JPH04244974A - 半導体集積回路の測定方法 - Google Patents
半導体集積回路の測定方法Info
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- JPH04244974A JPH04244974A JP3010530A JP1053091A JPH04244974A JP H04244974 A JPH04244974 A JP H04244974A JP 3010530 A JP3010530 A JP 3010530A JP 1053091 A JP1053091 A JP 1053091A JP H04244974 A JPH04244974 A JP H04244974A
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- Japan
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- collector
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路の測定方
法に関するものである。
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体集積回路の出力段トランジ
スタのコレクタおよびエミッタがそれぞれ直接出力端子
に接続され、ベースが内部回路に接続された状態におい
て、前記出力段トランジスタのｈＦＥを測定する方法を
図２に示した回路図を参照して説明する。
スタのコレクタおよびエミッタがそれぞれ直接出力端子
に接続され、ベースが内部回路に接続された状態におい
て、前記出力段トランジスタのｈＦＥを測定する方法を
図２に示した回路図を参照して説明する。
【０００３】被測定ＩＣ１の内部回路２がベースに接続
された出力段トランジスタ３のコレクタおよびエミッタ
がそれぞれ直接出力端子に接続された状態において、コ
レクタ端子４に外部印加定電圧源１０を、エミッタ端子
５に抵抗器６を介して外部印加定電圧源８を接続し、外
部印加定電圧源１０は電流計９を、外部印加定電圧源８
は電流計７を持っている。１１はグランドラインである
。
された出力段トランジスタ３のコレクタおよびエミッタ
がそれぞれ直接出力端子に接続された状態において、コ
レクタ端子４に外部印加定電圧源１０を、エミッタ端子
５に抵抗器６を介して外部印加定電圧源８を接続し、外
部印加定電圧源１０は電流計９を、外部印加定電圧源８
は電流計７を持っている。１１はグランドラインである
。
【０００４】内部回路２により出力段トランジスタ３を
動作状態にさせ、そのときコレクタ端子４に流れる電流
ＩＣ１を電流計９で測定し、エミッタ端子５に流れる電
流ＩＥ１を電流計７で測定する。
動作状態にさせ、そのときコレクタ端子４に流れる電流
ＩＣ１を電流計９で測定し、エミッタ端子５に流れる電
流ＩＥ１を電流計７で測定する。
【０００５】このようにコレクタおよびエミッタがそれ
ぞれ直接出力端子に接続された半導体集積回路の出力段
トランジスタのｈＦＥ測定方法について以下その動作を
説明する。内部回路２により設定される出力段トランジ
スタ３のベース電圧が高くなることにより、出力段トラ
ンジスタ３はＯＮとなる。このとき、出力段トランジス
タ３のコレクタ端子４に流れる電流ＩＣ１を電流計９で
測定し、エミッタ端子５に流れる電流ＩＥ１を電流計７
で測定すると、出力段トランジスタ３のベース電流ＩＢ
１はＩＢ１＝ＩＥ１−ＩＣ１ で決定され、ｈＦＥは ｈＦＥ＝ＩＣ１／ＩＢ１ で決定される。
ぞれ直接出力端子に接続された半導体集積回路の出力段
トランジスタのｈＦＥ測定方法について以下その動作を
説明する。内部回路２により設定される出力段トランジ
スタ３のベース電圧が高くなることにより、出力段トラ
ンジスタ３はＯＮとなる。このとき、出力段トランジス
タ３のコレクタ端子４に流れる電流ＩＣ１を電流計９で
測定し、エミッタ端子５に流れる電流ＩＥ１を電流計７
で測定すると、出力段トランジスタ３のベース電流ＩＢ
１はＩＢ１＝ＩＥ１−ＩＣ１ で決定され、ｈＦＥは ｈＦＥ＝ＩＣ１／ＩＢ１ で決定される。
【０００６】このように出力段トランジスタ３のコレク
タ端子４、エミッタ端子５それぞれに接続された電流計
９、７でコレクタ電流ＩＣ１、エミッタ電流ＩＥ１を測
定し、その測定値からｈＦＥを算出するものであった。
タ端子４、エミッタ端子５それぞれに接続された電流計
９、７でコレクタ電流ＩＣ１、エミッタ電流ＩＥ１を測
