JP2663647B2 - 電子写真感光体及びその製造方法 - Google Patents
電子写真感光体及びその製造方法Info
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- JP2663647B2 JP2663647B2 JP1246502A JP24650289A JP2663647B2 JP 2663647 B2 JP2663647 B2 JP 2663647B2 JP 1246502 A JP1246502 A JP 1246502A JP 24650289 A JP24650289 A JP 24650289A JP 2663647 B2 JP2663647 B2 JP 2663647B2
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
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- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/047—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure characterised by the charge-generation layers or charge transport layers
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電子写真感光体及びその製造方法に関し、
詳しくは、機能分離型感光層を有する電子写真感光体及
びその製造方法に関する。
詳しくは、機能分離型感光層を有する電子写真感光体及
びその製造方法に関する。
従来の技術 近年、光照射により電荷担体を発生させる電荷発生層
と、電荷発生層で生じた電荷担体を効率良く注入でき、
かつ効率的に移動可能な電荷輸送層とに分離した、いわ
ゆる機能分離型感光層を有する電子写真感光体におい
て、電荷発生層として、非晶質ケイ素を、また電荷輸送
層として、プラズマCVD法で形成された非晶質材料を用
いた電子写真感光体が注目されている。これは非晶質ケ
イ素の有する優れた特性である光感度、高硬度、熱安定
性を損なうことなく、従来の非晶質ケイ素系電子写真感
光体の帯電性、生産性を根本的に改善できる可能性を有
しており、電気的に安定な繰り返し特性を有し、長寿命
の電子写真感光体を得る可能性を有するためであり、こ
れらの点に着目して、種々の電荷輸送層を有する非晶質
ケイ素系電子写真感光体が提案されている。この様な機
能分離型の非晶質ケイ素系電子写真感光体において、電
荷輸送層としては、プラズマCVD法で形成された、例え
ば米国特許第4,634,648号明細書に開示されている酸化
ケイ素やアモルファスカーボンよりなるものを使用する
ことができる。
と、電荷発生層で生じた電荷担体を効率良く注入でき、
かつ効率的に移動可能な電荷輸送層とに分離した、いわ
ゆる機能分離型感光層を有する電子写真感光体におい
て、電荷発生層として、非晶質ケイ素を、また電荷輸送
層として、プラズマCVD法で形成された非晶質材料を用
いた電子写真感光体が注目されている。これは非晶質ケ
イ素の有する優れた特性である光感度、高硬度、熱安定
性を損なうことなく、従来の非晶質ケイ素系電子写真感
光体の帯電性、生産性を根本的に改善できる可能性を有
しており、電気的に安定な繰り返し特性を有し、長寿命
の電子写真感光体を得る可能性を有するためであり、こ
れらの点に着目して、種々の電荷輸送層を有する非晶質
ケイ素系電子写真感光体が提案されている。この様な機
能分離型の非晶質ケイ素系電子写真感光体において、電
荷輸送層としては、プラズマCVD法で形成された、例え
ば米国特許第4,634,648号明細書に開示されている酸化
ケイ素やアモルファスカーボンよりなるものを使用する
ことができる。
発明が解決しようとする課題 非晶質ケイ素系電子写真感光体において、電荷輸送層
と電荷発生層を分離した層構成とし、電荷発生層として
非晶質ケイ素を用い、また電荷輸送層として非晶質ケイ
素に比べてより誘電率の小さく、より高抵抗の物質を用
いることによって、帯電性を向上させ、暗減衰を減少さ
せることができる。しかしながら、上記プラズマCVD法
によって作成される膜は、その成膜速度が非晶質系膜の
それと変わらず、また、層構成が複雑になるため、膜欠
陥の発生確率が増大し、感光体の生産性が低く、極めて
高コストであるという問題があった。
と電荷発生層を分離した層構成とし、電荷発生層として
非晶質ケイ素を用い、また電荷輸送層として非晶質ケイ
素に比べてより誘電率の小さく、より高抵抗の物質を用
いることによって、帯電性を向上させ、暗減衰を減少さ
せることができる。しかしながら、上記プラズマCVD法
