JPH0797229A - 光ファイバ母材の製造方法 - Google Patents
光ファイバ母材の製造方法Info
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- G02B6/02—Optical fibres with cladding with or without a coating
- G02B6/036—Optical fibres with cladding with or without a coating core or cladding comprising multiple layers
- G02B6/03616—Optical fibres characterised both by the number of different refractive index layers around the central core segment, i.e. around the innermost high index core layer, and their relative refractive index difference
- G02B6/03622—Optical fibres characterised both by the number of different refractive index layers around the central core segment, i.e. around the innermost high index core layer, and their relative refractive index difference having 2 layers only
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 中心コアとなるＳｉＯ2 系ガラスロッドの周
りにのＦドープ量の異なるＳｉＯ2 系ガラスからなる階
段状サイドコアとクラッディングとを同時に形成する分
散シフトファイバ母材の簡単な製造方法を提供する。 【構成】 予め、ＶＡＤ法などにより中心コアとなるＧ
ｅＯ2 −ＳｉＯ2 ロッドを用意する。このロッドの周り
に内側が外側に比べてかさ密度の大きなＧｅＯ2−Ｓｉ
Ｏ2 スートもしくは純粋ＳｉＯ2 スートと純粋ＳｉＯ2
スートを２層外付け法により形成する。内側のスート層
は階段状サイドコア、外側のスート層はクラッディング
となる。次に、このロッドを塩素含有ガス雰囲気で脱水
後、Ｆ含有ガス雰囲気で熱処理して、Ｆの含有量が内側
が外側に比べて少ないスートを得、その後透明ガラス化
して中心コアとなるＧｅＯ2 −ＳｉＯ2 の周りに階段状
サイドコアとなるＧｅＯ2 −Ｆ−ＳｉＯ2 もしくはＦ−
ＳｉＯ2 およびクラッディングとなるＦ−ＳｉＯ2 を有
する母材とする。
りにのＦドープ量の異なるＳｉＯ2 系ガラスからなる階
段状サイドコアとクラッディングとを同時に形成する分
散シフトファイバ母材の簡単な製造方法を提供する。 【構成】 予め、ＶＡＤ法などにより中心コアとなるＧ
ｅＯ2 −ＳｉＯ2 ロッドを用意する。このロッドの周り
に内側が外側に比べてかさ密度の大きなＧｅＯ2−Ｓｉ
Ｏ2 スートもしくは純粋ＳｉＯ2 スートと純粋ＳｉＯ2
スートを２層外付け法により形成する。内側のスート層
は階段状サイドコア、外側のスート層はクラッディング
となる。次に、このロッドを塩素含有ガス雰囲気で脱水
後、Ｆ含有ガス雰囲気で熱処理して、Ｆの含有量が内側
が外側に比べて少ないスートを得、その後透明ガラス化
して中心コアとなるＧｅＯ2 −ＳｉＯ2 の周りに階段状
サイドコアとなるＧｅＯ2 −Ｆ−ＳｉＯ2 もしくはＦ−
ＳｉＯ2 およびクラッディングとなるＦ−ＳｉＯ2 を有
する母材とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、分散シフトファイバ
のような複雑な屈折率分布を有する光ファイバ母材の製
造方法に関するものである。
