JPH0812433B2 - 電子写真感光体及びその製造方法 - Google Patents
電子写真感光体及びその製造方法Info
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- JPH0812433B2 JPH0812433B2 JP1246498A JP24649889A JPH0812433B2 JP H0812433 B2 JPH0812433 B2 JP H0812433B2 JP 1246498 A JP1246498 A JP 1246498A JP 24649889 A JP24649889 A JP 24649889A JP H0812433 B2 JPH0812433 B2 JP H0812433B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電子写真感光体及びその製造方法に関し、
詳しくは、機能分離型感光層を有する電子写真感光体及
びその製造方法に関する。
詳しくは、機能分離型感光層を有する電子写真感光体及
びその製造方法に関する。
従来の技術 近年、光照射により電荷担体を発生させる電荷発生層
と、電荷発生層で生じた電荷担体を効率良く注入でき、
かつ効率的に移動可能な電荷輸送層とに分離した、いわ
ゆる機能分離型感光層を有する電子写真感光体におい
て、電荷発生層として、非晶質ケイ素を、また電荷輸送
層として、プラズマCVD法で形成された非晶質材料を用
いた電子写真感光体が注目されている。これは非晶質ケ
イ素の有する優れた特性である光感度、高硬度、熱安定
性を損なうことなく、従来の非晶質ケイ素系電子写真感
光体の帯電性、生産性を根本的に改善できる可能性を有
しており、電気的に安定な繰り返し特性を有し、長寿命
の電子写真感光体を得る可能性を有するためであり、こ
れらの点に着目して、種々の電荷輸送層を用いた非晶質
ケイ素系電子写真感光体が提案されている。この様な機
能分離型の非晶質ケイ素系電子写真感光体において、電
荷輸送層としては、プラズマCVD法で形成された、例え
ば米国特許第4,634,648号明細書に開示されている酸化
ケイ素やアモルファスカーボンよりなるものを使用する
ことができる。
と、電荷発生層で生じた電荷担体を効率良く注入でき、
かつ効率的に移動可能な電荷輸送層とに分離した、いわ
ゆる機能分離型感光層を有する電子写真感光体におい
て、電荷発生層として、非晶質ケイ素を、また電荷輸送
層として、プラズマCVD法で形成された非晶質材料を用
いた電子写真感光体が注目されている。これは非晶質ケ
イ素の有する優れた特性である光感度、高硬度、熱安定
性を損なうことなく、従来の非晶質ケイ素系電子写真感
光体の帯電性、生産性を根本的に改善できる可能性を有
しており、電気的に安定な繰り返し特性を有し、長寿命
の電子写真感光体を得る可能性を有するためであり、こ
れらの点に着目して、種々の電荷輸送層を用いた非晶質
ケイ素系電子写真感光体が提案されている。この様な機
能分離型の非晶質ケイ素系電子写真感光体において、電
荷輸送層としては、プラズマCVD法で形成された、例え
ば米国特許第4,634,648号明細書に開示されている酸化
ケイ素やアモルファスカーボンよりなるものを使用する
ことができる。
発明が解決しようとする課題 非晶質ケイ素系電子写真感光体において、電荷輸送層
と電荷発生層を分離した層構成とし、電荷発生層として
非晶質ケイ素を用い、また電荷輸送層として非晶質ケイ
素に比べてより誘電率の小さく、より高抵抗の物質を用
いることによって、帯電性を向上させ、暗減衰を減少さ
せることができる。しかしながら、上記プラズマCVD法
によって作成される膜は、その成膜速度が非晶質系膜の
それと変わらず、また、層構成が複雑になるため、膜欠
陥の発生確率が増大し、感光体の生産性が低く、極めて
高コストであるという問題があった。
と電荷発生層を分離した層構成とし、電荷発生層として
非晶質ケイ素を用い、また電荷輸送層として非晶質ケイ
素に比べてより誘電率の小さく、より高抵抗の物質を用
いることによって、帯電性を向上させ、暗減衰を減少さ
せることができる。しかしながら、上記プラズマCVD法
によって作成される膜は、その成膜速度が非晶質系膜の
それと変わらず、また、層構成が複雑になるため、膜欠
陥の発生確率が増大し、感光体の生産性が低く、極めて
高コストであるという問題があった。
本発明は、従来の技術における上記のような問題点に
鑑みてなされたものである。
鑑みてなされたものである。
したがって、本発明の目的は、新規な電荷輸送層を有
する電子写真感光体を提供することにある。
する電子写真感光体を提供することにある。
即ち、本発明の目的は、接着性が良好で、機械的強度
・硬度が高く、欠陥の少ない電荷輸送層を有する高耐久
性の電子写真感光体を提供することにある。
・硬度が高く、欠陥の少ない電荷輸送層を有する高耐久
性の電子写真感光体を提供することにある。
