JPH08116015A - 樹脂封止型半導体装置、その製造方法およびその実施に用いる金型 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 樹脂封止型半導体装置において、外径寸法を
縮少し、さらに高速化を図る。 【構成】 半導体基板１上の突起電極７に接続されるリ
ード８上に外部電極９を設け、この外部電極９の頭頂部
を露出する様に、半導体基板１、リードフレーム１２お
よび外部電極９を樹脂封止し、リード８を封止樹脂１０
端面で切断してリードフレーム１２の封止樹脂１０外側
部分を除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、樹脂封止型の半導体
装置およびその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図５０は従来の樹脂封止型半導体装置の
構造を示す断面図である。図において、１は半導体基
板、２は半導体基板１上に形成された内部電極としての
パッド電極、３は半導体基板１全体を覆う封止樹脂、４
はリードフレームのリード、４ａはリード４の一部で封
止樹脂３の側面外側に突出した外部リード、５はパッド
電極２とリード４とを電気的に接続するＡｕあるいはＡ
ｌから成るワイヤ、６は半導体基板１とリード４とを固
着するための接着性を有する絶縁フィルムである。

【０００３】このような樹脂封止型半導体装置では、封
止樹脂３外部に突出した外部リード４ａを外部との接続
用電極として、外部の電子機器との電力供給や電気信号
のやり取りを行う。また、半導体基板１は封止樹脂３に
より全体を覆われ、外部環境より保護される。このよう
にして、樹脂封止型半導体装置は電子機器の一部として
の機能が保たれる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来の樹脂封止型半導
体装置は以上のように構成されているので、封止樹脂３
の側面外側に突出した外部リード４ａを有し、半導体装
置の外径寸法がその分大きくなるため小型化の要求に応
え難いという問題点があった。また、外部との接続用電
極となる外部リード４ａが封止樹脂３の側面外側にある
ため、半導体基板１とを結ぶ導電経路を短縮するのに限
界があり、誘導損失等により素子の高速化の妨げになる
ものであった。

【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、小型化、高速化の促進された樹
脂封止型半導体装置を得ることを目的としており、さら
にこの装置に適した製造方法を提供することを目的とす
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この発明に係る請求項１
記載の樹脂封止型半導体装置は、半導体基板と、この半
導体基板に電気的に接続されるリードと、このリードを
含み上記半導体基板に固定されたリードフレームと、上
記リード上に形成された外部電極と、この外部電極の頭
頂部が露出するように上記半導体基板、上記リードフレ
ーム、および上記外部電極を封止する封止樹脂と、を備
えたものである。

【０００７】この発明に係る請求項２記載の樹脂封止型
半導体装置は、半導体基板に電気的に接続されるリード
が封止樹脂より突出するリード延長部を有し、このリー
ド延長部と上記リード上の外部電極とを外部接続用電極
とするものである。

【０００８】この発明に係る請求項３記載の樹脂封止型
半導体装置の製造方法は、リード上の所定位置にスペー
サーを設けたリードフレームと半導体基板とを接合し、
上記リードと上記半導体基板上の内部電極とを接続する
工程と、上下２ヶの金型を用い、上記スペーサーを上記
上金型に密着させて、上記半導体基板および上記リード
フレームを封止樹脂で封止する工程と、上記リード上の
上記スペーサーを除去して上記封止樹脂に孔を形成する
工程と、上記孔内に金属を埋設することにより外部電極
を形成する工程と、を有するものである。

【０００９】この発明に係る請求項４記載の樹脂封止型
半導体装置は、半導体基板に電気的に接続されるリード
が、封止樹脂端面で切断され、側面外側に突出しないも
のである。

【００１０】この発明に係る請求項５記載の樹脂封止型
半導体装置の製造方法は、リード上の所定位置にスペー
サーを設けたリードフレームと半導体基板とを接合し、
上記リードと上記半導体基板上の内部電極とを接続する
工程と、上下２ヶの金型を用い、上記スペーサーを上記
上金型に密着させて、上記半導体基板および上記リード
フレームを封止樹脂で封止する工程と、上記リード上の
上記スペーサーを除去して上記封止樹脂に孔を形成する
工程と、上記孔内に金属を埋設することにより外部電極
を形成する工程と、上記封止樹脂端面で上記リードを切
断し、上記リードフレームの上記封止樹脂外側部分を全
て除去する工程と、を有するものである。

【００１１】この発明に係る請求項６記載の樹脂封止型
半導体装置は、半導体基板上の突起電極とリードとを接
合することにより上記半導体基板をリードフレームに固
定したものである。

【００１２】この発明に係る請求項７記載の樹脂封止型
半導体装置は、半導体基板を接着性を有する絶縁フィル
ムを介してリードフレームと接合し、上記半導体基板上
のパッド電極とリードとをワイヤで結線したものであ
る。

【００１３】この発明に係る請求項８記載の樹脂封止型
半導体装置の製造方法は、リードフレーム外わく部に通
電し、リードフレームを陰極として電気めっきを施すこ
とにより外部電極を形成するものである。

【００１４】この発明に係る請求項９記載の樹脂封止型
半導体装置の製造方法は、リードフレームの材料にＣ
ｕ、Ｃｕ合金または４２アロイを用いるものである。

【００１５】この発明に係る請求項１０記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法は、半導体基板およびリードフ
レームを樹脂封止した後、スペーサー除去前あるいは外
部電極形成前に上記リードフレームの封止樹脂外側部分
を絶縁性樹脂で覆うものである。

【００１６】この発明に係る請求項１１記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法は、スペーサーとして金属を用
い、その除去には腐蝕液を用いるものである。

【００１７】この発明に係る請求項１２記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法は、スペーサーとして封止樹脂
と性質の異なる樹脂を用い、その除去には有機溶剤を用
いるものである。

【００１８】この発明に係る請求項１３記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法は、封止樹脂に形成された孔
に、上記封止樹脂上からはんだクリームを滴下した後、
熱処理を施して外部電極を形成するものである。

【００１９】この発明に係る請求項１４記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法は、封止樹脂に形成された孔
に、はんだクリームをスクリーン印刷により埋め込み、
その後熱処理を施して外部電極を形成するものである。

【００２０】この発明に係る請求項１５記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法は、封止樹脂に形成された孔
に、マスク蒸着法によりはんだを蒸着させて堆積し、外
部電極を形成するものである。

【００２１】この発明に係る請求項１６記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法は、封止樹脂に形成された孔
に、はんだ塊を載置し、熱処理によりリフローして外部
電極を形成するものである。

【００２２】この発明に係る請求項１７記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法は、封止樹脂に形成された孔
に、ガスデポジション法により金属超微粒子を堆積し、
外部電極を形成するものである。

【００２３】この発明に係る請求項１８記載の樹脂封止
型半導体装置は、外部電極とリードとの間に、金属の拡
散防止層と酸化防止層との双方あるいはどちらか一方を
形成したものである。

【００２４】この発明に係る請求項１９記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法は、封止樹脂に形成された孔に
より露出されたリード上に、金属の拡散防止層と酸化防
止層との双方あるいはどちらか一方をめっき処理により
形成し、その後外部電極を形成するものである。

【００２５】この発明に係る請求項２０記載の樹脂封止
型半導体装置は、リードフレームの一部を曲げ加工によ
って半導体基板底部にまわり込ませた基板固定部を有す
るものである。

【００２６】この発明に係る請求項２１記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法は、リード上の所定位置に外部
電極となるスペーサーを設けたリードフレームと半導体
基板とを接合し、上記リードと上記半導体基板上の内部
電極とを接続する工程と、上下２ヶの金型を用い、上記
スペーサーを上記上金型に密着させて、上記半導体基板
および上記リードフレームを封止樹脂で封止する工程
と、を有するものである。

【００２７】この発明に係る請求項２２記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法は、リード上の所定位置に外部
電極となるスペーサーを設けたリードフレームと半導体
基板とを接合し、上記リードと上記半導体基板上の内部
電極とを接続する工程と、上下２ヶの金型を用い、上記
スペーサーを上記上金型に密着させて、上記半導体基板
および上記リードフレームを封止樹脂で封止する工程
と、上記封止樹脂端面で上記リードを切断し、上記リー
ドフレームの上記封止樹脂外側部分を全て除去する工程
と、を有するものである。

【００２８】この発明に係る請求項２３記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法は、封止樹脂より露出したスペ
ーサー上に、さらに金属膜を形成して外部電極とするも
のである。

【００２９】この発明に係る請求項２４記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法は、リードフレームおよびスペ
ーサーにＣｕ、Ｃｕ合金または４２アロイ等の同一材料
を用い、リードフレーム外わく部に通電しリードフレー
ムを陰極として電気めっきを施すことにより、上記スペ
ーサー上にＡｕ、Ｎｉ、Ｎｉ／Ａｕ、またははんだ等の
金属膜を形成するものである。

【００３０】この発明に係る請求項２５記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法は、板状のリードフレーム材の
所定位置にスペーサーとなるペレットを熱圧着あるいは
接着剤により接合し、金型を用いて、上記リードフレー
ム材を所定の形状に打ち抜き加工してリードフレームを
形成するものである。

【００３１】この発明に係る請求項２６記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法は、板状のリードフレーム材と
板状の金属から成るスペーサー材とを圧延または接着剤
により接合し、上記スペーサー材上にレジストパターン
を形成し、このレジストパターンをマスクとして上記ス
ペーサー材をエッチングして、所定位置にスペーサーを
形成し、その後、金型を用いて上記リードフレーム材を
所定の形状に打ち抜き加工してリードフレームを形成す
るものである。

【００３２】この発明に係る請求項２７記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法は、板状のリードフレーム材表
面に、めっき処理により金属の拡散防止層と酸化防止層
との双方あるいはどちらか一方を形成し、その上に板状
の金属から成るスペーサー材を接合するものである。

【００３３】この発明に係る請求項２８記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法は、板状のリードフレーム材上
にレジストパターンを形成し、このレジストパターンを
マスクにして電気めっきにより上記レジストパターンの
開口部に金属を析出させてスペーサーを形成し、その
後、金型を用いて上記リードフレーム材を所定の形状に
打ち抜き加工してリードフレームを形成するものであ
る。

【００３４】この発明に係る請求項２９記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法は、板状のリードフレーム材上
のレジストパターンの開口部に、金属の拡散防止層と酸
化防止層との双方あるいはどちらか一方をめっき処理に
より形成し、その上にスペーサーを形成するものであ
る。

【００３５】この発明に係る請求項３０記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法は、板状のリードフレーム材
を、金型を用いて所定の形状に打ち抜き加工してリード
フレームを形成した後、上記リードフレームのリード上
の所定位置にワイヤボンディングにより金属ボールを圧
着してスペーサーを形成するものである。

【００３６】この発明に係る請求項３１記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法は、金属ボールから成るスペー
サーを、上方から金型を押し付けてその頭頂部を平坦化
するものである。

【００３７】この発明に係る請求項３２記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法は、板状のリードフレーム材
に、あるいは加工後のリードフレームに、表面にめっき
処理を施して金属の拡散防止層と酸化防止層との双方あ
るいはどちらか一方を形成し、その上にスペーサーを形
成するものである。

【００３８】この発明に係る請求項３３記載の樹脂封止
型半導体装置は、外部電極を、リードの一部を凸状に曲
げ加工したリード外部電極によって構成したものであ
る。

【００３９】この発明に係る請求項３４記載の樹脂封止
型半導体装置は、リード外部電極を半導体基板形成領域
の上方に形成したものである。

【００４０】この発明に係る請求項３５記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法は、リードの所定部分を凸状に
曲げ加工してリード外部電極を形成する工程と、リード
フレームと半導体基板とを接合し、上記リードと上記半
導体基板上の内部電極とを接続する工程と、上下２ヶの
金型を用い、上記リード外部電極を上記上金型に密着さ
せて、上記半導体基板および上記リードフレームを封止
樹脂で封止する工程と、を有するものである。

【００４１】この発明に係る請求項３６記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法は、リードの所定部分を凸状に
曲げ加工してリード外部電極を形成する工程と、リード
フレームと半導体基板とを接合し、上記リードと上記半
導体基板上の内部電極とを接続する工程と、上下２ヶの
金型を用い、上記リード外部電極を上記上金型に密着さ
せて、上記半導体基板および上記リードフレームを封止
樹脂で封止する工程と、上記封止樹脂端面で上記リード
を切断し、上記リードフレームの上記封止樹脂外側部分
を全て除去する工程と、を有するものである。

【００４２】この発明に係る請求項３７記載の樹脂封止
型半導体装置は、リード外部電極上にＡｕ、Ｃｕ、Ｎｉ
またははんだ等の金属膜を形成して外部電極とするもの
である。

【００４３】この発明に係る請求項３８記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法は、封止樹脂より露出したリー
ド外部電極上に、リードフレーム外わく部に通電しリー
ドフレームを陰極として電気めっきを施すことにより、
金属膜を形成するものである。

