接合部と干渉することがなくなる。

【００５０】また、最初に行うリード形成の際に、イン
ナーリードよりも内側部分に貫通穴を設けておき、支持
板が固着された時にその支持板上に直接半導体チップが
搭載されるようにしてもよい。この場合には、半導体装
置が実装された電子機器の動作中に半導体チップで発生
した熱をより有効に放散される。

【００５１】

【実施例】本発明の第１の実施例によるリードフレーム
の加工方法及びリードフレーム並びに半導体装置につい
て、図１から図７を参照しながら説明する。

【００５２】但し、本実施例では、ＱＦＰ型半導体装置
用のリードフレームであって、板厚が０．３ｍｍ以下、
リードピッチの最小値が板厚の２倍以下、リード間隙の
幅の最小値が板厚以下であるような多ピンかつ狭ピッチ
のリードフレームを加工する場合について説明する。

【００５３】図１は本実施例によって加工されるリード
フレームの一例を示す図である。図１において、リード
フレーム２００の中央部分には半導体チップを搭載する
ダイパッド２０１が存在し、多数のインナーリード２０
２と、これらインナーリード２０２に連続するアウター
リード２０３が配設されている。また、上記インナーリ
ード２０２の内方先端部分は、半導体チップ２１０（図
７参照）の各端子と接合される端子接合部２０２Ａとな
っている。さらに、隣合うインナーリード２０２とアウ
ターリード２０３とはダムバー２０４により互いに連結
状に支持され、腕２０５もダムバー２０４によって支持
されている。ダイパッド２０１の周辺は切欠き部２０６
によってインナーリード２０２と分離されており、かつ
隣合うインナーリード２０２もこの切欠き部２０６によ
りそれぞれ分離されている。また、リードフレーム２０
０の中央には貫通溝２１５Ａを備えた支持板２１５（図
４参照）が固着されている。この支持板２１５は、イン
ナーリード２０２の内方部分及びダイパッド２０１に接
着膜２１５ａ（図４参照）によって固着されており、結
果として支持板２１５を介してインナーリード２０２の
内方部分とダイパッド２０１の相対位置が固定されてい
る。

【００５４】インナーリード２０２は、リードフレーム
２００中央へ収束するように延びており、半導体チップ
２１０と接合されるインナーリード２０２の内側におけ
る相隣合うリード間隙２０８は特に狭く、極めて微細な
構造となっている。しかもこの部分の加工はリードフレ
ームの加工において最も寸法精度や清浄度が厳しい部分
である。さらに、リードフレーム２００の外周部分には
半導体チップの端子とインナーリード２０２との接続時
の位置決め用に位置決め穴２０７が設けられている。
尚、ダムバー２０４は、半導体チップのモールド時にレ
ジンを堰止める役割とインナーリード２０２及びアウタ
ーリード２０３を補強する役割を有し、モールド後に除
去される。

【００５５】次に、本実施例のリードフレームの加工方
法、及びそのリードフレームを用いた半導体装置の製造
工程を図２により説明する。まず、図２のステップＳ１
００において、例えば鋼、銅合金，４２アロイ、コバー
ル等の薄い金属板をレベラーにかけて平に矯正した後、
実際の加工に移る。次に、ステップＳ１１０で上記金属
板にアウターリード２０３を形成し、金属板の洗浄及び
乾燥を行う（ステップＳ１１１）。このステップＳ１１
０での加工はレーザ光を用いたものであっても、従来か
らのエッチング加工やプレス加工等の加工であってもよ
いが、エッチング加工やプレス加工等を用いた方が能率
よく加工できる。

【００５６】その後、ステップＳ１２０で金属板にイン
ナーリード２０２となる部分を加工し、金属板の洗浄及
び乾燥を行う（ステップＳ１２１）。このステップＳ１
２０での加工もレーザ光を用いたものであっても、従来
からのエッチング加工やプレス加工等の加工であっても
よいが、いずれの加工を行う場合でも、金属板素材に変
形や残留ひずみをあまり与えないように加工するのが望
ましい。

【００５７】上記のうち通常のエッチング加工では、例
えば板厚０．１５ｍｍの４２アロイ材を用いる場合に
は、０．１〜０．１５ｍｍの幅のリード間隙しか加工で
きないが、レーザ切断を利用した場合は微細な加工が高
精度にできる。発明者の試験結果によれば、板厚０．１
５ｍｍの４２アロイ材を用いた場合、レーザ切断によっ
て加工できるリード間隙の幅は０．０３〜０．０７ｍｍ
程度となる。但し、その場合はレーザ光照射時の入熱に
よる熱影響部、即ち後述するドロス、及びスパッタや表
面の酸化膜等を化学研磨処理等の表面処理により除去し
ておく必要がある。

【００５８】また、レーザ切断の代わりにワイヤカット
法によっても微細な加工が可能であり、例えば、板厚
０．１５ｍｍの４２アロイ材を用いた発明者の試験結果
によれば、加工可能なリード間隙の幅は０．０４〜０．
０７ｍｍ程度である（尚、ワイヤ径によって多少変わ
る）。

【００５９】さらに、ハーフエッチングを利用して金属
板の両面に凹部を設けておき、その凹部の中央をレーザ
切断またはプレス打抜きまたはワイヤカットなどによっ
て切断する方法、或いは、予めレーザ切断、放電加工、
電子ビーム加工等によって貫通穴列を設けておき、この
貫通穴列をエッチング加工によって連結して所定の形状
を形成する方法などによってもよい。これらの方法によ
れば、０．０５〜０．１ｍｍのリード間隙幅で加工する
ことができ、多ピンかつ狭ピッチのインナーリード部分
を微細かつ高精度に加工することができる。

【００６０】上記ステップＳ１２０が完了後におけるリ
ードフレーム２００の中間製品（以下、単にリードフレ
ーム２００ともいう）の形状を図３に示す。図３に示す
ように、全てのインナーリード２０２の内方先端部分は
ダイパッド２０１と連結されている。即ち、ダイパッド
２０１及びそれにつながるインナーリード２０２の内方
先端部分はインナーリード２０２同士を連結するための
連結部となっている。これにより、相隣り合うリード間
での剛性が維持され、リードの変形やリード配列の乱れ
が防止される。従って、インナーリード２０２のリード
ピッチの精度が維持されると共に、例えばリードフレー
ムとなる金属板素材の洗浄や乾燥、メッキ処理、固定治
具等への装填、寸法検査などのその後の工程中の金属板
素材に変形を与えることなくの取り扱いが容易となる。

【００６１】次に、ステップＳ１３０でインナーリード
２０２の内方先端部分の端子接合部２０２Ａに銀メッキ
を施す。このように、メッキ領域を限定することにより
メッキ用の金属である銀が節約できる。また、銀メッキ
を施すことにより、端子接合部２０２Ａの接合性が一層
向上する。尚、メッキする金属としては銀の他、金や錫
などでもよい。上記ステップＳ１３０の後、洗浄及び乾
燥を行う（ステップＳ１３１）。

【００６２】次に、ステップＳ１４０で支持板２１５上
に接着膜２１５ａを搭載し、ステップＳ１５０及びステ
ップＳ１５１で接着膜２１５ａ上にリードフレーム２０
０を搭載し接着（固着）する。この時、支持板２１５が
リードフレーム２００のインナーリード２０２内方部分
及びダイパッド２０１に固着されるようにする。このよ
うに支持板２１５でインナーリード２０２の内方部分を
拘束することにより、その剛性が一層強化され、またリ
ードの変形やリード配列の乱れが防止され、従ってその
寸法や形状の精度の維持が一層確実となり、工程中の金
属板素材の取り扱いがさらに容易となる。

