JPH08153724A - バンプ形成方法とその装置 - Google Patents
バンプ形成方法とその装置Info
- Publication number
- JPH08153724A JPH08153724A JP6294956A JP29495694A JPH08153724A JP H08153724 A JPH08153724 A JP H08153724A JP 6294956 A JP6294956 A JP 6294956A JP 29495694 A JP29495694 A JP 29495694A JP H08153724 A JPH08153724 A JP H08153724A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bump
- granular
- positioning
- forming apparatus
- positioning hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電極数に関係なく短時間でバンプを形成する
ことができ、且つ、狭ピッチ電極のバンプ形成が可能な
バンプ形成装置の提供。 【構成】 粒状バンプ材料を保持するバンプ位置決め穴
４をバンプを形成すべきＩＣ本体３のＩＣ電極位置に対
応して有するバンプ位置決めステージ５、５と、ＩＣ本
体３を保持し、保持しているＩＣ本体３のＩＣ電極を前
記のバンプ位置決め穴４に保持された粒状バンプ材料に
対向する位置に位置決めするＩＣ保持手段１と、前記の
対向して位置決めされた前記粒状バンプ材料と前記ＩＣ
電極とを超音波熱圧着する加圧手段１２と超音波加振手
段１０、１６と加熱手段６、６、６、６とを有する。
ことができ、且つ、狭ピッチ電極のバンプ形成が可能な
バンプ形成装置の提供。 【構成】 粒状バンプ材料を保持するバンプ位置決め穴
４をバンプを形成すべきＩＣ本体３のＩＣ電極位置に対
応して有するバンプ位置決めステージ５、５と、ＩＣ本
体３を保持し、保持しているＩＣ本体３のＩＣ電極を前
記のバンプ位置決め穴４に保持された粒状バンプ材料に
対向する位置に位置決めするＩＣ保持手段１と、前記の
対向して位置決めされた前記粒状バンプ材料と前記ＩＣ
電極とを超音波熱圧着する加圧手段１２と超音波加振手
段１０、１６と加熱手段６、６、６、６とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ベアＩＣ実装工程にお
けるバンプ形成方法とその装置とに関するものである。
けるバンプ形成方法とその装置とに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、ベアＩＣを、パッケージング
或いは、基板等に実装する場合に、ＩＣ電極部にバンプ
を形成している。そして、このバンプ形成には、ワイヤ
ボンディング技術を応用したスタッドバンプと呼ばれる
ものが一般的である。
或いは、基板等に実装する場合に、ＩＣ電極部にバンプ
を形成している。そして、このバンプ形成には、ワイヤ
ボンディング技術を応用したスタッドバンプと呼ばれる
ものが一般的である。
【０００３】以下に、従来例のスタッドバンプ形成方法
について図５に基づいて説明する。
について図５に基づいて説明する。
【０００４】図５において、２１はセラミックス製のキ
ャピラリー、２２は金ワイヤ、２２ａは前記金ワイヤ２
２の先端をスパーク等で溶融して形成した金ボールであ
る。
ャピラリー、２２は金ワイヤ、２２ａは前記金ワイヤ２
２の先端をスパーク等で溶融して形成した金ボールであ
る。
【０００５】２３はＩＣ本体であり、２４はバンプを形
成すべきＩＣのアルミ製電極である。
成すべきＩＣのアルミ製電極である。
【０００６】バンプを形成するには、ＩＣ本体２３を約
２２０°Ｃに加熱し、前記キャピラリー２１をアルミ製
電極２４上に位置決めし、前記キャピラリー２１で前記
金ボール２２ａを前記アルミ製電極２４上に加圧しなが
ら、前記キャピラリー２１を超音波で加振することによ
り、前記金ボール２２ａがアルミ製電極２４に接続され
る。このようにして接続が終わると、図５に示すよう
に、前記キャピラリー２１を少し引上げ少しずらし再び
下ろして横に移動させることにより、金ワイヤ２２を、
アルミ製電極２４上に、小さなループ状に接続してバン
プ２２ｂを形成する。
２２０°Ｃに加熱し、前記キャピラリー２１をアルミ製
電極２４上に位置決めし、前記キャピラリー２１で前記
金ボール２２ａを前記アルミ製電極２４上に加圧しなが
ら、前記キャピラリー２１を超音波で加振することによ
り、前記金ボール２２ａがアルミ製電極２４に接続され
る。このようにして接続が終わると、図５に示すよう
に、前記キャピラリー２１を少し引上げ少しずらし再び
