JPH081390B2 - 故障検出回路付半導体センサ装置 - Google Patents
故障検出回路付半導体センサ装置Info
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- JPH081390B2 JPH081390B2 JP5273122A JP27312293A JPH081390B2 JP H081390 B2 JPH081390 B2 JP H081390B2 JP 5273122 A JP5273122 A JP 5273122A JP 27312293 A JP27312293 A JP 27312293A JP H081390 B2 JPH081390 B2 JP H081390B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，半導体センサに関し，
特に半導体加速度センサの梁折れ、アルミ配線の断線、
ゲ−ジ抵抗の断線等を確実に検出する故障検出回路付半
導体センサに関する。
特に半導体加速度センサの梁折れ、アルミ配線の断線、
ゲ−ジ抵抗の断線等を確実に検出する故障検出回路付半
導体センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体圧力センサや半導体加速度
センサといったゲ−ジ抵抗型半導体センサにおいては、
センサの故障、特にアルミ配線やゲ−ジ抵抗の断線や、
シリコンの薄膜部の破壊時の検出には、図３に示すよう
な故障検出回路を用いていた。
センサといったゲ−ジ抵抗型半導体センサにおいては、
センサの故障、特にアルミ配線やゲ−ジ抵抗の断線や、
シリコンの薄膜部の破壊時の検出には、図３に示すよう
な故障検出回路を用いていた。
【０００３】図３のセンサの場合には、駆動回路１によ
りセンサの感度温度特性を補償していた。 補償方法を
簡単に説明すると、センサの感度特性と逆の温度特性を
駆動回路１に持たせて、センサの駆動電圧を温度変化に
対して変えることによりセンサの感度温度特性を補償し
ていた。
りセンサの感度温度特性を補償していた。 補償方法を
簡単に説明すると、センサの感度特性と逆の温度特性を
駆動回路１に持たせて、センサの駆動電圧を温度変化に
対して変えることによりセンサの感度温度特性を補償し
ていた。
【０００４】センサの故障検出は、センサブリッジ２の
駆動電圧Ｖｂを検出して、コンパレ−タＣＰ２１により
基準電圧と比較して行っていた。
駆動電圧Ｖｂを検出して、コンパレ−タＣＰ２１により
基準電圧と比較して行っていた。
【０００５】１例として、センサブリッジ２の駆動電圧
Ｖｂを３Ｖとして説明する。 半導体センサの感度温度
特性は、定電圧で駆動した場合、−４０及至９０℃で±
１５％程度ある。
Ｖｂを３Ｖとして説明する。 半導体センサの感度温度
特性は、定電圧で駆動した場合、−４０及至９０℃で±
１５％程度ある。
【０００６】従ってこの温度特性を補償するために、ブ
リッジ駆動電圧は±１５％変化するので、２．５３Ｖ及
至３．４５Ｖとなる。
リッジ駆動電圧は±１５％変化するので、２．５３Ｖ及
至３．４５Ｖとなる。
【０００７】従来の半導体センサ用の故障検出回路で
は、センサブリッジ２が断線故障した場合、駆動電圧Ｖ
ｂが電源電圧と等電圧になることから、コンパレ−タＣ
Ｐ２１の基準電圧を４Ｖ程度にしてセンサの故障時に
は、コンパレ−タＣＰ２１の出力を、図３の回路の場合
には、低レベル電圧の出力をしていた。
は、センサブリッジ２が断線故障した場合、駆動電圧Ｖ
ｂが電源電圧と等電圧になることから、コンパレ−タＣ
Ｐ２１の基準電圧を４Ｖ程度にしてセンサの故障時に
は、コンパレ−タＣＰ２１の出力を、図３の回路の場合
には、低レベル電圧の出力をしていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
センサ用故障検出回路においては、以下の欠点があっ
た。
センサ用故障検出回路においては、以下の欠点があっ
た。
【０００９】（１）センサブリッジの１辺、例えば抵抗
１本やアルミ配線１箇所が断線しても検出できない。
１本やアルミ配線１箇所が断線しても検出できない。
【００１０】（２）センサブリッジの片側、つまり図３
の抵抗Ｒ１とＲ４，または抵抗Ｒ３とＲ２の２辺が断線
しても検出できない。
の抵抗Ｒ１とＲ４，または抵抗Ｒ３とＲ２の２辺が断線
しても検出できない。