【００６３】図４は上記支持板２１５の形状を示す図で
あり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ方向の
断面図である。但し、（ｂ）では接着膜２１５ａを搭載
した状態を示す。接着膜２１５ａによって支持板２１５
とリードフレーム２００が簡単に接着され、接着された
時のインナーリード２０２の形状と寸法精度を保つこと
ができる。また、支持板２１５には図４のように予め細
長い切欠き状の貫通溝２１５Ａがあけられている。この
貫通溝２１５Ａの位置については後述するが、少なくと
も端子接合部２０２Ａが支持板２１５の貫通溝２１５Ａ
を避けて位置するようにしておく。即ち、インナーリー
ド２０２のうちの端子接合部２０２Ａには必ず支持板２
１５が固着しているようにする。

【００６４】支持板２１５の素材として、良熱伝導性の
金属を用いることにより、本実施例のリードフレームを
用いた半導体装置を電子機器に実装した後の、その電子
機器の動作中において、半導体チップ２１０（図７参
照）で発生した熱が速やかかつ確実にダイパッド２０１
及び支持板２１５を通過して半導体装置外部へ放散され
る。これにより、半導体装置が放熱性の良好なものとな
り、誤動作や破損が回避される。また、支持板２１５
を、熱膨脹係数がリードフレーム２００の熱膨脹係数と
ほぼ同じ材質とすることにより、樹脂モールド２３０に
よる一体封止工程（ステップＳ１９０及び図７参照）、
上述した半導体装置等を使用する際の半導体チップの発
熱、或いは使用環境における温度変化等に伴う熱履歴を
受けた場合に、支持板２１５とリードフレーム２００が
同様に熱膨脹または熱収縮して両者間に大きな熱応力が
発生することがなくなる。これにより、インナーリード
２０２及びダイパッド２０１と支持板２１５の間で剥離
が生じにくくなり、さらにリードフレーム２００が破断
する可能性もなくなり、製品としての半導体装置の信頼
性向上に有効となる。

【００６５】また、支持板２１５が金属である場合、イ
ンナーリード２０２（リードフレーム２００）と支持板
２１５の間の電気的導通を防止するため、接着膜２１５
ａの材質を絶縁性及び耐熱性を有する接着剤とする。こ
れにより、支持板２１５とインナーリード２０２間の電
気絶縁性が確保されると共に、樹脂モールド２３０によ
る一体封止時の温度上昇によってもその機能が劣化する
ことがない。

【００６６】上記接着膜２１５ａとしては有機樹脂系の
ものでも無機質系のものでもよい。有機樹脂系の接着剤
としては、例えば、耐熱性があり、安価で取り扱いも容
易な熱硬化性のエポキシ系接着剤がある。但し、このエ
ポキシ系接着剤を使用する際には熱硬化処理が必要であ
り、そのために熱膨脹変形や熱履歴がインナーリード２
０２に加わる可能性があるが、インナーリード２０２の
内方先端部分がダイパッド２０１で連結されているた
め、インナーリード２０２が動くことは防止される。こ
の他にも、耐熱性に優れたポリイミド系の接着剤やポリ
アミド系の接着剤なども使用に適する。一方、無機質系
の接着剤としては低融点ガラスやホウロウなどが適して
いる。さらに、絶縁性及び耐熱性を有するものであれば
これ以外のものでもよい。

【００６７】上記においては、接着膜２１５ａを支持板
２１５の上に配置しておいた後にリードフレーム２００
に接着したが、接着膜をリードフレーム２００側に配置
しておいたり、或いは支持板２１５とリードフレーム２
００の両方の表面に配置しておいてもよい。また、上記
接着膜２１５ａに加え、支持板２１５の少なくともイン
ナーリード２０２部分に当接する面に別の絶縁性材料を
配置してもよい。さらに、支持板２１５自体を、上記の
接着剤と類似の材質、或いは絶縁性のセラミックス等の
絶縁性材料としてもよい。この支持板２１５自体を絶縁
材料とした場合には、上記のような電気絶縁性を考慮す
る必要がなくなる。

【００６８】また、ステップＳ１３０で行う銀メッキ処
理を、上記ステップＳ１４０〜Ｓ１５１の後で行っても
よい。この場合、少なくとも端子接合部２０２Ａのみを
メッキ処理すれば、リードが変形せずメッキ処理がやり
やすい。

【００６９】次に、ステップＳ１６０において、インナ
ーリード２０２の内方先端部分にレーザ光を照射して切
断し、インナーリード２０２、従って端子接合部２０２
Ａを個々に分離する。この結果、図１に示すようなリー
ドフレーム２００の形状となる。インナーリード２０２
をレーザ切断で個々に分離することにより、ダイパッド
２０１でインナーリード２０２が連結されることによる
剛性の維持、及びリードの変形や配列の乱れ防止の効果
がなくなるが、その代わり上記支持板２１５により引き
続きインナーリード２０２が拘束されるため、その剛性
はさらに維持強化され、リードの変形やリード配列の乱
れが防止され、従って寸法や形状の精度が維持されるこ
と、及び工程中の金属板素材の取り扱いの容易性は損な
われない。

【００７０】図５は、レーザ切断の状況を示した断面図
である。レーザ光は金属板素材の支持板２１５を固着し
た面とは反対側の面より照射し、インナーリード２０２
の内方先端部分とダイパッド２０１とを分離する切欠き
部２０６を形成する。ここで使用するレーザ光としては
ＹＡＧレーザがふさわしく、微細かつ高精度な加工が可
能である。図５において、レーザ光１１３Ａは充分な熱
エネルギ密度を供給できるように集光レンズ１１６で集
光され、加工ノズル１１３先端部よりアシストガス１１
７Ａと共に金属板表面に照射される。するとその部分が
溶融し、これが熱源となってこの溶融が表面から順次深
さ方向に向って進行し、やがて切断される。レーザ光１
１３Ａは極めて小さく集光できるので微細な寸法の加工
に好適であり、高いエネルギー密度のレーザ光をごく短
時間照射するだけで所望の部分を溶断することができ
る。また、打ち抜きの加工のように切断用治具などにイ
ンナーリード２０２先端部分を精度よく位置決めして拘
束する必要もなく、切断位置や切断形状を自由に選択し
て精度よく切断することができ、しかも剛性の小さいイ
ンナーリード２０２の先端部分に不必要な変形をほとん
ど与えることがない。

【００７１】このレーザ切断によって、連結部として機
能していたダイパッド２０１による剛性の維持、及びリ
ードの変形や配列の乱れ防止の効果がなくなるが、その
代わり支持板２１５により引き続きインナーリード２０
２が拘束されるため、その剛性はさらに維持強化され、
リードの変形やリード配列の乱れが防止され、従って寸
法や形状の精度が維持されること、及び工程中の金属板
素材の取り扱いの容易性は損なわれない。

【００７２】また、上記のレーザ切断を行う際には、支
持板２１５の貫通溝２１５Ａの位置にレーザ光を照射す
るようにする。このため、支持板２１５において予め設
けておく貫通溝２１５Ａの位置は、インナーリード２０
２の内方先端部分のレーザ切断位置に対応する位置とす
る。このように、支持板２１５の貫通溝２１５Ａの位置
をレーザ切断するため、レーザ切断時に生じたスパッタ
やドロス等の付着の原因となる溶融金属粒子１３のほと
んど、及びゴミやホコリが、アシストガス供給口１１７
から供給されるアシストガス１１７Ａによって貫通溝２
１５Ａを通過しながら吹き飛ばされ排除される。つま
り、貫通溝２１５Ａは溶融金属粒子１３の逃げ部として
機能する。また、支持板２１５がレーザ切断されないた
めそのレーザ切断により除去する金属部分が最小となっ
てスパッタやドロス等の量が減少することになる。