によって作成される膜は、その成膜速度が非晶質系膜の
それと変わらず、また、層構成が複雑になるため、膜欠
陥の発生確率が増大し、感光体の生産性が低く、極めて
高コストであるという問題があった。
本発明は、従来の技術における上記のような問題点に
鑑みてなされたものである。
鑑みてなされたものである。
したがって、本発明の目的は、新規な電荷輸送層を有
する電子写真感光体を提供することにある。
する電子写真感光体を提供することにある。
即ち、本発明の目的は、機械的強度・硬度が高く、欠
陥の少ない電荷輸送層を有する高耐久性の電子写真感光
体を提供することにある。
陥の少ない電荷輸送層を有する高耐久性の電子写真感光
体を提供することにある。
本発明の他の目的は、高感度で凡色性に富み、高帯電
性で暗減衰が小さく、また露光度の残留電位の少ない電
子写真感光体を提供することにある。
性で暗減衰が小さく、また露光度の残留電位の少ない電
子写真感光体を提供することにある。
本発明の他の目的は、帯電特性が外部環境の雰囲気の
変化によって影響を受けない電子写真感光体を提供する
ことにある。
変化によって影響を受けない電子写真感光体を提供する
ことにある。
又、本発明の更に他の目的は、繰返し使用しても画像
品質の優れた電子写真感光体を提供することにある。
品質の優れた電子写真感光体を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、上記電子写真感光体を製造
する方法を提供することにある。
する方法を提供することにある。
課題を解決するための手段及び作用 本発明者等は、先にアルミニウムの酸化物が、電荷輸
送層としての機能を有することを見出だしたが、更に検
討の結果、特定の組成を有するアルミニウム合金を用い
て陽極酸化アルミニウム皮膜を形成した場合に、物理特
性、電子写真特性及び電荷発生層との密着性において、
一層優れたものが得られることを見出だし、本発明を完
成するに至った。
送層としての機能を有することを見出だしたが、更に検
討の結果、特定の組成を有するアルミニウム合金を用い
て陽極酸化アルミニウム皮膜を形成した場合に、物理特
性、電子写真特性及び電荷発生層との密着性において、
一層優れたものが得られることを見出だし、本発明を完
成するに至った。
本発明の電子写真感光体は、支持体の上に少なくとも
電荷輸送層と電荷発生層とが順次積層され、該電荷輸送
層が、Mg:2.2〜5.6重量％及び不純物として、Mn、Cu、F
e、Si、Cr及びZnを含有するAl−Mg系合金、又はMn:1.0
〜1.5重量％及び不純物としてCu、Fe、Si、Znを含有す
るAl−Mn系合金よりなる支持体を陽極酸化して形成され
た多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜であり、該電荷発生
層が非晶質ケイ素を主成分として含むことを特徴とす
る。
電荷輸送層と電荷発生層とが順次積層され、該電荷輸送
層が、Mg:2.2〜5.6重量％及び不純物として、Mn、Cu、F
e、Si、Cr及びZnを含有するAl−Mg系合金、又はMn:1.0
〜1.5重量％及び不純物としてCu、Fe、Si、Znを含有す
るAl−Mn系合金よりなる支持体を陽極酸化して形成され
た多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜であり、該電荷発生
層が非晶質ケイ素を主成分として含むことを特徴とす
る。
本発明の上記電子写真感光体は、Mg:2.2〜5.6重量％
及び不純物として、Mn、Cu、Fe、Si、Cr及びZnを含有す
るAl−Mg系合金、又はMn:1.0〜1.5重量％及び不純物と
してCu、Fe、Si、Znを含有するAl−Mn系合金よりなる支
持体を、常法により陽極酸化処理して、該支持体上に多
孔質陽極酸化アルミニウム皮膜を形成し、次いで、形成
された多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜からなる電荷輸
送層の上に非晶質ケイ素を主成分として含む電荷発生層
を形成することによって製造することができる。
及び不純物として、Mn、Cu、Fe、Si、Cr及びZnを含有す
るAl−Mg系合金、又はMn:1.0〜1.5重量％及び不純物と
してCu、Fe、Si、Znを含有するAl−Mn系合金よりなる支
持体を、常法により陽極酸化処理して、該支持体上に多
孔質陽極酸化アルミニウム皮膜を形成し、次いで、形成
された多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜からなる電荷輸
送層の上に非晶質ケイ素を主成分として含む電荷発生層
を形成することによって製造することができる。
以下、本発明を詳細に説明する。
第１図は、本発明の電子写真感光体の模式的断面図で
