JPH08101506A - 感放射線性樹脂組成物 - Google Patents
感放射線性樹脂組成物Info
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- JPH08101506A JPH08101506A JP6259755A JP25975594A JPH08101506A JP H08101506 A JPH08101506 A JP H08101506A JP 6259755 A JP6259755 A JP 6259755A JP 25975594 A JP25975594 A JP 25975594A JP H08101506 A JPH08101506 A JP H08101506A
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- JP
- Japan
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- polymer
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- acid
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- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 特に解像度およびパターン形状が優れるとと
もに、感度、現像性、プロセス安定性等にも優れ、しか
もコントラスト、耐熱性等も良好な化学増幅型ポジ型レ
ジストとして有用な感放射線性樹脂組成物[I] 、[II]お
よび[III] を提供する。 【構成】 感放射線性樹脂組成物[I] は、1−メトキシ
エチルアクリレートで代表されるアセタール基含有(メ
タ)アクリル酸エステルの重合体(A)および感放射線
性酸発生剤(B)を含有し、感放射線性樹脂組成物[II]
は、前記成分(A)および(B)とアルカリ可溶性樹脂
(C)とを含有する。また、感放射線性樹脂組成物[II
I] は、2−テトラヒドロピラニルアクリレートで代表
されるアセタール基含有(メタ)アクリル酸エステルの
重合体(A')、前記成分(B)および(C)並びに酸拡
散制御剤(D)を含有する。
もに、感度、現像性、プロセス安定性等にも優れ、しか
もコントラスト、耐熱性等も良好な化学増幅型ポジ型レ
ジストとして有用な感放射線性樹脂組成物[I] 、[II]お
よび[III] を提供する。 【構成】 感放射線性樹脂組成物[I] は、1−メトキシ
エチルアクリレートで代表されるアセタール基含有(メ
タ)アクリル酸エステルの重合体(A)および感放射線
性酸発生剤(B)を含有し、感放射線性樹脂組成物[II]
は、前記成分(A)および(B)とアルカリ可溶性樹脂
(C)とを含有する。また、感放射線性樹脂組成物[II
I] は、2−テトラヒドロピラニルアクリレートで代表
されるアセタール基含有(メタ)アクリル酸エステルの
重合体(A')、前記成分(B)および(C)並びに酸拡
散制御剤(D)を含有する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、感放射線性樹脂組成物
に関わり、さらに詳しくは、紫外線、遠紫外線、X線あ
るいは荷電粒子線の如き各種放射線を使用する微細加工
に好適なレジストとして有用な感放射線性樹脂組成物に
関する。
に関わり、さらに詳しくは、紫外線、遠紫外線、X線あ
るいは荷電粒子線の如き各種放射線を使用する微細加工
に好適なレジストとして有用な感放射線性樹脂組成物に
関する。
【0002】
【従来の技術】集積回路素子の製造に代表される微細加
工の分野においては、集積回路のより高い集積度を得る
ために、リソグラフィーにおける加工サイズの微細化が
急速に進行しており、近年では、線幅0.5μm以下の
高精度の微細加工を安定して行なうことができるリソグ
ラフィープロセスの開発が強く推し進められている。し
かしながら、従来の可視光線(波長700〜400nm)
や近紫外線(波長400〜300nm)を用いる方法で
は、このような微細パターンを高精度に形成することが
困難であり、そのため、より幅広い焦点深度を達成で
き、デザインルールの微細化に有効な短波長(波長30
0nm以下)の放射線を用いるリソグラフィープロセスが
提案されている。このような短波長の放射線を用いるリ
ソグラフィープロセスとしては、例えばKrFエキシマレ
ーザー(波長248nm)、 ArFエキシマレーザー(波長
193nm)等の遠紫外線や、シンクロトロン放射線等の
X線あるいは電子線等の荷電粒子線を使用する方法が提
案されている。そして、これらの短波長の放射線に対応
する高解像度レジストとして、インターナショナル・ビ
ジネス・マシーン(IBM)社により「化学増幅型レジ
スト」が提唱され、現在、この化学増幅型レジストの改
良・開発が精力的に進められている。このような化学増
幅型レジストは、それに含有される感放射線性酸発生剤
への放射線の照射(以下、「露光」という。)により酸
を発生させ、この酸の触媒作用により、レジスト膜中で
化学反応(例えば極性の変化、化学結合の開裂、架橋反
応等)を生起させ、現像液に対する溶解性が露光部にお
いて変化する現象を利用して、パターンを形成するもの
である。そして、従来の化学増幅型レジストのうち比較
的良好なレジスト性能を示すものに、樹脂成分として、
アルカリ可溶性樹脂中のアルカリ親和性基をt−ブチル
エステル基やt−ブトキシカルボニル基で保護した樹脂
(例えば特公平2−27660号公報参照)、アルカリ
可溶性樹脂中のアルカリ親和性基をシリル基で保護した
樹脂(例えば特公平3−44290号公報参照)、(メ
タ)アクリル酸成分を含有する樹脂(例えば特公平4−
39665号参照)等を使用したレジストが知られてい
る。しかしながら、これらの化学増幅型レジストにはそ
れぞれ固有の問題があり、実用化に際して種々の困難を
伴うことが指摘されている。即ち、t−ブチルエステル
基やt−ブトキシカルボニル基を有する樹脂を用いる場
合、露光により発生した酸の触媒作用による化学反応に
より、イソブテンガスや炭酸ガスといった気体成分が放
出されるため、露光部において体積収縮を生じ、その結
果、パターン形状が歪みやすく、高精度のレジストパタ
ーンの形成が困難である。またシリル基を有する樹脂を
用いる場合、パターン形状は一般に良好であるが、シリ
ル基が存在しないレジストにくらべて、基板からの剥離
性に劣るという難点がある。さらに(メタ)アクリル酸
系樹脂を用いる場合には、レジストとシリコン等の基板
との接着性が不十分であり、またレジストの構成樹脂と
して芳香族系樹脂(例えばフェノール系ノボラック樹脂
等)を用いる場合にくらべて、ドライエッチング耐性も
低いという問題がある。このような従来の化学増幅型レ
ジストにおける問題を解決するため、近年、フェノール
骨格と(メタ)アクリル酸エステル単位との両者を含有
する樹脂(例えば特開平4−251259号公報、同5
−181279号公報、同5−113667号公報等参
照)、環式(チオ)アセタール基を含有する芳香族ビニ
ル系樹脂(例えば特開平2−25850号公報参照)、
環式アセタール基を含有する(メタ)アクリル酸エステ
ル系樹脂(例えば特開平4−26850号公報参照)を
用いたレジストも提案されている。しかしながら、これ
らのレジストは、ドライエッチング耐性が改善されてい
るが、良好な矩形パターンが得難くパターン形状の面で
問題があり、また解像度、現像性、プロセス安定性等も
不十分で、化学増幅型レジストとしての総合特性の観点
からさらなる改善が求められている。
工の分野においては、集積回路のより高い集積度を得る
ために、リソグラフィーにおける加工サイズの微細化が
急速に進行しており、近年では、線幅0.5μm以下の
高精度の微細加工を安定して行なうことができるリソグ
ラフィープロセスの開発が強く推し進められている。し
かしながら、従来の可視光線(波長700〜400nm)
や近紫外線(波長400〜300nm)を用いる方法で
は、このような微細パターンを高精度に形成することが
困難であり、そのため、より幅広い焦点深度を達成で
き、デザインルールの微細化に有効な短波長(波長30
0nm以下)の放射線を用いるリソグラフィープロセスが
提案されている。このような短波長の放射線を用いるリ
ソグラフィープロセスとしては、例えばKrFエキシマレ
ーザー(波長248nm)、 ArFエキシマレーザー(波長
193nm)等の遠紫外線や、シンクロトロン放射線等の
X線あるいは電子線等の荷電粒子線を使用する方法が提
案されている。そして、これらの短波長の放射線に対応
する高解像度レジストとして、インターナショナル・ビ
ジネス・マシーン(IBM)社により「化学増幅型レジ
スト」が提唱され、現在、この化学増幅型レジストの改
良・開発が精力的に進められている。このような化学増
幅型レジストは、それに含有される感放射線性酸発生剤
への放射線の照射(以下、「露光」という。)により酸
を発生させ、この酸の触媒作用により、レジスト膜中で
化学反応(例えば極性の変化、化学結合の開裂、架橋反
応等)を生起させ、現像液に対する溶解性が露光部にお
いて変化する現象を利用して、パターンを形成するもの
である。そして、従来の化学増幅型レジストのうち比較
的良好なレジスト性能を示すものに、樹脂成分として、
アルカリ可溶性樹脂中のアルカリ親和性基をt−ブチル
エステル基やt−ブトキシカルボニル基で保護した樹脂
(例えば特公平2−27660号公報参照)、アルカリ
可溶性樹脂中のアルカリ親和性基をシリル基で保護した
樹脂(例えば特公平3−44290号公報参照)、(メ
タ)アクリル酸成分を含有する樹脂(例えば特公平4−
39665号参照)等を使用したレジストが知られてい
る。しかしながら、これらの化学増幅型レジストにはそ
れぞれ固有の問題があり、実用化に際して種々の困難を
伴うことが指摘されている。即ち、t−ブチルエステル
基やt−ブトキシカルボニル基を有する樹脂を用いる場
合、露光により発生した酸の触媒作用による化学反応に
より、イソブテンガスや炭酸ガスといった気体成分が放
出されるため、露光部において体積収縮を生じ、その結
果、パターン形状が歪みやすく、高精度のレジストパタ
ーンの形成が困難である。またシリル基を有する樹脂を
用いる場合、パターン形状は一般に良好であるが、シリ
ル基が存在しないレジストにくらべて、基板からの剥離
性に劣るという難点がある。さらに(メタ)アクリル酸
系樹脂を用いる場合には、レジストとシリコン等の基板
との接着性が不十分であり、またレジストの構成樹脂と
して芳香族系樹脂(例えばフェノール系ノボラック樹脂
等)を用いる場合にくらべて、ドライエッチング耐性も
低いという問題がある。このような従来の化学増幅型レ
ジストにおける問題を解決するため、近年、フェノール
骨格と(メタ)アクリル酸エステル単位との両者を含有
する樹脂(例えば特開平4−251259号公報、同5
−181279号公報、同5−113667号公報等参
照)、環式(チオ)アセタール基を含有する芳香族ビニ
ル系樹脂(例えば特開平2−25850号公報参照)、
環式アセタール基を含有する(メタ)アクリル酸エステ
ル系樹脂(例えば特開平4−26850号公報参照)を
用いたレジストも提案されている。しかしながら、これ
らのレジストは、ドライエッチング耐性が改善されてい
るが、良好な矩形パターンが得難くパターン形状の面で
問題があり、また解像度、現像性、プロセス安定性等も
不十分で、化学増幅型レジストとしての総合特性の観点
からさらなる改善が求められている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
状況に鑑み、特に化学増幅型レジストを構成する樹脂成
分についてさらに詳細に検討した結果見い出されたもの
であって、その目的は、紫外線、遠紫外線、X線あるい
は荷電粒子線の如き各種放射線に有効に感応する新規な
感放射線性樹脂組成物を提供することにある。本発明の
他の目的は、体積収縮および基板との剥離不良や接着不
良を来すことのない感放射線性樹脂組成物を提供するこ
とにある。本発明のさらに他の目的は、とくに解像度お
よびパターン形状が優れるとともに、感度、現像性、プ
ロセス安定性等にも優れ、しかもコントラスト、耐熱
性、基板との剥離性や接着性、ドライエッチング耐性等
も良好な化学増幅型ポジ型レジストとして有用な感放射
線性樹脂組成物を提供することにある。
状況に鑑み、特に化学増幅型レジストを構成する樹脂成
分についてさらに詳細に検討した結果見い出されたもの
であって、その目的は、紫外線、遠紫外線、X線あるい
は荷電粒子線の如き各種放射線に有効に感応する新規な
感放射線性樹脂組成物を提供することにある。本発明の
他の目的は、体積収縮および基板との剥離不良や接着不
良を来すことのない感放射線性樹脂組成物を提供するこ
とにある。本発明のさらに他の目的は、とくに解像度お
よびパターン形状が優れるとともに、感度、現像性、プ
ロセス安定性等にも優れ、しかもコントラスト、耐熱
性、基板との剥離性や接着性、ドライエッチング耐性等
も良好な化学増幅型ポジ型レジストとして有用な感放射
線性樹脂組成物を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明によると、前記課
題は第1に、下記一般式(1)で表される繰返し単位を
有する重合体(A)および感放射線性酸発生剤(B)
(以下、単に「酸発生剤(B)」という。)を含有する
感放射線性樹脂組成物(以下、「組成物[I] 」とい
う。)、によって達成される。
題は第1に、下記一般式(1)で表される繰返し単位を
有する重合体(A)および感放射線性酸発生剤(B)
(以下、単に「酸発生剤(B)」という。)を含有する
感放射線性樹脂組成物(以下、「組成物[I] 」とい
う。)、によって達成される。
【0005】
【化1】
【0006】〔一般式(1)において、A は2価の酸素
原子または2価の硫黄原子を示し、R1は水素原子または
メチル基を示し、R2、R3、R4、R5およびR6は相互に同一
でも異なってもよく、水素原子、アルキル基、アルコキ
シ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基
またはアラルキル基を示す。〕
原子または2価の硫黄原子を示し、R1は水素原子または
メチル基を示し、R2、R3、R4、R5およびR6は相互に同一
でも異なってもよく、水素原子、アルキル基、アルコキ
シ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基
またはアラルキル基を示す。〕
【0007】本発明によると、前記課題は第2に、重合
体(A)、酸発生剤(B)およびアルカリ可溶性樹脂
(C)を含有する感放射線性樹脂組成物(以下、「組成
物[II]」という。)、によって達成される。
体(A)、酸発生剤(B)およびアルカリ可溶性樹脂
(C)を含有する感放射線性樹脂組成物(以下、「組成
物[II]」という。)、によって達成される。
【0008】本発明によると、前記課題は第3に、下記
一般式(2)で表される繰返し単位を有する重合体
(A')、酸発生剤(B)、アルカリ可溶性樹脂(C)お
よび酸拡散制御剤(D)を含有する感放射線性樹脂組成
物(以下、「組成物[III] 」という。)、によって達成
される。
一般式(2)で表される繰返し単位を有する重合体
(A')、酸発生剤(B)、アルカリ可溶性樹脂(C)お
よび酸拡散制御剤(D)を含有する感放射線性樹脂組成
物(以下、「組成物[III] 」という。)、によって達成
される。
【0009】
【化2】
【0010】〔一般式(2)において、A は2価の酸素
原子または2価の硫黄原子を示し、R7は水素原子または
メチル基を示し、R8、R9およびR10 は相互に同一でも異
なってもよく、水素原子、アルキル基、アルコキシル
基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基ま
たはアラルキル基を示し、複数存在するR9あるいはR10
はそれぞれ同一でも異なってもよく、nは1以上の整数
である。〕
原子または2価の硫黄原子を示し、R7は水素原子または
メチル基を示し、R8、R9およびR10 は相互に同一でも異
なってもよく、水素原子、アルキル基、アルコキシル
基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基ま
たはアラルキル基を示し、複数存在するR9あるいはR10
はそれぞれ同一でも異なってもよく、nは1以上の整数
である。〕
【0011】以下、本発明を詳細に説明するが、これに
より、本発明の目的、構成および効果が明確となるであ
ろう。重合体(A)および重合体(A') 先ず、組成物[I] および組成物[II]において使用される
重合体(A)は、前記一般式(1)で表される繰返し単
位を有するものである。この場合、一般式(1)で表さ
れる繰返し単位は、重合体(A)中に2種以上存在する
ことができる。また、重合体(A)は、ランダム共重合
体、ブロック共重合体あるいはグラフト共重合体である
ことができる。前記グラフト共重合体の場合、一般式
(1)で表される繰返し単位は、重合体主鎖中に存在し
ても重合体側鎖中に存在してもよい。一般式(1)にお
いて、A は2価の酸素原子または2価の硫黄原子を示
し、R1は水素原子またはメチル基を示し、R2、R3、R4、
R5およびR6は相互に同一でも異なってもよく、水素原
子、アルキル基、アルコキシル基、アルキルチオ基、ア
リール基、アリールオキシ基またはアラルキル基を示
す。組成物[I] および組成物[II]においては、R2〜R6の
アルキル基、アルコキシル基およびアルキルチオ基の炭
素数は1〜4が好ましく、アリール基およびアリールオ
キシ基の炭素数は6〜12が好ましく、またアラルキル
基の炭素数は7〜12が好ましい。一般式(1)におけ
る水素原子以外のR2〜R6の例としては、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、ブチル基等のアルキル基;メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等のアルコ
キシル基;メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ
基、ブチルチオ基等のアルキルチオ基;フェニル基、ナ
フチル基、ビフェニル基等のアリール基;フェノキシ
基、ナフトキシ基、フェニルフェノキシ基等のアリール
オキシ基;ベンジル基、ナフチルメチル基、フェニルベ
ンジル基等のアラルキル基を挙げることができる。一般
式(1)で表される繰返し単位を与える単量体の具体例
としては、メトキシメチルアクリレート、メトキシメチ
ルメタクリレート、エトキシメチルアクリレート、エト
キシメチルメタクリレート、1−メトキシエチルアクリ
レート、1−メトキシエチルメタクリレート、1−エト
キシエチルアクリレート、1−エトキシエチルメタクリ
レート、1−メトキシ−1−メチルエチルアクリレー
ト、1−メトキシ−1−メチルエチルメタクリレート、
ジメトキシメチルアクリレート、ジメトキシメチルメタ
クリレート、1,1−ジメトキシエチルアクリレート、
1,1−ジメトキシエチルメタクリレート、メトキシ
(エトキシ)メチルアクリレート、メトキシ(エトキ
シ)メチルメタクリレート、1,1−ジエトキシエチル
アクリレート、1,1−ジエトキシエチルメタクリレー
ト、ベンジルオキシメチルアクリレート、ベンジルオキ
シメチルメタクリレート、1−ベンジルオキシエチルア
クリレート、1−ベンジルオキシエチルメタクリレー
ト、(フェノキシメトキシ)メチルアクリレート、(フ
ェノキシメトキシ)メチルメタクリレート、1−(フェ
ノキシメトキシ)エチルアクリレート、1−(フェノキ
シメトキシ)エチルメタクリレート、(フェニルエトキ
シ)メチルアクリレート、(フェニルエトキシ)メチル
メタクリレート、1−(フェニルエトキシ)エチルアク
リレート、1−(フェニルエトキシ)エチルメタクリレ
ート、フェニル(メトキシ)メチルアクリレート、フェ
ニル(メトキシ)メチルメタクリレート、フェニル(エ
トキシ)メチルアクリレート、フェニル(エトキシ)メ
チルメタクリレート、1−フェニル−1−メトキシエチ
ルアクリレート、1−フェニル−1−メトキシエチルメ
タクリレート、1−フェニル−1−エトキシエチルアク