下ろして横に移動させることにより、金ワイヤ２２を、
アルミ製電極２４上に、小さなループ状に接続してバン
プ２２ｂを形成する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の従来例
の構成では、ＩＣ本体のアルミ製電極に対して、個々に
バンプ形成動作が必要であり、この１動作に約０．２秒
要するので、ＩＣに対するバンプ形成時間が長くなる。
例えば、電極が２００個あるＩＣでは、約４０秒必要で
あるという問題点がある。
の構成では、ＩＣ本体のアルミ製電極に対して、個々に
バンプ形成動作が必要であり、この１動作に約０．２秒
要するので、ＩＣに対するバンプ形成時間が長くなる。
例えば、電極が２００個あるＩＣでは、約４０秒必要で
あるという問題点がある。
【０００８】又、ＩＣ電極のピッチが狭くなると、キャ
ピラリーが形成済みのバンプに接触するようになるの
で、作業可能なバンプの狭ピッチの限界が約１００μｍ
程度になるという問題点がある。
ピラリーが形成済みのバンプに接触するようになるの
で、作業可能なバンプの狭ピッチの限界が約１００μｍ
程度になるという問題点がある。
【０００９】本発明は、上記の問題点を解決し、短時間
でバンプを形成することができ、且つ、狭ピッチ電極の
バンプ形成が可能なバンプ形成方法とその装置とを提供
することを課題とする。
でバンプを形成することができ、且つ、狭ピッチ電極の
バンプ形成が可能なバンプ形成方法とその装置とを提供
することを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願第１発明のバンプ形
成方法は、上記の課題を解決するために、バンプを形成
すべきＩＣ本体の電極位置に対応してバンプ位置決めス
テージ上に設けられたバンプ位置決め穴に、粒状バンプ
材料を保持させ、ＩＣ保持手段が保持するＩＣ本体のＩ
Ｃ電極を、前記バンプ位置決め穴に保持された粒状バン
プ材料に対向させて位置決めし、超音波熱圧着で、前記
ＩＣ本体のＩＣ電極と前記粒状バンプ材料とを一括接着
してバンプを形成することを特徴とする。
成方法は、上記の課題を解決するために、バンプを形成
すべきＩＣ本体の電極位置に対応してバンプ位置決めス
テージ上に設けられたバンプ位置決め穴に、粒状バンプ
材料を保持させ、ＩＣ保持手段が保持するＩＣ本体のＩ
Ｃ電極を、前記バンプ位置決め穴に保持された粒状バン
プ材料に対向させて位置決めし、超音波熱圧着で、前記
ＩＣ本体のＩＣ電極と前記粒状バンプ材料とを一括接着
してバンプを形成することを特徴とする。
【００１１】又、本願第１発明のバンプ形成方法は、上
記の課題を解決するために、粒状バンプ材料に対す離型
性が良い材料で形成されたバンプ位置決め穴を使用する
ことが好適である。
記の課題を解決するために、粒状バンプ材料に対す離型
性が良い材料で形成されたバンプ位置決め穴を使用する
ことが好適である。
【００１２】又、本願第１発明のバンプ形成方法は、上
記の課題を解決するために、バンプ位置決め穴を形成す
る材料に対する離型性が良く、且つ、ＩＣ本体のＩＣ電
極を形成する材料に対する接着性が良い導電性材料で構
成される粒状バンプ材料を使用することが好適である。
記の課題を解決するために、バンプ位置決め穴を形成す
る材料に対する離型性が良く、且つ、ＩＣ本体のＩＣ電
極を形成する材料に対する接着性が良い導電性材料で構
成される粒状バンプ材料を使用することが好適である。
【００１３】又、本願第１発明のバンプ形成方法は、上
記の課題を解決するために、粒状バンプ材料の離型性が
良いテーパー形状を有するバンプ位置決め穴を使用する
ことが好適である。
記の課題を解決するために、粒状バンプ材料の離型性が
良いテーパー形状を有するバンプ位置決め穴を使用する
ことが好適である。
【００１４】又、本願第１発明のバンプ形成方法は、上
記の課題を解決するために、粒状バンプ材料を、真空吸
引によって、バンプ位置決め穴に保持することが好適で
ある。
記の課題を解決するために、粒状バンプ材料を、真空吸
引によって、バンプ位置決め穴に保持することが好適で
ある。
【００１５】又、本願第１発明のバンプ形成方法は、上
記の課題を解決するために、複数のバンプ位置決めステ
ージを順次使用することが好適である。
記の課題を解決するために、複数のバンプ位置決めステ
ージを順次使用することが好適である。
【００１６】本願第２発明のバンプ形成装置は、上記の
課題を解決するために、粒状バンプ材料を保持するバン
プ位置決め穴をバンプを形成すべきＩＣ本体のＩＣ電極
位置に対応して有するバンプ位置決めステージと、ＩＣ
本体を保持し、保持しているＩＣ本体のＩＣ電極を前記
のバンプ位置決め穴に保持された粒状バンプ材料に対向