定し、その測定値からｈＦＥを算出するものであった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のような測定方法
では、内部回路２により出力段トランジスタ３を動作状
態にして、コレクタ電流ＩＣ１やエミッタ電流ＩＥ１を
測定したときに、コレクタおよびエミッタそれぞれに接
続された電流計９、７の双方の測定誤差（オフセット、
リニアリティー、ゲイン）が関係してくる。特にｈＦＥ
が高い場合においては当然のことながらベース電流ＩＢ
１は極めて小さな値になるので、電流計の測定誤差は無
視できなくなる。
では、内部回路２により出力段トランジスタ３を動作状
態にして、コレクタ電流ＩＣ１やエミッタ電流ＩＥ１を
測定したときに、コレクタおよびエミッタそれぞれに接
続された電流計９、７の双方の測定誤差（オフセット、
リニアリティー、ゲイン）が関係してくる。特にｈＦＥ
が高い場合においては当然のことながらベース電流ＩＢ
１は極めて小さな値になるので、電流計の測定誤差は無
視できなくなる。
【０００８】本発明は上記従来の問題を解決するもので
、外部印加定電圧源の電流計誤差がｈＦＥ測定時に影響
を及ぼすことを考慮し、その誤差分を少なくすることに
より高精度なｈＦＥ測定ができる測定方法を提供するこ
とを目的とするものである。
、外部印加定電圧源の電流計誤差がｈＦＥ測定時に影響
を及ぼすことを考慮し、その誤差分を少なくすることに
より高精度なｈＦＥ測定ができる測定方法を提供するこ
とを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の測定方法は、半導体集積回路の出力段トラ
ンジスタのコレクタおよびエミッタがそれぞれ直接出力
端子に接続され、ベースが内部回路に接続された状態に
おいて、外部印加定電圧源を第１のリレーを介して前記
トランジスタのコレクタ端子に接続し、外部印加定電流
源を第２のリレーを介して前記トランジスタのエミッタ
端子に接続し、さらに前記外部印加定電圧源を第３のリ
レーを介して外部印加定電流源に接続し、さらに、前記
外部印加定電圧源および電流源を被測定ＩＣの定格値に
設定した後、第１、第２のリレーをＯＦＦにし、第３の
リレーをＯＮにして外部印加定圧源と外部印加定電流源
をショートし、前記外部印加電圧源から外部印加定電流
源に流れる電流を測定して基準電流（エミッタ電流相当
）とし、次に、前記外部印加状態を保持しながら第１、
第２のリレーをＯＮにし、第３のリレーをＯＦＦにして
内部回路によりトランジスタを動作状態にし、前記外部
定電圧源から流れるコレクタ電流を測定し、前記基準電
流（エミッタ電流相当）はコレクタ電流とベース電流が
加算されたものに相当することを考慮して、基準電流（
エミッタ電流相当）からコレクタ電流を差し引くことに
よりベース電流を求め、前記コレクタ電流とベース電流
からトランジスタのｈＦＥを算出するものである。
に、本発明の測定方法は、半導体集積回路の出力段トラ
ンジスタのコレクタおよびエミッタがそれぞれ直接出力
端子に接続され、ベースが内部回路に接続された状態に
おいて、外部印加定電圧源を第１のリレーを介して前記
トランジスタのコレクタ端子に接続し、外部印加定電流
源を第２のリレーを介して前記トランジスタのエミッタ
端子に接続し、さらに前記外部印加定電圧源を第３のリ
レーを介して外部印加定電流源に接続し、さらに、前記
外部印加定電圧源および電流源を被測定ＩＣの定格値に
設定した後、第１、第２のリレーをＯＦＦにし、第３の
リレーをＯＮにして外部印加定圧源と外部印加定電流源
をショートし、前記外部印加電圧源から外部印加定電流
源に流れる電流を測定して基準電流（エミッタ電流相当
）とし、次に、前記外部印加状態を保持しながら第１、
第２のリレーをＯＮにし、第３のリレーをＯＦＦにして
内部回路によりトランジスタを動作状態にし、前記外部
定電圧源から流れるコレクタ電流を測定し、前記基準電
流（エミッタ電流相当）はコレクタ電流とベース電流が
加算されたものに相当することを考慮して、基準電流（
エミッタ電流相当）からコレクタ電流を差し引くことに
よりベース電流を求め、前記コレクタ電流とベース電流
からトランジスタのｈＦＥを算出するものである。
【００１０】
【作用】前記の測定方法にすることにより、リレーを切
り換えてトランジスタのコレクタ電流やエミッタ電流を
調べることで外部印加電圧源から流れる電流を測定する
電流計ひとつで測定することができ、測定誤差のオフセ
ット分を差し引きほぼ０とすることができる。
り換えてトランジスタのコレクタ電流やエミッタ電流を
調べることで外部印加電圧源から流れる電流を測定する
電流計ひとつで測定することができ、測定誤差のオフセ
