JPH0793721A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH0793721A JPH0793721A JP23966093A JP23966093A JPH0793721A JP H0793721 A JPH0793721 A JP H0793721A JP 23966093 A JP23966093 A JP 23966093A JP 23966093 A JP23966093 A JP 23966093A JP H0793721 A JPH0793721 A JP H0793721A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 金の消費量が少なく、膜厚分布の均一な金端
子を形成することができ、薄膜磁気ヘッドを低原価でか
つ高い歩留りで製造することができ生産性、信頼性に優
れた薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供するここを目的と
する。 【構成】 金端子形成工程を有する薄膜磁気ヘッドの製
造方法であって、金端子形成工程が保護膜平坦化ラップ
加工により露出した銅端子５上にｐＨが９以下好ましく
は７以下の無電解金メッキ液を用いて薄付け無電解金メ
ッキ膜１０，厚付け無電解金メッキ膜１１を形成する金
端子形成工程を備えた構成を有している。
子を形成することができ、薄膜磁気ヘッドを低原価でか
つ高い歩留りで製造することができ生産性、信頼性に優
れた薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供するここを目的と
する。 【構成】 金端子形成工程を有する薄膜磁気ヘッドの製
造方法であって、金端子形成工程が保護膜平坦化ラップ
加工により露出した銅端子５上にｐＨが９以下好ましく
は７以下の無電解金メッキ液を用いて薄付け無電解金メ
ッキ膜１０，厚付け無電解金メッキ膜１１を形成する金
端子形成工程を備えた構成を有している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記録装置に用いられ
る薄膜磁気ヘッドの製造方法に関するものである。
る薄膜磁気ヘッドの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータ等の情報機器が広く
一般に普及するようになり、ハードディスク等の磁気記
録装置においても生産性が高く低原価で高信頼性のもの
が要求されるようになった。
一般に普及するようになり、ハードディスク等の磁気記
録装置においても生産性が高く低原価で高信頼性のもの
が要求されるようになった。
【０００３】以下に一般的な薄膜磁気ヘッドについて説
明する。図１２は一般的な薄膜磁気ヘッドの要部断面図
である。１は薄膜磁気ヘッド素子部形成済の基板、２は
薄膜磁気ヘッド素子部を形成する際に造り込まれた磁気
ヘッド素子部と導通するリード層、３は基板１の表面に
成膜された銅端子メッキ用下地電極膜、５は銅端子メッ
キ用下地電極膜３に電解メッキにより銅メッキされた銅
端子、６はアルミナ保護膜、７は金端子メッキ用下地電
極膜、９は金端子メッキ用下地電極膜７に電解メッキ法
により金メッキされた金端子である。
明する。図１２は一般的な薄膜磁気ヘッドの要部断面図
である。１は薄膜磁気ヘッド素子部形成済の基板、２は
薄膜磁気ヘッド素子部を形成する際に造り込まれた磁気
ヘッド素子部と導通するリード層、３は基板１の表面に
成膜された銅端子メッキ用下地電極膜、５は銅端子メッ
キ用下地電極膜３に電解メッキにより銅メッキされた銅
端子、６はアルミナ保護膜、７は金端子メッキ用下地電
極膜、９は金端子メッキ用下地電極膜７に電解メッキ法
により金メッキされた金端子である。
【０００４】以上のように構成された一般的な薄膜磁気
ヘッドについて、以下、その従来の製造方法を説明す
る。図１３（ａ）乃至図１５（ｄ）は従来の薄膜磁気ヘ
ッドの金端子形成工程の一例を示す要部断面図である。
４は銅端子５を形成するためのポジ型フォトレジスト膜
による銅端子パターン、８は金端子９を形成するための
ポジ型フォトレジスト膜による金端子パターンである。
まず、図１３（ａ）に示すように磁気ヘッド素子部が形
成済の基板１上のリード層２の表面に銅端子メッキ用下
地電極膜３をスパッタ法により成膜する。次に図１３
（ｂ）に示すように銅端子メッキ用下地電極膜３上に銅
端子５を形成するためのポジ型フォトレジスト膜をコー
ティングして所定の熱処理をした後、露光・現像した後
純水洗浄し、銅端子パターン４を形成する。次に、図１
３（ｃ）に示すように銅端子メッキ用下地電極膜３の露
出している部分に電解メッキ法にて銅端子５を形成す
る。その後、図１３（ｄ）に示すように銅端子パターン
４を全面露光・現像した後、純水洗浄して除去する。次
に、図１４（ａ）に示すようにケミカルエッチングによ
り露出している銅端子メッキ用下地電極膜３の不要部分
を除去して銅端子５を形成する。次に、図１４（ｂ）に
示すように銅端子５を形成済の基板表面にアルミナ保護
膜６をスパッタ法により成膜する。次に、図１４（ｃ）
に示すようにアルミナ保護膜６を銅端子５が露出するま
で表面を平坦化ラップ加工を施した後、銅端子５，アル
ミナ保護膜６の表面に付着した油分を洗浄除去する。次
に、図１４（ｄ）に示すように平坦になった銅端子５，
アルミナ保護膜６上に金端子メッキ用下地電極膜７をス
パッタ法により成膜する。次に、図１５（ａ）に示すよ
うに金端子メッキ用下地電極膜７上にポジ型フォトレジ
スト膜をコーティングし、所定の熱加工をした後、露光
・現像した後、純水洗浄し、金端子パターン８を形成す
る。次に、図１５（ｂ）に示すように金端子メッキ用下
地電極膜７の露出している部分に電解メッキ法にて金端