のような複雑な屈折率分布を有する光ファイバ母材の製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】１．５５μｍにおいて波長分散が零にな
る１．５５μｍ分散シフトファイバは、長距離化、大容
量化を必要とする伝送システムにおいて大変重要な役割
をなしている。その一般的な１．５５μｍ分散シフトフ
ァイバの屈折率分布は図３のような複雑な形をしてい
る。図３において、ａは中心コアでＧｅＯ2 −ＳｉＯ2
からなり、純粋ＳｉＯ2 との比屈折率差Δ＝０．８％で
ある。ｂは中心コアの周りに形成された階段状のサイド
コアでＧｅＯ2 −ＳｉＯ2 からなり、純粋ＳｉＯ2との
比屈折率差Δ＝０．１５％である。ｃは階段状サイドコ
ア２の周りに形成されたクラッディングで純粋ＳｉＯ2
からなる。
る１．５５μｍ分散シフトファイバは、長距離化、大容
量化を必要とする伝送システムにおいて大変重要な役割
をなしている。その一般的な１．５５μｍ分散シフトフ
ァイバの屈折率分布は図３のような複雑な形をしてい
る。図３において、ａは中心コアでＧｅＯ2 −ＳｉＯ2
からなり、純粋ＳｉＯ2 との比屈折率差Δ＝０．８％で
ある。ｂは中心コアの周りに形成された階段状のサイド
コアでＧｅＯ2 −ＳｉＯ2 からなり、純粋ＳｉＯ2との
比屈折率差Δ＝０．１５％である。ｃは階段状サイドコ
ア２の周りに形成されたクラッディングで純粋ＳｉＯ2
からなる。
【０００３】この種ファイバの作製方法は、図４に示す
ようなＶＡＤ法が一般的である。すなわち、コア用バー
ナ１およびコア用サイドバーナ２を用いて火炎加水分解
およびまたは熱酸化反応により出発部材７の周りにＧｅ
Ｏ2 −ＳｉＯ2 からなる中心コア４および階段状サイド
コア５となるスートを作製する。なお、このときコア用
バーナ１に供給されるＧｅＯ2 生成原料ガスの量がコア
用サイドバーナ２に供給されるよりも大とされる。さら
に、このコア用スートの周りにクラッディング用サイド
バーナ３を用いて純粋ＳｉＯ2 からなるクラッディング
の一部となるスート６を作製して多孔質プリフォームと
する。これを脱水、透明ガラス化して中間母材とする。
この中間母材に所望の純粋ＳｉＯ2 スートを外付けした
後透明ガラス化して残りのクラッディング層とし最終的
に１．５５μｍ分散シフトファイバ母材とする。このよ
うにコア、クラッディングの組成がＧｅＯ2 、ＳｉＯ2
の場合には、上記方法で何等問題はない。
ようなＶＡＤ法が一般的である。すなわち、コア用バー
ナ１およびコア用サイドバーナ２を用いて火炎加水分解
およびまたは熱酸化反応により出発部材７の周りにＧｅ
Ｏ2 −ＳｉＯ2 からなる中心コア４および階段状サイド
コア５となるスートを作製する。なお、このときコア用
バーナ１に供給されるＧｅＯ2 生成原料ガスの量がコア
用サイドバーナ２に供給されるよりも大とされる。さら
に、このコア用スートの周りにクラッディング用サイド
バーナ３を用いて純粋ＳｉＯ2 からなるクラッディング
の一部となるスート６を作製して多孔質プリフォームと
する。これを脱水、透明ガラス化して中間母材とする。
この中間母材に所望の純粋ＳｉＯ2 スートを外付けした
後透明ガラス化して残りのクラッディング層とし最終的
に１．５５μｍ分散シフトファイバ母材とする。このよ
うにコア、クラッディングの組成がＧｅＯ2 、ＳｉＯ2
の場合には、上記方法で何等問題はない。
【０００４】しかしながら、屈折率分布の形状は図３と
同じであるが、ガラス組成がＦを含む図１〜２のような
ものがある。これらの場合、後述する理由により上記方
法は採用できない。ここで、図１における中心コアａは
ＧｅＯ2 −ＳｉＯ2 からなり、純粋ＳｉＯ2 との比屈折
率差Δ＝０．７〜０．９％、階段状サイドコアｂはＧｅ
Ｏ2 −Ｆ−ＳｉＯ2 からなり、純粋ＳｉＯ2 との比屈折
率差Δ＝０〜−０．１％、クラッディングｃはＦ−Ｓｉ
Ｏ2 からなり、純粋ＳｉＯ2 との比屈折率差Δ＝−０．
２０〜−０．２５％である。また、図２における中心コ
