JPH08133841A - セラミックスコンポジット基材 - Google Patents
セラミックスコンポジット基材Info
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- JPH08133841A JPH08133841A JP28030494A JP28030494A JPH08133841A JP H08133841 A JPH08133841 A JP H08133841A JP 28030494 A JP28030494 A JP 28030494A JP 28030494 A JP28030494 A JP 28030494A JP H08133841 A JPH08133841 A JP H08133841A
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- JP
- Japan
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- linear expansion
- boron nitride
- ceramic composite
- expansion coefficient
- composite substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Ceramic Products (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 この基材を用いたセラミックスヒーター、静
電チャック、静電チャック付セラミックスヒーターなど
を 100℃〜 1,000℃の範囲での昇降温テストでも層間剥
離がなく、クラック発生を防止し得るセラミックスコン
ポジット基材を提供する。 【構成】 本発明のセラミックスコンポジット基材は、
ホットプレス法により製造された窒化ほう素と窒化アル
ミニウムとの混合焼結体で、成形プレス軸に対して垂直
方向の線膨張係数β1 と、平行方向の線膨張係数β2 と
の異方度（β1/β2 ）が 1/3≦β1/β2 ≦３で、この線
膨張係数β1 、β2 が 0.3×10-6／℃≦β1 ≦３×10-6
／℃、 0.3×10-6／℃≦β2 ≦３×10-6／℃であること
を特徴とするものである。
電チャック、静電チャック付セラミックスヒーターなど
を 100℃〜 1,000℃の範囲での昇降温テストでも層間剥
離がなく、クラック発生を防止し得るセラミックスコン
ポジット基材を提供する。 【構成】 本発明のセラミックスコンポジット基材は、
ホットプレス法により製造された窒化ほう素と窒化アル
ミニウムとの混合焼結体で、成形プレス軸に対して垂直
方向の線膨張係数β1 と、平行方向の線膨張係数β2 と
の異方度（β1/β2 ）が 1/3≦β1/β2 ≦３で、この線
膨張係数β1 、β2 が 0.3×10-6／℃≦β1 ≦３×10-6
／℃、 0.3×10-6／℃≦β2 ≦３×10-6／℃であること
を特徴とするものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はセラミックスコンポジッ
ト基材、特には半導体プロセスにおいて昇降温をくり返
しても導電体層と絶縁体層の剥離やクラック発生が起ら
ないセラミックスコンポジット基材に関するものであ
る。
ト基材、特には半導体プロセスにおいて昇降温をくり返
しても導電体層と絶縁体層の剥離やクラック発生が起ら
ないセラミックスコンポジット基材に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程における半導
体ウエハの加熱には、従来金属線を巻いたヒーターが使
用されているが、これについてはセラミックス薄膜を発
熱体として使用したセラミックス一体型ヒーターの使用
も提案されている（特開平4-124076号公報参照）。ま
た、半導体ウエハの加熱に当っては、ヒーター上に半導
体ウエハを固定するために減圧雰囲気中で静電チャック
が使用されているが、プロセスの高温化に伴なってその
材質は樹脂からセラミックスに移行されており（特開昭
52-67353号公報、特開昭 59-124140号公報参照）、最近
ではこれらのセラミックスヒーターとセラミックス静電
チャックを合体した静電チャック付セラミックスヒータ