【００４４】この発明に係る請求項３９記載の樹脂封止
型半導体装置は、リード外部電極の頭頂部を封止樹脂よ
り突出させて、その周囲を囲む様に環状のスペーサーを
上記封止樹脂に埋め込んで形成したものである。

【００４５】この発明に係る請求項４０記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法は、リード上の所定位置に環状
のスペーサーを載置する工程と、上記リードを金型を用
いて曲げ加工し、上記スペーサーに囲まれる部分に凸状
のリード外部電極を形成する工程と、リードフレームと
半導体基板とを接合し、上記リードと上記半導体基板上
の内部電極とを接続する工程と、上金型に凹部が形成さ
れた上下２ヶの金型を用い、上記リード外部電極を上記
上金型の凹部に差し入れて、上記半導体基板および上記
リードフレームを封止樹脂で封止する工程と、を有する
ものである。

【００４６】この発明に係る請求項４１記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法は、リード上の所定位置に板状
の金属片から成るスペーサーを載置する工程と、このス
ペーサー形成位置の上記リードを金型を用いて曲げ加工
し、凸状のリード外部電極を形成し、同時に、このリー
ド外部電極を覆い、しかもその周囲を囲む様に上記スペ
ーサーを成形する工程と、リードフレームと半導体基板
とを接合し、上記リードと上記半導体基板上の内部電極
とを接続する工程と、上金型に凹部が形成された上下２
ヶの金型を用い、上記リード外部電極を上記上金型の凹
部に差し入れて、上記半導体基板および上記リードフレ
ームを封止樹脂で封止する工程と、を有するものであ
る。

【００４７】この発明に係る請求項４２記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法は、半導体基板の底部を下金型
に密着させることにより、リードフレームを押し上げて
スペーサーあるいはリード外部電極を上金型に密着さ
せ、上記半導体基板および上記リードフレームを封止樹
脂で封止するものである。

【００４８】この発明に係る請求項４３記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法は、上金型に凹部が形成された
上下２ヶの金型を用い、スペーサーあるいはリード外部
電極を上記上金型の凹部に密着させて、半導体基板およ
びリードフレームを封止樹脂で封止するものである。

【００４９】この発明に係る請求項４４記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法は、上金型の凹部に弾力性およ
び耐熱性を有する緩衝材を埋め込んだ金型を用いて、半
導体基板およびリードフレームを封止樹脂で封止するも
のである。

【００５０】この発明に係る請求項４５記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法は、スペーサーおよびリードフ
レームの一方または双方に磁性体を用い、上金型の外側
上面部に磁石を設けた上下２ヶの金型を用いて、半導体
基板および上記リードフレームを封止樹脂で封止するも
のである。

【００５１】この発明に係る請求項４６記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法の実施に用いる金型は、上下２
ヶの金型で構成し、上金型において、封止される半導体
装置の外部電極に対応する部分に凹部を設けたものであ
る。

【００５２】この発明に係る請求項４７記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法の実施に用いる金型は、上下２
ヶの金型で構成し、上金型において、封止される半導体
装置の外部電極に対応する部分に、弾力性および耐熱性
を有する緩衝材を埋め込んだ凹部を設けたものである。

【００５３】この発明に係る請求項４８記載の樹脂封止
型半導体装置は、リード延長部を、封止樹脂の外部電極
形成面と反対側の面まで曲げ加工したものである。

【００５４】この発明に係る請求項４９記載の樹脂封止
型半導体装置は、樹脂封止型半導体装置を複数個積載
し、下段の上記半導体装置の外部電極と上段の上記半導
体装置のリード延長部とを接続して一体化したものであ
る。

【００５５】この発明に係る請求項５０記載の樹脂封止
型半導体装置は、樹脂封止型半導体装置における外部電
極およびリード延長部のどちらか一方と、抵抗、コンデ
ンサ等の受動素子あるいはこれら受動素子を搭載した小
型基板とを接合し、他方と上記半導体装置の搭載基板あ
るいは他の半導体装置とを接合したものである。

【００５６】

【作用】この発明による樹脂封止型半導体装置は、封止
樹脂よりその頭頂部を露出した外部電極を、リード上に
形成したため、半導体基板から外部との接続用電極とな
る外部電極までの導電経路が短くでき、このため誘導損
失が減少でき素子の高速化が図れる。

【００５７】また、この発明によると、リード上の外部
電極と、封止樹脂より突出するリード延長部とを外部接
続用電極とするため、同等な二種類の外部接続用電極を
持つ樹脂封止型半導体装置が得られる。このため外部の
電子機器との多様な接続が可能となる。

【００５８】また、この発明による樹脂封止型半導体装
置の製造方法は、リード上の所定位置にスペーサーを設
け、このスペーサーを上金型に密着させて樹脂封止し、
その後、スペーサーを除去して封止樹脂に孔を形成した
後この孔内に外部電極を形成する。この様にスペーサー
を用いることにより封止樹脂に容易にリード表面に達す
る孔が形成でき、封止樹脂より頭頂部が露出する外部電
極がリード上に形成でき、上述した効果を持つ樹脂封止
型半導体装置が容易に製造できる。

【００５９】また、この発明による樹脂封止型半導体装
置は、リードが封止樹脂端面で切断され外側に突出しな
いように形成されているため、その分だけ外径寸法が縮
少される。このため小型で高速化された樹脂封止型半導
体装置が得られる。また、樹脂封止および外部電極形成
後に、リードを封止樹脂端面で切断して、リードフレー
ムの封止樹脂外側部分を全て除去するため、上記の様な
小型で高速化された樹脂封止型半導体装置が容易に製造
できる。

【００６０】また、この発明によると、半導体基板上の
突起電極とリードとを接合した樹脂封止型半導体装置を
小型化、高速化できる。さらに、この発明によると、パ
ッド電極とリードとをワイヤボンディングで接続した樹
脂封止型半導体装置を小型化、高速化できる。

【００６１】また、この発明によるとリードフレーム外
わく部に通電してリードフレームを陰極として電気めっ
きを施すことにより外部電極を形成する。リードフレー
ムはリード、リードフレーム外わく部等を一体的に成形
したもののため、容易に電気めっきにより外部電極を形
成できる。さらに、リードフレームにＣｕ、Ｃｕ合金、
４２アロイを用いると、外部電極に適する金属が容易に
電気めっきにより形成できる。

【００６２】また、この発明によると、スペーサー除去
前あるいは外部電極形成前に、リードフレームの封止樹
脂外側部分を絶縁性樹脂で覆う。このため電気めっきに
よる外部電極形成の際に、リードフレームの封止樹脂外
側部分に余分な金属が析出するのが防止できる。また、
上記処理をスペーサー除去前に行うと、さらに、スペー
サー除去の際にリードフレームが腐蝕するのが防止でき
る。

【００６３】また、この発明によると、スペーサーとし
て金属を用い、その除去に腐蝕液を用いることにより、
封止樹脂に、外部電極を形成するための孔を確実に開口
することができる。さらに、この発明によると、スペー
サーとして封止樹脂と性質の異なる樹脂を用い、その除
去に有機溶剤を用いることにより、同様に、封止樹脂に
孔を確実に開口できる。

【００６４】また、この発明によると、封止樹脂に形成
された孔にはんだクリームを滴下して外部電極を形成す
るため、外部電極が容易に形成できる。

【００６５】また、この発明によると、封止樹脂に形成
された孔にはんだクリームをスクリーン印刷により埋め
込み、外部電極を形成するため、同様に外部電極が容易
に形成できる。

【００６６】また、この発明によると、マスク蒸着法に
よりはんだを封止樹脂に形成された孔に蒸着して堆積す
るため、同様に外部電極が容易に形成できる。

【００６７】また、この発明によると、封止樹脂に形成
された孔に、はんだ塊を載置し、リフローするため、同
様に外部電極が容易に形成できる。

【００６８】また、この発明によると、ガスデポジショ
ン法を用いるため、同様に外部電極が容易に形成でき
る。

【００６９】また、この発明による樹脂封止型半導体装
置は、外部電極とリードとの間に、金属の拡散防止層と
酸化防止層との双方あるいはどちらか一方を形成したも
のである。この拡散防止層の形成により、外部電極とリ
ードとの接合部分の金属相互拡散による劣化が防止さ
れ、また酸化防止層の形成により外部電極とリードとの
接続性が良好となり、信頼性が向上する。

【００７０】また、この発明によると、封止樹脂に形成
された孔により露出されたリード上に、めっき処理によ
り拡散防止層と酸化防止層との双方あるいはどちらか一
方を形成し、この後外部電極を形成する。このため上記
の様な外部電極、リード間の信頼性が向上した樹脂封止
型半導体装置が容易に得られる。

【００７１】また、この発明によるとリードフレームの
一部を曲げ加工によって半導体基板底部にまわり込ませ
た素子固定部を有する。このためリードフレームと半導
体基板との固定が確実となる。さらに製造工程において
樹脂封止する際、素子固定部の板ばね効果によりスペー
サー上面を上金型に強く密着させ封止樹脂のスペーサー
上面へのにじみ出しを防止し、後工程でのスペーサーの
除去を確実にする。スペーサーを形成しないでリードに
直接外部電極を形成する場合も、同様の効果があり、信
頼性が向上する。

【００７２】また、この発明によると、スペーサーとし
て外部電極をリード上に設けたリードフレームを用いる
ため、スペーサーをそのまま外部電極に使用でき、スペ
ーサーを除去し新たに外部電極を形成するという工程が
省略できる。このため樹脂封止型半導体装置の製造が簡
略で容易になる。

【００７３】また、この発明によると、外部電極となる
スペーサーをリード上に設けたリードフレームと半導体
基板とを樹脂封止した後、リードを封止樹脂端面で切断
するため、小型化、高速化の促進した樹脂封止型半導体
装置の製造が簡略で容易になる。

【００７４】また、この発明によると、封止樹脂より露
出したスペーサー上にさらに金属膜を形成して外部電極
とするため、封止樹脂面よりも突出した外部電極が容易
に形成でき、外部との接続が容易となる。また、この発
明によると、リードフレームおよびスペーサーに同一材
料を用い、電気めっきにより上記の様な金属膜を形成す
る。これにより、金属膜は容易に形成でき、さらにＡ
ｕ、Ｎｉ、Ｎｉ／Ａｕまたははんだ等を金属膜に用いる
ことにより信頼性の高い外部電極が得られる。

【００７５】また、この発明によると、板状のリードフ
レーム材上にスペーサーとなるペレットを接合した後打
ち抜き加工で所定形状に加工するため、リード上の所定
位置にスペーサーが設けられたリードフレームが容易に
形成できる。

【００７６】また、この発明によると、板状のリードフ
レーム材と板状の金属から成るスペーサー材とを接合
し、このスペーサー材をレジストマスクによりエッチン
グして、所定位置にスペーサーを形成した後、リードフ
レーム材を打ち抜き加工するため、同様に、スペーサー
が設けられたリードフレームが容易に形成できる。

【００７７】また、この発明によると、板状のリードフ
レーム材表面に、めっき処理により金属の拡散防止層と
酸化防止層との双方あるいはどちらか一方を形成し、そ
の後上述した様に板状の金属から成るスペーサー材と接
合する。このため、リード上、すなわち外部電極とリー
ドとの間に拡散防止層あるいは酸化防止層が形成された
構造が容易に形成でき、信頼性が向上する。スペーサー
をそのまま外部電極として用いると、さらに上記構造の
形成が容易となる。

【００７８】また、この発明によると、板状のリードフ
レーム材上にレジストパターンを形成し、電気めっきに
よりレジストパターンの開口部にスペーサーを形成し、
その後、リードフレーム材を打ち抜き加工するため、リ
ード上の所定位置にスペーサーが設けられたリードフレ
ームが容易に形成できる。

【００７９】また、この発明によると、上記リードフレ
ーム材上のレジストパターンの開口部にめっき処理によ
り、拡散防止層と酸化防止層との双方あるいはどちらか
一方を形成した後、スペーサーを形成する。このため、
リード上、すなわち外部電極とリードとの間に拡散防止
層あるいは酸化防止層が形成された構造が容易に形成で
き、信頼性が向上する。スペーサーをそのまま外部電極
として用いると、さらに上記構造の形成が容易となる。

【００８０】また、この発明によると、所定の形状に打
ち抜き加工したリードフレームのリード上の所定位置
に、ワイヤボンディングにより金属ボールを圧着してス
ペーサーを形成するため、リード上の所定位置にスペー
サーが設けられたリードフレームが容易に形成できる。

【００８１】また、この発明によると、ワイヤボンディ
ングにより圧着した金属ボールから成るスペーサーの頭
頂部を、金型を押し付けて平坦化する。このため樹脂封
止の際、上金型とスペーサー上面との密着性が良くな
り、封止樹脂のスペーサー上面へのにじみ出しが防止で
きる。