あって、例えば、直径30〜200μｍのパイプ状の支持体
１上に多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜２が形成され、
その上に電荷発生層３が形成されている。
あって、例えば、直径30〜200μｍのパイプ状の支持体
１上に多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜２が形成され、
その上に電荷発生層３が形成されている。
本発明において、支持体としては、Mg:2.2〜5.6重量
％及び不純物として、Mn、Cu、Fe、Si、Cr及びZnを含有
するAl−Mg系合金、又はMn:1.0〜1.5重量％及び不純物
としてCu、Fe、Si、Znを含有するAl−Mn系合金が使用さ
れる。Al−Mg系合金としては、支持体としての所要の強
度を発現させるため、Mgを2.2〜5.6重量％の範囲で添加
し、更に個別的には、Si:0.40％（重量％、以下同様）
以下、Fe:0.40％以下、Cu:0.10％以下、Mn:1.0％以下、
Mg:2.2〜5.6％、Cr:0.05〜0.35％、Zn:0.25％以下、Ti:
0〜0.20％、残部:Alよりなるものが好ましく使用でき、
また、Al−Mn系合金としては、支持体としての所要の強
度を発現させるため、Mnを1.0〜1.5重量％の範囲で添加
し、更に個別的には、Si:0.6％以下、Fe:0.7％以下、C
u:0.20％以下、Mn:1.0％〜1.5％、Zn:0.10％以下、残
部:Alよりなるものが好ましく使用できる。上記Al−Mg
系合金、Al−Mg系合金において、不純物濃度が各々の範
囲を外れた場合には、電荷輸送性或いはコピー画質が悪
化するので好ましくない。また特に、不純物濃度が上限
を超える場合には、皮膜自体の欠陥が発生し易くなるの
で好ましくない。
％及び不純物として、Mn、Cu、Fe、Si、Cr及びZnを含有
するAl−Mg系合金、又はMn:1.0〜1.5重量％及び不純物
としてCu、Fe、Si、Znを含有するAl−Mn系合金が使用さ
れる。Al−Mg系合金としては、支持体としての所要の強
度を発現させるため、Mgを2.2〜5.6重量％の範囲で添加
し、更に個別的には、Si:0.40％（重量％、以下同様）
以下、Fe:0.40％以下、Cu:0.10％以下、Mn:1.0％以下、
Mg:2.2〜5.6％、Cr:0.05〜0.35％、Zn:0.25％以下、Ti:
0〜0.20％、残部:Alよりなるものが好ましく使用でき、
また、Al−Mn系合金としては、支持体としての所要の強
度を発現させるため、Mnを1.0〜1.5重量％の範囲で添加
し、更に個別的には、Si:0.6％以下、Fe:0.7％以下、C
u:0.20％以下、Mn:1.0％〜1.5％、Zn:0.10％以下、残
部:Alよりなるものが好ましく使用できる。上記Al−Mg
系合金、Al−Mg系合金において、不純物濃度が各々の範
囲を外れた場合には、電荷輸送性或いはコピー画質が悪
化するので好ましくない。また特に、不純物濃度が上限
を超える場合には、皮膜自体の欠陥が発生し易くなるの
で好ましくない。
これ等アルミニウム合金の具体例としては、Al−Mg合
金としてJIS H 4080に規定された合金番号5052、5154、
5056、5083等があげられ、また、Al−Mn系合金として合
金番号3003及び3203等があげられる。
金としてJIS H 4080に規定された合金番号5052、5154、
5056、5083等があげられ、また、Al−Mn系合金として合
金番号3003及び3203等があげられる。
支持体の表面に形成される多孔質陽極酸化アルミニウ
ム皮膜は、電荷輸送層としての役割を果たすものであっ
て、次のようにして製造される。
ム皮膜は、電荷輸送層としての役割を果たすものであっ
て、次のようにして製造される。
支持体上に多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜を形成す
るための陽極酸化処理について、より具体的に説明する
と、まず、表面を鏡面切削仕上げし、所望の形状に加工
されたアルミニウム面を有する支持体を、有機溶剤又は
フロン溶剤中で超音波洗浄し、続いて純水中で超音波洗
浄する。
るための陽極酸化処理について、より具体的に説明する
と、まず、表面を鏡面切削仕上げし、所望の形状に加工
されたアルミニウム面を有する支持体を、有機溶剤又は
フロン溶剤中で超音波洗浄し、続いて純水中で超音波洗
浄する。
引き続いて、支持体上に多孔質陽極酸化アルミニウム
皮膜を形成する。ステンレス鋼或いは硬質ガラスなどで
作製された電解槽（陽極酸化槽）中に電解質溶液（陽極
酸化溶液）を所定の液面まで満たす。電解質溶液として
は、多孔質陽極酸化皮膜を形成する浴成分、硫酸、リン