【００７３】溶融金属が少なくなるといっても完全にな
くすことは不可能であり、やはり一部分の溶融金属は残
留してしまい、インナーリード２０２裏面の切り口付近
に付着し凝固してドロス１０となる。ところが、支持板
２１５の板厚を、このドロス１０の高さよりも十分厚く
しておけば、ドロス１０は支持板２１５の貫通溝２１５
Ａ内に完全に収容されることになる。

【００７４】このドロスの高さと支持板の板厚の関係
を、図６により説明する。本発明者の実験によると、板
厚ｔ₁が０．１５ｍｍの４２アロイ材料の金属板素材を
ＹＡＧレーザを用いて切欠き部２０６の幅Ｗ₁が０．０
３〜０．０５ｍｍとなるように切断した場合、切欠き部
２０６の側壁裏面の縁部に付着するドロス１０の寸法
は、高さｈが０．０１〜０．０３ｍｍで幅ｗが０．０３
〜０．０５程度ｍｍとなることがわかった。また、その
他の材料、例えば銅や銅合金ではドロス１０の高さｈが
０．０３〜０．０５ｍｍともう少し大きくなる。このド
ロス１０の寸法は板厚やレーザ切断条件によって多少変
動するものと考えられるが、本実施例のように板厚が
０．３ｍｍ以下の金属板を加工する場合はほぼ上記寸法
になると考えられる。本発明者は、上記４２アロイや銅
系の材料の他、ステンレス、鉄、ハステロイ等の金属板
を切断する実験も行ったが、ほとんどの場合、上記寸法
以下のドロスの寸法になることを確認している。

【００７５】そこで、支持板２１５の板厚ｔ₂を０．０
５ｍｍ以上とすることにより、支持板２１５の板厚が常
にドロス１０の高さよりも厚くなり、ドロス１０は貫通
部２１５Ａの中に完全に収容されることになる。貫通部
２１５内に収容されたドロス１０は、後ほど機械的処理
または化学的表面処理等によって完全には除去すること
が不可能であるが、この場合にはそのようにしてドロス
１０をことさらに除去する必要はない。そして、ドロス
１０が支持板２１５表面から突出することがないため、
その後の接合作業等において、加工治具や拘束治具や固
定治具などと突出したドロス１０が接触することがな
く、変形や加工誤差や寸法誤差の発生が避けられ、さら
にドロス１０等の不規則な剥落などに起因する電気的短
絡が生じることが避けられる。

【００７６】尚、図６において、接着膜２１５ａの厚さ
をｔ₃で表した。また、支持板２１５の剛性を十分確保
することも考慮すれば、実際には支持板２１５の板厚ｔ
₂を０．３〜０．５ｍｍ程度とすることが望ましい。

【００７７】ここで、貫通溝２１５Ａの幅Ｗ₂はレーザ
切断によって形成される切欠き部２０６よりも広くして
おくことは言うまでもないが、貫通溝２１５Ａの幅Ｗ₂
が広すぎると、インナーリード２０２の内方先端部分が
貫通溝２１５Ａに長く突出することになり、その先端部
分が変形したり、リード同士が接触する恐れがあるた
め、貫通溝２１５Ａの幅Ｗ₂は必要最少限であることが
望ましい。本実施例では、貫通溝２１５Ａを設ける範囲
がレーザ光の照射部分に対応する位置のごく近傍に限ら
れ、その幅Ｗ₂を最小限にできるから、インナーリード
２０２が支持板２１５によって確実に拘束されることに
変わりはなく、インナーリード２０２先端に変形を与え
ることがない。さらに、前述の第１の従来技術のような
打ち抜きを利用する場合よりも、貫通溝の幅を狭くでき
る。

【００７８】ところで、レーザ切断を行うことにより、
金属板素材の表面付近は熱影響を受け、その表面が劣化
したり、酸化膜が形成されたりするなどして、その熱影
響部分における半導体チップ２１０（図７参照）の各端
子との接合性が悪化してしまう。このレーザ切断による
熱影響部分２００ａ（図６のリードフレーム２００表面
付近に斜線で示す）の寸法（幅）Ｌは、例えば前述の本
発明者が行った実験の場合、切欠き部２０６の端面から
０．１〜０．２ｍｍ程度となる。従って、上記熱影響部
分２００ａの幅Ｌを考慮して、レーザ切断による分離後
のインナーリード２０２の内方先端から少なくとも約
０．２ｍｍ以上離れた位置よりもリード長手方向外側に
端子接合部２０２Ａの内端が存在すればよいことにな
る。

【００７９】半導体チップ２１０の各端子とインナーリ
ード２０２の端子接合部２０２Ａをワイヤボンディング
によって接合する場合を考えると、その接合に必要な寸
法（長さ）は一般に０．５〜１．５ｍｍ程度とされてい
るが、この長さの端子接合部２０２Ａを、インナーリー
ド２０２の内方先端から０．２ｍｍ以上外側に存在する
ように位置させればよい。

【００８０】ステップＳ１６０の後、ステップＳ１７０
でスパッタ、及びゴミやホコリを除去し、ステップＳ１
７１で洗浄及び乾燥を行い、リードフレームの加工が完
了する。また、この時点で、端子接合部２０２Ａにメッ
キ処理を施してもよい。

【００８１】引き続き半導体装置の製造を行う。即ち、
ステップＳ１８０及びステップＳ１８１で、支持板２１
５上に半導体チップ２１０を搭載、接着した後、半導体
チップ２１０の各端子と端子接合部２０２Ａとをワイヤ
ボンディングによって接合する（ステップＳ１８２）。

【００８２】この時、端子接合部２０２Ａが貫通溝２１
５Ａを避けて位置するように支持板２１５でしっかりと
拘束されているため、このワイヤボンディングによる接
合時においても、端子接合部２０２Ａが変形したり動い
たりすることによって位置ずれすることが避けられ、ま
た隣のリード同士が接触することが避けられ、良好な接
合性を容易に実現できる。特に、ワイヤボンディング法
のうち、超音波振動を付与するウェッジボンディング法
を利用する場合においても、端子接合部２０２Ａが動く
ことがないように支持板２１５によってしっかりと固定
され、従ってボンディングワイヤを引き回してもワイヤ
同士が接触することもない。

【００８３】上記ステップＳ１８２の後、ステップＳ１
９０で、上記のように接合したインナーリード２０２、
半導体チップ２１０、ダイパッド２０１、及び支持板２
１５を樹脂モールド２３０で一体的に封止する。そし
て、ステップＳ２００でアウターリード２０３にハンダ
メッキを施す。このハンダメッキは電子回路基板に半導
体装置を実装する際のハンダ付け性を向上するために行
う。次に、ステップＳ２０１でアウターリード２０３間
に設けておいたダムバー２０４をレーザ切断し、ステッ
プＳ２０２で洗浄及び乾燥を行う。

【００８４】次に、ステップＳ２１０でアウターリード
２０３の外側の枠材及びリードフレーム２００のコーナ
ー部分を切断してアウターリード２０３を個々に切り離
し、ステップＳ２１１でアウターリード２０３をガルウ
ィング状に折り曲げ成形し、ステップＳ２１２で半導体
チップ２１０の種々の電気的特性の確認を行う。

【００８５】さらに、製品番号や製造番号等をマーキン
グし（ステップＳ２２０）、外観検査等を行って半導体
装置が完成する。そして包装後に出荷される（ステップ
Ｓ２２１）。

【００８６】図７は、本実施例によるリードフレームを
用いた半導体装置の断面図である。図７（ａ）及び
（ｂ）に示すように、リードフレーム２００のインナー
リード２０２の下面には接着膜２１５ａを介して支持板
２１５が固着されており、支持板２１５には半導体チッ
プ２１０が搭載され、インナーリード２０２内方先端部
分の端子接合部２０２Ａが半導体チップ２１０の各端子
（以下、接合用パッドともいう）２１２Ａとワイヤ２１
１を用いたワイヤボンディングにより電気的に接合され
ている。図７では接着膜２１５ａが支持板２１５の側面
にも存在するが、インナーリード２０２及びダイパッド
２０１の下面と接する面にのみあれば十分である。さら
に、支持板２１５及び半導体チップ２１０を含むインナ
ーリード２０２より内側の部分が樹脂モールド２３０に
よって一体封止されており、樹脂モールド２３０より外
側のアウターリード２０３がガルウィング状に折り曲げ
成形されている。

