JPH08105935A - 半導体集積回路の検査装置 - Google Patents
半導体集積回路の検査装置Info
- Publication number
- JPH08105935A JPH08105935A JP6240084A JP24008494A JPH08105935A JP H08105935 A JPH08105935 A JP H08105935A JP 6240084 A JP6240084 A JP 6240084A JP 24008494 A JP24008494 A JP 24008494A JP H08105935 A JPH08105935 A JP H08105935A
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- Japan
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- integrated circuit
- semiconductor integrated
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体測定装置からの印加電圧を半導体集積
回路に供給する場合に、従来よりも精度よく、その印加
電圧を半導体集積回路端子で補正することのできる半導
体集積回路の検査装置を提供する。 【構成】 半導体集積回路端子8と接する半導体ソケッ
ト端子7を半導体測定装置2からのフォースライン5、
センスライン6に対して各々独立して2個備えており、
この構成では、半導体集積回路端子8を起点として閉回
路と考えることができ、その間に生じる半導体集積回路
端子8と半導体ソケット端子7の接触抵抗による電圧降
下をセンスライン6で検値し、検値した電圧降下相当の
補正を加えた印加電圧を、フォースライン5を介して半
導体測定装置から供給することができるので、半導体集
積回路端子8での印加電圧の精度を従来よりも向上する
ことができる。
回路に供給する場合に、従来よりも精度よく、その印加
電圧を半導体集積回路端子で補正することのできる半導
体集積回路の検査装置を提供する。 【構成】 半導体集積回路端子8と接する半導体ソケッ
ト端子7を半導体測定装置2からのフォースライン5、
センスライン6に対して各々独立して2個備えており、
この構成では、半導体集積回路端子8を起点として閉回
路と考えることができ、その間に生じる半導体集積回路
端子8と半導体ソケット端子7の接触抵抗による電圧降
下をセンスライン6で検値し、検値した電圧降下相当の
補正を加えた印加電圧を、フォースライン5を介して半
導体測定装置から供給することができるので、半導体集
積回路端子8での印加電圧の精度を従来よりも向上する
ことができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路の検査装
置に関するものである。
置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路を用いた各種電子部品が
数多く供給されている現在、その検査装置も高精度のも
のが要求されている。
数多く供給されている現在、その検査装置も高精度のも
のが要求されている。
【0003】以下に、従来の半導体集積回路の検査装置
について図2を参照して説明する。1は各種電気信号と
半導体集積回路4に供給する半導体自動検査装置、2は
電気信号を出し、かつ電気信号を読みとる半導体測定装
置、3は半導体集積回路4を装着する半導体ソケット、
5は半導体自動検査装置1の内部を通る半導体測定装置
2からのフォースライン、6は同じく半導体自動検査装
置1の内部を通り半導体測定装置2へ通じるセンスライ
ン、7はフォースライン5およびセンスライン6と接続
された半導体ソケット端子、8は半導体集積回路端子、
9は半導体ソケット端子7と半導体自動検査装置1との
接触抵抗R1、10は半導体ソケット端子7と半導体集
積回路端子8の接触抵抗R2である。
について図2を参照して説明する。1は各種電気信号と
半導体集積回路4に供給する半導体自動検査装置、2は
電気信号を出し、かつ電気信号を読みとる半導体測定装
置、3は半導体集積回路4を装着する半導体ソケット、
5は半導体自動検査装置1の内部を通る半導体測定装置
2からのフォースライン、6は同じく半導体自動検査装
置1の内部を通り半導体測定装置2へ通じるセンスライ
ン、7はフォースライン5およびセンスライン6と接続
された半導体ソケット端子、8は半導体集積回路端子、
9は半導体ソケット端子7と半導体自動検査装置1との
接触抵抗R1、10は半導体ソケット端子7と半導体集
積回路端子8の接触抵抗R2である。
【0004】以上のような構成で半導体集積回路4に半
導体測定装置2から任意の印加電圧を供給する場合の各
々の動作について説明する。まず、半導体測定装置2か
ら印加電圧Vfを半導体自動検査装置1を介して、半導
体測定装置2のフォースライン5から半導体ソケット端
子7に供給する。このとき、半導体ソケット端子7と半
導体自動検査装置1との接触抵抗R1による電圧降下V
1が生じる。フォースライン5に流れる電流をIとする
と電圧降下V1は次式で表される。