【００８２】また、この発明によると、ワイヤボンディ
ングによるスペーサー形成前のリードフレームの表面
に、あるいは板状のリードフレーム材の表面にめっき処
理により拡散防止層と酸化防止層との双方あるいはどち
らか一方を形成する。このため、上述した様に、外部電
極とリードとの間に拡散防止層あるいは酸化防止層が形
成された構造が容易に形成できる効果があり、スペーサ
ーをそのまま外部電極に用いると、さらに容易になる。

【００８３】また、この発明による樹脂封止型半導体装
置は、外部電極をリードの一部を凸状に曲げ加工したリ
ード外部電極によって構成したものである。このため、
スペーサーを用いた場合と同様に、小型化、高速化の効
果を奏するとともに、リードの一部をリード外部電極に
用いたため、製造工程を大きく簡略化することができ
る。

【００８４】また、この発明によると、リード外部電極
を半導体基板形成領域の上方に形成したため、リード外
部電極と半導体基板上の内部電極との距離を確実に短く
でき、さらに封止樹脂の外径寸法も確実に小さくでき
る。このため高速化、小型化を一層図ることができる。

【００８５】また、この発明によると、リードの所定部
分を凸状に曲げ加工してリード外部電極を形成したた
め、小型化、高速化された樹脂封止型半導体装置の製造
が大きく簡略化されて容易となる。また、樹脂封止した
後、リードを封止樹脂端面で切断した場合も、同様の効
果がある。

【００８６】また、この発明によると、リード外部電極
上にＡｕ、Ｃｕ、Ｎｉまたははんだ等の金属膜を形成し
て外部電極としたため、外部電極が封止樹脂面より突出
し、さらに金属膜の性質より、外部との接合性が良好と
なる。また、この様な金属膜は、樹脂封止後、リードフ
レーム外わく部に通電し、リードフレームを陰極として
電気めっきを施すことにより形成する。このため、金属
膜は容易に形成でき、外部との接合性が良好な外部電極
（リード外部電極＋金属膜）が容易に形成できる。

【００８７】また、この発明による樹脂封止型半導体装
置は、リード外部電極の頭頂部を封止樹脂より突出させ
て、その周囲を囲む様に環状のスペーサーを封止樹脂に
埋め込んで形成したため、製造工程における樹脂封止の
際、環状のスペーサーにより封止樹脂のリード外部電極
上へのにじみ出しが防止できる。さらに、その製造方法
は、リード上に環状のスペーサーを載置し、このスペー
サーに囲まれる部分のリードを金型を用いて曲げ加工し
て凸状のリード外部電極を形成し、凹部が設けられた上
金型を用い、この凹部にリード外部電極を差し入れて樹
脂封止したものである。この様な製造方法では、リード
外部電極形成時にスペーサーとの寸法精度を所定の値に
することにより、スペーサーはリード外部電極に強固に
固定されてその周囲を囲む。さらにスペーサーは金型に
よって同時にその表面を平坦にできる。また樹脂封止の
際、リード外部電極の周囲のスペーサーと上金型の凹部
の周囲とが強く密着するため、封止樹脂のリード外部電
極上へのにじみ出しが確実に防止できる。

【００８８】また、この発明による樹脂封止型半導体装
置の製造方法は、リード上の所定位置に板状の金属片か
ら成るスペーサーを載置し、その下のリードを金型を用
いて凸状に曲げ加工してリード外部電極を形成する。こ
の時スペーサーを、リード外部電極を覆いしかもその周
囲を囲む様に成形する。その後上金型の凹部にリード外
部電極を差し入れて樹脂封止する。この様に、スペーサ
ーは板状のため、その下のリードを凸状に曲げ加工して
リード外部電極を形成すると、スペーサーはリード外部
電極に沿う様に成形され、強固に固定される。また、樹
脂封止の際、リード外部電極周囲に形成されるスペーサ
ーの平坦な周辺部と上金型の凹部の周囲とが強く密着す
るため、リード外部電極上のスペーサー上への封止樹脂
のにじみ出しが確実に防止できる。このスペーサーはリ
ード外部電極上に形成された金属膜として外部電極の一
部となり、所定の材料を用いれば、外部との接合性が良
好となる。

【００８９】また、この発明によると、半導体基板の底
部を下金型に密着させることにより、リードフレームを
押し上げて、スペーサーあるいはリード外部電極を上金
型に密着させて樹脂封止する。これにより封止樹脂のス
ペーサー上あるいはリード外部電極上へのにじみ出しが
防止できる。

【００９０】また、この発明によると凹部が形成された
上金型を用い、スペーサーあるいはリード外部電極を上
記凹部に密着させて樹脂封止する。これによりスペーサ
ーあるいはリード外部電極の頭頂部が封止樹脂面より突
出し、露出性が良くなるとともに、そのまま外部電極と
して用いる際、外部との接合性が良くなる。さらに、こ
の発明によると上金型の凹部に弾力性および耐熱性を有
する緩衝材を埋め込んだものを用いる。これによりスペ
ーサーあるいはリード外部電極と上記緩衝材とを強く密
着させることができ、上記と同様の効果を奏するととも
に、封止樹脂のスペーサー上あるいはリード外部電極上
へのにじみ出しを確実に防止できる。

【００９１】また、この発明によるとスペーサーおよび
リードフレームの一方または双方に磁性体を用い、上金
型の外側上面部に磁石を設け、樹脂封止する。このため
スペーサーまたはリードフレームが磁力によって上方へ
引き付けられ、スペーサー上面を強く上金型に密着でき
る。スペーサーが磁性体でない場合も、リードフレーム
が上方へ引き付けられるため、リード上のスペーサーは
上へ押し上げられ同様に上金型に強く密着できる。スペ
ーサーを用いないリード外部電極を有する場合も、リー
ドフレームが磁性体であれば、その一部であるリード外
部電極も磁性体となり同様の効果がある。このため、ス
ペーサー上あるいはリード外部電極上への封止樹脂のに
じみ出しが防止できる。

【００９２】また、この発明による樹脂封止型半導体装
置の製造方法の実施に用いる金型は、封止される半導体
装置の外部電極に対応する上金型の部分に凹部を設けた
ため、この金型を用いて樹脂封止することによりスペー
サーあるいはリード外部電極の露出性が良くなり、良好
な外部電極が形成できる。さらに、この発明によると、
封止される半導体装置の外部電極に対応する上金型の部
分に緩衝材を埋め込んだ凹部を設けたため、この金型を
用いて樹脂封止することにより、スペーサーあるいはリ
ード外部電極と上記凹部とを強く密着でき、封止樹脂か
らの露出性がさらに良くなる。

【００９３】また、この発明による樹脂封止型半導体装
置は、リード延長部を、封止樹脂の外部電極形成面と反
対側の面まで曲げ加工したものである。このため封止樹
脂の上面と下面とに、外部電極とリード延長部とを有
し、上下両面に同等な外部との接続用電極を有する樹脂
封止型半導体装置が得られる。このため樹脂封止型半導
体装置相互あるいは外部の電子機器との接続の自由度が
向上する。

【００９４】また、この発明によると、上記の様な樹脂
封止型半導体装置を複数個積載し、外部電極とリード延
長部とを相互に接続して一体化したため、高機能を小さ
い容積に集約できる。

【００９５】また、この発明によると、外部電極とリー
ド延長部とのどちらか一方と受動素子または受動素子を
搭載する小型基板とを接合し、他方と半導体装置の搭載
基板あるいは他の半導体装置とを接合したため、多様な
機能を付加した高機能を小さい容積に集約できる。

【００９６】

【実施例】

実施例１．以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１はこの発明の実施例１による樹脂封止型半導
体装置の構造を示す断面図である。図において、１は半
導体基板、７は半導体基板１上に形成された内部電極と
しての突起電極、８は突起電極７に接合されたリードフ
レームのリード、９はリード８上に形成された外部電
極、１０は半導体基板１全体を覆う封止樹脂である。

【００９７】図１に示す様に、リード８は封止樹脂１０
の外側に突出することなく封止樹脂１０端面で切断さ
れ、リード８上に形成された外部電極９は、その頭頂部
のみ露出して樹脂封止される。

【００９８】この様に構成される樹脂封止型半導体装置
の製造方法を図２〜図９に基づいて以下に示す。なお、
図５は断面図、図２〜図４および図６〜図９は断面図お
よび平面図であるが、複数個の樹脂封止型半導体装置が
同時に形成される様子を示すため、平面図に関してのみ
樹脂封止型半導体装置２ヶ分の領域を図示する。

【００９９】まず、予め所定位置にスペーサー１１を形
成し、所定の形状に加工してリード８および外わく部１
２ａを一体的に形成したリードフレーム１２を得る。こ
のときスペーサー１１は、Ａｌ等の金属でも、またアク
リル板等の封止樹脂１０と性質の異なる樹脂でも良く、
後工程で外部電極９が形成される位置に形成する（図２
（ａ）、図２（ｂ））。次に、リード８の一部８ａを曲
げ加工し（図３（ａ）、図３（ｂ））、リード８の先端
と半導体基板１上に形成された突起電極７とを接合する
（図４（ａ）、図４（ｂ））。次に、上下２つの金型１
３ａ、ｂを用いることによって、スペーサー１１上面を
上金型１３ａに密着させた状態でモールド樹脂等の封止
樹脂１０を金型１３ａ、ｂ内に注入して硬化させ、リー
ドフレーム１２に接合した半導体基板１を樹脂封止する
（図５）。

【０１００】次に、金型１３ａ、ｂを取り外す。このと
き、上金型１３ａに密着されていたスペーサー１１の表
面が封止樹脂１０より露出される（図６（ａ）、図６
（ｂ））。続いて、スペーサー１１を除去してリード８
上の封止樹脂１０に孔１４を形成する。このとき、スペ
ーサー１１がＡｌ等の金属の場合は例えば塩酸等の腐蝕
液を用いて、またアクリル樹脂等、封止樹脂１０と性質
の異なる樹脂の場合は例えばテトラヒドロフラン等の有
機溶剤を用いて除去する（図７（ａ）、図７（ｂ））。

【０１０１】次に、電気めっきにより封止樹脂１０の孔
１４に、Ａｕ、Ｃｕ、はんだ等を封止樹脂１０上面部よ
り突出するまで析出させて形成し外部電極９とする。こ
のとき電気めっきは、リードフレーム外わく部１２ａに
通電することによりリードフレーム１２全体を陰極とし
て行う（図８（ａ）、図８（ｂ））。次に、封止樹脂１
０外側のリードフレーム１２を封止樹脂１０の端面で切
断して、樹脂封止型半導体装置を完成する（図９
（ａ）、図９（ｂ）。

【０１０２】上記実施例１では半導体基板１上の突起電
極７と接合するリード８上に形成された外部電極９が、
封止樹脂１０上面より露出し、外部の電子機器との接続
用電極となる。このため、封止樹脂３の側面外側に外部
リード４ａを有して外部との接続用電極としていた従来
のものに比べて、半導体基板１から外部電極９までの導
電経路を短くすることができる。このため誘導損失等を
減少することができ、素子のスイッチング速度の高速化
が図れる。さらに、封止樹脂１０の端面でリード８が切
断されて、外側に突出する部分がないため、外径寸法が
縮少でき小型の樹脂封止型半導体装置が得られる。ま
た、スペーサー１１を用いたことにより、封止樹脂１０
にリード８表面に達するような孔１４が容易に形成で
き、その孔１４内に外部電極９を形成することにより、
上記の様な高速化、小型化の促進された樹脂封止型半導
体装置が容易に製造できる。

【０１０３】なお、上記実施例１で用いるリードフレー
ム１２の材料としては、はんだ等との接合性が良くＡｕ
やはんだ等のめっきが容易なＣｕ、Ｃｕ合金、または４
２アロイを用い、また、外部電極９の材料としては、半
導体装置を搭載基板に接合する接合材として一般的なは
んだ、あるいは搭載基板にコネクタを介して接続する際
電気的な接続性が良いＡｕ等を用いる。また、リードフ
レーム１２はリード８、リードフレーム外わく部１２ａ
等を一体的に成形したものであるのでリードフレーム外
わく部１２ａに通電して容易に電気めっきを施し外部電
極９を形成することができる。

【０１０４】実施例２．上記実施例１では、半導体基板
１上の突起電極７とリード８とを接合したが、従来例で
示したように、半導体基板１上のパッド電極２とリード
８とをワイヤ５を介して接続しても良く、図１０に示
す。図に示す様に、リードフレーム１２の一部である基
板固定部１２ｂが基板１底部から基板１を押し上げて固
定し、リード４と半導体基板１とは接着性を有する絶縁
フィルム６により固着される。