子９を形成する。その後、ポジ型フォトレジスト膜の金
端子パターン８を全面露光・現像した後、純水洗浄して
図１５（ｃ）に示すように金端子パターン８を除去した
後、ケミカルエッチングにより露出している金端子メッ
キ用下地電極膜７の不要部分を除去すると、図１５
（ｄ）に示すように金端子９が形成される。
ヘッドについて、以下、その従来の製造方法を説明す
る。図１３（ａ）乃至図１５（ｄ）は従来の薄膜磁気ヘ
ッドの金端子形成工程の一例を示す要部断面図である。
４は銅端子５を形成するためのポジ型フォトレジスト膜
による銅端子パターン、８は金端子９を形成するための
ポジ型フォトレジスト膜による金端子パターンである。
まず、図１３（ａ）に示すように磁気ヘッド素子部が形
成済の基板１上のリード層２の表面に銅端子メッキ用下
地電極膜３をスパッタ法により成膜する。次に図１３
（ｂ）に示すように銅端子メッキ用下地電極膜３上に銅
端子５を形成するためのポジ型フォトレジスト膜をコー
ティングして所定の熱処理をした後、露光・現像した後
純水洗浄し、銅端子パターン４を形成する。次に、図１
３（ｃ）に示すように銅端子メッキ用下地電極膜３の露
出している部分に電解メッキ法にて銅端子５を形成す
る。その後、図１３（ｄ）に示すように銅端子パターン
４を全面露光・現像した後、純水洗浄して除去する。次
に、図１４（ａ）に示すようにケミカルエッチングによ
り露出している銅端子メッキ用下地電極膜３の不要部分
を除去して銅端子５を形成する。次に、図１４（ｂ）に
示すように銅端子５を形成済の基板表面にアルミナ保護
膜６をスパッタ法により成膜する。次に、図１４（ｃ）
に示すようにアルミナ保護膜６を銅端子５が露出するま
で表面を平坦化ラップ加工を施した後、銅端子５，アル
ミナ保護膜６の表面に付着した油分を洗浄除去する。次
に、図１４（ｄ）に示すように平坦になった銅端子５，
アルミナ保護膜６上に金端子メッキ用下地電極膜７をス
パッタ法により成膜する。次に、図１５（ａ）に示すよ
うに金端子メッキ用下地電極膜７上にポジ型フォトレジ
スト膜をコーティングし、所定の熱加工をした後、露光
・現像した後、純水洗浄し、金端子パターン８を形成す
る。次に、図１５（ｂ）に示すように金端子メッキ用下
地電極膜７の露出している部分に電解メッキ法にて金端
子９を形成する。その後、ポジ型フォトレジスト膜の金
端子パターン８を全面露光・現像した後、純水洗浄して
図１５（ｃ）に示すように金端子パターン８を除去した
後、ケミカルエッチングにより露出している金端子メッ
キ用下地電極膜７の不要部分を除去すると、図１５
（ｄ）に示すように金端子９が形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、薄膜磁気ヘッドの金端子形成工程におい
て、電解メッキ法により金メッキを行い金端子を形成し
ているために、金端子の外周部の膜厚が厚く、中央部が
薄くなり信頼性に欠けるという問題点があった。また、
これを補正するために基板ホルダーの外周に補助電極を
配置して基板に流すのと同レベルの電流を流して金を捨
てメッキすることで、膜厚分布の均一化を図る方法もあ
るが、金の消費量が増加し、金の回収やメッキ液の交換
頻度の増加等作業が煩雑で生産工数を要しランニングコ
ストがかかり生産性に欠けるという問題点があった。
の構成では、薄膜磁気ヘッドの金端子形成工程におい
て、電解メッキ法により金メッキを行い金端子を形成し
ているために、金端子の外周部の膜厚が厚く、中央部が
薄くなり信頼性に欠けるという問題点があった。また、
これを補正するために基板ホルダーの外周に補助電極を
配置して基板に流すのと同レベルの電流を流して金を捨
てメッキすることで、膜厚分布の均一化を図る方法もあ
るが、金の消費量が増加し、金の回収やメッキ液の交換
頻度の増加等作業が煩雑で生産工数を要しランニングコ
ストがかかり生産性に欠けるという問題点があった。
【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、金の消費量が少なく、膜厚分布の均一な金端子を形
成することができ、薄膜磁気ヘッドを低原価でかつ高い
歩留りで製造することができ生産性、信頼性に優れた薄
膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
で、金の消費量が少なく、膜厚分布の均一な金端子を形
成することができ、薄膜磁気ヘッドを低原価でかつ高い
歩留りで製造することができ生産性、信頼性に優れた薄
膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、金端子形成工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法
であって、前記金端子形成工程が保護膜平坦化ラップ加
工により露出した銅端子上に無電解メッキ法により金端
子を形成する金端子形成工程を備えた構成を有してお
り、請求項２に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、金
端子形成工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であっ
て、前記金端子形成工程が保護膜平坦化ラップ加工済の
基板上に前記平坦化ラップ加工により露出した銅端子よ
り大面積の銅端子を形成する銅端子形成工程と、前記大
面積の銅端子上に無電解メッキ法により金端子を形成す
る金端子形成工程を備えた構成を有しており、請求項３
に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法は請求項１又は２に
おいて、前記金端子形成工程でｐＨが９以下好ましくは
