JPH08130279A - 半導体装置の構造及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置の構造及びその製造方法Info
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- JPH08130279A JPH08130279A JP26656894A JP26656894A JPH08130279A JP H08130279 A JPH08130279 A JP H08130279A JP 26656894 A JP26656894 A JP 26656894A JP 26656894 A JP26656894 A JP 26656894A JP H08130279 A JPH08130279 A JP H08130279A
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- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体チップ９に対して三本のリード端子
５，６，７を備えた三端子型の半導体装置Ａにおいて、
前記各リード端子のうち第２及び第３リード端子６，７
を、半導体チップにおける両電極部９ａ，９ｂに対して
半田付けする場合に、第２及び第３リード端子６，７の
先端部６ａ，７ａ間に半田ブリッジが発生することを、
半導体チップを大型化することなく、防止する。 【構成】 前記半導体チップにおける二つの電極部のう
ち一方の電極部９ａを、半導体チップにおける左右両側
面のうち一方の側面に、他方の電極部９ｂを他方の側面
に各々に設けて、これら両電極部に前記第２リード端子
の先端部及び前記第３リード端子の先端部を半田付けす
る。
５，６，７を備えた三端子型の半導体装置Ａにおいて、
前記各リード端子のうち第２及び第３リード端子６，７
を、半導体チップにおける両電極部９ａ，９ｂに対して
半田付けする場合に、第２及び第３リード端子６，７の
先端部６ａ，７ａ間に半田ブリッジが発生することを、
半導体チップを大型化することなく、防止する。 【構成】 前記半導体チップにおける二つの電極部のう
ち一方の電極部９ａを、半導体チップにおける左右両側
面のうち一方の側面に、他方の電極部９ｂを他方の側面
に各々に設けて、これら両電極部に前記第２リード端子
の先端部及び前記第３リード端子の先端部を半田付けす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置のうち、半
導体チップに対して三本のリード端子を備えたトランジ
スター又はダイオード等のような三端子型の半導体装置
と、その製造方法に関するものである。
導体チップに対して三本のリード端子を備えたトランジ
スター又はダイオード等のような三端子型の半導体装置
と、その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種の三端子型の半導体装置は、第１
リード端子の先端に一体的に設けたアイランド部に、半
導体チップをダイボンディングし、この半導体チップに
おける二つの電極部と、第２リード端子及び第３リード
端子との間を、金線等の細い金属線によるワイヤボンデ
ィングにて電気的に接続したのち、前記半導体チップの
部分を合成樹脂製のモールド部にてパッケージすること
が一般的な構造であったが、このものは、金線等の細い
金属線によるワイヤボンディングによるために、製造コ
ストが大幅にアップするばかりか、前記細い金属線に断
線が発生することで、大電流用には適しない等の問題が
あった。
リード端子の先端に一体的に設けたアイランド部に、半
導体チップをダイボンディングし、この半導体チップに
おける二つの電極部と、第２リード端子及び第３リード
端子との間を、金線等の細い金属線によるワイヤボンデ
ィングにて電気的に接続したのち、前記半導体チップの
部分を合成樹脂製のモールド部にてパッケージすること
が一般的な構造であったが、このものは、金線等の細い
金属線によるワイヤボンディングによるために、製造コ
ストが大幅にアップするばかりか、前記細い金属線に断
線が発生することで、大電流用には適しない等の問題が
