JP4941532B2 - 電子部品のリードの製造方法及び電子部品のリードの製造装置 - Google Patents

Description

本発明は電子部品のリードの製造方法及び電子部品のリードの製造装置に関する。

電子部品のリードと、接続の対象物とをはんだにより接続することが知られている。特許文献１〜４には、はんだによる接続に関する技術が開示されている。

特開１０−４１０４２号公報 特開２００８−１１９７３５号公報 特開平９−５５２４４号公報 実開平７−１６３７０号公報

はんだにより電子部品のリードがプリント基板に接続される場合がある。また、はんだにより電子部品のリードが電子部品本体に接続されている電子部品もある。このようなはんだが溶融すると、毛細管現象によりリード上に行き渡るおそれがある。これにより、リードと接続対象物との接続に貢献するはんだの量が減少するおそれがある。

そこで本発明は、溶融したはんだがリード上を行き渡ることが抑制された電子部品のリードを製造可能な電子部品のリードの製造方法及び電子部品のリードの製造装置を提供することを目的とする。

本明細書に開示の電子部品のリードの製造方法は、第１レーザを電子部品に用いられるリードの第１層よりも外側に積層され前記第１層よりもはんだ濡れ性の高い第２層に照射することにより前記第２層から前記第１層を露出させ、第２レーザを露出した前記第１層に照射することにより前記第２レーザが照射された領域の周辺に凸部を形成する。

また、本明細書に開示の電子部品のリードの製造装置は、第１及び第２レーザを発振する発振器と、前記第１レーザを電子部品に用いられるリードの第１層よりも外側に積層され前記第１層よりもはんだ濡れ性の高い第２層に照射することにより前記第２層から前記第１層を露出させ、前記第２レーザを露出した前記第１層に照射することにより前記第２レーザが照射された領域の周辺に凸部を形成する照射ユニットと、を備えている。

溶融したはんだがリード上を行き渡ることが抑制された電子部品のリードを製造可能な電子部品のリードの製造方法及び電子部品のリードの製造装置を提供できる。

図１Ａ、１Ｂは、コネクタの説明図。 図２Ａ、２Ｂは、凸部周辺の拡大図。 図３Ａ、３Ｂは、コネクタのプリント基板への実装の説明図。 図４Ａ、４Ｂは、リードが移動する際の説明図。 図５Ａ、５Ｂは、凸部が設けられていないリードが移動する際の説明図。 図６は、凸部周辺のリード２０の切欠図。 図７Ａ、７Ｂははんだの濡れ角の説明図。 図８Ａ、８Ｂははんだの濡れ角の説明図。 図９は、他の例の凸部周辺の断面図。 図１０Ａは、電子部品のリードの製造装置の説明図、図１０Ｂは、照射ユニットの説明図。 図１１は、リードの製造手順の説明図。 図１２Ａ、１２Ｂは、レーザの強度分布の説明図。 図１３Ａ〜１３Ｄは、レーザ加工の説明図。 図１４は、加工後の凸部周辺の形状の説明図。 図１５Ａ、１５Ｂは、変形例にかかる照射ユニットの説明図。 図１６Ａ、１６Ｂは、加工方法の説明図。 図１７は、レーザの出力と凸部の高さとの関係を示したグラフ。 図１８は、変形例に係る照射ユニットの説明図。 図１９Ａ〜１９Ｄは、加工方法の説明図。 図２０は、加工後の凸部周辺の形状の説明図。 図２１は、変形例に係る製造装置の説明図。 図２２は、変形例に係る照射ユニットの説明図。

電子部品の一例としてコネクタを例に説明する。図１Ａ、１Ｂは、本実施例に係るコネクタ１の説明図である。図１Ｂにおいては、１がプリント基板９０に実装された状態を示している。

