JPH01270533A - 光フアイバの製造方法 - Google Patents
光フアイバの製造方法Info
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-
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-
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- C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、光ファイバの製−遣方法に関し、特にＦを
ドープして屈折率差を作る母材の製造方法に関するもの
である。
ドープして屈折率差を作る母材の製造方法に関するもの
である。
［従来の技術と発明が解決しようとする課題］［１］コ
アとクラッドを別工程で作る：・丈り製造： 純シリカカラスからなる出発棒１０を作り（第２ａ図）
、その外周にガラスス−）１２を堆積させ（第２ｂ図）
、それから第２ｃ図のように、Ｆの雰囲気の加熱炉１４
中で脱水と焼結を同時に行い、クラッド部にＦをドープ
した光フアイバ母材を製作する。
アとクラッドを別工程で作る：・丈り製造： 純シリカカラスからなる出発棒１０を作り（第２ａ図）
、その外周にガラスス−）１２を堆積させ（第２ｂ図）
、それから第２ｃ図のように、Ｆの雰囲気の加熱炉１４
中で脱水と焼結を同時に行い、クラッド部にＦをドープ
した光フアイバ母材を製作する。
・丈り課来：
（１）コア（光パワーが最も集中する）とクラッドの界
面に不純物が残り易く、低損失化できない。
面に不純物が残り易く、低損失化できない。
（２）ガラススート１２を堆積させる前に出発棒１０の
表面をエツチングして、不純物取除く方法も知られてい
るが、そのとき大気中のＯＨが出発棒ｌＯ内に侵入し易
い。
表面をエツチングして、不純物取除く方法も知られてい
るが、そのとき大気中のＯＨが出発棒ｌＯ内に侵入し易
い。
（３）コアとクラッドを別工程で製作するため、製造工
程が多くなり、コスト的に不利である。
程が多くなり、コスト的に不利である。
［２〕通常のＶＡＤ法を利用する：
・丈ゐ製Ｕ：
（１）第３ａ図のように、通常のＶＡＤ法によってシン
グルモード光ファイバ用のスート２ｏを堆積させるので
あるが、その際に、コア用バーナ１６には原料として５
ｉＣ１４だけ流し、かつ堆積するコアスート２２の温度
が非常に高くなるようにする（または、第１クラツト用
バーナ１８には原料を流さないで、７久−す１８でコア
スート２２を加熱する）。
グルモード光ファイバ用のスート２ｏを堆積させるので
あるが、その際に、コア用バーナ１６には原料として５
ｉＣ１４だけ流し、かつ堆積するコアスート２２の温度
が非常に高くなるようにする（または、第１クラツト用
バーナ１８には原料を流さないで、７久−す１８でコア
スート２２を加熱する）。
そして、コアスート２２が純粋シリカからなり、かつカ
サ密度が非常に高くなるようにする。
サ密度が非常に高くなるようにする。
すなわち、」１記の出発棒１０に相当するものを、クラ
ッドスートと同時に製作しようというものである。
ッドスートと同時に製作しようというものである。
（２）その後、ｉ３ｂ図のように、Ｆの雰囲気の加熱炉
１４中で脱水と焼結を同時に行い、カサ密度の低いクラ
ッド部のみにＦをドープし、光フアイバ母材を製作する
。
１４中で脱水と焼結を同時に行い、カサ密度の低いクラ
ッド部のみにＦをドープし、光フアイバ母材を製作する
。
・丈の課」：
コアスート２２のカサ密度が非常に高いため、脱水処理
のとき、脱水剤がコアスート２２の内部まで拡散できず
、十分な脱水が不可能である。
のとき、脱水剤がコアスート２２の内部まで拡散できず
、十分な脱水が不可能である。
［３コ純粋シリカのガラススートを使用する：・その製
法： （１）純シリカスート２４を加熱炉１４内で、まず脱水