本発明の他の目的は、高感度で凡色性に富み、高帯電
性で暗減衰が小さく、また露光後の残留電位の少ない電
子写真感光体を提供することにある。
性で暗減衰が小さく、また露光後の残留電位の少ない電
子写真感光体を提供することにある。
本発明の他の目的は、帯電特性が外部環境の雰囲気の
変化によって影響を受けない電子写真感光体を提供する
ことにある。
変化によって影響を受けない電子写真感光体を提供する
ことにある。
又、本発明の更に他の目的は、繰返し使用しても画像
品質の優れた電子写真感光体を提供することにある。
品質の優れた電子写真感光体を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、上記電子写真感光体を製造
する方法を提供することにある。
する方法を提供することにある。
課題を解決するための手段及び作用 本発明者等は、先にアルミニウムの酸化物が、電荷輸
送層としての機能を有することを見出だしたが、更に検
討の結果、特定の方法によって多孔質のアルミニウム酸
化物膜を形成し、そしてその孔の中に錫を充填した場合
に、物理特性、電子写真特性及び電荷発生層との密着性
において、一層優れたものが得られることを見出だし、
本発明を完成するに至った。
送層としての機能を有することを見出だしたが、更に検
討の結果、特定の方法によって多孔質のアルミニウム酸
化物膜を形成し、そしてその孔の中に錫を充填した場合
に、物理特性、電子写真特性及び電荷発生層との密着性
において、一層優れたものが得られることを見出だし、
本発明を完成するに至った。
本発明の電子写真感光体は、少なくとも支持体と電荷
輸送層と電荷発生層とを具備し、該電荷輸送層が、少な
くとも表面がアルミニウム又はアルミニウム合金よりな
る支持体を陽極酸化することによって形成された多孔質
陽極酸化アルミニウム皮膜であって、該多孔質陽極酸化
アルミニウム皮膜の孔中に錫が充填されてなることを特
徴とする。
輸送層と電荷発生層とを具備し、該電荷輸送層が、少な
くとも表面がアルミニウム又はアルミニウム合金よりな
る支持体を陽極酸化することによって形成された多孔質
陽極酸化アルミニウム皮膜であって、該多孔質陽極酸化
アルミニウム皮膜の孔中に錫が充填されてなることを特
徴とする。
本発明の上記電子写真感光体は、少なくとも表面がア
ルミニウム又はアルミニウム合金よりなる支持体を、硫
酸、リン酸、クロム酸等より選択された無機多塩基酸、
又はしゅう酸、マロン酸、酒石酸等より選択された有機
多塩基酸の１〜30重量％酸性水溶液中に浸漬し、0.1〜1
0A・dm-2の直流もしくは実質的に同等な電流を通電し
て、陽極酸化により該支持体上に多孔質陽極酸化アルミ
ニウム皮膜を形成し、次いで、錫塩を含む水溶液中で電
気分解を行って、該多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜の
孔中に錫を充填させ、その後、形成された錫充填多孔質
陽極酸化アルミニウム皮膜からなる電荷輸送層の上に電
荷発生層を形成することによって製造することができ
る。
ルミニウム又はアルミニウム合金よりなる支持体を、硫
酸、リン酸、クロム酸等より選択された無機多塩基酸、
又はしゅう酸、マロン酸、酒石酸等より選択された有機
多塩基酸の１〜30重量％酸性水溶液中に浸漬し、0.1〜1
0A・dm-2の直流もしくは実質的に同等な電流を通電し
て、陽極酸化により該支持体上に多孔質陽極酸化アルミ
ニウム皮膜を形成し、次いで、錫塩を含む水溶液中で電
気分解を行って、該多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜の
孔中に錫を充填させ、その後、形成された錫充填多孔質
陽極酸化アルミニウム皮膜からなる電荷輸送層の上に電
荷発生層を形成することによって製造することができ
る。
以下、本発明を詳細に説明する。
第１図は、本発明の電子写真感光体の模式的断面図で
あって、支持体１上に錫充填多孔質陽極酸化アルミニウ
ム皮膜２が形成され、その上に電荷発生層３が形成され
ている。
あって、支持体１上に錫充填多孔質陽極酸化アルミニウ
ム皮膜２が形成され、その上に電荷発生層３が形成され
ている。
本発明において、支持体としては、アルミニウム及び
その合金（以下、これ等を単にアルミニウムという）よ
りなるもの、及びアルミニウム以外の導電性支持体及び
絶縁性支持体のいずれをも用いることが出来るが、アル
ミニウム以外の支持体を用いる場合には、少なくとも他
の層と接触する面に、少なくとも５μｍ以上の膜厚を有
するアルミニウム膜が形成されていることが必要であ
る。このアルミニウム膜は、蒸着法、スパッター法、イ
オンプレーティング法によって形成することが出来る。
アルミニウム以外の導電性支持体としては、ステンレス
スチール、ニッケル、クロム等の金属及びその合金があ
げられ、絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエ
チレン、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリアミ
ド、ポリイミド等の高分子フィルム又はシート、ガラ
ス、セラミック等があげられる。
その合金（以下、これ等を単にアルミニウムという）よ
りなるもの、及びアルミニウム以外の導電性支持体及び
絶縁性支持体のいずれをも用いることが出来るが、アル
ミニウム以外の支持体を用いる場合には、少なくとも他
の層と接触する面に、少なくとも５μｍ以上の膜厚を有
するアルミニウム膜が形成されていることが必要であ
る。このアルミニウム膜は、蒸着法、スパッター法、イ
オンプレーティング法によって形成することが出来る。
アルミニウム以外の導電性支持体としては、ステンレス
スチール、ニッケル、クロム等の金属及びその合金があ
げられ、絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエ
チレン、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリアミ
ド、ポリイミド等の高分子フィルム又はシート、ガラ
ス、セラミック等があげられる。
本発明において、良好な特性の陽極酸化アルミニウム
皮膜を得るためのアルミニウム材料としては、純Al系の
材料の他に、Al−Mg系、Al−Mg−Si系、Al−Mg−Mn系、
Al−Mn系、Al−Cu−Mg系、Al−Cu−Ni系、Al−Cu系、Al
−Si系、Al−Cu−Zn系、Al−Cu−Si系、Al−Cu−Mg−Zn
系、Al−Mg−Zn系等のアルミニウム合金材料の中から適
宜選択して使用することができる。
皮膜を得るためのアルミニウム材料としては、純Al系の
材料の他に、Al−Mg系、Al−Mg−Si系、Al−Mg−Mn系、
Al−Mn系、Al−Cu−Mg系、Al−Cu−Ni系、Al−Cu系、Al
−Si系、Al−Cu−Zn系、Al−Cu−Si系、Al−Cu−Mg−Zn
系、Al−Mg−Zn系等のアルミニウム合金材料の中から適
宜選択して使用することができる。
支持体のアルミニウム面に形成される多孔質陽極酸化
アルミニウム皮膜は、電荷輸送層としての役割を果たす
もので、次のようにして製造される。
アルミニウム皮膜は、電荷輸送層としての役割を果たす
もので、次のようにして製造される。
支持体上に多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜を形成す
るための陽極酸化処理について、より具体的に説明する
と、まず、表面を鏡面切削仕上げし、所望の形状に加工
されたアルミニウム面を有する支持体を、有機溶剤又は
フロン溶剤中で超音波洗浄し、続いて純水中で超音波洗
浄する。
るための陽極酸化処理について、より具体的に説明する
と、まず、表面を鏡面切削仕上げし、所望の形状に加工
されたアルミニウム面を有する支持体を、有機溶剤又は
フロン溶剤中で超音波洗浄し、続いて純水中で超音波洗
浄する。
引き続いて、支持体上に多孔質陽極酸化アルミニウム
皮膜を形成する。ステンレス鋼或いは硬質ガラスなどで
作製された電解槽（陽極酸化槽）中に電解質溶液（陽極
酸化溶液）を所定の液面まで満たす。電解質溶液として
は、硫酸、リン酸、クロム酸等より選択された無機多塩
基酸、又はしゅう酸、マロン酸、酒石酸等より選択され
た有機多塩基酸の１〜30重量％酸性水溶液が用いられ
る。溶媒として用いる純水としては、蒸溜水或いはイオ
ン交換水等をあげることができるが、特に塩素分等の不
純物が充分に取り除かれていることが、陽極酸化アルミ
ニウム皮膜の腐蝕やピンホール発生防止のために必要で
ある。
皮膜を形成する。ステンレス鋼或いは硬質ガラスなどで
作製された電解槽（陽極酸化槽）中に電解質溶液（陽極
酸化溶液）を所定の液面まで満たす。電解質溶液として
は、硫酸、リン酸、クロム酸等より選択された無機多塩
基酸、又はしゅう酸、マロン酸、酒石酸等より選択され
た有機多塩基酸の１〜30重量％酸性水溶液が用いられ
る。溶媒として用いる純水としては、蒸溜水或いはイオ
ン交換水等をあげることができるが、特に塩素分等の不
純物が充分に取り除かれていることが、陽極酸化アルミ
ニウム皮膜の腐蝕やピンホール発生防止のために必要で
ある。
次いで、この電解質溶液の中に陽極として上記のアル
ミニウム面を有する支持体を、又、陰極としてステンレ
ス鋼板あるいはアルミニウム板をある一定の電極間距離
を隔てて浸漬する。この際の電荷間距離は0.1cm〜100cm
の間において適宜に設定される。直流電源装置を用意
し、その正（プラス）端子とアルミニウム面、及び負
（マイナス）端子と陰極板とをそれぞれ結線し、電解質
溶液中の陽極、陰極両電極間に通電する。電解は、常法
により定電流法又は定電圧法によって行い、印加する直
流は、直流成分のみよりなるものであっても、交流成分
が重畳したものであってもよい。陽極酸化実施時の電流