図１Ａ、１Ｂに示すように、コネクタ１は、本体１０、本体１０に固定された複数のリード２０、本体１０内部に保持され複数のリード２０とそれぞれ導通したピン３０、を含む。本体１０は、上部に開口を有したケース状である。本体１０は、例えば合成樹脂製である。本体１０は、低壁部１１を有し、ピン３０の固定端３１は低壁部１１に形成された孔に圧入されている。自由端３２は本体１０の上部から突出している。ピン３０は金属製である。本体１０の側面には、導電パッド１２が設けられている。導電パッド１２は、図１Ａに示すように、本体１０の対向する２側面に沿うように固定されている。導電パッド１２は、リード２０、ピン３０と同等の数だけ設けられている。導電パッド１２とリード２０とははんだＳ１により接合されている。これにより、リード２０とピン３０とは電気的に接続されている。導電パッド１２とリード２０とがはんだＳ１により接合されているので、はんだＳ１が溶融した場合には、リード２０は本体１０に対して移動可能となる。詳しくは後述する。リード２０の下端２１は、はんだＳ２によりプリント基板９０の電極９２に接合されている。コネクタ１はプリント基板９０の表面に実装されている。図１Ｂに示すように、リード２０にははんだＳ１を挟むように２つの凸部２４が設けられている。

図２Ａ、２Ｂは、凸部２４周辺の拡大図である。図２Ａは、リード２０の上端２２側に設けられた凸部２４を示しており、図２Ｂは、リード２０の下端２１側に設けられた凸部２４を示している。図２Ａに示すように、凸部２４は、互いに向かい合って凸部２４を画定する第１傾斜部２５、第２傾斜部２６を有している。また、凸部２４の第１傾斜部２５に隣接して凹部２８が形成されている。同様に、図２Ｂに示すように、リード２０の下端２１側に設けられた凸部２４についても、第１傾斜部２５に隣接して凹部２８が設けられている。凸部２４、凹部２８については詳しくは後述する。

コネクタ１のプリント基板９０への実装について説明する。図３Ａ、３Ｂは、コネクタ１のプリント基板９０への実装の説明図である。コネクタ１をプリント基板９０へ実装する場合には、プリント基板９０の表面に予め印刷又は塗布されたはんだＳ２上にコネクタ１を配置する。これにより、リード２０の下端２１がはんだＳ２と接触する。しかしながら、図３Ａに示すように、プリント基板９０が反っている場合には、複数のリード２０のうち一部がはんだＳ２とが接触しない場合がある。このような状態でコネクタ１及びプリント基板９０をリフローすると、はんだＳ２が溶融すると共に、本体１０とリード２０とを接合していたはんだＳ１も溶融する。はんだＳ１が溶融することにより、本体１０に対してリード２０が自重により下方に移動する。これにより、リフロー前においてはプリント基板９０上のはんだＳ２と接触していなかったリード２０が、下方に移動して図３Ｂに示すようにはんだＳ２と接触する。この状態でコネクタ１及びプリント基板９０が冷却されると、全てのリード２０とはんだＳ２とが接合される。このように、リード２０が本体１０に対して移動可能であるため、プリント基板９０が反りを有している場合であっても、コネクタ１とプリント基板９０との電気的な接続を確保できる。尚、はんだＳ１が溶融しても、はんだＳ１の表面張力等によりリード２０は本体１０から脱落しにくい。

リード２０が移動する際について説明する。図４Ａ、４Ｂは、リード２０が移動する際の説明図である。
図４ＡははんだＳ１が溶融する前の状態を示している。図４Ｂは、はんだＳ１が溶融しリード２０が本体１０に対して下方に移動した状態を示している。はんだＳ１が溶融すると、毛細管現象によりはんだＳ１がリード２０上を伝わろうとする。また、リード２０が本体１０に対して下方に移動した場合は、はんだＳ１は上端２２側にまで伝わりやすくなる。しかしながら、リード２０には第１傾斜部２５が形成されている。これにより、本体１０に対してリード２０が下方に移動した場合であっても、はんだＳ１が第２傾斜部２６から第１傾斜部２５へとつたわるのを防止できる。