あった。
【０００３】そこで、先行技術としての特開昭４８−３
８０７０号公報及び特開昭５９−５４２５０号公報は、
金属板を打ち抜いたリードフレームに、アイランド部を
備えた第１リード端子と、第２及び第３リード端子を一
体的に形成し、前記第１リード端子におけるアイランド
部の上面に半導体チップをダイボンディングし、この半
導体チップの上面における二つの電極部に対して、前記
第２及び第３リード端子の先端部を直接的に、半田付け
にて接合することを提案している。
８０７０号公報及び特開昭５９−５４２５０号公報は、
金属板を打ち抜いたリードフレームに、アイランド部を
備えた第１リード端子と、第２及び第３リード端子を一
体的に形成し、前記第１リード端子におけるアイランド
部の上面に半導体チップをダイボンディングし、この半
導体チップの上面における二つの電極部に対して、前記
第２及び第３リード端子の先端部を直接的に、半田付け
にて接合することを提案している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この先行技術
による半導体装置は、第１リード端子と一体のアイラン
ド部にダイボンディングした半導体チップの上面におけ
る両電極部に対して、第２及び第３リード端子の先端部
を、半田付けにて接合したもので、その半田付けに際し
て、半導体チップの上面における両電極部のうち一方の
電極部と第２リード端子の先端部との間の溶融半田と、
他方の電極部と第３リード端子の先端部との間の溶融半
田とが、半導体チップの上面に伝って繋がり、両電極間
にショートが発生することになる。
による半導体装置は、第１リード端子と一体のアイラン
ド部にダイボンディングした半導体チップの上面におけ
る両電極部に対して、第２及び第３リード端子の先端部
を、半田付けにて接合したもので、その半田付けに際し
て、半導体チップの上面における両電極部のうち一方の
電極部と第２リード端子の先端部との間の溶融半田と、
他方の電極部と第３リード端子の先端部との間の溶融半
田とが、半導体チップの上面に伝って繋がり、両電極間
にショートが発生することになる。
【０００５】そこで、従来のものでは、前記のような電
極間に半田によるショートが発生することを回避するた
めに、半導体チップの上面における両電極部間の間隔を
広くしなければならないから、この分、半導体チップの
大型化を招来すると言う問題があった。また、この先行
技術の半導体装置は、半導体チップのアイランド部に対
するダイボンディングと、半導体チップにおける両電極
部に対する第２及び第３リード端子の半田付けによる接
合とを別々の工程に行うものであるから、それだけ生産
性が低く、製造コストの低減を十分に達成できないので
あった。
極間に半田によるショートが発生することを回避するた
めに、半導体チップの上面における両電極部間の間隔を
広くしなければならないから、この分、半導体チップの
大型化を招来すると言う問題があった。また、この先行
技術の半導体装置は、半導体チップのアイランド部に対
するダイボンディングと、半導体チップにおける両電極
部に対する第２及び第３リード端子の半田付けによる接
合とを別々の工程に行うものであるから、それだけ生産
性が低く、製造コストの低減を十分に達成できないので
あった。
【０００６】本発明は、第１リード端子におけるアイラ
ンド部にダイボンディングした半導体チップに対して第
２及び第３リード端子を直接的に接合した形態の半導体
装置において、前記の問題を解消した半導体装置の構造
と、その製造方法とを提供することを技術的課題とする
ものである。
ンド部にダイボンディングした半導体チップに対して第
２及び第３リード端子を直接的に接合した形態の半導体
装置において、前記の問題を解消した半導体装置の構造
と、その製造方法とを提供することを技術的課題とする
ものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明の構造は、「第１リード端子におけるアイ
ランド部にダイボンディングした半導体チップと、この
半導体チップに設けた二つの電極部の各々に対する第２
リード端子及び第３リード端子とから成る半導体装置に
おいて、前記半導体チップにおける二つの電極部のうち