アａはＧｅＯ2 −ＳｉＯ2 からなり、純粋ＳｉＯ2との
比屈折率差Δ＝０．５〜０．８％、階段状サイドコアｂ
およびクラッディングｃはＦ−ＳｉＯ2 からなり、純粋
ＳｉＯ2 との比屈折率差はそれぞれΔ＝−０．１０〜−
０．２０％、Δ＝−０．２５〜−０．４０％である。
同じであるが、ガラス組成がＦを含む図１〜２のような
ものがある。これらの場合、後述する理由により上記方
法は採用できない。ここで、図１における中心コアａは
ＧｅＯ2 −ＳｉＯ2 からなり、純粋ＳｉＯ2 との比屈折
率差Δ＝０．７〜０．９％、階段状サイドコアｂはＧｅ
Ｏ2 −Ｆ−ＳｉＯ2 からなり、純粋ＳｉＯ2 との比屈折
率差Δ＝０〜−０．１％、クラッディングｃはＦ−Ｓｉ
Ｏ2 からなり、純粋ＳｉＯ2 との比屈折率差Δ＝−０．
２０〜−０．２５％である。また、図２における中心コ
アａはＧｅＯ2 −ＳｉＯ2 からなり、純粋ＳｉＯ2との
比屈折率差Δ＝０．５〜０．８％、階段状サイドコアｂ
およびクラッディングｃはＦ−ＳｉＯ2 からなり、純粋
ＳｉＯ2 との比屈折率差はそれぞれΔ＝−０．１０〜−
０．２０％、Δ＝−０．２５〜−０．４０％である。
【０００５】図１の組成を持つ母材の製法としては、ま
ずＶＡＤ法によって中心コアとなるＧｅＯ2 −ＳｉＯ2
スートプリフォームを作製し、これを脱水、透明ガラス
化して中心コア母材とする。次に、この中心コア母材の
周りに外付け法によりＧｅＯ2 −ＳｉＯ2 スートを作製
し、これを脱水後透明ガラス化するときに所定の濃度の
Ｆ含有ガス雰囲気で処理してＧｅＯ2 −ＳｉＯ2 中心コ
ア上にＧｅＯ2 −Ｆ−ＳｉＯ2 からなる階段状サイドコ
アを作製する。次に、この中心コア一階段状サイドコア
からなるロッドの周りに外付け法によって純粋ＳｉＯ2
スートを作製し、これを所定の濃度のＦ含有ガス雰囲気
で透明ガラス化してＦ−ＳｉＯ2 クラッディングとす
る。
ずＶＡＤ法によって中心コアとなるＧｅＯ2 −ＳｉＯ2
スートプリフォームを作製し、これを脱水、透明ガラス
化して中心コア母材とする。次に、この中心コア母材の
周りに外付け法によりＧｅＯ2 −ＳｉＯ2 スートを作製
し、これを脱水後透明ガラス化するときに所定の濃度の
Ｆ含有ガス雰囲気で処理してＧｅＯ2 −ＳｉＯ2 中心コ
ア上にＧｅＯ2 −Ｆ−ＳｉＯ2 からなる階段状サイドコ
アを作製する。次に、この中心コア一階段状サイドコア
からなるロッドの周りに外付け法によって純粋ＳｉＯ2
スートを作製し、これを所定の濃度のＦ含有ガス雰囲気
で透明ガラス化してＦ−ＳｉＯ2 クラッディングとす
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このようにＦを添加す
るにあたって、その都度スートを作製して透明ガラス化
時にＦを添加するのは、その内側もスートのままである
とそこにまでＦが添加されてしまいＦのドープ量の制御
ができないからである。このため工程が増し製造コスト
が高くつくという問題があった。さらに、各層を別工程
で作製するということは、次工程の前に毎回界面処理を
行わねばならず、それ自体コスト高であるだけでなく、
これが不十分な場合損失増の原因にもなる。なお、図３
以外に図１〜２のような組成の母材が必要なのは、より
低損失な１．５５μｍ帯分散シフトファイバの作製のた
めに必要であるからである。
るにあたって、その都度スートを作製して透明ガラス化
時にＦを添加するのは、その内側もスートのままである
とそこにまでＦが添加されてしまいＦのドープ量の制御
ができないからである。このため工程が増し製造コスト
が高くつくという問題があった。さらに、各層を別工程
で作製するということは、次工程の前に毎回界面処理を
行わねばならず、それ自体コスト高であるだけでなく、
これが不十分な場合損失増の原因にもなる。なお、図３
以外に図１〜２のような組成の母材が必要なのは、より
低損失な１．５５μｍ帯分散シフトファイバの作製のた
めに必要であるからである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、以上の観点