次に、凸部２４が設けられていないリード２０ｘについて説明する。図５Ａ、５Ｂは、凸部２４が設けられていないリード２０ｘが移動する際の説明図である。図５Ａ、５Ｂは、図４Ａ，４Ｂに対応している。尚、リード２０には、２つの凸部２４が設けられているが、リード２０ｘには凸部２４は一つも設けられていない。図５Ｂに示すように、はんだＳ１が溶融すると毛細管現象により、はんだＳ１がリード２０の上端２２側に行き渡り、これによりはんだＳ１からはんだＳ１ａが分離する場合がある。この状態ではんだＳ１、Ｓ１ａが冷却され導電パッド１２とリード２０ｘとが接合されると、はんだＳ１ａは導電パッド１２とリード２０ｘとの接合に貢献しない。このため導電パッド１２とリード２０ｘとを接合しているはんだＳ１の量が減少する。

しかしながら、図４Ｂに示したように、本実施例のコネクタ１のリード２０は凸部２４を有しているため、導電パッド１２とリード２０との接合に貢献するはんだＳ１の量の減少を防止できる。また、図２Ｂに示したようにリード２０の下端２１側にも凸部２４が設けられている。このため、溶融したはんだＳ１がリード２０の下方側につたわることも防止される。

また、凸部２４が設けられていないリード２０ｘの移動量は、約±０．４ｍｍであった。これに対し、凸部２４が設けられたリード２０においては約±０．６ｍｍであった。このように、本実施例のコネクタ１は反りの大きいプリント基板にも適切に実装することができる。これにより、コネクタ１とプリント基板９０との実装の歩留まりが向上する。

次に、第１傾斜部２５について詳細に説明する。図６は、凸部２４周辺のリード２０の切欠図である。図６に示すように、リード２０は、基材２３ａ、基材２３ａよりも外側に積層されたＮｉ層２３ｂ、Ｎｉ層２３ｂよりも外側に積層されたＡｕ層２３ｃを有している。基材２３ａは、リード２０の基材に相当する。Ｎｉ層２３ｂは、メッキにより基材２３ａに積層されている。同様に、Ａｕ層２３ｃは、メッキによりＮｉ層２３ｂに積層されている。第１傾斜部２５は、Ｎｉ層２３ｂが露出している。第２傾斜部２６は、Ｎｉ層２３ｂがＡｕ層２３ｃで覆われている。Ａｕ層２３ｃは、Ｎｉ層２３ｂよりも濡れ性が高い。換言すれば、第１傾斜部２５は、第２傾斜部２６よりもはんだ濡れ性が低い。第１傾斜部２５と第２傾斜部２６との間の角度は鋭角である。

次に、はんだの濡れ角について説明する。
図７Ａ、７Ｂ、８Ａ、８Ｂははんだの濡れ角の説明図である。図７Ａ、７Ｂは、凸部２４を有しているリード２０におけるはんだの濡れ角の説明図である。溶融したはんだＳ１が毛細管現象及びリード２０の移動により、図７Ａに示すように、第２傾斜部２６から第１傾斜部２５へとつたわる場合を想定する。この場合には、第２傾斜部２６上にあるはんだＳ１の濡れ角と第１傾斜部２５の濡れ角の間の角度θ１は、比較的大きな角度になる。

図８Ａ、８Ｂは、凸部２４が設けられていないリードにけるはんだの濡れ角の説明図である。図８Ａ、８Ｂに示すように、凸部２４が設けられていない場合、凹部２８の手前にあるはんだＳ１の濡れ角と、凹部２８の内側面をつたわるはんだＳ１の濡れ角との間の角度θｘは、比較的小さい。