【０１０５】この場合も、上記実施例１と同様に、リー
ド８が封止樹脂１０の側面外側に突出することなく、リ
ード８上の外部電極９が外部との接続用電極となるた
め、半導体基板１と外部電極９との間の導電経路が短く
でき、素子のスイッチング速度の高速化が促進された小
型の樹脂封止型半導体装置が得られる。また、基板固定
部１２ｂは、リードフレーム１２の一部を曲げ加工によ
って半導体基板１底部にまわり込ませて形成しているた
め、半導体基板１を確実に固定するとともに、製造工程
における樹脂封止の際、その板ばね効果によりスペーサ
ー１１上面を上金型１３ａに強く密着させる。このため
封止樹脂１０のスペーサー１１上面へのにじみ出しを防
止し、後工程でのスペーサー１１の除去が確実となる
（図５〜図７参照）。

【０１０６】なお、上記実施例２では基板固定部１２ｂ
を設けたが、半導体基板１は絶縁フィルム６によりリー
ドフレーム１２のリード８に固定されているため、必ず
しも必要ではなく、上記実施例１と同様の効果を奏す
る。また、逆に上記実施例１に基板固定部１２ｂを設け
ても良く、上記実施例２と同様の効果を持つ。

【０１０７】実施例３．上記実施例１で示した製造工程
において、スペーサー１１を除去し、電気めっきにより
外部電極９を形成する際、リードフレーム外わく部１２
ａおよびリード８の延長部（以下、リード延長部８ｂと
称す）等、リードフレーム１２の封止樹脂１０外側部分
を予めレジスト等の絶縁性の樹脂で覆っても良く図１１
を用いて示す。まず上記実施例１と同様に半導体基板１
を樹脂封止した後、リードフレーム１２の封止樹脂１０
外側部分の表面に例えば絶縁性樹脂としてレジスト１５
をコーティングし（図１１（ａ））、その後スペーサー
１１を除去してリード８上の封止樹脂１０に孔１４を形
成する（図１１（ｂ））。次に、電気めっきにより直流
電源１６の陽極にアノード１７を、陰極にリードフレー
ム外わく部１２ａを接続してめっき液１８中でＡｕ、Ｃ
ｕ、はんだ等の金属を析出させて外部電極９を形成する
（図１１（ｃ））。

【０１０８】上記実施例３では、リードフレーム１２の
封止樹脂１０外側部分がレジスト１５に覆われているた
め、スペーサー１１除去の際にリードフレーム１２が腐
蝕するのが防止でき、さらに電気めっきによる外部電極
９形成の際に、リードフレーム１２の封止樹脂１０外側
部分に余分な金属が析出するのが防止できる。

【０１０９】実施例４．上記実施例１〜３において、外
部電極９形成前に、リード８材と外部電極９材との接続
性を良くするために、封止樹脂１０に形成された孔１４
により露出したリード８部に、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ
などの酸化防止層１９をめっきにより形成しても良い。
図１２は外部電極９の下層に酸化防止層１９が形成され
た樹脂封止型半導体装置の構造を示す断面図であり、図
１３は酸化防止層１９形成工程を示す断面図で、特に図
１３（ａ）はリードフレーム１２の封止樹脂１０外側部
分にレジスト１５のコーティングが無い場合、図１３
（ｂ）は上記レジスト１５のコーティングが有る場合を
示す。

【０１１０】また、例えばＣｕ等のリード８材とはん
だ、Ａｕ等の外部電極９材との様に、リード８材と外部
電極９材とが異なる金属の場合、それらの接合部分の金
属相互拡散による劣化を防止するために、外部電極９形
成前に封止樹脂１０に形成された孔１４により露出した
リード８部にＮｉ等の拡散防止層２０をめっきにより形
成しても良い。図１４は外部電極９の下層に拡散防止層
２０が形成された樹脂封止型半導体装置の構造を示す断
面図であり、図１５は拡散防止層２０形成工程を、リー
ドフレーム１２の上記レジスト１５のコーティングが無
い場合および有る場合について示す断面図である。

【０１１１】さらにまた、上記拡散防止層２０と上記酸
化防止層１９との双方を順次めっきして形成しても良
く、リード８材と外部電極９材との接合部分の金属相互
拡散による劣化が防止でき、接続性の良い樹脂封止型半
導体装置が得られる。

【０１１２】実施例５．上記実施例１では、外部電極９
を電気めっきにより形成したが、図１６に示す様に、は
んだを溶剤で溶かしてペースト状にしたはんだクリーム
２１を、デスペンサー２２のデスペンサーニードル２３
より封止樹脂１０に形成された孔１４に滴下し、その後
熱処理により上記溶剤を蒸発させて外部電極９を形成し
ても良い。

【０１１３】実施例６．また、図１７に示す様に、スク
リーン印刷により外部電極９を形成しても良い。図に示
す様に、封止樹脂１０に形成された孔１４に対応する開
口部２４を有するスクリーン印刷マスク２５を用い、こ
のスクリーン印刷マスク２５上でスキージ２６を移動さ
せて、はんだクリーム２１を上記孔１４に埋め込み、そ
の後熱処理して外部電極９を形成する。

【０１１４】実施例７．また、図１８に示す様に、マス
ク蒸着法により外部電極９を形成しても良い。図に示す
様に、封止樹脂１０に形成された孔１４に対応する開口
部２７を有する板状のマスク２８を、封止樹脂１０に密
着させ、蒸発るつぼ２９内のはんだ３０を真空中で蒸発
させ、上記孔１４にはんだ３０を蒸着させて埋め込み、
外部電極９を形成する。

【０１１５】実施例８．また、図１９（ａ）に示す様
に、封止樹脂１０に形成された孔１４に、はんだ塊とし
てのはんだボール３１を載置し、その後図１９（ｂ）に
示す様に熱処理して上記はんだボール３１をリフローし
て外部電極９を形成しても良い。

【０１１６】実施例９．また、図２０に示す様に、ガス
デポジション法により外部電極９を形成しても良い。図
に示す様に、Ａｒ等の不活性ガス雰囲気の加圧室３２内
で、蒸発るつぼ３３内のＡｕ等の金属材料３４を蒸発さ
せて短い飛程で凝集し、数十〜数百オングストローム程
度の径の金属超微粒子３５を生成する。この金属超微粒
子３５を輸送管３６で減圧雰囲気の堆積室３７に導き、
シャッター３８およびステージ３９を操作して、ステー
ジ３９上に載置した半導体装置の封止樹脂１０に形成さ
れた孔１４に上記金属超微粒子３５をノズル４０より吹
き付けて堆積しガスデポジション膜４１を形成して外部
電極９とする。

【０１１７】また、上記実施例５〜９においても、上記
実施例４で示した様に酸化防止層１９および拡散防止層
２０の一方または双方を外部電極９下層に形成でき、上
記実施例４と同様の効果を奏する。

【０１１８】実施例１０．次に、半導体基板１を樹脂封
止する際、スペーサー１１上面に封止樹脂１０のにじみ
出しを防止するため、スペーサー１１上面を上金型１３
ａに強く密着させる方法について示す。上記実施例２で
は、リードフレーム１２の一部を曲げ加工した基板固定
部１２ｂの板ばね効果を利用したが、図２１（ａ）に示
す様に、下金型１３ｂと半導体基板１の底部を密着させ
ることにより、リードフレーム１２を押し上げて上金型
１３ａにスペーサー１１を強く密着させても良い。この
場合、完成された樹脂封止型半導体装置は、図２１
（ｂ）に示す様に、半導体基板１の裏面が封止樹脂１０
から露出したものとなる。これにより、スペーサー１１
上面への封止樹脂１０のにじみ出しを防止して、スペー
サー１１上面の露出性が良くできる。このため、後工程
でスペーサー１１が確実に除去できて、外部電極９形成
用の孔１４の形成が確実に行える。

【０１１９】実施例１１．また、図２２に示す様に、樹
脂封止に用いる上金型１３ａのスペーサー１１接触部分
に凹部４２を設けても良く、スペーサー１１頭頂部を封
止樹脂１０面より突出させ、スペーサー１１の封止樹脂
１０からの露出性を良くすることができる。さらにま
た、図２３に示す様に、上記凹部４２内に、例えば、シ
リコンゴムやポリイミド等の弾力性および耐熱性を有す
る緩衝材４３を埋め込んでも良く、スペーサー１１上面
と緩衝材４３とを強く密着させることができ、スペーサ
ー１１上面への封止樹脂１０のにじみ出しを確実に防止
できる。

【０１２０】実施例１２．また、図２４に示す様に、樹
脂封止に用いる上金型１３ａの外側上面部に永久磁石あ
るいは電磁石等の磁石４４を設け、スペーサー１１およ
びリードフレーム１２の一方または双方を磁性体で構成
することによっても、磁力によってスペーサー１１上面
を上金型１３ａに強く密着させることができる。このと
きスペーサー１１自身が磁性体でなくても、リードフレ
ーム１２が磁力により上方に引き付けられるため、リー
ド８上のスペーサー１１も上方に押し上げられ上金型１
３ａに強く密着する。

【０１２１】上記実施例１２において、リードフレーム
１２およびスペーサー１１の材料の組み合わせの例とし
ては、双方が磁性体である場合は４２アロイ、スペーサ
ー１１のみが磁性体の場合はスペーサー１１；Ｎｉ、リ
ードフレーム１２；Ｃｕ、リードフレーム１２のみが磁
性体の場合はリードフレーム１２；４２アロイ、スペー
サー１１；Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、はんだ、アクリル樹脂等
が挙げられる。

【０１２２】なお、上記実施例１２は、上記実施例１１
で示した凹部４２を有する上金型１３ａを用いる場合に
も適用でき、スペーサー１１の封止樹脂１０からの露出
性がさらに良くなる。図２５は、スペーサー１１接触部
分に緩衝材４３を埋め込んだ凹部４２を有した上金型１
３ａを用い、さらに磁石４４の磁力によりスペーサー１
１を強く緩衝材４３に密着させて樹脂封止する方法を示
した図である。

【０１２３】実施例１３．上記実施例１〜９では、スペ
ーサー１１を除去して封止樹脂１０に開口された孔１４
に外部電極９を形成したが、予め外部電極９となる材料
でスペーサー１１を形成し、そのまま除去せずに外部電
極９として用いることもできる。図２６（ａ）、（ｂ）
は製造工程で用いたスペーサー１１を外部電極９に利用
した樹脂封止型半導体装置の構造を示す断面図であり、
特に図２６（ｂ）は、上記実施例１１を適用して樹脂封
止を行い、外部電極９（スペーサー１１）頭頂部を封止
樹脂１０面より突出させたものである。上記実施例１３
では、スペーサー１１を除去し、新たに外部電極９を形
成する工程が省略できるため、製造が簡略で容易にな
る。

【０１２４】実施例１４．上記実施例１３では、スペー
サー１１をそのまま外部電極９として用いたが、図２７
に示す様に、スペーサー１１上にさらに金属膜９ａを形
成しても良く、封止樹脂１０面よりも突出した外部電極
９が容易に形成でき、外部との接続が容易となる。図２
７（ａ）は図２６（ａ）で示した樹脂封止型半導体装置
に金属膜９ａを形成したもの、図２７（ｂ）は図２６
（ｂ）で示したものに金属膜９ａを形成したものを示
す。また、リードフレーム１２とその一部であるリード
８上に形成されるスペーサー１１とを同一材料（Ｃｕ、
Ｃｕ合金、４２アロイ等）で構成すると、上記金属膜９
ａの形成が、リードフレーム外わく部１２ａに通電して
行う電気めっきにより容易に形成できる。この金属膜９
ａは、はんだ等の他、酸化防止層１９となるＡｕ、はん
だとの拡散防止層２０となるＮｉ、またはＡｕとＮｉと
を順次形成しても良い。

【０１２５】実施例１５．次に、この発明に用いるリー
ドフレーム１２は、予め所定位置にスペーサー１１を形
成し、リード８およびリードフレーム外わく部１２ａを
一体的に形成したものを用いたが、その形成方法を図２
８に基づいて以下に示す。まず、板状のリードフレーム
材１２ｃを用意し（図２８（ａ））、その上の所定位置
に、円柱、角柱、または半球状等の形状に加工したスペ
ーサー１１となるペレットを熱圧着または接着剤により
貼り付けて接合する（図２８（ｂ））。次に、金型を用
いて所定の形状に打ち抜き加工してリードフレーム１２
を形成する（図２８（ｃ））。上記実施例１５では、ス
ペーサー１１が容易に所定位置に形成でき、所望のリー
ドフレームを容易に形成できる。

【０１２６】実施例１６．リードフレーム１２の形成方
法は上記実施例１５に限るものではなく、実施例１６に
ついて、図２９に基づいて以下に示す。まず、例えばＣ
ｕ、Ｃｕ合金、４２アロイ等の板状のリードフレーム材
１２ｃと例えばＡｌ等金属の板状のスペーサー材１１ａ
とを圧延あるいは接着剤で貼り付けて接合する（図２９
（ａ））。次に、スペーサー材１１ａの表面にレジスト
パターン４５を形成する（図２９（ｂ））。次に、レジ
ストパターン４５をマスクとして下地のスペーサー材１
１ａをエッチングし（図２９（ｃ））、その後レジスト
パターン４５を除去してスペーサー１１を形成した後、
金型を用いて所定の形状に打ち抜き加工してリードフレ
ーム１２を形成する（図２９（ｄ））。上記実施例１６
においても、上記実施例１５と同様の効果を奏する。