酸、クロム酸等より選択された無機多塩基酸、又はしゅ
う酸、マロン酸、酒石酸等より選択された有機多塩基酸
の１〜30重量％酸性水溶液が用いられる。溶媒として用
いる純水としては、蒸溜水或いはイオン交換水等をあげ
ることができるが、特に塩素分等の不純物が充分に取り
除かれていることが、陽極酸化アルミニウム皮膜の腐食
やピンホール発生防止のために必要である。
皮膜を形成する。ステンレス鋼或いは硬質ガラスなどで
作製された電解槽（陽極酸化槽）中に電解質溶液（陽極
酸化溶液）を所定の液面まで満たす。電解質溶液として
は、多孔質陽極酸化皮膜を形成する浴成分、硫酸、リン
酸、クロム酸等より選択された無機多塩基酸、又はしゅ
う酸、マロン酸、酒石酸等より選択された有機多塩基酸
の１〜30重量％酸性水溶液が用いられる。溶媒として用
いる純水としては、蒸溜水或いはイオン交換水等をあげ
ることができるが、特に塩素分等の不純物が充分に取り
除かれていることが、陽極酸化アルミニウム皮膜の腐食
やピンホール発生防止のために必要である。
次いで、この電解質溶液の中に、上記の円筒状支持体
及びステンレス鋼板あるいはアルミニウム板をそれぞれ
電極として、ある一定の電極間距離を隔てて浸漬する。
この際の電極間距離は0.1cm〜100cmの間において適宜に
設定される。直流電解を行う場合には、直流電源装置を
用意し、その正（プラス）端子と円筒状支持体、及び負
（マイナス）端子と陰極板とをそれぞれ結線し、電解質
溶液中の陽極、陰極両電極間に通電する。印加する直流
は、直流成分のみよりなるものであっても、交流成分が
重畳したものであってもよい。陽極酸化実施時の電流密
度は、0.1〜10A・dm-2の範囲に設定する。皮膜成長速度
及び冷却効率を考えるならば0.5〜3.0A・dm-2の範囲に
設定するのが好ましい。また陽極酸化電圧は、通常３〜
150V、好ましくは７〜100Vである。又、電解質溶液の液
温は、−５〜100℃、好ましくは０〜80℃に設定され
る。
及びステンレス鋼板あるいはアルミニウム板をそれぞれ
電極として、ある一定の電極間距離を隔てて浸漬する。
この際の電極間距離は0.1cm〜100cmの間において適宜に
設定される。直流電解を行う場合には、直流電源装置を
用意し、その正（プラス）端子と円筒状支持体、及び負
（マイナス）端子と陰極板とをそれぞれ結線し、電解質
溶液中の陽極、陰極両電極間に通電する。印加する直流
は、直流成分のみよりなるものであっても、交流成分が
重畳したものであってもよい。陽極酸化実施時の電流密
度は、0.1〜10A・dm-2の範囲に設定する。皮膜成長速度
及び冷却効率を考えるならば0.5〜3.0A・dm-2の範囲に
設定するのが好ましい。また陽極酸化電圧は、通常３〜
150V、好ましくは７〜100Vである。又、電解質溶液の液
温は、−５〜100℃、好ましくは０〜80℃に設定され
る。
また、交流電解の場合には、交流電源装置を用意し、
両電極に接続し、交流電圧を印加して、両電極間に通電
する。通電する交流としては、実効電圧３〜40V、好ま
しくは８〜15Vの商用交流、又はそれと同等の効果を有
する交番波形を有するた電流が使用される。又、電解質
溶液の液温は、−５〜40℃、好ましくは５〜30℃に設定
される。
両電極に接続し、交流電圧を印加して、両電極間に通電
する。通電する交流としては、実効電圧３〜40V、好ま
しくは８〜15Vの商用交流、又はそれと同等の効果を有
する交番波形を有するた電流が使用される。又、電解質
溶液の液温は、−５〜40℃、好ましくは５〜30℃に設定
される。
この様にして形成された多孔質陽極酸化アルミニウム
皮膜は、必要に応じて純水による洗浄等の措置が取られ
た後、乾燥させる。多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜の
膜厚は１〜100μｍ、好ましくは５〜50μｍに設定され
る。
皮膜は、必要に応じて純水による洗浄等の措置が取られ
た後、乾燥させる。多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜の
膜厚は１〜100μｍ、好ましくは５〜50μｍに設定され
る。
本発明において、多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜
は、更に二次電解を行って、孔中に金属を充填させても
よい。金属の充填により金属が導電物として電荷輸送性
に寄与し、電荷輸送層の電荷輸送能を向上させることが
できる。充填する金属は、Fe、Ni、Co、Sn、Cu及びZnよ
り選択された１種又は２種以上であることが望ましい。
は、更に二次電解を行って、孔中に金属を充填させても
よい。金属の充填により金属が導電物として電荷輸送性
に寄与し、電荷輸送層の電荷輸送能を向上させることが