導体測定装置2から任意の印加電圧を供給する場合の各
々の動作について説明する。まず、半導体測定装置2か
ら印加電圧Vfを半導体自動検査装置1を介して、半導
体測定装置2のフォースライン5から半導体ソケット端
子7に供給する。このとき、半導体ソケット端子7と半
導体自動検査装置1との接触抵抗R1による電圧降下V
1が生じる。フォースライン5に流れる電流をIとする
と電圧降下V1は次式で表される。
【0005】V1=I×R1 従って、半導体ソケット端子7での電圧値Vinは、 Vin=Vf−V1 であり、このときのセンスライン6での電位Vsは半導
体ソケット端子7での電位Vinと同電位になってい
る。しかし、ここで半導体測定装置2がフォースライン
5とセンスライン6で同電位(Vf=Vs)になろうと
働くため、再びフォースライン5に補正を加えた電圧を
印加する。そのときの印加電圧Vf′は次式で表され
る。
体ソケット端子7での電位Vinと同電位になってい
る。しかし、ここで半導体測定装置2がフォースライン
5とセンスライン6で同電位(Vf=Vs)になろうと
働くため、再びフォースライン5に補正を加えた電圧を
印加する。そのときの印加電圧Vf′は次式で表され
る。
【0006】Vf′=Vf+V1 従って、前記と同様の電圧降下V1が生じても半導体ソ
ケット端子7での電圧値Vinは、 Vin=(Vf+V1)−V1=Vf となり、半導体ソケット端子7での電圧値は、常に初期
の印加電圧Vfになるように、半導体測定装置2で保た
れている。
ケット端子7での電圧値Vinは、 Vin=(Vf+V1)−V1=Vf となり、半導体ソケット端子7での電圧値は、常に初期
の印加電圧Vfになるように、半導体測定装置2で保た
れている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体集積回路の検査装置に用いる半導体ソケット3
は、半導体集積回路端子8との接触端子を各々一つしか
持っていないため、半導体測定装置2からの任意の印加
電圧も加える際に半導体測定装置2にフォースライン
5、センスライン6を設けているにも関わらず、半導体
集積回路端子8と半導体ソケット3の端子の接触抵抗に
よる電圧降下が生じて、半導体集積回路端子8では印加
電圧に対して誤差が含まれていた。これを具体的に説明
すれば、半導体ソケット端子7では印加電圧値が保証さ
れているが、半導体集積回路端子8と半導体ソケット端
子7に生じる接触抵抗R2による電圧降下が加味されて
いないため、半導体集積回路端子8では、正規の印加電
圧にならないという問題があった。
半導体集積回路の検査装置に用いる半導体ソケット3
は、半導体集積回路端子8との接触端子を各々一つしか
持っていないため、半導体測定装置2からの任意の印加
電圧も加える際に半導体測定装置2にフォースライン
5、センスライン6を設けているにも関わらず、半導体
集積回路端子8と半導体ソケット3の端子の接触抵抗に
よる電圧降下が生じて、半導体集積回路端子8では印加
電圧に対して誤差が含まれていた。これを具体的に説明
すれば、半導体ソケット端子7では印加電圧値が保証さ
れているが、半導体集積回路端子8と半導体ソケット端
子7に生じる接触抵抗R2による電圧降下が加味されて
いないため、半導体集積回路端子8では、正規の印加電
圧にならないという問題があった。
【0008】本発明は上記問題に鑑み、半導体集積回路
端子で印加電圧を補正することができる半導体集積回路
の検査装置を提供することを目的とする。
端子で印加電圧を補正することができる半導体集積回路
の検査装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明の半導体集積回路の検査装置は、半導体集積回
路端子と接する半導体ソケット端子を半導体測定装置か
らのフォースライン、センスラインに対して各々独立し
て2個設け、検査対象である半導体集積回路から延びる
半導体集積回路端子に2個のソケット端子を接続して検
査するものである。
に本発明の半導体集積回路の検査装置は、半導体集積回
路端子と接する半導体ソケット端子を半導体測定装置か
らのフォースライン、センスラインに対して各々独立し
て2個設け、検査対象である半導体集積回路から延びる
半導体集積回路端子に2個のソケット端子を接続して検
査するものである。
【0010】
【作用】従来は半導体ソケット端子を一つの起点として
閉回路を作り、半導体測定装置によって補正を掛けてい
たので、半導体ソケット端子では印加電圧を保証できて
いたが、半導体集積回路端子では誤差が含まれていた。
しかし、本発明の構成では、半導体集積回路端子を起点
に閉回路を作ることができるので、従来の問題点であっ
た半導体集積回路端子と半導体ソケット端子の接触抵抗
による電圧降下をも加味した電位の補正を半導体測定装
置から掛けることができるので、半導体集積回路端子で
の印加電圧の精度が向上するものである。
閉回路を作り、半導体測定装置によって補正を掛けてい
たので、半導体ソケット端子では印加電圧を保証できて
いたが、半導体集積回路端子では誤差が含まれていた。
しかし、本発明の構成では、半導体集積回路端子を起点
に閉回路を作ることができるので、従来の問題点であっ