リレート、1−フェニル−1−エトキシエチルメタクリ
レート、フェノキシ(メトキシ)メチルアクリレート、
フェノキシ(メトキシ)メチルメタクリレート、フェノ
キシ(エトキシ)メチルアクリレート、フェノキシ(エ
トキシ)メチルメタクリレート、1−フェノキシ−1−
メトキシエチルアクリレート、1−フェノキシ−1−メ
トキシエチルメタクリレート、1−フェノキシ−1−エ
トキシエチルアクリレート、1−フェノキシ−1−エト
キシエチルメタクリレート、2−フェニル−1−メトキ
シエチルアクリレート、2−フェニル−1−メトキシエ
チルメタクリレート、2−フェニル−1−エトキシエチ
ルアクリレート、2−フェニル−1−エトキシエチルメ
タクリレート、1−ベンジル−1−メトキシエチルアク
リレート、1−ベンジル−1−メトキシエチルメタクリ
レート、1−ベンジル−1−エトキシエチルアクリレー
ト、1−ベンジル−1−エトキシエチルメタクリレート
等を挙げることができる。
より、本発明の目的、構成および効果が明確となるであ
ろう。重合体(A)および重合体(A') 先ず、組成物[I] および組成物[II]において使用される
重合体(A)は、前記一般式(1)で表される繰返し単
位を有するものである。この場合、一般式(1)で表さ
れる繰返し単位は、重合体(A)中に2種以上存在する
ことができる。また、重合体(A)は、ランダム共重合
体、ブロック共重合体あるいはグラフト共重合体である
ことができる。前記グラフト共重合体の場合、一般式
(1)で表される繰返し単位は、重合体主鎖中に存在し
ても重合体側鎖中に存在してもよい。一般式(1)にお
いて、A は2価の酸素原子または2価の硫黄原子を示
し、R1は水素原子またはメチル基を示し、R2、R3、R4、
R5およびR6は相互に同一でも異なってもよく、水素原
子、アルキル基、アルコキシル基、アルキルチオ基、ア
リール基、アリールオキシ基またはアラルキル基を示
す。組成物[I] および組成物[II]においては、R2〜R6の
アルキル基、アルコキシル基およびアルキルチオ基の炭
素数は1〜4が好ましく、アリール基およびアリールオ
キシ基の炭素数は6〜12が好ましく、またアラルキル
基の炭素数は7〜12が好ましい。一般式(1)におけ
る水素原子以外のR2〜R6の例としては、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、ブチル基等のアルキル基;メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等のアルコ
キシル基;メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ
基、ブチルチオ基等のアルキルチオ基;フェニル基、ナ
フチル基、ビフェニル基等のアリール基;フェノキシ
基、ナフトキシ基、フェニルフェノキシ基等のアリール
オキシ基;ベンジル基、ナフチルメチル基、フェニルベ
ンジル基等のアラルキル基を挙げることができる。一般
式(1)で表される繰返し単位を与える単量体の具体例
としては、メトキシメチルアクリレート、メトキシメチ
ルメタクリレート、エトキシメチルアクリレート、エト
キシメチルメタクリレート、1−メトキシエチルアクリ
レート、1−メトキシエチルメタクリレート、1−エト
キシエチルアクリレート、1−エトキシエチルメタクリ
レート、1−メトキシ−1−メチルエチルアクリレー
ト、1−メトキシ−1−メチルエチルメタクリレート、
ジメトキシメチルアクリレート、ジメトキシメチルメタ
クリレート、1,1−ジメトキシエチルアクリレート、
1,1−ジメトキシエチルメタクリレート、メトキシ
(エトキシ)メチルアクリレート、メトキシ(エトキ
シ)メチルメタクリレート、1,1−ジエトキシエチル
アクリレート、1,1−ジエトキシエチルメタクリレー
ト、ベンジルオキシメチルアクリレート、ベンジルオキ
シメチルメタクリレート、1−ベンジルオキシエチルア
クリレート、1−ベンジルオキシエチルメタクリレー
ト、(フェノキシメトキシ)メチルアクリレート、(フ
ェノキシメトキシ)メチルメタクリレート、1−(フェ
ノキシメトキシ)エチルアクリレート、1−(フェノキ
シメトキシ)エチルメタクリレート、(フェニルエトキ
シ)メチルアクリレート、(フェニルエトキシ)メチル
メタクリレート、1−(フェニルエトキシ)エチルアク
リレート、1−(フェニルエトキシ)エチルメタクリレ
ート、フェニル(メトキシ)メチルアクリレート、フェ
ニル(メトキシ)メチルメタクリレート、フェニル(エ
トキシ)メチルアクリレート、フェニル(エトキシ)メ
チルメタクリレート、1−フェニル−1−メトキシエチ
ルアクリレート、1−フェニル−1−メトキシエチルメ
タクリレート、1−フェニル−1−エトキシエチルアク
リレート、1−フェニル−1−エトキシエチルメタクリ
レート、フェノキシ(メトキシ)メチルアクリレート、
フェノキシ(メトキシ)メチルメタクリレート、フェノ
キシ(エトキシ)メチルアクリレート、フェノキシ(エ
トキシ)メチルメタクリレート、1−フェノキシ−1−
メトキシエチルアクリレート、1−フェノキシ−1−メ
トキシエチルメタクリレート、1−フェノキシ−1−エ
トキシエチルアクリレート、1−フェノキシ−1−エト
キシエチルメタクリレート、2−フェニル−1−メトキ
シエチルアクリレート、2−フェニル−1−メトキシエ
チルメタクリレート、2−フェニル−1−エトキシエチ
ルアクリレート、2−フェニル−1−エトキシエチルメ
タクリレート、1−ベンジル−1−メトキシエチルアク
リレート、1−ベンジル−1−メトキシエチルメタクリ
レート、1−ベンジル−1−エトキシエチルアクリレー
ト、1−ベンジル−1−エトキシエチルメタクリレート
等を挙げることができる。
【0012】また、組成物[III] において使用される重
合体(A')は、前記一般式(2)で表される繰返し単位
を有するものである。この場合、一般式(2)で表され
る繰返し単位は、重合体(A')中に2種以上存在するこ
とができる。また、重合体(A')は、ランダム共重合
体、ブロック共重合体あるいはグラフト共重合体である
ことができる。前記グラフト共重合体の場合、一般式
(2)で表される繰返し単位は、重合体主鎖中に存在し
ても重合体側鎖中に存在してもよい。一般式(2)にお
いて、A は2価の酸素原子または2価の硫黄原子を示
し、R7は水素原子またはメチル基を示し、R8、R9および
R10 は相互に同一でも異なってもよく、水素原子、アル
キル基、アルコキシル基、アルキルチオ基、アリール
基、アリールオキシ基またはアラルキル基を示し、nは
1以上の整数である。この場合、複数存在するR9は同一
でも異なってもよく、また複数存在するR10 は同一でも
異なってもよい。組成物[III] においては、R8〜R10 の
アルキル基、アルコキシル基およびアルキルチオ基の炭
素数は1〜4が好ましく、アリール基およびアリールオ
キシ基の炭素数は6〜12が好ましく、アラルキル基の
炭素数は7〜12が好ましく、またnは3〜6の整数が
好ましい。一般式(2)における水素原子以外のR8〜R
10 の例としては、一般式(1)における水素原子以外
のR2〜R6と同様の基を挙げることができる。一般式
(2)で表される繰返し単位を与える単量体の具体例と
しては、2−テトラヒドロフラニルアクリレート、2−
テトラヒドロフラニルメタクリレート、2−テトラヒド
ロピラニルアクリレート、2−テトラヒドロピラニルメ
タクリレート等を挙げることができる。
合体(A')は、前記一般式(2)で表される繰返し単位
を有するものである。この場合、一般式(2)で表され
る繰返し単位は、重合体(A')中に2種以上存在するこ
とができる。また、重合体(A')は、ランダム共重合
体、ブロック共重合体あるいはグラフト共重合体である
ことができる。前記グラフト共重合体の場合、一般式
(2)で表される繰返し単位は、重合体主鎖中に存在し
ても重合体側鎖中に存在してもよい。一般式(2)にお
いて、A は2価の酸素原子または2価の硫黄原子を示
し、R7は水素原子またはメチル基を示し、R8、R9および
R10 は相互に同一でも異なってもよく、水素原子、アル
キル基、アルコキシル基、アルキルチオ基、アリール
基、アリールオキシ基またはアラルキル基を示し、nは
1以上の整数である。この場合、複数存在するR9は同一
でも異なってもよく、また複数存在するR10 は同一でも
異なってもよい。組成物[III] においては、R8〜R10 の
アルキル基、アルコキシル基およびアルキルチオ基の炭
素数は1〜4が好ましく、アリール基およびアリールオ
キシ基の炭素数は6〜12が好ましく、アラルキル基の
炭素数は7〜12が好ましく、またnは3〜6の整数が
好ましい。一般式(2)における水素原子以外のR8〜R
10 の例としては、一般式(1)における水素原子以外
のR2〜R6と同様の基を挙げることができる。一般式
(2)で表される繰返し単位を与える単量体の具体例と
しては、2−テトラヒドロフラニルアクリレート、2−
テトラヒドロフラニルメタクリレート、2−テトラヒド
ロピラニルアクリレート、2−テトラヒドロピラニルメ
タクリレート等を挙げることができる。
【0013】重合体(A)および重合体(A')は、それ
ぞれ前記一般式(1)で表される繰返し単位あるいは前
記一般式(2)で表される繰返し単位のみからなること
もでき、また他の繰返し単位をさらに含有することもで
きる。前記他の繰返し単位としては、例えばスチレン、
αーメチルスチレン、クロロスチレン等のスチレン類;
(メタ)アクリル酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン
酸、メサコン酸、シトラコン酸、イタコン酸、無水マレ
イン酸、メチル無水マレイン酸等の不飽和カルボン酸類
またはそれらの酸無水物類;前記不飽和カルボン酸のメ
チルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、ブ
チルエステル、アミルエステル、2−ヒドロキシエチル
エステル、2,2−ジメチル−3−ヒドロキシプロピル
エステル、ベンジルエステル等のエステル類;(メタ)
アクリロニトリル、マレインニトリル、フマロニトリ
ル、メサコンニトリル、シトラコンニトリル、イタコン
ニトリル等の不飽和ニトリル類;(メタ)アクリルアミ
ド、クロトンアミド、マレインアミド、フマルアミド、
メサコンアミド、シトラコンアミド、イタコンアミド等
の不飽和アミド類;マレイミド、N−フェニルマレイミ
ド等の不飽和ジカルボン酸イミド類;ビニルアルコー
ル、(メタ)アリルアルコール等の不飽和アルコール類
や、ビニルアニリン、ビニルピリジン、N−ビニル−ε
−カプロラクタム、N−ビニルピロリドン、N−ビニル
イミダゾール、N−ビニルカルバゾール等の他の単量体
の重合性二重結合部分が開裂した単位を挙げることがで
きる。これらの他の繰返し単位は、1種または2種以上
存在することができる。重合体(A)および重合体
(A')は、それぞれ前記一般式(1)で表される繰返し
単位あるいは前記一般式(2)で表される繰返し単位を
与える単量体を、場合により前記他の繰返し単位を与え
る単量体とともに、例えばラジカル重合、熱重合、アニ
オン重合、リビングアニオン重合等の各種の重合方法に
より重合することにより製造することができるが、ラジ
カル重合および熱重合が好ましい。前記ラジカル重合に
おける重合開始剤としては、例えばベンゾイルパーオキ
シド、ラウロイルパーオキシド等の過酸化物;アゾビス
イソブチロニトリル、アゾビスイソバレロニトリル、ア
ゾビスイソカプロニトリル等のアゾ化合物;過酸化物と
アミン類、メルカプタン類、スルフィン酸類、α−ヒド
ロキシカルボニル化合物、L−アルコルビン酸、ヒドラ
ジン(誘導体)類、尿素(誘導体)類等の還元剤とから
なるレドックス触媒等を挙げることができる。また前記
ラジカル重合あるいは熱重合に際しては、場合により連
鎖移動剤、例えば四塩化炭素、クロロホルム等のハロゲ
ン化炭化水素類;オクチルメルカプタン、ドデシルメル
カプタン、ヘキサデシルメルカプタン等のメルカプタン
類;ジメチルキサントゲンジスルフィド、ジエチルキサ
ントゲンジスルフィド等のキサントゲンジスルフィド
類;テトラメチルチウラムモノスルフィド、テトラエチ
ルチウラムジスルフィド等のチウラムスルフィド類;ジ
ペンテン、ターピノレン等のテルペン類等の1種以上を
添加することもできる。また、一般式(1)で表される
繰返し単位あるいは一般式(2)で表される繰返し単位
を与える単量体の重合は、塊状重合、溶液重合、懸濁重
合、塊状−懸濁重合、乳化重合等の適宜の重合形態で実
施することができるが、非環式(ヒドロキシ)エーテル
類、環式エーテル類、エステル類、ラクトン類、ケトン
類、アミド類等の、重合体(A)あるいは重合体(A')
に対する溶媒中で実施することが好ましい。重合体
(A)および重合体(A')のポリスチレン換算重量平均
分子量(以下、「Mw」という。)は、組成物[I] 、組
成物[II]および組成物[III] の塗布性や、これらの組成
物から形成されるレジストの感度、解像度、現像性、耐
熱性等の特性を考慮して適宜選定されるが、好ましくは
3,000〜60,000、さらに好ましくは4,00
0〜50,000、特に好ましくは5,000〜40,
000である。Mwが3,000未満では、レジストと
しての塗布性、耐熱性等が低下する傾向があり、また6
0,000を超えると、レジストとしての感度、解像
度、現像性等が低下する傾向がある。さらに、重合体
(A)および重合体(A')のMwとポリスチレン換算数
平均分子量(以下、「Mn」という。)との比(Mw/
Mn)は、レジストとしての感度、解像度、現像性、耐
熱性等の特性上、1〜5が好ましく、さらに好ましくは
2〜4である。組成物[I] 、組成物[II]および組成物[I
II] においては、重合体(A)あるいは重合体(A')と
して、Mwおよび/またはMw/Mnが異なる2種以上
の重合体成分の混合物を使用することもできる。このよ
うな場合も少なくとも、混合物中に含まれる各重合体成
分のMwが3,000〜60,000の範囲内にあり、
Mw/Mnが1〜5の範囲内にあることが好ましい。ま
た、組成物[I] および組成物[II]における重合体(A)
として、前記一般式(1)で表される繰返し単位および
/または他の繰返し単位が異なる2種以上の重合体を併
用することができ、組成物[III] における重合体(A')
として、前記一般式(2)で表される繰返し単位および
/または他の繰返し単位が異なる2種以上の重合体を併
用することができる。さらに所望により、組成物[I] お
よび組成物[II]において、重合体(A)の一部を重合体
(A')で置き換えることもでき、また組成物[III] にお
いて、重合体(A')の一部を重合体(A)で置き換える
こともできる。
ぞれ前記一般式(1)で表される繰返し単位あるいは前
記一般式(2)で表される繰返し単位のみからなること
もでき、また他の繰返し単位をさらに含有することもで
きる。前記他の繰返し単位としては、例えばスチレン、
αーメチルスチレン、クロロスチレン等のスチレン類;
(メタ)アクリル酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン
酸、メサコン酸、シトラコン酸、イタコン酸、無水マレ
イン酸、メチル無水マレイン酸等の不飽和カルボン酸類
またはそれらの酸無水物類;前記不飽和カルボン酸のメ
チルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、ブ
チルエステル、アミルエステル、2−ヒドロキシエチル
エステル、2,2−ジメチル−3−ヒドロキシプロピル
エステル、ベンジルエステル等のエステル類;(メタ)
アクリロニトリル、マレインニトリル、フマロニトリ
ル、メサコンニトリル、シトラコンニトリル、イタコン
ニトリル等の不飽和ニトリル類;(メタ)アクリルアミ
ド、クロトンアミド、マレインアミド、フマルアミド、
メサコンアミド、シトラコンアミド、イタコンアミド等
の不飽和アミド類;マレイミド、N−フェニルマレイミ
ド等の不飽和ジカルボン酸イミド類;ビニルアルコー
ル、(メタ)アリルアルコール等の不飽和アルコール類
や、ビニルアニリン、ビニルピリジン、N−ビニル−ε
−カプロラクタム、N−ビニルピロリドン、N−ビニル
イミダゾール、N−ビニルカルバゾール等の他の単量体
の重合性二重結合部分が開裂した単位を挙げることがで
きる。これらの他の繰返し単位は、1種または2種以上
存在することができる。重合体(A)および重合体
(A')は、それぞれ前記一般式(1)で表される繰返し
単位あるいは前記一般式(2)で表される繰返し単位を
与える単量体を、場合により前記他の繰返し単位を与え
る単量体とともに、例えばラジカル重合、熱重合、アニ
オン重合、リビングアニオン重合等の各種の重合方法に
より重合することにより製造することができるが、ラジ
カル重合および熱重合が好ましい。前記ラジカル重合に
おける重合開始剤としては、例えばベンゾイルパーオキ
シド、ラウロイルパーオキシド等の過酸化物;アゾビス
イソブチロニトリル、アゾビスイソバレロニトリル、ア
ゾビスイソカプロニトリル等のアゾ化合物;過酸化物と
アミン類、メルカプタン類、スルフィン酸類、α−ヒド
ロキシカルボニル化合物、L−アルコルビン酸、ヒドラ
ジン(誘導体)類、尿素(誘導体)類等の還元剤とから
なるレドックス触媒等を挙げることができる。また前記
ラジカル重合あるいは熱重合に際しては、場合により連
鎖移動剤、例えば四塩化炭素、クロロホルム等のハロゲ
ン化炭化水素類;オクチルメルカプタン、ドデシルメル
カプタン、ヘキサデシルメルカプタン等のメルカプタン
類;ジメチルキサントゲンジスルフィド、ジエチルキサ
ントゲンジスルフィド等のキサントゲンジスルフィド
類;テトラメチルチウラムモノスルフィド、テトラエチ
ルチウラムジスルフィド等のチウラムスルフィド類;ジ
ペンテン、ターピノレン等のテルペン類等の1種以上を
添加することもできる。また、一般式(1)で表される
繰返し単位あるいは一般式(2)で表される繰返し単位
を与える単量体の重合は、塊状重合、溶液重合、懸濁重
合、塊状−懸濁重合、乳化重合等の適宜の重合形態で実
施することができるが、非環式(ヒドロキシ)エーテル
類、環式エーテル類、エステル類、ラクトン類、ケトン
類、アミド類等の、重合体(A)あるいは重合体(A')
に対する溶媒中で実施することが好ましい。重合体
(A)および重合体(A')のポリスチレン換算重量平均
分子量(以下、「Mw」という。)は、組成物[I] 、組
成物[II]および組成物[III] の塗布性や、これらの組成
物から形成されるレジストの感度、解像度、現像性、耐
熱性等の特性を考慮して適宜選定されるが、好ましくは
3,000〜60,000、さらに好ましくは4,00
0〜50,000、特に好ましくは5,000〜40,
000である。Mwが3,000未満では、レジストと
しての塗布性、耐熱性等が低下する傾向があり、また6
0,000を超えると、レジストとしての感度、解像
度、現像性等が低下する傾向がある。さらに、重合体
(A)および重合体(A')のMwとポリスチレン換算数
平均分子量(以下、「Mn」という。)との比(Mw/
Mn)は、レジストとしての感度、解像度、現像性、耐
熱性等の特性上、1〜5が好ましく、さらに好ましくは
2〜4である。組成物[I] 、組成物[II]および組成物[I
II] においては、重合体(A)あるいは重合体(A')と
して、Mwおよび/またはMw/Mnが異なる2種以上
の重合体成分の混合物を使用することもできる。このよ
うな場合も少なくとも、混合物中に含まれる各重合体成
分のMwが3,000〜60,000の範囲内にあり、
Mw/Mnが1〜5の範囲内にあることが好ましい。ま
た、組成物[I] および組成物[II]における重合体(A)
として、前記一般式(1)で表される繰返し単位および
/または他の繰返し単位が異なる2種以上の重合体を併
用することができ、組成物[III] における重合体(A')
として、前記一般式(2)で表される繰返し単位および
/または他の繰返し単位が異なる2種以上の重合体を併
用することができる。さらに所望により、組成物[I] お
よび組成物[II]において、重合体(A)の一部を重合体
(A')で置き換えることもでき、また組成物[III] にお
いて、重合体(A')の一部を重合体(A)で置き換える
こともできる。
