KR920002244B1 - 전자사진용 감광체 - Google Patents

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내용 없음.

Description

전자사진용 감광체

제1도는 본 발명에 의한 전자사진용감광체(Photographic Photoreceptor)의 기본구성을 나타내는 본 발명의 실시예의 개략 단면도.

제2도는 본 발명의 다른 실시예의 개략 단면도.

본 발명은 전자사진용 감광체에 관한 것이며 특히 기능분리형 감광층을 갖는 전자 사진용 감광체에 관한 것이다.

근년에 ＂기능분리＂형 전자사진용 감광체가 주목을 끌고 있다.

그와같은 감광체는 빛에 조사됐을 때에 전하를 발생하는 전하발생층과 전하발생층에서 발생된 전하를 효율적으로 주입 전송할 수 있는 전하 수송층으로 구성되어 있다.

통상 전하발생층으로 비정질 규소를 사용하고, 전하 수송층으로서 프라즈마 화학 증착법(CVD)에 의해서 형성된 비정질 재료를 사용한 전자사진 감광체가 주목을 끌고 있다.

이것은 그 모두가 비정질 규소의 우수한 특성인 감광도 고경도 및 열안정성을 손상시키지 않고 종래의 비정질 규소계 전자사진 감광체의 대전성과 생산성을 크게 향상시키고 또 전기적으로 안정된 반복 특성과 장수명을 갖는 전자사진 감광체를 얻을 가능성이 있기 때문이다. 그에따라 각종 전하수송층들로 되는 비정질 규소 전자사진 감광체들이 제안되었다.

그와 같은 기능분리형 비정질 규소제 전자사진 감광체에 있어서는 전하수송층으로서 프라즈마 CVD법에 의해서 형성되는 예를 들어 미국특허 제4,634,648에 개시된 산화규소 또는 비정질 탄소로된 것이 사용될 수 있다.

상술한 바와 같이 종래의 비정질 규소계 전자사진 감광체에 있어서는 전하수송층과 전하발생층을 분리시킨 층구조로서 전하발생층으로서 비정질 규소를 사용하고, 또 전하 수소층으로서 비정질 규소에 비하여 보다 유전율이 적고 보다 고저항의 물질을 사용함으로써 대전성을 향상시켜 암감쇠(dark decay)를 감소시킬 수 있었다.

그러나 상기 프라즈마법에 의해 제조되는 막은 그 막성장 속도가 비정질계 막의 그것과 거의 같고 또 층구조가 복잡하게 되므로 막결함의 발생확률이 중대되며 감광체의 생산성이 낮고 코스트가 높은 문제가 있다.

본 발명은 신규한 전하수송층을 갖는 전자사진 감광체를 제공함으로써 종래기술의 문제점들과 단점을 극복하는데 있다.

본 발명은 효율적인 면에서나 원가면에서 유용한 전자사진 감광체를 제공하는 요구조건을 만족시키고 합치시킬 수 있는 대폭적으로 개량되고 완전히 신규한 방법이라고 믿어진다.

따라서 본 발명의 목적은 신규한 전하 수송층을 갖는 전자사진 감광체를 제공하는데 있다.

본 발명의 다른 목적은 고집착성, 고기계적 강도 및 최소결함을 갖는 고내구성의 전자사진 감광체를 제공하는데 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 고감도로 범색성이 풍부하며 고대전성으로 암감쇠가 적고, 또 노광후의 잔류전위가 적은 전자사진 감광체를 제공하는데 있다.

본 발명의 또다른 목적은 반복 사용할지라도 우수한 화질을 나타내는 전자사진 감광체를 제공하는데 있다.

본 발명의 추가목적들 및 이점들은 후술되는 설명으로부터 명백해질 것이며 특히 첨부 청구범위에 지적된 스텝들의 조합과 수단에 의해서 알 수 있을 것이다.

본 발명자등은 일본국 특개소 63-63051호에서 알루미늄 산화물이 전하수송층으로서 기능할 수 있음을 발견한 바 있다.

더 연구한 결과 특정방법으로 제조된 알루미늄 산화막이 우수한 물리적 및 전자사진 특성을 나타냄을 발견하여 본 발명을 완성한 것이다.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명의 전자사진 감광체는 기판, 전하수송층 및 전하발생층으로 구성되며 기판의 표면은 알루미늄으로 되고 전하수소층은 상기 가판을 양극산화하여 형성된 양극산화된 알루미늄 피막으로 구성된다.