密度は、0.1〜10A・dm-2の範囲に設定する。また陽極酸
化電圧は、通常0.1〜150V、好ましくは１〜100Vであ
る。又、電解質溶液の液温は、０〜100℃、好ましくは1
0〜80℃に設定される。
ミニウム面を有する支持体を、又、陰極としてステンレ
ス鋼板あるいはアルミニウム板をある一定の電極間距離
を隔てて浸漬する。この際の電荷間距離は0.1cm〜100cm
の間において適宜に設定される。直流電源装置を用意
し、その正（プラス）端子とアルミニウム面、及び負
（マイナス）端子と陰極板とをそれぞれ結線し、電解質
溶液中の陽極、陰極両電極間に通電する。電解は、常法
により定電流法又は定電圧法によって行い、印加する直
流は、直流成分のみよりなるものであっても、交流成分
が重畳したものであってもよい。陽極酸化実施時の電流
密度は、0.1〜10A・dm-2の範囲に設定する。また陽極酸
化電圧は、通常0.1〜150V、好ましくは１〜100Vであ
る。又、電解質溶液の液温は、０〜100℃、好ましくは1
0〜80℃に設定される。
この通電により、陽極となる支持体のアルミニウム面
上に多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜が形成される。
上に多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜が形成される。
この様にして形成された陽極酸化アルミニウム皮膜
は、必要に応じて純水による洗浄等の措置が取られた
後、乾燥させる。多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜の膜
厚は１〜100μｍ、好ましくは５〜50μｍに設定され
る。
は、必要に応じて純水による洗浄等の措置が取られた
後、乾燥させる。多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜の膜
厚は１〜100μｍ、好ましくは５〜50μｍに設定され
る。
次いで、形成された多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜
の孔の中に、錫を充填する。錫の充填により錫が導電物
として電荷輸送性に寄与し、電荷輸送層の電荷輸送能を
向上させる。
の孔の中に、錫を充填する。錫の充填により錫が導電物
として電荷輸送性に寄与し、電荷輸送層の電荷輸送能を
向上させる。
これ等の錫の充填は、浸漬、電解等適宜の方法で孔中
に錫を吸着又は沈着あるいは析出させることにより実施
することができ、例えば、電解析出によって充填する方
法が使用できる。電解析出による場合には、上記のよう
にして形成された多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜を有
する支持体を、錫塩を含む水溶液中に浸漬し、電気分解
を行わせることにより、実施することができる。電気分
解は、交流、パルス電流、直流を用いて行うことができ
るが、析出状態制御のしやすさの点で交流を用いて行う
のが好ましい。
に錫を吸着又は沈着あるいは析出させることにより実施
することができ、例えば、電解析出によって充填する方
法が使用できる。電解析出による場合には、上記のよう
にして形成された多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜を有
する支持体を、錫塩を含む水溶液中に浸漬し、電気分解
を行わせることにより、実施することができる。電気分
解は、交流、パルス電流、直流を用いて行うことができ
るが、析出状態制御のしやすさの点で交流を用いて行う
のが好ましい。
錫塩としては、硫酸第一錫が好ましく使用できる。
また、上記錫塩を含む水溶液中には、同時にそれらの
金属に対して錯化剤として働く無機又は有機イオンを含
む物質を添加するのが好ましい。それ等の物質として
は、例えば、無機イオンを含むものとして、硼酸、有機
イオンを含むものとしてくえん酸、酒石酸、フタル酸、
マロン酸等があげられる。
金属に対して錯化剤として働く無機又は有機イオンを含
む物質を添加するのが好ましい。それ等の物質として
は、例えば、無機イオンを含むものとして、硼酸、有機
イオンを含むものとしてくえん酸、酒石酸、フタル酸、
マロン酸等があげられる。
電気分解の条件としては、２〜100Vの商用交流を用
い、液温は０〜80℃の範囲が採用される。
い、液温は０〜80℃の範囲が採用される。
上記の様にして形成された錫充填多孔質陽極酸化アル
ミニウム皮膜上には、直接密着して、電荷発生層が形成
されるが、電荷発生層としては、非晶質ケイ素、セレ
ン、セレン化水素、セレン−テルル等の無機物を、プラ
ズマCVD、蒸着或いはスパッタ等の方法によって形成し
たものが使用できる。また、フタロシアニン、銅フタロ
シアニン、Alフタロシアニン、スクエアリン酸誘導体、
ビスアゾ染料等の色素を蒸着により、或いは結着樹脂中
に分散して浸漬塗布等の方法により薄膜としたものを用