【００１１】（３）センサブリッジの出力端子のワイヤ
が断線しても、検出できない。
が断線しても、検出できない。
【００１２】本発明の目的は上述の欠点を除去すること
により、半導体センサブリッジのアルミ断線、ワイヤ切
れ、シリコン破壊等を確実に検出することにある。
により、半導体センサブリッジのアルミ断線、ワイヤ切
れ、シリコン破壊等を確実に検出することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】半導体基部に形成された
変形可能部に不純物を導入したピエゾ抵抗でホイ−トス
トンブリッジ回路を構成し、該ホイ−トストンブリッジ
回路を第１電源と第２電源間に接続して成るセンサ部
と、該センサ部の異常を検出するためセンサ部に接続さ
れた故障検出回路とを備えた半導体センサ装置に係り、
その要旨は故障検出回路を上記ホイ−トストンブリッジ
回路の第１出力ノ−ドに接続された第１反転入力ノ−ド
と第１非反転入力ノ−ドを有し、第１非反転入力ノ−ド
の電圧が第１反転入力ノ−ドの電圧より高いと第１出力
信号を検出レベルとする第１比較器と； 第２反転入力
ノ−ドと上記第１出力ノ−ドに接続された第２非反転入
力ノ−ドとを有し、第２非反転入力ノ−ドの電圧が第２
反転入力ノ−ドの電圧より高いと第２出力信号を上記検
出レベルとする第２比較器と； 上記ホイ−トストンブ
リッジ回路の第２出力ノ−ドに接続された第３反転入力
ノ−ドと第３非反転入力ノードとを有し、第３非反転入
力ノードの電圧が第３反転入力ノードの電圧より高くな
ると第３出力信号を検出レベルとする第３比較器と；
第４反転入力ノ−ドと上記第２出力ノ−ドに接続された
第４非反転入力ノ−ドとを有し、第４非反転入力ノ−ド
の電圧が第４反転入力ノ−ドの電圧より高くなると第４
出力信号を検出レベルとする第４比較器と； 第１出力
信号及至第４出力信号の供給される検出信号出力端子
と； 第１比較器の第１非反転入力ノ−ドに第１参照電
圧を第２比較器の第２反転入力ノ−ドに第２参照電圧を
それぞれ供給する第１参照電圧発生回路と； 上記第１
出力ノ−ドと上記第２電源との間に接続された第１高抵
抗体と； 上記第３比較器の第３非反転入力ノ−ドに第
３参照電圧を、上記第４比較器の第４反転入力ノ−ドに
第４参照電圧をそれぞれ供給する第２参照電圧発生回路
と； 上記第２出力ノードと上記第２電源との間に接続
された第２高抵抗体とで構成したことである。
変形可能部に不純物を導入したピエゾ抵抗でホイ−トス
トンブリッジ回路を構成し、該ホイ−トストンブリッジ
回路を第１電源と第２電源間に接続して成るセンサ部
と、該センサ部の異常を検出するためセンサ部に接続さ
れた故障検出回路とを備えた半導体センサ装置に係り、
その要旨は故障検出回路を上記ホイ−トストンブリッジ
回路の第１出力ノ−ドに接続された第１反転入力ノ−ド
と第１非反転入力ノ−ドを有し、第１非反転入力ノ−ド
の電圧が第１反転入力ノ−ドの電圧より高いと第１出力
信号を検出レベルとする第１比較器と； 第２反転入力
ノ−ドと上記第１出力ノ−ドに接続された第２非反転入
力ノ−ドとを有し、第２非反転入力ノ−ドの電圧が第２
反転入力ノ−ドの電圧より高いと第２出力信号を上記検
出レベルとする第２比較器と； 上記ホイ−トストンブ
リッジ回路の第２出力ノ−ドに接続された第３反転入力
ノ−ドと第３非反転入力ノードとを有し、第３非反転入
力ノードの電圧が第３反転入力ノードの電圧より高くな
ると第３出力信号を検出レベルとする第３比較器と；
第４反転入力ノ−ドと上記第２出力ノ−ドに接続された
第４非反転入力ノ−ドとを有し、第４非反転入力ノ−ド
の電圧が第４反転入力ノ−ドの電圧より高くなると第４
出力信号を検出レベルとする第４比較器と； 第１出力
信号及至第４出力信号の供給される検出信号出力端子
と； 第１比較器の第１非反転入力ノ−ドに第１参照電
圧を第２比較器の第２反転入力ノ−ドに第２参照電圧を
それぞれ供給する第１参照電圧発生回路と； 上記第１
出力ノ−ドと上記第２電源との間に接続された第１高抵
抗体と； 上記第３比較器の第３非反転入力ノ−ドに第
３参照電圧を、上記第４比較器の第４反転入力ノ−ドに
第４参照電圧をそれぞれ供給する第２参照電圧発生回路
と； 上記第２出力ノードと上記第２電源との間に接続
された第２高抵抗体とで構成したことである。
【００１４】
【発明の作用】上記構成に係る故障検出回路はホイ−ト