を行う（第４ａ図）。
法： （１）純シリカスート２４を加熱炉１４内で、まず脱水
を行う（第４ａ図）。
（２）それから加熱炉１４の温度を高くして（１３００
〜１４００’ Ｃ）純シリカスート２４を収縮させる（
第４ｂ図）。
〜１４００’ Ｃ）純シリカスート２４を収縮させる（
第４ｂ図）。
そうすると、そのとき、純シリカスート２４のカサ密度
は中心軸伺近が高く、周縁部が低くなる。
は中心軸伺近が高く、周縁部が低くなる。
（３）その後加熱炉１４内にＦを流して焼結し、屈折率
差を有するプリフォーム２６を作る（第４Ｃ図）。
差を有するプリフォーム２６を作る（第４Ｃ図）。
・その課題：
（１）この場合、大きなカサ密度差を作ることは困難で
あり、１．５５７ｔｍ分散シフト光ファイバのように高
い屈折率差を必要とするものには向いていない。
あり、１．５５７ｔｍ分散シフト光ファイバのように高
い屈折率差を必要とするものには向いていない。
（２）カサ布面分布より得られるＦトープの分布もステ
ップ型は得にくい。
ップ型は得にくい。
［発明の目的］
コアとクランドとを同一工程で製作し、しかもコアとク
ランドの間に大きなカサ密度差ができる方法を提供する
。
ランドの間に大きなカサ密度差ができる方法を提供する
。
［課題を解決するための手段］
（１）カサ密度が、中心軸付近の高くて周縁部が低いよ
うな分布を士）つ円柱状のがラススートを製作し、 （２）そのガラススートをまず脱水処理し、（３）脱水
処理したガラススートを収縮させ、（４）収縮させたガ
ラススートを、Ｆを含む雰囲気中で焼結する、 という工程をとる。
うな分布を士）つ円柱状のがラススートを製作し、 （２）そのガラススートをまず脱水処理し、（３）脱水
処理したガラススートを収縮させ、（４）収縮させたガ
ラススートを、Ｆを含む雰囲気中で焼結する、 という工程をとる。
［その説明］
（１）上記従来技術の［２］ （通常のＶＡＤ法利用）
の場合同様に、まず第１ａ図のように、通常のＶＡＤ法
によってシングルモード光ファイバ用のスート３２を堆
積させる。
の場合同様に、まず第１ａ図のように、通常のＶＡＤ法
によってシングルモード光ファイバ用のスート３２を堆
積させる。
その際、コア用バーナ３０には、原料としてＳｉ’Ｃ１
ｎだけ疏す点も同じであるが、コア用バーナ３０の温度
は、通常のＶＡＤ法の場合より少し高い（コアスート３
４の表面で１２５０〜１３００’ｃ）程度とする。
ｎだけ疏す点も同じであるが、コア用バーナ３０の温度
は、通常のＶＡＤ法の場合より少し高い（コアスート３
４の表面で１２５０〜１３００’ｃ）程度とする。
そして、第１ｂ図のように、コアスート３４とクラッド
スート３６との間に若干のカサ密度差Δｄ、ができるよ
うにする。
スート３６との間に若干のカサ密度差Δｄ、ができるよ
うにする。
（２）その後、まず第１Ｃ図のように、加熱炉１４内で
脱水処理する。
脱水処理する。
そのとき、コアスート３４のカサ密度はそれほど高くな
いから、内部まで十分に脱水処理される。
いから、内部まで十分に脱水処理される。
（３）その後、加熱炉１４の温度を上げて第１ｄ図のよ
うに、スート３２を収縮させる。
うに、スート３２を収縮させる。
そうすると、左側に同時に示したように、コアスート３
４とクラッドスート３６とのカサ密度差Δ２がさらに大
きくなり、コアスート３４のカサ密度は非常に高くなる
。
４とクラッドスート３６とのカサ密度差Δ２がさらに大
きくなり、コアスート３４のカサ密度は非常に高くなる
。
（４）このように、コアスート３４のカサ密度を非常に
高くしておいてから、第１ｅ図のように、加熱炉１４内
のＦの雰囲気中で焼結を行う。
高くしておいてから、第１ｅ図のように、加熱炉１４内
のＦの雰囲気中で焼結を行う。
すると、クラッド部にだけＦのドープされたプリフォー
ム３８ができる。
ム３８ができる。
屈折率分布のプロファイルは第１ｆ図に示すようにステ