一方の電極部を、半導体チップにおける左右両側面のう
ち一方の側面に、他方の電極部を他方の側面に各々に設
けて、これら両電極部に前記第２リード端子の先端部及
び前記第３リード端子の先端部を半田付けする。」と言
う構成にした。
るため本発明の構造は、「第１リード端子におけるアイ
ランド部にダイボンディングした半導体チップと、この
半導体チップに設けた二つの電極部の各々に対する第２
リード端子及び第３リード端子とから成る半導体装置に
おいて、前記半導体チップにおける二つの電極部のうち
一方の電極部を、半導体チップにおける左右両側面のう
ち一方の側面に、他方の電極部を他方の側面に各々に設
けて、これら両電極部に前記第２リード端子の先端部及
び前記第３リード端子の先端部を半田付けする。」と言
う構成にした。
【０００８】また、本発明の製造方法は、「金属板から
打ち抜いたリードフレームに、アイランド部を備えた第
１リード端子と、第２及び第３リード端子を一体的に形
成し、前記第１リード端子におけるアイランド部の上面
に、半田ペーストを塗布したのち、左右両側面に各々電
極部を設けて成る半導体チップを搭載し、次いで、前記
アイランド部の上面側に、前記第２及び第３リード端子
の先端部を、当該先端部又は半導体チップの上面におけ
る各電極部に半田ペーストを塗布した状態で、当該先端
部が各電極部に接当するように重ね合わせたのち、半田
の融点以上の温度に加熱することを特徴とする。」もの
である。
打ち抜いたリードフレームに、アイランド部を備えた第
１リード端子と、第２及び第３リード端子を一体的に形
成し、前記第１リード端子におけるアイランド部の上面
に、半田ペーストを塗布したのち、左右両側面に各々電
極部を設けて成る半導体チップを搭載し、次いで、前記
アイランド部の上面側に、前記第２及び第３リード端子
の先端部を、当該先端部又は半導体チップの上面におけ
る各電極部に半田ペーストを塗布した状態で、当該先端
部が各電極部に接当するように重ね合わせたのち、半田
の融点以上の温度に加熱することを特徴とする。」もの
である。
【０００９】
【作 用】このように、半導体チップにおける二つの
電極部のうち一方の電極部を、半導体チップにおける左
右両側面のうち一方の側面に、他方の電極部を他方の側
面に各々に設けて、これら両電極部に前記第２リード端
子の先端部及び前記第３リード端子の先端部を半田付け
することにより、一方の電極部に対する第２リード端子
の先端部の半田付けと、他方の電極部に対する第３リー
ド端子の先端部の半田付けとを、半導体チップにおける
左右両側面で別々に行うから、その間に、半田ブリッジ
が発生することを防止できるのである。
電極部のうち一方の電極部を、半導体チップにおける左
右両側面のうち一方の側面に、他方の電極部を他方の側
面に各々に設けて、これら両電極部に前記第２リード端
子の先端部及び前記第３リード端子の先端部を半田付け
することにより、一方の電極部に対する第２リード端子
の先端部の半田付けと、他方の電極部に対する第３リー
ド端子の先端部の半田付けとを、半導体チップにおける
左右両側面で別々に行うから、その間に、半田ブリッジ
が発生することを防止できるのである。
【００１０】また、本発明の製造方法のように、第１リ
ード端子におけるアイランド部の上面に、半田ペースト
を塗布したのち、左右両側面に各々電極部を設けて成る
半導体チップを搭載し、次いで、前記アイランド部の上
面側に、前記第２及び第３リード端子の先端部を、当該
先端部又は半導体チップの上面における各電極部に半田
ペーストを塗布した状態で、当該先端部が各電極部に接
当するように重ね合わせたのち、半田の融点以上の温度
に加熱することにより、第１リード端子におけるアイラ
ンド部の上面に、半田ペーストを塗布したのち、上面に
二つの突起状電極部を設けて成る半導体チップを搭載
し、次いで、前記半導体チップの上面側に、前記第２及
び第３リード端子の先端部を、当該先端部又は半導体チ
ップの上面における各突起状電極部に半田ペーストを塗
布した状態で重ね合わせのち、半田の融点以上の温度に
加熱することにより、半導体チップの第１リード端子に
おけるアイランド部に対する半田付けと、半導体チップ
の両電極部に対する第２及び第３リード端子の半田付け