このため、凹部２８内へはんだは伝わりやすいが、第２傾斜部２６から第１傾斜部２５へは溶融したはんだＳ１は伝わりにくい。このため、凸部２４を設けることにより溶融したはんだが凸部２４を越えてつたわることを防止している。また、上述したように、第１傾斜部２５は第２傾斜部２６よりもはんだ濡れ性が低い。このため、第２傾斜部２６から第１傾斜部２５へとはんだは伝わりにくい。また、第１傾斜部２５と第２傾斜部２６との間の角度は鋭角である。このため、第１傾斜部２５上におけるはんだＳ１の濡れ角と第２傾斜部２６上におけるはんだの濡れ角との間の角度は比較的大きくなる。これにより、はんだＳ１は第２傾斜部２６から第１傾斜部２５へとは伝わりにくくなる。

また、リード２０では、凸部２４に隣接して凹部２８が設けられているので、仮に溶融したはんだが凸部２４を越えて凹部２８内に流れ込んだとしても、凹部２８内にはんだが留まることにより、はんだが飛散することに起因する接触不良などが生じるおそれを防止できる。

また、図２Ｂに示すように、リード２０の下端２１側にも凸部２４及び凹部２８が設けられている。このため、リフローなどにより、溶融したはんだＳ２とＳ１とが合流することを防止できる。また、溶融したはんだＳ２がリード２０をつたわって、リード２０とプリント基板９０と接合不良が生じる恐れを防止できる。

リード２０の基材に積層されている第１層としてＮｉ層を例に説明し、第１層に積層されている第２層としてＡｕ層を例に説明した。しかしながら、第１及び第２層はこれに限定されず、例えば、第１層は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｂｅ、Ｍｏ、Ｗのうち少なくとも一つを含む金属層であり、第２層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｐｂのうち少なくとも一つを含む金属層であってもよい。

尚、上記コネクタ１とプリント基板９０を含む基板ユニットは、パソコンやサーバなどの情報処理装置に用いられる。また、上記リード２０は、コネクタのみならず、半導体チップを備えたチップパッケージにも使用される。

また、上記凸部２４は、半導体チップと共に一端が樹脂封止されたリードに設けてもよい。このようなリードは上記のリード２０と異なり、本体に対して移動しない。このようなリードであっても、凸部を設けることにより、プリント基板とリードとを接合するはんだが溶融してリード上を溶融したはんだがつたわることを防止できる。

図９は、他の例の凸部２４ａ周辺の断面図である。
図９に示すように、第２傾斜部２６においては、Ｎｉ層２３ｂが部分的に露出している。第１傾斜部２５には、Ａｕ層２３ｃは存在しておらず、Ｎｉ層２３ｂが露出している。このような場合であっても、第２傾斜部２６側のＮｉ層２３ｂには部分的にＡｕ層２３ｃが覆っているので、第１傾斜部２５は、第２傾斜部２６よりもはんだ濡れ性が低い。このため、第２傾斜部２６から第１傾斜部２５へ溶融したはんだがつたわることが防止される。

このようなリードの製造装置及び製造方法について説明する。以下に説明する製造装置及び製造方法により、電子部品のリードに凸部を形成することができる。図１０Ａは、電子部品のリードの製造装置の説明図である。
製造装置２００は、制御ユニット２１０、レーザ発振器２２０、照射ユニット２３０、ステージ２４０、ステージ２５２、ホルダ２５４等を含む。制御ユニット２１０は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭなど備えている。制御ユニット２１０は、製造装置２００の全体の動作を制御する。

レーザ発振器２２０は、制御ユニット２１０からの指令に応じてレーザを出力する。照射ユニット２３０は、レーザ発振器２２０から出力されたレーザをワーク２７０へ照射する。尚、照射ユニット２３０にはカメラ２３８が設けられている。

ステージ２４０は、制御ユニット２１０からの指令に応じて照射ユニット２３０を移動させて、照射ユニット２３０とリード２０との位置関係を規定する。照射ユニット２３０は、ステージ２４０によりｘｙｚ方向に移動可能である。