또다른 방법으로 기판은 적어도 그 표면위를 알루미늄 합금으로 구성할 수 있다.

상기 양극산화된 알루미늄 피막은 1-100μm의 두께를 갖는 것이 바람직하다.

본 발명의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하겠다.

전도면에 걸쳐서 동일번호는 동일물 또는 동일부분을 나타낸다.

제1도를 참조하면 본 발명에 의해서 양극산화된 알루미늄 피막(12)은 기판(10)위에 형성되고 전하발생층(14)은 양극산화된 알루미늄 피막(12)위에 형성된다.

제2도를 참조하면 양극산화된 알루미늄 피막(12)과 전하발생층(14)사이에는 중간층(16)이 형성되고 전하발생층(14)의 표면위에는 표면층(18)이 형성되어 있다.

본 발명에서는 기판(10)이 알루미늄, 알루미늄 합금(이후 ＂알루미늄＂이라고만 칭함)또는 알루미늄 이외의 도전성 또는 절연물질로 제조될 수 있다. 그러나 알루미늄이외의 물질로 제조된 기판의 경우에는 일반적으로 5μm이상(5∼50μm이 좋고 10∼30μm이 더 좋음)의 두께를 갖는 알루미늄 피막을 적어도 다른 층과 접촉하게될 기판의 표면위에 형성할 필요가 있다.

이 알루미늄 피막은 예를 들어 증착법, 스퍼터링법 또는 이온도금법에 의해서 형성될 수 있다. 알루미늄이외의 전기적 도전성물질을 예로들면 스태인리스강, 니켈, 크롬 등의 금속이 있고, 절연물질을 예로들면 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리카보네이트, 폴리스티렌, 폴리아미드 또는 폴리아미드 등의 폴리머류, 유리 또는 세라믹류로된 피막 또는 쉬트가 있다.

양호한 특성을 갖는 양극산화된 알루미늄 피막의 제조에 사용되는 알루미늄 재료로는 순수 알루미늄계 재료 및 예를 들어 Al-Mg, Al-Mg-Si, Al-Mg-Mn, Al-Mn, Al-Cu-Mg, Al-Cu-Ni, Al-Cu, Al-Si, Al-Cu-Zn, 및 Al-Cu-Si 등의 알루미늄 합금중에서 적의 선택할 수 있다.

기판의 알루미늄 표면은 전해질을 함유하는 수성용액중에서 양극산화되어 배리어층과 다공질층으로 되며 소유두께의 양극산화된 알루미늄 피막이 형성되어 전하수송층으로서 역할한다. 이 양극산화된 알루미늄 피막은 공지의 기술 및 방법으로 형성할 수 있다. 피막형성용 전해질로서는 피막용해성 전해질인 황산, 수산크롬산, 인산, 설폰산, 및 벤젠설폰산중에서 적당히 선택 사용할 수 있으며 적절한 전해액을 사용함으로써 전하수송층으로서 사용하기에 필요한 두께를 갖는 양극산화 알루미늄 피막을 형성할 수 있다.

전해를 행함에 있어서 직류나 교류전원을 모두 사용할 수 있다.

다음 설명은 DC전원을 전해에 사용한 경우를 설명했으나 교류전원을 사용해도 똑같이 필요한 양극산화 알루미늄 피막을 형성할 수 있다.

기판위에 양극산화 알루미늄 피막을 형성하기 위해서는 우선 거울과 같이 다듬질하여 필요한 형태로 가공한 알루미늄 표면을 갖는 기판을 프론(즉 염소화 불화탄화수소)들의 유기용매중에서 세정후 계속하여 순수중에서 초음파를 사용하여 세정한다. 이 세정후에 필요에 따라 기판의 알루미늄 표면을 예를 들어 끓는 순수중에서 전처리하거나 또는 끓는 물 또는 가열증기로 전처리하는 처리를 행한다. 그와같은 처리는 소요전력을 절감시키고 피막특성을 향상시키는 등 양호한 결과를 주므로 바람직하다.

그후 양극산화된 알루미늄 피막을 기판상에 형성한다.

전해질(양극산화용액)을 예를들어 스태인리스강이나 경질유리로 제조된 전해조(양극산화조)내에 소정의 높이까지 채운다.