とを、半導体チップを前記第２及び第３リード端子の先
端部間に位置決めした状態で、同時に行うことができる
のである。
ード端子におけるアイランド部の上面に、半田ペースト
を塗布したのち、左右両側面に各々電極部を設けて成る
半導体チップを搭載し、次いで、前記アイランド部の上
面側に、前記第２及び第３リード端子の先端部を、当該
先端部又は半導体チップの上面における各電極部に半田
ペーストを塗布した状態で、当該先端部が各電極部に接
当するように重ね合わせたのち、半田の融点以上の温度
に加熱することにより、第１リード端子におけるアイラ
ンド部の上面に、半田ペーストを塗布したのち、上面に
二つの突起状電極部を設けて成る半導体チップを搭載
し、次いで、前記半導体チップの上面側に、前記第２及
び第３リード端子の先端部を、当該先端部又は半導体チ
ップの上面における各突起状電極部に半田ペーストを塗
布した状態で重ね合わせのち、半田の融点以上の温度に
加熱することにより、半導体チップの第１リード端子に
おけるアイランド部に対する半田付けと、半導体チップ
の両電極部に対する第２及び第３リード端子の半田付け
とを、半導体チップを前記第２及び第３リード端子の先
端部間に位置決めした状態で、同時に行うことができる
のである。
【００１１】
【発明の効果】従って、本発明によると、半導体チップ
における両電極部の相互間に半田付けに際してショート
が発生することを確実に防止できる効果を有する。ま
た、本発明の製造方法は、これに加えて、半導体チップ
のアイランド部に対する接合と、この半導体チップにお
ける各突起状電極部に対する第２及び第３リード端子の
接合との両方を、一回の加熱によって同時に行うことが
できるから、生産性を著しく向上できて、製造コストの
大幅な低減を達成できる効果を有する。
における両電極部の相互間に半田付けに際してショート
が発生することを確実に防止できる効果を有する。ま
た、本発明の製造方法は、これに加えて、半導体チップ
のアイランド部に対する接合と、この半導体チップにお
ける各突起状電極部に対する第２及び第３リード端子の
接合との両方を、一回の加熱によって同時に行うことが
できるから、生産性を著しく向上できて、製造コストの
大幅な低減を達成できる効果を有する。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を、図１〜図１０の図
面について説明する。この図において符号１は、金属板
より打ち抜いた長尺帯状のリードフレームを示し、この
リードフレーム１における長手左右両縁部におけるサイ
ドフレーム２，３の間には、その間を一体的に連結する
セクションバー４が、リードフレーム１の長手方向に沿
って一定のピッチ間隔Ｐで形成されている。
面について説明する。この図において符号１は、金属板
より打ち抜いた長尺帯状のリードフレームを示し、この
リードフレーム１における長手左右両縁部におけるサイ
ドフレーム２，３の間には、その間を一体的に連結する
セクションバー４が、リードフレーム１の長手方向に沿
って一定のピッチ間隔Ｐで形成されている。
【００１３】また、前記両サイドフレーム２，３のうち
一方のサイドフレーム２には、前記各セクションバー４
の間の部位に先端にアイランド部５ａを備えた第１リー
ド端子５が内向きに突出するように一体的に形成されて
おり、他方のサイドフレーム３には、前記各セクション
バー４の間の部位に第２リード端子６及び第３リード端
子７が内向きに突出するように一体的に形成され、この
第２リード端子６及び第３リード端子７の先端部６ａ，
７ａは、互いに接近する形状であり、且つ、この両先端
部６ａ，７ａは、前記第１リード端子５の先端における
アイランド部５ａに対してリードフレーム１の長手方向
に沿って適宜寸法Ｅだけずれている。
一方のサイドフレーム２には、前記各セクションバー４
の間の部位に先端にアイランド部５ａを備えた第１リー
ド端子５が内向きに突出するように一体的に形成されて
おり、他方のサイドフレーム３には、前記各セクション
バー４の間の部位に第２リード端子６及び第３リード端
子７が内向きに突出するように一体的に形成され、この
第２リード端子６及び第３リード端子７の先端部６ａ，