７以下の無電解金メッキ液を用いて前記金端子を形成す
る構成を有している。
に本発明の請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、金端子形成工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法
であって、前記金端子形成工程が保護膜平坦化ラップ加
工により露出した銅端子上に無電解メッキ法により金端
子を形成する金端子形成工程を備えた構成を有してお
り、請求項２に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、金
端子形成工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であっ
て、前記金端子形成工程が保護膜平坦化ラップ加工済の
基板上に前記平坦化ラップ加工により露出した銅端子よ
り大面積の銅端子を形成する銅端子形成工程と、前記大
面積の銅端子上に無電解メッキ法により金端子を形成す
る金端子形成工程を備えた構成を有しており、請求項３
に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法は請求項１又は２に
おいて、前記金端子形成工程でｐＨが９以下好ましくは
７以下の無電解金メッキ液を用いて前記金端子を形成す
る構成を有している。
【０００８】
【作用】この構成によって、保護膜平坦化ラップ加工後
の銅端子膜面に、あるいは、この銅端子面上に形成され
た大面積の銅端子膜面にｐＨが９以下の無電解金メッキ
液を用いて、選択的に金メッキを行うので、金の消費量
を削減することができる。また、無電解メッキ法で金端
子を形成するので金膜厚を均一にすることができる。
の銅端子膜面に、あるいは、この銅端子面上に形成され
た大面積の銅端子膜面にｐＨが９以下の無電解金メッキ
液を用いて、選択的に金メッキを行うので、金の消費量
を削減することができる。また、無電解メッキ法で金端
子を形成するので金膜厚を均一にすることができる。
【０００９】
（実施例１）以下本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。図１は本発明の一実施例における
薄膜磁気ヘッドの要部断面図であり、図１１はアルミナ
保護膜を６０分間無電解メッキ液に浸漬した場合の減膜
量とｐＨの関係を示した図である。１は基板、２はリー
ド層、３は銅端子メッキ用下地電極膜、４は銅端子パタ
ーン、５は銅端子、６はアルミナ保護膜であり、これら
従来例と同様なもので同一の符号を付し説明を省略す
る。１０は銅端子５上に約１０００オングストロームの
厚さに金メッキされた薄付け無電解金メッキ膜、１１は
厚付け無電解金メッキ膜１０上に更に厚さ約９０００オ
ングストロームで金メッキされた厚付け無電解金メッキ
膜である。
照しながら説明する。図１は本発明の一実施例における
薄膜磁気ヘッドの要部断面図であり、図１１はアルミナ
保護膜を６０分間無電解メッキ液に浸漬した場合の減膜
量とｐＨの関係を示した図である。１は基板、２はリー
ド層、３は銅端子メッキ用下地電極膜、４は銅端子パタ
ーン、５は銅端子、６はアルミナ保護膜であり、これら
従来例と同様なもので同一の符号を付し説明を省略す
る。１０は銅端子５上に約１０００オングストロームの
厚さに金メッキされた薄付け無電解金メッキ膜、１１は
厚付け無電解金メッキ膜１０上に更に厚さ約９０００オ
ングストロームで金メッキされた厚付け無電解金メッキ
膜である。
【００１０】以上のように構成された本発明の一実施例
における薄膜磁気ヘッドについて、以下、その製造方法
を説明する。図２（ａ）乃至図４は本発明の一実施例に
おける薄膜磁気ヘッドの金端子形成工程の一例を示す要
部断面図である。まず、図２（ａ）に示すように上部コ
アまでの薄膜磁気ヘッド素子部が形成済の基板１のリー
ド層２上にスパッタ法により厚さ１０００オングストロ
ームの銅端子メッキ用下地電極膜３を成膜する。次に、
銅端子メッキ用下地電極膜３上にノボラック系のポジタ
イプレジストを膜厚４０ミクロンになるようにスピナー
でスピンコートした後、オーブンにて９０℃で約３０分
の熱処理をした後、露光・現像した後、純水にて洗浄し
て図２（ｂ）に示すような銅端子パターン４を形成す
る。次に、図２（ｃ）に示すように銅端子メッキ用下地
電極膜３の露出している部分に電解メッキ法にて銅端子
５を形成する。銅端子５の寸法は１２０ミクロン×１８
０ミクロンの長方形断面で膜厚さ４０ミクロンである。
次に、図２（ｄ）に示すようにポジタイプレジスト膜で
形成されている銅端子パターン４を全面露光・現像した
後、純水にて洗浄して銅端子パターン４を除去した後、
過硫酸アンモニウム３０ｇ／ｌ、ラウリル硫酸ナトリウ
ム０．０５ｇ／ｌ、水酸化ナトリウムにてｐＨを６〜７
に調整した銅用ソフトエッチング液により銅端子メッキ
用下地電極膜３の不要部分をケミカルエッチングして図
３（ａ）に示すような銅端子５を形成する。次に、図３
（ｂ）に示すように基板１の表面に厚さ４０ミクロンの
アルミナ保護膜６をスパッタ成膜した後、図３（ｃ）に
示すように銅端子５が露出するまでアルミナ保護膜６の
表面を平坦化ラップ加工する。次に、加工面に付着した
油分を除去するために脱脂処理を行い、純水で洗浄した
後、銅用ソフトエッチング液により平坦化ラップ加工に
より露出した銅端子５の表面を約１００オングストロー
ム程度ソフトエッチングする。更に、純水洗浄した後、
無電解金メッキ液（エヌ・イーケムキャット社製：商品
名 銅素地用ＳＵＰＥＲ ＡＴＯＭＥＸ−ＰＣ）を液温
度９０℃，ｐＨ７．０に保持し、銅端子５のメッキ面が
液面に対して垂直になるように約１０分間浸漬して図３
（ｄ）に示すように銅端子５上に厚さ１０００オングス