ーも提案されている（特開平4-358074号公報参照）。
体ウエハの加熱には、従来金属線を巻いたヒーターが使
用されているが、これについてはセラミックス薄膜を発
熱体として使用したセラミックス一体型ヒーターの使用
も提案されている（特開平4-124076号公報参照）。ま
た、半導体ウエハの加熱に当っては、ヒーター上に半導
体ウエハを固定するために減圧雰囲気中で静電チャック
が使用されているが、プロセスの高温化に伴なってその
材質は樹脂からセラミックスに移行されており（特開昭
52-67353号公報、特開昭 59-124140号公報参照）、最近
ではこれらのセラミックスヒーターとセラミックス静電
チャックを合体した静電チャック付セラミックスヒータ
ーも提案されている（特開平4-358074号公報参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この静電チャ
ック付セラミックスヒーターは基材に窒化ほう素焼結体
を使用しており、これが導電体層の熱分解グラファイト
および絶縁層の熱分解窒化ほう素と線膨張率が異なるた
めに、昇降温をくり返しているうちに熱応力によって層
の剥離やクラックの発生が起こるという問題点がある。
この問題点を解決するために窒化ほう素と窒化アルミニ
ウムとの混合焼結体からなる基材が開発されており、こ
のものは導電体層の熱分解グラファイト、絶縁層の熱分
解窒化ほう素と基材との線膨張率差が小さいために、昇
降温をくり返しても層の剥離やクラックの発生が防止さ
れるけれども、この基材をホットプレス法で加熱焼成し
て製造すると、加圧軸に対する垂直方向と平行方向とで
線膨張係数が大きく異なるために、基材の上面だけでな
く側面にもヒーター層を設けた複雑な構造のヒーターで
は上面の層は剥離しなくても側面の層が剥離するという
問題がある。
ック付セラミックスヒーターは基材に窒化ほう素焼結体
を使用しており、これが導電体層の熱分解グラファイト
および絶縁層の熱分解窒化ほう素と線膨張率が異なるた
めに、昇降温をくり返しているうちに熱応力によって層
の剥離やクラックの発生が起こるという問題点がある。
この問題点を解決するために窒化ほう素と窒化アルミニ
ウムとの混合焼結体からなる基材が開発されており、こ
のものは導電体層の熱分解グラファイト、絶縁層の熱分
解窒化ほう素と基材との線膨張率差が小さいために、昇
降温をくり返しても層の剥離やクラックの発生が防止さ
れるけれども、この基材をホットプレス法で加熱焼成し
て製造すると、加圧軸に対する垂直方向と平行方向とで
線膨張係数が大きく異なるために、基材の上面だけでな
く側面にもヒーター層を設けた複雑な構造のヒーターで
は上面の層は剥離しなくても側面の層が剥離するという
問題がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような不
利、問題点を解決したセラミックスコンポジット基材に
関するもので、これは窒化ほう素と窒化アルミニウムを
用いホットプレス法により製造された窒化ほう素と窒化
アルミニウムとの混合焼結体で、成形プレス軸に対して
垂直方向（⊥）の線膨張率β1 と、平行方向（‖）の線
膨張率β2 との異方度（β1/β2 ）が 1/3≦β1/β2 ≦
３でその線膨張係数β1 、β2 が 0.3×10-6／℃≦β1
≦３×10-6／℃、 0.3×10-6／℃≦β2 ≦３×10-6／℃
であることを特徴とするものである。
利、問題点を解決したセラミックスコンポジット基材に
関するもので、これは窒化ほう素と窒化アルミニウムを
用いホットプレス法により製造された窒化ほう素と窒化
アルミニウムとの混合焼結体で、成形プレス軸に対して
垂直方向（⊥）の線膨張率β1 と、平行方向（‖）の線
膨張率β2 との異方度（β1/β2 ）が 1/3≦β1/β2 ≦
３でその線膨張係数β1 、β2 が 0.3×10-6／℃≦β1
≦３×10-6／℃、 0.3×10-6／℃≦β2 ≦３×10-6／℃
であることを特徴とするものである。
【０００５】すなわち、本発明者らは加圧軸に対する垂
直方向と平行方向の線膨張率が大きく異なる窒化ほう素
と窒化アルミニウムとの混合焼結体の改善について種々
検討した結果、これについては窒化ほう素と窒化アルミ
ニウムとの混合焼結体を製造するときに使用する窒化ほ