ストンブリッジ回路の第１出力ノ−ドおよび第２出力ノ
−ドのいずれか一方の電圧に異常が発生すると、第１比
較器及至第４比較器のいずれかが異常を検出し、検出信
号出力端子を検出レベルとする。
ストンブリッジ回路の第１出力ノ−ドおよび第２出力ノ
−ドのいずれか一方の電圧に異常が発生すると、第１比
較器及至第４比較器のいずれかが異常を検出し、検出信
号出力端子を検出レベルとする。
【００１５】
【実施例】前述したように、従来の半導体センサの故障
検出回路では、センサブリッジに電流が流れないような
箇所が断線しない限り、故障が検出できなかったが、本
発明の故障検出回路では、センサブリッジのどこか１点
が断線しただけで、故障が検出できるという相違点を有
する。
検出回路では、センサブリッジに電流が流れないような
箇所が断線しない限り、故障が検出できなかったが、本
発明の故障検出回路では、センサブリッジのどこか１点
が断線しただけで、故障が検出できるという相違点を有
する。
【００１６】以下、この発明の一実施例を図１を用いて
説明する。
説明する。
【００１７】図１は半導体センサの一例としての半導体
加速度センサを示す回路図である。
加速度センサを示す回路図である。
【００１８】図１においては、センサブリッジ２は、抵
抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４により構成している。この抵
抗Ｒ１及至Ｒ４は、加速度（振動）が半導体加速度セン
サに加わった場合に、抵抗値変化を起こして、加速度
（振動）を電気信号に変換する。
抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４により構成している。この抵
抗Ｒ１及至Ｒ４は、加速度（振動）が半導体加速度セン
サに加わった場合に、抵抗値変化を起こして、加速度
（振動）を電気信号に変換する。
【００１９】センサブリッジ２は、図３に示す従来例と
同様に駆動回路１により、低電圧駆動されている。但
し、この駆動回路１は、センサの感度温度補償をするた
めに、温度により駆動電圧を変化させる機能を持つ。
同様に駆動回路１により、低電圧駆動されている。但
し、この駆動回路１は、センサの感度温度補償をするた
めに、温度により駆動電圧を変化させる機能を持つ。
【００２０】センサブリッジ２の出力端子Ｖｓ＋は、コ
ンパレ−タＣＰ１の反転入力端子及びＣＰ２の非反転入
力端子に接続される。またセンサブリッジ２の出力端子
Ｖｓ＋は、ブリッジを構成している抵抗Ｒ１及至Ｒ４よ
り十分に大きい値（少なくとも２０倍以上）を持つ抵抗
Ｒ５にて接地電位に接続する。
ンパレ−タＣＰ１の反転入力端子及びＣＰ２の非反転入
力端子に接続される。またセンサブリッジ２の出力端子
Ｖｓ＋は、ブリッジを構成している抵抗Ｒ１及至Ｒ４よ
り十分に大きい値（少なくとも２０倍以上）を持つ抵抗
Ｒ５にて接地電位に接続する。
【００２１】コンパレ−タＣＰ１の非反転入力端子及び
ＣＰ２の反転入力端子は、例えば電源電圧を抵抗分割す
る方法等により形成した基準電圧に接続する。ここで、
コンパレ−タＣＰ１及至４は非反転入力のレベルが反転
入力のレベルより大きければ、その出力は低レベルにな
るものとする。この回路構成は、一般にウィンドウコン
パレ−タと称される。
ＣＰ２の反転入力端子は、例えば電源電圧を抵抗分割す
る方法等により形成した基準電圧に接続する。ここで、
コンパレ−タＣＰ１及至４は非反転入力のレベルが反転
入力のレベルより大きければ、その出力は低レベルにな
るものとする。この回路構成は、一般にウィンドウコン
パレ−タと称される。
【００２２】センサブリッジ２のもう一方の出力端子で
あるＶｓ−側にも同様にコンパレ−タＣＰ３，ＣＰ４に
よってウィンドウコンパレ−タを構成する。
あるＶｓ−側にも同様にコンパレ−タＣＰ３，ＣＰ４に
よってウィンドウコンパレ−タを構成する。
【００２３】次に、ウィンドウコンパレ−タの動作につ
いて説明する。
いて説明する。
【００２４】ウィンドウコンパレ−タでは、２つのコン
パレ−タの出力端子を共通接続して論理回路のＡＮＤ回
路を構成することから、入力電圧がある一定の電圧範囲
外になると異常として検出する機能を有している。
パレ−タの出力端子を共通接続して論理回路のＡＮＤ回
路を構成することから、入力電圧がある一定の電圧範囲
外になると異常として検出する機能を有している。