からＦ濃度の異なる層を有するものでも同一工程で作製
可能な方法を提供しようとするもので、その特徴とする
請求項１記載の発明は、中心コアとなるＳｉＯ2 系ガラ
スロッドをその軸の周りに回転させつつ、その外周に相
対的にかさ密度が大きなサイドコアとなるＳｉＯ2 系ス
ートと相対的にかさ密度が小さなクラッディングとなる
ＳｉＯ2 系スートを順次付着させ、これらスートを必要
に応じて脱水処理した後Ｆ含有ガス雰囲気で熱処理して
両スート内にＦを前者よりも後者の方により多量になる
ようにドープすることにある。また、その特徴とする請
求項２記載の発明は、中心コアとなるガラスロッドの組
成がＧｅＯ2 −ＳｉＯ2 、サイドコアとなるスートの組
成がＧｅＯ2 −ＳｉＯ2 もしくは純粋ＳｉＯ2 、クラッ
ディングとなるスートの組成が純粋ＳｉＯ2 である請求
項１記載の方法にある。さらにまた、その特徴とする請
求項３記載の発明は中心コアとなるＳｉＯ2 系ガラスロ
ッドをその軸の周りに回転させつつ、その外周に相対的
にかさ密度が大きなサイドコアとなるＳｉＯ2 系スート
と相対的にかさ密度が小さなクラッディングとなるＳｉ
Ｏ2 系スートを順次付着させ、これらスートを必要に応
じて脱水処理した後Ｆ含有雰囲気で熱処理してクラッデ
ィングとなるＳｉＯ2 スートにのみＦをドープすること
にある。
からＦ濃度の異なる層を有するものでも同一工程で作製
可能な方法を提供しようとするもので、その特徴とする
請求項１記載の発明は、中心コアとなるＳｉＯ2 系ガラ
スロッドをその軸の周りに回転させつつ、その外周に相
対的にかさ密度が大きなサイドコアとなるＳｉＯ2 系ス
ートと相対的にかさ密度が小さなクラッディングとなる
ＳｉＯ2 系スートを順次付着させ、これらスートを必要
に応じて脱水処理した後Ｆ含有ガス雰囲気で熱処理して
両スート内にＦを前者よりも後者の方により多量になる
ようにドープすることにある。また、その特徴とする請
求項２記載の発明は、中心コアとなるガラスロッドの組
成がＧｅＯ2 −ＳｉＯ2 、サイドコアとなるスートの組
成がＧｅＯ2 −ＳｉＯ2 もしくは純粋ＳｉＯ2 、クラッ
ディングとなるスートの組成が純粋ＳｉＯ2 である請求
項１記載の方法にある。さらにまた、その特徴とする請
求項３記載の発明は中心コアとなるＳｉＯ2 系ガラスロ
ッドをその軸の周りに回転させつつ、その外周に相対的
にかさ密度が大きなサイドコアとなるＳｉＯ2 系スート
と相対的にかさ密度が小さなクラッディングとなるＳｉ
Ｏ2 系スートを順次付着させ、これらスートを必要に応
じて脱水処理した後Ｆ含有雰囲気で熱処理してクラッデ
ィングとなるＳｉＯ2 スートにのみＦをドープすること
にある。
【０００８】
【作用】サイドコアとその外側のクラッディングを一度
に作製することにより、製造コスト減を図ることができ
る。また、線引き後のファイバの比円率および偏心量の
寸法特性が向上する。また、サイドコアとその外側のク
ラッディングを別々に作製すると、屈折率分布が急激に
変化することから歪みによる損失増を引起こすことが考
えられるが、スート上にスートを一度に形成、透明ガラ
ス化すると屈折率はある程度連続的に変化するので歪み
を低減できる。さらに、外付け界面が増すと界面処理な
どの工程が必要となり、その過程でＯＨなどの不純物混
入の危険性が増加するが、それも一度に作製することで
避けられる。
に作製することにより、製造コスト減を図ることができ
る。また、線引き後のファイバの比円率および偏心量の
寸法特性が向上する。また、サイドコアとその外側のク
ラッディングを別々に作製すると、屈折率分布が急激に
変化することから歪みによる損失増を引起こすことが考
えられるが、スート上にスートを一度に形成、透明ガラ
ス化すると屈折率はある程度連続的に変化するので歪み
を低減できる。さらに、外付け界面が増すと界面処理な
どの工程が必要となり、その過程でＯＨなどの不純物混
入の危険性が増加するが、それも一度に作製することで
避けられる。
【０００９】