いることもできる。中でも、非晶質ケイ素、ゲルマニウ
ムを添加した非晶質ケイ素を用いた場合には、優れた機
械的、電気的特性を示すものとなるので好ましい。
ミニウム皮膜上には、直接密着して、電荷発生層が形成
されるが、電荷発生層としては、非晶質ケイ素、セレ
ン、セレン化水素、セレン−テルル等の無機物を、プラ
ズマCVD、蒸着或いはスパッタ等の方法によって形成し
たものが使用できる。また、フタロシアニン、銅フタロ
シアニン、Alフタロシアニン、スクエアリン酸誘導体、
ビスアゾ染料等の色素を蒸着により、或いは結着樹脂中
に分散して浸漬塗布等の方法により薄膜としたものを用
いることもできる。中でも、非晶質ケイ素、ゲルマニウ
ムを添加した非晶質ケイ素を用いた場合には、優れた機
械的、電気的特性を示すものとなるので好ましい。
以下、非晶質ケイ素を用いて電荷発生層を形成する場
合を例にあげて説明する。
合を例にあげて説明する。
非晶質ケイ素を主成分とする電荷発生層は公知の方法
によって形成することができる。例えば、グロー放電分
解法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真
空蒸着法等によって形成することができる。これらの膜
形成方法は、目的に応じて適宜選択されるが、プラズマ
CVD法によりシラン或いはシラン系ガスをグロー放電分
解する方法が好ましく、この方法によれば、膜中に適量
の水素を含有した比較的暗抵抗が高く、かつ、光感度も
高い膜が形成され、電荷発生層として好適な特性を得る
ことができる。
によって形成することができる。例えば、グロー放電分
解法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真
空蒸着法等によって形成することができる。これらの膜
形成方法は、目的に応じて適宜選択されるが、プラズマ
CVD法によりシラン或いはシラン系ガスをグロー放電分
解する方法が好ましく、この方法によれば、膜中に適量
の水素を含有した比較的暗抵抗が高く、かつ、光感度も
高い膜が形成され、電荷発生層として好適な特性を得る
ことができる。
以下、プラズマCVD法を例にあげて説明する。
ケイ素を主成分とする非晶質ケイ素感光層を作成する
ための原料としては、シラン、ジシランをはじめとする
シラン類等があげられる。又、電荷発生層を形成する
際、必要に応じて、水素、ヘリウム、アルゴン、ネオン
等のキャリアガスを用いることも可能である。又、これ
等の原料ガス中に、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）ガス、ホスフィ
ン（PH3）ガス等のドーパントガスを混入させ、膜中に
ホウ素あるいはリン等の不純物元素の添加することもで
きる。又、光感度の増加等を目的として、感光層中にハ
ロゲン原子、炭素原子、酸素原子、窒素原子等を含有さ
せてもよい。更に又、長波長域感度の増加を目的とし
て、ゲルマニウム、錫等の元素を添加することも可能で
ある。
ための原料としては、シラン、ジシランをはじめとする
シラン類等があげられる。又、電荷発生層を形成する
際、必要に応じて、水素、ヘリウム、アルゴン、ネオン
等のキャリアガスを用いることも可能である。又、これ
等の原料ガス中に、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）ガス、ホスフィ
ン（PH3）ガス等のドーパントガスを混入させ、膜中に
ホウ素あるいはリン等の不純物元素の添加することもで
きる。又、光感度の増加等を目的として、感光層中にハ
ロゲン原子、炭素原子、酸素原子、窒素原子等を含有さ
せてもよい。更に又、長波長域感度の増加を目的とし
て、ゲルマニウム、錫等の元素を添加することも可能で
ある。
本発明において、電荷発生層は、ケイ素を主成分と
し、１〜40原子％、好ましくは５〜20原子％の水素を含
んだものが好ましい。膜厚としては、0.1〜30μｍ、好
ましくは0.2〜５μｍの範囲に設定される。
し、１〜40原子％、好ましくは５〜20原子％の水素を含
んだものが好ましい。膜厚としては、0.1〜30μｍ、好
ましくは0.2〜５μｍの範囲に設定される。
電荷発生層の膜形成条件は次の通りである。即ち、周
波数は、通常、０〜5GHz、好ましくは５〜3GHz、放電時
の真空度は10-5〜5Torr（0.001〜665Pa）、基板加熱温
度は100〜400℃である。
波数は、通常、０〜5GHz、好ましくは５〜3GHz、放電時
の真空度は10-5〜5Torr（0.001〜665Pa）、基板加熱温
度は100〜400℃である。
本発明の電子写真感光体においては、必要に応じて、
感光体表面のコロナイオンによる変質を防止するための
表面保護層を設けてもよい。
感光体表面のコロナイオンによる変質を防止するための
表面保護層を設けてもよい。
実施例 次に実施例によって本発明を詳細に説明する。
実施例１ Al−４重量％Mg系合金からなる直径約120mmのアルミ