ワーク２７０は、薄板部２７２、薄板部２７２の縁に沿って薄板部２７２と一体に形成された複数のリード２０、を含む。薄板部２７２は厚さ０．２ｍｍである。ワーク２７０は金属製であり、詳細には基材がＣｕであり、基材上にＮｉ層がメッキされ、Ｎｉ層上にＡｕ層がメッキされている。Ｎｉ層の厚みは約５μｍ、Ａｕ層の厚みは約０．０５μｍである。複数のリード２０は、互いに略平行に配置されている。ホルダ２５４は、ワーク２７０を固定する。ステージ２５２は、制御ユニット２１０からの指令に応じてホルダ２５４と共にワーク２７０を所定方向に搬送する。ホルダ２５４が移動することにより、複数のリード２０も移動する。詳細には、ステージ２５２は、複数のリード２０が並んだ方向にホルダ２５４を移動させる。

制御ユニット２１０には、ガスユニット２６１、集塵ユニット２６３が接続されている。ガスユニット２６１、集塵ユニット２６３のそれぞれには、ノズル２６２、２６４が接続されている。ガスユニット２６１は、リード２０の酸化を防止するためにレーザ加工中にリード２０へ窒素ガスを噴出する。尚、ガスユニット２６１は、リード２０の酸化を防止するためにアルゴンやヘリウムを噴射してもよく、また、リード２０へ酸素ガスを噴射することにより、レーザ加工された部分を酸化させてもよい。集塵ユニット２６３は、レーザ加工により蒸散、飛散する粉塵を回収する。

照射ユニット２３０について詳細に説明する。図１０Ｂは、照射ユニット２３０の説明図である。照射ユニット２３０は、ファイバーユニット２３２、コリメートレンズ２３３、マスク２３４、ミラー２３５、集光レンズ２３６、カメラ２３８を含む。ファイバーユニット２３２は、レーザ発振器２２０と光ファイバーにより接続されている。ファイバーユニット２３２から照射されたレーザは、コリメートレンズ２３３でコリメートされる。

マスク２３４は、ファイバーユニット２３２から照射されたレーザの強度分布の形状を、ガウシアン形状からトップハット形状へ変更する。ミラー２３５は、レーザをワーク２７０側へと反射する。集光レンズ２３６は、レーザをリード２０付近で集光する。

次に、電子部品のリードの製造手順について説明する。
図１１は、リードの製造手順の説明図である。
ステージ２５２によりワーク２７０を約８ｍｍ／ｓｅｃで搬送しながら（ステップＳ１）、レーザ発振器２２０、照射ユニット２３０により第１レーザによりリード２０をレーザ加工する（ステップＳ２）。レーザ加工は、ガスユニット２６１から窒素ガスを噴射して集塵ユニット２６３により粉塵を回収しながら行なう。

レーザの種類は、例えば、Ｎｄ−ＹＡＧ（１０６４ｎｍ）である。パルス周波数は、例えば２ｋＨｚ、パルス幅は１００ｎｓ、出力は１．０Ｗを用いる。尚、ファイバーユニット２３２から出力されるレーザの強度分布の形状はガウシアン形状である。

ファイバーユニット２３２から出力されたレーザは、マスク２３４により強度分布がトップハット形状に変更される。図１２Ａは、ガウシアン形状のレーザの強度分布、図１２Ｂは、トップハット形状のレーザの強度分布を示している。マスク２３４によりレーザの一部がカットされることにより、レーザの強度分布の形状がトップハット形状となる。レーザの強度分布がトップハット形状により、レーザの強度が略均一となる。図１２Ｂに示すように、レーザの強度分布の形状がトップハット形状の場合、裾野が小さく、レーザ光の端部で急峻となっている。これにより、狭い範囲でリードが部分的に溶融し、レーザが照射された領域の縁部に、凸部を形成することができる。