た半導体集積回路端子と半導体ソケット端子の接触抵抗
による電圧降下をも加味した電位の補正を半導体測定装
置から掛けることができるので、半導体集積回路端子で
の印加電圧の精度が向上するものである。
【0011】
【実施例】以下、本発明の実施例について図1を参照し
ながら説明する。なお、従来と同じ構成については同番
号を付している。
ながら説明する。なお、従来と同じ構成については同番
号を付している。
【0012】図1(a)は半導体集積回路の検査装置の
構成図、図1(b)は図1(a)の回路の概略図を示す
ものである。1は各種電気信号を半導体集積回路4に供
給する半導体自動検査装置、2は電気信号を出力し、か
つ電気信号を読みとる半導体測定装置、3は半導体集積
回路4を装着する半導体ソケット、5はフォースライ
ン、6はセンスライン、11aは半導体集積回路4の下
部に位置し、フォースライン5と接続された半導体ソケ
ット端子、11bは半導体集積回路4の上部に位置し、
センスライン6と接続された半導体ソケット端子、8は
半導体集積回路端子、9は半導体自動検査装置1と半導
体ソケット端子7との接触抵抗R1、10は半導体ソケ
ット端子11aと半導体集積回路端子8が接続された際
生じる接触抵抗R2、12は半導体集積回路端子8と半
導体ソケット端子11bが接続された際生じる接触抵抗
R3、13は半導体ソケット端子11bと半導体自動検
査装置1との接触抵抗R4である。
構成図、図1(b)は図1(a)の回路の概略図を示す
ものである。1は各種電気信号を半導体集積回路4に供
給する半導体自動検査装置、2は電気信号を出力し、か
つ電気信号を読みとる半導体測定装置、3は半導体集積
回路4を装着する半導体ソケット、5はフォースライ
ン、6はセンスライン、11aは半導体集積回路4の下
部に位置し、フォースライン5と接続された半導体ソケ
ット端子、11bは半導体集積回路4の上部に位置し、
センスライン6と接続された半導体ソケット端子、8は
半導体集積回路端子、9は半導体自動検査装置1と半導
体ソケット端子7との接触抵抗R1、10は半導体ソケ
ット端子11aと半導体集積回路端子8が接続された際
生じる接触抵抗R2、12は半導体集積回路端子8と半
導体ソケット端子11bが接続された際生じる接触抵抗
R3、13は半導体ソケット端子11bと半導体自動検
査装置1との接触抵抗R4である。
【0013】以上のような構成で、従来例と同じく半導
体集積回路に任意の印加電圧を供給する場合の各々の動
作について説明する。
体集積回路に任意の印加電圧を供給する場合の各々の動
作について説明する。
【0014】まず、半導体測定装置2から任意の印加電
圧Vfを半導体自動検査装置1を介して、半導体測定装
置2のフォースライン5から半導体集積回路端子8に供
給する。このとき、半導体ソケット端子11aと半導体
自動検査装置1との接触抵抗R1及び、半導体ソケット
端子11aと半導体集積回路端子8との間に生じる接触
抵抗R2により、半導体測定装置2から半導体集積回路
端子8までの間に電圧降下V1が生じる。フォースライ
ン5から半導体集積回路端子8間に流れる電流を(I+
i)とすると、電圧降下V1は次式で表される。
圧Vfを半導体自動検査装置1を介して、半導体測定装
置2のフォースライン5から半導体集積回路端子8に供
給する。このとき、半導体ソケット端子11aと半導体
自動検査装置1との接触抵抗R1及び、半導体ソケット
端子11aと半導体集積回路端子8との間に生じる接触
抵抗R2により、半導体測定装置2から半導体集積回路
端子8までの間に電圧降下V1が生じる。フォースライ
ン5から半導体集積回路端子8間に流れる電流を(I+
i)とすると、電圧降下V1は次式で表される。
【0015】V1=(I+i)×(R1+R2) 従って、半導体集積回路端子8での電圧値Vinは次式
のようになる。
のようになる。
【0016】 Vin=Vf−(I+i)×(R1+R2) このときのセンスライン6での電位Vsは、半導体集積
回路端子8での電位Vinから接触抵抗R3及び接触抵
抗R4による電圧降下V2を差し引いた値になる。セン
スライン6に流れる電流をiとすると電圧降下V2は次
式のようになる。
回路端子8での電位Vinから接触抵抗R3及び接触抵
抗R4による電圧降下V2を差し引いた値になる。セン
スライン6に流れる電流をiとすると電圧降下V2は次
式のようになる。
【0017】V2=i×(R3+R4) 従って、このときセンスライン6の検値する電圧値Vs
は次式のようになる。
は次式のようになる。
【0018】Vs=Vin−i(R3+R4) しかし、ここで半導体測定装置2は、ハイインピーダン
スで受けているため、センスライン6に流れる電流i
は、ほぼゼロ(I>i)と見なされる。
スで受けているため、センスライン6に流れる電流i
は、ほぼゼロ(I>i)と見なされる。
【0019】従って、Vin,Vsは次式のように変更
できる。 Vin=Vf−I(R1+R2) Vs=Vin 次に、VinとVsの両関係式から次式を導き出すこと
ができる。
できる。 Vin=Vf−I(R1+R2) Vs=Vin 次に、VinとVsの両関係式から次式を導き出すこと
ができる。
【0020】Vs=Vf−I×(R1+R2) ここで、半導体測定装置2において、フォースライン5