【０１２７】なお、上記実施例１６において、図３０に
示す様に、リードフレーム材１２ｃに、予め拡散防止層
４６としてＮｉ等を、酸化防止層４７としてＡｕ等を、
どちらか一方または双方を順次めっきして形成し、その
上にスペーサー材１１ａを接合させても良い。このた
め、リード８上、すなわち外部電極９とリード８との間
に拡散防止層４６あるいは酸化防止層４７が形成された
構造が容易に形成でき、信頼性が向上する。スペーサー
１１をそのまま外部電極９に用いる場合は、さらに容易
になる。

【０１２８】実施例１７．また、実施例１７はさらに別
のリードフレーム１２の形成方法を示すもので、図３１
に基づいて以下に示す。まず、板状のリードフレーム材
１２ｃ上に、後工程でスペーサー１１形成領域となる部
分を開口部４８ａとしたレジストパターン４８を形成し
（図３１（ａ））、リードフレーム材１２ｃを陰極とし
て電気めっきを行うことにより、上記開口部４８ａ内に
金属を析出させてスペーサー１１を形成し（図３１
（ｂ））、その後レジストパターン４８を除去した後
（図３１（ｃ））、金型を用いて所定の形状に打ち抜き
加工してリードフレーム１２を形成する。上記実施例１
７においても上記実施例１５と同様の効果を奏する。

【０１２９】また、この場合も図３２（ａ）、（ｂ）に
示す様に、レジストパターン４８の開口部４８ａに、拡
散防止層４６および酸化防止層４７のどちらか一方また
は双方を順次めっきして形成し、その上にスペーサー１
１を形成しても良い。

【０１３０】実施例１８．また、リードフレーム１２
は、図３３に示す様に、所定の形状に打ち抜き加工した
後、リードフレーム１２におけるリード８上の所定位置
にワイヤボンディングによって金属ボールから成るスペ
ーサー１１を形成しても良い。図において、４９はワイ
ヤボンディングに用いるボンディングツールの先端部で
ある。この場合、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、またははんだ等の
線材を放電等により先端を球状にしてリードフレーム１
２に圧着し、線材の球状部分と線状部分との境界で切断
してスペーサー１１を形成する。

【０１３１】上記実施例１８において、図３４（ａ）、
（ｂ）に示す様に、金属ボールから成るスペーサー１１
を上方から金型５０で押し付けて頭頂部を平坦化しても
良く、樹脂封止の際にスペーサー１１上面の上金型への
密着性が向上する。

【０１３２】また、上記実施例１８においても図３５に
示す様に、スペーサー１１形成前のリードフレーム１２
表面に、拡散防止層４６および酸化防止層４７のどちら
か一方または双方を順次めっきして形成し、その上にス
ペーサー１１を形成しても良い。この場合、リードフレ
ーム１２表面のめっきは、打ち抜き加工前の板状のリー
ドフレーム材１２ｃに施しても良い。

【０１３３】実施例１９．次に、外部電極９としてリー
ド８の一部を用いた樹脂封止型半導体装置の構造を図３
６に示す。図において、１、７、８および１０は上記実
施例１と同じもの、８ｃは、半導体基板１形成領域の上
方において封止樹脂１０から頭頂部が露出したリード８
の凸部で、リード外部電極である。

【０１３４】この様に構成される樹脂封止型半導体装置
の製造方法を図３７に基づいて以下に示す。まず、板状
のリードフレーム材１２ｃを、金型を用いて所定の形状
に打ち抜き加工し、リード８およびリードフレーム外わ
く部１２を一体的に形成したリードフレーム１２を得る
（図３７（ａ））。次に、リード８を金型を用いて曲げ
加工し、リード８の先端部を半導体基板１に近づく様に
成形し、さらにリード外部電極８ｃとなる凸部を形成す
る（図３７（ｂ））。次に、リード８の先端と半導体基
板１上に形成された突起電極７とを接合する。このと
き、リード外部電極８ｃは半導体基板１形成領域上に位
置する（図３７（ｃ））。

【０１３５】次に、上下２つの金型１３ａ、ｂを用いる
ことによって、モールド樹脂等の封止樹脂１０を金型１
３ａ、ｂ内に注入して硬化させ、リードフレーム１２に
接合した半導体基板１を樹脂封止する。このとき、上金
型１３ａには、リード外部電極８ｃに対応する部分に凹
部５１が形成されたものを用い、リード外部電極８ｃの
頭頂部を上金型１３ａに密着させた状態で樹脂封止する
（図３７（ｄ））。次に、金型１３ａ、ｂを取り外す。
このとき、上金型１３ａに密着されていたリード外部電
極８ｃの頭頂部が封止樹脂より露出される（図３７
（ｅ））。次に封止樹脂１０外側のリードフレーム１２
を封止樹脂１０の端面で切断して、樹脂封止型半導体装
置を完成する（図３６参照）。

【０１３６】上記実施例１９では、上記実施例１と同様
に、半導体基板１からリード外部電極８ｃまでの導電経
路が短く形成でき、リード８が封止樹脂１０の端面で切
断されるため、小型化、高速化が図れる。また、リード
外部電極８ｃは半導体基板１形成領域の上方に形成され
るため、小型化、高速化が更に確実となる。さらにリー
ド外部電極８ｃはリード８の一部を用いたものであるた
め製造工程を大きく簡略化することができる。

【０１３７】なお、上記実施例１９においても図３８に
示す様に、上記実施例１２と同様に、永久磁石等の磁石
４４を上金型１３ａの外側上面部に設けて樹脂封止する
と、リード外部電極８ｃ頭頂部の露出性が良くなる。

【０１３８】また、図３９（ａ）に示す様に、金型１３
ａ、ｂを取り外した後上記実施例１４と同様にリード外
部電極８ｃ上にさらに金属膜９ａを電気めっきにより形
成して外部電極９としても良い。この金属膜９ａは、こ
の半導体装置を搭載する搭載基板等への接合性を良くす
るためのはんだや、また、搭載基板側に予めはんだ等が
形成されている場合、このはんだとの接合性の良いＡ
ｕ、Ｃｕ、Ｎｉ等でも良い。その後、図３９（ｂ）に示
す様にリード８を封止樹脂端面で切断して樹脂封止型半
導体装置を完成する。さらに、上記金属膜９ａをめっき
する際に、上記実施例３で示した様に、リードフレーム
１２の封止樹脂１０外側部分でリード外部電極８ｃ以外
の部分を予めレジスト１５等でコーティングしても良
い。

【０１３９】実施例２０．次に、リード８の一部を用い
てリード外部電極８ｃとした樹脂封止型半導体装置の別
例を図４０に示す。図に示す様に、リード外部電極８ｃ
の頭頂部を突出させてその周囲を囲む様に環状のスペー
サー５２を封止樹脂１０に埋め込んで形成したものであ
る。

【０１４０】この様に構成される樹脂封止型半導体装置
の製造方法を図４１に基づいて以下に示す。まず、金型
を用いて所定の形状に打ち抜き加工したリードフレーム
１２におけるリード８の所定位置に円環状またはわく状
等の環状のスペーサー５２を載置する。このスペーサー
５２は金属でも絶縁物でも良い（図４１（ａ））。

【０１４１】次に、リード８を金型を用いて曲げ加工
し、リード８の先端を半導体基板１に近づく様に成形
し、さらにスペーサー５２形成位置に、リード外部電極
８ｃとなる凸部を形成する。このとき金型とスペーサー
５２との寸法精度（公差）を所定の値にすることによ
り、スペーサー５２は、前工程でリード８上に固定され
ていなくても、リード外部電極８ｃに強固に固定されて
その周囲を囲む。さらにスペーサー５２は金型によって
同時にその表面（リード８との接触面と反対側の面）を
平坦にできる（図４１（ｂ））。次に、上記実施例１９
と同様に、リード８の先端と突起電極７とを接合した
後、上金型１３ａに凹部５１が形成された上下２つの金
型１３ａ、ｂを用いて半導体基板１を樹脂封止する（図
４１（ｃ））。この後上記実施例１９と同様にして樹脂
封止型半導体装置を完成する（図４０参照）。

【０１４２】上記実施例２０では、樹脂封止する際、リ
ード外部電極８ｃの周囲のスペーサー５２と上金型１３
ａの凹部５１の周囲とが強く密着するため、封止樹脂１
０のリード外部電極８ｃ上へのにじみ出しの防止が確実
となるとともに、上金型１３ａに設けられる凹部５１の
加工精度のマージンは、スペーサー５２を用いない上記
実施例１９のものよりも大きくなり、製造も容易にな
る。

【０１４３】なお、スペーサー５２は、図４２に示す様
に、樹脂封止の後で除去しても良い。また、図４３に示
す様に、リード外部電極８ｃ上にさらに金属膜９ａを形
成して外部電極９としても良い。この金属膜９ａの形成
は、図４３（ａ）に示す様にスペーサー５２が形成され
た状態でも、また図４３（ｂ）に示す様にスペーサー５
２が除去された状態でも可能である。

【０１４４】さらにまた、上記実施例２０においても、
上金型１３ａに磁石４４を設け、リードフレーム１２ま
たはスペーサー５２を磁性体で構成することにより、ス
ペーサー５２と上金型１３ａをさらに強固に密着させる
ことができる。

【０１４５】実施例２１．上記実施例２０では環状のス
ペーサー５２を用いたが、それに限るものではなく、他
の例を図４４に基づいて以下に示す。まず、所定の形状
に加工されたリードフレーム１２におけるリード８の所
定位置に矩形の板状または円板状の金属から成るスペー
サー５３を載置する（図４４１（ａ））。次に、リード
８を金型を用いて曲げ加工し、リード８の先端を半導体
基板１に近づく様に成形し、さらにスペーサー５３形成
位置に、リード外部電極８ｃとなる凸部を形成する。こ
のときスペーサー５３は板状のためリード外部電極８ｃ
の形状に沿うように成形され、また、上記実施例２０と
同様に、リード外部電極８ｃに強固に固定される。ま
た、スペーサー５３は、その平坦な周辺部がリード外部
電極８ｃの周囲を囲むように形成される。ここで、スペ
ーサー５３の径は、リード外部電極８ｃの径にスペーサ
ー５３の板厚の２倍を加えたものよりも大きいものとす
る（図４４（ｂ））。

【０１４６】次に、上記実施例１９、２０と同様に、リ
ード８の先端と突起電極７とを接合した後、上金型１３
ａに凹部５１が形成された上下２つの金型１３ａ、ｂを
用いて半導体基板１を樹脂封止する（図４４（ｃ））。
この後上記実施例１９、２０と同様にして樹脂封止型半
導体装置を完成する（図４４（ｄ））。

【０１４７】上記実施例２１では、樹脂封止する際、リ
ード外部電極８ｃの周囲に形成されるスペーサー５３の
平坦な周辺部と、上金型１３ａの凹部５１の周囲とが強
く密着する。このため上記実施例２０と同様の効果を奏
することができる。また、スペーサー５３は、リード外
部電極８ｃ上に形成された金属膜９ａとして外部電極９
の一部となる。このスペーサー５３の材料を、上記実施
例１９で示したリード外部電極８ｃ上の金属膜９ａに用
いた材料を選ぶと、めっきによる金属膜９ａ形成の場合
と同様の効果が容易に得られる。さらに、上記実施例２
１においても、磁石４４を用いてスペーサー５３と上金
型１３ａをさらに強固に密着させることができる。

【０１４８】ところで、上記実施例１９〜２１において
半導体基板１とリード８との接合は突起電極７を介して
行ったが、上記実施例２で示した様に、パッド電極２と
リード８とをワイヤ５を介して接続するワイヤボンディ
ングが適用できるのは明かである。

【０１４９】実施例２２．次に、リードフレーム１２の
封止樹脂１０外側部分をすべて切断せずにリードフレー
ム外わく部１２ａのみ切断し、リード延長部８ｂを残す
場合の例を図４５に示す。図に示す様に、封止樹脂１０
上面には外部電極９の頭頂部が露出し、側面にはリード
延長部８ｂが突出し、このリード延長部８ｂを封止樹脂
１０の下側に達する様に曲げ加工したものである。

【０１５０】上記実施例２２では、半導体装置の上面の
外部電極９と下面のリード延長部８ｂとが同等な外部と
の接続電極となるため、上下両面に同等な電極を有する
樹脂封止型半導体装置が得られる。このため、樹脂封止
型半導体装置相互あるいは外部の電子機器との接続の自
由度が向上し、多様な接続が可能となる。

