JPH0799759B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0799759B2 JPH0799759B2 JP60153580A JP15358085A JPH0799759B2 JP H0799759 B2 JPH0799759 B2 JP H0799759B2 JP 60153580 A JP60153580 A JP 60153580A JP 15358085 A JP15358085 A JP 15358085A JP H0799759 B2 JPH0799759 B2 JP H0799759B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- semiconductor device
- insulating film
- wiring
- gebpsg
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体装置の製造方法のうち、特に絶縁膜の形
成方法に関する。
成方法に関する。
ICなどの半導体装置は、LSI,VLSIと高度に集積化されて
いるが、それは微細化・高集積化されるほど、高速動作
などの性能を向上する利点があるからである。
いるが、それは微細化・高集積化されるほど、高速動作
などの性能を向上する利点があるからである。
一方、ICを微細化・高集積化すれば、その上面で微細素
子を接続するための配線が複雑になつて、２層,3層と多
層に配線が形成されるようになつてきた。
子を接続するための配線が複雑になつて、２層,3層と多
層に配線が形成されるようになつてきた。
このような多層配線は、層間に絶縁膜を介して形成され
るが、段差の激しい面に配線を形成することになつて、
配線が断線したり、短絡したりし易くなる。従つて、層
間絶縁膜の表面を出来るだけ平坦にすることが望まれて
いる。
るが、段差の激しい面に配線を形成することになつて、
配線が断線したり、短絡したりし易くなる。従つて、層
間絶縁膜の表面を出来るだけ平坦にすることが望まれて
いる。
［従来の技術と発明が解決しようとする問題点］ 従来より、表面の平坦化には、種々の方法が採られてい
るが、それらは工程が複雑になる等の欠点があつたり、
また、十分に平坦化されない場合も多い。そのうち、最
も簡単で形成が容易と考えられる平坦化法に、溶液を表
面に塗布し、これをベーキングして固着させる方法があ
り、第２図にその一例の構造断面図を示している。
るが、それらは工程が複雑になる等の欠点があつたり、
また、十分に平坦化されない場合も多い。そのうち、最
も簡単で形成が容易と考えられる平坦化法に、溶液を表
面に塗布し、これをベーキングして固着させる方法があ
り、第２図にその一例の構造断面図を示している。
第２図において、１は半導体基板,2は多結晶シリコンか
らなる配線,3は燐シリケートガラス（PSG）膜,4はスピ
ンオングラス膜である。この形成方法の概要は、配線２
の上に化学気相成長（CVD）法でPSG膜を被着し、その上
に、スピンオングラス溶液を塗布する。そうすると、表
面が平坦になつて、次に、約400℃の温度で熱処理して
溶液を固着させる。
らなる配線,3は燐シリケートガラス（PSG）膜,4はスピ
ンオングラス膜である。この形成方法の概要は、配線２
の上に化学気相成長（CVD）法でPSG膜を被着し、その上
に、スピンオングラス溶液を塗布する。そうすると、表
面が平坦になつて、次に、約400℃の温度で熱処理して
溶液を固着させる。
このスピンオングラス（Spin on Glass）はシリコン化
合物を有機溶剤に溶かしたもので、低温度で処理して溶
媒を飛ばし、酸化シリコン（SiO2）膜を残存させる。こ
の残存膜は絶縁性が良いから、層間の平坦化絶縁膜とし
ての役目を果たすことができるものである。
合物を有機溶剤に溶かしたもので、低温度で処理して溶
媒を飛ばし、酸化シリコン（SiO2）膜を残存させる。こ
の残存膜は絶縁性が良いから、層間の平坦化絶縁膜とし
ての役目を果たすことができるものである。
また、スピンオングラスの他に、PLOSと呼ばれるものも
あり、同様に有機樹脂系で、同様の性質を有するため、
スピンオングラスと同じく配線層間の平坦化に利用され
ている。
あり、同様に有機樹脂系で、同様の性質を有するため、
スピンオングラスと同じく配線層間の平坦化に利用され
ている。
このように、溶液を塗布する方法は形成が容易で、平坦
性に優れている。しかし、その絶縁膜は有機樹脂が膜中
に残存するため、耐湿性が十分でなく、且つ、他の不純
物も含有していて、ICに悪影響を与える必要があること
が判つてきた。
性に優れている。しかし、その絶縁膜は有機樹脂が膜中