する位置に位置決めするＩＣ保持手段と、前記の対向し
て位置決めされた前記粒状バンプ材料と前記ＩＣ電極と
を超音波熱圧着する加圧手段と超音波加振手段と加熱手
段とを有することを特徴とする。
課題を解決するために、粒状バンプ材料を保持するバン
プ位置決め穴をバンプを形成すべきＩＣ本体のＩＣ電極
位置に対応して有するバンプ位置決めステージと、ＩＣ
本体を保持し、保持しているＩＣ本体のＩＣ電極を前記
のバンプ位置決め穴に保持された粒状バンプ材料に対向
する位置に位置決めするＩＣ保持手段と、前記の対向し
て位置決めされた前記粒状バンプ材料と前記ＩＣ電極と
を超音波熱圧着する加圧手段と超音波加振手段と加熱手
段とを有することを特徴とする。
【００１７】又、本願第２発明のバンプ形成装置は、上
記の課題を解決するために、バンプ位置決め穴は、粒状
バンプ材料に対す離型性が良い材料で形成されているこ
とが好適である。
記の課題を解決するために、バンプ位置決め穴は、粒状
バンプ材料に対す離型性が良い材料で形成されているこ
とが好適である。
【００１８】又、本願第２発明のバンプ形成装置は、上
記の課題を解決するために、バンプ位置決め穴は、粒状
バンプ材料の離型性が良いテーパー形状を有することが
好適である。
記の課題を解決するために、バンプ位置決め穴は、粒状
バンプ材料の離型性が良いテーパー形状を有することが
好適である。
【００１９】又、本願第２発明のバンプ形成装置は、上
記の課題を解決するために、バンプ位置決め穴は、粒状
バンプ材料を真空吸引する吸引手段を有することが好適
である。
記の課題を解決するために、バンプ位置決め穴は、粒状
バンプ材料を真空吸引する吸引手段を有することが好適
である。
【００２０】又、本願第２発明のバンプ形成装置は、上
記の課題を解決するために、順次動作する複数のバンプ
位置決めステージを有することが好適である。
記の課題を解決するために、順次動作する複数のバンプ
位置決めステージを有することが好適である。
【００２１】又、本願第２発明のバンプ形成装置は、上
記の課題を解決するために、バンプ位置決めステージ
は、位置決めマークを有することが好適である。
記の課題を解決するために、バンプ位置決めステージ
は、位置決めマークを有することが好適である。
【００２２】又、本願第２発明のバンプ形成装置は、上
記の課題を解決するために、加圧手段は、バンプ位置決
めステージ側またはＩＣ保持手段側を移動させて加圧す
ることが好適である。
記の課題を解決するために、加圧手段は、バンプ位置決
めステージ側またはＩＣ保持手段側を移動させて加圧す
ることが好適である。
【００２３】又、本願第２発明のバンプ形成装置は、上
記の課題を解決するために、超音波加振手段は、バンプ
位置決めステージまたはＩＣ保持手段を加振することが
好適である。
記の課題を解決するために、超音波加振手段は、バンプ
位置決めステージまたはＩＣ保持手段を加振することが
好適である。
【００２４】又、本願第２発明のバンプ形成装置は、上
記の課題を解決するために、加熱手段は、バンプ位置決
めステージまたはＩＣ保持手段を加熱することが好適で
ある。
記の課題を解決するために、加熱手段は、バンプ位置決
めステージまたはＩＣ保持手段を加熱することが好適で
ある。
【００２５】
【作用】本願第１発明のバンプ形成方法と本願第２発明
のバンプ形成装置とは、バンプを形成すべきＩＣ本体の
電極位置に対応してバンプ位置決めステージ上に設けら
れたバンプ位置決め穴に、粒状バンプ材料を保持させ、
ＩＣ保持手段が保持するＩＣ本体のＩＣ電極を、前記バ
ンプ位置決め穴に保持された粒状バンプ材料に対向させ
て位置決めし、超音波熱圧着で、前記ＩＣ本体のＩＣ電
極と前記粒状バンプ材料とを一括して接着することによ
り、電極の数とは無関係に、極めて短時間にバンプを形
成することができる。
のバンプ形成装置とは、バンプを形成すべきＩＣ本体の
電極位置に対応してバンプ位置決めステージ上に設けら
れたバンプ位置決め穴に、粒状バンプ材料を保持させ、
ＩＣ保持手段が保持するＩＣ本体のＩＣ電極を、前記バ
ンプ位置決め穴に保持された粒状バンプ材料に対向させ
て位置決めし、超音波熱圧着で、前記ＩＣ本体のＩＣ電
極と前記粒状バンプ材料とを一括して接着することによ
り、電極の数とは無関係に、極めて短時間にバンプを形
成することができる。
【００２６】更に、従来技術のキャピラリーを使用しな
いので、ＩＣの電極ピッチが狭い場合に、キャピラリー
が、形成されたバンプに接触するという従来技術の問題
点を解決する。
いので、ＩＣの電極ピッチが狭い場合に、キャピラリー
が、形成されたバンプに接触するという従来技術の問題
点を解決する。
【００２７】又、本願第１発明のバンプ形成方法は、バ
ンプ位置決め穴を粒状バンプ材料に対する離型性が良い