이 전해질용액으로서는 통상 순수중에 상기 전해질을 용해시킨 용액이 사용된다. 이 순수중의 전해질의 함유 농도는 표준상태(0℃,1기압)하에서 전해질이 고체일 경우에 0.01~90중량%이고, 전해질이 액체일 경우에 0.01~85체적%이다. 사용되는 순수로서는 예를 들면 증류수 또는 이온교환수를 사용할 수 있다.

양극산화된 알루미늄 피막의 부식 또는 핀홀발생을 방지하기 위하여 특히 염소등의 불순물을 물에서 충분히 제거하는 것이 바람직하다.

이어서 알루민늄 표면을 갖는 상기 기판을 양극으로서 전해질 용액중에 설치하고, 스태인리스강판 또는 알루미늄판을 음극으로서 전해질용액중에 기판으로부터 일정 거리를 두고 설치한다. 양극과 음극간의 거리는 0.1∼1000cm범위내에서 적의 결정한다. DC전원의 양극단자(+)와 음극단자(-)를 각각 알루미늄 표면과 음극판에 연결하여 전해질 용액중의 양극과 음극간을 통전한다. 이 통전에 의해 기판의 알루미늄 표면위에 양극산화된 피막이 형성된다.

이와같이하여 형성된 양극산화된 알루미늄 피막은 전해 전압에 직접 비례하여 변화하는 두께를 갖는 무공성기층(즉 배리어층)과 그위에 형성되는 전해질의 종류, 전압, 전류밀도, 온도 및 다른 인자에 의해서 결정되는 두께를 갖는 다공질층으로 구성된다.

양극산화시의 전류밀도는 통상 약 0.0001∼10A/cm²이고 바람직하기로는 약 0.0005∼1A/cm²이다. 또 양극산화전압은 통상 약 0.1∼1000V이고 바람직하기로는 약 0.1∼700V이다.

전해질용액의 온도는 약 0∼100℃로 바람직하기로는 약 10∼95℃로 설정한다.

필요할 경우 이와 같이 형성된 양극산화피막은 예를 들어 비등하는 순수중에서의 처리등으로 기공을 폐쇄 또는 충전하는 처리를 행한다.

이 양극산화된 알루미늄 피막은 침지 또는 전해등의 방법을 사용하여 이 알루미늄 피막의 다공질층중에 염료들, 무기염들, 금속염들 또는 금속들을 흡착 또는 침착시켜 착책한다. 상술한 방법으로 착색된 다공질 층을 갖는 양극산화된 알루미늄 피막으로된 전하수송층은 그위에 형성되는 전하발생층을 투과한 빛을 흡수하는 반사방지층의 역할을 하므로 반도체 레이져프린터용 감광체로서 적합하다. 다공질층 금속의 혼합은 전하수송층의 전하수송능력을 증대시키기 때문에 바람직하다.

이와 같이 형성된 양극산화된 알루미늄 피막을 필요에 응하여 예를 들어 순수로 세정후 건조한다. 이 양극산화된 알루미늄 피막의 두께는 통상 약 1∼100μm, 바람직하기로는 약 5∼50μm, 더욱 바람직하기로는 약 5∼40μm이다.

그 다음에 양극산화 알루미늄 피막위에 전하발생층을 형성한다. 이 전하발생층은 CVD법 진공증착 또는 스퍼터링법을 사용하여 무기재료의 비정질 규소, 셀레늄, 수소화셀렌 또는 셀레늄-텔루륨 등으로 형성한다. 이 전하발생층은 진공증착법을 사용하여 프탈로시아닌, 동-프탈로시아닌, 알루미늄-프탈로시아닌, 스쿠알륨산 유도체 또는 비스아조염료 등을 증착하여 형성하거나 또는 접착 수지중에 염료를 분산시켜 침지도포등의 방법에 의해 형성하는 박막을 사용하여 형성할 수도 있다.

특히 비정질 규소 또는 게르마늄을 첨가한 비정질 규소를 사용한 경우에는 우수한 기계적 및 전기적 특성을 얻을 수 있어 바람직하다.

전하발생층을 형성시키는 다른 방법으로서 비정질 규소를 주성분으로 할 경우를 예로들어 설명하겠다.

비정질 규소를 주성분으로 하는 전하발생층은 공지의 방법인 글로우방전 분해법, 스퍼터링법, 이온도금법 또는 진공증착법으로 형성시킬 수 있다.