【0014】酸発生剤(B) 組成物[I] 、組成物[II]および組成物[III] において使
用される酸発生剤(B)としては、例えば特開昭60−
115932号公報、特開昭60−37549号公報、
特開昭60−52845号公報、特開昭63−2921
28号公報、特開平1−293339号公報等に開示さ
れているオニウム塩化合物、ハロゲン含有化合物、
スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、キ
ノンジアジド化合物、スルホンイミド化合物、ジア
ゾメタン化合物等を挙げることができる。これらの酸発
生剤(B)の例を、以下に示す。 オニウム塩化合物 オニウム塩化合物としては、例えばヨードニウム塩、ス
ルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、アン
モニウム塩、ピリジニウム塩等を挙げることができる。
オニウム塩化合物の具体例としては、ジフェニルヨード
ニウムトリフレート、ジフェニルヨードニウムピレンス
ルホネート、ジフェニルヨードニウムドデシルベンゼン
スルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフレー
ト、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモ
ネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチ
モネート、トリフェニルスルホニウムナフタレンスルホ
ネート、(ヒドロキシフェニル)ベンジルメチルスルホ
ニウムトルエンスルホネート等を挙げることができる。 ハロゲン含有化合物 ハロゲン含有化合物としては、例えばハロアルキル基含
有炭化水素化合物、ハロアルキル基含有複素環式化合物
等を挙げることができる。ハロゲン含有化合物の具体例
としては、フェニル−ビス(トリクロロメチル)−s−
トリアジン、メトキシフェニル−ビス(トリクロロメチ
ル)−s−トリアジン、ナフチル−ビス(トリクロロメ
チル)−s−トリアジン等の(ポリ)トリクロロメチル
−s−トリアジン誘導体や、1,1−ビス(4−クロロ
フェニル)−2,2,2−トリクロロエタン等を挙げる
ことができる。 スルホン化合物 スルホン化合物としては、例えばβ−ケトスルホン、β
−スルホニルスルホン、これらのα−ジアゾ化合物等を
挙げることができる。スルホン化合物の具体例として
は、フェナシルフェニルスルホン、メシチルフェナシル
スルホン、ビス(フェニルスルホニル)メタン、4−ト
リスフェナシルスルホン等を挙げることができる。 スルホン酸エステル化合物 スルホン酸エステル化合物としては、例えばアルキルス
ルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、
アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネート等を
挙げることができる。スルホン酸エステル化合物の具体
例としては、ベンゾイントシレート、ピロガロールトリ
ストリフレート、ピロガロールメタンスルホン酸トリエ
ステル、ニトロベンジル−9,10−ジエトキシアント
ラセン−2−スルホネート等を挙げることができ、特に
ピロガロールメタンスルホン酸トリエステルが好まし
い。
用される酸発生剤(B)としては、例えば特開昭60−
115932号公報、特開昭60−37549号公報、
特開昭60−52845号公報、特開昭63−2921
28号公報、特開平1−293339号公報等に開示さ
れているオニウム塩化合物、ハロゲン含有化合物、
スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、キ
ノンジアジド化合物、スルホンイミド化合物、ジア
ゾメタン化合物等を挙げることができる。これらの酸発
生剤(B)の例を、以下に示す。 オニウム塩化合物 オニウム塩化合物としては、例えばヨードニウム塩、ス
ルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、アン
モニウム塩、ピリジニウム塩等を挙げることができる。
オニウム塩化合物の具体例としては、ジフェニルヨード
ニウムトリフレート、ジフェニルヨードニウムピレンス
ルホネート、ジフェニルヨードニウムドデシルベンゼン
スルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフレー
ト、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモ
ネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチ
モネート、トリフェニルスルホニウムナフタレンスルホ
ネート、(ヒドロキシフェニル)ベンジルメチルスルホ
ニウムトルエンスルホネート等を挙げることができる。 ハロゲン含有化合物 ハロゲン含有化合物としては、例えばハロアルキル基含
有炭化水素化合物、ハロアルキル基含有複素環式化合物
等を挙げることができる。ハロゲン含有化合物の具体例
としては、フェニル−ビス(トリクロロメチル)−s−
トリアジン、メトキシフェニル−ビス(トリクロロメチ
ル)−s−トリアジン、ナフチル−ビス(トリクロロメ
チル)−s−トリアジン等の(ポリ)トリクロロメチル
−s−トリアジン誘導体や、1,1−ビス(4−クロロ
フェニル)−2,2,2−トリクロロエタン等を挙げる
ことができる。 スルホン化合物 スルホン化合物としては、例えばβ−ケトスルホン、β
−スルホニルスルホン、これらのα−ジアゾ化合物等を
挙げることができる。スルホン化合物の具体例として
は、フェナシルフェニルスルホン、メシチルフェナシル
スルホン、ビス(フェニルスルホニル)メタン、4−ト
リスフェナシルスルホン等を挙げることができる。 スルホン酸エステル化合物 スルホン酸エステル化合物としては、例えばアルキルス
ルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、
アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネート等を
挙げることができる。スルホン酸エステル化合物の具体
例としては、ベンゾイントシレート、ピロガロールトリ
ストリフレート、ピロガロールメタンスルホン酸トリエ
ステル、ニトロベンジル−9,10−ジエトキシアント
ラセン−2−スルホネート等を挙げることができ、特に
ピロガロールメタンスルホン酸トリエステルが好まし
い。
【0015】キノンジアジド化合物 キノンジアジド化合物としては、例えばポリヒドロキシ
化合物の1,2−キノンジアジドスルホン酸エステル化
合物、ジアゾベンゾキノンン化合物、ジアゾナフトキノ
ン化合物等を挙げることができる。キノンジアジド化合
物の例としては、1,2−ベンゾキノンジアジド−4−
スルホニル基、1,2−ナフトキノンジアジド−4−ス
ルホニル基、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホニル基、1,2−ナフトキノンジアジド−6−スルホ
ニル基等の1,2−キノンジアジドスルホニル基を有す
る化合物等を挙げることができ、特に1,2−ナフトキ
ノンジアジド−4−スルホニル基および/または1,2
−ナフトキノンジアジド−5−スルホニル基を有する化
合物等が好ましい。このようなキノンジアジド化合物の
具体例としては、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフ
ェノン、2,4,6−トリヒドロキシベンゾフェノン、
2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、
2,2’,3,4−テトラヒドロキシベンゾフェノン、
3’−メトキシ−2,3,4,4’−テトラヒドロキシ
ベンゾフェノン、2,2’,4,4’−テトラヒドロキ
シベンゾフェノン、2,2’3,4,4’−ペンタヒド
ロキシベンゾフェノン、2,2’3,4,6’−ペンタ
ヒドロキシベンゾフェノン、2,3,3’,4,4’,
5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、2,3’4,
4’,5’,6−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン等の
(ポリ)ヒドロキシフェニルアリールケトンの1,2−
キノンジアジドスルホン酸エステル類;ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)メタン、ビス(2,4−ジヒドロキシ
フェニル)メタン、ビス(2,3,4−トリヒドロキシ
フェニル)メタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェ
ニル)プロパン、2,2−ビス(2,4−ジヒドロキシ
フェニル)プロパン、2,2−ビス(2,3,4−トリ
ヒドロキシフェニル)プロパン等のビス[(ポリ)ヒド
ロキシフェニル]アルカンの1,2−キノンジアジドス
ルホン酸エステル類;4,4’−ジヒドロキシトリフェ
ニルメタン、4,4’,4”−トリヒドロキシトリフェ
ニルメタン、2,2’,5,5’−テトラメチル−
2”,4,4’−トリヒドロキシトリフェニルメタン、
3,3’,5,5’−テトラメチル−2”,4,4’−
トリヒドロキシトリフェニルメタン、4,4’,5,
5’−テトラメチル−2,2’,2”−トリヒドロキシ
トリフェニルメタン、2,2’,5,5’−テトラメチ
ル−4,4’,4”−トリヒドロキシトリフェニルメタ
ン、1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニル)エ
タン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−
フェニルエタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)−1−[4−{1−(4−ヒドロキシフェニル)−
1−メチルエチル}フェニル〕エタン、1,1,3−ト
リス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)プ
ロパン、1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−
ヒドロキシフェニル)ブタン、1,3,3−トリス(4
−ヒドロキシフェニル)ブタン等の(ポリ)ヒドロキシ
トリフェニルアルカンの1,2−キノンジアジドスルホ
ン酸エステル類;2,4,4−トリメチル−2’,
4’,7−トリヒドロキシ−2−フェニルフラバン、
2,4,4−トリメチル−2’,4’,5’,6,7−
ペンタヒドロキシ−2−フェニルフラバン等の(ポリ)
ヒドロキシフェニルフラバンの1,2−キノンジアジド
スルホン酸エステル類等を挙げることができる。これら
のキノンジアジド化合物のうち、好ましい化合物は、下
記構造式(3)で表される、1,1−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)−1−[4−{1−(4−ヒドロキシフ
ェニル)−1−メチルエチル}フェニル〕エタンの1,
2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステルで
ある。
化合物の1,2−キノンジアジドスルホン酸エステル化
合物、ジアゾベンゾキノンン化合物、ジアゾナフトキノ
ン化合物等を挙げることができる。キノンジアジド化合
物の例としては、1,2−ベンゾキノンジアジド−4−
スルホニル基、1,2−ナフトキノンジアジド−4−ス
ルホニル基、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホニル基、1,2−ナフトキノンジアジド−6−スルホ
ニル基等の1,2−キノンジアジドスルホニル基を有す
る化合物等を挙げることができ、特に1,2−ナフトキ
ノンジアジド−4−スルホニル基および/または1,2
−ナフトキノンジアジド−5−スルホニル基を有する化
合物等が好ましい。このようなキノンジアジド化合物の
具体例としては、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフ
ェノン、2,4,6−トリヒドロキシベンゾフェノン、
2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、
2,2’,3,4−テトラヒドロキシベンゾフェノン、
3’−メトキシ−2,3,4,4’−テトラヒドロキシ
ベンゾフェノン、2,2’,4,4’−テトラヒドロキ
シベンゾフェノン、2,2’3,4,4’−ペンタヒド
ロキシベンゾフェノン、2,2’3,4,6’−ペンタ
ヒドロキシベンゾフェノン、2,3,3’,4,4’,
5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、2,3’4,
4’,5’,6−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン等の
(ポリ)ヒドロキシフェニルアリールケトンの1,2−
キノンジアジドスルホン酸エステル類;ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)メタン、ビス(2,4−ジヒドロキシ
フェニル)メタン、ビス(2,3,4−トリヒドロキシ
フェニル)メタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェ
ニル)プロパン、2,2−ビス(2,4−ジヒドロキシ
フェニル)プロパン、2,2−ビス(2,3,4−トリ
ヒドロキシフェニル)プロパン等のビス[(ポリ)ヒド
ロキシフェニル]アルカンの1,2−キノンジアジドス
ルホン酸エステル類;4,4’−ジヒドロキシトリフェ
ニルメタン、4,4’,4”−トリヒドロキシトリフェ
ニルメタン、2,2’,5,5’−テトラメチル−
2”,4,4’−トリヒドロキシトリフェニルメタン、
3,3’,5,5’−テトラメチル−2”,4,4’−
トリヒドロキシトリフェニルメタン、4,4’,5,
5’−テトラメチル−2,2’,2”−トリヒドロキシ
トリフェニルメタン、2,2’,5,5’−テトラメチ
ル−4,4’,4”−トリヒドロキシトリフェニルメタ
ン、1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニル)エ
タン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−
フェニルエタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)−1−[4−{1−(4−ヒドロキシフェニル)−
1−メチルエチル}フェニル〕エタン、1,1,3−ト
リス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)プ
ロパン、1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−
ヒドロキシフェニル)ブタン、1,3,3−トリス(4
−ヒドロキシフェニル)ブタン等の(ポリ)ヒドロキシ
トリフェニルアルカンの1,2−キノンジアジドスルホ
ン酸エステル類;2,4,4−トリメチル−2’,
4’,7−トリヒドロキシ−2−フェニルフラバン、
2,4,4−トリメチル−2’,4’,5’,6,7−
ペンタヒドロキシ−2−フェニルフラバン等の(ポリ)
ヒドロキシフェニルフラバンの1,2−キノンジアジド
スルホン酸エステル類等を挙げることができる。これら
のキノンジアジド化合物のうち、好ましい化合物は、下
記構造式(3)で表される、1,1−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)−1−[4−{1−(4−ヒドロキシフ
ェニル)−1−メチルエチル}フェニル〕エタンの1,
2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステルで
ある。
【0016】
【化3】 〔ここで、Zは水素原子または式(4)
【化4】 で表される置換基を示す。〕 構造式(3)において、Zが式(4)で表される置換基
である割合は、Zの平均75〜95%が該置換基であ
り、特に平均85%であることが好ましい。
である割合は、Zの平均75〜95%が該置換基であ
り、特に平均85%であることが好ましい。
【0017】スルホンイミド化合物 スルホンイミド化合物としては、例えば下記構造式
(5)で表される化合物を挙げることができる。
(5)で表される化合物を挙げることができる。
【0018】
【化5】
【0019】(ここで、X はアルキレン基、アリーレン
基、アルコキシレン基等の2価の基を示し、R11 はアル
キル基、アリール基、ハロゲン置換アルキル基、ハロゲ
ン置換アリール基等の1価の基を示す。) このようなスルホンイミド化合物の具体例としては、N
−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)スクシンイ
ミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)フ
タルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキ
シ)ジフェニルマレイミド、N−(トリフルオロメチル
スルホニルオキシ)ビシクロ−[2,2,1]−ヘプト
−5−エン−2,3−ジカルボキシミド、N−(トリフ
ルオロメチルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ
−[2,2,1]−ヘプト−5−エン−2,3−ジカル
ボキシミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキ
シ)ビシクロ−[2,2,1]−ヘプタン−5,6−オ
キシ−2,3−ジカルボキシミド、N−(トリフルオロ
メチルスルホニルオキシ)ナフチルイミド、N−(カン
ファニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(カ
ンファニルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(カ
ンファニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、
N−(カンファニルスルホニルオキシ)ビシクロ−
[2,2,1]−ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボ
キシミド、N−(カンファニルスルホニルオキシ)−7
−オキサビシクロ−[2,2,1]−ヘプト−5−エン
−2,3−ジカルボキシミド、N−(カンファニルスル
ホニルオキシ)ビシクロ−[2,2,1]−ヘプタン−
5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシミド、N−(カ
ンファニルスルホニルオキシ)ナフチルイミド、N−
(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミ
ド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)フタ
ルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキ
シ)ジフェニルマレイミド、N−(4−メチルフェニル
スルホニルオキシ)ビシクロ−[2,2,1]−ヘプト
−5−エン−2,3−ジカルボキシミド、N−(4−メ
チルフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ
−[2,2,1]−ヘプト−5−エン−2,3−ジカル
ボキシミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキ
シ)ビシクロ−[2,2,1]−ヘプタン−5,6−オ
キシ−2,3−ジカルボキシミド、N−(4−メチルフ
ェニルスルホニルオキシ)ナフチルイミド、N−(2−
トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)スクシ
ンイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスル
ホニルオキシ)フタルイミド、N−(2−トリフルオロ
メチルフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミ
ド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニル
オキシ)ビシクロ−[2,2,1]−ヘプト−5−エン
−2,3−ジカルボキシミド、N−(2−トリフルオロ
メチルフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシク
ロ−[2,2,1]−ヘプト−5−エン−2,3−ジカ
ルボキシミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニル
スルホニルオキシ)ビシクロ−[2,2,1]−ヘプタ
ン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシミド、N−
(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)
ナフチルイミド等を挙げることができる。
基、アルコキシレン基等の2価の基を示し、R11 はアル
キル基、アリール基、ハロゲン置換アルキル基、ハロゲ
ン置換アリール基等の1価の基を示す。) このようなスルホンイミド化合物の具体例としては、N
−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)スクシンイ
ミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)フ
タルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキ
シ)ジフェニルマレイミド、N−(トリフルオロメチル
スルホニルオキシ)ビシクロ−[2,2,1]−ヘプト
−5−エン−2,3−ジカルボキシミド、N−(トリフ
ルオロメチルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ
−[2,2,1]−ヘプト−5−エン−2,3−ジカル
ボキシミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキ
シ)ビシクロ−[2,2,1]−ヘプタン−5,6−オ
キシ−2,3−ジカルボキシミド、N−(トリフルオロ
メチルスルホニルオキシ)ナフチルイミド、N−(カン
ファニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(カ
ンファニルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(カ
ンファニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、
N−(カンファニルスルホニルオキシ)ビシクロ−
[2,2,1]−ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボ
キシミド、N−(カンファニルスルホニルオキシ)−7
−オキサビシクロ−[2,2,1]−ヘプト−5−エン
−2,3−ジカルボキシミド、N−(カンファニルスル
ホニルオキシ)ビシクロ−[2,2,1]−ヘプタン−
5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシミド、N−(カ
ンファニルスルホニルオキシ)ナフチルイミド、N−
(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミ
ド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)フタ
ルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキ
シ)ジフェニルマレイミド、N−(4−メチルフェニル
スルホニルオキシ)ビシクロ−[2,2,1]−ヘプト
−5−エン−2,3−ジカルボキシミド、N−(4−メ
チルフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ
−[2,2,1]−ヘプト−5−エン−2,3−ジカル
ボキシミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキ
シ)ビシクロ−[2,2,1]−ヘプタン−5,6−オ
キシ−2,3−ジカルボキシミド、N−(4−メチルフ
ェニルスルホニルオキシ)ナフチルイミド、N−(2−
トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)スクシ
ンイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスル
ホニルオキシ)フタルイミド、N−(2−トリフルオロ
メチルフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミ
ド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニル
オキシ)ビシクロ−[2,2,1]−ヘプト−5−エン
−2,3−ジカルボキシミド、N−(2−トリフルオロ
メチルフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシク
ロ−[2,2,1]−ヘプト−5−エン−2,3−ジカ
ルボキシミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニル
スルホニルオキシ)ビシクロ−[2,2,1]−ヘプタ
ン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシミド、N−
(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)
ナフチルイミド等を挙げることができる。
【0020】ジアゾメタン化合物 ジアゾメタン化合物としては、例えば下記構造式(6)
で表される化合物を挙げることができる。
で表される化合物を挙げることができる。
【0021】
【化6】
【0022】(ここで、R12 およびR13 は相互に同一で
も異なってもよく、アルキル基、アリール基、ハロゲン
置換アルキル基、ハロゲン置換アリール基等の1価の基
を示す。) このようなジアゾメタン化合物の具体例としては、ビス
(トリフルオロメチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス
(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(フ
ェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(p−トルエン
スルホニル)ジアゾメタン、メチルスルホニル−p−ト
ルエンスルホニルジアゾメタン、1−シクロヘキシルス
ルホニル−1−(1,1−ジメチルエチルスルホニル)
ジアゾメタン、ビス(1,1−ジメチルエチルスルホニ
ル)ジアゾメタン等を挙げることができる。前記酸発生
剤(B)のうち、好ましい化合物は、オニウム塩化合
物、スルホン酸エステル化合物、スルホンイミド化
合物およびジアゾメタン化合物であり、特にトリフェ
ニルスルホニウムトリフレート、ピロガロールメタンス
ルホン酸トリエステル、N−(トリフルオロメチルスル
ホニルオキシ)ビシクロ−[2,2,1]−ヘプト−5
−エン−2,3−ジカルボキシミド、N−(カンファニ
ルスルホニルオキシ)ビシクロ−[2,2,1]−ヘプ
ト−5−エン−2,3−ジカルボキシミド、ビス(シク
ロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン等が好ましい。組
成物[I] 、組成物[II]および組成物[III] において、酸
発生剤(B)は、単独でまたは2種以上を混合して使用
することができる。酸発生剤(B)の使用量は、各酸発
生剤の種類に応じて適宜選定されるが、重合体(A)あ
るいは重合体(A')100重量部当たり、好ましくは
0.05〜20重量部であり、特に好ましくは0.1〜
15重量部である。酸発生剤(B)の使用量が0.05
重量部未満では、露光により発生した酸の触媒作用によ
る化学反応を有効に生起させることが困難となるおそれ
があり、また20重量部を超えると、組成物を塗布する
際に塗布むらが生じたり、現像時にスカム等を発生する
おそれがある。
も異なってもよく、アルキル基、アリール基、ハロゲン
置換アルキル基、ハロゲン置換アリール基等の1価の基
を示す。) このようなジアゾメタン化合物の具体例としては、ビス
(トリフルオロメチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス
(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(フ
ェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(p−トルエン
スルホニル)ジアゾメタン、メチルスルホニル−p−ト
ルエンスルホニルジアゾメタン、1−シクロヘキシルス
ルホニル−1−(1,1−ジメチルエチルスルホニル)
ジアゾメタン、ビス(1,1−ジメチルエチルスルホニ
ル)ジアゾメタン等を挙げることができる。前記酸発生
剤(B)のうち、好ましい化合物は、オニウム塩化合
物、スルホン酸エステル化合物、スルホンイミド化
合物およびジアゾメタン化合物であり、特にトリフェ
ニルスルホニウムトリフレート、ピロガロールメタンス
ルホン酸トリエステル、N−(トリフルオロメチルスル
ホニルオキシ)ビシクロ−[2,2,1]−ヘプト−5
−エン−2,3−ジカルボキシミド、N−(カンファニ
ルスルホニルオキシ)ビシクロ−[2,2,1]−ヘプ
ト−5−エン−2,3−ジカルボキシミド、ビス(シク
ロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン等が好ましい。組
成物[I] 、組成物[II]および組成物[III] において、酸
発生剤(B)は、単独でまたは2種以上を混合して使用
することができる。酸発生剤(B)の使用量は、各酸発
生剤の種類に応じて適宜選定されるが、重合体(A)あ
るいは重合体(A')100重量部当たり、好ましくは
0.05〜20重量部であり、特に好ましくは0.1〜
15重量部である。酸発生剤(B)の使用量が0.05
重量部未満では、露光により発生した酸の触媒作用によ
る化学反応を有効に生起させることが困難となるおそれ
があり、また20重量部を超えると、組成物を塗布する
際に塗布むらが生じたり、現像時にスカム等を発生する
おそれがある。
【0023】アルカリ可溶性樹脂(C) 組成物[II]および組成物[III] において使用されるアル
カリ可溶性樹脂(C)は、アルカリ現像液と親和性を示
す官能基、例えばフェノール性水酸基、カルボキシル基
等の酸性官能基を1種以上有する、アルカリ現像液に可
溶な樹脂である。このようなアルカリ可溶性樹脂(C)
を使用することにより、レジスト被膜のアルカリ現像液
への溶解速度の制御がより容易となる結果、現像性をさ
らに向上させることができる。アルカリ可溶性樹脂
(C)は、アルカリ現像液に可溶である限り特に限定さ
れるものではないが、好ましいアルカリ可溶性樹脂
(C)としては、例えばヒドロキシスチレン、ヒドロキ
シ−α−メチルスチレン、ビニル安息香酸、カルボキシ
メチルスチレン、カルボキシメトキシスチレン、(メ
タ)アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、
イタコン酸、シトラコン酸、メサコン酸、ケイ皮酸等の
酸性官能基を有する少なくとも1種の単量体の重合性二
重結合部分が開裂した繰返し単位を含有する付加重合系
樹脂や、ノボラック樹脂に代表される酸性官能基を有す
る縮合系繰返し単位を含有する重縮合系樹脂等を挙げる
ことができる。付加重合系樹脂からなるアルカリ可溶性
樹脂(C)は、前記酸性官能基を有する単量体の重合性
二重結合部分が開裂した繰返し単位のみから構成されて
いてもよいが、生成した樹脂がアルカリ現像液に可溶で
ある限りでは、1種以上の他の繰返し単位をさらに有す
ることもできる。このような他の繰返し単位としては、
例えばスチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエ
ン、無水マレイン酸、(メタ)アクリロニトリル、クロ
トンニトリル、マレインニトリル、フマロニトリル、メ
サコンニトリル、シトラコンニトリル、イタコンニトリ
ル、(メタ)アクリルアミド、クロトンアミド、マレイ
ンアミド、フマルアミド、メサコンアミド、シトラコン
アミド、イタコンアミド、ビニルアニリン、ビニルピリ
ジン、N−ビニル−ε−カプロラクタム、N−ビニルピ
ロリドン、N−ビニルイミダゾール等の単量体の重合性
二重結合部分が開裂した繰返し単位を挙げることができ
る。これらの付加重合系樹脂のうち、レジスト被膜とし
たときの放射線の透過性が高く、またドライエッチング
耐性にも優れるという観点から、特にポリ(ヒドロキシ
スチレン)およびヒドロキシスチレン−スチレン共重合
体が好ましい。前記付加重合系樹脂からなるアルカリ可
溶性樹脂(C)は、例えば酸性官能基を有する1種以上
の単量体を、場合により1種以上の前記他の単量体とと
もに、(共)重合することにより製造することができ
る。また、酸性官能基が保護された単量体、例えばヒド
ロキシスチレンのフェノール性水酸基がt−ブチル基、
アセチル基、t−ブトキシカルボニル基、トリアルキル
シリル基等の保護基で保護された単量体の1種以上を、
場合により前記他の単量体とともに、(共)重合したの
ち、(共)重合体中の保護された基を、例えば加水分解
によって、酸性官能基に変換することにより製造するこ
とができる。前記(共)重合は、単量体や重合媒体の種
類等に応じて、ラジカル重合、熱重合、イオン重合等に
より、塊状重合、溶液重合、懸濁重合、塊状−懸濁重
合、乳化重合等の適宜の重合形態で実施することができ
る。さらに、重縮合系樹脂からなるアルカリ可溶性樹脂
(C)は、酸性官能基を含有する重縮合系繰返し単位の
みから構成されていてもよいが、生成した樹脂がアルカ
リ現像液に可溶である限りでは、他の繰返し単位をさら
に有することもできる。このような重縮合系樹脂は、例
えば1種以上のフェノール類と1種以上のアルデヒド類
とを、場合により他の重縮合系繰返し単位を形成しうる
重縮合成分とともに、酸性触媒の存在下、水媒質中また
は水と親水性溶媒との混合媒質中で(共)重縮合するこ
とによって製造することができる。前記フェノール類と
しては、例えばo−クレゾール、m−クレゾール、p−
クレゾール、2,3−キシレノール、2,4−キシレノ
ール、2,5−キシレノール、3,4−キシレノール、
3,5−キシレノール、 2,3,5−トリメチルフェ
ノール、3,4,5−トリメチルフェノール等を挙げる
ことができ、また前記アルデヒド類としては、例えばホ
ルムアルデヒド、トリオキサン、パラホルムアルデヒ
ド、ベンズアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピルア
ルデヒド、フェニルアセトアルデヒド等を挙げることが
できる。アルカリ可溶性樹脂(C)中における前記酸性
官能基を有する繰返し単位の含有率は、場合により含有
される他の繰返し単位の種類により一概に規定できない
が、通常、15〜100モル%、好ましくは20〜10
0モル%である。特にヒドロキシスチレン−スチレン共
重合体における共重合割合は、ヒドロキシスチレンに由
来する繰返し単位100個当たり、スチレンに由来する
繰返し単位が、通常、100個以下、好ましくは30以
下である。この場合、スチレンに由来する繰返し単位が
100個を超えると、レジストとしての解像度が低下す
る傾向がある。アルカリ可溶性樹脂(C)のMwは、組
成物[II]および組成物[III] の用途や所望の特性に応じ
て一概には規定できないが、通常、1,000〜15
0,000、好ましくは3,000〜100,000で
ある。特にアルカリ可溶性樹脂(C)としてポリ(ヒド
ロキシスチレン)を使用する場合、そのMwは、重合体
(A)あるいは重合体(A')との相溶性およびレジスト
としての現像性の観点から、3,000〜60,000
が好ましく、特に4,000〜40,000が好まし
い。また、アルカリ可溶性樹脂(C)としてヒドロキシ
スチレン−スチレン共重合体を使用する場合、そのMw
は、重合体(A)あるいは重合体(A')との相溶性およ
びレジストとしての現像性の観点から、2,000〜5
0,000が好ましく、特に4,000〜40,000
が好ましい。アルカリ可溶性樹脂(C)は、主鎖および
/または側鎖に炭素−炭素不飽和結合を有する場合、水
素添加して使用することもできる。この場合の水素添加
率は、炭素−炭素不飽和結合の、通常、70%以下、好
ましくは50%以下、さらに好ましくは40%以下であ
る。この場合、水素添加率が70%を超えると、アルカ
リ可溶性樹脂(C)のアルカリ現像液に対する溶解性が
低下する傾向がある。なお、水素添加ポリ(ヒドロキシ
スチレン)としては、丸善石油化学(株)から市販され
ているものを使用することもできる。組成物[II]および
組成物[III] において、アルカリ可溶性樹脂(C)は、
単独でまたは2種以上を混合して使用することができ、
その種類や組合せは、重合体(A)あるいは重合体
(A')のアルカリ現像液に対する溶解性、アルカリ現像
条件等に応じて適宜選択される。組成物[II]および組成
物[III] におけるアルカリ可溶性樹脂(C)の使用量
は、重合体(A)あるいは重合体(A')のアルカリ現像
液に対する溶解性、アルカリ現像条件等に応じて適宜選
択されるが、重合体(A)あるいは重合体(A')100
重量部当たり、通常、0.1〜1000重量部、好まし
くは0.5〜500重量部である。特にアルカリ可溶性
樹脂(C)としてポリ(ヒドロキシスチレン)および/
またはその水素添加物を使用する場合、それらの使用量
はMwにもよるが、重合体(A)あるいは重合体(A')
100重量部当たり、通常、0.5〜500重量部、好
ましくは1.0〜300重量部である。ポリ(ヒドロキ
シスチレン)および/またはその水素添加物の使用量が
0.5重量部未満では、レジストのアルカリ現像液への
溶解速度に対する制御効果が小さくなり、現像性が必ず
しも十分改善されないおそれがあり、また500重量部
を超えると、レジストのアルカリ現像液に対する溶解速
度が高くなりすぎ、レジストとしての解像度が低下する
傾向がある。また、アルカリ可溶性樹脂(C)としてヒ
ドロキシスチレン−スチレン共重合体および/またはそ
の水素添加物を使用する場合、それらの使用量はヒドロ
キシスチレンおよびスチレンの共重合割合やMwにもよ
るが、重合体(A)あるいは重合体(A')100重量部
当たり、通常、0.5〜1,000重量部、好ましくは
1.0〜300重量部である。ヒドロキシスチレン−ス
チレン共重合体および/またはその水素添加物の使用量
が0.5重量部未満では、レジストのアルカリ現像液へ
の溶解速度に対する制御効果が小さくなり、現像性が必
ずしも十分改善されないおそれがあり、また1,000
重量部を超えると、レジストとしての解像度が低下する
傾向がある。
カリ可溶性樹脂(C)は、アルカリ現像液と親和性を示
す官能基、例えばフェノール性水酸基、カルボキシル基
等の酸性官能基を1種以上有する、アルカリ現像液に可
溶な樹脂である。このようなアルカリ可溶性樹脂(C)
を使用することにより、レジスト被膜のアルカリ現像液
への溶解速度の制御がより容易となる結果、現像性をさ
らに向上させることができる。アルカリ可溶性樹脂
(C)は、アルカリ現像液に可溶である限り特に限定さ
れるものではないが、好ましいアルカリ可溶性樹脂
(C)としては、例えばヒドロキシスチレン、ヒドロキ
シ−α−メチルスチレン、ビニル安息香酸、カルボキシ
メチルスチレン、カルボキシメトキシスチレン、(メ
タ)アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、
イタコン酸、シトラコン酸、メサコン酸、ケイ皮酸等の
酸性官能基を有する少なくとも1種の単量体の重合性二