トロームの薄付け無電解金メッキ膜１０を形成する。こ
こで、無電解金メッキ液のｐＨは図１１に示すようにｐ
Ｈ９以上になるとアルミナ保護膜６が減膜を開始するの
でこれ以上のｐＨでは使用することができない。また、
ｐＨをあまり低くするとメッキ効果が悪くなるのでｐＨ
７程度が好ましい。次に、薄付け無電解金メッキ膜１０
が形成された基板１を純水洗浄した後、更に無電解金メ
ッキ液（エヌ・イーケムキャット社製：商品名 ＳＵＰ
ＥＲ ＭＥＸ＃３００）を間接加熱にて液温度７０℃、
ｐＨは前述したように７．０に保持し、この電解メッキ
液に空気を吹き込むことで常に酸化状態にして、薄付け
無電解金メッキ膜１０の表面が液面に対して垂直になる
ようにして約６０分間浸漬して、厚さ９０００オングス
トロームの厚付け無電解金メッキ膜１１を形成し、図４
に示すように銅端子５上に厚さ１ミクロンの金端子９を
形成する。
における薄膜磁気ヘッドについて、以下、その製造方法
を説明する。図２（ａ）乃至図４は本発明の一実施例に
おける薄膜磁気ヘッドの金端子形成工程の一例を示す要
部断面図である。まず、図２（ａ）に示すように上部コ
アまでの薄膜磁気ヘッド素子部が形成済の基板１のリー
ド層２上にスパッタ法により厚さ１０００オングストロ
ームの銅端子メッキ用下地電極膜３を成膜する。次に、
銅端子メッキ用下地電極膜３上にノボラック系のポジタ
イプレジストを膜厚４０ミクロンになるようにスピナー
でスピンコートした後、オーブンにて９０℃で約３０分
の熱処理をした後、露光・現像した後、純水にて洗浄し
て図２（ｂ）に示すような銅端子パターン４を形成す
る。次に、図２（ｃ）に示すように銅端子メッキ用下地
電極膜３の露出している部分に電解メッキ法にて銅端子
５を形成する。銅端子５の寸法は１２０ミクロン×１８
０ミクロンの長方形断面で膜厚さ４０ミクロンである。
次に、図２（ｄ）に示すようにポジタイプレジスト膜で
形成されている銅端子パターン４を全面露光・現像した
後、純水にて洗浄して銅端子パターン４を除去した後、
過硫酸アンモニウム３０ｇ／ｌ、ラウリル硫酸ナトリウ
ム０．０５ｇ／ｌ、水酸化ナトリウムにてｐＨを６〜７
に調整した銅用ソフトエッチング液により銅端子メッキ
用下地電極膜３の不要部分をケミカルエッチングして図
３（ａ）に示すような銅端子５を形成する。次に、図３
（ｂ）に示すように基板１の表面に厚さ４０ミクロンの
アルミナ保護膜６をスパッタ成膜した後、図３（ｃ）に
示すように銅端子５が露出するまでアルミナ保護膜６の
表面を平坦化ラップ加工する。次に、加工面に付着した
油分を除去するために脱脂処理を行い、純水で洗浄した
後、銅用ソフトエッチング液により平坦化ラップ加工に
より露出した銅端子５の表面を約１００オングストロー
ム程度ソフトエッチングする。更に、純水洗浄した後、
無電解金メッキ液（エヌ・イーケムキャット社製：商品
名 銅素地用ＳＵＰＥＲ ＡＴＯＭＥＸ−ＰＣ）を液温
度９０℃，ｐＨ７．０に保持し、銅端子５のメッキ面が
液面に対して垂直になるように約１０分間浸漬して図３
（ｄ）に示すように銅端子５上に厚さ１０００オングス
トロームの薄付け無電解金メッキ膜１０を形成する。こ
こで、無電解金メッキ液のｐＨは図１１に示すようにｐ
Ｈ９以上になるとアルミナ保護膜６が減膜を開始するの
でこれ以上のｐＨでは使用することができない。また、
ｐＨをあまり低くするとメッキ効果が悪くなるのでｐＨ
７程度が好ましい。次に、薄付け無電解金メッキ膜１０
が形成された基板１を純水洗浄した後、更に無電解金メ
ッキ液（エヌ・イーケムキャット社製：商品名 ＳＵＰ
ＥＲ ＭＥＸ＃３００）を間接加熱にて液温度７０℃、
ｐＨは前述したように７．０に保持し、この電解メッキ
液に空気を吹き込むことで常に酸化状態にして、薄付け
無電解金メッキ膜１０の表面が液面に対して垂直になる
ようにして約６０分間浸漬して、厚さ９０００オングス
トロームの厚付け無電解金メッキ膜１１を形成し、図４
に示すように銅端子５上に厚さ１ミクロンの金端子９を
形成する。
【００１１】以上のように本実施例によれば、保護膜平
坦化ラップ加工後の銅端子５の膜面のメッキしたい部分
にだけ金メッキを行うことができるので金の消費量を削
減することができる。また、無電解メッキで金端子９を
形成するので、金膜厚を均一にすることができる。
坦化ラップ加工後の銅端子５の膜面のメッキしたい部分
にだけ金メッキを行うことができるので金の消費量を削
減することができる。また、無電解メッキで金端子９を
形成するので、金膜厚を均一にすることができる。
【００１２】（実施例２）以下本発明の第２の実施例に
ついて、図面を参照しながら説明する。図５は本発明の
第２の実施例における薄膜磁気ヘッドの要部断面図であ
る。実施例１と異なるのは銅端子５上に大面積の銅メッ
キ用下地電極膜１２、大面積の銅メッキ端子１４が形成
され、その表面に薄付け無電解金メッキ膜１０及び厚付
け無電解金メッキ膜１１が形成されている点である。
ついて、図面を参照しながら説明する。図５は本発明の
第２の実施例における薄膜磁気ヘッドの要部断面図であ
る。実施例１と異なるのは銅端子５上に大面積の銅メッ
キ用下地電極膜１２、大面積の銅メッキ端子１４が形成
され、その表面に薄付け無電解金メッキ膜１０及び厚付
け無電解金メッキ膜１１が形成されている点である。
【００１３】以上のように構成された本発明の第２実施
例における薄膜磁気ヘッドについて、以下、その製造方
法を説明する。図６（ａ）乃至図７（ｄ）は本発明の第
２実施例における薄膜磁気ヘッドの大面積の金端子形成
工程の一例を示す要部断面図である。図３（ｃ）の保護
膜の平坦化ラップ加工までは実施例１と同様なので説明
を省略する。まず、図６（ｂ）に示すように平坦化ラッ
プ加工済み基板１の表面に、銅メッキ用下地電極膜１２
をスパッタ成膜にて１０００オングストローム形成す