できる。充填する金属は、Fe、Ni、Co、Sn、Cu及びZnよ
り選択された１種又は２種以上であることが望ましい。
これ等の金属の充填は、浸漬、電解等適宜の方法で孔
中に金属を吸着又は沈着あるいは析出させることにより
実施することができ、例えば、電解析出によって充填す
る方法が使用できる。
中に金属を吸着又は沈着あるいは析出させることにより
実施することができ、例えば、電解析出によって充填す
る方法が使用できる。
上記の様にして形成された多孔質陽極酸化アルミニウ
ム皮膜上には、直接密着して、電荷発生層が形成される
が、電荷発生層は、非晶質ケイ素を主成分として含むも
のであるが、例えば、ゲルマニウムを添加した非晶質ケ
イ素を用いたものは、優れた機械的、電気的特性を示す
ものとなるので好ましい。非晶質ケイ素を主成分として
含む電荷発生層は公知の方法によって形成することがで
きる。例えば、グロー放電分解法、スパッタリング法、
イオンプレーティング法、真空蒸着法等によって形成す
ることができる。これらの膜形成方法は、目的に応じて
適宜選択されるが、プラズマCVD法によりシラン或いは
シラン系ガスをグロー放電分解する方法が好ましく、こ
の方法によれば、膜中に適量の水素を含有した比較的暗
抵抗が高く、かつ、光感度も高い膜が形成され、電荷発
生層として好適な特性を得ることができる。
ム皮膜上には、直接密着して、電荷発生層が形成される
が、電荷発生層は、非晶質ケイ素を主成分として含むも
のであるが、例えば、ゲルマニウムを添加した非晶質ケ
イ素を用いたものは、優れた機械的、電気的特性を示す
ものとなるので好ましい。非晶質ケイ素を主成分として
含む電荷発生層は公知の方法によって形成することがで
きる。例えば、グロー放電分解法、スパッタリング法、
イオンプレーティング法、真空蒸着法等によって形成す
ることができる。これらの膜形成方法は、目的に応じて
適宜選択されるが、プラズマCVD法によりシラン或いは
シラン系ガスをグロー放電分解する方法が好ましく、こ
の方法によれば、膜中に適量の水素を含有した比較的暗
抵抗が高く、かつ、光感度も高い膜が形成され、電荷発
生層として好適な特性を得ることができる。
以下、プラズマCVD法を例にあげて説明する。
ケイ素を主成分とする非晶質ケイ素感光層を作成する
ための原料としては、シラン、ジシランをはじめとする
シラン類等があげられる。又、電荷発生層を形成する
際、必要に応じて、水素、ヘリウム、アルゴン、ネオン
等のキャリアガスを用いることも可能である。又、これ
等の原料ガス中に、ジボラン（B2H6）ガス、ホスフィン
（PH3）ガス等のドーパントガスを混入させ、膜中にホ
ウ素あるいはリン等の不純物元素の添加することもでき
る。又、光感度の増加等を目的として、感光層中にハロ
ゲン原子、炭素原子、酸素原子、窒素原子等を含有させ
てもよい。更に又、長波長域感度の増加を目的として、
ゲルマニウム、錫等の元素を添加することも可能であ
る。
ための原料としては、シラン、ジシランをはじめとする
シラン類等があげられる。又、電荷発生層を形成する
際、必要に応じて、水素、ヘリウム、アルゴン、ネオン
等のキャリアガスを用いることも可能である。又、これ
等の原料ガス中に、ジボラン（B2H6）ガス、ホスフィン
（PH3）ガス等のドーパントガスを混入させ、膜中にホ
ウ素あるいはリン等の不純物元素の添加することもでき
る。又、光感度の増加等を目的として、感光層中にハロ
ゲン原子、炭素原子、酸素原子、窒素原子等を含有させ
てもよい。更に又、長波長域感度の増加を目的として、
ゲルマニウム、錫等の元素を添加することも可能であ
る。
本発明において、電荷発生層は、ケイ素を主成分と
し、１〜40原子％、好ましくは５〜20原子％の水素を含
んだものが好ましい。膜厚としては、0.1〜30μｍ、好
ましくは0.2〜５μｍの範囲に設定される。
し、１〜40原子％、好ましくは５〜20原子％の水素を含
んだものが好ましい。膜厚としては、0.1〜30μｍ、好
ましくは0.2〜５μｍの範囲に設定される。
電荷発生層の膜形成条件は次の通りである。即ち、周
波数は、通常、０〜5GHz、好ましくは５〜3GHz、放電時
の真空度は10-5〜5Torr（0.001〜665Pa）、基板加熱温
度は100〜400℃である。
波数は、通常、０〜5GHz、好ましくは５〜3GHz、放電時
の真空度は10-5〜5Torr（0.001〜665Pa）、基板加熱温
度は100〜400℃である。
本発明の電子写真感光体においては、必要に応じて感
光体表面のコロナイオンによる変質を防止するための表
面保護層を設けてもよい。
光体表面のコロナイオンによる変質を防止するための表
面保護層を設けてもよい。
実施例 次に実施例によって本発明を詳細に説明する。
実施例１ Si:0.07％、Fe:0.11％、Mg:5.0％、Mn:0.13％、Cu:0.