もので形成すれば、ＩＣ本体のＩＣ電極を形成する材料
に対する接着性が良い種々の導電性材料を粒状バンプ材
料として使用できる。
ンプ位置決め穴を粒状バンプ材料に対する離型性が良い
もので形成すれば、ＩＣ本体のＩＣ電極を形成する材料
に対する接着性が良い種々の導電性材料を粒状バンプ材
料として使用できる。
【００２８】又、本願第１発明のバンプ形成方法と本願
第２発明のバンプ形成装置とは、粒状バンプ材料に対す
離型性が良い材料で形成されたバンプ位置決め穴を使用
することにより、バンプ形成の信頼性が向上する。
第２発明のバンプ形成装置とは、粒状バンプ材料に対す
離型性が良い材料で形成されたバンプ位置決め穴を使用
することにより、バンプ形成の信頼性が向上する。
【００２９】又、本願第１発明のバンプ形成方法と本願
第２発明のバンプ形成装置とは、粒状バンプ材料の離型
性が良いテーパー形状を有するバンプ位置決め穴を使用
することにより、バンプ形成の信頼性が向上する。
第２発明のバンプ形成装置とは、粒状バンプ材料の離型
性が良いテーパー形状を有するバンプ位置決め穴を使用
することにより、バンプ形成の信頼性が向上する。
【００３０】又、本願第１発明のバンプ形成方法と本願
第２発明のバンプ形成装置とは、粒状バンプ材料を、真
空吸引によって、バンプ位置決め穴に保持することによ
って、作業能率と、作業の信頼性とが向上する。
第２発明のバンプ形成装置とは、粒状バンプ材料を、真
空吸引によって、バンプ位置決め穴に保持することによ
って、作業能率と、作業の信頼性とが向上する。
【００３１】又、本願第１発明のバンプ形成方法と本願
第２発明のバンプ形成装置とは、複数のバンプ位置決め
ステージを順次使用することによって、作業能率が非常
に向上する。
第２発明のバンプ形成装置とは、複数のバンプ位置決め
ステージを順次使用することによって、作業能率が非常
に向上する。
【００３２】又、本願第２発明のバンプ形成装置は、バ
ンプ位置決めステージに、位置決めマークを設けること
によって、バンプ形成の位置決め精度が向上する。
ンプ位置決めステージに、位置決めマークを設けること
によって、バンプ形成の位置決め精度が向上する。
【００３３】
【実施例】本発明のバンプ形成方法を使用するバンプ形
成装置の第１実施例を図１〜図３に基づいて説明する。
成装置の第１実施例を図１〜図３に基づいて説明する。
【００３４】図１において、超音波ホーン１０の先端部
に、ＩＣ吸着手段１が取付けられ、ＩＣ吸着手段１は、
ＩＣ吸着チューブ２による吸引力で、ＩＣ本体３を吸着
・保持する。
に、ＩＣ吸着手段１が取付けられ、ＩＣ吸着手段１は、
ＩＣ吸着チューブ２による吸引力で、ＩＣ本体３を吸着
・保持する。
【００３５】超音波ホーン１０は、超音波発振手段１６
と共にホーン支持部１３に支持され、ホーン支持部１３
は、回動軸１１に回動可能に軸支され、リニアモータ１
２によって、矢印Ｅの方向に回動する。リニアモータ１
２はリニアモータ支持部１４に支持されている。又、ホ
ーン支持部１３は、図示しない移動手段によって、前後
方向に移動、又は、左右に回動し、その際に、ＩＣ吸着
手段１が、バンプ取付け前のＩＣ本体３を吸着・保持し
たり、バンプ取付け後のＩＣ本体３を排出したりする。
と共にホーン支持部１３に支持され、ホーン支持部１３
は、回動軸１１に回動可能に軸支され、リニアモータ１
２によって、矢印Ｅの方向に回動する。リニアモータ１
２はリニアモータ支持部１４に支持されている。又、ホ
ーン支持部１３は、図示しない移動手段によって、前後
方向に移動、又は、左右に回動し、その際に、ＩＣ吸着
手段１が、バンプ取付け前のＩＣ本体３を吸着・保持し
たり、バンプ取付け後のＩＣ本体３を排出したりする。
【００３６】バンプ位置決めステージ５、５には、バン
プを取り付けるべきＩＣ本体３のバンプ取付け位置に対
応して吸着穴４が設けられている。そして、バンプ位置
決めステージ５、５の吸着穴４の形状は、図３に示すよ
うに、２段穴にする等、所望のバンプ形状にする。又、
この吸着穴４を形成する部分のバンプ位置決めステージ
５、５の材質は、バンプ材料との接着性が無い離型性の
良い材料、例えば、セラミックス等を使用する。認識マ
ーク１５、１５、１５、１５は、図示しない認識カメラ
によるバンプ位置決めステージ５、５の位置決めの際に
使用される。
プを取り付けるべきＩＣ本体３のバンプ取付け位置に対
応して吸着穴４が設けられている。そして、バンプ位置
決めステージ５、５の吸着穴４の形状は、図３に示すよ
うに、２段穴にする等、所望のバンプ形状にする。又、
この吸着穴４を形成する部分のバンプ位置決めステージ
５、５の材質は、バンプ材料との接着性が無い離型性の
良い材料、例えば、セラミックス等を使用する。認識マ
ーク１５、１５、１５、１５は、図示しない認識カメラ
