JP2001057376A - ボンディング装置及び基板の製造方法 - Google Patents
ボンディング装置及び基板の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ボンディングツールからチップへ超音波振動を
確実に伝達することで、接合状態を安定させ、良好なボ
ンディングを行うことができるとともに、ボンディング
ツールとチップとの滑りを最小限に抑えることで、ボン
ディングツールの摩耗を低減し、長寿命化を図ることが
できるボンディング装置を提供すること。 【解決手段】セラミック基板５を搭載するボンディング
ステージ４０と、ＳＡＷチップ１を吸着保持するボンデ
ィングツール３４と、このボンディングツール３４にボ
ンディングステージ４０の面に対して垂直方向の振幅を
有する超音波を印加する超音波ホーン３３と、ボンディ
ングツール３４をボンディングステージ４０側に加圧す
る加圧機構３１とを備えるようにした。
確実に伝達することで、接合状態を安定させ、良好なボ
ンディングを行うことができるとともに、ボンディング
ツールとチップとの滑りを最小限に抑えることで、ボン
ディングツールの摩耗を低減し、長寿命化を図ることが
できるボンディング装置を提供すること。 【解決手段】セラミック基板５を搭載するボンディング
ステージ４０と、ＳＡＷチップ１を吸着保持するボンデ
ィングツール３４と、このボンディングツール３４にボ
ンディングステージ４０の面に対して垂直方向の振幅を
有する超音波を印加する超音波ホーン３３と、ボンディ
ングツール３４をボンディングステージ４０側に加圧す
る加圧機構３１とを備えるようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップを基
板に実装することで電子部品の組立てを行うボンディン
グ装置及びボンディング方法に関する。
板に実装することで電子部品の組立てを行うボンディン
グ装置及びボンディング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来のボンディング装置１０の要
部を示す図であり、“Ｆｌｉｐ−Ｃｈｉｐ Ａｓｓｅｍ
ｂｌｙ Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ ｆｏｒ ＳＡＷ Ｄｅｖ
ｉｃｅｓ”（Ｐｒｏｃ．ＩＳＨＭ ’９５）等に記載さ
れたボンディング方法を実施するものである。
部を示す図であり、“Ｆｌｉｐ−Ｃｈｉｐ Ａｓｓｅｍ
ｂｌｙ Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ ｆｏｒ ＳＡＷ Ｄｅｖ
ｉｃｅｓ”（Ｐｒｏｃ．ＩＳＨＭ ’９５）等に記載さ
れたボンディング方法を実施するものである。
【０００３】ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉ
ｃ Ｗａｖｅ）チップ（電子部品）１は、チップ本体２
の表面に電極３が厚さ０．７μｍのアルミ膜で形成され
ており、電極３上に超音波を併用した熱圧着により金ボ
ールバンプ４が形成されている。電極数は例えば１６個
である。
ｃ Ｗａｖｅ）チップ（電子部品）１は、チップ本体２
の表面に電極３が厚さ０．７μｍのアルミ膜で形成され
ており、電極３上に超音波を併用した熱圧着により金ボ
ールバンプ４が形成されている。電極数は例えば１６個
である。
【０００４】一方、セラミック基板５は、その図５中上
面に基板電極６が形成されており、厚さ２μｍの金めっ
きが施されている。
面に基板電極６が形成されており、厚さ２μｍの金めっ
きが施されている。
【０００５】このようなＳＡＷチップ１は、次のように
してセラミック基板５にボンディングされる。すなわ
ち、ＳＡＷチップ１を電極３が形成された面を下向きに
して超音波ホーン１２に取り付けられたボンディングツ
ール１１に吸着する。超音波ホーン１２は加圧機構１０
に取り付けられている。
してセラミック基板５にボンディングされる。すなわ
ち、ＳＡＷチップ１を電極３が形成された面を下向きに
して超音波ホーン１２に取り付けられたボンディングツ
ール１１に吸着する。超音波ホーン１２は加圧機構１０
に取り付けられている。
【０００６】なお、ボンディングツール１１のチップ本
体２との接触面は平坦である。また、ボンディングツー
ル１１中央にはチップ本体２をボンディングツール１１
へ吸着固定するための吸着穴１３が設けられており、バ
キュームホース１４に接続されている。一方、セラミッ
ク基板５を基板ステージ１５上に固定し、２００℃に加
熱する。