る。次に図６（ｃ）に示すようにノボラック系ポジ型フ
ォトレジスト膜を膜厚１０ミクロンになるように、スピ
ナーでスピンコートし、オーブンにて９０℃×３０分の
熱処理を加えた後、露光装置にて平坦化ラップ加工にて
露出した銅端子よりも大面積（２００ミクロン×２６０
ミクロンの長方形断面）の端子パターン１３を形成す
る。その後、図６（ｄ）に示すように銅メッキ用下地電
極膜１２の露出している部分に、電解メッキにて膜厚５
ミクロンの金端子形状をした銅メッキ端子１４を形成す
る。次に、図７（ａ）に示すように端子パターン１３を
全面露光・現像した後、純水洗浄にて端子パターン１３
を除去した後、銅用ソフトエッチング液にて、銅メッキ
用下地電極膜１２の不要部分をケミカルエッチングする
ことで図７（ｂ）に示すような金端子形状をした銅メッ
キ端子１４を形成する。
例における薄膜磁気ヘッドについて、以下、その製造方
法を説明する。図６（ａ）乃至図７（ｄ）は本発明の第
２実施例における薄膜磁気ヘッドの大面積の金端子形成
工程の一例を示す要部断面図である。図３（ｃ）の保護
膜の平坦化ラップ加工までは実施例１と同様なので説明
を省略する。まず、図６（ｂ）に示すように平坦化ラッ
プ加工済み基板１の表面に、銅メッキ用下地電極膜１２
をスパッタ成膜にて１０００オングストローム形成す
る。次に図６（ｃ）に示すようにノボラック系ポジ型フ
ォトレジスト膜を膜厚１０ミクロンになるように、スピ
ナーでスピンコートし、オーブンにて９０℃×３０分の
熱処理を加えた後、露光装置にて平坦化ラップ加工にて
露出した銅端子よりも大面積（２００ミクロン×２６０
ミクロンの長方形断面）の端子パターン１３を形成す
る。その後、図６（ｄ）に示すように銅メッキ用下地電
極膜１２の露出している部分に、電解メッキにて膜厚５
ミクロンの金端子形状をした銅メッキ端子１４を形成す
る。次に、図７（ａ）に示すように端子パターン１３を
全面露光・現像した後、純水洗浄にて端子パターン１３
を除去した後、銅用ソフトエッチング液にて、銅メッキ
用下地電極膜１２の不要部分をケミカルエッチングする
ことで図７（ｂ）に示すような金端子形状をした銅メッ
キ端子１４を形成する。
【００１４】次に、純水洗浄した後、無電解金メッキ液
（エヌ・イーケムキャット社製：商品名 銅素地用ＳＵ
ＰＥＲ ＡＴＯＭＥＸ−ＰＣ）を液温度９０℃、ｐＨは
実施例１と同様に７．０に保持した状態で洗浄済み基板
１を、メッキ面が液面に対して垂直にするように１０分
浸漬することで銅メッキ端子１４上に図７（ｃ）に示す
ように厚さ１０００オングストロームの薄付け無電解金
メッキ薄膜１０を形成する。
（エヌ・イーケムキャット社製：商品名 銅素地用ＳＵ
ＰＥＲ ＡＴＯＭＥＸ−ＰＣ）を液温度９０℃、ｐＨは
実施例１と同様に７．０に保持した状態で洗浄済み基板
１を、メッキ面が液面に対して垂直にするように１０分
浸漬することで銅メッキ端子１４上に図７（ｃ）に示す
ように厚さ１０００オングストロームの薄付け無電解金
メッキ薄膜１０を形成する。
【００１５】更に、基板１を洗浄した後、無電解金メッ
キ液（エヌ・イーケムキャット社製：商品名 ＳＵＰＥ
Ｒ ＭＥＸ＃３００）を間接加熱にて液温度７０℃、ｐ
Ｈは実施例１と同様に７．０に保持するとともに、メッ
キ液に空気を吹き込むことで常に酸化状態にして、薄付
け無電解金メッキ膜１０が形成済みの基板を、メッキ面
が液面に対して垂直になるように６０分浸漬して図７
（ｄ）に示すように厚さ９０００オングストロームの厚
付け無電解金メッキ膜１１を形成する。したがって、銅
端子５（１２０ミクロン×１８０ミクロンの長方形断
面）に比べて、大面積の厚さ１ミクロンの金端子（２０
０ミクロン×２６０ミクロンの長方形断面）を形成する
ことができる。
キ液（エヌ・イーケムキャット社製：商品名 ＳＵＰＥ
Ｒ ＭＥＸ＃３００）を間接加熱にて液温度７０℃、ｐ
Ｈは実施例１と同様に７．０に保持するとともに、メッ
キ液に空気を吹き込むことで常に酸化状態にして、薄付
け無電解金メッキ膜１０が形成済みの基板を、メッキ面
が液面に対して垂直になるように６０分浸漬して図７
（ｄ）に示すように厚さ９０００オングストロームの厚
付け無電解金メッキ膜１１を形成する。したがって、銅
端子５（１２０ミクロン×１８０ミクロンの長方形断
面）に比べて、大面積の厚さ１ミクロンの金端子（２０
０ミクロン×２６０ミクロンの長方形断面）を形成する
ことができる。
【００１６】以上のように本実施例によれば、保護膜平
坦化ラップ加工後の銅端子５の膜面に、銅端子より大面
積の金端子９を必要な部分にだけ形成することができる
ので、大面積の金端子９を形成しても金の消費量を削減
することができ、かつ無電解メッキで金端子９を形成す
るので金膜厚を均一にすることができる。
坦化ラップ加工後の銅端子５の膜面に、銅端子より大面
積の金端子９を必要な部分にだけ形成することができる
ので、大面積の金端子９を形成しても金の消費量を削減
することができ、かつ無電解メッキで金端子９を形成す
るので金膜厚を均一にすることができる。
【００１７】（実施例３）以下本発明の第３の実施例に
ついて図面を参照しながら説明する。図８は本発明の第
３の実施例における薄膜磁気ヘッドの要部断面図であ
る。以上のように構成された本発明の第３実施例におけ
る薄膜磁気ヘッドについて、以下、その製造方法を説明
する。図９（ａ）乃至図１０（ｃ）は本発明の第３実施
例における薄膜磁気ヘッドの大面積の金端子形成工程の
一例を示す要部断面図である。まず、図９（ｂ）に示す
ように、平坦化ラップ加工済み基板の表面に、連続した
チタン膜１５（膜厚２００オングストローム）と銅膜１
６（膜厚２０００オングストローム）をスパッタ成膜に
て形成する。次に、図９（ｃ）に示すようにノボラック
系ポジタイプレジスト膜を膜厚１０ミクロンになるよう