実施例１ 中心コアとなるＧｅＯ2 −ＳｉＯ2 ガラスロッドを用意
した。その直径は７ｍｍφ、長さは１５０ｍｍ、ＳｉＯ
2 に対する比屈折率差Δ＝０．８％である。このロッド
をその軸の周りに３０ｒｐｍで回転させつつ、その周り
に外付け法によりサイドコアとなるＧｅＯ2 −ＳｉＯ2
スートを厚さ２５ｍｍに付着させた。このスートのかさ
密度は０．４０ｇ／ｃｍ3 であった。次に、このスート
の周りにクラッディングとなるＳｉＯ2 スートを厚さ１
５ｍｍに付着させた。このスートのかさ密度は０．３０
ｇ／ｃｍ3 であった。スートのかさ密度を変えるには、
バーナに供給されるガラス原料ガスに対する酸水素量を
変えれば良く、具体的には原料ガスに対する酸水素量を
増せばかさ密度が増大する。この母材を温度１０００℃
の均熱炉内において塩素含有ガス雰囲気で脱水後、Ｈｅ
６リットル／ｍｉｎ、ＳｉＦ4 ０．０７リットル／ｍｉ
ｎ供給しつつ熱処理してＦをサイドコアとなるＧｅＯ2
−ＳｉＯ2 スートおよびクラッディングの一部となるＳ
ｉＯ2 スートにドープし、１５００℃で透明ガラス化し
て直径３０ｍｍの中間母材とした。サイドコアとなるＧ
ｅＯ2 −Ｆ−ＳｉＯ2 のＳｉＯ2 に対する比屈折率差Δ
＝−０．０５％、クラッディングとなるＦ−ＳｉＯ2 の
ＳｉＯ2 に対する比屈折率差Δ＝−０．２０％であっ
た。この中間母材に、さらにＳｉＯ2 スートを堆積後Ｆ
含有ガス雰囲気で透明ガラス化して所望のコアークラッ
ド径比として母材とし、これを線引きして直径１２５μ
ｍの分散シフトファイバとした。得られたファイバは、
低損失で所望のものであった。
した。その直径は７ｍｍφ、長さは１５０ｍｍ、ＳｉＯ
2 に対する比屈折率差Δ＝０．８％である。このロッド
をその軸の周りに３０ｒｐｍで回転させつつ、その周り
に外付け法によりサイドコアとなるＧｅＯ2 −ＳｉＯ2
スートを厚さ２５ｍｍに付着させた。このスートのかさ
密度は０．４０ｇ／ｃｍ3 であった。次に、このスート
の周りにクラッディングとなるＳｉＯ2 スートを厚さ１
５ｍｍに付着させた。このスートのかさ密度は０．３０
ｇ／ｃｍ3 であった。スートのかさ密度を変えるには、
バーナに供給されるガラス原料ガスに対する酸水素量を
変えれば良く、具体的には原料ガスに対する酸水素量を
増せばかさ密度が増大する。この母材を温度１０００℃
の均熱炉内において塩素含有ガス雰囲気で脱水後、Ｈｅ
６リットル／ｍｉｎ、ＳｉＦ4 ０．０７リットル／ｍｉ
ｎ供給しつつ熱処理してＦをサイドコアとなるＧｅＯ2
−ＳｉＯ2 スートおよびクラッディングの一部となるＳ
ｉＯ2 スートにドープし、１５００℃で透明ガラス化し
て直径３０ｍｍの中間母材とした。サイドコアとなるＧ
ｅＯ2 −Ｆ−ＳｉＯ2 のＳｉＯ2 に対する比屈折率差Δ
＝−０．０５％、クラッディングとなるＦ−ＳｉＯ2 の
ＳｉＯ2 に対する比屈折率差Δ＝−０．２０％であっ
た。この中間母材に、さらにＳｉＯ2 スートを堆積後Ｆ
含有ガス雰囲気で透明ガラス化して所望のコアークラッ
ド径比として母材とし、これを線引きして直径１２５μ
ｍの分散シフトファイバとした。得られたファイバは、
低損失で所望のものであった。
【００１０】比較例１ 中心コアとなるロッドは実施例１と同じ物を使用した。
このロッドをその軸の周りに３０ｒｐｍで回転させつ
つ、その外周にサイドコアとなるＧｅＯ2 −ＳｉＯ2 ス
ートを厚さ２５ｍｍに付着させた。この母材を温度１０
００℃の均熱炉内において塩素含有ガス雰囲気で脱水
後、Ｈｅ６リットル／ｍｉｎ、ＳｉＦ4 ０．００５リッ
トル／ｍｉｎ供給しつつ熱処理してＦをドープし、１５
００℃で透明ガラス化して直径３０ｍｍの中間母材とし
た。この中間母材を１０ｍｍに延伸し、界面処理を施し
た後、その軸の周りに３０ｒｐｍで回転させつつ、その
外周にクラッディングとなるＳｉＯ2 スートを厚さ２５
ｍｍに付着させた。この母材を温度１０００℃の均一炉
内において塩素含有ガス雰囲気で脱水後、Ｈｅ６リット
ル／ｍｉｎ、ＳｉＦ4 ０．００７リットル／ｍｉｎ供給