重結合部分が開裂した繰返し単位を含有する付加重合系
樹脂や、ノボラック樹脂に代表される酸性官能基を有す
る縮合系繰返し単位を含有する重縮合系樹脂等を挙げる
ことができる。付加重合系樹脂からなるアルカリ可溶性
樹脂(C)は、前記酸性官能基を有する単量体の重合性
二重結合部分が開裂した繰返し単位のみから構成されて
いてもよいが、生成した樹脂がアルカリ現像液に可溶で
ある限りでは、1種以上の他の繰返し単位をさらに有す
ることもできる。このような他の繰返し単位としては、
例えばスチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエ
ン、無水マレイン酸、(メタ)アクリロニトリル、クロ
トンニトリル、マレインニトリル、フマロニトリル、メ
サコンニトリル、シトラコンニトリル、イタコンニトリ
ル、(メタ)アクリルアミド、クロトンアミド、マレイ
ンアミド、フマルアミド、メサコンアミド、シトラコン
アミド、イタコンアミド、ビニルアニリン、ビニルピリ
ジン、N−ビニル−ε−カプロラクタム、N−ビニルピ
ロリドン、N−ビニルイミダゾール等の単量体の重合性
二重結合部分が開裂した繰返し単位を挙げることができ
る。これらの付加重合系樹脂のうち、レジスト被膜とし
たときの放射線の透過性が高く、またドライエッチング
耐性にも優れるという観点から、特にポリ(ヒドロキシ
スチレン)およびヒドロキシスチレン−スチレン共重合
体が好ましい。前記付加重合系樹脂からなるアルカリ可
溶性樹脂(C)は、例えば酸性官能基を有する1種以上
の単量体を、場合により1種以上の前記他の単量体とと
もに、(共)重合することにより製造することができ
る。また、酸性官能基が保護された単量体、例えばヒド
ロキシスチレンのフェノール性水酸基がt−ブチル基、
アセチル基、t−ブトキシカルボニル基、トリアルキル
シリル基等の保護基で保護された単量体の1種以上を、
場合により前記他の単量体とともに、(共)重合したの
ち、(共)重合体中の保護された基を、例えば加水分解
によって、酸性官能基に変換することにより製造するこ
とができる。前記(共)重合は、単量体や重合媒体の種
類等に応じて、ラジカル重合、熱重合、イオン重合等に
より、塊状重合、溶液重合、懸濁重合、塊状−懸濁重
合、乳化重合等の適宜の重合形態で実施することができ
る。さらに、重縮合系樹脂からなるアルカリ可溶性樹脂
(C)は、酸性官能基を含有する重縮合系繰返し単位の
みから構成されていてもよいが、生成した樹脂がアルカ
リ現像液に可溶である限りでは、他の繰返し単位をさら
に有することもできる。このような重縮合系樹脂は、例
えば1種以上のフェノール類と1種以上のアルデヒド類
とを、場合により他の重縮合系繰返し単位を形成しうる
重縮合成分とともに、酸性触媒の存在下、水媒質中また
は水と親水性溶媒との混合媒質中で(共)重縮合するこ
とによって製造することができる。前記フェノール類と
しては、例えばo−クレゾール、m−クレゾール、p−
クレゾール、2,3−キシレノール、2,4−キシレノ
ール、2,5−キシレノール、3,4−キシレノール、
3,5−キシレノール、 2,3,5−トリメチルフェ
ノール、3,4,5−トリメチルフェノール等を挙げる
ことができ、また前記アルデヒド類としては、例えばホ
ルムアルデヒド、トリオキサン、パラホルムアルデヒ
ド、ベンズアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピルア
ルデヒド、フェニルアセトアルデヒド等を挙げることが
できる。アルカリ可溶性樹脂(C)中における前記酸性
官能基を有する繰返し単位の含有率は、場合により含有
される他の繰返し単位の種類により一概に規定できない
が、通常、15〜100モル%、好ましくは20〜10
0モル%である。特にヒドロキシスチレン−スチレン共
重合体における共重合割合は、ヒドロキシスチレンに由
来する繰返し単位100個当たり、スチレンに由来する
繰返し単位が、通常、100個以下、好ましくは30以
下である。この場合、スチレンに由来する繰返し単位が
100個を超えると、レジストとしての解像度が低下す
る傾向がある。アルカリ可溶性樹脂(C)のMwは、組
成物[II]および組成物[III] の用途や所望の特性に応じ
て一概には規定できないが、通常、1,000〜15
0,000、好ましくは3,000〜100,000で
ある。特にアルカリ可溶性樹脂(C)としてポリ(ヒド
ロキシスチレン)を使用する場合、そのMwは、重合体
(A)あるいは重合体(A')との相溶性およびレジスト
としての現像性の観点から、3,000〜60,000
が好ましく、特に4,000〜40,000が好まし
い。また、アルカリ可溶性樹脂(C)としてヒドロキシ
スチレン−スチレン共重合体を使用する場合、そのMw
は、重合体(A)あるいは重合体(A')との相溶性およ
びレジストとしての現像性の観点から、2,000〜5
0,000が好ましく、特に4,000〜40,000
が好ましい。アルカリ可溶性樹脂(C)は、主鎖および
/または側鎖に炭素−炭素不飽和結合を有する場合、水
素添加して使用することもできる。この場合の水素添加
率は、炭素−炭素不飽和結合の、通常、70%以下、好
ましくは50%以下、さらに好ましくは40%以下であ
る。この場合、水素添加率が70%を超えると、アルカ
リ可溶性樹脂(C)のアルカリ現像液に対する溶解性が
低下する傾向がある。なお、水素添加ポリ(ヒドロキシ
スチレン)としては、丸善石油化学(株)から市販され
ているものを使用することもできる。組成物[II]および
組成物[III] において、アルカリ可溶性樹脂(C)は、
単独でまたは2種以上を混合して使用することができ、
その種類や組合せは、重合体(A)あるいは重合体
(A')のアルカリ現像液に対する溶解性、アルカリ現像
条件等に応じて適宜選択される。組成物[II]および組成
物[III] におけるアルカリ可溶性樹脂(C)の使用量
は、重合体(A)あるいは重合体(A')のアルカリ現像
液に対する溶解性、アルカリ現像条件等に応じて適宜選
択されるが、重合体(A)あるいは重合体(A')100
重量部当たり、通常、0.1〜1000重量部、好まし
くは0.5〜500重量部である。特にアルカリ可溶性
樹脂(C)としてポリ(ヒドロキシスチレン)および/
またはその水素添加物を使用する場合、それらの使用量
はMwにもよるが、重合体(A)あるいは重合体(A')
100重量部当たり、通常、0.5〜500重量部、好
ましくは1.0〜300重量部である。ポリ(ヒドロキ
シスチレン)および/またはその水素添加物の使用量が
0.5重量部未満では、レジストのアルカリ現像液への
溶解速度に対する制御効果が小さくなり、現像性が必ず
しも十分改善されないおそれがあり、また500重量部
を超えると、レジストのアルカリ現像液に対する溶解速
度が高くなりすぎ、レジストとしての解像度が低下する
傾向がある。また、アルカリ可溶性樹脂(C)としてヒ
ドロキシスチレン−スチレン共重合体および/またはそ
の水素添加物を使用する場合、それらの使用量はヒドロ
キシスチレンおよびスチレンの共重合割合やMwにもよ
るが、重合体(A)あるいは重合体(A')100重量部
当たり、通常、0.5〜1,000重量部、好ましくは
1.0〜300重量部である。ヒドロキシスチレン−ス
チレン共重合体および/またはその水素添加物の使用量
が0.5重量部未満では、レジストのアルカリ現像液へ
の溶解速度に対する制御効果が小さくなり、現像性が必
ずしも十分改善されないおそれがあり、また1,000
重量部を超えると、レジストとしての解像度が低下する
傾向がある。
【0024】酸拡散制御剤(D) 組成物[III] において使用される酸拡散制御剤(D)
は、露光により酸発生剤(B)から生じた酸のレジスト
被膜中における拡散現象を制御し、未露光領域での好ま
しくない化学反応を抑制する作用を有するものである。
酸拡散制御剤(D)を使用することにより、パターン形
状、特にパターン上層部の庇の発生程度、マスク寸法に
対する寸法忠実度等をさらに改良することができる。こ
のような酸拡散制御剤(D)としては、露光や加熱によ
り塩基性が変化しない含窒素有機化合物が好ましく、そ
の具体例としては、アンモニア、ヘキシルアミン、ヘプ
チルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルア
ミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシル
アミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニ
ルアミン、ジデシルアミン、トリメチルアミン、トリエ
チルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、
トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチ
ルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、ト
リデシルアミン、アニリン、N−メチルアニリン、N,
N−ジメチルアニリン、2−メチルアニリン、3−メチ
ルアニリン、4−メチルアニリン、4−ニトロアニリ
ン、1−ナフチルアミン、2−ナフチルアミン、ジフェ
ニルアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミ
ン、ヘキサメチレンジアミン、ピロリドン、ピペリジ
ン、イミダゾール、4−メチルイミダゾール、4−メチ
ル−2−フェニルイミダゾール、チアベンダゾール、ピ
リジン、2−メチルピリジン、4−メチルピリジン、2
−エチルピリジン、4−エチルピリジン、1−メチル−
4−フェニルピリジン、2−(1−エチルプロピル)ピ
リジン、ニコチン酸アミド、ジベンゾイルチアミン、四
酪酸リボフラミン、4,4’−ジアミノジフェニルメタ
ン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’
−ジアミノベンゾフェノン、4,4’−ジアミノジフェ
ニルアミン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロ
パン、2−(3−アミノフェニル)−2−(4−アミノ
フェニル)プロパン、2−(4−アミノフェニル)−2
−(3−ヒドロキシフェニル)プロパン、2−(4−ア
ミノフェニル)−2−(4−ヒドロキシフェニル)プロ
パン、1,4−ビス[1−(4−アミノフェニル)−1
−メチルエチル]ベンゼン、1,3−ビス[1−(4−
アミノフェニル)−1−メチルエチル]ベンゼン、コハ
ク酸ジメチル−1−(2−ヒドロキシエチル)−4−ヒ
ドロキシ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン重
縮合物、ポリ[{6−(1,1,3,3−テトラメチル
ブチル)イミノ−1,3,5−トリアジン−2,4−ジ
イル}{(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリ
ジイル)イミノ}ヘキサメチレン{(2,2,6,6−
テトラメチル−4−ピペリジイル)イミノ}]、2−
(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)
−2−n−ブチルマロン酸ビス(1,2,2,6,6−
ペンタメチル−4−ピペリジイル)等を挙げることがで
きる。これらの酸拡散制御剤(D)は、単独でまたは2
種以上を混合して使用することができる。組成物[III]
における酸拡散制御剤(D)の使用量は、重合体(A')
100重量部当たり、通常、0.001〜10重量部、
好ましくは0.005〜5重量部である。この場合、酸
拡散制御剤(D)の使用量が0.001重量部未満で
は、プロセス条件によっては、パターン形状や寸法忠実
度が低下するおそれがあり、また10重量部を超える
と、レジストとしての感度や露光部の現像性が低下する
傾向がある。なお、組成物[I] および組成物[II]におい
ても、所望により、前記酸拡散制御剤(D)の1種以上
を配合することができ、それにより、パターン形状、特
にパターン上層部の庇の発生程度、マスク寸法に対する
寸法忠実度等がさらに改良される。組成物[I] あるいは
組成物[II]における酸拡散制御剤(D)の使用量は、重
合体(A)100重量部当たり、通常、10重量部以
下、好ましくは5重量部以下である。この場合、酸拡散
制御剤(D)の使用量が10重量部を超えると、レジス
トとしての感度や露光部の現像性が低下する傾向があ
る。
は、露光により酸発生剤(B)から生じた酸のレジスト
被膜中における拡散現象を制御し、未露光領域での好ま
しくない化学反応を抑制する作用を有するものである。
酸拡散制御剤(D)を使用することにより、パターン形
状、特にパターン上層部の庇の発生程度、マスク寸法に
対する寸法忠実度等をさらに改良することができる。こ
のような酸拡散制御剤(D)としては、露光や加熱によ
り塩基性が変化しない含窒素有機化合物が好ましく、そ
の具体例としては、アンモニア、ヘキシルアミン、ヘプ
チルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルア
ミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシル
アミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニ
ルアミン、ジデシルアミン、トリメチルアミン、トリエ
チルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、
トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチ
ルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、ト
リデシルアミン、アニリン、N−メチルアニリン、N,
N−ジメチルアニリン、2−メチルアニリン、3−メチ
ルアニリン、4−メチルアニリン、4−ニトロアニリ
ン、1−ナフチルアミン、2−ナフチルアミン、ジフェ
ニルアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミ
ン、ヘキサメチレンジアミン、ピロリドン、ピペリジ
ン、イミダゾール、4−メチルイミダゾール、4−メチ
ル−2−フェニルイミダゾール、チアベンダゾール、ピ
リジン、2−メチルピリジン、4−メチルピリジン、2
−エチルピリジン、4−エチルピリジン、1−メチル−
4−フェニルピリジン、2−(1−エチルプロピル)ピ
リジン、ニコチン酸アミド、ジベンゾイルチアミン、四
酪酸リボフラミン、4,4’−ジアミノジフェニルメタ
ン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’
−ジアミノベンゾフェノン、4,4’−ジアミノジフェ
ニルアミン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロ
パン、2−(3−アミノフェニル)−2−(4−アミノ
フェニル)プロパン、2−(4−アミノフェニル)−2
−(3−ヒドロキシフェニル)プロパン、2−(4−ア
ミノフェニル)−2−(4−ヒドロキシフェニル)プロ
パン、1,4−ビス[1−(4−アミノフェニル)−1
−メチルエチル]ベンゼン、1,3−ビス[1−(4−
アミノフェニル)−1−メチルエチル]ベンゼン、コハ
ク酸ジメチル−1−(2−ヒドロキシエチル)−4−ヒ
ドロキシ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン重
縮合物、ポリ[{6−(1,1,3,3−テトラメチル
ブチル)イミノ−1,3,5−トリアジン−2,4−ジ
イル}{(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリ
ジイル)イミノ}ヘキサメチレン{(2,2,6,6−
テトラメチル−4−ピペリジイル)イミノ}]、2−
(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)
−2−n−ブチルマロン酸ビス(1,2,2,6,6−
ペンタメチル−4−ピペリジイル)等を挙げることがで
きる。これらの酸拡散制御剤(D)は、単独でまたは2
種以上を混合して使用することができる。組成物[III]
における酸拡散制御剤(D)の使用量は、重合体(A')
100重量部当たり、通常、0.001〜10重量部、
好ましくは0.005〜5重量部である。この場合、酸
拡散制御剤(D)の使用量が0.001重量部未満で
は、プロセス条件によっては、パターン形状や寸法忠実
度が低下するおそれがあり、また10重量部を超える
と、レジストとしての感度や露光部の現像性が低下する
傾向がある。なお、組成物[I] および組成物[II]におい
ても、所望により、前記酸拡散制御剤(D)の1種以上
を配合することができ、それにより、パターン形状、特
にパターン上層部の庇の発生程度、マスク寸法に対する
寸法忠実度等がさらに改良される。組成物[I] あるいは
組成物[II]における酸拡散制御剤(D)の使用量は、重
合体(A)100重量部当たり、通常、10重量部以
下、好ましくは5重量部以下である。この場合、酸拡散
制御剤(D)の使用量が10重量部を超えると、レジス
トとしての感度や露光部の現像性が低下する傾向があ
る。
【0025】さらに、組成物[I] 、組成物[II]および組
成物[III] においては、必要に応じて、溶解制御剤、界
面活性剤、増感剤等を配合することができる。溶解制御剤 溶解制御剤は、組成物[I] 、組成物[II]および組成物[I
II] のアルカリ溶解性を制御する性質を有し、酸の存在
下で分解、例えば加水分解されて、そのアルカリ溶解性
を制御する性質が変化する酸感応性物質である。より具
体的には、各組成物のアルカリ溶解性を制御することが
できる酸分解性基を有する化合物であり、酸の存在下で
酸分解性基が分解されて、酸性官能基へと解裂し、その
結果各組成物に対するアルカリ溶解性制御効果を低下も
しくは消失する作用を発現するか、または各組成物のア
ルカリ溶解性を促進させる作用を発現する化合物であ
る。このような溶解制御剤としては、例えばフェノール
性水酸基、カルボキシル基等の酸性官能基の水素原子
を、酸の存在下で分解、例えば加水分解される酸分解性
基で置換した化合物等を挙げることができ、低分子の化
合物でも高分子の化合物でもよい。好ましい低分子の溶
解制御剤としては、例えばビスフェノールA、ビスフェ
ノールF、ビスフェノールS等の多価フェノール化合物
や、ヒドロキシフェニル酢酸等のカルボン酸化合物の酸
性官能基に、酸分解性基を導入した化合物(以下、「溶
解制御剤」という。)等を挙げることができる。溶解
制御剤の具体例としては、下記式(7)〜(9)で表
される化合物を挙げることができる。
成物[III] においては、必要に応じて、溶解制御剤、界
面活性剤、増感剤等を配合することができる。溶解制御剤 溶解制御剤は、組成物[I] 、組成物[II]および組成物[I
II] のアルカリ溶解性を制御する性質を有し、酸の存在
下で分解、例えば加水分解されて、そのアルカリ溶解性
を制御する性質が変化する酸感応性物質である。より具
体的には、各組成物のアルカリ溶解性を制御することが
できる酸分解性基を有する化合物であり、酸の存在下で
酸分解性基が分解されて、酸性官能基へと解裂し、その
結果各組成物に対するアルカリ溶解性制御効果を低下も
しくは消失する作用を発現するか、または各組成物のア
ルカリ溶解性を促進させる作用を発現する化合物であ
る。このような溶解制御剤としては、例えばフェノール
性水酸基、カルボキシル基等の酸性官能基の水素原子
を、酸の存在下で分解、例えば加水分解される酸分解性
基で置換した化合物等を挙げることができ、低分子の化
合物でも高分子の化合物でもよい。好ましい低分子の溶
解制御剤としては、例えばビスフェノールA、ビスフェ
ノールF、ビスフェノールS等の多価フェノール化合物
や、ヒドロキシフェニル酢酸等のカルボン酸化合物の酸
性官能基に、酸分解性基を導入した化合物(以下、「溶
解制御剤」という。)等を挙げることができる。溶解
制御剤の具体例としては、下記式(7)〜(9)で表
される化合物を挙げることができる。
【0026】
【化7】
【0027】
【化8】
【0028】
【化9】