ニウムパイプをフロン洗浄と蒸溜水中超音波洗浄を行な
った。引き続いて、電解質溶液として、５％のリン酸溶
液を用い、液温を30℃に維持しながら、直流電圧50Vを
電流密度2.2A・dm-2で印加して60分間陽極酸化を行な
い、膜厚24μｍの多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜を形
成した。
ニウムパイプをフロン洗浄と蒸溜水中超音波洗浄を行な
った。引き続いて、電解質溶液として、５％のリン酸溶
液を用い、液温を30℃に維持しながら、直流電圧50Vを
電流密度2.2A・dm-2で印加して60分間陽極酸化を行な
い、膜厚24μｍの多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜を形
成した。
次いで、このアルミニウムパイプを蒸留水を用いて充
分に水洗した後、10g/lの硫酸第一錫及び5g/lの硫酸ア
ンモニウムを含む水溶液中に浸漬し、液温25℃、実効電
圧35Vの条件で交流電解を行い、多孔質層の孔中に錫を
析出させた。
分に水洗した後、10g/lの硫酸第一錫及び5g/lの硫酸ア
ンモニウムを含む水溶液中に浸漬し、液温25℃、実効電
圧35Vの条件で交流電解を行い、多孔質層の孔中に錫を
析出させた。
次いで、アルミニウムパイプを蒸溜水中で超音波洗浄
し、50℃で乾燥した後、容量結合型プラズマCVD装置の
真空槽内に設置した。このアルミニウムパイプを200℃
に維持し、真空槽内に100％シラン（SiH4）ガスを毎分2
50cc、水素稀釈の100ppmジボラン（Ｂ2Ｈ6）ガスを毎分
3cc、更に100％水素（Ｈ2）ガスを毎分250ccで流入さ
せ、真空槽内を1.5Torr（200.0N/m2）の内圧に維持した
後、13.56MHzの高周波電力を投入して、グロー放電を生
じせしめ、高周波電源の出力を350Wに維持した。このよ
うにして水素と極微量の硼素を含む高暗抵抗で、いわゆ
るｉ型の非晶質ケイ素からなる厚さ２μｍの電荷発生層
を形成し、電子写真感光体を作製した。
し、50℃で乾燥した後、容量結合型プラズマCVD装置の
真空槽内に設置した。このアルミニウムパイプを200℃
に維持し、真空槽内に100％シラン（SiH4）ガスを毎分2
50cc、水素稀釈の100ppmジボラン（Ｂ2Ｈ6）ガスを毎分
3cc、更に100％水素（Ｈ2）ガスを毎分250ccで流入さ
せ、真空槽内を1.5Torr（200.0N/m2）の内圧に維持した
後、13.56MHzの高周波電力を投入して、グロー放電を生
じせしめ、高周波電源の出力を350Wに維持した。このよ
うにして水素と極微量の硼素を含む高暗抵抗で、いわゆ
るｉ型の非晶質ケイ素からなる厚さ２μｍの電荷発生層
を形成し、電子写真感光体を作製した。
得られた電子写真感光体に対して、正帯電特性を測定
したところ、感光体流入電流10μA/cmの場合、帯電直後
の帯電電位は550V、暗減衰は14％/sec、白色光で露光し
た後の残留電位は35V、半減露光量は8erg・cm-2であ
り、電荷輸送性を、残留電位／帯電電位の値で評価した
ところ、0.06であった。
したところ、感光体流入電流10μA/cmの場合、帯電直後
の帯電電位は550V、暗減衰は14％/sec、白色光で露光し
た後の残留電位は35V、半減露光量は8erg・cm-2であ
り、電荷輸送性を、残留電位／帯電電位の値で評価した
ところ、0.06であった。
比較例１ 実施例１において、多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜
を形成した後、多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜の孔中
に錫を析出させる処理を行わずに直接電荷発生層を形成
した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作
製した。
を形成した後、多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜の孔中
に錫を析出させる処理を行わずに直接電荷発生層を形成
した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作
製した。
実施例１におけると同様に評価を行ったところ、帯電
電位は600V、暗減衰は９％/sec、残留電位は130V、半減
露光量は8erg・cm-2であり、電荷輸送性は0.22であっ
た。
電位は600V、暗減衰は９％/sec、残留電位は130V、半減
露光量は8erg・cm-2であり、電荷輸送性は0.22であっ
た。
発明の効果 本発明の電子写真感光体は、電荷輸送層として錫充填
多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜よりなる層を有し、そ
の上に電荷発生層が直接設けられた構成を有するもので