【００８７】以上のような本実施例によれば、レーザ切
断を利用してインナーリード２０２を分離するので、切
断位置や切断形状を自由に選択して精度よく切断するこ
とができ、しかも剛性の小さいインナーリード２０２の
先端部分に不必要な変形をほとんど与えることがない。
この時、支持板２１５の貫通溝２１５Ａの位置をレーザ
切断するので、貫通溝２１５Ａを溶融金属粒子１３の逃
げ部とすることができ、また支持板２１５がレーザ切断
されないためドロス等の量を減少することができる。

【００８８】また、支持板２１５の板厚を０．０５ｍｍ
以上、つまりドロス１０の高さよりも厚くし、貫通溝２
１５Ａ内にそのドロス１０を完全に収容するので、ドロ
ス１０をわざわざ除去する必要がなくなり、加工治具や
拘束治具や固定治具などの治具類と突出したドロス１０
との接触に起因する変形や誤差の発生が避けられ、さら
にドロス１０等の不規則な剥落に起因する電気的短絡が
回避される。

【００８９】また、熱影響部分２００ａの幅を考慮し
て、レーザ切断による分離後のインナーリード２０２の
内方先端から少なくとも熱影響部分２００ａの幅（約
０．２ｍｍ）以上離れた位置よりもリード長手方向外側
に端子接合部２０２Ａの内端を配置するので、レーザ切
断によって端子接合部２０２Ａが熱影響を受けず、端子
接合部２０２Ａの表面の劣化や酸化膜形成が防止され、
半導体チップ２１０の各端子２１２Ａとの接合性が良好
となる。

【００９０】従って、本実施例によれば、板厚が０．３
ｍｍ以下、リードピッチの最小値が板厚の２倍以下、リ
ード間隙の幅の最小値が板厚以下であるような多ピンか
つ狭ピッチのリードフレームを加工する場合であって
も、半導体チップの端子との接合性を良好にすることが
でき、その端子接合部の信頼性を向上することができ
る。

【００９１】また、インナーリード２０２の内方先端部
分を切り残し、ダイパッド２０１及びそれにつながるイ
ンナーリード２０２の内方先端部分によって相隣り合う
リードを連結するので、相隣り合うリード間での剛性が
維持され、リードの変形やリード配列の乱れが防止され
る。従って、インナーリード２０２のリードピッチの精
度が維持されると共に、工程中の金属板素材に変形を与
えることなくの取り扱いが容易となる。

【００９２】また、支持板２１５をインナーリード２０
２の内方部分に固着してその部分を拘束するので、その
剛性が一層強化され、またリードの変形やリード配列の
乱れが防止され、従ってその寸法や形状の精度の維持が
一層確実となり、工程中の金属板素材の取り扱いがさら
に容易となる。その上、インナーリード２０２をレーザ
切断によって分離した後も引き続きインナーリード２０
２を拘束してその効果を発揮することができ、また半導
体チップ２１０と端子接合部２０２Ａの接合時において
もその端子接合部２０２Ａの位置ずれを防止して良好な
接合性を実現できる。しかも、半導体装置が最終的に製
造された時にその強度及び信頼性の向上に役立つ。

【００９３】また、支持板２１５を良熱伝導性の金属と
し、熱膨脹係数がリードフレーム２００のそれとほぼ同
じ材質とするので、半導体装置を放熱性の良好なものと
することができ、誤動作や破損が回避され、製品として
の半導体装置の信頼性が向上する。

【００９４】また、支持板２１５をインナーリード２０
２に接着するための接着膜２１５ａを絶縁性及び耐熱性
を有する有機樹脂系或いは無機質系の接着剤とするの
で、両者間の電気絶縁性が確保されると共に、樹脂モー
ルド２３０による一体封止時の温度上昇によってもその
機能が劣化することがない。さらに、両者間に別の絶縁
性材料を配置したり、支持板２１５自体を絶縁性材料と
するので、電気絶縁性を確保することができる。

【００９５】さらに、端子接合部２０２ａ及び２０２ｂ
の表面に銀メッキを施すので、その部分の接合性が一層
向上する。

【００９６】次に、本発明の第２の実施例によるリード
フレームの加工方法及びリードフレーム並びに半導体装
置を、図８により説明する。

【００９７】本実施例では、第１の実施例におけるイン
ナーリード２０２の内方部分のリード間隙２０８に図８
（ａ）及び（ｂ）に示すように充填材料２５０を充填す
る。この充填材料２５０としてはグリース状のものを用
い、スキージ法によって充填したり、インナーリード２
０２部分の上に載せて両面から圧する方法等により、容
易に充填することができる。また、この充填材料２５０
は少なくとも端子接合部２０２Ａ及びその付近に充填す
ることが必要であるが、できるだけリード先端まで充填
することが望ましい。これ以外の構成及び各工程は第１
の実施例と同様である。但し、図８（ａ）はインナーリ
ード２０２内方先端部分を示す図、図８（ｂ）は図８
（ａ）のＢ−Ｂ方向の断面図であり、図８において図１
と同等の部材には同一の符号を付した。

【００９８】インナーリード２０２の内方先端部分は、
前述したように非常に微細に加工される部分であって、
多ピンかつ狭ピッチのものではリード幅が板厚よりも狭
くなることもある。そのため、支持板２１５とインナー
リード２０２とを接着膜２１５ａによって接着していた
としても何らかの外力によって端子接合部２０２Ａは変
形しやすく、その変形によって図８（ｃ）のように倒れ
ることがあり、隣接する端子接合部２０２Ａ同士が接触
してしまう可能性がある。

【００９９】これに対し、本実施例では、図８（ａ），
（ｂ）に示すように充填材料２５０をインナーリード２
０２のリード間隙２０８に充填するので、リード間隙２
０８の寸法が維持され、ワイヤボンディング時などにお
いて端子接合部２０２Ａが変形しようとしても変形でき
ず、隣接する端子接合部２０２Ａ同士が接触することが
ない。従って、端子接合部２０２Ａが位置ずれせずに良
好な接合性を実現できる。

【０１００】以上のような本実施例によれば、第１の実
施例と同様の効果が得られるだけでなく、充填材料２５
０をインナーリード２０２の内方部分のリード間隙２０
８に充填するので、端子接合部２０２Ａが倒れることが
避けられ、隣接する端子接合部２０２Ａ同士が接触する
ことが避けられる。従って、良好な接合性を実現でき、
信頼性の高い半導体装置を製造することができる。

【０１０１】次に、本発明の第３及び第４の実施例によ
るリードフレームの加工方法及びリードフレーム並びに
半導体装置を、それぞれ図９及び図１０により説明す
る。

【０１０２】ワイヤボンディングによって半導体チップ
の各端子と端子接合部とを接合する際に、端子接合部の
ピッチが狭すぎると、隣接するワイヤ同士が接触した
り、接合治具であるキャピラリーの先端が隣接するワイ
ヤや隣接する端子接合部と干渉して良好な接合が行えな
くなることがある。

【０１０３】これに対し、本発明の第３の実施例では、
図９（ａ），（ｂ）に示すように、相隣り合う端子接合
部２０２ａと２０２ｂとがそれぞれ第１グループと第２
グループとに属し、第１グループに属する端子接合部２
０２ａよりも第２グループに属する端子接合部２０２ｂ
がリード長手方向外側にずれて位置するように配置す
る。即ち、端子接合部２０２ａ及び２０２ｂがリード長
手方向に２段かつ交互にずらせた配置となる（以下、こ
のような配置を千鳥配置という）。但し、図９は、半導
体チップの各端子と端子接合部のワイヤボンディングが
完了した時点の図であって、（ａ）はインナーリード内
方先端部分を示す図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ方向の断
面図である。