７ａは、互いに接近する形状であり、且つ、この両先端
部６ａ，７ａは、前記第１リード端子５の先端における
アイランド部５ａに対してリードフレーム１の長手方向
に沿って適宜寸法Ｅだけずれている。
【００１４】また、前記第２リード端子６及び第３リー
ド端子７の先端部６ａ，７ａは、下向きに折り曲げられ
ている。そして、前記リードフレーム１を、その長手方
向に移送する途次において、先づ、各第１リード端子５
におけるアイランド部５ａの上面に、半田ペースト８を
塗布したのち、図４に示すように、左右両側面の各々に
突起状電極部９ａ，９ｂを形成して成る半導体チップ９
を搭載する。
ド端子７の先端部６ａ，７ａは、下向きに折り曲げられ
ている。そして、前記リードフレーム１を、その長手方
向に移送する途次において、先づ、各第１リード端子５
におけるアイランド部５ａの上面に、半田ペースト８を
塗布したのち、図４に示すように、左右両側面の各々に
突起状電極部９ａ，９ｂを形成して成る半導体チップ９
を搭載する。
【００１５】このようにして、第１リード端子５におけ
るアイランド部５ａに半導体チップ９を搭載すると、こ
の半導体チップ９の左右両側面における両突起状電極部
９ａ，９ｂに、図６に示すように、半田ペースト１０，
１１を塗布する。次いで、前記リードフレーム１を、以
下に述べるように構成したずらせ重ね装置１２に順次送
り込む。
るアイランド部５ａに半導体チップ９を搭載すると、こ
の半導体チップ９の左右両側面における両突起状電極部
９ａ，９ｂに、図６に示すように、半田ペースト１０，
１１を塗布する。次いで、前記リードフレーム１を、以
下に述べるように構成したずらせ重ね装置１２に順次送
り込む。
【００１６】このずらせ重ね装置１２は、図１１〜図１
４に示すように、前記リードフレーム１を、その長手方
向の移送できるように案内する二つのガイドローラ１
３，１４の間の部位に、前記リードフレーム１における
一方のサイドフレーム２の下面に接触する小径の送りホ
イール１５と、他方のサイドフレーム３の下面に接触す
る大径の送りホイール１６とを配設して、この両送りホ
イール１３，１４を、同じ方向に、当該両送りホイール
１５，１６の外周面における周速度が同じになるように
回転駆動する。
４に示すように、前記リードフレーム１を、その長手方
向の移送できるように案内する二つのガイドローラ１
３，１４の間の部位に、前記リードフレーム１における
一方のサイドフレーム２の下面に接触する小径の送りホ
イール１５と、他方のサイドフレーム３の下面に接触す
る大径の送りホイール１６とを配設して、この両送りホ
イール１３，１４を、同じ方向に、当該両送りホイール
１５，１６の外周面における周速度が同じになるように
回転駆動する。
【００１７】前記二つのガイドローラ１３，１４のうち
一方のガイドローラ１３と両送りホイール１５，１６と
の間の部位には、前記リードフレーム１における一方の
サイドフレーム２を挟んだ状態で下向きに変位するよう
にした一対のローラ１７ａ，１７ｂと、リードフレーム
１における他方のサイドフレーム３を挟んだ状態で上向
きに変位するようにした一対のローラ１７ｃ，１７ｄと
で構成される第１ローラ機構１７を配設する。
一方のガイドローラ１３と両送りホイール１５，１６と
の間の部位には、前記リードフレーム１における一方の
サイドフレーム２を挟んだ状態で下向きに変位するよう
にした一対のローラ１７ａ，１７ｂと、リードフレーム
１における他方のサイドフレーム３を挟んだ状態で上向
きに変位するようにした一対のローラ１７ｃ，１７ｄと
で構成される第１ローラ機構１７を配設する。
【００１８】また、二つのガイドローラ１３，１４のう
ち他方のガイドローラ１４と両送りホイール１５，１６
との間の部位には、前記リードフレーム１における一方
のサイドフレーム２を挟んだ状態で上向きに変位するよ
うにした一対のローラ１８ａ，１８ｂと、リードフレー
ム１における他方のサイドフレーム３を挟んだ状態で下
向きに変位するようにした一対のローラ１８ｃ，１８ｄ
とで構成される第２ローラ機構１８を配設する。
ち他方のガイドローラ１４と両送りホイール１５，１６
との間の部位には、前記リードフレーム１における一方
のサイドフレーム２を挟んだ状態で上向きに変位するよ