う素をそのＧ．Ｉ．［Graphitization Index＝黒鉛化係
数］が20以上の値で、好ましくは 100以上、Ｌｃ［Latt
ice Constant＝格子定数］が 200Å未満、特に 100Å以
下のものとするとこの混合焼結体からなる基材の加圧軸
に対する垂直方向の線膨張率β1 と平行方向の線膨張率
β2 の差が小さいものとなり、これが 1/3≦β1/β2 ≦
３の範囲となるので、基材に導電体層や絶縁体層を形成
させた後、昇降温をくり返しても層の剥離、クラック等
の発生することがなくなるということを見出し、更にこ
の窒化ほう素についてはこれを比表面積 140m2/g以上の
ものとすれば基材の強度低下もなくなるということを確
認して本発明を完成させた。以下にこれをさらに詳述す
る。
直方向と平行方向の線膨張率が大きく異なる窒化ほう素
と窒化アルミニウムとの混合焼結体の改善について種々
検討した結果、これについては窒化ほう素と窒化アルミ
ニウムとの混合焼結体を製造するときに使用する窒化ほ
う素をそのＧ．Ｉ．［Graphitization Index＝黒鉛化係
数］が20以上の値で、好ましくは 100以上、Ｌｃ［Latt
ice Constant＝格子定数］が 200Å未満、特に 100Å以
下のものとするとこの混合焼結体からなる基材の加圧軸
に対する垂直方向の線膨張率β1 と平行方向の線膨張率
β2 の差が小さいものとなり、これが 1/3≦β1/β2 ≦
３の範囲となるので、基材に導電体層や絶縁体層を形成
させた後、昇降温をくり返しても層の剥離、クラック等
の発生することがなくなるということを見出し、更にこ
の窒化ほう素についてはこれを比表面積 140m2/g以上の
ものとすれば基材の強度低下もなくなるということを確
認して本発明を完成させた。以下にこれをさらに詳述す
る。
【０００６】
【作用】本発明はセラミックスコンポジット基材に関す
るものであり、これは前記したように窒化ほう素と窒化
アルミニウムを用いてホットプレス法で製造された窒化
ほう素と窒化アルミニウムとの混合焼結体で、成形プレ
ス軸に対して垂直方向の線膨張率β1 と平行方向の線膨
張率β2 との異方度（β1/β2 ）が 1/3≦β1/β2 ≦３
で、このβ1 およびβ2 がいずれも 0.3×10-6／℃≦β
1 ≦３×10-6／℃、 0.3×10-6／℃≦β2 ≦３×10-6／
℃であることを特徴とするものであるが、これにはその
線膨張率異方度（β1/β2 ）が 1/3〜３という小さいも
ので、このβ1 とβ2 との差も小さいので、この基材の
上に導電体層及び／又は絶縁層を形成したセラミックス
コンポジットは昇降温をくり返しても各層が剥離した
り、ここにクラックが発生しないので、これを長期間安
定して使用することができるという有利性が与えられ
る。
るものであり、これは前記したように窒化ほう素と窒化
アルミニウムを用いてホットプレス法で製造された窒化
ほう素と窒化アルミニウムとの混合焼結体で、成形プレ
ス軸に対して垂直方向の線膨張率β1 と平行方向の線膨
張率β2 との異方度（β1/β2 ）が 1/3≦β1/β2 ≦３
で、このβ1 およびβ2 がいずれも 0.3×10-6／℃≦β
1 ≦３×10-6／℃、 0.3×10-6／℃≦β2 ≦３×10-6／
℃であることを特徴とするものであるが、これにはその
線膨張率異方度（β1/β2 ）が 1/3〜３という小さいも
ので、このβ1 とβ2 との差も小さいので、この基材の
上に導電体層及び／又は絶縁層を形成したセラミックス
コンポジットは昇降温をくり返しても各層が剥離した
り、ここにクラックが発生しないので、これを長期間安
定して使用することができるという有利性が与えられ
る。
【０００７】しかし、この常法により得られた窒化ほう
素と窒化アルミニウムとの混合焼結体から得られたセラ
ミックスコンポジット基材は一般にその加圧軸に対して
垂直方向の線膨張率β1 と平行方向の線膨張係数β2 と
の差が大きく、この異方度（β1/β2 ）が大きいので、
これについて昇降温をくり返すとこの基材の上に形成さ
れた導電体層と絶縁体層が剥離し、ここにクラックが発
生するので、これはこの異方度を小さくする必要があ
る。したがって、本発明ではこの異方度が 1/3≦β1/β
2 ≦３好ましくは 2/5≦β1/β2 ≦２と定められ、この
β1 、β2 についても 0.3×10-6／℃≦β1 ≦３×10-6