ップ型に近くなる。
ップ型に近くなる。
なお、コアスート３４の外径を調整することにより、プ
ロファイルのダレも解消できる。
ロファイルのダレも解消できる。
［実施例］
（１）まず、通常のシングルモード光ファイバ用のＶＡ
Ｄ法において、コア用バーナ３０に原料として、５ｉＣ
１４を３５ｃｃ／分の流量で供給。
Ｄ法において、コア用バーナ３０に原料として、５ｉＣ
１４を３５ｃｃ／分の流量で供給。
Ｈ２は１．１６文／分、０２は５文／分と従来の場合に
比べて多く流した（従来はＨ２は０．７６文／分０２は
４！ｌ／分）。その他は通常のＶＡＤ法と同じである。
比べて多く流した（従来はＨ２は０．７６文／分０２は
４！ｌ／分）。その他は通常のＶＡＤ法と同じである。
このようにして、コアスート径３０ｆｆｉＩＩφ、全外
径８０ｍｍφのスート３２を得た。
径８０ｍｍφのスート３２を得た。
（２）このスート３２を加熱炉１４にて、ＨｅｌＯ文／
分、Ｃｌ２３０ｃｃ／分の条件下で脱水を行った。温度
は約１０５０８Ｃである。
分、Ｃｌ２３０ｃｃ／分の条件下で脱水を行った。温度
は約１０５０８Ｃである。
（３）その後、同じガス流量で、温度のみを１３２０〜
１４３０°Ｃに保ち、スート３２を収縮させた。
１４３０°Ｃに保ち、スート３２を収縮させた。
（４）最後にＨｅ１Ｏｕ／分、３ ｉ Ｆ ４３００ｃ
ｃ／分のガス流量条件下で焼結を行った。
ｃ／分のガス流量条件下で焼結を行った。
（５）このようにして得られたプリフォームの屈折率分
布は第１ｆ図のようで、比屈折率差Δは０．３％であっ
た。また屈折率プロファイルも、上記の従来技術［３］
の場合に比べて、ステップ型に近すいている。
布は第１ｆ図のようで、比屈折率差Δは０．３％であっ
た。また屈折率プロファイルも、上記の従来技術［３］
の場合に比べて、ステップ型に近すいている。
（６）このプリフォームを１０ ｍ＋＊φに延伸し、さ
らにスートをその外付けしてＦ雰囲気中で脱水・焼結を
行い、最終的なプリフォームとした。
らにスートをその外付けしてＦ雰囲気中で脱水・焼結を
行い、最終的なプリフォームとした。
（７）これを紡糸しで得られた光ファイバの損失は、波
長１．５５ 用Ｉにおいて０．２１ｄＢ／ｋ１１と低損
失であり、ＯＨ基の吸収ピークである波長１．３８ｇｍ
においても１．２ ｄＢ ／に＋＊と、ＯＨ基の混入（
残留）も非常に低い高品質の光ファイバが得られた。
長１．５５ 用Ｉにおいて０．２１ｄＢ／ｋ１１と低損
失であり、ＯＨ基の吸収ピークである波長１．３８ｇｍ
においても１．２ ｄＢ ／に＋＊と、ＯＨ基の混入（
残留）も非常に低い高品質の光ファイバが得られた。
［発明の効果］
（１）スートにおいてカサ密度差を設け、さらに加熱炉
１４内でカサ密度差を設けるという２段階方式のため、
スートでのカサ密度上昇を小さく設定することができる
。
１４内でカサ密度差を設けるという２段階方式のため、
スートでのカサ密度上昇を小さく設定することができる
。
そのため、十分な脱水が可能である。
（２）出発棒ｌＯを先に作ってお〈従来技術の［１’
］ と違って不純物の混入が少なく、低損失の光ファイ
バが容易に得られる。
］ と違って不純物の混入が少なく、低損失の光ファイ
バが容易に得られる。
（３）コア、クラッドを１工程で作るため、安価に高品
質な光ファイバが得られる。
質な光ファイバが得られる。
第１ａ図〜第１ｅ図は本発明の実施例の工程順の説明図
で、 第ｉｆ図は得られたプリフォーム３８の屈折率分布図、 第２ａ図以下は従来技術に関するもので、第２ａ図〜第
２ｃ図は従来技術その１の工程順の説明図、 第３ａ図と第３ｂ図は従来技術その２の工程順の説明図
、 第４ａ図〜第４ｃ図は従来技術その３の工程順の説明図
。 ｌＯ：出発棒 １２・ガラススート１４：加熱炉
１６：コア用バーナ１８：第１クラツド用バー
ナ ２０：スート ２２：コアスート２４：純シリ
カスート ２６二プリフオーム ３０：コア用バーナ３２ニス−１