うにした一対のローラ１８ａ，１８ｂと、リードフレー
ム１における他方のサイドフレーム３を挟んだ状態で下
向きに変位するようにした一対のローラ１８ｃ，１８ｄ
とで構成される第２ローラ機構１８を配設する。
【００１９】この構成のずらせ重ね装置１２にリードフ
レーム１を送り込むことにより、第１ローラ機構１７の
箇所において、リードフレーム１における一方のサイド
フレーム２が一対のローラ１７ａ，１７ｂにて下向き
に、他方のサイドフレーム３が一対のローラ１７ｃ，１
７ｄにて上向きに各々変位されることにより、一方のサ
イドフレーム２と他方のサイドフレーム３とが、図１２
に示すように、リードフレーム１の表面と直角方向に適
宜寸法だけ食い違い状になる。
レーム１を送り込むことにより、第１ローラ機構１７の
箇所において、リードフレーム１における一方のサイド
フレーム２が一対のローラ１７ａ，１７ｂにて下向き
に、他方のサイドフレーム３が一対のローラ１７ｃ，１
７ｄにて上向きに各々変位されることにより、一方のサ
イドフレーム２と他方のサイドフレーム３とが、図１２
に示すように、リードフレーム１の表面と直角方向に適
宜寸法だけ食い違い状になる。
【００２０】次いで、リードフレーム１における両サイ
ドフレーム２，３のうち一方のサイドフレーム２が、小
径の送りホイール１５の外周面を適宜接触角度θにわた
って巡る一方、他方のサイドフレーム３が大径の送りホ
イール１６の外周面を適宜接触角度θにわたって巡るこ
とにより、一方のサイドフレーム２の移送と他方のサイ
ドフレーム３の移送との間に、両送りホイール１５，１
６の直径差に応じて進み・遅れができるから、一方のサ
イドフレーム２と、他方のサイドフレーム３とを、リー
ドフレーム１の長手方向に沿って、前記第２及び第３リ
ード端子６，７の先端部６ａ，７ａと前記第１リード端
子５の先端におけるアイランド部５ａとの間におけるず
らせ寸法Ｅと同じ寸法だけ互いにずらせ変位することが
できる。
ドフレーム２，３のうち一方のサイドフレーム２が、小
径の送りホイール１５の外周面を適宜接触角度θにわた
って巡る一方、他方のサイドフレーム３が大径の送りホ
イール１６の外周面を適宜接触角度θにわたって巡るこ
とにより、一方のサイドフレーム２の移送と他方のサイ
ドフレーム３の移送との間に、両送りホイール１５，１
６の直径差に応じて進み・遅れができるから、一方のサ
イドフレーム２と、他方のサイドフレーム３とを、リー
ドフレーム１の長手方向に沿って、前記第２及び第３リ
ード端子６，７の先端部６ａ，７ａと前記第１リード端
子５の先端におけるアイランド部５ａとの間におけるず
らせ寸法Ｅと同じ寸法だけ互いにずらせ変位することが
できる。
【００２１】そして、第２ローラ機構１８の箇所に至
り、一方のサイドフレーム２が一対のローラ１８ａ，１
８ｂにて上向きに、他方のサイドフレーム３が一対のロ
ーラ１８ｃ，１８ｄにて下向きに各々変位されることに
より、他方のサイドフレーム３における第２及び第３リ
ード端子６，７の先端部６ａ，７ａを、一方のサイドフ
レーム２における第１リード端子５先端のアイランド部
５ａに対して、図７及び図８に示すように、当該第２及
び第３リード端子６，７の先端部６ａ，７ａ間に半導体
チップ９を挟んだ状態にして重ね合わせることができる
のである。
り、一方のサイドフレーム２が一対のローラ１８ａ，１
８ｂにて上向きに、他方のサイドフレーム３が一対のロ
ーラ１８ｃ，１８ｄにて下向きに各々変位されることに
より、他方のサイドフレーム３における第２及び第３リ
ード端子６，７の先端部６ａ，７ａを、一方のサイドフ
レーム２における第１リード端子５先端のアイランド部
５ａに対して、図７及び図８に示すように、当該第２及
び第３リード端子６，７の先端部６ａ，７ａ間に半導体
チップ９を挟んだ状態にして重ね合わせることができる
のである。
【００２２】次に、前記リードフレーム１を加熱炉（図
示せず）に送り込む等することにより、半田の融点より
も高い温度に加熱する。すると、この加熱により、アイ
ランド部５ａと半導体チップ９との間に塗布した半田ペ
ースト８における半田は、溶融してアイランド部５ａの
半導体チップ９との両方の各々に合金化接合する一方、