体２との接触面は平坦である。また、ボンディングツー
ル１１中央にはチップ本体２をボンディングツール１１
へ吸着固定するための吸着穴１３が設けられており、バ
キュームホース１４に接続されている。一方、セラミッ
ク基板５を基板ステージ１５上に固定し、２００℃に加
熱する。
【０００７】ＳＡＷチップ１の金ボールバンプ４とセラ
ミック基板５の基板電極６との位置合わせを行う。次い
で、ボンディングツール１１を鉛直下向きに駆動し、１
１．７６Ｎ（０．７４／バンプ）の荷重でＳＡＷチップ
１をセラミック基板５へ加圧し、まず約０．５Ｗ程度の
低い出力で超音波振動を８００ｍｓ印加する。さらに、
約２．０Ｗの出力で超音波振動を８００ｍｓ印加する。
このとき、超音波の振動方向Ｈは金ボールバンプ４と基
板電極６の接合面に対して平行である。
ミック基板５の基板電極６との位置合わせを行う。次い
で、ボンディングツール１１を鉛直下向きに駆動し、１
１．７６Ｎ（０．７４／バンプ）の荷重でＳＡＷチップ
１をセラミック基板５へ加圧し、まず約０．５Ｗ程度の
低い出力で超音波振動を８００ｍｓ印加する。さらに、
約２．０Ｗの出力で超音波振動を８００ｍｓ印加する。
このとき、超音波の振動方向Ｈは金ボールバンプ４と基
板電極６の接合面に対して平行である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来のボンデ
ィング方法では、次のような問題があった。すなわち、
ボンディングツール１１からチップ本体２への超音波振
動伝達効率は、ボンディングツール１１の接触面１１ａ
とチップ本体２の裏面２ａとの摩擦力に依存する。この
ため、ボンディングツール１１の接触面１１ａ及びチッ
プ本体２の裏面２ａの表面粗さのばらつきにより、ボン
ディング中のチップ本体２の振動がばらつき、金ボール
バンプ４と基板電極６との接合状態が安定しないという
虞があった。
ィング方法では、次のような問題があった。すなわち、
ボンディングツール１１からチップ本体２への超音波振
動伝達効率は、ボンディングツール１１の接触面１１ａ
とチップ本体２の裏面２ａとの摩擦力に依存する。この
ため、ボンディングツール１１の接触面１１ａ及びチッ
プ本体２の裏面２ａの表面粗さのばらつきにより、ボン
ディング中のチップ本体２の振動がばらつき、金ボール
バンプ４と基板電極６との接合状態が安定しないという
虞があった。
【０００９】また、ボンディング中にボンディングツー
ル１１とチップ本体２とが若干滑ることによりボンディ
ングツール１１が磨耗してしまうという問題もあった。
さらに、電極数の少ないＳＡＷチップ１をボンディング
する場合にはバンプ当りの加圧力が大きくなり、バンプ
変形が過大になってしまう。
ル１１とチップ本体２とが若干滑ることによりボンディ
ングツール１１が磨耗してしまうという問題もあった。
さらに、電極数の少ないＳＡＷチップ１をボンディング
する場合にはバンプ当りの加圧力が大きくなり、バンプ
変形が過大になってしまう。
【００１０】そこで本発明は、ボンディングツールから
チップへ超音波振動を確実に伝達することで、接合状態
を安定させ、良好なボンディングを行うことができると
ともに、ボンディングツールとチップとの滑りを最小限
に抑えることで、ボンディングツールの摩耗を低減し、
長寿命化を図ることができるボンディング装置及びボン
ディング方法を提供することを目的としている。
チップへ超音波振動を確実に伝達することで、接合状態
を安定させ、良好なボンディングを行うことができると
ともに、ボンディングツールとチップとの滑りを最小限
に抑えることで、ボンディングツールの摩耗を低減し、
長寿命化を図ることができるボンディング装置及びボン
ディング方法を提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、本発明のボンディング装置は次のよう
に構成されている。
達成するために、本発明のボンディング装置は次のよう
に構成されている。
【００１２】（１）電極が形成された面を基板に対向さ
せて上記電極を介して電子部品を上記基板に実装するボ
ンディング装置において、上記基板を搭載するワークス
テージと、上記電子部品を吸着保持するボンディングツ
ールと、このボンディングツールに上記ワークステージ
の面に対して少なくとも垂直方向の振幅を有する超音波
を印加可能な超音波ホーンと、上記ボンディングツール
を上記ワークステージ側に加圧する加圧機構とを備えて
いることを特徴とする。
せて上記電極を介して電子部品を上記基板に実装するボ
ンディング装置において、上記基板を搭載するワークス