によるバンプ位置決めステージ５、５の位置決めの際に
使用される。
【００３７】又、バンプ位置決めステージ５、５には、
バンプヒータ６、６、６、６が設けられ、これらのバン
プヒータ６、６、６、６はバンプ位置決めステージ５、
５を所定温度、例えば、約２２０°Ｃに加熱する。
バンプヒータ６、６、６、６が設けられ、これらのバン
プヒータ６、６、６、６はバンプ位置決めステージ５、
５を所定温度、例えば、約２２０°Ｃに加熱する。
【００３８】又、吸着穴４には、図２に示すように、バ
ンプ材料吸着孔７ａが設けられ、真空吸着によって、バ
ンプ材料９が、吸着穴４に吸着・保持される。
ンプ材料吸着孔７ａが設けられ、真空吸着によって、バ
ンプ材料９が、吸着穴４に吸着・保持される。
【００３９】そして、２個のバンプ位置決めステージ
５、５は、矢印Ａ、Ｂに示すように、バンプ取付け位置
と、バンプ材料供給位置間を交互に往復し、バンプ材料
供給位置において、矢印Ｃ、Ｄの方向に往復回動し、バ
ンプ材料供給手段８、８から、真空吸着によって、バン
プ材料９を、吸着穴４に吸着・保持する。
５、５は、矢印Ａ、Ｂに示すように、バンプ取付け位置
と、バンプ材料供給位置間を交互に往復し、バンプ材料
供給位置において、矢印Ｃ、Ｄの方向に往復回動し、バ
ンプ材料供給手段８、８から、真空吸着によって、バン
プ材料９を、吸着穴４に吸着・保持する。
【００４０】次に、本実施例の動作を、図１〜図３に基
づいて説明する。
づいて説明する。
【００４１】先ず、ＩＣ吸着手段１を、バンプを取り付
けるべきＩＣ本体３に対応するものに取り替え、バンプ
位置決めステージ５、５を、バンプを取り付けるべきＩ
Ｃ本体３のバンプ取付け位置に対応した吸着穴４を有す
るものに取り替える。この場合、バンプ位置決めステー
ジ５、５は、バンプ位置決めステージ５、５全体を取替
える形式でも、吸着穴４の部分のみを取替える形式でも
良い。バンプ位置決めステージ５、５の取替えが終了す
ると、バンプヒータ６、６、６、６によって、バンプ位
置決めステージ５、５を約２２０°Ｃに加熱する。
けるべきＩＣ本体３に対応するものに取り替え、バンプ
位置決めステージ５、５を、バンプを取り付けるべきＩ
Ｃ本体３のバンプ取付け位置に対応した吸着穴４を有す
るものに取り替える。この場合、バンプ位置決めステー
ジ５、５は、バンプ位置決めステージ５、５全体を取替
える形式でも、吸着穴４の部分のみを取替える形式でも
良い。バンプ位置決めステージ５、５の取替えが終了す
ると、バンプヒータ６、６、６、６によって、バンプ位
置決めステージ５、５を約２２０°Ｃに加熱する。
【００４２】次いで、図示しない移動手段によって、ホ
ーン支持部１３が移動し、ＩＣ吸着手段１が、バンプ形
成前のＩＣ本体３を吸着・保持して、図１に示すバンプ
形成位置に戻る。
ーン支持部１３が移動し、ＩＣ吸着手段１が、バンプ形
成前のＩＣ本体３を吸着・保持して、図１に示すバンプ
形成位置に戻る。
【００４３】次いで、バンプ材料供給手段８、８にバン
プ材料を入れる。本実施例では、バンプ材料として、直
径４０μｍ〜５０μｍの金製ボールを使用したが、バン
プ位置決めステージ５、５との離型性が良く、且つ、バ
ンプを形成すべきＩＣの電極材料に対する接着性がよい
導電性材料であれば、金に限らず、何でも良い。
プ材料を入れる。本実施例では、バンプ材料として、直
径４０μｍ〜５０μｍの金製ボールを使用したが、バン
プ位置決めステージ５、５との離型性が良く、且つ、バ
ンプを形成すべきＩＣの電極材料に対する接着性がよい
導電性材料であれば、金に限らず、何でも良い。
【００４４】次いで、バンプ位置決めステージ５、５
が、バンプ材料供給位置に移動し、矢印Ｃ、Ｄの方向に
回動し、バンプ材料吸着チューブ７、７によってバンプ
材料９を吸着穴４に吸着・保持し、一方のバンプ位置決
めステージ５がバンプ取付け位置に戻る。バンプ取付け
位置に戻ったバンプ位置決めステージ５を、図示しない
認識カメラを使用して位置決めする。
が、バンプ材料供給位置に移動し、矢印Ｃ、Ｄの方向に
回動し、バンプ材料吸着チューブ７、７によってバンプ
材料９を吸着穴４に吸着・保持し、一方のバンプ位置決
めステージ５がバンプ取付け位置に戻る。バンプ取付け
位置に戻ったバンプ位置決めステージ５を、図示しない
認識カメラを使用して位置決めする。
【００４５】次いで、リニアモータ１２が動作し、ホー
ン支持部１３が回動し、図２に示すように、ＩＣ吸着手
段１が下降して、ＩＣ本体３を、バンプ位置決めステー
ジ５の吸着穴４に吸着・保持されているバンプ材料上に
押し付け、同時に、超音波発振手段１６が発振する超音
波によって、超音波ホーン１０がＩＣ本体３を加振し
て、バンプ材料９とＩＣ本体３のアルミ電極１７とを接