【００２５】図１の場合には、その正常な電圧の範囲は
ブリッジ駆動電圧Ｖｂの（１／２）±１５％である。従
って、Ｖｂ＝３Ｖの場合には１．５Ｖ±２２５ｍＶ、つ
まり１．２７５及至１．７２５Ｖとなる。通常、抵抗等
の変動を考慮して電圧範囲を少し広めに設定するので、
１．２及至１．８Ｖ程度とすると、Ｖｓ＋の電圧範囲と
コンパレ−タの出力電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２，Ｖｃ３は、表
１の関係になる。
ブリッジ駆動電圧Ｖｂの（１／２）±１５％である。従
って、Ｖｂ＝３Ｖの場合には１．５Ｖ±２２５ｍＶ、つ
まり１．２７５及至１．７２５Ｖとなる。通常、抵抗等
の変動を考慮して電圧範囲を少し広めに設定するので、
１．２及至１．８Ｖ程度とすると、Ｖｓ＋の電圧範囲と
コンパレ−タの出力電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２，Ｖｃ３は、表
１の関係になる。
【００２６】
【表１】
【００２７】図１の場合には、ウィンドウコンパレ−タ
が２組あり、それぞれのウィンドウコンパレ−タは、コ
ンパレ−タＣＰ１とＣＰ３が正常電圧の上限電圧を、コ
ンパレ−タＣＰ２とＣＰ４が正常電圧の下限電圧を分担
し、センサの出力端子の電位を表１に示した動作で監視
している。また、ウィンドウコンパレ−タの出力端子が
短絡されてＡＮＤ回路を構成しているので、センサブリ
ッジ２の出力電圧Ｖｓ＋とＶｓ−の少なくとも一方の出
力電圧が正常な電圧範囲を越えると、異常と検出でき
る。
が２組あり、それぞれのウィンドウコンパレ−タは、コ
ンパレ−タＣＰ１とＣＰ３が正常電圧の上限電圧を、コ
ンパレ−タＣＰ２とＣＰ４が正常電圧の下限電圧を分担
し、センサの出力端子の電位を表１に示した動作で監視
している。また、ウィンドウコンパレ−タの出力端子が
短絡されてＡＮＤ回路を構成しているので、センサブリ
ッジ２の出力電圧Ｖｓ＋とＶｓ−の少なくとも一方の出
力電圧が正常な電圧範囲を越えると、異常と検出でき
る。
【００２８】次に、具体的に半導体センサの故障モ−ド
と、本発明の故障検出回路の動作の関係を説明する。
と、本発明の故障検出回路の動作の関係を説明する。
【００２９】半導体加速度センサの場合には、その構造
がいろいろあるが、基本的には図２に示したようにシリ
コンをエッチング加工等により薄膜化した梁部３１に加
速度（振動）を検出するための検出素子として、ゲ−ジ
抵抗Ｒ１を形成している。少なくとも１つの梁部には１
本のゲ−ジ抵抗が形成されている。特に図３の例では、
梁部３１は、半導体加速度センサに４箇所形成してい
て、各々の抵抗をＲ１及至Ｒ４とする。
がいろいろあるが、基本的には図２に示したようにシリ
コンをエッチング加工等により薄膜化した梁部３１に加
速度（振動）を検出するための検出素子として、ゲ−ジ
抵抗Ｒ１を形成している。少なくとも１つの梁部には１
本のゲ−ジ抵抗が形成されている。特に図３の例では、
梁部３１は、半導体加速度センサに４箇所形成してい
て、各々の抵抗をＲ１及至Ｒ４とする。
【００３０】この図２の例で想定可能な断線故障モ−ド
を表２に示す。
を表２に示す。
【００３１】
【表２】
【００３２】例えば、ブリッジ抵抗Ｒ１、または駆動回
路１の出力電圧ＶｂとＶｓ＋間の配線が断線したとする
と、センサブリッジ２の出力電圧Ｖｓ＋は、Ｒ５により
接地電位と等電位となる。これは、表１に示したように
設定電圧範囲の下限電圧より低いのでコンパレ−タＣＰ
１の出力ＶＣ１は高（Ｈｉｇｈ）レベルに、コンパレ−
タＣＰ２の出力ＶＣ２は低（Ｌｏｗ）レベルになり、ウ
ィンドウコンパレータは、異常と見なして低（Ｌｏｗ）
レベルの電圧を出力する（ＶＣ３）。
路１の出力電圧ＶｂとＶｓ＋間の配線が断線したとする
と、センサブリッジ２の出力電圧Ｖｓ＋は、Ｒ５により
接地電位と等電位となる。これは、表１に示したように
設定電圧範囲の下限電圧より低いのでコンパレ−タＣＰ
１の出力ＶＣ１は高（Ｈｉｇｈ）レベルに、コンパレ−
タＣＰ２の出力ＶＣ２は低（Ｌｏｗ）レベルになり、ウ
ィンドウコンパレータは、異常と見なして低（Ｌｏｗ）
レベルの電圧を出力する（ＶＣ３）。
【００３３】次にブリッジ抵抗Ｒ４，またはセンサブリ
ッジ２の出力電圧Ｖｓ＋とＧＮＤ間の配線が断線した場
合には、センサブリッジ２の出力電圧Ｖｓ＋は、駆動回
路１のブリッジ駆動電圧と等電位になる。これは、表１