テージと、上記電子部品を吸着保持するボンディングツ
ールと、このボンディングツールに上記ワークステージ
の面に対して少なくとも垂直方向の振幅を有する超音波
を印加可能な超音波ホーンと、上記ボンディングツール
を上記ワークステージ側に加圧する加圧機構とを備えて
いることを特徴とする。
【００１３】（２）上記（１）に記載されたボンディン
グ装置であって、上記超音波ホーンは、その出力を漸次
変化可能に設けられていることを特徴とする。
グ装置であって、上記超音波ホーンは、その出力を漸次
変化可能に設けられていることを特徴とする。
【００１４】（３）上記（１）に記載されたボンディン
グ装置であって、上記加圧機構は、その加圧力を漸次変
化可能に設けられていることを特徴とする。
グ装置であって、上記加圧機構は、その加圧力を漸次変
化可能に設けられていることを特徴とする。
【００１５】また、本発明の基板の製造方法は次のよう
に行われる。
に行われる。
【００１６】（４）電極が形成された部品を少なくとも
上記電極を介して配線基板に実装する基板の製造方法に
おいて、上記電子部品を上記配線基板の所定位置に配置
して上記電子部品に主として上記基板がなす面の法線方
向に振幅を有する超音波を印加する超音波印加工程と、
この超音波印加工程と同時に、上記電子部品と上記配線
基板とを相対的に近接させる工程とを備えていることを
特徴とする。
上記電極を介して配線基板に実装する基板の製造方法に
おいて、上記電子部品を上記配線基板の所定位置に配置
して上記電子部品に主として上記基板がなす面の法線方
向に振幅を有する超音波を印加する超音波印加工程と、
この超音波印加工程と同時に、上記電子部品と上記配線
基板とを相対的に近接させる工程とを備えていることを
特徴とする。
【００１７】（５）上記（４）に記載された基板の製造
方法であって、実質的に基板がなす面の法線方向にのみ
振幅を有する超音波を印加する超音波印加工程を備えて
いることを特徴とする。
方法であって、実質的に基板がなす面の法線方向にのみ
振幅を有する超音波を印加する超音波印加工程を備えて
いることを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施の形態に係
るボンディング装置２０を示す斜視図、図２はボンディ
ング装置２０に組み込まれたボンディングヘッド３０の
構成を示す側面図である。
るボンディング装置２０を示す斜視図、図２はボンディ
ング装置２０に組み込まれたボンディングヘッド３０の
構成を示す側面図である。
【００１９】ボンディング装置２０は、架台２１と、こ
の架台２１上に設けられセラミック基板５を搬送する基
板搬送部２２と、ＳＡＷチップ１を供給するチップ供給
部２３と、このチップ供給部２３からＳＡＷチップ１を
後述するマウントステージ２６に搬送するチップ搬送部
２４と、チップマウントヘッド２５と、マウントステー
ジ２６と、後述する超音波ホーン３２に超音波を印加す
る超音波発振器２７と、ボンディングヘッド３０と、ボ
ンディングステージ（ワークステージ）４０とを備えて
いる。
の架台２１上に設けられセラミック基板５を搬送する基
板搬送部２２と、ＳＡＷチップ１を供給するチップ供給
部２３と、このチップ供給部２３からＳＡＷチップ１を
後述するマウントステージ２６に搬送するチップ搬送部
２４と、チップマウントヘッド２５と、マウントステー
ジ２６と、後述する超音波ホーン３２に超音波を印加す
る超音波発振器２７と、ボンディングヘッド３０と、ボ
ンディングステージ（ワークステージ）４０とを備えて
いる。
【００２０】ボンディングヘッド３０は、図２中上下方
向に沿って後述する超音波ホーンホルダ３２を駆動する
加圧機構３１と、この加圧機構３１に支持された超音波
ホーンホルダ３２と、この超音波ホーンホルダ３２に着
脱自在に支持された超音波ホーン３３と、この超音波ホ
ーン３３の図２中下端に取り付けられたボンディングツ
ール３４とを備えている。ボンディングツール３４はタ
ングステンカーバイド製であり、加圧面は１．８×１．
８（ｍｍ）である。この加圧機構３１によって、ＳＡＷ
チップ１をセラミック基板５を相対的に近接させるとと
もに、金ボールバンプ４の塑性変形を促す。
向に沿って後述する超音波ホーンホルダ３２を駆動する
加圧機構３１と、この加圧機構３１に支持された超音波
ホーンホルダ３２と、この超音波ホーンホルダ３２に着
脱自在に支持された超音波ホーン３３と、この超音波ホ
ーン３３の図２中下端に取り付けられたボンディングツ
ール３４とを備えている。ボンディングツール３４はタ
ングステンカーバイド製であり、加圧面は１．８×１．