続してバンプを形成する。この際に、吸着穴４の形状
を、図３に示すように、例えば、２段穴形状にしておく
と、所望の形状のバンプが形成できる。図３において、
Ｆ＝５０μｍ、Ｇ＝４０μｍ、Ｈ＝１０μｍ、Ｉ＝２０
μｍ、Ｊ＝２０μｍ、Ｋ＝３０μｍ、そして、穴の内側
面にテーパーを付けると、バンプ材料の離型性が良くな
る。
ン支持部１３が回動し、図２に示すように、ＩＣ吸着手
段１が下降して、ＩＣ本体３を、バンプ位置決めステー
ジ５の吸着穴４に吸着・保持されているバンプ材料上に
押し付け、同時に、超音波発振手段１６が発振する超音
波によって、超音波ホーン１０がＩＣ本体３を加振し
て、バンプ材料９とＩＣ本体３のアルミ電極１７とを接
続してバンプを形成する。この際に、吸着穴４の形状
を、図３に示すように、例えば、２段穴形状にしておく
と、所望の形状のバンプが形成できる。図３において、
Ｆ＝５０μｍ、Ｇ＝４０μｍ、Ｈ＝１０μｍ、Ｉ＝２０
μｍ、Ｊ＝２０μｍ、Ｋ＝３０μｍ、そして、穴の内側
面にテーパーを付けると、バンプ材料の離型性が良くな
る。
【００４６】次いで、ＩＣ吸着手段１は、リニアモータ
１２の動作によって上昇し、図示しない移動手段によっ
て移動して、バンプ形成が終了したＩＣ本体３を排出
し、新しいＩＣ本体３を吸着して、バンプ取付け位置に
戻る。
１２の動作によって上昇し、図示しない移動手段によっ
て移動して、バンプ形成が終了したＩＣ本体３を排出
し、新しいＩＣ本体３を吸着して、バンプ取付け位置に
戻る。
【００４７】上記に並行して、バンプ取付け位置でバン
プ取付けを終了したバンプ位置決めステージ５が図示し
ない移動手段によって、バンプ材料供給位置に移動し、
他方のバンプ位置決めステージ５が、バンプ材料供給位
置からバンプ取付け位置に移動し、その後は、上記の動
作を繰り返す。
プ取付けを終了したバンプ位置決めステージ５が図示し
ない移動手段によって、バンプ材料供給位置に移動し、
他方のバンプ位置決めステージ５が、バンプ材料供給位
置からバンプ取付け位置に移動し、その後は、上記の動
作を繰り返す。
【００４８】上記のようにすると、バンプを形成すべき
ＩＣ本体３のバンプの数とは無関係に、１回の動作で必
要数のバンプを一括形成できるので、タクトを極めて短
くすることができる。
ＩＣ本体３のバンプの数とは無関係に、１回の動作で必
要数のバンプを一括形成できるので、タクトを極めて短
くすることができる。
【００４９】次に、本発明のバンプ形成方法を使用する
バンプ形成装置の第２実施例を図４に基づいて説明す
る。
バンプ形成装置の第２実施例を図４に基づいて説明す
る。
【００５０】図４において、本実施例は、ＩＣ吸着手段
１にＩＣヒータ６ａ、６ａを取り付けている。このこと
以外は第１実施例と同様であるので、詳細説明は省略す
る。
１にＩＣヒータ６ａ、６ａを取り付けている。このこと
以外は第１実施例と同様であるので、詳細説明は省略す
る。
【００５１】尚、実施例では、ＩＣ吸着手段１側を下降
させてバンプを形成したが、バンプ位置決めステージ５
側を上昇させてバンプを形成することも可能である。
させてバンプを形成したが、バンプ位置決めステージ５
側を上昇させてバンプを形成することも可能である。
【００５２】又、実施例では、ＩＣ吸着手段１側を超音
波加振したが、ＩＣ本体３は、大きくても１０ｍｍ×１
０ｍｍ以下の場合が多いので、バンプ位置決めステージ
５を小さくすることができ、バンプ位置決めステージ５
側を超音波加振することも可能である。
波加振したが、ＩＣ本体３は、大きくても１０ｍｍ×１
０ｍｍ以下の場合が多いので、バンプ位置決めステージ
５を小さくすることができ、バンプ位置決めステージ５
側を超音波加振することも可能である。
【００５３】即ち、ＩＣ本体３の大きさと作業性とによ
って、加圧の際に移動する側と、加熱側と、加振側とを
決めれば良い。
って、加圧の際に移動する側と、加熱側と、加振側とを
決めれば良い。
【００５４】
【発明の効果】本発明によれば、超音波熱圧着で、ＩＣ
本体のＩＣ電極と、バンプ位置決めステージ上に位置決
めされた粒状バンプ材料とを一括して接着することによ
り、電極の数とは無関係に、極めて短時間にバンプを形
成することができるという効果を奏する。
本体のＩＣ電極と、バンプ位置決めステージ上に位置決
めされた粒状バンプ材料とを一括して接着することによ
り、電極の数とは無関係に、極めて短時間にバンプを形
成することができるという効果を奏する。
【００５５】更に、従来技術のキャピラリーを使用しな
いので、ＩＣの電極ピッチが狭い場合に、キャピラリー
が、形成されたバンプに接触するという従来技術の問題
点を解決するという効果を奏する。
いので、ＩＣの電極ピッチが狭い場合に、キャピラリー
が、形成されたバンプに接触するという従来技術の問題