しつつ熱処理し、１５００℃で透明ガラス化して直径３
０ｍｍの母材とした。サイドコアとなるＧｅＯ2 −Ｆ−
ＳｉＯ2 のＳｉＯ2 に対する比屈折率差Δ＝−０．０５
％、クラッディングとなるＦ−ＳｉＯ2 のＳｉＯ2 に対
する比屈折率差Δ＝−０．２０％であった。この母材を
線引きして直径１２５μｍの分散シフトファイバとし
た。この方法は、実施例１と比較して工程が１回多く、
また得られたファイバの特性も０．３０ｄＢ／ｋｍと損
失の高いものであった。
このロッドをその軸の周りに３０ｒｐｍで回転させつ
つ、その外周にサイドコアとなるＧｅＯ2 −ＳｉＯ2 ス
ートを厚さ２５ｍｍに付着させた。この母材を温度１０
００℃の均熱炉内において塩素含有ガス雰囲気で脱水
後、Ｈｅ６リットル／ｍｉｎ、ＳｉＦ4 ０．００５リッ
トル／ｍｉｎ供給しつつ熱処理してＦをドープし、１５
００℃で透明ガラス化して直径３０ｍｍの中間母材とし
た。この中間母材を１０ｍｍに延伸し、界面処理を施し
た後、その軸の周りに３０ｒｐｍで回転させつつ、その
外周にクラッディングとなるＳｉＯ2 スートを厚さ２５
ｍｍに付着させた。この母材を温度１０００℃の均一炉
内において塩素含有ガス雰囲気で脱水後、Ｈｅ６リット
ル／ｍｉｎ、ＳｉＦ4 ０．００７リットル／ｍｉｎ供給
しつつ熱処理し、１５００℃で透明ガラス化して直径３
０ｍｍの母材とした。サイドコアとなるＧｅＯ2 −Ｆ−
ＳｉＯ2 のＳｉＯ2 に対する比屈折率差Δ＝−０．０５
％、クラッディングとなるＦ−ＳｉＯ2 のＳｉＯ2 に対
する比屈折率差Δ＝−０．２０％であった。この母材を
線引きして直径１２５μｍの分散シフトファイバとし
た。この方法は、実施例１と比較して工程が１回多く、
また得られたファイバの特性も０．３０ｄＢ／ｋｍと損
失の高いものであった。
【００１１】なお、サイドコアおよびクラッディングと
なる部分のスートの組成が同じ純粋ＳｉＯ2 であって
も、そのかさ密度およびＦの供給量を適宜選択すれば、
サイドコアとなるＳｉＯ2 に全くＦをドープすることな
くクラッディングとなるべきＳｉＯ2 にのみＦをドープ
することができ、以ってサイドコアが純粋ＳｉＯ2 、ク
ラッディングがＦ−ＳｉＯ2 の光ファイバ母材を得るこ
とができる。
なる部分のスートの組成が同じ純粋ＳｉＯ2 であって
も、そのかさ密度およびＦの供給量を適宜選択すれば、
サイドコアとなるＳｉＯ2 に全くＦをドープすることな
くクラッディングとなるべきＳｉＯ2 にのみＦをドープ
することができ、以ってサイドコアが純粋ＳｉＯ2 、ク
ラッディングがＦ−ＳｉＯ2 の光ファイバ母材を得るこ
とができる。
【００１２】
【発明の効果】この発明方法は、中心コアとなるＳｉＯ
2 系ガラスロッドの周りにＦのドープ量が異なるＳｉＯ
2 系ガラスからなる階段状サイドコアとクラッディング
とを有する光ファイバ母材を作製するにあたって、予め
階段状サイドコアとクラッディングとなる部分を前者の
かさ密度が後者のかさ密度よりも大きなＳｉＯ2 系スー
トとして形成し、このかさ密度の異なるスート層を有す
るロッドをＦ含有ガス雰囲気で熱処理してスートのかさ
密度の程度に応じてドープされるＦ量をコントロールす
る方法であるので、中心コアとなるＳｉＯ2 系ガラスロ
ッドの周りにＦ量が相対的に少ない階段状サイドコアと
Ｆ量が相対的に大きなクラッディングとからなるＳｉＯ
2 系ガラス層を同一工程で得ることができ、以って複雑
な屈折率分布である分散シフト光ファイバ母材を簡単に
得ることができる。
2 系ガラスロッドの周りにＦのドープ量が異なるＳｉＯ
2 系ガラスからなる階段状サイドコアとクラッディング
とを有する光ファイバ母材を作製するにあたって、予め
階段状サイドコアとクラッディングとなる部分を前者の
かさ密度が後者のかさ密度よりも大きなＳｉＯ2 系スー
トとして形成し、このかさ密度の異なるスート層を有す
るロッドをＦ含有ガス雰囲気で熱処理してスートのかさ
密度の程度に応じてドープされるＦ量をコントロールす
る方法であるので、中心コアとなるＳｉＯ2 系ガラスロ