【0029】また、高分子の溶解制御剤としては、例え
ば前述したアルカリ可溶性樹脂(C)等のアルカリ可溶
性樹脂中の酸性官能基に、酸分解性基を導入した樹脂
(以下、「溶解制御剤」という。)等を挙げることが
できる。溶解制御剤における酸分解性基としては、例
えば置換メチル基、1−置換エチル基、1−分岐アルキ
ル基、シリル基、ゲルミル基、アルコキシカルボニル
基、アシル基、環式酸分解性基等を挙げることができ
る。前記置換メチル基としては、例えばメトキシメチル
基、エトキシメチル基、t−ブトキシカルボニルメチル
基、ベンジルオキシメチル基、フェナシル基、シクロプ
ロピルメチル基、ベンジル基、ピペロニル基や、これら
の基の酸素原子を硫黄原子で置換した基等を挙げること
ができる。前記1−置換エチル基としては、例えば1−
メトキシエチル基、1−エトキシエチル基、1−フェノ
キシエチル基、1−ベンジルオキシエチル基、1−シク
ロプロピルエチル基、1−フェニルエチル基、α−メチ
ルフェナシル基や、これらの基の酸素原子を硫黄原子で
置換した基等を挙げることができる。前記1−分岐アル
キル基としては、例えばイソプロピル基、sec−ブチ
ル基、t−ブチル基等を挙げることができる。前記シリ
ル基としては、例えばトリメチルシリル基、トリエチル
シリル基、トリイソプロピルシリル基、トリ−t−ブチ
ルシリル基、トリフェニルシリル基等を挙げることがで
きる。前記ゲルミル基としては、例えばトリメチルゲル
ミル基、トリエチルゲルミル基、トリイソプロピルゲル
ミル基、トリ−t−ブチルゲルミル基、トリフェニルゲ
ルミル基等を挙げることができる。前記アルコキシカル
ボニル基としては、例えばメトキシカルボニル基、エト
キシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基等を挙げ
ることができる。前記アシル基としては、例えばアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、ラウリロイル基、
ステアロイル基、オキサリル基、マロニル基、スクシニ
ル基、グルタリル基、(メタ)アクリロイル基、カンホ
ロイル基、ベンゾイル基、フタロイル基、シンナモイル
基、ニコチノイル基、p−トルエンスルホニル基、メシ
ル基等を挙げることができる。前記環式酸分解性基とし
ては、例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、シ
クロヘキセニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒ
ドロフラニル基、2−1,3−ジオキソラニル基、ベン
ゾ−2−1,3−ジオキソラニル基や、これらの基の酸
素原子を硫黄原子で置換した基等を挙げることができ
る。これらの酸分解性基のうち、t−ブトキシカルボニ
ルメチル基、ベンジル基、t−ブチル基、t−ブトキシ
カルボニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロ
フラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒド
ロチオフラニル基、トリメチルシリル基等が好ましい。
溶解制御剤は、例えばアルカリ可溶性樹脂中の中の酸
性官能基の水素原子を、1種以上の酸分解性基で置換す
ることによって、あるいは1種以上の酸分解性基を有す
る単量体の(共)重合、あるいは1種以上の酸分解性基
を有する重縮合成分の(共)重縮合によって製造するこ
とができる。溶解制御剤における酸分解性基の導入率
(溶解制御剤中の酸性官能基と酸分解性基との合計数
に対する酸分解性基の数の割合)は、好ましくは15〜
100%、さらに好ましくは20〜100%、特に好ま
しくは20〜80%である。溶解制御剤のMwは、組
成物[I] 、組成物[II]あるいは組成物[III] の用途や所
望の特性に応じて変わるが、好ましくは1,000〜1
50,000、さらに好ましくは3,000〜100,
000である。組成物[I] 、組成物[II]および組成物[I
II] における溶解制御剤は、溶解制御剤等の低分子溶
解制御剤および溶解制御剤等の高分子溶解制御剤のそ
れぞれについて、単独でまたは2種以上を混合して使用
することができ、また低分子溶解制御剤と高分子溶解制
御剤とを併用することもできる。組成物[I] 、組成物[I
I]および組成物[III] における溶解制御剤の配合量は、
各組成物の用途や所望の特性に応じて適宜選定される
が、重合体(A)あるいは重合体(A')100重量部当
たり、100重量部以下が好ましく、さらに好ましくは
50重量部以下である。溶解制御剤の配合量が100重
量部を超えると、組成物の成膜性、膜強度等が低下する
傾向がある。
ば前述したアルカリ可溶性樹脂(C)等のアルカリ可溶
性樹脂中の酸性官能基に、酸分解性基を導入した樹脂
(以下、「溶解制御剤」という。)等を挙げることが
できる。溶解制御剤における酸分解性基としては、例
えば置換メチル基、1−置換エチル基、1−分岐アルキ
ル基、シリル基、ゲルミル基、アルコキシカルボニル
基、アシル基、環式酸分解性基等を挙げることができ
る。前記置換メチル基としては、例えばメトキシメチル
基、エトキシメチル基、t−ブトキシカルボニルメチル
基、ベンジルオキシメチル基、フェナシル基、シクロプ
ロピルメチル基、ベンジル基、ピペロニル基や、これら
の基の酸素原子を硫黄原子で置換した基等を挙げること
ができる。前記1−置換エチル基としては、例えば1−
メトキシエチル基、1−エトキシエチル基、1−フェノ
キシエチル基、1−ベンジルオキシエチル基、1−シク
ロプロピルエチル基、1−フェニルエチル基、α−メチ
ルフェナシル基や、これらの基の酸素原子を硫黄原子で
置換した基等を挙げることができる。前記1−分岐アル
キル基としては、例えばイソプロピル基、sec−ブチ
ル基、t−ブチル基等を挙げることができる。前記シリ
ル基としては、例えばトリメチルシリル基、トリエチル
シリル基、トリイソプロピルシリル基、トリ−t−ブチ
ルシリル基、トリフェニルシリル基等を挙げることがで
きる。前記ゲルミル基としては、例えばトリメチルゲル
ミル基、トリエチルゲルミル基、トリイソプロピルゲル
ミル基、トリ−t−ブチルゲルミル基、トリフェニルゲ
ルミル基等を挙げることができる。前記アルコキシカル
ボニル基としては、例えばメトキシカルボニル基、エト
キシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基等を挙げ
ることができる。前記アシル基としては、例えばアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、ラウリロイル基、
ステアロイル基、オキサリル基、マロニル基、スクシニ
ル基、グルタリル基、(メタ)アクリロイル基、カンホ
ロイル基、ベンゾイル基、フタロイル基、シンナモイル
基、ニコチノイル基、p−トルエンスルホニル基、メシ
ル基等を挙げることができる。前記環式酸分解性基とし
ては、例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、シ
クロヘキセニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒ
ドロフラニル基、2−1,3−ジオキソラニル基、ベン
ゾ−2−1,3−ジオキソラニル基や、これらの基の酸
素原子を硫黄原子で置換した基等を挙げることができ
る。これらの酸分解性基のうち、t−ブトキシカルボニ
ルメチル基、ベンジル基、t−ブチル基、t−ブトキシ
カルボニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロ
フラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒド
ロチオフラニル基、トリメチルシリル基等が好ましい。
溶解制御剤は、例えばアルカリ可溶性樹脂中の中の酸
性官能基の水素原子を、1種以上の酸分解性基で置換す
ることによって、あるいは1種以上の酸分解性基を有す
る単量体の(共)重合、あるいは1種以上の酸分解性基
を有する重縮合成分の(共)重縮合によって製造するこ
とができる。溶解制御剤における酸分解性基の導入率
(溶解制御剤中の酸性官能基と酸分解性基との合計数
に対する酸分解性基の数の割合)は、好ましくは15〜
100%、さらに好ましくは20〜100%、特に好ま
しくは20〜80%である。溶解制御剤のMwは、組
成物[I] 、組成物[II]あるいは組成物[III] の用途や所
望の特性に応じて変わるが、好ましくは1,000〜1
50,000、さらに好ましくは3,000〜100,
000である。組成物[I] 、組成物[II]および組成物[I
II] における溶解制御剤は、溶解制御剤等の低分子溶
解制御剤および溶解制御剤等の高分子溶解制御剤のそ
れぞれについて、単独でまたは2種以上を混合して使用
することができ、また低分子溶解制御剤と高分子溶解制
御剤とを併用することもできる。組成物[I] 、組成物[I
I]および組成物[III] における溶解制御剤の配合量は、
各組成物の用途や所望の特性に応じて適宜選定される
が、重合体(A)あるいは重合体(A')100重量部当
たり、100重量部以下が好ましく、さらに好ましくは
50重量部以下である。溶解制御剤の配合量が100重
量部を超えると、組成物の成膜性、膜強度等が低下する
傾向がある。
【0030】界面活性剤 界面活性剤は、組成物[I] 、組成物[II]および組成物[I
II] の塗布性やストリエーション、レジストとしての現
像性等をさらに改善する作用を示す。このような界面活
性剤としては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系あ
るいは両性のいずれでも使用することができるが、好ま
しい界面活性剤はノニオン系界面活性剤である。ノニオ
ン系界面活性剤の例としては、ポリオキシエチレン高級
アルキルエーテル類、ポリオキシエチレン高級アルキル
フェニルエーテル類、ポリエチレングリコールの高級脂
肪酸ジエステル類等のほか、以下商品名で、KP(信越
化学工業製)、ポリフロー(共栄社油脂化学工業製)、
エフトップ(トーケムプロダクツ製)、メガファック
(大日本インキ化学工業製)、フロラード(住友スリー
エム製)、アサヒガード、サーフロン(旭硝子製)等の
各シリーズを挙げることができる。これらの界面活性剤
は、単独でまたは2種以上を混合して使用することがで
き、その配合量は、組成物[I] 、組成物[II]および組成
物[III] 中の界面活性剤成分を除く全固形分100重量
部当たり、通常、界面活性剤の有効成分が2重量部以下
である。増感剤 増感剤は、放射線のエネルギーを吸収して、そのエネル
ギーを酸発生剤(B)に伝達し、それにより酸の生成量
を増加する作用を示すもので、組成物[I] 、組成物[II]
および組成物[III] から得られるレジストの見掛けの感
度を向上させる効果を有する。好ましい増感剤の例を挙
げると、アセトン、ベンゼン、アセトフェノン類、ベン
ゾフェノン類、ナフタレン類、ビアセチル類、エオシ
ン、ローズベンガル、ピレン類、アントラセン類、フェ
ノチアジン類等がある。これらの増感剤は、単独でまた
は2種以上を混合して使用することができ、その配合量
は、組成物[I] 、組成物[II]および組成物[III] 中の全
固形分100重量部当たり、通常、50重量部以下、好
ましくは30重量部以下である。その他の添加剤 染料および/または顔料を配合することにより、露光部
の潜像を可視化させて、露光時のハレーションの影響を
緩和でき、接着助剤を配合することにより、基板との接
着性をさらに改善することができる。さらに、他の添加
剤として、4−ヒドロキシ−4’−メチルカルコン等の
ハレーション防止剤、形状改良剤、保存安定化剤、消泡
剤等を配合することもできる。これらの他の添加剤の合
計配合量は、組成物[I] 、組成物[II]および組成物[II
I] 中の全固形分100重量部当たり、通常、50重量
部以下、好ましくは1重量部以下である。
II] の塗布性やストリエーション、レジストとしての現
像性等をさらに改善する作用を示す。このような界面活
性剤としては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系あ
るいは両性のいずれでも使用することができるが、好ま
しい界面活性剤はノニオン系界面活性剤である。ノニオ
ン系界面活性剤の例としては、ポリオキシエチレン高級
アルキルエーテル類、ポリオキシエチレン高級アルキル
フェニルエーテル類、ポリエチレングリコールの高級脂
肪酸ジエステル類等のほか、以下商品名で、KP(信越
化学工業製)、ポリフロー(共栄社油脂化学工業製)、
エフトップ(トーケムプロダクツ製)、メガファック
(大日本インキ化学工業製)、フロラード(住友スリー
エム製)、アサヒガード、サーフロン(旭硝子製)等の
各シリーズを挙げることができる。これらの界面活性剤
は、単独でまたは2種以上を混合して使用することがで
き、その配合量は、組成物[I] 、組成物[II]および組成
物[III] 中の界面活性剤成分を除く全固形分100重量
部当たり、通常、界面活性剤の有効成分が2重量部以下
である。増感剤 増感剤は、放射線のエネルギーを吸収して、そのエネル
ギーを酸発生剤(B)に伝達し、それにより酸の生成量
を増加する作用を示すもので、組成物[I] 、組成物[II]
および組成物[III] から得られるレジストの見掛けの感
度を向上させる効果を有する。好ましい増感剤の例を挙
げると、アセトン、ベンゼン、アセトフェノン類、ベン
ゾフェノン類、ナフタレン類、ビアセチル類、エオシ
ン、ローズベンガル、ピレン類、アントラセン類、フェ
ノチアジン類等がある。これらの増感剤は、単独でまた
は2種以上を混合して使用することができ、その配合量
は、組成物[I] 、組成物[II]および組成物[III] 中の全
固形分100重量部当たり、通常、50重量部以下、好
ましくは30重量部以下である。その他の添加剤 染料および/または顔料を配合することにより、露光部
の潜像を可視化させて、露光時のハレーションの影響を
緩和でき、接着助剤を配合することにより、基板との接
着性をさらに改善することができる。さらに、他の添加
剤として、4−ヒドロキシ−4’−メチルカルコン等の
ハレーション防止剤、形状改良剤、保存安定化剤、消泡
剤等を配合することもできる。これらの他の添加剤の合
計配合量は、組成物[I] 、組成物[II]および組成物[II
I] 中の全固形分100重量部当たり、通常、50重量
部以下、好ましくは1重量部以下である。
【0031】以上詳細に説明したように、組成物[I] は
重合体(A)および酸発生剤(B)を必須成分とし、組
成物[II]は重合体(A)、酸発生剤(B)およびアルカ
リ可溶性樹脂(C)を必須成分とし、さらに組成物[II
I] は重合体(A)、酸発生剤(B)、アルカリ可溶性
樹脂(C)および酸拡散制御剤(D)を必須成分とする
が、ここで、各組成物の好ましい配合組成を、主な他の
添加剤を配合する場合も含めて以下にまとめて例示す
る。組成物[I] は、好ましくは(イ)重合体(A)10
0重量部および酸発生剤(B)0.05〜20重量部、
場合により添加される酸拡散制御剤(D)10重量部以
下、並びに場合により添加される溶解制御剤100重量
部以下からなり、特に好ましくは(ロ)重合体(A)1
00重量部および酸発生剤(B)0.1〜15重量部、
場合により添加される酸拡散制御剤(D)5重量部以
下、並びに場合により添加される溶解制御剤50重量部
以下からなる。組成物[II]は、好ましくは(ハ)重合体
(A)100重量部、酸発生剤(B)0.05〜20重
量部およびアルカリ可溶性樹脂(C)0.1〜1000
重量部(但し、ポリ(ヒドロキシスチレン)および/ま
たはその水素添加物の場合は0.5〜500重量部、ヒ
ドロキシスチレン−スチレン(共)重合体および/また
はその水素添加物の場合は0.5〜1,000重量
部)、場合により添加される酸拡散制御剤(D)10重
量部以下、並びに場合により添加される溶解制御剤10
0重量部以下からなり、特に好ましくは(ニ)重合体
(A)100重量部、酸発生剤(B)0.1〜15重量
部およびアルカリ可溶性樹脂(C)0.5〜500重量
部(但し、ポリ(ヒドロキシスチレン)および/または
その水素添加物の場合は1.0〜300重量部、ヒドロ
キシスチレン−スチレン(共)重合体および/またはそ
の水素添加物の場合は1.0〜300重量部)、場合に
より添加される酸拡散制御剤(D)5重量部以下、並び
に場合により添加される溶解制御剤50重量部以下から
なる。組成物[III] は、好ましくは(ホ)重合体(A)
100重量部、酸発生剤(B)0.05〜20重量部、
アルカリ可溶性樹脂(C)0.1〜1000重量部(但
し、ポリ(ヒドロキシスチレン)および/またはその水
素添加物の場合は0.5〜500重量部、ヒドロキシス
チレン−スチレン(共)重合体および/またはその水素
添加物の場合は0.5〜1,000重量部)、酸拡散制
御剤(D)0.001〜10重量部、並びに場合により
添加される溶解制御剤100重量部以下からなり、特に
好ましくは(ヘ)重合体(A)100重量部、酸発生剤
(B)0.1〜15重量部およびアルカリ可溶性樹脂
(C)0.5〜500重量部(但し、ポリ(ヒドロキシ
スチレン)および/またはその水素添加物の場合は1.
0〜300重量部、ヒドロキシスチレン−スチレン
(共)重合体および/またはその水素添加物の場合は
1.0〜300重量部)、酸拡散制御剤(D)0.00
5〜5重量部、並びに場合により添加される溶解制御剤
50重量部以下からなる。
重合体(A)および酸発生剤(B)を必須成分とし、組
成物[II]は重合体(A)、酸発生剤(B)およびアルカ
リ可溶性樹脂(C)を必須成分とし、さらに組成物[II
I] は重合体(A)、酸発生剤(B)、アルカリ可溶性
樹脂(C)および酸拡散制御剤(D)を必須成分とする
が、ここで、各組成物の好ましい配合組成を、主な他の
添加剤を配合する場合も含めて以下にまとめて例示す
る。組成物[I] は、好ましくは(イ)重合体(A)10
0重量部および酸発生剤(B)0.05〜20重量部、
場合により添加される酸拡散制御剤(D)10重量部以
下、並びに場合により添加される溶解制御剤100重量
部以下からなり、特に好ましくは(ロ)重合体(A)1
00重量部および酸発生剤(B)0.1〜15重量部、
場合により添加される酸拡散制御剤(D)5重量部以
下、並びに場合により添加される溶解制御剤50重量部
以下からなる。組成物[II]は、好ましくは(ハ)重合体
(A)100重量部、酸発生剤(B)0.05〜20重
量部およびアルカリ可溶性樹脂(C)0.1〜1000
重量部(但し、ポリ(ヒドロキシスチレン)および/ま
たはその水素添加物の場合は0.5〜500重量部、ヒ
ドロキシスチレン−スチレン(共)重合体および/また
はその水素添加物の場合は0.5〜1,000重量
部)、場合により添加される酸拡散制御剤(D)10重
量部以下、並びに場合により添加される溶解制御剤10
0重量部以下からなり、特に好ましくは(ニ)重合体
(A)100重量部、酸発生剤(B)0.1〜15重量
部およびアルカリ可溶性樹脂(C)0.5〜500重量
部(但し、ポリ(ヒドロキシスチレン)および/または
その水素添加物の場合は1.0〜300重量部、ヒドロ
キシスチレン−スチレン(共)重合体および/またはそ
の水素添加物の場合は1.0〜300重量部)、場合に
より添加される酸拡散制御剤(D)5重量部以下、並び
に場合により添加される溶解制御剤50重量部以下から
なる。組成物[III] は、好ましくは(ホ)重合体(A)
100重量部、酸発生剤(B)0.05〜20重量部、
アルカリ可溶性樹脂(C)0.1〜1000重量部(但
し、ポリ(ヒドロキシスチレン)および/またはその水
素添加物の場合は0.5〜500重量部、ヒドロキシス
チレン−スチレン(共)重合体および/またはその水素
添加物の場合は0.5〜1,000重量部)、酸拡散制
御剤(D)0.001〜10重量部、並びに場合により
添加される溶解制御剤100重量部以下からなり、特に
好ましくは(ヘ)重合体(A)100重量部、酸発生剤
(B)0.1〜15重量部およびアルカリ可溶性樹脂
(C)0.5〜500重量部(但し、ポリ(ヒドロキシ
スチレン)および/またはその水素添加物の場合は1.