【０１５１】実施例２３．次に、上記実施例２２におけ
る樹脂封止型半導体装置の接続方式の一例を図４６に示
す。例えばアドレス線等の共通な信号線を多く持つ記憶
素子等の半導体素子を用い、上記実施例２２に示す様に
樹脂封止型半導体装置を構成する。これらを複数個積載
し、半導体装置の外部電極９と、その上に積載された半
導体装置のリード延長部８ｂとを接続することにより一
体の回路機能を有する半導体装置を構成する。

【０１５２】なお、上記実施例２３において、図４７に
示す様に、共通な信号線は相互に接続し、それ以外の信
号線に関しては、リード延長部８ｂと外部電極９とを全
て設けておいて、半導体基板１上の突起電極７等の内部
電極を必要な部分のみ接続する。また、半導体基板１上
の内部電極とも全て接続し、この内部電極と回路領域と
を結ぶ信号線を、必要なものを予め切断しておいても良
い。

【０１５３】上記実施例２３では、上記実施例２２で示
した樹脂封止型半導体装置を複数個積載することにより
一体化した樹脂封止型半導体装置を得ることができ、小
さい容積に回路機能を集約できる。

【０１５４】実施例２４．ところで、一般に、回路の終
端部分において、その部分からの反射による成分を除去
または低減する場合や、回路の途中にある素子から見
て、それ以前とそれ以後の、回路のインピーダンスをほ
ぼ同等に保つ場合等に、抵抗やコンデンサを用いること
によって、ノイズの低減や回路の高速化を達成する。図
４８は、上記実施例２２で示した樹脂封止型半導体装置
に抵抗やコンデンサ等受動素子を搭載した基板を接続し
た半導体装置を示す断面図である。図に示す様に、受動
素子としての抵抗５４とコンデンサ５５とを搭載した小
型基板５６を、外部電極９に接続して一体化した樹脂封
止型半導体装置を得る。この場合、リード延長部８ｂが
プリント基板等搭載基板への接続用電極となる。この様
に、抵抗５４やコンデンサ５５の機能を付加した回路機
能を小さな容積に集約できる。

【０１５５】なお、上記小型基板５６はリード延長部８
ｂと接続しても良く、封止樹脂１０の上下どちらか一方
の側の電極（外部電極９あるいはリード延長部８ｂ）と
接続し、他方の電極が、プリント基板等への接続用電極
となる。また、抵抗５４やコンデンサ５５を直接外部電
極９あるいはリード延長部８ｂに接続しても良い。さら
に、上記実施例２４は、上記実施例２３で示した、複数
個の装置が積載され一体化した樹脂封止型半導体装置に
も適用できる。

【０１５６】実施例２５．また、リード延長部８ｂは必
ずしも、外部電極９と反対側の封止樹脂１０面まで曲げ
加工する必要はなく、図４９に示す様に多様な接続が可
能になり、小さな容積に高い機能が集約できる。

【０１５７】上記実施例２２〜２５において、外部電極
９は、スペーサー１１を除去しないで用いたものでも、
またリード８の一部であるリード外部電極８ｃであって
も良い。

【０１５８】

【発明の効果】以上のように、この発明による樹脂封止
型半導体装置は、封止樹脂よりその頭頂部を露出した外
部電極をリード上に形成したため半導体基板から外部と
の接続用電極となる外部電極までの導電経路が短くで
き、素子の高速化が図れる。

【０１５９】また、この発明によると、リード上の外部
電極と封止樹脂より突出するリード延長部とを外部接続
用電極とするため、同等な二種類の外部接続用電極を持
つ樹脂封止型半導体装置が得られる。このため外部の電
子機器との多様な接続が可能となる。

【０１６０】また、この発明によると、スペーサーを用
いることにより、封止樹脂にリード表面に達する孔が容
易に形成できる。この孔内に金属を埋設して封止樹脂よ
り頭頂部が露出する外部電極がリード上に形成でき、上
述した効果を持つ樹脂封止型半導体装置が容易に製造で
きる。

【０１６１】また、この発明によると、リードが封止樹
脂端面で切断され外側に突出しない様に形成されている
ため、外径寸法が縮少され、小型で高速化された樹脂封
止型半導体装置が得られる。また、樹脂封止および外部
電極形成後に、リードを封止樹脂端面で切断するため上
記効果を持つ樹脂封止型半導体装置が容易に製造でき
る。

【０１６２】また、この発明によると、半導体基板上の
突起電極とリードとを接合した樹脂封止型半導体装置を
小型化、高速化できる。また、半導体基板上のパッド電
極とリードとをワイヤボンディングで接続した場合も、
同様の効果を奏する。

【０１６３】また、この発明によると、リードフレーム
外わく部に通電してリードフレームを陰極にして電気め
っきにより、容易に外部電極が形成できる。さらに、リ
ードフレームにＣｕ、Ｃｕ合金、４２アロイを用いる
と、外部電極に適する金属が容易に電気めっきにより形
成できる。

【０１６４】また、この発明によると、スペーサー除去
前あるいは外部電極形成前に、リードフレームの封止樹
脂外側部分を絶縁性樹脂で覆う。このため外部電極形成
時の電気めっきにより、リードフレームの封止樹脂外側
部分に余分な金属が析出するのを防止する。また、上記
処理をスペーサー除去前に行うと、さらにスペーサー除
去の際にリードフレームが腐蝕するのを防止する。

【０１６５】また、この発明によると、スペーサーとし
て金属を用い、その除去に腐蝕液を用いることにより、
封止樹脂に外部電極を形成するための孔を確実に開口す
ることができる。また、スペーサーとして封止樹脂と性
質の異なる樹脂を用い、その除去に有機溶剤を用いる場
合も、上記と同様の効果を奏する。

【０１６６】また、この発明によると、はんだクリーム
を封止樹脂の孔に滴下して、またはスクリーン印刷によ
って埋設して外部電極を形成するため、この外部電極が
容易に形成できる。さらに、マスク蒸着法、はんだ塊を
載置した後リフローする方法、あるいはガスデポジショ
ン法によっても外部電極が容易に形成できる。

【０１６７】また、この発明によると、外部電極とリー
ドとの間に、金属の拡散防止層と酸化防止層との双方あ
るいはどちらか一方を形成したため、外部電極とリード
との接合部分の金属相互拡散による劣化が防止され、ま
た、接続性が良好となり、信頼性が向上する。また、上
記拡散防止層または酸化防止層は、封止樹脂に形成され
た孔により露出されたリード上に、めっき処理により形
成する。このため上記効果を持つ樹脂封止型半導体装置
を容易に製造できる。

【０１６８】また、この発明によると、リードフレーム
の一部を半導体基板底部にまわり込ませた素子固定部を
形成したため、リードフレームと半導体基板との固定が
確実となり、さらに製造工程において樹脂封止する際、
素子固定部の板ばね効果によりスペーサーあるいはリー
ドに直接形成された外部電極が上金型に強く密着して、
それらの上に封止樹脂がにじみ出すのを防止し、信頼性
が向上する。

【０１６９】また、この発明によると、スペーサーをそ
のまま外部電極に使用するため、樹脂封止型半導体装置
の製造が簡略で容易になる。さらに、リードを封止樹脂
端面で切断するため、小型化、高速化の促進した樹脂封
止型半導体装置の製造が簡略で容易になる。

【０１７０】また、この発明によると、封止樹脂より露
出したスペーサー上にさらに金属膜を形成して外部電極
とするため、封止樹脂面よりも突出した外部電極が容易
に形成でき、外部との接続が容易となる。また、リード
フレームおよびスペーサーに同一材料を用い、電気めっ
きにより上記の様な金属膜を形成する。これにより金属
膜は容易に形成でき、さらにＡｕ、Ｎｉ、Ｎｉ／Ａｕま
たははんだ等を用いると信頼性の高い外部電極が得られ
る。

【０１７１】また、この発明によると、板状のリードフ
レーム材上にスペーサーとなるペレットを接合した後、
打ち抜き加工で所定形状に加工するため、リード上の所
定位置にスペーサーが設けられたリードフレームが容易
に形成できる。また、板状のリードフレーム材と板状の
金属から成るスペーサー材とを接合し、このスペーサー
材をレジストマスクによりエッチングして所定位置にス
ペーサーを形成しても同様の効果を奏する。さらに、板
状のリードフレーム材表面に、めっき処理により金属の
拡散防止層と酸化防止層との双方あるいはどちらか一方
を形成した後、上記の様にスペーサー材を接合すること
により、外部電極とリードとの間に拡散防止層あるいは
酸化防止層が形成された構造が容易に形成でき、信頼性
が向上する。スペーサーをそのまま外部電極として用い
ると、さらに上記構造の形成が容易となる。

【０１７２】また、この発明によると、板状のリードフ
レーム材上にレジストパターンを形成し、電気めっきに
よりレジストパターン開口部にスペーサーを形成した後
リードフレーム材を打ち抜き加工する。このため、上述
した様にリード上の所定位置にスペーサーが設けられた
リードフレームが容易に形成できる。また、リードフレ
ーム材上のレジストパターンの開口部にめっき処理によ
り、金属の拡散防止層と酸化防止層との双方あるいはど
ちらか一方を形成した後、スペーサーを形成することに
より、上述した様に外部電極とリードとの間に拡散防止
層あるいは酸化防止層が形成された信頼性の高い構造が
容易に形成できる効果があり、スペーサーをそのまま外
部電極として用いると、さらに容易になる。

【０１７３】また、この発明によると、リードフレーム
のリード上の所定位置に、ワイヤボンディングにより金
属ボールを圧着してスペーサーを形成するため、リード
上の所定位置にスペーサーが設けられたリードフレーム
が容易に形成できる。また、上記金属ボールの頭頂部を
平坦化することにより、樹脂封止の際、上金型とスペー
サー上面との密着性が良くなり、封止樹脂のスペーサー
上面へのにじみ出しが防止できる。また、さらにこの場
合もリードフレーム表面に、あるいは板状のリードフレ
ーム材の表面にめっき処理により拡散防止層と酸化防止
層との双方あるいはどちらか一方を形成すると、上述し
た効果が同様に得られる。

【０１７４】また、この発明によると外部電極をリード
の一部を凸状に曲げ加工したリード外部電極によって構
成するため、小型化、高速化された樹脂封止型半導体装
置の製造が大きく簡略化されて容易となる。また、リー
ドを封止樹脂端面で切断した場合も、同様の効果があ
る。さらに、リード外部電極を半導体基板形成領域の上
方に形成したため、リード外部電極と半導体基板上の内
部電極との距離を確実に短くでき、さらに封止樹脂の外
径寸法も確実に縮少できて、高速化、小型化を一層促進
できる。

【０１７５】また、この発明によると、リード外部電極
上にＡｕ、Ｃｕ、Ｎｉまたははんだ等の金属膜を形成し
て外部電極としたため、外部電極が封止樹脂面より突出
し、さらに金属膜の性質より外部との接合性が良好とな
る。また、上記金属膜は、リードフレーム外わく部に通
電して電気めっきにより形成するため、容易に形成で
き、上記効果を持つ外部電極が容易に形成できる。

【０１７６】また、この発明によると、環状のスペーサ
ーをリード外部電極の周囲を囲む様に封止樹脂に埋め込
んで形成したため、製造工程における樹脂封止の際、リ
ード外部電極上への封止樹脂のにじみ出しが防止でき
る。また、この発明によると、リード上に環状のスペー
サーを載置し、このスペーサーに囲まれる部分のリード
を金型を用いて曲げ加工して凸状のリード外部電極を形
成し、凹部が設けられた上金型を用い、この凹部にリー
ド外部電極を差し入れて樹脂封止する。このため、リー
ド外部電極形成時に、スペーサーをリード外部電極にそ
の周囲を囲む様に強固に固定することができる。さらに
同時にスペーサー表面を金型によって平坦化できる。ま
た樹脂封止の際、上記スペーサーと上金型の凹部の周囲
とが強く密着するため、封止樹脂のリード外部電極上へ
のにじみ出しが確実に防止できる。

【０１７７】また、この発明によると、リード上に板状
の金属片から成るスペーサーを載置し、その下にリード
外部電極を形成した後、上金型の凹部にリード外部電極
を差し入れて樹脂封止する。このためリード外部電極形
成時にスペーサーはリード外部電極に沿う様に成形さ
れ、強固に固定される。また、樹脂封止の際、リード外
部電極周囲に形成されるスペーサーの平坦な周辺部と上
金型の凹部の周囲とが強く密着するため、封止樹脂のス
ペーサー上へのにじみ出しが確実に防止できる。この金
属から成るスペーサーはリード外部電極上の金属膜とし
て外部電極の一部となり、所定の材料を用いることによ
り外部との接合性が良好となる。