に残存するため、耐湿性が十分でなく、且つ、他の不純
物も含有していて、ICに悪影響を与える必要があること
が判つてきた。
本発明は、このような心配がなく、形成が容易で、且つ
平坦化に優れている形成方法を提案するものである。
平坦化に優れている形成方法を提案するものである。
［問題点を解決するための手段］ その問題は、絶縁膜上にゲルマニウムを含む硼素燐シリ
ケートガラス（Ge BSPG）を被着し、該ゲルマニウムを
含む硼素燐シリケートガラスを溶融して、表面を平坦に
する工程が含まれる半導体装置の製造方法によって解決
される。
ケートガラス（Ge BSPG）を被着し、該ゲルマニウムを
含む硼素燐シリケートガラスを溶融して、表面を平坦に
する工程が含まれる半導体装置の製造方法によって解決
される。
［作用］ 即ち、本発明はPSG膜よりも融点の低いGeBPSGを、PSG膜
の上に気相成長させて、これを溶融して平坦化させる。
の上に気相成長させて、これを溶融して平坦化させる。
そうすると、耐湿性の良いこれらの絶縁膜で平坦な表面
が形成される。
が形成される。
［実施例］ 以下、図面を参照して実施例によつて詳細に説明する。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明にかかる形成工程順断面
図を示しており、まず、同図（ａ）に示すように、半導
体基板１に設けた多結晶シリコン配線２の上に、CVD法
によつて膜厚5000Å程度のPSG膜３を被着する。次い
で、同図（ｂ）に示すように、その上に同程度の膜厚の
GeBPSG膜５を被着する。PSG膜3,GeBPSG膜５は共にCVD法
で被着するため、同一CVD装置内で引き続いて成長する
ことができる。
図を示しており、まず、同図（ａ）に示すように、半導
体基板１に設けた多結晶シリコン配線２の上に、CVD法
によつて膜厚5000Å程度のPSG膜３を被着する。次い
で、同図（ｂ）に示すように、その上に同程度の膜厚の
GeBPSG膜５を被着する。PSG膜3,GeBPSG膜５は共にCVD法
で被着するため、同一CVD装置内で引き続いて成長する
ことができる。
次いで、第１図（ｃ）に示すように、GeBPSG膜５を加熱
溶融して、表面を平坦化する。それには、高湿酸素中で
炭酸ガスレーザアニール、または、ランプアニールする
方法が適当である。そうすると、PSG膜３を溶融させる
ことなく、GeBPSG膜５を溶かして、表面を平坦にするこ
とができる。
溶融して、表面を平坦化する。それには、高湿酸素中で
炭酸ガスレーザアニール、または、ランプアニールする
方法が適当である。そうすると、PSG膜３を溶融させる
ことなく、GeBPSG膜５を溶かして、表面を平坦にするこ
とができる。
GeBPSG膜の融点は、PSG膜の融点が約1050℃、BPSG（硼
素燐シリケートガラス）膜の融点が950℃程度であるの
に対し、800℃程度と低く、PSG膜やBPSG膜に比較してよ
り低温で軟化溶融し、絶縁膜の段差をより低温で確実に
埋めることができ、基板に形成されている半導体素子に
及ぼす熱の影響がより少なくなる。このGeBPSG膜はBPSG
膜に数重量％のゲルマニウム（Ge）を含有させた材料で
ある。なお、上記したBPSG膜は、SiO2の中に燐（Ｐ），
硼素（Ｂ）がそれぞれ４重量％含まれている材料であ
る。
素燐シリケートガラス）膜の融点が950℃程度であるの
に対し、800℃程度と低く、PSG膜やBPSG膜に比較してよ
り低温で軟化溶融し、絶縁膜の段差をより低温で確実に
埋めることができ、基板に形成されている半導体素子に
及ぼす熱の影響がより少なくなる。このGeBPSG膜はBPSG
膜に数重量％のゲルマニウム（Ge）を含有させた材料で
ある。なお、上記したBPSG膜は、SiO2の中に燐（Ｐ），
硼素（Ｂ）がそれぞれ４重量％含まれている材料であ
る。
上記実施例のように、本発明の形成方法はその形成が簡
単であつて、平坦化膜の耐湿性は良く、不純物の含有も
少ないく、勿論、有機物は含有していない。しかも、平
坦性は溶液塗布法と同様に優れているので、最良の平坦
化法である。
単であつて、平坦化膜の耐湿性は良く、不純物の含有も
少ないく、勿論、有機物は含有していない。しかも、平
坦性は溶液塗布法と同様に優れているので、最良の平坦
化法である。
［発明の効果］ 以上の説明から明らかなように、本発明によれば耐湿性
が良く、平坦性の優れた絶縁膜が容易に形成される。従
って、ICの信頼性・品質向上に顕著に役立つものであ
る。
が良く、平坦性の優れた絶縁膜が容易に形成される。従
って、ICの信頼性・品質向上に顕著に役立つものであ
る。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明にかかる形成工程順断面