点を解決するという効果を奏する。
【図１】本発明の第１実施例の要点を示す斜視図であ
る。
る。
【図２】本発明の第１実施例の一部断面図である。
【図３】本発明のバンプ位置決め穴の一例の断面図であ
る。
る。
【図４】本発明の第２実施例の要点を示す斜視図であ
る。
る。
【図５】従来例の動作を示す図である。
１ ＩＣ吸着手段（ＩＣ保持手段） ２ ＩＣ吸着チューブ（吸引手段） ３ ＩＣ本体 ４ 吸着穴（バンプ位置決め穴） ５ バンプ位置決めステージ ６ バンプヒータ ６ａ ＩＣヒータ ７ バンプ材料吸着チューブ ７ａ バンプ材料吸着孔（吸引手段） ８ バンプ材料供給手段 ９ バンプ材料（粒状バンプ材料） １０ 超音波ホーン（超音波加振手段） １１ 回動軸 １２ リニアモータ １３ ホーン支持部 １４ リニアモータ支持部 １５ 認識マーク １６ 超音波発振手段（超音波加振手段） １７ ＩＣアルミ電極（ＩＣ電極）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 米澤 隆弘 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 今西 誠 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 鈴木 寿子 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (15)
- 【請求項１】 バンプを形成すべきＩＣ本体の電極位置
に対応してバンプ位置決めステージ上に設けられたバン
プ位置決め穴に、粒状バンプ材料を保持させ、ＩＣ保持
手段が保持するＩＣ本体のＩＣ電極を、前記バンプ位置
決め穴に保持された粒状バンプ材料に対向させて位置決
めし、超音波熱圧着で、前記ＩＣ本体のＩＣ電極と前記
粒状バンプ材料とを一括接着してバンプを形成すること
を特徴とするバンプ形成方法。 - 【請求項２】 粒状バンプ材料に対す離型性が良い材料
で形成されたバンプ位置決め穴を使用する請求項１に記
載のバンプ形成方法。 - 【請求項３】 バンプ位置決め穴を形成する材料に対す
る離型性が良く、且つ、ＩＣ本体のＩＣ電極を形成する
材料に対する接着性が良い導電性材料で構成される粒状
バンプ材料を使用する請求項１に記載のバンプ形成方
法。 - 【請求項４】 粒状バンプ材料の離型性が良いテーパー
形状を有するバンプ位置決め穴を使用する請求項１に記
載のバンプ形成方法。 - 【請求項５】 粒状バンプ材料を、真空吸引によって、
バンプ位置決め穴に保持する請求項１に記載のバンプ形
成方法。 - 【請求項６】 複数のバンプ位置決めステージを順次使
用する請求項１に記載のバンプ形成方法。 - 【請求項７】 粒状バンプ材料を保持するバンプ位置決
め穴をバンプを形成すべきＩＣ本体のＩＣ電極位置に対
応して有するバンプ位置決めステージと、ＩＣ本体を保
持し、保持しているＩＣ本体のＩＣ電極を前記のバンプ
位置決め穴に保持された粒状バンプ材料に対向する位置
に位置決めするＩＣ保持手段と、前記の対向して位置決
めされた前記粒状バンプ材料と前記ＩＣ電極とを超音波
熱圧着する加圧手段と超音波加振手段と加熱手段とを有
することを特徴とするバンプ形成装置。 - 【請求項８】 バンプ位置決め穴は、粒状バンプ材料に
対す離型性が良い材料で形成されている請求項７に記載
のバンプ形成装置。 - 【請求項９】 バンプ位置決め穴は、粒状バンプ材料の
離型性が良いテーパー形状を有する請求項７に記載のバ
ンプ形成装置。 - 【請求項１０】 バンプ位置決め穴は、粒状バンプ材料
を真空吸引する吸引手段を有する請求項７に記載のバン
プ形成装置。 - 【請求項１１】 順次動作する複数のバンプ位置決めス
テージを有する請求項７に記載のバンプ形成装置。 - 【請求項１２】 バンプ位置決めステージは、位置決め
マークを有する請求項７に記載のバンプ形成装置。 - 【請求項１３】 加圧手段は、バンプ位置決めステージ
またはＩＣ保持手段側を移動させて加圧する請求項７に
記載のバンプ形成装置。 - 【請求項１４】 超音波加振手段は、バンプ位置決めス
テージまたはＩＣ保持手段を加振する請求項７に記載の
バンプ形成装置。 - 【請求項１５】 加熱手段は、バンプ位置決めステージ
またはＩＣ保持手段を加熱する請求項７に記載のバンプ
形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6294956A JPH08153724A (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | バンプ形成方法とその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6294956A JPH08153724A (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | バンプ形成方法とその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08153724A true JPH08153724A (ja) | 1996-06-11 |