13％、残部:Alよりなる合金組成のAl−Mg系合金（JIS合
金番号5056相当）によって形成された直径約120mmの円
筒状支持体を、脱脂剤（FC315、日本パーカライジング
社製）50g/の水溶液中に55℃で３分間浸漬した後、水
洗した。
13％、残部:Alよりなる合金組成のAl−Mg系合金（JIS合
金番号5056相当）によって形成された直径約120mmの円
筒状支持体を、脱脂剤（FC315、日本パーカライジング
社製）50g/の水溶液中に55℃で３分間浸漬した後、水
洗した。
交流電解浴組成として、H2SO4 150g/及びAl2（S
O4）３・14〜18H2O 30g/を含む水溶液を用意し、15
℃において、円筒状支持体とアルミニウム対極との間
に、変圧器を介して実効電圧12Vの交流を95分間印加
し、通電を行った。それによって膜厚12μｍの多孔質陽
極酸化アルミニウム皮膜が形成した。
O4）３・14〜18H2O 30g/を含む水溶液を用意し、15
℃において、円筒状支持体とアルミニウム対極との間
に、変圧器を介して実効電圧12Vの交流を95分間印加
し、通電を行った。それによって膜厚12μｍの多孔質陽
極酸化アルミニウム皮膜が形成した。
この様にして陽極酸化アルミニウム皮膜が形成された
円筒状支持体を蒸溜水中で超音波洗浄し、80℃で乾燥し
た後、容量結合型プラズマCVD装置の真空槽内に設置し
た。この円筒状支持体を250℃に維持し、真空槽内に100
％シラン（SiH4）ガスを毎分250cc、水素稀釈の100ppm
ジボラン（B2H6）ガスを毎分3cc、更に100％水素（H2）
ガスを毎分250ccで流入させ、真空槽内を1.5Torr（200.
0N/m2）の内圧に維持した後、13.56MHzの高周波電力を
投入して、グロー放電を生じせしめ、高周波電源の出力
を350Wに維持した。このようにして水素と極微量の硼素
を含む高暗抵抗で、いわゆるｉ型の非晶質ケイ素からな
る厚さ２μｍの電荷発生層を形成し、電子写真感光体を
得た。
円筒状支持体を蒸溜水中で超音波洗浄し、80℃で乾燥し
た後、容量結合型プラズマCVD装置の真空槽内に設置し
た。この円筒状支持体を250℃に維持し、真空槽内に100
％シラン（SiH4）ガスを毎分250cc、水素稀釈の100ppm
ジボラン（B2H6）ガスを毎分3cc、更に100％水素（H2）
ガスを毎分250ccで流入させ、真空槽内を1.5Torr（200.
0N/m2）の内圧に維持した後、13.56MHzの高周波電力を
投入して、グロー放電を生じせしめ、高周波電源の出力
を350Wに維持した。このようにして水素と極微量の硼素
を含む高暗抵抗で、いわゆるｉ型の非晶質ケイ素からな
る厚さ２μｍの電荷発生層を形成し、電子写真感光体を
得た。
得られた電子写真感光体に対して、正帯電特性を測定
したところ、感光体流入電流10μA/cmの場合、帯電直後
の帯電電位は520Vであり、暗減衰は12％/secであった。
白色光で露光した後の残留電位は130Vであり、半減露光
量は8erg.cm-2であった。
したところ、感光体流入電流10μA/cmの場合、帯電直後
の帯電電位は520Vであり、暗減衰は12％/secであった。
白色光で露光した後の残留電位は130Vであり、半減露光
量は8erg.cm-2であった。
この電子写真感光体を複写機（FX5990、富士ゼロック
ス（株）製）に装着し、複写を行った。得られたコピー
画像の未露光時の黒画像上には白点は認められなかっ
た。また、露光後の画像において不均一な背景カブリは
生じていなく、電荷注入が均一に行われていることが確
認された。
ス（株）製）に装着し、複写を行った。得られたコピー
画像の未露光時の黒画像上には白点は認められなかっ
た。また、露光後の画像において不均一な背景カブリは
生じていなく、電荷注入が均一に行われていることが確
認された。
比較例１ 実施例１におけるAl−Mg系合金より形成された支持体
の代わりに、99.99％AlをベースにMgを4.25％添加したA
l−Mg系合金より形成された支持体を使用した以外は、
実施例１と同様にして多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜
を形成した。次いで、実施例１と同様にして電荷発生層
を形成し、電子写真感光体を得た。
の代わりに、99.99％AlをベースにMgを4.25％添加したA
l−Mg系合金より形成された支持体を使用した以外は、
実施例１と同様にして多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜
を形成した。次いで、実施例１と同様にして電荷発生層
を形成し、電子写真感光体を得た。
実施例１と同様に評価したところ、コピー画像の未露
光時の黒画像上には白点が発生した。また、露光後の画
像において、背景に不均一なカブリが生じており、電荷
注入が均一に行われていないことが確認された。
光時の黒画像上には白点が発生した。また、露光後の画
像において、背景に不均一なカブリが生じており、電荷
注入が均一に行われていないことが確認された。
比較例２ 実施例１におけるAl−Mg系合金より形成された支持体
の代わりに、純度99.99％の純アルミニウムより形成さ
れた支持体を使用した以外は、実施例１と同様にして多
孔質陽極酸化アルミニウム皮膜を形成した。次いで、実
施例１と同様にして電荷発生層を形成し、電子写真感光
体を得た。
の代わりに、純度99.99％の純アルミニウムより形成さ
れた支持体を使用した以外は、実施例１と同様にして多
孔質陽極酸化アルミニウム皮膜を形成した。次いで、実
施例１と同様にして電荷発生層を形成し、電子写真感光
体を得た。