図１３Ａ〜１３Ｄは、レーザ加工の説明図である。
図１３Ａに示すように、トップハット形状の第１レーザ１２Ａをワーク２７０のリード２０の表面に集光させる。これにより、図１３Ｂに示すように、Ａｕ層２３ｃが蒸発して除去される。これにより、第１レーザ１２Ａが照射された箇所はＮｉ層２３ｂが露出する。第１レーザ１２Ａが照射された領域の縁には、微小突起２４ｓが形成される。尚、第１レーザ１２Ａは、Ａｕの除去加工を目的として照射される。第１レーザ１２Ａは、短パルスレーザであり、フェムトレーザであってもよい。

作業者はカメラ２３８の画像に基づいて第１レーザ１２Ａによる加工状態を確認し（ステップＳ３）、照射ユニット２３０の照射位置を変更する（ステップＳ４）。

照射ユニット２３０の照射位置の変更は以下のように行なう。
図１３Ｃに示すように、第２レーザ１２Ｂの照射位置は、第１レーザ１２Ａの照射位置と変更している。即ち、微小突起２４ｓから離れた位置に第２レーザ１２Ｂを照射する。第２レーザ１２Ｂの光軸Ｃと第１レーザ１２Ａの光軸との距離をαだけずらして第２レーザ１２Ｂを照射する。例えば、αは５μｍである。第２レーザ１２Ｂは、露出したＮｉ層２３ｂに照射される。第２レーザ１２Ｂは、Ｎｉを熱溶融加工することを目的として照射される。第２レーザ１２Ｂは、１ナノ秒以上のパルス幅が長いものであってもよく、連続波であってもよい。

次に、ステージ２５２によりワーク２７０を搬送しながら（ステップＳ５）、レーザ発振器２２０、照射ユニット２３０により第２レーザによりリード２０を第２レーザにより加工する（ステップＳ６）。これにより、Ｎｉ層２３ｂが溶融し、図１３Ｄに示すように、微小突起２４ｓの照射された側の傾斜部に、溶融したＮｉ層２３ｂが付着する。これにより、凸部２４が形成される。また、第２レーザ１２ＢによりＮｉ層２３ｂの一部が蒸発して凹部２８が形成される。

次に、作業者はカメラ２３８の画像に基づいて加工状態を確認する（ステップＳ７）。図１４は、加工後の凸部２４周辺の形状を示している。凸部２４の高さは約４μｍ、幅は約７μｍであった。また、ＥＤＳ元素分析により、レーザが照射された部分にはＡｕがほとんど検出されないことを確認した。

作業者は、カメラ２３８からの画像に基づいて凸部２４の形成が不十分と判断し又は凸部２４の高さの制御が必要と判断した場合には（ステップＳ８）、再度ステップＳ４移行の工程を繰り返す。凸部２４が適切に形成されている場合には、リード２０を薄板部２７２から機械加工により切り離す。このようにしてリード２０が形成される。

尚、上述したリードの製造手順は、自動化してもよい。例えば、撮像装置又はラインプロファイラにより、加工形状を自動測定し、予め入力された凸部の高さ又は幅の閾値と、実測値とを比較することにより、凸部が適切に形成されたか否かを自動判定してもよい。

図１５Ａ、１５Ｂは、変形例にかかる照射ユニット２３０ａの説明図である。
図１５Ａは、第１レーザを照射する際の照射ユニット２３０ａを示しており、図１５Ｂは、第２レーザを照射する際の照射ユニット２３０ａを示している。

照射ユニット２３０ａに設けられたマスク２３４ａは、コリメートレンズ２３３を通過するレーザの光軸に垂直な方向に移動可能である。マスク２３４ａを移動することにより、リード２０に照射されるレーザのスポット径が変更される。尚、集光レンズ２３６とミラー２３５との間には、結像レンズ２３６ａ１が配置されている。