【０１７８】また、この発明によると、半導体基板の底
部を下金型に密着させて、リードフレームを押し上げス
ペーサーあるいはリード外部電極を上金型に密着させて
樹脂封止するため封止樹脂のスペーサー上あるいはリー
ド外部電極上へのにじみ出しが防止できる。

【０１７９】また、この発明によると、凹部が設けられ
た上金型を用いるため、スペーサーあるいはリード外部
電極の頭頂部が封止樹脂面より突出し、露出性が良くな
るとともに、そのまま外部電極として用いる際、外部と
の接合性が良くなる。さらに上記凹部に緩衝材を埋め込
んだ上金型を用いると、スペーサーあるいはリード外部
電極と緩衝材とを強く密着でき、上記と同様の効果を奏
するとともに、封止樹脂のスペーサー上あるいはリード
外部電極上へのにじみ出しを確実に防止できる。

【０１８０】また、この発明によると、スペーサーおよ
びリードフレームの一方および双方に磁性体を用い、上
金型の外側上面部に磁石を設けて樹脂封止するため、ス
ペーサー上面を上金型に強く密着できる。スペーサーを
用いないリード外部電極を有する場合も、リードフレー
ムが磁性体であれば、リード外部電極が上金型に強く密
着し、このため、スペーサー上あるいはリード外部電極
上への封止樹脂のにじみ出しが防止できる。

【０１８１】また、この発明によると、上金型の樹脂封
止される半導体装置の外部電極に対応する部分に凹部を
設けたため、この金型を用いて樹脂封止型半導体装置を
製造すると、スペーサーあるいはリード外部電極の封止
樹脂からの露出性が良くなり、良好な外部電極が形成で
きる。また、上記凹部に、緩衝材を埋め込んだため、ス
ペーサーあるいはリード外部電極と凹部とを強く密着で
き、封止樹脂からの露出性がさらに良くなる。

【０１８２】また、この発明によると、リード延長部
を、封止樹脂の外部電極形成面と反対側の面まで曲げ加
工したため、上下両面に同等な外部との接続用電極を有
する樹脂封止型半導体装置が得られる。このため樹脂封
止型装置相互あるいは外部の電子機器との接続の自由度
が向上する。

【０１８３】また、この発明によると、上記の様な樹脂
封止型半導体装置を複数個積載し、外部電極とリード延
長部とを相互に接続して一体化したため、高機能を小さ
い容積に集約できる。

【０１８４】また、この発明によると、外部電極とリー
ド延長部とのどちらか一方と受動素子または受動素子を
搭載する小型基板とを接合し、他方と半導体装置の搭載
基板とを接合したため、多様な機能を付加した高機能を
小さい容積に集約できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施例１による樹脂封止型半導体
装置の構造を示す断面図である。

【図２】 この発明の実施例１による樹脂封止型半導体
装置の製造方法の一工程を示す断面図および平面図であ
る。

【図３】 この発明の実施例１による樹脂封止型半導体
装置の製造方法の一工程を示す断面図および平面図であ
る。

【図４】 この発明の実施例１による樹脂封止型半導体
装置の製造方法の一工程を示す断面図および平面図であ
る。

【図５】 この発明の実施例１による樹脂封止型半導体
装置の製造方法の一工程を示す断面図である。

【図６】 この発明の実施例１による樹脂封止型半導体
装置の製造方法の一工程を示す断面図および平面図であ
る。

【図７】 この発明の実施例１による樹脂封止型半導体
装置の製造方法の一工程を示す断面図および平面図であ
る。

【図８】 この発明の実施例１による樹脂封止型半導体
装置の製造方法の一工程を示す断面図および平面図であ
る。

【図９】 この発明の実施例１による樹脂封止型半導体
装置の製造方法の一工程を示す断面図および平面図であ
る。

【図１０】 この発明の実施例２による樹脂封止型半導
体装置の構造を示す断面図である。

【図１１】 この発明の実施例３による樹脂封止型半導
体装置の製造方法を示す断面図である。

【図１２】 この発明の実施例４による樹脂封止型半導
体装置の構造を示す断面図である。

【図１３】 この発明の実施例４による樹脂封止型半導
体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。

【図１４】 この発明の実施例４の別例による樹脂封止
型半導体装置の構造を示す断面図である。

【図１５】 この発明の実施例４の別例による樹脂封止
型半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。

【図１６】 この発明の実施例５による樹脂封止型半導
体装置の製造方法を示す断面図である。

【図１７】 この発明の実施例６による樹脂封止型半導
体装置の製造方法を示す断面図である。

【図１８】 この発明の実施例７による樹脂封止型半導
体装置の製造方法を示す断面図である。

【図１９】 この発明の実施例８による樹脂封止型半導
体装置の製造方法を示す断面図である。

【図２０】 この発明の実施例９による樹脂封止型半導
体装置の製造方法を示す断面図である。

【図２１】 この発明の実施例１０による樹脂封止型半
導体装置の製造方法を示す断面図である。

【図２２】 この発明の実施例１１による樹脂封止型半
導体装置の製造方法を示す断面図である。

【図２３】 この発明の実施例１１の別例による樹脂封
止型半導体装置の製造方法を示す断面図である。

【図２４】 この発明の実施例１２による樹脂封止型半
導体装置の製造方法を示す断面図である。

【図２５】 この発明の実施例１２の別例による樹脂封
止型半導体装置の製造方法を示す断面図である。

【図２６】 この発明の実施例１３による樹脂封止型半
導体装置の構造を示す断面図である。

【図２７】 この発明の実施例１４による樹脂封止型半
導体装置の構造を示す断面図である。

【図２８】 この発明の実施例１５による樹脂封止型半
導体装置の製造方法を示す平面図である。

【図２９】 この発明の実施例１６による樹脂封止型半
導体装置の製造方法を示す断面図である。

【図３０】 この発明の実施例１６の別例による樹脂封
止型半導体装置の製造方法を示す断面図である。

【図３１】 この発明の実施例１７による樹脂封止型半
導体装置の製造方法を示す断面図である。

【図３２】 この発明の実施例１７の別例による樹脂封
止型半導体装置の製造方法を示す断面図である。

【図３３】 この発明の実施例１８による樹脂封止型半
導体装置の製造方法を示す断面図である。

【図３４】 この発明の実施例１８の別例による樹脂封
止型半導体装置の製造方法を示す断面図である。

【図３５】 この発明の実施例１８の別例による樹脂封
止型半導体装置の製造方法を示す断面図である。

【図３６】 この発明の実施例１９による樹脂封止型半
導体装置の構造を示す断面図である。

【図３７】 この発明の実施例１９による樹脂封止型半
導体装置の製造方法を示す断面図である。

【図３８】 この発明の実施例１９の別例による樹脂封
止型半導体装置の製造方法を示す断面図である。

【図３９】 この発明の実施例１９の別例による樹脂封
止型半導体装置の製造方法を示す断面図である。

【図４０】 この発明の実施例２０による樹脂封止型半
導体装置の構造を示す断面図である。

【図４１】 この発明の実施例２０による樹脂封止型半
導体装置の製造方法を示す断面図である。

【図４２】 この発明の実施例２０の別例による樹脂封
止型半導体装置の構造を示す断面図である。

【図４３】 この発明の実施例２０の別例による樹脂封
止型半導体装置の構造を示す断面図である。

【図４４】 この発明の実施例２１による樹脂封止型半
導体装置の製造方法を示す断面図である。

【図４５】 この発明の実施例２２による樹脂封止型半
導体装置の構造を示す断面図である。

【図４６】 この発明の実施例２３による樹脂封止型半
導体装置の構造を示す断面図である。

【図４７】 この発明の実施例２３の別例による樹脂封
止型半導体装置の構造を示す断面図である。

【図４８】 この発明の実施例２４による樹脂封止型半
導体装置の構造を示す断面図である。

【図４９】 この発明の実施例２５による樹脂封止型半
導体装置の構造を示す断面図である。

【図５０】 従来の樹脂封止型半導体装置の構造を示す
断面図である。

【符号の説明】

１ 半導体基板、２ 内部電極としての電極パッド、５
ワイヤ、６ 絶縁フィルム、７ 内部電極としての突
起電極、８ リード、８ｂ リード延長部、８ｃ リー
ド外部電極、９ 外部電極、９ａ 金属膜、１０ 封止
樹脂、１１ スペーサー、１１ａ スペーサー材、１２
リードフレーム、１２ａ リードフレーム外わく部、
１２ｂ 基板固定部、１２ｃ リードフレーム材、１３
ａ 上金型、１３ｂ 下金型、１４ 孔、１５ 絶縁性
樹脂としてのレジスト、１９ 酸化防止層、２０ 拡散
防止層、２１ はんだクリーム、３０ はんだ、３１
はんだ塊としてのはんだボール、３５ 金属超微粒子、
４２ 凹部、４３ 緩衝材、４４ 磁石、４５ レジス
トパターン、４６ 拡散防止層、４７ 酸化防止層、４
８ レジストパターン、４８ａ 開口部、５０ 金型、
５１ 凹部、５２，５３ スペーサー、５４ 受動素子
としての抵抗、５５ 受動素子としてのコンデンサ、５
６ 小型基板。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/60 ３１１ Ｒ 7726−4Ｅ 21/321 23/28 Ｚ 6921−4Ｅ // Ｂ２９Ｌ 31:34