実施例１と同様に評価したところ、コピー画像の未露
光時の黒画像上には白点が発生した。また、露光後の画
像において、背景に不均一なカブリが生じており、電荷
注入が均一に行われていないことが確認された。
光時の黒画像上には白点が発生した。また、露光後の画
像において、背景に不均一なカブリが生じており、電荷
注入が均一に行われていないことが確認された。
実施例２ 実施例１におけるAl−Mg系合金より形成された支持の
代わりに、Si:0.10、Fe:0.40％、Mn:1.21％、Cu:0.13
％、残部:Alよりなる合金組成のAl−Mn系合金（JIS合金
番号3003相当）によって形成された支持体を使用した以
外は、実施例１と同様にして多孔質陽極酸化アルミニウ
ム皮膜を形成した。次いで、実施例１と同様にして電荷
発生層を形成し、電子写真感光体を得た。
代わりに、Si:0.10、Fe:0.40％、Mn:1.21％、Cu:0.13
％、残部:Alよりなる合金組成のAl−Mn系合金（JIS合金
番号3003相当）によって形成された支持体を使用した以
外は、実施例１と同様にして多孔質陽極酸化アルミニウ
ム皮膜を形成した。次いで、実施例１と同様にして電荷
発生層を形成し、電子写真感光体を得た。
実施例１と同様に評価したところ、コピー画像の未露
光時の黒画像上には白点は認められなかった。また、露
光後の画像において不均一な背景カブリは生じておら
ず、電荷の注入が均一に行われていることが確認され
た。
光時の黒画像上には白点は認められなかった。また、露
光後の画像において不均一な背景カブリは生じておら
ず、電荷の注入が均一に行われていることが確認され
た。
比較例３ 実施例２におけるAl−Mn系合金より形成された支持体
の代わりに、99.99％AlをベースにMnを0.8％添加したAl
−Mn系合金より形成された支持体を使用した以外は、実
施例２と同様にして多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜を
形成し、同様にして電子写真感光体を得た。
の代わりに、99.99％AlをベースにMnを0.8％添加したAl
−Mn系合金より形成された支持体を使用した以外は、実
施例２と同様にして多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜を
形成し、同様にして電子写真感光体を得た。
実施例１と同様に評価したところ、コピー画像の未露
光時の黒画像上には白点が多数発生した。また、露光後
の画像において背景部に不均一なカブリが生じており、
電荷注入が均一に行われていないことが確認された。
光時の黒画像上には白点が多数発生した。また、露光後
の画像において背景部に不均一なカブリが生じており、
電荷注入が均一に行われていないことが確認された。
発明の効果 本発明の電子写真感光体は、電荷輸送層が、上記した
特定の組成を有するアルミニウム合金を用いて形成させ
た多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜よりなるから、電荷
注入が均一に行われる。したがって、未露光時の黒画像
上に白点等の画像欠陥が発生することがなく、また、露
光後の画像において不均一な背景カブリを生じることが
ない。また、その電子写真感光体は、高感度で凡色性に
富み、高帯電性で暗減衰が低く、また、露光後の残留電
位の少ないものであり、その帯電特性は、外部環境の雰
囲気の変化によって影響を受けることがなく、また、繰
り返し使用しても優れた画質の画像を形成する。また、
電荷輸送層と非晶質ケイ素を主成分として含む電荷発生
層との接着性、密着性が極めて高く、機械的強度・硬度
も高く、欠陥の少ないものであり、したがって本発明の
電子写真感光体は耐久性に優れている。
特定の組成を有するアルミニウム合金を用いて形成させ
た多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜よりなるから、電荷
注入が均一に行われる。したがって、未露光時の黒画像
上に白点等の画像欠陥が発生することがなく、また、露
光後の画像において不均一な背景カブリを生じることが
ない。また、その電子写真感光体は、高感度で凡色性に
富み、高帯電性で暗減衰が低く、また、露光後の残留電
位の少ないものであり、その帯電特性は、外部環境の雰
囲気の変化によって影響を受けることがなく、また、繰
り返し使用しても優れた画質の画像を形成する。また、
電荷輸送層と非晶質ケイ素を主成分として含む電荷発生
層との接着性、密着性が極めて高く、機械的強度・硬度
も高く、欠陥の少ないものであり、したがって本発明の
電子写真感光体は耐久性に優れている。
第１図は本発明の電子写真感光体の一実施例の模式的断
面図である。 １……支持体、２……多孔質陽極酸化アルミニウム皮
膜、３……電荷発生層。
面図である。 １……支持体、２……多孔質陽極酸化アルミニウム皮
膜、３……電荷発生層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩田 保伸 東京都港区三田３丁目13番12号 日本軽 金属株式会社内 (56)参考文献 特開 昭57−88458（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−116558（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−79755（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】支持体の上に少なくとも電荷輸送層と電荷
発生層とが順次積層され、該電荷輸送層が、Mg:2.2〜5.