／℃好ましくは 0.4×10-6／℃≦β1 ≦ 2.8×10-6／
℃、 0.3×10-6／℃≦β2 ≦３×10-6／℃好ましくは
0.4×10-6／℃≦β2 ≦ 2.8×10-6／℃と定められてお
り、これによればこの基体に導電体層や絶縁体層を形成
してなるセラミックスコンポジットにおいて昇降温をく
り返しても導電体層や絶縁体層の剥離、クラックの発生
が防止されることが確認された。
素と窒化アルミニウムとの混合焼結体から得られたセラ
ミックスコンポジット基材は一般にその加圧軸に対して
垂直方向の線膨張率β1 と平行方向の線膨張係数β2 と
の差が大きく、この異方度（β1/β2 ）が大きいので、
これについて昇降温をくり返すとこの基材の上に形成さ
れた導電体層と絶縁体層が剥離し、ここにクラックが発
生するので、これはこの異方度を小さくする必要があ
る。したがって、本発明ではこの異方度が 1/3≦β1/β
2 ≦３好ましくは 2/5≦β1/β2 ≦２と定められ、この
β1 、β2 についても 0.3×10-6／℃≦β1 ≦３×10-6
／℃好ましくは 0.4×10-6／℃≦β1 ≦ 2.8×10-6／
℃、 0.3×10-6／℃≦β2 ≦３×10-6／℃好ましくは
0.4×10-6／℃≦β2 ≦ 2.8×10-6／℃と定められてお
り、これによればこの基体に導電体層や絶縁体層を形成
してなるセラミックスコンポジットにおいて昇降温をく
り返しても導電体層や絶縁体層の剥離、クラックの発生
が防止されることが確認された。
【０００８】なお、この異方度（β1/β2 ）を小さくす
るには、基材の原料として結晶化度の大きい窒化ほう素
を使用してこれをホットプレス法などで焼結すると、粒
子の配向が強くなって線膨張率の異方度が大きくなるの
で、これには結晶化度の低い窒化ほう素を使用すればよ
いことから、この窒化ほう素については黒鉛化係数Ｇ．
Ｉ．が20以上のもの、また格子定数Ｌｃが 200Å未満の
ものとすればこの線膨張率の異方度（β1/β2 ）を 1/3
≦β1/β2 ≦３と小さくすることができ、昇降温をくり
返しても層間の剥離やクラックの発生を防止することが
できるが、この窒化ほう素についてはその比表面積が 1
40m2/g未満のものとするとその強度が低下するので、こ
れは比表面積が 140m2/g以上のものとすることがよい。
るには、基材の原料として結晶化度の大きい窒化ほう素
を使用してこれをホットプレス法などで焼結すると、粒
子の配向が強くなって線膨張率の異方度が大きくなるの
で、これには結晶化度の低い窒化ほう素を使用すればよ
いことから、この窒化ほう素については黒鉛化係数Ｇ．
Ｉ．が20以上のもの、また格子定数Ｌｃが 200Å未満の
ものとすればこの線膨張率の異方度（β1/β2 ）を 1/3
≦β1/β2 ≦３と小さくすることができ、昇降温をくり
返しても層間の剥離やクラックの発生を防止することが
できるが、この窒化ほう素についてはその比表面積が 1
40m2/g未満のものとするとその強度が低下するので、こ
れは比表面積が 140m2/g以上のものとすることがよい。
【０００９】本発明のセラミックスコンポジット基材は
窒化ほう素と窒化アルミニウムとの混合焼結体からなる
ものとされるが、これは窒化ほう素粉末と窒化アルミニ
ウムとをホットプレス法で焼結することによって得たも
のとすればよい。この場合の窒化ほう素粉末と窒化アル
ミニウム粉末の混合比率は重量比で窒化ほう素：窒化ア
ルミニウム＝95〜50：５〜50好ましくは95〜87：５〜13
とし、又、この窒化ほう素については上述の如くＧ．
Ｉ．が20以上のもの、好ましくは 100以上であり、Ｌｃ
が 200Å未満好ましくは 100Å以下とし、更に比表面積
が 140m2/g以上好ましくは 160m2/g以上としたものを用
いる。この窒化ほう素粉末と窒化アルミニウム粉末の混
合方法には特に限定はなく、乾式、湿式混合など均一に
混合できるものであればよく、一般にはエタノールなど
を媒体とした湿式混合が主に用いられるが、これはスプ
レードライヤーなどで乾燥して原料粉末を作ればよい。
窒化ほう素と窒化アルミニウムとの混合焼結体からなる
ものとされるが、これは窒化ほう素粉末と窒化アルミニ
ウムとをホットプレス法で焼結することによって得たも
のとすればよい。この場合の窒化ほう素粉末と窒化アル