８（ｍｍ）である。この加圧機構３１によって、ＳＡＷ
チップ１をセラミック基板５を相対的に近接させるとと
もに、金ボールバンプ４の塑性変形を促す。
【００２１】このように構成されたボンディング装置２
０では、図３の（ａ）〜（ｃ）に示すようにして、ボン
ディングを行う。なお、ＳＡＷチップ（電子部品）１
は、外形寸法が１．８×１．８×０．４（ｍｍ）であ
り、チップ本体２の表面に電極３が１５０×１５０×
０．７μｍのアルミ膜で形成されており、電極３上に超
音波を併用した熱圧着により直径１１０μｍ、高さ３０
μｍの金ボールバンプ４が形成されている。電極数は例
えば８個である。
０では、図３の（ａ）〜（ｃ）に示すようにして、ボン
ディングを行う。なお、ＳＡＷチップ（電子部品）１
は、外形寸法が１．８×１．８×０．４（ｍｍ）であ
り、チップ本体２の表面に電極３が１５０×１５０×
０．７μｍのアルミ膜で形成されており、電極３上に超
音波を併用した熱圧着により直径１１０μｍ、高さ３０
μｍの金ボールバンプ４が形成されている。電極数は例
えば８個である。
【００２２】また、セラミック基板５は、セラミック材
で形成され、その上にタングステン／ニッケル／金で構
成される基板電極６が形成されている。セラミック基板
５の外形寸法は３．０×３．０×０．５（ｍｍ）であ
る。なお、基板電極６表面には電解めっき法にて金めっ
きが０．８μｍ施されている。
で形成され、その上にタングステン／ニッケル／金で構
成される基板電極６が形成されている。セラミック基板
５の外形寸法は３．０×３．０×０．５（ｍｍ）であ
る。なお、基板電極６表面には電解めっき法にて金めっ
きが０．８μｍ施されている。
【００２３】図３の（ａ）に示すように、セラミック基
板５は基板電極６を上向きにした状態でマウントステー
ジ２６上に吸着固定され、２００℃に加熱される。次に
電極３上に金ボールバンプ４を形成したＳＡＷチップ１
をバンプ面を下向きにした状態で、チップマウントヘッ
ド２５に吸着固定する。
板５は基板電極６を上向きにした状態でマウントステー
ジ２６上に吸着固定され、２００℃に加熱される。次に
電極３上に金ボールバンプ４を形成したＳＡＷチップ１
をバンプ面を下向きにした状態で、チップマウントヘッ
ド２５に吸着固定する。
【００２４】図３の（ｂ）に示すように、金ボールバン
プ４と基板電極６とを図示しないカメラを用いて位置合
わせし、ＳＡＷチップ１を２．４Ｎ（０．３Ｎ／バン
プ）の荷重で５０ｍｓ加圧する。これにより金ボールバ
ンプ４の先端部が変形し、ＳＡＷチップ１がセラミック
基板５上に仮固定される。そして、セラミック基板５の
吸着固定を解除し、仮固定されているＳＡＷチップ１と
セラミック基板５とをボンディングステージ４０に移動
させる。
プ４と基板電極６とを図示しないカメラを用いて位置合
わせし、ＳＡＷチップ１を２．４Ｎ（０．３Ｎ／バン
プ）の荷重で５０ｍｓ加圧する。これにより金ボールバ
ンプ４の先端部が変形し、ＳＡＷチップ１がセラミック
基板５上に仮固定される。そして、セラミック基板５の
吸着固定を解除し、仮固定されているＳＡＷチップ１と
セラミック基板５とをボンディングステージ４０に移動
させる。
【００２５】図３の（ｃ）に示すように、ボンディング
ステージ４０では、セラミック基板５を吸着保持すると
ともに基板押え４１で固定する。超音波ホーン３３の先
端に取り付けたボンディングツール３４をＳＡＷチップ
１に位置決めする。
ステージ４０では、セラミック基板５を吸着保持すると
ともに基板押え４１で固定する。超音波ホーン３３の先
端に取り付けたボンディングツール３４をＳＡＷチップ
１に位置決めする。
【００２６】加圧機構３１によりボンディングツール３
４でＳＡＷチップを２．９４Ｎ（０．３７Ｎ／バンプ）
の荷重で加圧するとともに、超音波発振器２７を作動さ
せ、超音波ホーン３３により超音波振動を１００ｍｓ印
加する。このときの振幅方向は図３の（ｃ）中矢印Ｖに
示すようにセラミック基板５に対して垂直方向であり、
超音波出力は１．０Ｗである。続いて荷重を５．８８Ｎ
（０．７４Ｎ／バンプ）に増加させ、超音波振動を再度
１００ｍｓ印加する。このときの超音波出力は１．５Ｗ
とした。その後ボンディングツール３４を上方に引き上
げ、ボンディングを完了する。
４でＳＡＷチップを２．９４Ｎ（０．３７Ｎ／バンプ）
の荷重で加圧するとともに、超音波発振器２７を作動さ
せ、超音波ホーン３３により超音波振動を１００ｍｓ印
加する。このときの振幅方向は図３の（ｃ）中矢印Ｖに
示すようにセラミック基板５に対して垂直方向であり、