0〜300重量部、ヒドロキシスチレン−スチレン
(共)重合体および/またはその水素添加物の場合は
1.0〜300重量部)、酸拡散制御剤(D)0.00
5〜5重量部、並びに場合により添加される溶解制御剤
50重量部以下からなる。
【0032】溶剤 組成物[I] 、組成物[II]および組成物[III] は、その使
用に際して、全固形分の濃度が、例えば5〜50重量
%、好ましくは15〜40重量%となるように、溶剤に
均一に溶解したのち、例えば孔径0.2μm程度のフィ
ルターでろ過することにより、組成物溶液として調製さ
れる。前記組成物溶液の調製に使用される溶剤として
は、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル、エ
チレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコ
ールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブ
チルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエー
テル類;エチレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールモノプロピルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート
等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテー
ト類;ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチ
レングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコー
ルジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジブチル
エーテル等のジエチレングリコールジアルキルエーテル
類;プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピ
レングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノ
ブチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキル
エーテル類;プロピレングリコールジメチルエーテル、
プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレング
リコールジプロピルエーテル、プロピレングリコールジ
ブチルエーテル等のプロピレングリコールジアルキルエ
ーテル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルア
セテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルア
セテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテル
アセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテル
アセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエー
テルアセテート類;乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n−
プロピル、乳酸イソプロピル、乳酸n−ブチル、乳酸イ
ソブチル等の乳酸エステル類;ギ酸メチル、ギ酸エチ
ル、ギ酸n−プロピル、ギ酸イソプロピル、ギ酸n−ブ
チル、ギ酸イソブチル、ギ酸n−アミル、ギ酸イソアミ
ル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n−プロピル、酢酸
イソプロピル、酢酸n−ブチル、酢酸イソブチル、酢酸
n−アミル、酢酸イソアミル、酢酸n−ヘキシル、プロ
ピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n
−プロピル、プロピオン酸イソプロピル、プロピオン酸
n−ブチル、プロピオン酸イソブチル、酪酸メチル、酪
酸エチル、酪酸n−プロピル、酪酸イソプロピル、酪酸
n−ブチル、酪酸イソブチル等の脂肪族カルボン酸エス
テル類;ヒドロキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ−2−
メチルプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−3−メチ
ル酪酸メチル、メトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸エチ
ル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプ
ロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、
3−エトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシブチル
アセテート、3−メチル−3−メトキシブチルアセテー
ト、3−メチル−3−メトキシブチルプロピオネート、
3−メチル−3−メトキシブチルブチレート、アセト酢
酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸メチル、ピル
ビン酸エチル等の他のエステル類;トルエン、キシレン
等の芳香族炭化水素類;メチルエチルケトン、メチルプ
ロピルケトン、メチルブチルケトン、2−ヘプタノン、
3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、シクロヘキサノン等
のケトン類;N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチ
ルホルムアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジ
メチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等のアミド
類;γ−ブチロラクトン等のラクトン類等を挙げること
ができる。これらの溶剤は、単独でまたは2種以上を混
合して使用することができ、その使用量は、組成物[I]
、組成物[II]および組成物[III] 中の全固形分100
重量部に対して、通常、20〜3,000重量部、好ま
しくは50〜3,000重量部、さらに好ましくは10
0〜2,000重量部である。
用に際して、全固形分の濃度が、例えば5〜50重量
%、好ましくは15〜40重量%となるように、溶剤に
均一に溶解したのち、例えば孔径0.2μm程度のフィ
ルターでろ過することにより、組成物溶液として調製さ
れる。前記組成物溶液の調製に使用される溶剤として
は、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル、エ
チレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコ
ールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブ
チルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエー
テル類;エチレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールモノプロピルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート
等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテー
ト類;ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチ
レングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコー
ルジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジブチル
エーテル等のジエチレングリコールジアルキルエーテル
類;プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピ
レングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノ
ブチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキル
エーテル類;プロピレングリコールジメチルエーテル、
プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレング
リコールジプロピルエーテル、プロピレングリコールジ
ブチルエーテル等のプロピレングリコールジアルキルエ
ーテル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルア
セテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルア
セテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテル
アセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテル
アセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエー
テルアセテート類;乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n−
プロピル、乳酸イソプロピル、乳酸n−ブチル、乳酸イ
ソブチル等の乳酸エステル類;ギ酸メチル、ギ酸エチ
ル、ギ酸n−プロピル、ギ酸イソプロピル、ギ酸n−ブ
チル、ギ酸イソブチル、ギ酸n−アミル、ギ酸イソアミ
ル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n−プロピル、酢酸
イソプロピル、酢酸n−ブチル、酢酸イソブチル、酢酸
n−アミル、酢酸イソアミル、酢酸n−ヘキシル、プロ
ピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n
−プロピル、プロピオン酸イソプロピル、プロピオン酸
n−ブチル、プロピオン酸イソブチル、酪酸メチル、酪
酸エチル、酪酸n−プロピル、酪酸イソプロピル、酪酸
n−ブチル、酪酸イソブチル等の脂肪族カルボン酸エス
テル類;ヒドロキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ−2−
メチルプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−3−メチ
ル酪酸メチル、メトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸エチ
ル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプ
ロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、
3−エトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシブチル
アセテート、3−メチル−3−メトキシブチルアセテー
ト、3−メチル−3−メトキシブチルプロピオネート、
3−メチル−3−メトキシブチルブチレート、アセト酢
酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸メチル、ピル
ビン酸エチル等の他のエステル類;トルエン、キシレン
等の芳香族炭化水素類;メチルエチルケトン、メチルプ
ロピルケトン、メチルブチルケトン、2−ヘプタノン、
3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、シクロヘキサノン等
のケトン類;N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチ
ルホルムアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジ
メチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等のアミド
類;γ−ブチロラクトン等のラクトン類等を挙げること
ができる。これらの溶剤は、単独でまたは2種以上を混
合して使用することができ、その使用量は、組成物[I]
、組成物[II]および組成物[III] 中の全固形分100
重量部に対して、通常、20〜3,000重量部、好ま
しくは50〜3,000重量部、さらに好ましくは10
0〜2,000重量部である。
【0033】レジストパターンの形成 組成物[I] 、組成物[II]および組成物[III] からレジス
トパターンを形成する際には、前記のようにして調製さ
れた各組成物溶液を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布
等の適宜の塗布手段によって、例えばシリコンウエハ
ー、アルミニウムで被覆されたウエハー等の基板上に塗
布することにより、レジスト被膜を形成し、場合により
予め加熱処理(以下、「プレベーク」という。)を行っ
たのち、所定のマスクパターンを介して露光する。その
際に使用される放射線としては、酸発生剤(B)の種類
に応じて、例えばi線(波長365nm)等の紫外線; A
rFエキシマレーザー(波長193nm)、 KrFエキシマレ
ーザー(波長248nm)等の遠紫外線;シンクロトロン
放射線等のX線;電子線等の荷電粒子線等を適宜選択し
て使用する。また、露光量等の露光条件は、各組成物の
配合組成、各添加剤の種類等に応じて、適宜選定され
る。本発明においては、レジスト被膜の見掛けの感度を
向上させるために、露光後に加熱処理(以下、「露光後
ベーク」という。)を行うことが好ましい。その加熱条
件は、組成物[I] 、組成物[II]および組成物[III] の配
合組成、各添加剤の種類等により変わるが、通常、30
〜200℃、好ましくは40〜150℃である。また、
前記レジストパターンの形成に際しては、環境雰囲気中
に含まれる塩基性不純物等の影響を防止するため、レジ
スト被膜上に保護膜を設けることもできる。次いで、ア
ルカリ現像液でアルカリ現像することにより、所定のレ
ジストパターンを形成する。前記アルカリ現像液として
は、例えばアルカリ金属水酸化物;アンモニア水;モノ
−、ジ−あるいはトリ−アルキルアミン類;モノ−、ジ
−あるいはトリ−アルカノールルアミン類;複素環式ア
ミン類;テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド類;
コリン;1,8−ジアザビシクロ−[5,4,0]−7
−ウンデセン;1,5−ジアザビシクロ−[4,3,
0]−5−ノネン等のアルカリ性化合物を、通常、1〜
10重量%、好ましくは1〜5重量%の濃度となるよう
に溶解したアルカリ性水溶液が使用される。これらのア
ルカリ性化合物は、単独でまたは2種以上を混合して使
用することができる。また、前記アルカリ性水溶液から
なる現像液には、例えばメタノール、エタノール等の水
溶性有機溶剤や界面活性剤を適量添加することもでき
る。なお、このようにアルカリ性水溶液からなる現像液
を使用する場合には、一般に、現像後水洗する。
トパターンを形成する際には、前記のようにして調製さ
れた各組成物溶液を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布
等の適宜の塗布手段によって、例えばシリコンウエハ
ー、アルミニウムで被覆されたウエハー等の基板上に塗
布することにより、レジスト被膜を形成し、場合により
予め加熱処理(以下、「プレベーク」という。)を行っ
たのち、所定のマスクパターンを介して露光する。その
際に使用される放射線としては、酸発生剤(B)の種類
に応じて、例えばi線(波長365nm)等の紫外線; A
rFエキシマレーザー(波長193nm)、 KrFエキシマレ
ーザー(波長248nm)等の遠紫外線;シンクロトロン
放射線等のX線;電子線等の荷電粒子線等を適宜選択し
て使用する。また、露光量等の露光条件は、各組成物の
配合組成、各添加剤の種類等に応じて、適宜選定され
る。本発明においては、レジスト被膜の見掛けの感度を
向上させるために、露光後に加熱処理(以下、「露光後
ベーク」という。)を行うことが好ましい。その加熱条
件は、組成物[I] 、組成物[II]および組成物[III] の配
合組成、各添加剤の種類等により変わるが、通常、30
〜200℃、好ましくは40〜150℃である。また、
前記レジストパターンの形成に際しては、環境雰囲気中
に含まれる塩基性不純物等の影響を防止するため、レジ
スト被膜上に保護膜を設けることもできる。次いで、ア
ルカリ現像液でアルカリ現像することにより、所定のレ
ジストパターンを形成する。前記アルカリ現像液として
は、例えばアルカリ金属水酸化物;アンモニア水;モノ
−、ジ−あるいはトリ−アルキルアミン類;モノ−、ジ
−あるいはトリ−アルカノールルアミン類;複素環式ア
ミン類;テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド類;
コリン;1,8−ジアザビシクロ−[5,4,0]−7
−ウンデセン;1,5−ジアザビシクロ−[4,3,
0]−5−ノネン等のアルカリ性化合物を、通常、1〜
10重量%、好ましくは1〜5重量%の濃度となるよう
に溶解したアルカリ性水溶液が使用される。これらのア
ルカリ性化合物は、単独でまたは2種以上を混合して使
用することができる。また、前記アルカリ性水溶液から
なる現像液には、例えばメタノール、エタノール等の水
溶性有機溶剤や界面活性剤を適量添加することもでき
る。なお、このようにアルカリ性水溶液からなる現像液
を使用する場合には、一般に、現像後水洗する。
【0034】
【実施例】以下実施例および比較例を挙げて、本発明を
さらに具体的に説明する。但し、本発明は、これらの実
施例に何ら制約されるものではない。ここで、Mwおよ
びMn(Mw/Mn)の測定並びに各レジストの評価
は、下記の要領で行った。MwおよびMw/Mn 東ソー(株)製GPCカラム(G2000HXL 2本、
G3000HXL 1本、G4000HXL 1本)を用
い、流量1.0ミリリットル/分、溶出溶媒テトラヒド
ロフラン、カラム温度40°Cの分析条件で、単分散ポ
リスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマト
グラフ法により測定した。感度 シリコンウエハー上に形成したレジスト被膜に露光した
のち、直ちに露光後ベークを行い、次いでアルカリ現像
したのち、水洗し、乾燥して、レジストパターンを形成
したとき、線幅0.5μmのライン・アンド・スペース
パターン(1L1S)を1対1の線幅に形成する露光量
を最適露光量とし、この最適露光量により感度を評価し
た。解像度 最適露光量で露光したときに解像されるレジストパター
ンの最小寸法(μm)を、解像度とした。パターン形状 シリコンウエハー上に形成した線幅0.5μmの1L1
Sの方形状断面の下辺の寸法La と上辺の寸法Lb と
を、走査型電子顕微鏡を用いて測定して、 0.85≦Lb /La ≦1 を満足し、かつ基板付近にパターンのえぐれやパターン
上層部の庇のないものを、パターン形状が“良好”であ
るとし、これらの条件の少なくとも1つを満たさないも
のを、パターン形状が“不良”であるとした。残膜率 レジストパターンの現像前の厚さに対する現像後の厚さ
の割合(%)を残膜率とした。プロセス安定性 シリコンウエハー上に形成したレジスト被膜に露光した
のち、直ちに露光後ベークおよびアルカリ現像を行った
レジストパターンと、露光後2時間放置して露光後ベー
クおよびアルカリ現像を行ったレジストパターンについ
て、前記評価要領に基づくパターン形状等を比較してプ
ロセス安定性を評価した。
さらに具体的に説明する。但し、本発明は、これらの実
施例に何ら制約されるものではない。ここで、Mwおよ
びMn(Mw/Mn)の測定並びに各レジストの評価
は、下記の要領で行った。MwおよびMw/Mn 東ソー(株)製GPCカラム(G2000HXL 2本、
G3000HXL 1本、G4000HXL 1本)を用
い、流量1.0ミリリットル/分、溶出溶媒テトラヒド
ロフラン、カラム温度40°Cの分析条件で、単分散ポ
リスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマト
グラフ法により測定した。感度 シリコンウエハー上に形成したレジスト被膜に露光した
のち、直ちに露光後ベークを行い、次いでアルカリ現像
したのち、水洗し、乾燥して、レジストパターンを形成
したとき、線幅0.5μmのライン・アンド・スペース
パターン(1L1S)を1対1の線幅に形成する露光量
を最適露光量とし、この最適露光量により感度を評価し
た。解像度 最適露光量で露光したときに解像されるレジストパター
ンの最小寸法(μm)を、解像度とした。パターン形状 シリコンウエハー上に形成した線幅0.5μmの1L1
Sの方形状断面の下辺の寸法La と上辺の寸法Lb と
を、走査型電子顕微鏡を用いて測定して、 0.85≦Lb /La ≦1 を満足し、かつ基板付近にパターンのえぐれやパターン
上層部の庇のないものを、パターン形状が“良好”であ
るとし、これらの条件の少なくとも1つを満たさないも
のを、パターン形状が“不良”であるとした。残膜率 レジストパターンの現像前の厚さに対する現像後の厚さ
の割合(%)を残膜率とした。プロセス安定性 シリコンウエハー上に形成したレジスト被膜に露光した
のち、直ちに露光後ベークおよびアルカリ現像を行った
レジストパターンと、露光後2時間放置して露光後ベー
クおよびアルカリ現像を行ったレジストパターンについ
て、前記評価要領に基づくパターン形状等を比較してプ
ロセス安定性を評価した。
【0035】重合体(A)の合成 合成例1 1−エトキシエチルアクリレート72g(0.5モル)
をプロピレングリコールモノメチルエーテル130g中
に溶解し、アゾビスイソブチロニトリル8gを添加した
のち、窒素雰囲気下、反応温度を80℃に保持して、1
0時間重合させた。重合後、反応溶液を大量の水中に滴
下して重合体を凝固させ、白色の粉末状重合体(A)
(収率60%)を得た。この重合体(A)は、Mwが2
5,500、Mw/Mnが1.8であった。この重合体
(A)を、重合体(A-1) とする。 合成例2 仕込み単量体を、1−メトキシエチルアクリレート65
g(0.5モル)に変更した以外は、合成例1と同様に
して、白色の粉末状重合体(A)(収率61%)を得
た。この重合体(A)は、Mwが30,000、Mw/
Mnが1.65であった。この重合体(A)を、重合体
(A-2) とする。 合成例3 仕込み単量体を、1−メトキシ−1−メチルエチルアク
リレート72.5g(0.5モル)に変更した以外は、
合成例1と同様にして、白色の粉末状重合体(A)(収
率63%)を得た。この重合体(A)は、Mwが32,
000、Mw/Mnが1.75であった。この重合体
(A)を、重合体(A-3) とする。 合成例4 仕込み単量体を、1−メトキシエチルメタクリレート7
1g(0.5モル)、メチルメタクリレート25.2g
(0.3モル)およびメタクリル酸16g(0.2モ
ル)に変更した以外は、合成例1と同様にして、白色の
粉末状重合体(A)(収率61%)を得た。この重合体
(A)は、Mwが30,000、Mw/Mnが1.65
であり、13C−NMR分析の結果、1−メトキシエチル
メタクリレート、メチルメタクリレートおよびメタクリ
ル酸の共重合比(モル比)は、48:31:21であっ
た。この重合体(A)を、重合体(A-4) とする。
をプロピレングリコールモノメチルエーテル130g中
に溶解し、アゾビスイソブチロニトリル8gを添加した
のち、窒素雰囲気下、反応温度を80℃に保持して、1
0時間重合させた。重合後、反応溶液を大量の水中に滴
下して重合体を凝固させ、白色の粉末状重合体(A)
(収率60%)を得た。この重合体(A)は、Mwが2
5,500、Mw/Mnが1.8であった。この重合体
(A)を、重合体(A-1) とする。 合成例2 仕込み単量体を、1−メトキシエチルアクリレート65
g(0.5モル)に変更した以外は、合成例1と同様に
して、白色の粉末状重合体(A)(収率61%)を得
た。この重合体(A)は、Mwが30,000、Mw/
Mnが1.65であった。この重合体(A)を、重合体
(A-2) とする。 合成例3 仕込み単量体を、1−メトキシ−1−メチルエチルアク
リレート72.5g(0.5モル)に変更した以外は、
合成例1と同様にして、白色の粉末状重合体(A)(収
率63%)を得た。この重合体(A)は、Mwが32,
000、Mw/Mnが1.75であった。この重合体
(A)を、重合体(A-3) とする。 合成例4 仕込み単量体を、1−メトキシエチルメタクリレート7
1g(0.5モル)、メチルメタクリレート25.2g
(0.3モル)およびメタクリル酸16g(0.2モ
ル)に変更した以外は、合成例1と同様にして、白色の
粉末状重合体(A)(収率61%)を得た。この重合体
(A)は、Mwが30,000、Mw/Mnが1.65
であり、13C−NMR分析の結果、1−メトキシエチル
メタクリレート、メチルメタクリレートおよびメタクリ
ル酸の共重合比(モル比)は、48:31:21であっ
た。この重合体(A)を、重合体(A-4) とする。
【0036】重合体(A')の合成 合成例5 2−テトラヒドロピラニルアクリレート78g(0.5
モル)をプロピレングリコールモノメチルエーテル80
g中に溶解し、アゾビスイソブチロニトリル8gを添加
したのち、窒素雰囲気下、反応温度を80℃に保持し
て、10時間重合させた。重合後、反応溶液を大量の水
中に滴下して重合体を凝固させ、白色の粉末状重合体
(A')(収率80%)を得た。この重合体(A')は、M
wが25,400、Mw/Mnが1.66であった。こ
の重合体(A')を、重合体(A'-1)とする。 合成例6 仕込み単量体を、2−テトラヒドロフラニルアクリレー
ト71g(0.5モル)に変更した以外は、合成例5と
同様にして、白色の粉末状重合体(A')(収率80%)
を得た。この重合体(A')は、Mwが32,000、M
w/Mnが1.70であった。この重合体(A')を、重
合体(A'-2)とする。 合成例7 仕込み単量体を、2−テトラヒドロピラニルアクリレー
ト78g(0.5モル)およびメチルメタクリレート4
2g(0.5モル)に変更した以外は、合成例5と同様
にして、白色の粉末状重合体(A')(収率80%)を得
た。この重合体(A')は、Mwが25,400、Mw/
Mnが1.66であり、13C−NMR分析の結果、2−
テトラヒドロピラニルアクリレートとメチルメタクリレ
ートとの共重合比(モル比)は、50:50であった。
この重合体(A')を、重合体(A'-3)とする。
モル)をプロピレングリコールモノメチルエーテル80
g中に溶解し、アゾビスイソブチロニトリル8gを添加
したのち、窒素雰囲気下、反応温度を80℃に保持し
て、10時間重合させた。重合後、反応溶液を大量の水
中に滴下して重合体を凝固させ、白色の粉末状重合体
(A')(収率80%)を得た。この重合体(A')は、M
wが25,400、Mw/Mnが1.66であった。こ
の重合体(A')を、重合体(A'-1)とする。 合成例6 仕込み単量体を、2−テトラヒドロフラニルアクリレー
ト71g(0.5モル)に変更した以外は、合成例5と
同様にして、白色の粉末状重合体(A')(収率80%)
を得た。この重合体(A')は、Mwが32,000、M
w/Mnが1.70であった。この重合体(A')を、重
合体(A'-2)とする。 合成例7 仕込み単量体を、2−テトラヒドロピラニルアクリレー
ト78g(0.5モル)およびメチルメタクリレート4
2g(0.5モル)に変更した以外は、合成例5と同様
にして、白色の粉末状重合体(A')(収率80%)を得
た。この重合体(A')は、Mwが25,400、Mw/
Mnが1.66であり、13C−NMR分析の結果、2−
テトラヒドロピラニルアクリレートとメチルメタクリレ
ートとの共重合比(モル比)は、50:50であった。
この重合体(A')を、重合体(A'-3)とする。
【0037】アルカリ可溶性樹脂(C)の合成 合成例8 p−t−ブトキシスチレン300g(1.7モル)、ス
チレン30g(0.3モル)およびアゾビスイソブチロ
ニトリル1.6gをジオキサン330g中に溶解したの
ち、窒素雰囲気下、反応温度を70℃に保持して、12
時間重合させた。重合後、反応溶液を大量のメタノール
中に滴下して生成樹脂を凝固させ、凝固した樹脂をジオ
キサン中に再溶解したのち、希硫酸を添加し、90℃で
10時間加水分解反応を行って、アルカリ可溶性樹脂
(C)(収率80%)を得た。この樹脂は、Mwが1
8,000、Mw/Mnが1.75であり、 13C−NM
R分析の結果、p−ヒドロキシスチレンとスチレンとの
共重合比(モル比)が、85:15であった。この樹脂
を、アルカリ可溶性樹脂(C-1) とする。 合成例9 p−t−ブトキシスチレン300g(1.7モル)およ
びアゾビスイソブチロニトリル1.6gをジオキサン3
00g中に溶解し、窒素雰囲気下、反応温度を60℃に
保持して、16時間重合させた。次いで合成例8と同様
にして、アルカリ可溶性樹脂(C)(収率80%)を得
た。この樹脂は、Mwが25,000、Mw/Mnが
1.54のポリ(p−ヒドロキシスチレン)であった。
この樹脂を、アルカリ可溶性樹脂(C-2) とする。 合成例10 スチレン52g(0.5モル)、メタクリル酸130g
(1.5モル)およびアゾビスイソブチロニトリル1.