に示した設定電圧範囲の上限より電圧が高いのでコンパ
レ−タＣＰ１の出力ＶＣ１は低（Ｌｏｗ）レベルとな
り、コンパレ−タＣＰ２の出力ＶＣ２は高（Ｈｉｇｈ）
レベルとなって、ウィンドウコンパレ−タは、異常と見
なして低（Ｌｏｗ）レベルの電圧を出力する（ＶＣ
３）。
ッジ２の出力電圧Ｖｓ＋とＧＮＤ間の配線が断線した場
合には、センサブリッジ２の出力電圧Ｖｓ＋は、駆動回
路１のブリッジ駆動電圧と等電位になる。これは、表１
に示した設定電圧範囲の上限より電圧が高いのでコンパ
レ−タＣＰ１の出力ＶＣ１は低（Ｌｏｗ）レベルとな
り、コンパレ−タＣＰ２の出力ＶＣ２は高（Ｈｉｇｈ）
レベルとなって、ウィンドウコンパレ−タは、異常と見
なして低（Ｌｏｗ）レベルの電圧を出力する（ＶＣ
３）。
【００３４】表２の故障モ−ドの場合、いずれもセンサ
ブリッジ２の出力電圧Ｖｓ＋、Ｖｓ−のうち、少なくと
も一方が駆動回路１のブリッジ駆動電圧もしくは接地電
圧になるので、本発明の半導体センサの故障検出回路に
て、故障が検出できる。
ブリッジ２の出力電圧Ｖｓ＋、Ｖｓ−のうち、少なくと
も一方が駆動回路１のブリッジ駆動電圧もしくは接地電
圧になるので、本発明の半導体センサの故障検出回路に
て、故障が検出できる。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明はセンサブ
リッジの感度温度補償をする駆動回路をセンサブリッジ
に接続し、センサブリッジの一方の出力を反転入力端に
入力する第１のコンパレ−タと、非反転入力端に入力す
る第２のコンパレ−タと、センサブリッジの他方の出力
を反転入力端に入力する第３のコンパレ−タと、非反転
入力端に入力する第４のコンパレ−タの各コンパレ−タ
の出力をモニタ出力端から外部回路へ出力して故障を検
出できるように構成することにより、以下の効果があ
る。
リッジの感度温度補償をする駆動回路をセンサブリッジ
に接続し、センサブリッジの一方の出力を反転入力端に
入力する第１のコンパレ−タと、非反転入力端に入力す
る第２のコンパレ−タと、センサブリッジの他方の出力
を反転入力端に入力する第３のコンパレ−タと、非反転
入力端に入力する第４のコンパレ−タの各コンパレ−タ
の出力をモニタ出力端から外部回路へ出力して故障を検
出できるように構成することにより、以下の効果があ
る。
【００３６】（１）センサブリッジ上の配線のいかなる
位置の断線も検出できる。
位置の断線も検出できる。
【００３７】（２）シリコン基板のいかなる位置のクラ
ック、破壊についても検出できる。
ック、破壊についても検出できる。
【００３８】（３）センサブリッジのいかなるワイヤが
断線しても検出できる。
断線しても検出できる。
【００３９】上述のように、本発明の故障検出回路の高
い故障検出能力により、もしセンサが故障した場合には
確実にこれを検出して、センサブリッジの出力電圧と独
立にこれを外部回路に伝えることが可能であり、半導体
センサの故障検出能率の向上に寄与する効果を有する。
い故障検出能力により、もしセンサが故障した場合には
確実にこれを検出して、センサブリッジの出力電圧と独
立にこれを外部回路に伝えることが可能であり、半導体
センサの故障検出能率の向上に寄与する効果を有する。
【図１】本発明の半導体センサ装置の一実施例を示す回
路図である。
路図である。
【図２】一実施例の構造を示す斜視図である。
【図３】従来の半導体センサ用の故障検出回路を示す回
路図である。
路図である。
１ 駆動回路 ２ センサブリッジ Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４ センサのブリッジ抵抗（ゲ
−ジ抵抗） Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２ 電位調
整用の抵抗 ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３、ＣＰ４、ＣＰ２１ コンパ
レ−タ
−ジ抵抗） Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２ 電位調
整用の抵抗 ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３、ＣＰ４、ＣＰ２１ コンパ