半導体チップ９における両突起状電極部９ａ，９ｂと第
２及び第３リード端子６，７の先端部６ａ，７ａとの間
に塗布した半田ペースト１０，１１における半田は、溶
融して突起状電極と第２及び第３リード端子６，７の先
端部６ａ，７ａとの両方の各々に合金化接合することに
なり、この状態で、前記した各半田が凝固することにな
るから、半導体チップ９の第１リード端子５におけるア
イランド部５ａに対する半田付けと、半導体チップ９の
両電極部９ａ，９ｂに対する第２及び第３リード端子
６，７の半田付けとを、半導体チップ９を前記第２及び
第３リード端子６，７の先端部６ａ，７ａ間に位置決め
した状態で、同時に行うことができるのである。
示せず）に送り込む等することにより、半田の融点より
も高い温度に加熱する。すると、この加熱により、アイ
ランド部５ａと半導体チップ９との間に塗布した半田ペ
ースト８における半田は、溶融してアイランド部５ａの
半導体チップ９との両方の各々に合金化接合する一方、
半導体チップ９における両突起状電極部９ａ，９ｂと第
２及び第３リード端子６，７の先端部６ａ，７ａとの間
に塗布した半田ペースト１０，１１における半田は、溶
融して突起状電極と第２及び第３リード端子６，７の先
端部６ａ，７ａとの両方の各々に合金化接合することに
なり、この状態で、前記した各半田が凝固することにな
るから、半導体チップ９の第１リード端子５におけるア
イランド部５ａに対する半田付けと、半導体チップ９の
両電極部９ａ，９ｂに対する第２及び第３リード端子
６，７の半田付けとを、半導体チップ９を前記第２及び
第３リード端子６，７の先端部６ａ，７ａ間に位置決め
した状態で、同時に行うことができるのである。
【００２３】このようにして、半導体チップ９の第１リ
ード端子５、第２リード端子６及び第３リード端子７へ
の半田接合を完了すると、前記半導体チップ９、アイラ
ンド部５ａ、第２リード端子６の先端部６ａ及び第３リ
ード端子７の先端部７ａの部分を、熱硬化性合成樹脂製
のモールド部２０にてパッケージしたのち、前記第１リ
ード端子５、第２リード端子６及び第３リード端子７
を、リードフレーム１から切り離すことにより、図９及
び図１０に示すような形態の三端子型半導体装置Ａを製
造することができるのである。
ード端子５、第２リード端子６及び第３リード端子７へ
の半田接合を完了すると、前記半導体チップ９、アイラ
ンド部５ａ、第２リード端子６の先端部６ａ及び第３リ
ード端子７の先端部７ａの部分を、熱硬化性合成樹脂製
のモールド部２０にてパッケージしたのち、前記第１リ
ード端子５、第２リード端子６及び第３リード端子７
を、リードフレーム１から切り離すことにより、図９及
び図１０に示すような形態の三端子型半導体装置Ａを製
造することができるのである。
【００２４】なお、前記半導体チップ９における両突起
状電極部９ａ，９ｂと、第２及び第３リード端子６，７
の先端部６ａ，７ａとを接合するための半田ペースト１
０，１１は、前記実施例のように、半導体チップ９にお
ける両突起状電極部９ａ，９ｂに塗布することに代え
て、第２及び第３リード端子６，７の先端部６ａ，７ａ
に塗布するようにしても良いのである。
状電極部９ａ，９ｂと、第２及び第３リード端子６，７
の先端部６ａ，７ａとを接合するための半田ペースト１
０，１１は、前記実施例のように、半導体チップ９にお
ける両突起状電極部９ａ，９ｂに塗布することに代え
て、第２及び第３リード端子６，７の先端部６ａ，７ａ
に塗布するようにしても良いのである。
【図１】本発明の製造方法に使用するリードフレームの
平面図である。
平面図である。
【図２】図１のII−II視断面図である。
【図３】図１のIII −III 視拡大断面図である。
【図４】半導体チップの斜視図である。
【図５】前記リードフレームにおける第１リード端子の
アイランド部に半導体チップを搭載した状態の平面図で
ある。
アイランド部に半導体チップを搭載した状態の平面図で
ある。
【図６】図５のVI−VI視拡大断面図である。
【図７】前記リードフレームにおいて第１リード端子に
対して第２及び第３リード端子を重ねた状態の平面図で
ある。
対して第２及び第３リード端子を重ねた状態の平面図で
ある。
【図８】図７のVIII−VIII視拡大断面図である。