Family
ID=17814474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6294956A Pending JPH08153724A (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | バンプ形成方法とその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08153724A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11469344B2 (en) | 2020-01-31 | 2022-10-11 | Nichia Corporation | Method of producing light-emitting device |
-
1994
- 1994-11-29 JP JP6294956A patent/JPH08153724A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11469344B2 (en) | 2020-01-31 | 2022-10-11 | Nichia Corporation | Method of producing light-emitting device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0982718A (ja) | 微細金属バンプの製造方法および製造装置 | |
| JPH11284028A (ja) | ボンディング方法及びその装置 | |
| JPH08153724A (ja) | バンプ形成方法とその装置 | |
| JPH1197493A (ja) | ボンディング方法および装置 | |
| JP3409630B2 (ja) | バンプ付電子部品の圧着装置および圧着方法 | |
| JPH1174315A (ja) | ボンディング装置及びボンディング方法 | |
| JPH1074767A (ja) | 微細ボールバンプ形成方法及び装置 | |
| JP3425510B2 (ja) | バンプボンダー形成方法 | |
| JP3270813B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JPH0878892A (ja) | 吸引ノズルおよびこの吸引ノズルを用いた接合材による接合方法 | |
| JP3409683B2 (ja) | バンプ付電子部品のボンディングツールおよびボンディング装置 | |
| JP2812304B2 (ja) | フリップチップ型半導体装置のリペア方法 | |
| JPH118258A (ja) | 吸着・加圧兼用チャック及び該チャックを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JP2005230845A (ja) | 超音波接合装置および電子デバイスの製造方法 | |
| JP3656631B2 (ja) | 電子部品のボンディングツールおよびボンディング装置 | |
| JP2002184810A (ja) | ボンディング方法、ボンディング装置および実装基板 | |
| JPH1167825A (ja) | 半導体チップ実装方法及び実装装置 | |
| JP4307047B2 (ja) | 電子部品のボンディングツールおよびボンディング装置 | |
| JPH1140568A (ja) | バンプの形成装置及び方法 | |
| JP2001291734A (ja) | ワイヤボンディング方法およびワイヤボンディング装置 | |
| JP3409688B2 (ja) | 電子部品のボンディングツールおよびボンディング装置 | |
| JP3429177B2 (ja) | バンプ形成方法 | |
| JP2005064149A (ja) | 超音波フリップチップ接合装置および接合方法 | |
| JP2001057376A (ja) | ボンディング装置及び基板の製造方法 | |
| JPH06232131A (ja) | ウエハ加熱装置およびバンプ形成装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040727 |