とセンスライン6での電位を同電位(Vf=Vs)にし
ようとする働きが起こり、電圧降下を補正した電圧を再
びフォースライン5から印加するようになる。このとき
の印加電圧Vf′は次式で表される。
とセンスライン6での電位を同電位(Vf=Vs)にし
ようとする働きが起こり、電圧降下を補正した電圧を再
びフォースライン5から印加するようになる。このとき
の印加電圧Vf′は次式で表される。
【0021】Vf′=Vf+I×(R1+R2) 従って、フォースライン5から半導体集積回路に流れ込
む電流I(電流iはほぼゼロである。)による電圧降下
(I×(R1+R2))が生じた場合でも半導体集積回
路端子8の電圧値Vinは Vin=Vf=Vs となり、半導体集積回路端子8では常に初期の印加電圧
Vfになるよう、半導体測定装置2で保たれている。
む電流I(電流iはほぼゼロである。)による電圧降下
(I×(R1+R2))が生じた場合でも半導体集積回
路端子8の電圧値Vinは Vin=Vf=Vs となり、半導体集積回路端子8では常に初期の印加電圧
Vfになるよう、半導体測定装置2で保たれている。
【0022】
【発明の効果】以上のように本発明は、半導体ソケット
端子を半導体集積回路端子に対し各々2個設けることに
より、従来からの半導体測定装置に備わっているフォー
スライン、センスラインを有効に活用し、半導体ソケッ
ト端子と半導体集積回路との接触抵抗による電圧降下も
含めた補正をかけることができるので、半導体測定装置
からの任意の印加電圧に対しての精度を半導体集積回路
端子において向上させることができる半導体集積回路の
検査装置を実現するものである。
端子を半導体集積回路端子に対し各々2個設けることに
より、従来からの半導体測定装置に備わっているフォー
スライン、センスラインを有効に活用し、半導体ソケッ
ト端子と半導体集積回路との接触抵抗による電圧降下も
含めた補正をかけることができるので、半導体測定装置
からの任意の印加電圧に対しての精度を半導体集積回路
端子において向上させることができる半導体集積回路の
検査装置を実現するものである。
【図1】(a)本発明の一実施例における半導体集積回
路の検査装置を示す構成図 (b)同半導体集積回路の検査装置の回路を示す概略図
路の検査装置を示す構成図 (b)同半導体集積回路の検査装置の回路を示す概略図
【図2】従来の半導体集積回路の検査装置を示す構成図
1 半導体自動検査装置 2 半導体測定装置 3 半導体ソケット 4 半導体集積回路 5 フォースライン 6 センスライン 8 半導体集積回路端子 9 接触抵抗R1 10 接触抵抗R2 11a 半導体ソケット端子 11b 半導体ソケット端子 12 接触抵抗R3 13 接触抵抗R4
Claims (1)
- 【請求項1】 各種電気信号を出力しかつ読みとる半導
体測定装置と、この半導体測定装置からのフォースライ
ンおよびセンスラインと、このフォースラインおよびセ
ンスラインに接続される2個の半導体ソケット端子とを
有し、検査対象である半導体集積回路から延びる半導体
集積回路端子に前記2個の半導体ソケット端子を接続し
て検査する半導体集積回路の検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6240084A JPH08105935A (ja) | 1994-10-04 | 1994-10-04 | 半導体集積回路の検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6240084A JPH08105935A (ja) | 1994-10-04 | 1994-10-04 | 半導体集積回路の検査装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08105935A true JPH08105935A (ja) | 1996-04-23 |
Family
ID=17054251
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6240084A Pending JPH08105935A (ja) | 1994-10-04 | 1994-10-04 | 半導体集積回路の検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08105935A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100326943B1 (ko) * | 1999-04-07 | 2002-03-13 | 윤종용 | 반도체 장치의 전기적 연결 장치 |
-
1994
- 1994-10-04 JP JP6240084A patent/JPH08105935A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100326943B1 (ko) * | 1999-04-07 | 2002-03-13 | 윤종용 | 반도체 장치의 전기적 연결 장치 |
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