이 피막 형성방법은 그 목적과 요구에 따라서 적의 선택되나 프라즈마 CVD법에 의해서 실란 또 실란계 가스를 글로우 방전분해하는 방법을 채용하는 것이 바람직하다.

이 방법에 의하면 비정질 규소 피막은 수소가 그중에 함유되기 때문에 비교적 암저항(dark resistance)이 높고 또한 광감도 역시 높으므로 전하발생층으로서 바람직한 특성을 얻을 수 있다.

이하 프라즈마 CVD법을 사용하여 전하 발생층을 형성하는 방법을 설명하겠다. 예를 들면 실란과 디실란들의 실란류등을 규소를 주성분으로 하는 비정질 규소 감광층을 형성하는 원료로서 사용할 수 있다. 전하발생층의 형성시에 필요에 따라 수소, 헬륨, 아르콘 또는 네온등의 담체가스를 사용한다. 또 이들 원료가스중에 디보란(B₂H₆)가스 또는 포스핀(PH₃)가스등의 도우판트 가스를 혼입시켜 피막중에 붕소 또는 인등의 불순물 원소를 첨가사할 수도 있다. 또 광감도를 증가시키는 목적으로 할로겐원자, 탄소원자, 산소원자, 또는 질소원자등을 이 감광층중에 함유시킬 수도 있다.

또 장파장 영역의 감도증가를 목적으로 게르마늄 및 석등의 원소를 첨가하는 것도 가능하다.

본 발명에서 전하발생층은 규소를 주성분으로 하여 통상 약 1∼40원자%, 바람직하기로는 약 5∼20원자%의 수소를 함유하는 것이 좋다. 전하발생층의 두께는 약 0.1∼30μm, 바람직하기로는 약 0.2∼5μm의 범위내가 좋다.

본 발명의 전자사진 감광체는 필요에 응하여 전하발생층의 상면 또는 하면에 인접시켜 다른 추가층들을 형성할 수 있다.

이들 추가층들로서는 다음것들이 있다.

중간층으로는 예를 들어 비정질 규소에 주기율표 제Ⅲ족 또는 제Ⅳ족 원소중에서 선택된 원소를 첨가해서 되는 p-형 반도체층 n-형 반도체층 혹은 질화규소, 탄화규소, 산화규소, 비정질 탄소등의 절연층이 또 기타 원소, 주기율표 제ⅢB족 및 제Ⅳ족 원소를 동시에 함유하는 층등 감광체의 전기적 및 화상특성을 제어할 수 있는 층을 들수 있다. 각층의 피막 두께는 임의로 결정할 수 있으나 통상 약 0.01∼10μm의 범위내로 설정된다. 바람직한 중간층의 피막 두께는 약 0.01∼5μm이다.

또 전자사진 감광체의 표면을 코로나이온에 의한 변질로부터 보호하기 위한 표면 보호층을 설비할 수도있다. 이 표면보호층의 두께는 약 0.1∼10μm가 바람직하다.

상술한 추가층들은 프라즈마 CVD법을 사용하여 형성할 수 있다. 전하발생층의 경우에 설명한 바와 같이 불순물 원소를 첨가할 경우에는 불순물 원소를 함유하는 물질의 가스화물을 실란가스와 함께 플라즈마CVD장치내로 도입시켜서 글로우방전 분해를 행한다.

각층의 피막 형성조건은 다음과 같다. 즉, 주파수는 통상 약 0∼5GHZ, 바람직하기로는 약 3∼5GHZ, 방전시의 진공도는 약 1×10^-5Torr(0.001∼655Pa) 및 기판 가열온도는 약 100∼400℃이다.

상술한 바와 같이 본 발명의 전자사진 감광체는 양극산화된 알루미늄 피막으로 된 전하수송층을 갖고 있으므로 전하수송층과 기판 또는 전하발생층과의 사이의 접착성 및 친화성이 현저히 높다. 또 이 감광체는 기계적 강도와 경도가 높아서 결함을 최소화 할 수 있다. 따라서 본 발명의 전자사진 감광체는 내구성이 우수하고 고감도를 발휘한다.

또 다색성이 우수하고 고대전성으로 처리되며 암감쇠를 최소화하고 또 노광후에 잔류전위를 최소로 할 수 있다. 따라서 대전특성이 외부 분위기 상태의 변화에 의해서 영향받지 않는다.

또 무리하게 사용하거나 반복 사용을 한후에도 우수한 품질의 화상을 생성할 수 있다.