ット分を差し引きほぼ０とすることができる。
【００１１】
【実施例】以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明
する。図１は本発明の、出力段トランジスタのコレクタ
およびエミッタが直接端子に接続され、出力段トランジ
スタのベースが内部回路に接続されている半導体集積回
路における出力段トランジスタのｈＦＥ測定方法の一実
施例を示す回路図である。
する。図１は本発明の、出力段トランジスタのコレクタ
およびエミッタが直接端子に接続され、出力段トランジ
スタのベースが内部回路に接続されている半導体集積回
路における出力段トランジスタのｈＦＥ測定方法の一実
施例を示す回路図である。
【００１２】図１において、外部印加定電圧源１０を第
１のリレー２１を介して出力段トランジスタ３のコレク
タ端子４に接続し、外部印加定電流源２４を第２のリレ
ー２２を介して出力段トランジスタ３のエミッタ端子５
に接続する。さらに外部印加定電圧源１０は電流計９を
もち、第３のリレー２３を介して外部印加定電流源２４
と互いに接続する。
１のリレー２１を介して出力段トランジスタ３のコレク
タ端子４に接続し、外部印加定電流源２４を第２のリレ
ー２２を介して出力段トランジスタ３のエミッタ端子５
に接続する。さらに外部印加定電圧源１０は電流計９を
もち、第３のリレー２３を介して外部印加定電流源２４
と互いに接続する。
【００１３】このように出力段トランジスタ３のコレク
タおよびエミッタが直接出力端子に接続され、出力段ト
ランジスタ３のベースが内部回路２に接続されている半
導体集積回路において、出力段トランジスタ３のｈＦＥ
測定方法について以下その動作を説明する。第１のリレ
ー２１、第２のリレー２２をＯＦＦにし、第３のリレー
２３をＯＮにして外部印加定電圧源１０と外部印加定電
流源２４をショートし、外部印加定電圧源１０から、外
部印加定電流源２４に流れる電流を電流計９で測定し、
エミッタ電流ＩＥ とする。
タおよびエミッタが直接出力端子に接続され、出力段ト
ランジスタ３のベースが内部回路２に接続されている半
導体集積回路において、出力段トランジスタ３のｈＦＥ
測定方法について以下その動作を説明する。第１のリレ
ー２１、第２のリレー２２をＯＦＦにし、第３のリレー
２３をＯＮにして外部印加定電圧源１０と外部印加定電
流源２４をショートし、外部印加定電圧源１０から、外
部印加定電流源２４に流れる電流を電流計９で測定し、
エミッタ電流ＩＥ とする。
【００１４】次に、外部印加状態を保持しながら第１の
リレー２１、第２のリレー２２をＯＮにし、第３のリレ
ー２３をＯＦＦにして内部回路２により出力段トランジ
スタ３を動作状態にし、外部定電圧源１０から流れるコ
レクタ電流Ｉｃ を電流計９で測定する。
リレー２１、第２のリレー２２をＯＮにし、第３のリレ
ー２３をＯＦＦにして内部回路２により出力段トランジ
スタ３を動作状態にし、外部定電圧源１０から流れるコ
レクタ電流Ｉｃ を電流計９で測定する。
【００１５】前記エミッタ電流ＩＥ はコレクタ電流Ｉ
ｃ とベース電流ＩＢ が計算されたものに相当し、２
つの測定電流値すなわちエミッタ電流ＩＥ からコレク
タ電流Ｉｃ を差し引くことによりベース電流ＩＢ が
求められる。
ｃ とベース電流ＩＢ が計算されたものに相当し、２
つの測定電流値すなわちエミッタ電流ＩＥ からコレク
タ電流Ｉｃ を差し引くことによりベース電流ＩＢ が
求められる。
【００１６】ＩＢ ＝ＩＥ −Ｉｃ
したがってトランジスタのｈＦＥは
ｈＦＥ＝Ｉｃ ／ＩＢ
で算出できる。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、リレー
を切り換えてトランジスタのコレクタ電流やエミッタ電
流を調べることで電流計はひとつで測定していることが
でき、測定誤差のオフセット分を差し引きほぼ０にでき
る。このことにより、電流計の測定誤差は少なくなり、
トランジスタのｈＦＥが高い場合でもトランジスタのベ
ース電流を高精度に読み取ることが可能となり、高精度
なｈＦＥを算出できる。
を切り換えてトランジスタのコレクタ電流やエミッタ電
流を調べることで電流計はひとつで測定していることが
でき、測定誤差のオフセット分を差し引きほぼ０にでき
る。このことにより、電流計の測定誤差は少なくなり、
トランジスタのｈＦＥが高い場合でもトランジスタのベ
ース電流を高精度に読み取ることが可能となり、高精度
なｈＦＥを算出できる。
【図１】本発明の一実施例の半導体集積回路の測定方法
を示す回路図である。
を示す回路図である。
【図２】従来の測定方法を示す回路図である。
１ 被測定ＩＣ