ミニウム粉末の混合比率は重量比で窒化ほう素：窒化ア
ルミニウム＝95〜50：５〜50好ましくは95〜87：５〜13
とし、又、この窒化ほう素については上述の如くＧ．
Ｉ．が20以上のもの、好ましくは 100以上であり、Ｌｃ
が 200Å未満好ましくは 100Å以下とし、更に比表面積
が 140m2/g以上好ましくは 160m2/g以上としたものを用
いる。この窒化ほう素粉末と窒化アルミニウム粉末の混
合方法には特に限定はなく、乾式、湿式混合など均一に
混合できるものであればよく、一般にはエタノールなど
を媒体とした湿式混合が主に用いられるが、これはスプ
レードライヤーなどで乾燥して原料粉末を作ればよい。
【００１０】このようにして得られた混合粉末はこれを
ラバープレスなどの方法でＣＩＰ処理を行えばよく、こ
の焼成に当っては焼結助剤が用いられるが、この焼成助
剤は特に限定されず、これは焼結に好適なものを適宜選
択すればよい。この焼成はホットプレス法で温度 1,900
〜 2,000℃、圧力 100〜200kgf/cm2で行えばよいが、こ
の焼成は窒素ガス雰囲気で行なうことが望ましい。この
焼成により得られた複合焼結体は所定の形状に加工し、
ＣＶＤ法などにより導電体層の静電チャック用電極、ヒ
ーター層や、絶縁体層を形成させて静電チャック、静電
チャック付ヒーターやセラミックスヒーターなどとすれ
ばよい。
ラバープレスなどの方法でＣＩＰ処理を行えばよく、こ
の焼成に当っては焼結助剤が用いられるが、この焼成助
剤は特に限定されず、これは焼結に好適なものを適宜選
択すればよい。この焼成はホットプレス法で温度 1,900
〜 2,000℃、圧力 100〜200kgf/cm2で行えばよいが、こ
の焼成は窒素ガス雰囲気で行なうことが望ましい。この
焼成により得られた複合焼結体は所定の形状に加工し、
ＣＶＤ法などにより導電体層の静電チャック用電極、ヒ
ーター層や、絶縁体層を形成させて静電チャック、静電
チャック付ヒーターやセラミックスヒーターなどとすれ
ばよい。
【００１１】
【実施例】つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。 実施例１〜２、比較例１〜３ 比表面積、Ｌｃ（格子定数）およびＧ．Ｉ．（黒鉛化係
数）が表１に示したとおりの４種類の窒化ほう素90〜95
重量部と窒化アルミニウム10〜５重量部とをエタノール
を媒体として16時間湿式混合し、得られたスラリーをス
プレードライヤーで乾燥させて原料粉末混合物を作り、
これをホットプレス法で 2,000℃で60分間、150kgf/cm2
の窒素雰囲気中で加圧焼結させて複合焼結体を作製し、
この複合焼結体の密度、加圧軸に対して垂直方向の線膨
張率β1 と平行方向の線膨張率β2 を測定し、その異方
度およびＣＶＤ法により導電体層となる熱分解グラファ
イト（ＰＧ）層および絶縁体層となる熱分解窒化ほう素
（ＰＢＮ）層の形成の際それらのコーティング性をしら
べたところ、表２に示したとおりの結果が得られた。
数）が表１に示したとおりの４種類の窒化ほう素90〜95
重量部と窒化アルミニウム10〜５重量部とをエタノール
を媒体として16時間湿式混合し、得られたスラリーをス
プレードライヤーで乾燥させて原料粉末混合物を作り、
これをホットプレス法で 2,000℃で60分間、150kgf/cm2
の窒素雰囲気中で加圧焼結させて複合焼結体を作製し、
この複合焼結体の密度、加圧軸に対して垂直方向の線膨
張率β1 と平行方向の線膨張率β2 を測定し、その異方
度およびＣＶＤ法により導電体層となる熱分解グラファ
イト（ＰＧ）層および絶縁体層となる熱分解窒化ほう素
（ＰＢＮ）層の形成の際それらのコーティング性をしら
べたところ、表２に示したとおりの結果が得られた。
【００１２】
【表１】
【表２】
【００１３】ついで、この基材にＣＶＤ法により導電体
層の熱分解グラファイト膜を形成し、常法により電極パ
ターンとヒーターパターンを形成し更にその上にＣＶＤ
法により絶縁体層の熱分解窒化ほう素膜をコーティング
して静電チャック付セラミックスヒーターを製作し、こ
のようにして製作した静電チャック付セラミックスヒー
ターを装置に装着し、10-5Torrで 100℃と 1,000℃との
間で昇降温をくり返して剥離やクラックの発生の有無を
しらべたところ、実施例１、２で得られた基材を用いた