【図９】半導体装置の平面図である。
【図１０】図９のＸ−Ｘ視断面図である。
【図１１】本発明の製造方法に使用するずらせ重ね装置
の正面図である。
の正面図である。
【図１２】図１１のXII −XII 視拡大断面図である。
【図１３】図１１のXIII−XIII視拡大断面図である。
【図１４】図１１のXIV −XIV 視拡大断面図である。
１ リードフレーム ２ 一方のサイドフレーム ３ 他方のサイドフレーム ４ セクションバー ５ 第１リード端子 ５ａ アイランド部 ６ 第２リード端子 ６ａ 第２リード端子の先端部 ７ 第３リード端子 ７ａ 第３リード端子の先端部 ８ 半田ペースト ９ 半導体チップ ９ａ，９ｂ 突起状電極部 １０，１１ 半田ペースト ２０ モールド部 Ａ 半導体装置
Claims (2)
- 【請求項１】第１リード端子におけるアイランド部にダ
イボンディングした半導体チップと、この半導体チップ
に設けた二つの電極部の各々に対する第２リード端子及
び第３リード端子とから成る半導体装置において、前記
半導体チップにおける二つの電極部のうち一方の電極部
を、半導体チップにおける左右両側面のうち一方の側面
に、他方の電極部を他方の側面に各々に設けて、これら
両電極部に前記第２リード端子の先端部及び前記第３リ
ード端子の先端部を半田付けしたことを特徴とする半導
体装置の構造。 - 【請求項２】金属板から打ち抜いたリードフレームに、
アイランド部を備えた第１リード端子と、第２及び第３
リード端子を一体的に形成し、前記第１リード端子にお
けるアイランド部の上面に、半田ペーストを塗布したの
ち、左右両側面に各々電極部を設けて成る半導体チップ
を搭載し、次いで、前記アイランド部の上面側に、前記
第２及び第３リード端子の先端部を、当該先端部又は半
導体チップの上面における各電極部に半田ペーストを塗
布した状態で、当該先端部が各電極部に接当するように
重ね合わせたのち、半田の融点以上の温度に加熱するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26656894A JPH08130279A (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | 半導体装置の構造及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26656894A JPH08130279A (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | 半導体装置の構造及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08130279A true JPH08130279A (ja) | 1996-05-21 |
Family
ID=17432637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26656894A Pending JPH08130279A (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | 半導体装置の構造及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08130279A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106816424A (zh) * | 2015-12-01 | 2017-06-09 | 安世有限公司 | 电子元件及其制造方法、用于该电子元件的引线框架 |
-
1994
- 1994-10-31 JP JP26656894A patent/JPH08130279A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106816424A (zh) * | 2015-12-01 | 2017-06-09 | 安世有限公司 | 电子元件及其制造方法、用于该电子元件的引线框架 |
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