あるから、高感度で凡色性に富み、高帯電性で暗減衰が
低く、また、露光後の残留電位の少ないものであり、そ
の帯電特性は、外部環境の雰囲気の変化によって影響を
受けることがなく、また、繰り返し使用しても優れた画
質の画像を形成する。また、電荷輸送層と電荷発生層と
の接着性、密着性も極めて高く、機械的強度・硬度も高
く、欠陥の少ないものであり、したがって本発明の電子
写真感光体は耐久性に優れている。
多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜よりなる層を有し、そ
の上に電荷発生層が直接設けられた構成を有するもので
あるから、高感度で凡色性に富み、高帯電性で暗減衰が
低く、また、露光後の残留電位の少ないものであり、そ
の帯電特性は、外部環境の雰囲気の変化によって影響を
受けることがなく、また、繰り返し使用しても優れた画
質の画像を形成する。また、電荷輸送層と電荷発生層と
の接着性、密着性も極めて高く、機械的強度・硬度も高
く、欠陥の少ないものであり、したがって本発明の電子
写真感光体は耐久性に優れている。
第１図は本発明の電子写真感光体の一実施例の模式的断
面図である。 １……支持体、２……錫充填多孔質陽極酸化アルミニウ
ム皮膜、３……電荷発生層。
面図である。 １……支持体、２……錫充填多孔質陽極酸化アルミニウ
ム皮膜、３……電荷発生層。
Claims (2)
- 【請求項１】少なくとも支持体と電荷輸送層と電荷発生
層とを具備し、該電荷輸送層が、少なくとも表面がアル
ミニウム又はアルミニウム合金よりなる支持体を陽極酸
化することによって形成された多孔質陽極酸化アルミニ
ウム皮膜であって、該多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜
の孔中に錫が充填されてなることを特徴とする電子写真
感光体。 - 【請求項２】少なくとも表面がアルミニウム又はアルミ
ニウム合金よりなる支持体を、硫酸、リン酸、クロム酸
より選択された無機多塩基酸、又はしゅう酸、マロン
酸、酒石酸より選択された有機多塩基酸の１〜30重量％
酸性水溶液中に浸漬し、0.1〜10A・dm-2の直流もしくは
実質的に同等な電流を通電して、陽極酸化により該支持
体上に多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜を形成し、次い
で、錫塩を含む水溶液中で電気分解を行って、該多孔質
陽極酸化アルミニウム皮膜の孔中に錫を充填させ、その
後、形成された錫充填多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜
からなる電荷輸送層の上に電荷発生層を形成することを
特徴とする電子写真感光体の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1246498A JPH0812433B2 (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | 電子写真感光体及びその製造方法 |
| US07/584,640 US5166020A (en) | 1989-09-25 | 1990-09-19 | Electrophotographic photoreceptor |
| KR1019900015161A KR910006785A (ko) | 1989-09-25 | 1990-09-25 | 광전 그래픽 수광체 및 그의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1246498A JPH0812433B2 (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | 電子写真感光体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03109564A JPH03109564A (ja) | 1991-05-09 |
| JPH0812433B2 true JPH0812433B2 (ja) | 1996-02-07 |
Family
ID=17149292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1246498A Expired - Lifetime JPH0812433B2 (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | 電子写真感光体及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5166020A (ja) |
| JP (1) | JPH0812433B2 (ja) |