図、 第２図は従来の構造断面図である。 図において、 １は半導体基板、 ２は多結晶シリコン配線、 ３はPSG膜、 ４はスピンオングラス膜、 ５はGeBPSG膜 を示している。
図、 第２図は従来の構造断面図である。 図において、 １は半導体基板、 ２は多結晶シリコン配線、 ３はPSG膜、 ４はスピンオングラス膜、 ５はGeBPSG膜 を示している。
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁膜上にそれよりも融点が低いゲルマニ
ウムを含む硼素燐シリケートガラスを被着し、該ゲルマ
ニウムを含む硼素燐シリケートガラスを溶融して、前記
絶縁膜の表面を平坦化する工程が含まれてなることを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60153580A JPH0799759B2 (ja) | 1985-07-11 | 1985-07-11 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60153580A JPH0799759B2 (ja) | 1985-07-11 | 1985-07-11 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6214444A JPS6214444A (ja) | 1987-01-23 |
| JPH0799759B2 true JPH0799759B2 (ja) | 1995-10-25 |
Family
ID=15565595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60153580A Expired - Lifetime JPH0799759B2 (ja) | 1985-07-11 | 1985-07-11 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0799759B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69024578T2 (de) * | 1989-09-28 | 1996-09-19 | Applied Materials Inc | Integrierte Schaltungsstruktur mit einer zusammengesetzten Borphosphorsilikatglasschicht auf einer Halbleiterscheibe und verbesserte Herstellungsmethode dafür |
| US5215933A (en) * | 1990-05-11 | 1993-06-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing nonvolatile semiconductor memory device |
| US5474955A (en) * | 1993-08-06 | 1995-12-12 | Micron Technology, Inc. | Method for optimizing thermal budgets in fabricating semconductors |
| US5409858A (en) * | 1993-08-06 | 1995-04-25 | Micron Semiconductor, Inc. | Method for optimizing thermal budgets in fabricating semiconductors |
| JPH07249683A (ja) * | 1993-10-12 | 1995-09-26 | Texas Instr Inc <Ti> | 低温リフロー用非均一複合ドープ膜およびその形成方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6081840A (ja) * | 1983-10-11 | 1985-05-09 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1985
- 1985-07-11 JP JP60153580A patent/JPH0799759B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6214444A (ja) | 1987-01-23 |
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