超音波出力は１．０Ｗである。続いて荷重を５．８８Ｎ
（０．７４Ｎ／バンプ）に増加させ、超音波振動を再度
１００ｍｓ印加する。このときの超音波出力は１．５Ｗ
とした。その後ボンディングツール３４を上方に引き上
げ、ボンディングを完了する。
【００２７】ボンディング後、接合性を評価するため
に、図４に示すように強度測定試験（ダイシェアテス
ト）を行った。なお、図４中５０はテスト用ツールであ
る。その結果、１バンプ当り１．０Ｎの接合強度が得ら
れていることがわかった。ボンディング後の金ボールバ
ンプ４のバンプ径はφ１３０μｍであり、変形した金ボ
ールバンプ４が基板電極６からはみでることはなかっ
た。さらに連続してボンディングし、ボンディングツー
ル３４の寿命を調べたところ、ボンディングツールの磨
耗は非常に少なく、２０万ボンド以上であることがわか
った。
に、図４に示すように強度測定試験（ダイシェアテス
ト）を行った。なお、図４中５０はテスト用ツールであ
る。その結果、１バンプ当り１．０Ｎの接合強度が得ら
れていることがわかった。ボンディング後の金ボールバ
ンプ４のバンプ径はφ１３０μｍであり、変形した金ボ
ールバンプ４が基板電極６からはみでることはなかっ
た。さらに連続してボンディングし、ボンディングツー
ル３４の寿命を調べたところ、ボンディングツールの磨
耗は非常に少なく、２０万ボンド以上であることがわか
った。
【００２８】比較のため、超音波振動をチップ対して水
平方向に印加する従来方式でボンディングを行った。加
圧荷重を同一として超音波出力を変化させたところ、超
音波出力を２．０Ｗとしたときにバンプ当り１．０Ｎの
接合強度が得られたが、バンプ変形量や接合強度のばら
つきが大きくなっていることがわかった。これはボンデ
ィングツールからＳＡＷチップへの超音波振動の伝達が
安定していないためと考えられる。また、５万ボンドを
超えた時点でボンディングツール加圧面の磨耗によりボ
ンディング中のチップ割れが多発した。
平方向に印加する従来方式でボンディングを行った。加
圧荷重を同一として超音波出力を変化させたところ、超
音波出力を２．０Ｗとしたときにバンプ当り１．０Ｎの
接合強度が得られたが、バンプ変形量や接合強度のばら
つきが大きくなっていることがわかった。これはボンデ
ィングツールからＳＡＷチップへの超音波振動の伝達が
安定していないためと考えられる。また、５万ボンドを
超えた時点でボンディングツール加圧面の磨耗によりボ
ンディング中のチップ割れが多発した。
【００２９】なお、本発明は前記実施の形態に限定され
るものではない。すなわち、上述した実施の形態では、
チップ本体に適用した例について説明したが、その他に
ＧａＡｓチップや半導体チップ（ディスクリート）等へ
適用しても同様の効果が得られる。また、バンプについ
ては金ボールバンプだけではなく、金めっきバンプを用
いても良い。このほか、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で種々変形実施可能であるのは勿論である。
るものではない。すなわち、上述した実施の形態では、
チップ本体に適用した例について説明したが、その他に
ＧａＡｓチップや半導体チップ（ディスクリート）等へ
適用しても同様の効果が得られる。また、バンプについ
ては金ボールバンプだけではなく、金めっきバンプを用
いても良い。このほか、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で種々変形実施可能であるのは勿論である。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、ボンディングツールの
磨耗を減少させ、ボンディングコストを低減することが
できる。また、電極数の少ないチップをボンディングす
る場合において、バンプの変形を過大にすることなく安
定した接合を得ることができる。
磨耗を減少させ、ボンディングコストを低減することが
できる。また、電極数の少ないチップをボンディングす
る場合において、バンプの変形を過大にすることなく安
定した接合を得ることができる。
【図１】本発明の一実施の形態に係るボンディング装置
を示す斜視図。
を示す斜視図。
【図２】同ボンディング装置に組み込まれたボンディン
グヘッドを示す側面図。
グヘッドを示す側面図。
【図３】同ボンディング装置によるボンディング工程を
示す説明図。
示す説明図。
【図４】接合強度測定方法を示す説明図。
【図５】従来のボンディング方法を示す説明図。