レ−タ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/84 Ａ
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基部に形成された変形可能部に不
純物を導入したピエゾ抵抗でホイ−トストンブリッジ回
路を構成し、該ホイ−トストンブリッジ回路を第１電源
と第２電源間に接続して成るセンサ部と、該センサ部の
異常を検出するためセンサ部に接続された故障検出回路
とを備えた半導体センサ装置において、上記故障検出回
路は上記ホイ−トストンブリッジ回路の第１出力ノ−ド
に接続された第１反転入力ノ−ドと第１非反転入力ノ−
ドを有し、第１非反転入力ノ−ドの電圧が第１反転入力
ノ−ドの電圧より高いと第１出力信号を検出レベルとす
る第１比較器と； 第２反転入力ノ−ドと上記第１出力
ノ−ドに接続された第２非反転入力ノ−ドとを有し、第
２非反転入力ノ−ドの電圧が第２反転入力ノ−ドの電圧
より高いと第２出力信号を上記検出レベルとする第２比
較器と； 上記ホイ−トストンブリッジ回路の第２出力
ノ−ドに接続された第３反転入力ノ−ドと第３非反転入
力ノードとを有し、第３非反転入力ノードの電圧が第３
反転入力ノードの電圧より高くなると第３出力信号を検
出レベルとする第３比較器と； 第４反転入力ノ−ドと
上記第２出力ノ−ドに接続された第４非反転入力ノ−ド
とを有し、第４非反転入力ノ−ドの電圧が第４反転入力
ノ−ドの電圧より高くなると第４出力信号を検出レベル
とする第４比較器と； 第１出力信号及至第４出力信号
の供給される検出信号出力端子と； 第１比較器の第１
非反転入力ノ−ドに第１参照電圧を第２比較器の第２反
転入力ノ−ドに第２参照電圧をそれぞれ供給する第１参
照電圧発生回路と； 上記第１出力ノ−ドと上記第２電
源との間に接続された第１高抵抗体と； 上記第３比較
器の第３非反転入力ノ−ドに第３参照電圧を、上記第４
比較器の第４反転入力ノ−ドに第４参照電圧をそれぞれ
供給する第２参照電圧発生回路と； 上記第２出力ノー
ドと上記第２電源との間に接続された第２高抵抗体とを
有することを特徴とする半導体センサ装置。 - 【請求項２】 上記第１電源は上記ホイ−トストンブリ
ッジ回路に対する温度補償をする温度補償回路である請
求項１記載の半導体センサ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5273122A JPH081390B2 (ja) | 1992-10-07 | 1993-10-05 | 故障検出回路付半導体センサ装置 |
Applications Claiming Priority (3)
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|---|---|---|---|
| JP26829492 | 1992-10-07 | ||
| JP4-268294 | 1992-10-07 | ||
| JP5273122A JPH081390B2 (ja) | 1992-10-07 | 1993-10-05 | 故障検出回路付半導体センサ装置 |
Publications (2)
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| JPH081390B2 true JPH081390B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=26548251
Family Applications (1)
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| JP5273122A Expired - Lifetime JPH081390B2 (ja) | 1992-10-07 | 1993-10-05 | 故障検出回路付半導体センサ装置 |
Country Status (1)
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1993
- 1993-10-05 JP JP5273122A patent/JPH081390B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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