【０１０４】また、半導体チップ２１０の各端子（接合
用パッド）２１２ａ及び２１２ｂも千鳥配置となってお
り、半導体チップ２１０の外側寄りの接合用パッド２１
２ｂとインナーリード２０２の内側寄りの端子接合部２
０２ａとがワイヤ２１１により、また半導体チップ２１
０の内側寄りの接合用パッド２１２ａとインナーリード
２０２の外側寄りの端子接合部２０２ｂとがワイヤ２１
１により、それぞれ接続されている。上記以外の構成及
び各工程は第１の実施例と同様であって、図９では、図
１及び図７と同等の部材に同じ符号を付してある。

【０１０５】これにより、ワイヤボンディングによる半
導体チップ２０１の各端子との接合を行う場合に、隣接
するワイヤ２１１同士が接触したり、接合治具の先端が
隣接するワイヤ２１１や端子接合部２０２ａまたは２０
２ｂと干渉することがなくなる。

【０１０６】また、ワイヤボンディングによってインナ
ーリードの端子接合部と半導体チップの各端子とを接合
する際には、端子接合部にある程度の幅（広さ）が必要
であるが、多ピンかつ狭ピッチのリードフレームでは板
厚よりもインナーリード先端の幅が狭くなることがあ
り、そのため多ピンで狭ピッチになればなるほどその接
合が難しくなる。このことは、ワイヤボンディングに限
ったことではなく、バンプ等によって半導体チップの各
端子とインナーリードの端子接合部を直接接合する場合
も同様である。

【０１０７】これに対し、本発明の第４の実施例では、
図１０に示すように、インナーリード２０２の端子接合
部２０２ｃ，２０２ｄを千鳥配列とすると共に、端子接
合部２０２ｃ及び２０２ｄを幅広にする。これ以外の構
成及び各工程は第３の実施例と同様である。

【０１０８】これにより、半導体チップ２１０の各端子
との接合に必要な最小の幅を確保しながら、一定の寸法
の中に多数の端子接合部２０２ｃ，２０２ｄを並べるこ
とができ、良好な接合性を損なうことなく多ピン化及び
狭ピッチ化が可能となる。しかも、端子接合部２０２
ｃ，２０２ｄの広さ確保のために制約されていた多ピン
化や狭ピッチ化が、従来の限界を超えて実現することが
可能となる。

【０１０９】以上の第３の実施例によれば、ワイヤボン
ディングを行う場合に、隣接するワイヤ２１１同士の接
触や、接合治具の先端と隣接するワイヤ２１１または端
子接合部２０２ａ，２０２ｂとの干渉が防止される。

【０１１０】また、第４の実施例によれば、良好な接合
性を損なうことなく、従来の限界を超えて多ピン化及び
狭ピッチ化が可能となる。

【０１１１】次に、本発明の第５の実施例によるリード
フレームの加工方法及びリードフレーム並びに半導体装
置について、図１１から図１３を参照しながら説明す
る。

【０１１２】図１１は本実施例によって加工されるリー
ドフレーム中間製品の一例を示す図である。但し、この
図１１は支持板４１５（図１３参照）を接着する前の状
態を示す図であって、図３に相当する図である。図１１
に示すリードフレームの中間製品（以下、単にリードフ
レームという）４００は、図１及び図３と同様に多数の
インナーリード４０２、アウターリード４０３、ダムバ
ー４０４、位置決め穴４０７を有するが、リードフレー
ム４００の中央部分にはダイパッドがなく、図３のダイ
パッドに相当する部分がわずかな外周部分を残して打ち
抜かれ、中央部貫通穴４０１Ａとなっている。また、中
央部貫通穴４０１Ａの外周部分はインナーリード４０２
の内方先端部分を連結する連結枠５５となっている。

【０１１３】次に、本実施例のリードフレームの加工方
法、及びそのリードフレームを用いた半導体装置の製造
工程を図１２により説明する。図１２のステップＳ３０
０からステップＳ３１１までは、図２のステップＳ１０
０からステップＳ１１１までと同様に、金属板にレベラ
ーをかけ、アウターリード４０３を形成し、洗浄及び乾
燥を行う。

【０１１４】次に、ステップＳ３２０で金属板にインナ
ーリード３０２となる部分を図２と同様な適宜の方法に
よって加工し、金属板の洗浄及び乾燥を行う（ステップ
Ｓ３２１）。この時のリードフレーム４００（中間製
品）の状態が前述の図１１のようになる。この状態にお
いて、全てのインナーリード４０２の内方先端部分は連
結枠５５と連結されている。即ち、連結枠５５及びそれ
につながるインナーリード４０２の内方先端部分は、図
３のダイパッド２０１のようにインナーリード２０２同
士を連結するための連結部となっている。

【０１１５】次に、ステップＳ３３０で端子接合部４０
２Ａを除く部分に耐熱性の絶縁膜４２１（図１３参照）
を被覆する。これにより、製造工程中にリード同士が接
触したとしても電気的短絡はおこらないし、ゴミ等の付
着による電気的短絡の危険性も回避できる。また、耐熱
性の材質を用いることにより、樹脂モールド４３０（図
１３参照）による一体封止時にもその絶縁膜が劣化する
ことがなく、確実に絶縁を行うことができる。また、ア
ウターリード４０３外方の部分は後に電子回路基板との
端子接合部となるため、少なくともその部分も耐熱性の
絶縁膜４２１を被覆する領域から除外するのが望まし
い。

【０１１６】次に、ステップＳ３４０でインナーリード
４０２内方先端部分の端子接合部４０２Ａに銀メッキを
施し、洗浄及び乾燥を行う（ステップＳ３４１）。

【０１１７】次に、図２のステップＳ１４０からステッ
プＳ１５１と同様に、ステップＳ３５０で支持板４１５
上に接着膜４１５ａを搭載し、ステップＳ３６０及びス
テップＳ３６１で接着膜４１５ａ上にリードフレーム４
００を固着する。これにより、リードフレーム４００の
インナーリード４０１内方部分及び連結枠５５が支持板
４１５に固着することになる。また、支持板４１５にも
図４と同様の細長い切欠き状の貫通溝４１５Ａをあけて
おく（以上、図１３参照）。さらに、支持板４１５及び
接着膜４１５ａの材質も図４のものと同様の材質を用い
る。

【０１１８】次に、ステップＳ３７０において、図２の
ステップＳ１６０と同様にインナーリード４０２の内方
先端部分に支持板４１５の反対側からレーザ光を照射し
て切断し、インナーリード４０２、従って端子接合部４
０２Ａを個々に分離する。このレーザ切断の時も第１の
実施例と同様に支持板４１５の貫通溝４１５Ａの位置に
レーザ光を照射するようにする。上記ステップＳ３７０
の後、ステップＳ３８０でスパッタ、及びゴミやホコリ
を除去し、ステップＳ３８１で洗浄及び乾燥を行う。

【０１１９】次に、ステップＳ３９０及びステップＳ３
９１で、支持板４１５上に半導体チップ４１０（図１３
参照）を搭載、接着した後、図２のステップＳ１８２と
同様に半導体チップ４１０の各端子と端子接合部４０２
Ａとをワイヤボンディングによって接合する（ステップ
Ｓ３９２）。