본 발명을 다음 실시예를 참조하여 상세히 설명하겠다.

[실시예 1]

순도 99.99%의 Al-Mg합금으로 제조되고 직경이 약 120mm의 원통상 알루미늄 파이프를 기판으로 사용했다.

이 파이프를 프론(flpn)으로 세정하고 증류수중에서 초음파 세정하고 순수비등중에서 15분동안 처리하고 계속하여 4wt%의 인산용액을 전해질 용액으로서 사용하여 용액 온도를 28℃로 유지하면서 이 알루미늄 파이프와 원통상 음극인 스태인리스 강판과의 사이에 60V의 DC전압을 인가하여 60분동안 양극산화를 실시했다. 이와같이해서 형성된 양극산화된 알루미늄 피막의 두께는 20μm였다.

이와 같이 양극산화된 알루미늄 피막이 피부된 알루미늄 파이프를 증류수중에서 초음파세정하고 100℃에서 건조한 후에 용량결합형 RF글로우 대전장치(플라즈마 CVD장치)의 진공조내에 설치햇다. 이때에 알루미늄 파이프를 250℃로 유지하였고, 이 진공조내에 순도 100%의 실란(SiH₄)가스를 250ml/min의 유속으로 도입하고 100ppm의 수소로 희석된 디보란(B₂H₆)가스를 3ml/min의 유속으로 도입하고, 100%순도의 수소(H₂)가스를 250ml/min의 유속으로 도입했다.

진공조의 내압을 1.5Torr(200.0N/m²)에 유지시킨후에 13.56MHZ의 고주파 전력을 인가하여 글로우방전시켰다.

이때의 고주파 전원의 출력은 350W로 유지시켰다. 이와 같이하여 수소와 극미량의 보론을 함유하는 고암저항(dark resistance)을 갖는 소위 i-형 비정질 규소로 제조된 전하발생층이 2μm두께로 형성됐다.

그리하여 알루미늄 파이프위에 20μm두께의 양극산화된 알루미늄 피막 전하수송층과 2μm두께의 i-형 비정질 규소 전하발생층을 갖는 전자사진 감광체를 얻을 수 있었다.

이 전자사진 감광체의 정대전 특성을 측정했다. 그 결과 감광체내로 유입되는 전류가 10μA/cm(마이크로암페아/cm)일 경우에 대전직후의 대전전위는 600V였고 암감쇠는 10%/sec였다. 백광으로 노광시킨 후의 잔류전위는 1009V였고 반감노광량은 9erg· cm^-2였다.

[비교예 1]

비교를 위하여 비등하는 순수중에서의 처리 및 양극산화 처리를 하지 않은 알루미늄 파이프위에 상기와 동일한 방법과 동일조건에 의한 i-형 비정질 규소로된 2μm두께의 감광층을 갖는 전자사진 감광체를 형성하여 정대적 특성을 측정했다. 그결과 감광체로의 유입전류가 10μA/cm인 경우에 대전 직후의 대전전위는 60V였다.

상기 결과에서 양극산화된 알루미늄 피막이 전하수송층으로서 기능함을 알 수 있었다.

[실시예 2]

순도 99.99%의 Al-Mg합금으로 제조되고 직경이 약 120mm의 원통상 알루미늄 파이프를 프론세정하고 증류수중에서 초음파 세정한후에 비등하는 순수중에서 15분동안 처리하였다.

이어서 전해액으로서 순수중에 8체적%의 황산과 0.5체적%의 황산 알루미늄을 첨가한 용액을 사용하여 용액온도를 25℃로 유지하면서 이 알루미늄 파이프와 원통상 음극인 스태인리스 강판과의 사이에 50V의 전류전압을 인가하여 80분동안 양극산화를 실시했다. 이와 같이하여 형성된 양극산화된 알루미늄 피막의 두께는 17.5μm였다.

그위에 형성된 양극산화된 알루미늄 피막을 갖는 알루미늄 파이프를 증류수중에서 초음파세정을 행하고 100℃에서 건조시킨후 용량결합형 RF글로우 대전장치(프라즈마 CVD장치)의 진공조내에 설치했다. 그후에 실시예 1에서와 같은 방법으로 전하발생층을 형성시켰다.