に、スピナーでスピンコートし、オーブンにて９０℃×
３０分の熱処理を加えた後、露光装置にて金端子形状
（２００ミクロン×２６０ミクロンの長方形断面）パタ
ーンに露光した後、現像後、純水洗浄して金端子パター
ン１７を形成する。その後、図９（ｄ）に示すように銅
用ソフトエッチング液にて、レジストに覆われてない部
分の銅膜１６を除去する。
ついて図面を参照しながら説明する。図８は本発明の第
３の実施例における薄膜磁気ヘッドの要部断面図であ
る。以上のように構成された本発明の第３実施例におけ
る薄膜磁気ヘッドについて、以下、その製造方法を説明
する。図９（ａ）乃至図１０（ｃ）は本発明の第３実施
例における薄膜磁気ヘッドの大面積の金端子形成工程の
一例を示す要部断面図である。まず、図９（ｂ）に示す
ように、平坦化ラップ加工済み基板の表面に、連続した
チタン膜１５（膜厚２００オングストローム）と銅膜１
６（膜厚２０００オングストローム）をスパッタ成膜に
て形成する。次に、図９（ｃ）に示すようにノボラック
系ポジタイプレジスト膜を膜厚１０ミクロンになるよう
に、スピナーでスピンコートし、オーブンにて９０℃×
３０分の熱処理を加えた後、露光装置にて金端子形状
（２００ミクロン×２６０ミクロンの長方形断面）パタ
ーンに露光した後、現像後、純水洗浄して金端子パター
ン１７を形成する。その後、図９（ｄ）に示すように銅
用ソフトエッチング液にて、レジストに覆われてない部
分の銅膜１６を除去する。
【００１８】更に、純水洗浄した後、エチレンジアミン
四酢酸９．７２ｇ、過酸化水素水２４０ｃｃ、アンモニ
ア水２０ｃｃ、純水４００ｃｃからなるチタンエッチン
グ液にて図９（ｄ）に示すようにレジストに覆われてな
い部分のチタン膜１５をケミカルエッチングした後、図
１０（ａ）に示すように金端子パターン１７を全面露光
・現像した後、純水洗浄にて除去する。
四酢酸９．７２ｇ、過酸化水素水２４０ｃｃ、アンモニ
ア水２０ｃｃ、純水４００ｃｃからなるチタンエッチン
グ液にて図９（ｄ）に示すようにレジストに覆われてな
い部分のチタン膜１５をケミカルエッチングした後、図
１０（ａ）に示すように金端子パターン１７を全面露光
・現像した後、純水洗浄にて除去する。
【００１９】次に、基板１の表面に付着した油分を除去
するため、脱脂処理、純水洗浄をした後、無電解金メッ
キ液（エヌ・イーケムキャット社製：商品名 銅素地用
ＳＵＰＥＲ ＡＴＯＭＥＸ−ＰＣ）を、液温度９０℃、
ｐＨは実施例１と同様に７．０に保持した状態で該洗浄
済み基板を、メッキ面が液面に対して垂直するように１
０分間浸漬して図１０（ｂ）に示すように銅膜１６上に
厚さ１０００オングストロームの薄付け無電解金メッキ
膜１０を形成する。
するため、脱脂処理、純水洗浄をした後、無電解金メッ
キ液（エヌ・イーケムキャット社製：商品名 銅素地用
ＳＵＰＥＲ ＡＴＯＭＥＸ−ＰＣ）を、液温度９０℃、
ｐＨは実施例１と同様に７．０に保持した状態で該洗浄
済み基板を、メッキ面が液面に対して垂直するように１
０分間浸漬して図１０（ｂ）に示すように銅膜１６上に
厚さ１０００オングストロームの薄付け無電解金メッキ
膜１０を形成する。
【００２０】更に、基板１を洗浄した後、無電解金メッ
キ液（エヌ・イーケムキャット社製：商品名 ＳＵＰＥ
Ｒ ＭＥＸ＃３００）を間接加熱にて液温度７０℃、ｐ
Ｈは実施例１と同様に７．０に保持するとともに、メッ
キ液に空気を吹き込むことで常に酸化状態にして、薄付
け無電解金メッキ膜１０が形成済みの基板を、メッキ面
が液面に対して垂直になるように６０分浸漬し図１０
（ｃ）に示すような厚さ９０００オングストロームの厚
付け無電解金メッキ膜１１を形成する。したがって、銅
端子５（１２０ミクロン×１８０ミクロンの長方形断
面）に比べて、大面積の厚さ１ミクロンの金端子９（２
００ミクロン×２６０ミクロンの長方形断面）を形成す
ることができる。
キ液（エヌ・イーケムキャット社製：商品名 ＳＵＰＥ
Ｒ ＭＥＸ＃３００）を間接加熱にて液温度７０℃、ｐ
Ｈは実施例１と同様に７．０に保持するとともに、メッ
キ液に空気を吹き込むことで常に酸化状態にして、薄付
け無電解金メッキ膜１０が形成済みの基板を、メッキ面
が液面に対して垂直になるように６０分浸漬し図１０
（ｃ）に示すような厚さ９０００オングストロームの厚
付け無電解金メッキ膜１１を形成する。したがって、銅
端子５（１２０ミクロン×１８０ミクロンの長方形断
面）に比べて、大面積の厚さ１ミクロンの金端子９（２
００ミクロン×２６０ミクロンの長方形断面）を形成す
ることができる。
【００２１】以上のように本実施例によれば、保護膜平
坦化ラップ加工後の銅端子膜面に実施例２とは別の方法
で大面積の金端子を必要な部分にだけ形成することがで
きるので、金の消費量を削減し、かつ無電解メッキで金
端子を形成するので金膜厚を均一にすることができる。
坦化ラップ加工後の銅端子膜面に実施例２とは別の方法
で大面積の金端子を必要な部分にだけ形成することがで
きるので、金の消費量を削減し、かつ無電解メッキで金
端子を形成するので金膜厚を均一にすることができる。
【００２２】
【発明の効果】以上のように本発明は、無電解金メッキ
法によってメッキしたい部分にだけ膜厚分布の均一な金
端子を形成することができるので、薄膜磁気ヘッドを低
原価でかつ高い歩留りで製造することができ生産性、信
頼性に優れた薄膜磁気ヘッドの製造方法を実現できるも
のである。
法によってメッキしたい部分にだけ膜厚分布の均一な金
端子を形成することができるので、薄膜磁気ヘッドを低
原価でかつ高い歩留りで製造することができ生産性、信
頼性に優れた薄膜磁気ヘッドの製造方法を実現できるも
のである。
【図１】本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの要