ものは昇降温を 100回くり返しても剥離は発生しなかっ
たが、比較例１〜３で得られた基材を用いたものはいず
れも昇降温30回程度のくり返しで加圧軸に対して平行な
方向で剥離が発生した。
層の熱分解グラファイト膜を形成し、常法により電極パ
ターンとヒーターパターンを形成し更にその上にＣＶＤ
法により絶縁体層の熱分解窒化ほう素膜をコーティング
して静電チャック付セラミックスヒーターを製作し、こ
のようにして製作した静電チャック付セラミックスヒー
ターを装置に装着し、10-5Torrで 100℃と 1,000℃との
間で昇降温をくり返して剥離やクラックの発生の有無を
しらべたところ、実施例１、２で得られた基材を用いた
ものは昇降温を 100回くり返しても剥離は発生しなかっ
たが、比較例１〜３で得られた基材を用いたものはいず
れも昇降温30回程度のくり返しで加圧軸に対して平行な
方向で剥離が発生した。
【００１４】
【発明の効果】本発明のセラミックスコンポジット基材
は、前記したようにホットプレス法により製造された窒
化ほう素と窒化アルミニウムとの混合焼結体で、成形プ
レス軸に対する垂直方向の線膨張率β1 と水平方向の線
膨張率β2 との異方度（β1/β2 ）が 1/3≦β1/β2 ≦
３で、かつその線膨張率β1 、β2 が 0.3×10-6／℃≦
β1 ≦３×10-6／℃、 0.3×10-6／℃≦β2 ≦３×10-6
／℃であることを特徴とするものであるが、この基材に
はβ1 とβ2 との差も小さいので、これを用いた機器に
は昇降温をくり返しても層間剥離やクラックの発生が防
止されるという有利性が与えられる。
は、前記したようにホットプレス法により製造された窒
化ほう素と窒化アルミニウムとの混合焼結体で、成形プ
レス軸に対する垂直方向の線膨張率β1 と水平方向の線
膨張率β2 との異方度（β1/β2 ）が 1/3≦β1/β2 ≦
３で、かつその線膨張率β1 、β2 が 0.3×10-6／℃≦
β1 ≦３×10-6／℃、 0.3×10-6／℃≦β2 ≦３×10-6
／℃であることを特徴とするものであるが、この基材に
はβ1 とβ2 との差も小さいので、これを用いた機器に
は昇降温をくり返しても層間剥離やクラックの発生が防
止されるという有利性が与えられる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｂ 3/14 Ｂ 0380−3Ｋ 3/18 0380−3Ｋ (72)発明者 久保田 芳宏 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越化 学工業株式会社精密機能材料研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】 窒化ほう素と窒化アルミニウムを用いホ
ットプレス法により製造された窒化ほう素と窒化アルミ
ニウムとの混合焼結体で、成形プレス軸に対して垂直方
向（⊥）の線膨張係数β1 と、平行方向（‖）の線膨張
率β2 との異方度（β1/β2 ）が 1/3≦β1/β2 ≦３
で、その線膨張係数β1 、β2 が 0.3×10-6／℃≦β1
≦３×10-6／℃、 0.3×10-6／℃≦β2 ≦３×10-6／℃
であることを特徴とするセラミックスコンポジット基
材。 - 【請求項２】 窒化ほう素がＧ．Ｉ．（Graphitization
Index）20以上のものである請求項１に記載したセラミ
ックスコンポジット基材。 - 【請求項３】 窒化ほう素がＬｃ（Lattice Constant）
200Å未満のものである請求項１に記載したセラミック
スコンポジット基材。 - 【請求項４】 窒化ほう素が比表面積 140m2/g以上のも
のである請求項１に記載したセラミックスコンポジット
基材。 - 【請求項５】 セラミックスコンポジット基材がセラミ
ックスヒーター用基材、静電チャック基材、静電チャッ
ク付セラミックスヒーター用基材とされる請求項１に記