ッドの周りにＦ量が相対的に少ない階段状サイドコアと
Ｆ量が相対的に大きなクラッディングとからなるＳｉＯ
2 系ガラス層を同一工程で得ることができ、以って複雑
な屈折率分布である分散シフト光ファイバ母材を簡単に
得ることができる。
【図１】Ｆを含むＳｉＯ2 系ガラス分散シフトファイバ
の屈折率分布図。
の屈折率分布図。
【図２】Ｆを含むＳｉＯ2 系ガラス分散シフトファイバ
の他の屈折率分布図。
の他の屈折率分布図。
【図３】Ｆを含まないＳｉＯ2 系ガラス分散シフトファ
イバの屈折率分布図。
イバの屈折率分布図。
【図４】図１に示す分散シフトファイバの製法を示す説
明図。
明図。
ａ 中心コア ｂ 階段状サイドコア ｃ クラッディング
Claims (3)
- 【請求項１】 中心コアとなるＳｉＯ2 系ガラスロッド
をその軸の周りに回転させつつ、その外周に相対的にか
さ密度が大きなサイドコアとなるＳｉＯ2 系スートと相
対的にかさ密度が小さなクラッディングとなるＳｉＯ2
系スートを順次付着させ、これらスートを必要に応じて
脱水処理した後Ｆ含有ガス雰囲気で熱処理して両スート
内にＦを前者よりも後者の方により多量になるようにド
ープすることを特徴とする光ファイバ母材の製造方法。 - 【請求項２】 中心コアとなるガラスロッドの組成がＧ
ｅＯ2 −ＳｉＯ2 、サイドコアとなるスートの組成がＧ
ｅＯ2 −ＳｉＯ2 もしくは純粋ＳｉＯ2 、クラッディン
グとなるスートの組成が純粋ＳｉＯ2 であることを特徴
とする請求項１記載の光ファイバ母材の製造方法。 - 【請求項３】 中心コアとなるＳｉＯ2 系ガラスロッド
をその軸の周りに回転させつつ、その外周に相対的にか
さ密度が大きなサイドコアとなるＳｉＯ2 系スートと相
対的にかさ密度が小さなクラッディングとなるＳｉＯ2
系スートを順次付着させ、これらスートを必要に応じて
脱水処理した後Ｆ含有ガス雰囲気で熱処理してクラッデ
ィングとなるＳｉＯ2 スートにのみＦをドープすること
を特徴とする光ファイバ母材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26402893A JPH0797229A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26402893A JPH0797229A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0797229A true JPH0797229A (ja) | 1995-04-11 |
Family
ID=17397554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26402893A Pending JPH0797229A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0797229A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1251107A1 (en) * | 2001-04-19 | 2002-10-23 | Lucent Technologies Inc. | Controlled collapse of depressed index optical fiber preforms |
-
1993
- 1993-09-29 JP JP26402893A patent/JPH0797229A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1251107A1 (en) * | 2001-04-19 | 2002-10-23 | Lucent Technologies Inc. | Controlled collapse of depressed index optical fiber preforms |
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