6gをテトラヒドロフラン300g中に溶解し、窒素雰
囲気下、反応温度を60℃に保持して、6時間重合させ
た。次いで合成例8と同様に処理して、アルカリ可溶性
樹脂(C)(収率80%)を得た。この樹脂は、Mwが
28,000、Mw/Mnが2.31であり、 13C−N
MR分析の結果、スチレンとメタクリル酸との共重合比
(モル比)が、14:86であった。この樹脂を、アル
カリ可溶性樹脂(C-3) とする。
チレン30g(0.3モル)およびアゾビスイソブチロ
ニトリル1.6gをジオキサン330g中に溶解したの
ち、窒素雰囲気下、反応温度を70℃に保持して、12
時間重合させた。重合後、反応溶液を大量のメタノール
中に滴下して生成樹脂を凝固させ、凝固した樹脂をジオ
キサン中に再溶解したのち、希硫酸を添加し、90℃で
10時間加水分解反応を行って、アルカリ可溶性樹脂
(C)(収率80%)を得た。この樹脂は、Mwが1
8,000、Mw/Mnが1.75であり、 13C−NM
R分析の結果、p−ヒドロキシスチレンとスチレンとの
共重合比(モル比)が、85:15であった。この樹脂
を、アルカリ可溶性樹脂(C-1) とする。 合成例9 p−t−ブトキシスチレン300g(1.7モル)およ
びアゾビスイソブチロニトリル1.6gをジオキサン3
00g中に溶解し、窒素雰囲気下、反応温度を60℃に
保持して、16時間重合させた。次いで合成例8と同様
にして、アルカリ可溶性樹脂(C)(収率80%)を得
た。この樹脂は、Mwが25,000、Mw/Mnが
1.54のポリ(p−ヒドロキシスチレン)であった。
この樹脂を、アルカリ可溶性樹脂(C-2) とする。 合成例10 スチレン52g(0.5モル)、メタクリル酸130g
(1.5モル)およびアゾビスイソブチロニトリル1.
6gをテトラヒドロフラン300g中に溶解し、窒素雰
囲気下、反応温度を60℃に保持して、6時間重合させ
た。次いで合成例8と同様に処理して、アルカリ可溶性
樹脂(C)(収率80%)を得た。この樹脂は、Mwが
28,000、Mw/Mnが2.31であり、 13C−N
MR分析の結果、スチレンとメタクリル酸との共重合比
(モル比)が、14:86であった。この樹脂を、アル
カリ可溶性樹脂(C-3) とする。
【0038】比較重合体の合成 比較合成例1 ポリ(p−ビニルフェノール)12gおよびトリエチル
アミン5gをジオキサン50g中に溶解した溶液に、攪
拌下で、ジ−t−ブチルカーボネート7.0gを添加
し、室温でさらに6時間攪拌したのち、シュウ酸を添加
してトリエチルアミンを中和した。次いで、反応溶液を
大量の水中に滴下して重合体を凝固させ、凝固した重合
体を純水で数回洗浄して、白色の重合体(収率85%)
を得た。得られた重合体は、Mwが9,200、Mw/
Mnが2.8であり、 13C−NMR分析の結果、ポリ
(p−ビニルフェノール)中のフェノール性水酸基の水
素原子の30%がt−ブトキシカルボニル基で置換され
た構造を有するものであった。この重合体を、重合体
(α) とする。 比較合成例2 p−ビニルフェノール24gおよびt−ブチルメタクリ
レート19gをジオキサン50g中に溶解したのち、合
成例5と同様にして、白色の重合体(収率65%)を得
た。得られた重合体は、Mwが23,000、Mw/M
nが2.3であり、 13C−NMR分析の結果、p−ビニ
ルフェノールとt−ブチルメタクリレートとの共重合比
(モル比)が、約7:3であった。この重合体を、重合
体(β) とする。
アミン5gをジオキサン50g中に溶解した溶液に、攪
拌下で、ジ−t−ブチルカーボネート7.0gを添加
し、室温でさらに6時間攪拌したのち、シュウ酸を添加
してトリエチルアミンを中和した。次いで、反応溶液を
大量の水中に滴下して重合体を凝固させ、凝固した重合
体を純水で数回洗浄して、白色の重合体(収率85%)
を得た。得られた重合体は、Mwが9,200、Mw/
Mnが2.8であり、 13C−NMR分析の結果、ポリ
(p−ビニルフェノール)中のフェノール性水酸基の水
素原子の30%がt−ブトキシカルボニル基で置換され
た構造を有するものであった。この重合体を、重合体
(α) とする。 比較合成例2 p−ビニルフェノール24gおよびt−ブチルメタクリ
レート19gをジオキサン50g中に溶解したのち、合
成例5と同様にして、白色の重合体(収率65%)を得
た。得られた重合体は、Mwが23,000、Mw/M
nが2.3であり、 13C−NMR分析の結果、p−ビニ
ルフェノールとt−ブチルメタクリレートとの共重合比
(モル比)が、約7:3であった。この重合体を、重合
体(β) とする。
【0039】実施例1〜14、比較例1〜4 表1(但し、部は重量に基づく。)に示す各成分を混合
して均一溶液としたのち、孔径0.2μmのメンブレン
フィルターでろ過して、組成物溶液を調製した。その
後、各組成物溶液をシリコンウエハー上にスピンコート
したのち、90℃で120秒間プレベークを行って、膜
厚1.0μmのレジスト被膜を形成した。次いで、表2
に示す条件で露光および露光後ベークを行ったのち、
2.38重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
水溶液を用い、23℃で1分間、浸漬法によりアルカリ
現像し、純水で水洗し、乾燥して、レジストパターンを
形成した。各レジストの評価結果を、表3に示す。
して均一溶液としたのち、孔径0.2μmのメンブレン
フィルターでろ過して、組成物溶液を調製した。その
後、各組成物溶液をシリコンウエハー上にスピンコート
したのち、90℃で120秒間プレベークを行って、膜
厚1.0μmのレジスト被膜を形成した。次いで、表2
に示す条件で露光および露光後ベークを行ったのち、
2.38重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
水溶液を用い、23℃で1分間、浸漬法によりアルカリ
現像し、純水で水洗し、乾燥して、レジストパターンを
形成した。各レジストの評価結果を、表3に示す。
【0040】
【表1】
【0041】ここで、各実施例および比較例における酸
発生剤(B)、アルカリ可溶性樹脂(C)(但し、(C
-1) 〜(C-3) を除く。) 、酸拡散制御剤(D)および
溶剤は、下記の通りである。 酸発生剤(B) (B-1) :トリフェニルスルホニウムトリフレート (B-2) :N−(カンファニルスルホニルオキシ)ビシ
クロ−[2,2,1]−ヘプト−5−エン−2,3−ジ
カルボキシミド (B-3) :ピロガロールメタンスルホン酸トリエステル (B-4) :N−(トリフルオロメチルスルホニルオキ
シ)ビシクロ−[2,2,1]−ヘプト−5−エン−
2,3−ジカルボキシミド (B-5) :ビス( シクロヘキシルスルホニル) ジアゾメ
タン アルカリ可溶性樹脂(C) (C-4) :水素添加ポリ(ヒドロキシスチレン)(商品
名PHM−C、丸善石油化学製) 酸拡散制御剤(D) (D-1) :ジアミノジフェニルメタン (D-2) :ニコチン酸アミド (D-3) :トリヘキシルアミン (D-4) :ベンズイミダゾール 溶剤 EL :乳酸エチル MMP :3−メトキシプロピオン酸メチル PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート
発生剤(B)、アルカリ可溶性樹脂(C)(但し、(C
-1) 〜(C-3) を除く。) 、酸拡散制御剤(D)および
溶剤は、下記の通りである。 酸発生剤(B) (B-1) :トリフェニルスルホニウムトリフレート (B-2) :N−(カンファニルスルホニルオキシ)ビシ
クロ−[2,2,1]−ヘプト−5−エン−2,3−ジ
カルボキシミド (B-3) :ピロガロールメタンスルホン酸トリエステル (B-4) :N−(トリフルオロメチルスルホニルオキ
シ)ビシクロ−[2,2,1]−ヘプト−5−エン−
2,3−ジカルボキシミド (B-5) :ビス( シクロヘキシルスルホニル) ジアゾメ
タン アルカリ可溶性樹脂(C) (C-4) :水素添加ポリ(ヒドロキシスチレン)(商品
名PHM−C、丸善石油化学製) 酸拡散制御剤(D) (D-1) :ジアミノジフェニルメタン (D-2) :ニコチン酸アミド (D-3) :トリヘキシルアミン (D-4) :ベンズイミダゾール 溶剤 EL :乳酸エチル MMP :3−メトキシプロピオン酸メチル PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート
【0042】
【表2】
【0043】
【表3】
【0044】
【発明の効果】本発明の感放射線性樹脂組成物は、とく
に解像度およびパターン形状が優れるとともに、感度、
現像性、プロセス安定性等にも優れ、またコントラス
ト、耐熱性、基板との剥離性や接着性、ドライエッチン
グ耐性等も良好であり、高精度の微細パターンを安定し
て形成することができる。しかも、本発明の感放射線性
樹脂組成物は、紫外線、遠紫外線、X線あるいは荷電粒
子線の如き各種放射線に有効に感応するものである。し
たがって、本発明の感放射線性樹脂組成物は、今後さら
に微細化が進行すると予想される半導体デバイス製造用
の化学増幅型ポジ型レジストとして極めて好適に使用す
ることができる。
に解像度およびパターン形状が優れるとともに、感度、
現像性、プロセス安定性等にも優れ、またコントラス
ト、耐熱性、基板との剥離性や接着性、ドライエッチン
グ耐性等も良好であり、高精度の微細パターンを安定し
て形成することができる。しかも、本発明の感放射線性
樹脂組成物は、紫外線、遠紫外線、X線あるいは荷電粒
子線の如き各種放射線に有効に感応するものである。し
たがって、本発明の感放射線性樹脂組成物は、今後さら
に微細化が進行すると予想される半導体デバイス製造用
の化学増幅型ポジ型レジストとして極めて好適に使用す
ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/027
Claims (3)
- 【請求項1】 下記一般式(1)で表される繰返し単位
を有する重合体(A)および感放射線性酸発生剤(B)
を含有する感放射線性樹脂組成物。 【化1】 〔一般式(1)において、A は2価の酸素原子または2
価の硫黄原子を示し、R1は水素原子またはメチル基を示
し、R2、R3、R4、R5およびR6は相互に同一でも異なって
もよく、水素原子、アルキル基、アルコキシル基、アル
キルチオ基、アリール基、アリールオキシ基またはアラ
ルキル基を示す。〕 - 【請求項2】 請求項1記載の重合体(A)、感放射線
性酸発生剤(B)およびアルカリ可溶性樹脂(C)を含
有する感放射線性樹脂組成物。 - 【請求項3】 下記一般式(2)で表される繰返し単位
を有する重合体(A')、感放射線性酸発生剤(B)、ア
ルカリ可溶性樹脂(C)および酸拡散制御剤(D)を含
有する感放射線性樹脂組成物。 【化2】 〔一般式(2)において、A は2価の酸素原子または2
価の硫黄原子を示し、R7は水素原子またはメチル基を示
し、R8、R9およびR10 は相互に同一でも異なってもよ
く、水素原子、アルキル基、アルコキシル基、アルキル
チオ基、アリール基、アリールオキシ基またはアラルキ
ル基を示し、複数存在するR9あるいはR10 はそれぞれ同
一でも異なってもよく、nは1以上の整数である。〕
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6259755A JPH08101506A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 感放射線性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6259755A JPH08101506A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 感放射線性樹脂組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08101506A true JPH08101506A (ja) | 1996-04-16 |
Family
ID=17338508
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6259755A Pending JPH08101506A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 感放射線性樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08101506A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11167206A (ja) * | 1997-12-03 | 1999-06-22 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物 |
US6884562B1 (en) | 1998-10-27 | 2005-04-26 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photoresists and processes for microlithography |
JP2007072183A (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
US7927778B2 (en) | 2004-12-29 | 2011-04-19 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemically amplified positive photoresist composition for thick film, thick-film photoresist laminated product, manufacturing method for thick-film resist pattern, and manufacturing method for connection terminal |
US7951522B2 (en) | 2004-12-29 | 2011-05-31 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemically amplified positive photoresist composition for thick film, thick-film photoresist laminated product, manufacturing method for thick-film resist pattern, and manufacturing method for connection terminal |
-
1994
- 1994-09-30 JP JP6259755A patent/JPH08101506A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11167206A (ja) * | 1997-12-03 | 1999-06-22 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物 |
US6884562B1 (en) | 1998-10-27 | 2005-04-26 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photoresists and processes for microlithography |
US7261993B2 (en) | 1998-10-27 | 2007-08-28 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Photoresists and processes for microlithography |
US7927778B2 (en) | 2004-12-29 | 2011-04-19 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemically amplified positive photoresist composition for thick film, thick-film photoresist laminated product, manufacturing method for thick-film resist pattern, and manufacturing method for connection terminal |
US7951522B2 (en) | 2004-12-29 | 2011-05-31 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemically amplified positive photoresist composition for thick film, thick-film photoresist laminated product, manufacturing method for thick-film resist pattern, and manufacturing method for connection terminal |
JP2007072183A (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
JP4663459B2 (ja) * | 2005-09-07 | 2011-04-06 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
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