【０１２０】次に、ステップＳ４００及びステップＳ４
０１で、支持板４１５のインナーリード４０２が固着さ
れた面とは反対側の面、即ち半導体チップ４１０が接着
されている面とは反対側の面に放熱フィン４６０（図１
３参照）を搭載、接合する。このように放熱フィン４６
０を取り付けることにより、半導体装置が実装された電
子機器の動作中に半導体チップ４１０で発生した熱が速
やかかつ確実にこの放熱フィン４６０より半導体装置外
部へ放散される。従って、半導体装置が放熱性の良好な
ものとなり、誤動作や破損が回避される。しかも、この
放熱フィン４６０は簡単に取付けることができるから、
容易かつ確実に放熱性を改良することができる。

【０１２１】本実施例の場合、厳密に言えば、上記ステ
ップＳ４０１が終了した時点でリードフレーム４００の
加工が完了することになる。但し、このステップＳ４０
０〜ステップＳ４０１における放熱フィンの取り付け
を、ステップＳ３９０の前、即ち半導体チップ４１０の
搭載前に行ってもよい。

【０１２２】上記ステップＳ４０１の後、ステップＳ４
１０で、インナーリード４０２、連結枠５５、半導体チ
ップ４１０及び支持板４１５を樹脂モールド４３０（図
１３参照）で一体的に封止する。その後のステップＳ４
２０におけるアウターリード４０３へのハンダメッキか
らステップＳ４３２における半導体チップ４１０の電気
的特性の確認、及びステップＳ４４０の製品番号や製造
番号等のマーキングは、図２のステップＳ２００からス
テップＳ２２０と同様であり、最後に包装後に出荷され
る（ステップＳ４４１）。

【０１２３】図１３は、本実施例によるリードフレーム
を用いた半導体装置の断面図である。図１３に示すよう
に、リードフレーム４００の片面には接着膜４１５ａを
介して支持板４１５が固着されており、支持板４１５に
は半導体チップ４１０が直接搭載され、インナーリード
４０２内方先端部分の端子接合部４０２Ａがそれぞれ半
導体チップ４１０の各接合用パッド４１２Ａとワイヤ４
１１を用いたワイヤボンディングにより接合されてい
る。また、支持板４１５の半導体チップ４１０が接着さ
れている面とは反対側の面に放熱フィン４６０が取り付
けられており、連結枠５５、支持板４１５、及び半導体
チップ４１０を含むインナーリード４０２より内側の部
分が樹脂モールド４３０によって一体封止されている。
但し、図１３においては、支持板４１５の放熱フィン４
６０側の面は樹脂モールド４３０の外側にあり、放熱性
を一層高めている。さらに、樹脂モールド４３０より外
側のアウターリード４０３がガルウィング状に折り曲げ
成形されている。

【０１２４】以上のような本実施例によれば、第１の実
施例と同様の効果が得られるだけでなく、端子接合部４
０２Ａを除く部分に耐熱性の絶縁膜４２１を被覆するの
で、リード同士の接触や異物の付着によっても電気的短
絡がおこらず、樹脂モールド４３０による一体封止時に
も劣化することなく確実に絶縁を行うことができる。

【０１２５】また、支持板４１５の半導体チップ４１０
が接着されている面とは反対側の面に放熱フィン４６０
を取り付けるので、半導体装置が放熱性の良好なものと
なり、誤動作や破損が回避される。しかも、この放熱フ
ィン４６０は簡単に取付けることができるから、容易か
つ確実に放熱性を改良することができる。

【０１２６】次に、本発明の第６及び第７の実施例によ
るリードフレームの加工方法及びリードフレーム並びに
半導体装置を、それぞれ図１４及び図１５により説明す
る。

【０１２７】第６の実施例では、図１４（ａ）に示すよ
うに、インナーリード６０２の内方先端部分における端
子接合部６０２ａ及び６０２ｂが、図９や図１０と類似
の千鳥配置となっている。また、千鳥配置とした端子接
合部６０２ａ及び６０２ｂのうちリード長手方向外側の
端子接合部６０２ｂよりも外側寄り（アウターリード寄
り）の近接位置をわずかに切り残し、相隣り合うリード
を連結する連結部６５を形成する。この連結部６５は、
第１の実施例におけるダイパッド２０１や、第５の実施
例における連結枠５５と同様に、相隣り合うリード間で
の剛性を維持する機能を有し、リードの変形やリード配
列の乱れが防止され、同様の効果が得られる。

【０１２８】また、前述の第１から第５の実施例と同様
に、インナーリード６０２よりも内方部分に支持板６１
５が固着される。その後に図１４（ｂ）に示すように連
結部６５がレーザ切断される。本実施例では連結部６５
を直接レーザ切断する点が第１から第５の実施例と異な
る。

【０１２９】さらに、支持板６１５にも予め細長い切欠
き状の貫通溝６１５Ａがあけられており、支持板６１５
をインナーリード６０２の内方部分に固着する際に、そ
の貫通溝６１５Ａの位置に連結部６５が丁度位置決めさ
れるようにする。

【０１３０】連結部６５をレーザ切断する際に用いるレ
ーザ光としては、その断面を予めシリンドリカルレンズ
等で細長い楕円形に変換し、図１４（ｂ）のようにその
被加工物上のスポット１１３Ｂが細長い楕円形断面とな
るようにすれば、１回のレーザ光照射でリード間隙に沿
った切断後の形状が得られ、能率よくレーザ切断を行う
ことができる。

【０１３１】さらに、本実施例では、連結部６５の位置
を、リード長手方向外側の端子接合部６０２ｂよりも外
側寄りの近接位置とするので、連結部６５のレーザ切断
時の入熱に起因した熱影響部分が端子接合部６０２ａに
も端子接合部６０２ｂにも達することがなく、酸化膜や
熱応力や熱歪み影響のない良好な端子接合部を得ること
ができる。

【０１３２】一方、第７の実施例では、図１５（ａ）に
示すように、インナーリード８０２の内方先端部分にお
ける端子接合部８０２ａ及び８０２ｂが、図９や図１０
と類似の千鳥配置となっている。また、千鳥配置とした
リード長手方向内側の端子接合部８０２ａの後端部分と
外側の端子接合部８０２ｂの先端部分とを連結するよう
に連結部７５を設ける。即ち、端子接合部８０２ｂの先
端部分と端子接合部８０２ａの後端部分とがＴ字状の連
結部分７５で連結されることになる。さらに、本実施例
では、ダイパッド８０１が存在する点も第６の実施例と
異なっているが、このダイパッド８０１はなくてもよ
い。

【０１３３】また、第６の実施例と同様に、インナーリ
ード８０２よりも内方部分に支持板８１５が固着され、
その後に図１５（ｂ）に示すように連結部７５がレーザ
切断される。さらに、支持板８１５にも予め細長い切欠
き状の貫通溝８１５Ａがあけられており、支持板８１５
をインナーリード８０２の内方部分に固着する際に、そ
の貫通溝８１５Ａの位置にＴ字状の連結部７５が丁度位
置決めされるようにする。

【０１３４】Ｔ字状の連結部７５をレーザ切断する際に
用いるレーザ光としては、第６の実施例のような細長い
楕円形断面のものを用いてもよいが、連結部７５の形状
がＴ字状であることを考慮すると、図１５（ｂ）に示す
被加工物上のスポット１１３Ｄとなるように、円形の断
面のままのレーザ光を用いてもよい。

【０１３５】さらに、本実施例では、連結部７５を、リ
ード長手方向内側の端子接合部８０２ａの後端部分と外
側の端子接合部８０２ｂの先端部分とを連結するように
設けるので、連結部７５のレーザ切断時の入熱に起因し
た熱影響の及ぶ範囲が端子接合部８０２ａの後端部分と
端子接合部６０２ｂの先端部分のごく狭い範囲に限ら
れ、いずれの端子接合部にも熱影響を与えることがほと
んどなく、酸化膜や熱応力や熱歪み影響のない良好な端
子接合部を得ることができる。