載したセラミックスコンポジット基材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28030494A JPH08133841A (ja) | 1994-11-15 | 1994-11-15 | セラミックスコンポジット基材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28030494A JPH08133841A (ja) | 1994-11-15 | 1994-11-15 | セラミックスコンポジット基材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08133841A true JPH08133841A (ja) | 1996-05-28 |
Family
ID=17623130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28030494A Pending JPH08133841A (ja) | 1994-11-15 | 1994-11-15 | セラミックスコンポジット基材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08133841A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008001536A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Osaka Univ | 窒化アルミニウム・窒化ホウ素複合粉末およびその製造方法 |
| JP2008127226A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 窒化物複合焼結体の製造方法 |
| US7420198B2 (en) | 2004-09-10 | 2008-09-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile memory cells employing a transition metal oxide layer as a data storage material layer and methods of manufacturing the same |
-
1994
- 1994-11-15 JP JP28030494A patent/JPH08133841A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7420198B2 (en) | 2004-09-10 | 2008-09-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile memory cells employing a transition metal oxide layer as a data storage material layer and methods of manufacturing the same |
| US7741669B2 (en) | 2004-09-10 | 2010-06-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory cells employing a transition metal oxide layers as a data storage material layer and methods of manufacturing the same |
| US7994557B2 (en) | 2004-09-10 | 2011-08-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile memory cells employing a transition metal oxide layer as a data storage material layer and methods of manufacturing the same |
| JP2008001536A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Osaka Univ | 窒化アルミニウム・窒化ホウ素複合粉末およびその製造方法 |
| JP2008127226A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 窒化物複合焼結体の製造方法 |
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