２ 内部回路
３ 出力段トランジスタ
４ コレクタ端子
５ エミッタ端子
９ 電流計
１０ 外部印加定電圧源
２１ 第１のリレー
２２ 第２のリレー
２３ 第３のリレー
２４ 外部印加定電流源
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体集積回路の出力段トランジスタ
のコレクタおよびエミッタがそれぞれ直接出力端子に接
続され、ベースが内部回路に接続された状態において、
外部印加定電圧源を第１のリレーを介して前記トランジ
スタのコレクタ端子に接続し、外部印加定電流源を第２
のリレーを介して前記トランジスタのエミッタ端子に接
続し、前記外部印加定電圧源を第３のリレーを介して外
部印加定電流源に接続し、さらに、外部印加定電流源と
外部印加定電圧源を被測定ＩＣの定格値に設定した後、
第１、第２のリレーをオフにし、第３のリレーをオンに
して外部印加定電圧源と外部印加定電流源をショートし
、前記外部印加電圧源から外部印加定電流源に流れる電
流を測定して基準電流（エミッタ電流相当）とし、次に
、前記外部印加状態を保持しながら第１、第２のリレー
をオンにし、第３のリレーをオフにして内部回路により
トランジスタを動作状態にし、前記外部定電圧源から流
れるコレクタ電流を測定し、前記基準電流（エミッタ電
流相当）はコレクタ電流とベース電流が加算されたもの
に相当することを考慮して、基準電流（エミッタ電流相
当）からコレクタ電流を差し引くことによりベース電流
を求め、前記コレクタ電流とベース電流からトランジス
タのｈＦＥを算出することを特徴とする半導体集積回路
の測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3010530A JPH04244974A (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 半導体集積回路の測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3010530A JPH04244974A (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 半導体集積回路の測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04244974A true JPH04244974A (ja) | 1992-09-01 |
Family
ID=11752811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3010530A Pending JPH04244974A (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 半導体集積回路の測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04244974A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05325581A (ja) * | 1992-09-14 | 1993-12-10 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
| JP2017053863A (ja) * | 2006-06-06 | 2017-03-16 | フォームファクター， インコーポレイテッド | テスタのドライブおよび測定能力を広げる方法 |
-
1991
- 1991-01-31 JP JP3010530A patent/JPH04244974A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05325581A (ja) * | 1992-09-14 | 1993-12-10 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
| JP2553290B2 (ja) * | 1992-09-14 | 1996-11-13 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路 |
| JP2017053863A (ja) * | 2006-06-06 | 2017-03-16 | フォームファクター， インコーポレイテッド | テスタのドライブおよび測定能力を広げる方法 |
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