【０１３６】但し、第６及び第７の実施例において上記
以外の構成及び各工程は第１の実施例と同様である。

【０１３７】以上のような第６及び第７の実施例によれ
ば、第１の実施例と同様の効果が得られる。さらに、連
結部６５や連結部７５のレーザ切断時の入熱に起因した
熱影響が端子接合部に及ぶことがほとんどなく、酸化膜
や熱応力や熱歪み影響のない良好な端子接合部を得るこ
とができる。

【０１３８】尚、予め金属板の少なくともインナーリー
ドとなる部分の板厚を元の板厚よりも減肉しておけばイ
ンナーリードを形成するに当たって次のような作用効果
が得られる。まず、レーザ切断を行う場合には、板厚が
薄いことにより溶融金属の量が減少してドロスやスパッ
タ等の量が減る。また、プレス加工を行う場合には、板
厚が薄いことにより刃物に加わる力が軽減され、刃物の
破損等による不具合が回避される。さらに、エッチング
加工を行う場合には、サイドエッチの進行に起因して腐
食穴が完全に貫通しないような事態が避けられ、微細な
貫通溝を楽にあけることができる。特に、プレス加工や
エッチング加工などの従来から一般的によく利用されて
いる加工方法の場合、従来の加工限界を超えて極めて微
細な加工を行うことができる。さらに、この場合、イン
ナーリードの内方先端部分を連結しておくことにより、
金属板の板厚が薄くなることに起因する剛性の低下が回
避される。

【０１３９】また、第３、第４、第６、第７の各実施例
では、端子接合部を第１グループと第２グループとで構
成してリード長手方向に２段かつ交互にずらせた千鳥配
置としたが、３段以上の多段階にずらせてもよい。

【０１４０】さらに、半導体チップの接合用パッドと端
子接合部の接合方法としては、上述のようにワイヤボン
ディングが一般的であるが、端子接合部を半導体チップ
の端子直上まで伸延させておき、金バンプ等によって接
合する方法を用いてもよい。

【０１４１】

【発明の効果】本発明によれば、支持板の貫通部の位置
をその支持板の反対側からレーザ切断するので、貫通部
を溶融金属粒子の逃げ部とすることができ、ドロス等の
量を減少することができる。また、支持板の厚さを０．
０５ｍｍ以上としてドロスを貫通部の中に完全に収容す
るので、ドロスを除去する必要がなくなり、加工治具や
拘束治具や固定治具などの治具類と突出したドロスとの
接触に起因する変形や誤差の発生が避けられ、さらにド
ロス等の不規則な剥落に起因する電気的短絡が回避され
る。また、レーザ切断を利用するので、切断位置や切断
形状を自由に選択して精度よく切断することができ、不
必要な変形をほとんど与えることがない。

【０１４２】さらに、レーザ光の照射位置を、端子接合
部の端部よりもレーザ光照射による熱影響部分の寸法以
上の距離だけリード長手方向に離した位置とするので、
端子接合部がレーザ切断によって熱影響を受けることが
なくなって、半導体チップの各端子との接合性が良好と
なる。

【０１４３】従って、本発明によれば、板厚が０．３ｍ
ｍ以下、リードピッチの最小値が板厚の２倍以下、リー
ド間隙の幅の最小値が板厚以下であるような多ピンかつ
狭ピッチのリードフレームを加工する場合であっても、
半導体チップの端子との接合性を良好にすることがで
き、その端子接合部の信頼性を向上することができる。

【０１４４】また、少なくともインナーリード部分に連
結部を形成するので、相隣り合うインナーリード間での
剛性が維持され、またリードの変形や配列の乱れが防止
され、リードピッチの精度維持及び金属板素材の取り扱
いの容易化が図れる。

【０１４５】また、リードを形成した金属板に支持板を
固着するので、その部分の剛性が一層強化されて変形や
リード配列の乱れが防止され、その寸法や形状の精度の
維持が一層確実になると共に、工程中の金属板素材の取
り扱いが一層容易となる。さらに、連結部のレーザ切断
後もその剛性維持及びリードの変形や配列の乱れの防止
の効果があり、半導体チップの各端子と端子接合部との
接合時にも端子接合部の位置ずれを防止して良好な接合
性を実現できる。

【０１４６】また、支持板を良熱伝導性の金属とした
り、熱膨脹係数がリードフレームのそれとほぼ同じ材質
とするので、半導体装置を放熱性の良好なものとするこ
とができ、誤動作や破損が回避され、製品としての半導
体装置の信頼性が向上する。

【０１４７】また、支持板を接着するための接着剤を絶
縁性及び耐熱性を有する有機樹脂系或いは無機質系とす
るので、両者間の電気絶縁性が確保されると共に、温度
上昇によってもその機能が劣化しない。さらに、両者間
に別の絶縁性材料を配置したり、支持板自体を絶縁性材
料とするので、電気絶縁性を確保することができる。

【０１４８】また、放熱用部材を取り付けるので、半導
体装置が放熱性の良好なものとなり、誤動作や破損が回
避される。しかも、この放熱性の改良は容易かつ確実に
できる。

【０１４９】また、充填材料をインナーリードの内方部
分のリード間隙に充填するので、隣接する端子接合部同
士が接触することが避けられる。

【０１５０】さらに、少なくともインナーリードにおけ
る半導体チップの各端子と接合される端子接合部表面に
接合性を改善する金属膜を被覆するので、接合性が一層
向上する。

【０１５１】また、少なくともインナーリードの半導体
チップの各端子と接合される端子接合部を除く部分に耐
熱性の絶縁膜を被覆するので、リード同士の接触や異物
の付着によっても電気的短絡がおこらず、樹脂モールド
による一体封止時にも劣化することなく確実に絶縁を行
うことができる。

【０１５２】また、本発明によれば、第１グループの端
子接合部よりも第２グループの端子接合部をリード長手
方向外側にずらせて位置させるので、良好な接合性を損
なうことなく極限にまで多ピン化及び狭ピッチ化がで
き、しかも接合作業が容易になる。

【０１５３】従って、本発明によれば、小形かつ高性能
でしかも信頼性の高い半導体装置を容易かつ安価に大量
生産することが可能となり、しかもその製品歩留りの向
上に寄与できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例によるリードフレームの
一例を示す図である。

【図２】図１のリードフレームの加工方法を含む半導体
装置の製造工程を示すフローチャートである。

【図３】インナーリードとなる部分の加工完了後におけ
る状態を示す図であり、リードフレームの中間製品の形
状を示す図である。

【図４】支持板の形状を示す図であり、（ａ）はその上
面図、（ｂ）は接着膜を搭載した状態を示す（ａ）のＢ
−Ｂ方向の断面図である。

【図５】インナーリードをレーザ切断で個々に分離する
状況を説明する断面図である。

【図６】ドロスの高さと支持板の板厚の関係、及び熱影
響部分を説明する断面図である。

【図７】図１のリードフレームを用いた半導体装置の断
面図である。

【図８】インナーリードの内方部分のリード間隙に充填
材料を充填する本発明の第２の実施例を示す図であり、
（ａ）はインナーリード内方先端部分を示す図、（ｂ）
は（ａ）のＢ−Ｂ方向の断面図である。また、（ｃ）は
充填材料を充填しない場合に変形によって端子接合部が
倒れた状態を示す断面図である。

【図９】本発明の第３の実施例によるリードフレームの
加工方法を説明する図であって、（ａ）は半導体チップ
の各端子と端子接合部のワイヤボンディングが完了した
時点のインナーリード内方先端部分を示す図、（ｂ）は
（ａ）のＢ−Ｂ方向の断面図である。