이와 같이하여 얻어진 전자사진 감광체의 정대전 특성을 측정했다. 그결과 감광체로 유입되는 전류가 10μA/cm인 경우에 대전직후의 대전전위는 520V였고 암감쇠는 16%/sec였다. 백광으로 노광후의 잔류전위는 85V였고 그 반감노광량은 8erg)cm^-2였다.

[실시예 3]

순도 99.99%의 AI-Mg합금으로 제조되고 약 120mm의 직경을 갖는 원통상 알루미늄 파이프를 프론으로 세정하고 증류수중에서 초음파 세정을 행하였다. 이어서 전해질 용액으로서 5중량%의 수산용액을 사용하여 이 용액을 30℃로 유지하면서 이 알루미늄 파이프와 원통상 음극인 스태인리스 강판과의 사이에 550V의 직류전원을 인가하여 60분동안 양극산화를 실시했다. 형성된 양극산화된 알루미늄 피막 두께는 16μm였다.

그 표면에 양극산화된 알루미늄 피막을 갖는 알루미늄 파이프를 초음파 세정하고 100℃에서 건조한 후에 용량결합형 RF글로우 대전장치(플라즈마 CVD장치)의 진공조내에 설치했다. 그런후에 실시예 1에서와 같은 방법으로 전하발생층을 형성시켰다.

이와 같이하여 얻어진 전자사진 감광체의 정대전 특성을 측정했다. 그 결과 감광체로의 유입전류가 10μA/cm인 경우에 대전직후의 대전전위는 490V였고 암감쇠는17%/sec였다. 백광으로 노광후의 잔류전위는 70V였고, 반감 노광량은 8erg ·cm^-2였다.

[실시예 4]

순도 99.99%의 Al-Mg합금으로 제조되고 직경이 약 120mm인 원통상 알루미늄 파이프를 프론으로 세정하고 증류수중에서 초음파 세정했다. 이어서 전해질 용액으로서 순수중에 15체적%의 황산을 첨가한 용액을 사용하여 이 용액을 35℃로 유지하면서 이 알루미늄 파이프와 원통상 음극인 스태인리스 강판과의 사이에 40V의 직류전압을 인가하여 60분동안 양극산화를 실시했다.

니켈염을 함유하는 용액중에서 전해를 행하여 다공질층의 기공내에 니켈을 석출시켰다. 이와 같이하여 형성된 양극산화된 알루미늄 피막의 두께는 16μm였고, 외관이 흑색이었다.

그위에 양극산화된 알루미늄을 갖는 알루미늄 파이프를 증류수중에서 초음파 세정하고 100℃에서 건조한 후에 용량결합형 RF글로우 대전장치(프라즈마 CVD장치)의 진공조내에 놓았다. 그런후에 실시예 1에서와 같은 방법으로 전하발생층을 형성시켰다. 이와같이하여 얻어진 전자사진 감광체의 정대전 특성을 측정했다. 그결과 감광체로의 유입전류가 10μA인 경우에 대전직후의 대전전위는 440V였고 암감쇠는 18%/sec였다. 백광으로 노광후에 잔류전위는 70V였고 반감노광량은 7.5erg· cm^-2였다.

본 발명은 전자사진 감광체의 각종 개조와 변경을 이 기술분야에 숙련된자는 본 발명의 범위와 요지를 벗어남이 없이 쉽게 행할 수 있음이 명백하다. 따라서 본 발명의 개조나 변경은 청구범위와 그들의 동등물에 속하는 것이다.

Claims (5)

1. 기판, 전하수송층 및 전하발생층으로 구성되며 상기 기판의 표면이 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로되며 또한 상기 전하발생층이 비정질 규소로 된 전자사진용 감광체에 있어서, 상기 전하 수송층은 양극산화된 알루미늄 피막으로 구성되며, 상기 피막의 두께는 약 5∼50μm인 것이 특징인 전자사진용 감광체.
2. 제1항에 있어서, 상기 비정질 규소가 게르마늄을 함유하는 것을 특징으로 하는 전자사진용 감광체.
3. 제1항에 있어서, 상기 양극산화된 알루미늄 피막이 상기 기판의 표면을 양극산화시켜 형성된 것을 특징으로 하는 전자사진용 감광체.
4. 제1항에 있어서, 상기 전하발생층이 약 1∼40원자%의 수소를 함유하는 것을 특징으로 하는 전자사진용 감광체.
5. 제1항에 있어서, 상기 전하발생층이 약 0.1∼30μm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 전자사진용 감광체.

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