部断面図
部断面図
【図２】（ａ）本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッ
ドの金端子形成工程の一例を示す要部断面図 （ｂ）本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの金端
子形成工程の一例を示す要部断面図 （ｃ）本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの金端
子形成工程の一例を示す要部断面図 （ｄ）本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの金端
子形成工程の一例を示す要部断面図
ドの金端子形成工程の一例を示す要部断面図 （ｂ）本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの金端
子形成工程の一例を示す要部断面図 （ｃ）本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの金端
子形成工程の一例を示す要部断面図 （ｄ）本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの金端
子形成工程の一例を示す要部断面図
【図３】（ａ）本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッ
ドの金端子形成工程の一例を示す要部断面図 （ｂ）本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの金端
子形成工程の一例を示す要部断面図 （ｃ）本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの金端
子形成工程の一例を示す要部断面図 （ｄ）本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの金端
子形成工程の一例を示す要部断面図
ドの金端子形成工程の一例を示す要部断面図 （ｂ）本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの金端
子形成工程の一例を示す要部断面図 （ｃ）本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの金端
子形成工程の一例を示す要部断面図 （ｄ）本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの金端
子形成工程の一例を示す要部断面図
【図４】本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの金
端子形成工程の一例を示す要部断面図
端子形成工程の一例を示す要部断面図
【図５】本発明の第２の実施例における薄膜磁気ヘッド
の要部断面図
の要部断面図
【図６】（ａ）本発明の第２の実施例における薄膜磁気
ヘッドの大面積の金端子形成工程の一例を示す要部断面
図 （ｂ）本発明の第２の実施例における薄膜磁気ヘッドの
大面積の金端子形成工程の一例を示す要部断面図 （ｃ）本発明の第２の実施例における薄膜磁気ヘッドの
大面積の金端子形成工程の一例を示す要部断面図 （ｄ）本発明の第２の実施例における薄膜磁気ヘッドの
大面積の金端子形成工程の一例を示す要部断面図
ヘッドの大面積の金端子形成工程の一例を示す要部断面
図 （ｂ）本発明の第２の実施例における薄膜磁気ヘッドの
大面積の金端子形成工程の一例を示す要部断面図 （ｃ）本発明の第２の実施例における薄膜磁気ヘッドの
大面積の金端子形成工程の一例を示す要部断面図 （ｄ）本発明の第２の実施例における薄膜磁気ヘッドの
大面積の金端子形成工程の一例を示す要部断面図
【図７】（ａ）本発明の第２の実施例における薄膜磁気
ヘッドの大面積の金端子形成工程の一例を示す要部断面
図 （ｂ）本発明の第２の実施例における薄膜磁気ヘッドの
大面積の金端子形成工程の一例を示す要部断面図 （ｃ）本発明の第２の実施例における薄膜磁気ヘッドの
大面積の金端子形成工程 の一例を示す要部断面図 （ｄ）本発明の第２の実施例における薄膜磁気ヘッドの
大面積の金端子形成工程の一例を示す要部断面図
ヘッドの大面積の金端子形成工程の一例を示す要部断面
図 （ｂ）本発明の第２の実施例における薄膜磁気ヘッドの
大面積の金端子形成工程の一例を示す要部断面図 （ｃ）本発明の第２の実施例における薄膜磁気ヘッドの
大面積の金端子形成工程 の一例を示す要部断面図 （ｄ）本発明の第２の実施例における薄膜磁気ヘッドの
大面積の金端子形成工程の一例を示す要部断面図
【図８】本発明の第３の実施例における薄膜磁気ヘッド
の要部断面図
の要部断面図
【図９】（ａ）本発明の第３の実施例における薄膜磁気
ヘッドの大面積の金端子形成工程の一例を示す要部断面
図 （ｂ）本発明の第３の実施例における薄膜磁気ヘッドの
大面積の金端子形成工程の一例を示す要部断面図 （ｃ）本発明の第３の実施例における薄膜磁気ヘッドの
大面積の金端子形成工程の一例を示す要部断面図 （ｄ）本発明の第３の実施例における薄膜磁気ヘッドの
大面積の金端子形成工程の一例を示す要部断面図
ヘッドの大面積の金端子形成工程の一例を示す要部断面
図 （ｂ）本発明の第３の実施例における薄膜磁気ヘッドの
大面積の金端子形成工程の一例を示す要部断面図 （ｃ）本発明の第３の実施例における薄膜磁気ヘッドの
大面積の金端子形成工程の一例を示す要部断面図 （ｄ）本発明の第３の実施例における薄膜磁気ヘッドの
大面積の金端子形成工程の一例を示す要部断面図
【図１０】（ａ）本発明の第３の実施例における薄膜磁
気ヘッドの大面積の金端子形成工程の一例を示す要部断