【図１０】本発明の第４の実施例によるリードフレーム
の加工方法を説明する図であって、支持板を固着後のイ
ンナーリード内方先端部分を示す図である。

【図１１】本発明の第５の実施例によるリードフレーム
の一例を示す図であり、インナーリードとなる部分が加
工完了後の中間製品の形状を示す図である。

【図１２】図１１のリードフレームの加工方法を含む半
導体装置の製造工程を示すフローチャートである。

【図１３】図１のリードフレームを用いた半導体装置の
断面図である。

【図１４】本発明の第６の実施例を説明する図であっ
て、（ａ）は支持板固着後のインナーリードの内方先端
部分の拡大図であり、（ｂ）は（ａ）の連結部をレーザ
切断している状況を示す図である。

【図１５】本発明の第７の実施例を説明する図であっ
て、（ａ）は支持板固着後のインナーリードの内方先端
部分の拡大図であり、（ｂ）は（ａ）の連結部をレーザ
切断している状況を示す図である。

【符号の説明】

１０ドロス１３溶融金属粒子５５連結枠６５連結部７５連結部１１３加工ノズル１１３Ａレーザ光１１３Ｂスポット１１３Ｄスポット１１６集光レンズ１１７アシストガス供給口１１７Ａアシストガス２００リードフレーム２００ａ（レーザ切断に伴う）熱影響部分２０１ダイパッド２０２インナーリード２０２Ａ端子接合部２０２ａ端子接合部２０２ｂ端子接合部２０２ｃ端子接合部２０２ｄ端子接合部２０３アウターリード２０６切欠き部２０８（相隣合うリード間の）間隙２１０半導体チップ２１１ワイヤ（金線等）２１２ａ，２１２ｂ（半導体チップの）端子（または
接合用パッド）２１５支持板２１５Ａ（支持板の）貫通溝２１５ａ接着膜２３０樹脂モールド２５０充填材料４００リードフレーム４０１Ａ中央部貫通穴４０２インナーリード４０２Ａ端子接合部４０３アウターリード４１０半導体チップ４１１ワイヤ（金線等）４１５支持板４１５Ａ（支持板の）貫通溝４１５ａ接着膜４２１耐熱性の絶縁膜４３０樹脂モールド４６０放熱フィン６０２インナーリード６０２ａ端子接合部６０２ｂ端子接合部６１５支持板６１５Ａ（支持板の）貫通溝８０１ダイパッド８０２インナーリード８０２ａ端子接合部８０２ｂ端子接合部８０６切欠き部８１５支持板８１５Ａ（支持板の）貫通溝ｔ1 金属板素材の板厚ｔ2 支持板２１５の板厚ｔ3 接着膜２１５Ａの厚さｈドロス１０の高さｗドロス１０の幅Ｗ1 切欠き部２０６の幅Ｗ2 貫通溝２１５Ａの幅

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【手続補正書】

【提出日】平成７年３月２０日

【手続補正１】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図４

【補正方法】変更

【補正内容】

【図４】

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】内方先端部分で半導体チップの各端子と
接合される多数のインナーリード及びそのインナーリー
ドの外側に連続して延びるアウターリードを有し、板厚
が０．３ｍｍ以下で、リードピッチの最小値が板厚の２
倍以下で、リード間隙の幅の最小値が板厚以下のリード
フレームを薄い金属板から形成するリードフレームの加
工方法において、前記金属板を適宜に切欠いて、少なくともインナーリー
ド部分に連結部をもつ相隣り合うリードを形成する第１
の工程と、前記第１の工程でリードが形成された金属板に、厚さが
０．０５ｍｍ以上で、前記連結部の少なくとも一部に対
応する位置に貫通部を設けた支持板を固着する第２の工
程と、前記連結部の少なくとも一部に前記支持板の反対側から
レーザ光を照射して各々のインナーリードを個別に分離
する第３の工程とを有することを特徴とするリードフレ
ームの加工方法。
【請求項２】請求項１記載のリードフレームの加工方
法において、前記第３の工程のレーザ光照射位置を、前
記インナーリードの先端部分における前記半導体チップ
の各端子と接合される端子接合部内端よりも、前記レー
ザ光の照射による熱影響部分の寸法以上リード長手方向
内側に離した位置とすることを特徴とするリードフレー
ムの加工方法。
【請求項３】請求項１記載のリードフレームの加工方
法において、前記第３の工程のレーザ光照射位置を、前
記インナーリード先端部分における前記半導体チップの
各端子と接合される端子接合部外端よりも、前記レーザ
光の照射による熱影響部分の寸法以上リード長手方向外
側に離した位置とすることを特徴とするリードフレーム
の加工方法。
【請求項４】請求項１記載のリードフレームの加工方
法において、前記支持板として良熱伝導性の金属を接着
することを特徴とするリードフレームの加工方法。
【請求項５】請求項４記載のリードフレームの加工方
法において、前記支持板の少なくとも前記インナーリー
ド部分に当接する面に絶縁性材料を配置することを特徴
とするリードフレームの加工方法。
【請求項６】請求項１記載のリードフレームの加工方
法において、前記支持板として絶縁性材料を接着するこ
とを特徴とするリードフレームの加工方法。
【請求項７】請求項４から６のうちいずれか１項記載
のリードフレームの加工方法において、前記支持板を絶
縁性及び耐熱性を有する有機樹脂系の接着材料によって
接着することを特徴とするリードフレームの加工方法。
【請求項８】請求項４から６のうちいずれか１項記載
のリードフレームの加工方法において、前記支持板を絶
縁性及び耐熱性を有する無機質系の接着材料によって接
着することを特徴とするリードフレームの加工方法。
【請求項９】請求項４から６のうちいずれか１項記載
のリードフレームの加工方法において、前記支持板とし
て熱膨脹係数が前記リードフレームの素材の熱膨脹係数
とほぼ同じ材質を用いることを特徴とするリードフレー
ムの加工方法。
【請求項１０】請求項４から６のうちいずれか１項記
載のリードフレームの加工方法において、前記支持板の
前記金属板が固着された面とは反対側の面に、さらに放
熱用部材を取り付けることを特徴とするリードフレーム
の加工方法。
【請求項１１】請求項１記載のリードフレームの加工
方法において、少なくとも前記第２の工程で前記支持板
が固着された前記インナーリードのリード間隙に、さら
に耐熱性及び絶縁性を有する充填材料を充填することを
特徴とするリードフレームの加工方法。
【請求項１２】請求項１記載のリードフレームの加工
方法において、少なくともインナーリード先端における
半導体チップの各端子と接合される端子接合部表面に、
接合性を改善するための金属膜を被覆することを特徴と
するリードフレームの加工方法。
【請求項１３】請求項１記載のリードフレームの加工
方法において、少なくとも前記インナーリードにおける
前記半導体チップの各端子と接合される端子接合部を除
く部分に、耐熱性の絶縁膜を被覆することを特徴とする
リードフレームの加工方法。
【請求項１４】請求項１記載のリードフレームの加工
方法において、前記第１の工程のリード形成の際に、前
記多数のインナーリードの内方先端部分に、第１グルー
プの端子接合部と、この第１グループの端子接合部より
もリード長手方向外側にずれて位置する第２グループの
端子接合部とを含む端子接合部を形成することを特徴と
するリードフレームの加工方法。
【請求項１５】請求項１記載のリードフレームの加工
方法において、前記第２の工程で固着される前記支持板
の上に直接前記半導体チップが搭載されるように、前記
第１の工程のリード形成の際に前記インナーリードより
も内側部分に貫通穴を設けることを特徴とするリードフ
レームの加工方法。
【請求項１６】請求項１から１５のうちいずれか１項
記載のリードフレームの加工方法により加工されたリー
ドフレーム。
【請求項１７】請求項１６記載のリードフレームに半
導体チップが搭載され、その半導体チップの各端子と前
記インナーリードの端子接合部とが接合され、樹脂モー
ルドにて前記半導体チップ及び前記インナーリードを含
む部分が一体封止されていることを特徴とする樹脂モー
ルド型の半導体装置。