図１６Ａ、１６Ｂは、加工方法の説明図である。
第１レーザ１２Ａでは、スポット径がａとなるようにマスク２３４ａの位置を調整する。第２レーザ１２Ｂ１では、スポット径がａよりも小さいｂとなるようにマスク２３４ａの位置を調整する。具体的には、第２レーザ１２Ｂ１を照射する際には、図１５Ｂに示すように、マスク２３４ａをレーザの光軸に接近させる。尚、第１レーザ１２Ａ、第２レーザ１２Ｂ１で光軸は同じ位置にある。このように、第１レーザ１２Ａと第２レーザ１２Ｂ１とでスポット径を変えることによって、微小突起２４ｓから退避した位置に第２レーザ１２Ｂ１を照射することができる。これにより、凸部２４を形成することができる。

図１７は、レーザの出力と凸部２４の高さとの関係を示したグラフである。レーザの出力が０．５Ｗのときに凸部２４の高さは２μｍであり、レーザの出力が１Ｗのときには凸部２４の高さは３μｍとなった。レーザの出力が高いほど凸部２４の高さが高くなる。

図１８は、変形例に係る照射ユニット２３０ｂの説明図である。
照射ユニット２３０ｂは、マスク２３４を一つしか有していない。従って、レーザの強度分布は、光軸を中心とする片側のみがトップハット形状であり、他方側はガウシアン形状のままとなる。

図１９Ａ〜１９Ｄは、加工方法の説明図である。
図１９Ａに示すように、第１レーザ１２Ａ２の強度分布の形状は、光軸Ｃを中心とした片側の部分のみがトップハット形状となる。図１９Ａでは、光軸Ｃを中心として左側の部分がトップハット形状となり、右側の部分がガウシアン形状となる。

図１９Ｂに示すように、光軸Ｃに対して左側の部分では、第１レーザ１２Ａ２が照射された領域の縁には微小突起２４ｓが形成される。しかしながら、光軸Ｃに対して右側の部分では、第１レーザ１２Ａ２が照射された領域の縁では微小突起は形成されない。次に、図１９Ｃに示すように、照射ユニット２３０ｂを移動して光軸Ｃの位置をずらして、第２レーザ１２Ｂ２を照射する。これにより、図１９Ｄに示すように、凸部２４が形成される。

図２０は、加工後の凸部２４周辺の形状を示した図である。
図２０に示すように、トップハット形状のレーザにより凸部２４、凹部２８が形成されている。しかしながら、ガウシアン形状のレーザが照射された部分Ｇではこのような凸部は形成されない。

変形例に係る製造装置２００ａについて説明する。図２１は、変形例に係る製造装置２００ａの説明図である。
製造装置２００ａは、リード２０に第１レーザを照射するための第１ユニットと、リード２０に第２レーザを照射するための第２ユニットとが別々に設けられている。第１ユニットは、照射ユニット２３０ａ、ステージ２４０ａ、ホルダ２５４ａを含み、第２ユニットは、照射ユニット２３０ｂ、ステージ２４０ｂ、ホルダ２５４ｂを含む。尚、レーザ発振器２２０、ガスユニット２６１、集塵ユニット２６３は共用される。尚、図２１においては、ホルダ２５４ａ、２５４ｂをそれぞれ移動させるステージについては図示を省略してある。第１ユニットにより第１レーザが照射され、第２ユニットにより第２レーザが照射される。

また第１ユニットに非線形光学結晶を設けて、レーザ発振器２２０から発振されたレーザを短波長化してもよい。例えば、レーザ発振器２２０から発振された波長１０６４ｎｍのレーザを非線形光学結晶により、波長５３２ｎｍを有した第２高調波として第１レーザを照射してもよい。

また第１ユニットに非線形光学結晶を設けて、レーザ発振器２２０から発振されたレーザを短パルス化してもよい。例えば、レーザ発振器２２０から発振されたパルス幅１００ｎｓのレーザを１ナノ秒未満のパルス幅を有した第１レーザとして照射してもよい。続いて、第２ユニットによりパルス幅１００ｎｓのまま第２レーザとして照射してもよい。