| KR (1) | KR910006785A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2887831B2 (ja) * | 1993-12-28 | 1999-05-10 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真用帯電部材 |
| JP3037196B2 (ja) * | 1997-05-01 | 2000-04-24 | 新潟日本電気株式会社 | 電子写真感光体およびその製造方法 |
| US6884393B2 (en) * | 2001-07-13 | 2005-04-26 | Ethicon, Inc. | Surface treatment of aluminum alloys to improve sterilization process compatibility |
| US7018521B2 (en) * | 2001-09-27 | 2006-03-28 | General Motors Corporation | Method of producing bright anodized finishes for high magnesium, aluminum alloys |
| US7534535B2 (en) * | 2004-11-23 | 2009-05-19 | Xerox Corporation | Photoreceptor member |
| JP4693622B2 (ja) * | 2005-12-16 | 2011-06-01 | 有限会社児童かきかた研究所 | 持ち方矯正具 |
| KR100776710B1 (ko) * | 2006-04-21 | 2007-11-28 | 주식회사 파캔오피씨 | 전하 수송용 코팅액 조성물 및 이를 이용한 전자사진용유기 감광체 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4369242A (en) * | 1980-09-25 | 1983-01-18 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Non-porous and porous Al2 O3 barrier zones in layered electrophotographic device |
| JPS59158A (ja) * | 1982-06-25 | 1984-01-05 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
| DE3616607A1 (de) * | 1985-05-17 | 1986-11-20 | Ricoh Co., Ltd., Tokio/Tokyo | Lichtempfindliches material fuer die elektrophotographie |
| US4634648A (en) * | 1985-07-05 | 1987-01-06 | Xerox Corporation | Electrophotographic imaging members with amorphous carbon |
| JPS63296052A (ja) * | 1987-05-28 | 1988-12-02 | Olympus Optical Co Ltd | 像保持部材の製造方法 |
| JPS63311262A (ja) * | 1987-06-12 | 1988-12-20 | Showa Alum Corp | 電子写真用感光体の製造方法 |
| JPH07117761B2 (ja) * | 1988-08-17 | 1995-12-18 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体 |
| JPH0280768A (ja) * | 1988-09-13 | 1990-03-20 | Eidai Co Ltd | 洋室の一角に和室を施工する方法 |
-
1989
- 1989-09-25 JP JP1246498A patent/JPH0812433B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-09-19 US US07/584,640 patent/US5166020A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-09-25 KR KR1019900015161A patent/KR910006785A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5166020A (en) | 1992-11-24 |
| JPH03109564A (ja) | 1991-05-09 |
| KR910006785A (ko) | 1991-04-30 |
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