面図 （ｂ）本発明の第３の実施例における薄膜磁気ヘッドの
大面積の金端子形成工程の一例を示す要部断面図 （ｃ）本発明の第３の実施例における薄膜磁気ヘッドの
大面積の金端子形成工程の一例を示す要部断面図
気ヘッドの大面積の金端子形成工程の一例を示す要部断
面図 （ｂ）本発明の第３の実施例における薄膜磁気ヘッドの
大面積の金端子形成工程の一例を示す要部断面図 （ｃ）本発明の第３の実施例における薄膜磁気ヘッドの
大面積の金端子形成工程の一例を示す要部断面図
【図１１】アルミナ保護膜を６０分間無電解メッキ液に
浸漬した場合の減膜量とｐＨの関係を示した図
浸漬した場合の減膜量とｐＨの関係を示した図
【図１２】一般的な薄膜磁気ヘッドの要部断面図
【図１３】（ａ）従来の薄膜磁気ヘッドの金端子形成工
程の一例を示す要部断面図 （ｂ）従来の薄膜磁気ヘッドの金端子形成工程の一例を
示す要部断面図 （ｃ）従来の薄膜磁気ヘッドの金端子形成工程の一例を
示す要部断面図 （ｄ）従来の薄膜磁気ヘッドの金端子形成工程の一例を
示す要部断面図
程の一例を示す要部断面図 （ｂ）従来の薄膜磁気ヘッドの金端子形成工程の一例を
示す要部断面図 （ｃ）従来の薄膜磁気ヘッドの金端子形成工程の一例を
示す要部断面図 （ｄ）従来の薄膜磁気ヘッドの金端子形成工程の一例を
示す要部断面図
【図１４】（ａ）従来の薄膜磁気ヘッドの金端子形成工
程の一例を示す要部断面図 （ｂ）従来の薄膜磁気ヘッドの金端子形成工程の一例を
示す要部断面図 （ｃ）従来の薄膜磁気ヘッドの金端子形成工程の一例を
示す要部断面図 （ｄ）従来の薄膜磁気ヘッドの金端子形成工程の一例を
示す要部断面図
程の一例を示す要部断面図 （ｂ）従来の薄膜磁気ヘッドの金端子形成工程の一例を
示す要部断面図 （ｃ）従来の薄膜磁気ヘッドの金端子形成工程の一例を
示す要部断面図 （ｄ）従来の薄膜磁気ヘッドの金端子形成工程の一例を
示す要部断面図
【図１５】（ａ）従来の薄膜磁気ヘッドの金端子形成工
程の一例を示す要部断面図 （ｂ）従来の薄膜磁気ヘッドの金端子形成工程の一例を
示す要部断面図 （ｃ）従来の薄膜磁気ヘッドの金端子形成工程の一例を
示す要部断面図 （ｄ）従来の薄膜磁気ヘッドの金端子形成工程の一例を
示す要部断面図
程の一例を示す要部断面図 （ｂ）従来の薄膜磁気ヘッドの金端子形成工程の一例を
示す要部断面図 （ｃ）従来の薄膜磁気ヘッドの金端子形成工程の一例を
示す要部断面図 （ｄ）従来の薄膜磁気ヘッドの金端子形成工程の一例を
示す要部断面図
１ 基板 ２ リード層 ３ 銅端子メッキ用下地電極膜 ４ 銅端子パターン ５ 銅端子 ６ アルミナ保護膜 ７ 金端子メッキ用下地電極膜 ８ 金端子パターン ９ 金端子 １０ 薄付け無電解金メッキ膜 １１ 厚付け無電解金メッキ膜 １２ 銅メッキ用下地電極膜 １３ 端子パターン １４ 銅メッキ端子 １５ チタン膜 １６ 銅膜 １７ 金端子パターン
Claims (3)
- 【請求項１】金端子形成工程を有する薄膜磁気ヘッドの
製造方法であって、前記金端子形成工程が保護膜平坦化
ラップ加工により露出した銅端子上に無電解メッキ法に
より金端子を形成する工程を備えたことを特徴とする薄
膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】金端子形成工程を有する薄膜磁気ヘッドの
製造方法であって、前記金端子形成工程が保護膜平坦化
ラップ加工済の基板上に前記平坦化ラップ加工により露
出した銅端子より大面積の銅端子を形成する銅端子形成
工程と、前記大面積の銅端子上に無電解メッキ法により
金端子を形成する金端子形成工程を備えたことを特徴と
する薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】前記金端子形成工程でｐＨが９以下好まし
くは７以下の無電解金メッキ液を用いて前記金端子を形
成することを特徴とする請求項１又は２記載の薄膜磁気
ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23966093A JPH0793721A (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23966093A JPH0793721A (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0793721A true JPH0793721A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=17048011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23966093A Pending JPH0793721A (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0793721A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010258219A (ja) * | 2009-04-24 | 2010-11-11 | Nippon Chemicon Corp | 電解コンデンサの製造方法及び電解コンデンサ |
-
1993
- 1993-09-27 JP JP23966093A patent/JPH0793721A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010258219A (ja) * | 2009-04-24 | 2010-11-11 | Nippon Chemicon Corp | 電解コンデンサの製造方法及び電解コンデンサ |
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