変形例に係る照射ユニット２３０ｃについて説明する。図２２は変形例に係る照射ユニット２３０ｃの説明図である。
照射ユニット２３０ｃは、第１レーザが通過する第１通路２３１ａ、第２レーザが通過する第２通路２３１ｂを有している。照射ユニット２３０ｃはミラー２３５ｃを有している。ミラー２３５ｃは、コリメートレンズ２３３を通過したレーザの光路上から退避可能に設けられている。コリメートレンズ２３３を通過したレーザの光路からミラー２３５ｃを退避させることにより、コリメートレンズ２３３を通過したレーザは、ミラー２３５ｃに反射することなく、第１通路２３１ａ内を進行する。第１通路２３１ａ上には、シャッタ２３９ｃ、光学部品２３７ａ、ミラー２３５ａ、集光レンズ２３６ａが配置されている。

また、ミラー２３５ｃをレーザの光路上に配置することにより、コリメートレンズ２３３を通過したレーザはミラー２３５ｃにより反射して第２通路２３１ｂ内を進行する。第２通路２３１ｂ上には、シャッタ２３９ｂ、光学部品２３７ｂ、マスク２３４ｃ、ミラー２３５ｂ、集光レンズ２３６ｂが配置されている。シャッタ２３９ａ、２３９ｂは、レーザを遮断又はレーザの通過を許容する。光学部品２３７ａ、２３７ｂは、レーザの波長、パルス周波数、パルス幅、出力、レーザの強度分布の形状を変更したり、レーザのスポット径やレーザのスポットの形状を制御することができる。尚、ミラー２３５ｃは、レーザの一部を透過し一部を反射するハーフミラーであってもよい。

以上本発明の好ましい一実施形態について詳述したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１ コネクタ
１０ 本体
２０ リード
２３ｂ Ｎｉ層
２３ｃ Ａｕ層
２４ 凸部
２５ 第１傾斜部
２６ 第２傾斜部
２８ 凹部
２００ 製造装置
２１０ 制御ユニット
２２０ レーザ発振器
２３０ 照射ユニット

Claims (8)

1. 第１レーザを電子部品に用いられるリードの第１層よりも外側に積層され前記第１層よりもはんだ濡れ性の高い第２層に照射することにより前記第２層から前記第１層を露出させ、前記第１レーザの照射した領域の縁に凸部を形成し、
   第２レーザを露出した前記第１層に照射することにより、前記凸部の前記第２レーザ照射側の傾斜部に前記第１層を形成する部材を付着させる、電子部品のリードの製造方法。
2. 前記第１層は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｂｅ、Ｍｏ、Ｗのうち少なくとも一つを含み、
   前記第２層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｐｂのうち少なくとも一つを含む、請求項１の電子部品のリードの製造方法。
3. 前記第２レーザは、前記第１レーザよりもパルス幅が長い、又は前記第１レーザよりも波長が長い、請求項１又は２の電子部品のリードの製造方法。
4. 前記第１及び第２レーザの強度分布は、少なくとも光軸を中心とする片側の部分はトップハット形状である、請求項１乃至３の何れかの電子部品のリードの製造方法。
5. 前記第２レーザは、前記第１レーザよりもスポット径が小さい、請求項１乃至４の何れかの電子部品のリードの製造方法。
6. 前記第２レーザの照射位置は、前記第１のレーザの照射位置とは異なっている、請求項１乃至４の何れかの電子部品のリードの製造方法。
7. 第１及び第２レーザを発振する発振器と、
   前記第１レーザを電子部品に用いられるリードの第１層よりも外側に積層され前記第１層よりもはんだ濡れ性の高い第２層に照射することにより前記第２層から前記第１層を露出させ前記第１レーザの照射した領域の縁に凸部を形成し、
   、前記第２レーザを露出した前記第１層に照射することにより前記凸部の前記第２レーザ照射側の傾斜部に前記第１層を形成する部材を付着させる照射ユニットと、を備えた電子部品のリードの製造装置。
8. 前記第１及び第２レーザの強度分布を、少なくとも光軸を中心とする片側の部分はトップハット形状に変更するマスクを備えている、請求項７の電子部品のリードの製造装置。

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