１…ＳＡＷチップ（電子部品） ２…チップ本体 ３…電極 ４…金ボールバンプ ５…セラミック基板 ６…基板電極 ２０…ボンディング装置 ３０…ボンディングヘッド ３１…加圧機構 ３３…超音波ホーン ３４…ボンディングツール ４０…ボンディングステージ（ワークステージ）
Claims (5)
- 【請求項１】電極が形成された面を基板に対向させて上
記電極を介して電子部品を上記基板に実装するボンディ
ング装置において、 上記基板を搭載するワークステージと、 上記電子部品を吸着保持するボンディングツールと、 このボンディングツールに上記ワークステージの面に対
して少なくとも垂直方向の振幅を有する超音波を印加可
能な超音波ホーンと、 上記ボンディングツールを上記ワークステージ側に加圧
する加圧機構とを備えていることを特徴とするボンディ
ング装置。 - 【請求項２】上記超音波ホーンは、その出力を漸次変化
可能に設けられていることを特徴とする請求項１に記載
のボンディング装置。 - 【請求項３】上記加圧機構は、その加圧力を漸次変化可
能に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の
ボンディング装置。 - 【請求項４】電極が形成された部品を少なくとも上記電
極を介して配線基板に実装する基板の製造方法におい
て、 上記電子部品を上記配線基板の所定位置に配置して上記
電子部品に主として上記基板がなす面の法線方向に振幅
を有する超音波を印加する超音波印加工程と、 この超音波印加工程と同時に、上記電子部品と上記配線
基板とを相対的に近接させる工程とを備えていることを
特徴とする基板の製造方法。 - 【請求項５】実質的に基板がなす面の法線方向にのみ振
幅を有する超音波を印加する超音波印加工程を備えてい
ることを特徴とする請求項４に記載の基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11230704A JP2001057376A (ja) | 1999-08-17 | 1999-08-17 | ボンディング装置及び基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11230704A JP2001057376A (ja) | 1999-08-17 | 1999-08-17 | ボンディング装置及び基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001057376A true JP2001057376A (ja) | 2001-02-27 |
Family
ID=16912017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11230704A Pending JP2001057376A (ja) | 1999-08-17 | 1999-08-17 | ボンディング装置及び基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001057376A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005142537A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-06-02 | Bondotekku:Kk | 縦振接合方法及び装置 |
| JP2005183459A (ja) * | 2003-12-16 | 2005-07-07 | Fujitsu Ltd | 電子部品のボンディング方法及び装置 |
-
1999
- 1999-08-17 JP JP11230704A patent/JP2001057376A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005142537A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-06-02 | Bondotekku:Kk | 縦振接合方法及び装置 |
| JP2005183459A (ja) * | 2003-12-16 | 2005-07-07 | Fujitsu Ltd | 電子部品のボンディング方法及び装置 |
| JP4585196B2 (ja) * | 2003-12-16 | 2010-11-24 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 電子部品のボンディング方法及び装置 |
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