−３４：コアスート ３６：クラッドスート ３８ニブリフオーム
で、 第ｉｆ図は得られたプリフォーム３８の屈折率分布図、 第２ａ図以下は従来技術に関するもので、第２ａ図〜第
２ｃ図は従来技術その１の工程順の説明図、 第３ａ図と第３ｂ図は従来技術その２の工程順の説明図
、 第４ａ図〜第４ｃ図は従来技術その３の工程順の説明図
。 ｌＯ：出発棒 １２・ガラススート１４：加熱炉
１６：コア用バーナ１８：第１クラツド用バー
ナ ２０：スート ２２：コアスート２４：純シリ
カスート ２６二プリフオーム ３０：コア用バーナ３２ニス−１
−３４：コアスート ３６：クラッドスート ３８ニブリフオーム
Claims (1)
- 中心軸付近のカサ密度が高くて周縁部のカサ密度の低い
カサ密度分布を持つ円柱状のガラススートを製作する工
程と、前記ガラススートを脱水処理する工程と、脱水処
理したガラススートを収縮させる工程と、収縮させた前
記ガラススートをＦを含む雰囲気中で焼結する工程を含
む、光ファイバの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9985688A JPH01270533A (ja) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | 光フアイバの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9985688A JPH01270533A (ja) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | 光フアイバの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01270533A true JPH01270533A (ja) | 1989-10-27 |
Family
ID=14258443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9985688A Pending JPH01270533A (ja) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | 光フアイバの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01270533A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111646689A (zh) * | 2020-06-28 | 2020-09-11 | 浙江富通光纤技术有限公司 | 一种纯二氧化硅芯光纤预制棒的制备方法 |
| CN112094049A (zh) * | 2020-08-18 | 2020-12-18 | 江苏永鼎光纤科技有限公司 | 制备稀土离子掺杂光纤预制棒的方法、装置及产品 |
-
1988
- 1988-04-22 JP JP9985688A patent/JPH01270533A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111646689A (zh) * | 2020-06-28 | 2020-09-11 | 浙江富通光纤技术有限公司 | 一种纯二氧化硅芯光纤预制棒的制备方法 |
| CN112094049A (zh) * | 2020-08-18 | 2020-12-18 | 江苏永鼎光纤科技有限公司 | 制备稀土离子掺杂光纤预制棒的方法、装置及产品 |
| CN112094049B (zh) * | 2020-08-18 | 2022-09-13 | 江苏永鼎光纤科技有限公司 | 制备稀土离子掺杂光纤预制棒的方法、装置及产品 |
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