6％及び不純物として、Mn、Cu、Fe、Si、Cr及びZnを含
有するAl−Mg系合金、又はMn:1.0〜1.5重量％及び不純
物としてCu、Fe、Si及びZnを含有するAl−Mn系合金より
なる支持体を陽極酸化して形成された多孔質陽極酸化ア
ルミニウム皮膜であり、該電荷発生層が非晶質ケイ素を
主成分として含むことを特徴とする電子写真感光体。 - 【請求項２】Mg:2.2〜5.6重量％及び不純物として、M
n、Cu、Fe、Si、Cr及びZnを含有するAl−Mg系合金、又
はMn:1.0〜1.5重量％及び不純物としてCu、Fe、Si及びZ
nを含有するAl−Mn系合金よりなる支持体を、電解液中
に浸漬し、通電して、陽極酸化により該支持体上に多孔
質陽極酸化アルミニウム皮膜を形成し、次いで、形成さ
れた多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜からなる電荷輸送
層の上に非晶質ケイ素を主成分として含む電荷発生層を
形成することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1246502A JP2663647B2 (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | 電子写真感光体及びその製造方法 |
| US07/586,083 US5120626A (en) | 1989-09-25 | 1990-09-21 | Electrophotographic photoreceptor having an anodized Al-Mg or Al-Mn alloy substrate and process for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1246502A JP2663647B2 (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | 電子写真感光体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03109567A JPH03109567A (ja) | 1991-05-09 |
| JP2663647B2 true JP2663647B2 (ja) | 1997-10-15 |
Family
ID=17149352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1246502A Expired - Fee Related JP2663647B2 (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | 電子写真感光体及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5120626A (ja) |
| JP (1) | JP2663647B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6319668B1 (en) | 1995-04-25 | 2001-11-20 | Discovery Partners International | Method for tagging and screening molecules |
| US6340588B1 (en) | 1995-04-25 | 2002-01-22 | Discovery Partners International, Inc. | Matrices with memories |
| US7048814B2 (en) * | 2002-02-08 | 2006-05-23 | Applied Materials, Inc. | Halogen-resistant, anodized aluminum for use in semiconductor processing apparatus |
| US7534535B2 (en) * | 2004-11-23 | 2009-05-19 | Xerox Corporation | Photoreceptor member |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3891516A (en) * | 1970-08-03 | 1975-06-24 | Polychrome Corp | Process of electrolyically anodizing a mechanically grained aluminum base and article made thereby |
| US4369242A (en) * | 1980-09-25 | 1983-01-18 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Non-porous and porous Al2 O3 barrier zones in layered electrophotographic device |
| CA1166502A (en) * | 1980-09-25 | 1984-05-01 | Padmanabham A. Arimilli | Photoreceptor construction including an aluminum oxide barrier-change transport layer having porous and non-porous zones |
| JPS6479755A (en) * | 1987-09-21 | 1989-03-24 | Furukawa Aluminium | Drum of photosensitive body for laser beam printer and manufacture of same |
| JPH0830907B2 (ja) * | 1987-10-29 | 1996-03-27 | 三田工業株式会社 | 電子写真有機感光体の製造方法 |
| JPH07119151B2 (ja) * | 1987-12-07 | 1995-12-20 | 富士写真フイルム株式会社 | 平版印刷版用支持体 |
-
1989
- 1989-09-25 JP JP1246502A patent/JP2663647B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-09-21 US US07/586,083 patent/US5120626A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5120626A (en) | 1992-06-09 |
| JPH03109567A (ja) | 1991-05-09 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |