JPH0812952B2 - ポリイミド樹脂多層配線基板の製造方法 - Google Patents
ポリイミド樹脂多層配線基板の製造方法Info
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- JPH0812952B2 JPH0812952B2 JP12955790A JP12955790A JPH0812952B2 JP H0812952 B2 JPH0812952 B2 JP H0812952B2 JP 12955790 A JP12955790 A JP 12955790A JP 12955790 A JP12955790 A JP 12955790A JP H0812952 B2 JPH0812952 B2 JP H0812952B2
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- Japan
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- polyimide resin
- layer
- wiring board
- multilayer wiring
- thin film
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電子機器で用いられるポリイミド樹脂多層
配線基板の製造方法に関するものである。
配線基板の製造方法に関するものである。
従来、ポリイミド樹脂多層配線基板はセラミック多層
配線基板上に導体配線層とポリイミド樹脂絶縁層を交互
に積層して製造し、多層配線層を含むアルミナ基板上に
最初に形成する層はアルミナ基板上の信号用ランド、接
地用電源用ランドの受けパッド的なメタル配線層を形成
していた。
配線基板上に導体配線層とポリイミド樹脂絶縁層を交互
に積層して製造し、多層配線層を含むアルミナ基板上に
最初に形成する層はアルミナ基板上の信号用ランド、接
地用電源用ランドの受けパッド的なメタル配線層を形成
していた。
この従来のポリイミド樹脂多層配線基板の製造方法で
は、まずアルミナセラミック上に金属薄膜を蒸着又はス
パッタリング等の方法で形成し、ホトレジストを用いて
ホトリソグラフィで第１層目の配線層をパターニングし
そこにめっきにより第１層目の金属配線を形成した。第
１層目の金属配線が形成されたとこでホトレジストをは
く離し、その後イオンビームエッチング装置を用いて金
属薄膜をエッチングしていた。
は、まずアルミナセラミック上に金属薄膜を蒸着又はス
パッタリング等の方法で形成し、ホトレジストを用いて
ホトリソグラフィで第１層目の配線層をパターニングし
そこにめっきにより第１層目の金属配線を形成した。第
１層目の金属配線が形成されたとこでホトレジストをは
く離し、その後イオンビームエッチング装置を用いて金
属薄膜をエッチングしていた。
第２図は従来の製造方法によるポリイミド樹脂多層配
線基板の断面図である、アルミナセラミック多層配線基
板21上に金属薄膜22が形成され、金属薄膜22にめっきを
施して金属配線層26を形成している。
線基板の断面図である、アルミナセラミック多層配線基
板21上に金属薄膜22が形成され、金属薄膜22にめっきを
施して金属配線層26を形成している。
上述した従来のポリイミド樹脂多層配線基板の製造方
法は、イオンビームエッチング装を用いて金属薄膜をエ
ッチングしてもアルミナセラミックス上の微小な凹凸の
ため凹部の金属薄膜は完全にはとりきれず（第２図に示
す完全にとれきれていない金属薄膜27）、アルミナセラ
ミックス基板表面で十分な絶縁抵抗を得ることができな
いという問題がある。
法は、イオンビームエッチング装を用いて金属薄膜をエ
ッチングしてもアルミナセラミックス上の微小な凹凸の
ため凹部の金属薄膜は完全にはとりきれず（第２図に示
す完全にとれきれていない金属薄膜27）、アルミナセラ
ミックス基板表面で十分な絶縁抵抗を得ることができな
いという問題がある。
本発明のポリイミド樹脂多層配線基板の製造方法は、
アルミナ基板上に最初にポリイミド樹脂絶縁層を形成
し、その上に金属薄膜を形成し、この金属薄膜上にホト
レジストを用いてホトリソグラフィで第１層目の配線層
をパターニングし前記ホトレジストのパターニングされ
た部分のめっきにより第１層目の金属配線を形成し、こ
の第１層目の金属配線が形成されたところで前記ホトレ
ジストをはく離し、その後イオンビームエッチング装置
を用いて金属薄膜の前記第１層目の金属配線の部分以外
をエッチングすることを特徴とする。
アルミナ基板上に最初にポリイミド樹脂絶縁層を形成
し、その上に金属薄膜を形成し、この金属薄膜上にホト
レジストを用いてホトリソグラフィで第１層目の配線層
をパターニングし前記ホトレジストのパターニングされ
た部分のめっきにより第１層目の金属配線を形成し、こ
の第１層目の金属配線が形成されたところで前記ホトレ
ジストをはく離し、その後イオンビームエッチング装置
を用いて金属薄膜の前記第１層目の金属配線の部分以外
をエッチングすることを特徴とする。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を工程順に示す断面図であ
る。
る。
第１図において、アルミナセラミック多層配線基板１
にポリイミド樹脂のヴィアホール４を有する絶縁層５
（非感光性なら日立化成のPIQ、デュポンのPYRALYN、東
レのセミコファイン等、感光性なら日立化成のPL−120
0、デュポンのPI−2702D、東レのフォトニース、旭化成
のPIMEL等）を５ミクロンから10ミクロンで形成する
（第１図（ａ））。そしてこの上にCr/Pd金属薄膜２を5
00Å/1500Åで蒸着またはスパッタリングで形成する
（第１図（ｂ））。
にポリイミド樹脂のヴィアホール４を有する絶縁層５
（非感光性なら日立化成のPIQ、デュポンのPYRALYN、東
レのセミコファイン等、感光性なら日立化成のPL−120
0、デュポンのPI−2702D、東レのフォトニース、旭化成
のPIMEL等）を５ミクロンから10ミクロンで形成する
（第１図（ａ））。そしてこの上にCr/Pd金属薄膜２を5
00Å/1500Åで蒸着またはスパッタリングで形成する
（第１図（ｂ））。
そしてこの上にホトレジスト３を形成しホトリソグラ
フィーにより配線パターン７形成する（第１図
（ｃ））。
フィーにより配線パターン７形成する（第１図
（ｃ））。
次に配線パターン７にめっき法で配線層６を形成する
（第１図（ｄ））。その後ホトレジスト３ははく離しイ
オンビームエッチング装置によりCr/Pd金属薄膜２をエ
ッチングする（第１図（ｅ））。
（第１図（ｄ））。その後ホトレジスト３ははく離しイ
オンビームエッチング装置によりCr/Pd金属薄膜２をエ
ッチングする（第１図（ｅ））。
以上説明したように本発明によれば、多層配線基板を
含むアルミナ基板上にポリイミド樹脂の絶縁層と配線層
が交互に積層されたポリイミド樹脂多層配線基板で、多
層配線基板を含むアルミナ基板上に最初にポリイミド樹
脂絶縁層を形成することにより、次工程の信号用ラン
ド、接地用電源用ランドの受けパッド的なメタル配線層
を形成するとき、イオンビームエッチング装置を用いて
金属薄膜をエッチングしても、ポリイミド樹脂の表面は
アルミナセラミックスに比べて十分滑らかなため、エッ
チング残りによる絶縁抵抗不良の発生という問題を解決
できる。
含むアルミナ基板上にポリイミド樹脂の絶縁層と配線層
が交互に積層されたポリイミド樹脂多層配線基板で、多
層配線基板を含むアルミナ基板上に最初にポリイミド樹
脂絶縁層を形成することにより、次工程の信号用ラン
ド、接地用電源用ランドの受けパッド的なメタル配線層
を形成するとき、イオンビームエッチング装置を用いて
金属薄膜をエッチングしても、ポリイミド樹脂の表面は
アルミナセラミックスに比べて十分滑らかなため、エッ
チング残りによる絶縁抵抗不良の発生という問題を解決
できる。
第１図は本発明の一実施例を工程順に示す断面図、第２
図は従来の製造方法によるポリイミド樹脂多層配線基板
の断面図である。 1,21……アルミナセラミック多層配線基板、2,22……金
属薄膜、３……ホトレジスト、４……ヴィアホール、５
……絶縁層、6,26……配線層、７……配線パターン、27
……完全にとれきれていない金属薄膜。
図は従来の製造方法によるポリイミド樹脂多層配線基板
の断面図である。 1,21……アルミナセラミック多層配線基板、2,22……金
属薄膜、３……ホトレジスト、４……ヴィアホール、５
……絶縁層、6,26……配線層、７……配線パターン、27
……完全にとれきれていない金属薄膜。
Claims (1)
- 【請求項１】アルミナ基板上に最初にポリイミド樹脂絶
縁層を形成し、その上に金属薄膜を形成し、この金属薄
膜上にホトレジストを用いてホトリソグラフィで第１層
目の配線層をパターニングし前記ホトレジストのパター
ニングされた部分のめっきにより第１層目の金属配線を
形成し、この第１層目の金属配線が形成されたところで
前記ホトレジストをはく離し、その後イオンビームエッ
チング装置を用いて金属薄膜の前記第１層目の金属配線
の部分以外をエッチングすることを特徴とするポリイミ
ド樹脂多層配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12955790A JPH0812952B2 (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | ポリイミド樹脂多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12955790A JPH0812952B2 (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | ポリイミド樹脂多層配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0423491A JPH0423491A (ja) | 1992-01-27 |
| JPH0812952B2 true JPH0812952B2 (ja) | 1996-02-07 |
Family
ID=15012444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12955790A Expired - Lifetime JPH0812952B2 (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | ポリイミド樹脂多層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0812952B2 (ja) |
-
1990
- 1990-05-18 JP JP12955790A patent/JPH0812952B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0423491A (ja) | 1992-01-27 |
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