Claims (50)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板と、この半導体基板に電気的
   に接続されるリードと、このリードを含み上記半導体基
   板に固定されたリードフレームと、上記リード上に形成
   された外部電極と、この外部電極の頭頂部が露出するよ
   うに上記半導体基板、上記リードフレーム、および上記
   外部電極を封止する封止樹脂と、を備えたことを特徴と
   する樹脂封止型半導体装置。
2. 【請求項２】 半導体基板に電気的に接続されるリード
   が封止樹脂より突出するリード延長部を有し、このリー
   ド延長部と上記リード上の外部電極とを外部接続用電極
   とすることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導
   体装置。
3. 【請求項３】 リード上の所定位置にスペーサーを設け
   たリードフレームと半導体基板とを接合し、上記リード
   と上記半導体基板上の内部電極とを接続する工程と、上
   下２ヶの金型を用い、上記スペーサーを上記上金型に密
   着させて、上記半導体基板および上記リードフレームを
   封止樹脂で封止する工程と、上記リード上の上記スペー
   サーを除去して上記封止樹脂に孔を形成する工程と、上
   記孔内に金属を埋設することにより外部電極を形成する
   工程と、を有することを特徴とする請求項１または２記
   載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 半導体基板に電気的に接続されるリード
   が、封止樹脂端面で切断され、側面外側に突出しないこ
   とを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。
5. 【請求項５】 リード上の所定位置にスペーサーを設け
   たリードフレームと半導体基板とを接合し、上記リード
   と上記半導体基板上の内部電極とを接続する工程と、上
   下２ヶの金型を用い、上記スペーサーを上記上金型に密
   着させて、上記半導体基板および上記リードフレームを
   封止樹脂で封止する工程と、上記リード上の上記スペー
   サーを除去して上記封止樹脂に孔を形成する工程と、上
   記孔内に金属を埋設することにより外部電極を形成する
   工程と、上記封止樹脂端面で上記リードを切断し、上記
   リードフレームの上記封止樹脂外側部分を全て除去する
   工程と、を有することを特徴とする請求項４記載の樹脂
   封止型半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】 半導体基板上の突起電極とリードとを接
   合することにより上記半導体基板をリードフレームに固
   定したことを特徴とする請求項１、２、または４のいず
   れかに記載の樹脂封止型半導体装置。
7. 【請求項７】 半導体基板を接着性を有する絶縁フィル
   ムを介してリードフレームと接合し、上記半導体基板上
   のパッド電極とリードとをワイヤで結線したことを特徴
   とする請求項１、２、または４のいずれかに記載の樹脂
   封止型半導体装置。
8. 【請求項８】 リードフレーム外わく部に通電し、リー
   ドフレームを陰極として電気めっきを施すことにより外
   部電極を形成することを特徴とする請求項３または５記
   載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
9. 【請求項９】 リードフレームの材料にＣｕ、Ｃｕ合金
   または４２アロイを用いることを特徴とする請求項８記
   載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 半導体基板およびリードフレームを樹
    脂封止した後、スペーサー除去前あるいは外部電極形成
    前に上記リードフレームの封止樹脂外側部分を絶縁性樹
    脂で覆うことを特徴とする請求項８または９記載の樹脂
    封止型半導体装置の製造方法。
11. 【請求項１１】 スペーサーとして金属を用い、その除
    去には腐蝕液を用いることを特徴とする請求項３または
    ５記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
12. 【請求項１２】 スペーサーとして封止樹脂と性質の異
    なる樹脂を用い、その除去には有機溶剤を用いることを
    特徴とする請求項３または５記載の樹脂封止型半導体装
    置の製造方法。
13. 【請求項１３】 封止樹脂に形成された孔に、上記封止
    樹脂上からはんだクリームを滴下した後、熱処理を施し
    て外部電極を形成することを特徴とする請求項３または
    ５記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
14. 【請求項１４】 封止樹脂に形成された孔に、はんだク
    リームをスクリーン印刷により埋め込み、その後熱処理
    を施して外部電極を形成することを特徴とする請求項３
    または５記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
15. 【請求項１５】 封止樹脂に形成された孔に、マスク蒸
    着法によりはんだを蒸着させて堆積し、外部電極を形成
    することを特徴とする請求項３または５記載の樹脂封止
    型半導体装置の製造方法。
16. 【請求項１６】 封止樹脂に形成された孔に、はんだ塊
    を載置し、熱処理によりリフローして外部電極を形成す
    ることを特徴とする請求項３または５記載の樹脂封止型
    半導体装置の製造方法。
17. 【請求項１７】 封止樹脂に形成された孔に、ガスデポ
    ジション法により金属超微粒子を堆積し、外部電極を形
    成することを特徴とする請求項３または５記載の樹脂封
    止型半導体装置の製造方法。
18. 【請求項１８】 外部電極とリードとの間に、金属の拡
    散防止層と酸化防止層との双方あるいはどちらか一方を
    形成したことを特徴とする請求項１、２、または４のい
    ずれかに記載の樹脂封止型半導体装置。
19. 【請求項１９】 封止樹脂に形成された孔により露出さ
    れたリード上に、金属の拡散防止層と酸化防止層との双
    方あるいはどちらか一方をめっき処理により形成し、そ
    の後外部電極を形成することを特徴とする請求項３、
    ５、８、または１３〜１７のいずれかに記載の樹脂封止
    型半導体装置の製造方法。
20. 【請求項２０】 リードフレームの一部を曲げ加工によ
    って半導体基板底部にまわり込ませた基板固定部を有す
    ることを特徴とする請求項１、２、４、６、または７の
    いずれかに記載の樹脂封止型半導体装置。
21. 【請求項２１】 リード上の所定位置に外部電極となる
    スペーサーを設けたリードフレームと半導体基板とを接
    合し、上記リードと上記半導体基板上の内部電極とを接
    続する工程と、上下２ヶの金型を用い、上記スペーサー
    を上記上金型に密着させて、上記半導体基板および上記
    リードフレームを封止樹脂で封止する工程と、を有する
    ことを特徴とする請求項１または２記載の樹脂封止型半
    導体装置の製造方法。
22. 【請求項２２】 リード上の所定位置に外部電極となる
    スペーサーを設けたリードフレームと半導体基板とを接
    合し、上記リードと上記半導体基板上の内部電極とを接
    続する工程と、上下２ヶの金型を用い、上記スペーサー
    を上記上金型に密着させて、上記半導体基板および上記
    リードフレームを封止樹脂で封止する工程と、上記封止
    樹脂端面で上記リードを切断し、上記リードフレームの
    上記封止樹脂外側部分を全て除去する工程と、を有する
    ことを特徴とする請求項４記載の樹脂封止型半導体装置
    の製造方法。
23. 【請求項２３】 封止樹脂より露出したスペーサー上
    に、さらに金属膜を形成して外部電極とすることを特徴
    とする請求項２１または２２記載の樹脂封止型半導体装
    置の製造方法。
24. 【請求項２４】 リードフレームおよびスペーサーにＣ
    ｕ、Ｃｕ合金または４２アロイ等の同一材料を用い、リ
    ードフレーム外わく部に通電しリードフレームを陰極と
    して電気めっきを施すことにより、上記スペーサー上に
    Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｉ／Ａｕ、またははんだ等の金属膜を形
    成することを特徴とする請求項２３記載の樹脂封止型半
    導体装置の製造方法。
25. 【請求項２５】 板状のリードフレーム材の所定位置に
    スペーサーとなるペレットを熱圧着あるいは接着剤によ
    り接合し、金型を用いて、上記リードフレーム材を所定
    の形状に打ち抜き加工してリードフレームを形成するこ
    とを特徴とする請求項３、５、２１、または２２のいず
    れかに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
26. 【請求項２６】 板状のリードフレーム材と板状の金属
    から成るスペーサー材とを圧延または接着剤により接合
    し、上記スペーサー材上にレジストパターンを形成し、
    このレジストパターンをマスクとして上記スペーサー材
    をエッチングして、所定位置にスペーサーを形成し、そ
    の後、金型を用いて上記リードフレーム材を所定の形状
    に打ち抜き加工してリードフレームを形成することを特
    徴とする請求項３、５、２１、または２２のいずれかに
    記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
27. 【請求項２７】 板状のリードフレーム材表面に、めっ
    き処理により金属の拡散防止層と酸化防止層との双方あ
    るいはどちらか一方を形成し、その上に板状の金属から
    成るスペーサー材を接合することを特徴とする請求項２
    ６記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
28. 【請求項２８】 板状のリードフレーム材上にレジスト
    パターンを形成し、このレジストパターンをマスクにし
    て電気めっきにより上記レジストパターンの開口部に金
    属を析出させてスペーサーを形成し、その後、金型を用
    いて上記リードフレーム材を所定の形状に打ち抜き加工
    してリードフレームを形成することを特徴とする請求項
    ３、５、２１、または２２のいずれかに記載の樹脂封止
    型半導体装置の製造方法。
29. 【請求項２９】 板状のリードフレーム材上のレジスト
    パターンの開口部に、金属の拡散防止層と酸化防止層と
    の双方あるいはどちらか一方をめっき処理により形成
    し、その上にスペーサーを形成することを特徴とする請
    求項２８記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
30. 【請求項３０】 板状のリードフレーム材を、金型を用
    いて所定の形状に打ち抜き加工してリードフレームを形
    成した後、上記リードフレームのリード上の所定位置に
    ワイヤボンディングにより金属ボールを圧着してスペー
    サーを形成することを特徴とする請求項３、５、２１、
    または２２のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置の
    製造方法。
31. 【請求項３１】 金属ボールから成るスペーサーを、上
    方から金型を押し付けてその頭頂部を平坦化することを
    特徴とする請求項３０記載の樹脂封止型半導体装置の製
    造方法。
32. 【請求項３２】 板状のリードフレーム材に、あるいは
    加工後のリードフレームに、表面にめっき処理を施して
    金属の拡散防止層と酸化防止層との双方あるいはどちら
    か一方を形成し、その上にスペーサーを形成することを
    特徴とする請求項３０または３１記載の樹脂封止型半導
    体装置の製造方法。
33. 【請求項３３】 外部電極を、リードの一部を凸状に曲
    げ加工したリード外部電極によって構成したことを特徴
    とする請求項１、２、または４のいずれかに記載の樹脂
    封止型半導体装置。
34. 【請求項３４】 リード外部電極を半導体基板形成領域
    の上方に形成したことを特徴とする請求項１、２、４ま
    たは３３のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置。
35. 【請求項３５】 リードの所定部分を凸状に曲げ加工し
    てリード外部電極を形成する工程と、リードフレームと
    半導体基板とを接合し、上記リードと上記半導体基板上
    の内部電極とを接続する工程と、上下２ヶの金型を用
    い、上記リード外部電極を上記上金型に密着させて、上
    記半導体基板および上記リードフレームを封止樹脂で封
    止する工程と、を有することを特徴とする請求項３３ま
    たは３４記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
36. 【請求項３６】 リードの所定部分を凸状に曲げ加工し
    てリード外部電極を形成する工程と、リードフレームと
    半導体基板とを接合し、上記リードと上記半導体基板上
    の内部電極とを接続する工程と、上下２ヶの金型を用
    い、上記リード外部電極を上記上金型に密着させて、上
    記半導体基板および上記リードフレームを封止樹脂で封
    止する工程と、上記封止樹脂端面で上記リードを切断
    し、上記リードフレームの上記封止樹脂外側部分を全て
    除去する工程と、を有することを特徴とする樹脂封止型
    半導体装置の製造方法。
37. 【請求項３７】 リード外部電極上にＡｕ、Ｃｕ、Ｎｉ
    またははんだ等の金属膜を形成して外部電極とすること
    を特徴とする請求項３３または３４記載の樹脂封止型半
    導体装置。
38. 【請求項３８】 封止樹脂より露出したリード外部電極
    上に、リードフレーム外わく部に通電しリードフレーム
    を陰極として電気めっきを施すことにより、金属膜を形
    成することを特徴とする請求項３７記載の樹脂封止型半
    導体装置の製造方法。
39. 【請求項３９】 リード外部電極の頭頂部を封止樹脂よ
    り突出させて、その周囲を囲む様に環状のスペーサーを
    上記封止樹脂に埋め込んで形成したことを特徴とする請
    求項３３、３４、または３７のいずれかに記載の樹脂封
    止型半導体装置。
40. 【請求項４０】 リード上の所定位置に環状のスペーサ
    ーを載置する工程と、上記リードを金型を用いて曲げ加
    工し、上記スペーサーに囲まれる部分に凸状のリード外
    部電極を形成する工程と、リードフレームと半導体基板
    とを接合し、上記リードと上記半導体基板上の内部電極
    とを接続する工程と、上金型に凹部が形成された上下２
    ヶの金型を用い、上記リード外部電極を上記上金型の凹
    部に差し入れて、上記半導体基板および上記リードフレ
    ームを封止樹脂で封止する工程と、を有することを特徴
    とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
41. 【請求項４１】 リード上の所定位置に板状の金属片か
    ら成るスペーサーを載置する工程と、このスペーサー形
    成位置の上記リードを金型を用いて曲げ加工し、凸状の
    リード外部電極を形成し、同時に、このリード外部電極
    を覆い、しかもその周囲を囲む様に上記スペーサーを成
    形する工程と、リードフレームと半導体基板とを接合
    し、上記リードと上記半導体基板上の内部電極とを接続
    する工程と、上金型に凹部が形成された上下２ヶの金型
    を用い、上記リード外部電極を上記上金型の凹部に差し
    入れて、上記半導体基板および上記リードフレームを封
    止樹脂で封止する工程と、を有することを特徴とする樹
    脂封止型半導体装置の製造方法。
42. 【請求項４２】 半導体基板の底部を下金型に密着させ
    ることにより、リードフレームを押し上げてスペーサー
    あるいはリード外部電極を上金型に密着させ、上記半導
    体基板および上記リードフレームを封止樹脂で封止する
    ことを特徴とする請求項３、５、２１、２２、３５、３
    ６、４０、または４１のいずれかに記載の樹脂封止型半
    導体装置の製造方法。
43. 【請求項４３】 上金型に凹部が形成された上下２ヶの
    金型を用い、スペーサーあるいはリード外部電極を上記
    上金型の凹部に密着させて、半導体基板およびリードフ
    レームを封止樹脂で封止することを特徴とする請求項
    ３、５、２１、２２、３５、または３６のいずれかに記
    載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
44. 【請求項４４】 上金型の凹部に弾力性および耐熱性を
    有する緩衝材を埋め込んだ金型を用いて、半導体基板お
    よびリードフレームを封止樹脂で封止することを特徴と
    する請求項４３記載の樹脂封止型半導体装置の製造方
    法。
45. 【請求項４５】 スペーサーおよびリードフレームの一
    方または双方に磁性体を用い、上金型の外側上面部に磁
    石を設けた上下２ヶの金型を用いて、半導体基板および
    上記リードフレームを封止樹脂で封止することを特徴と
    する請求項３、５、２１、２２、３５、３６、４０、４
    １、４３または４４のいずれかに記載の樹脂封止型半導
    体装置の製造方法。
46. 【請求項４６】 上下２ヶの金型で構成し、上金型にお
    いて、封止される半導体装置の外部電極に対応する部分
    に凹部を設けたことを特徴とする請求項４０、４１、ま
    たは４３記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法の実施
    に用いる金型。
47. 【請求項４７】 上下２ヶの金型で構成し、上金型にお
    いて、封止される半導体装置の外部電極に対応する部分
    に、弾力性および耐熱性を有する緩衝材を埋め込んだ凹
    部を設けたことを特徴とする請求項４４記載の樹脂封止
    型半導体装置の製造方法の実施に用いる金型。
48. 【請求項４８】 リード延長部を、封止樹脂の外部電極
    形成面と反対側の面まで曲げ加工したことを特徴とする
    請求項２記載の樹脂封止型半導体装置。
49. 【請求項４９】 請求項４８記載の樹脂封止型半導体装
    置を複数個積載し、下段の上記半導体装置の外部電極と
    上段の上記半導体装置のリード延長部とを接続して一体
    化したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
50. 【請求項５０】 請求項２または４８または４９記載の
    樹脂封止型半導体装置における外部電極およびリード延
    長部のどちらか一方と、抵抗、コンデンサ等の受動素子
    あるいはこれら受動素子を搭載した小型基板とを接合
    し、他方と上記半導体装置の搭載基板あるいは他の半導
    体装置とを接合したことを特徴とする樹脂封止型半導体
    装置。