JPH0789942A - 4−フルオロ−t−5−(ピリミジン−2−イル)オキシ−4−r−シクロヘキセンカルボン酸誘導体 - Google Patents

4−フルオロ−t−5−(ピリミジン−2−イル)オキシ−4−r−シクロヘキセンカルボン酸誘導体

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JPH0789942A
JPH0789942A JP23640293A JP23640293A JPH0789942A JP H0789942 A JPH0789942 A JP H0789942A JP 23640293 A JP23640293 A JP 23640293A JP 23640293 A JP23640293 A JP 23640293A JP H0789942 A JPH0789942 A JP H0789942A
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Atsushi Go
敦 郷
Koichi Araki
恒一 荒木
Norishige Sotojima
徳重 外島
Tetsuya Murata
哲也 村田
Takako Aoki
孝子 青木
Rika Higure
理加 日暮
Miki Furumine
美樹 古峰
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Mitsubishi Chemical Corp
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Mitsubishi Chemical Corp
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 除草活性を有する1−フルオロ−t−2−
(ピリミジン−2−イル)オキシ−1−r−シクロヘキ
サンカルボン酸誘導体を効率よく製造するための原料化
合物を提供する。 【構成】 下記式(I) [式中、Rはハロゲン原子、低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基を示し、Rは低級アルキル基、低級ハロア
ルキル基を示し、Rは水素基、低級アルコキシ基、低
級アルケニルオキシ基、低級アルキニルオキシ基、低級
アルコキシカルボニルアルコキシ基、低級アルキルスル
フォニルアミノ基またはその農学的に許容される塩を示
す。]で表わされる4−フルオロ−t−5−(ピリミジ
ン−2−イル)オキシ−4−r−シクロヘキセンカルボ
ン酸誘導体およびそれを有効成分とする除草剤。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、文献未記載の4−フル
オロ−t−5−(ピリミジン−2−イル)オキシ−4−
r−シクロヘキセンカルボン酸誘導体およびそれを有効
成分として含有する除草剤、並びに該誘導体を原料とす
る、除草剤として有用な1−フルオロ−t−2−(ピリ
ミジン−2−イル)オキシ−1−r−シクロヘキサンカ
ルボン酸誘導体の製造法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】ヨーロッパ特許公開公報第046876
6号には、フッ素含有ピリミジンエーテル系誘導体を有
効成分として含有する除草剤が開示され、該誘導体の製
造法として、1−フルオロ−t−2−ヒドロキシ−1−
r−シクロヘキサンカルボン酸エステル誘導体と塩基の
存在下、2−メタンスルホニルピリミジン誘導体を反応
させることにより1−フルオロ−t−2−(ピリミジン
−2−イル)オキシ−1−r−シクロヘキサンカルボン
酸誘導体が得られている。その中間体である1−フルオ
ロ−t−2−ヒドロキシ−1−r−シクロヘキサンカル
ボン酸エステル誘導体の製造法については、1−フルオ
ロ−2−オキソ−1−シクロヘキサンカルボン酸エステ
ル誘導体のケトン部分を試薬還元または不均一系接触還
元することによる、1−フルオロ−2−ヒドロキシ−1
−シクロヘキサンカルボン酸エステル誘導体の合成法が
記載されている。しかしながら、この製造方法では、ヒ
ドロキシ基とアルコキシカルボニル基がトランスの配置
を有する化合物を選択的に得ることは容易でない。
【0003】
【本発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、前
記記載の文献中の除草活性を有する1−フルオロ−t−
2−(ピリミジン−2−イル)オキシ−1−r−シクロ
ヘキサンカルボン酸誘導体を効率よく製造するための原
料化合物の創製と、これから効率よく該誘導体を製造す
る方法を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
の解決のために鋭意研究を行った結果、新規化合物の創
製に成功し、さらに該化合物が従来の化合物と比較し、
除草スペクトラムが広く、除草効果が高く、作物に対す
る安全性の優れた化合物であること、並びに該化合物を
原料として他の除草剤を製造するための中間体の有利な
製造法を見いだし、に本発明を完成した。本発明は、下
記一般式(I):
【0005】
【化5】
【0006】[式中、R1はハロゲン原子、低級アルキ
ル基、低級アルコキシ基を示し、R2は低級アルキル
基、低級ハロアルキル基を示し、R3は水酸基、低級ア
ルコキシ基、低級アルケニルオキシ基、低級アルキニル
オキシ基、低級アルコキシカルボニルアルコキシ基、低
級アルキルスルフォニルアミノ基またはその農学的に許
容される塩を示す。]で表わされる4−フルオロ−t−
5−(ピリミジン−2−イル)オキシ−4−r−シクロ
ヘキセンカルボン酸誘導体、およびそれを有効成分とし
て含有する除草剤、および上記一般式(I)で表わされ
る4−フルオロ−t−5−(ピリミジン−2−イル)オ
キシ−4−r−シクロヘキセンカルボン酸誘導体を不均
一系または均一系接触水素添加触媒の存在下、水素と接
触せしめることを特徴とする下記一般式(II):
【0007】
【化6】
【0008】[式中、R1およびR2は前記と同じ意味を
示し、R4は水酸基、低級アルコキシ基、低級アルコキ
シカルボニルアルコキシ基、低級アルキルスルフォニル
アミノ基またはその農学的に許容される塩を示す。]で
表される1−フルオロ−t−2−(ピリミジン−2−イ
ル)オキシ−1−r−シクロヘキサンカルボン酸誘導体
の製造法である。
【0009】本明細書において、「低級」なる語はこの
基が付された基または化合物の炭素数が6以下、好まし
くは1〜4であることを意味する。前記一般式(I)お
よび(II)におけるそれぞれの具体例を下記に示す。ハロゲン原子 :フッ素、塩素、臭素、またはヨウ素であ
る。低級アルキル基 :直鎖状または分岐鎖状のアルキル基で
あり、例えば、メチル基、エチル基,n−プロピル基、
イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、第二ブ
チル基、、第三ブチル基等を挙げることができる。低級アルコキシ基 :前記の低級アルキル−O−基であ
り、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ
基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ
基、第二ブトキシ基、第三ブトキシ基を挙げることがで
きる。
【0010】低級ハロアルキル基:例えば、モノフルオ
ロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル
基、モノクロロメチル基、ジクロロメチル基、トリクロ
ロメチル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、2−
フルオロエチル基等を挙げることができる。低級アルケニルオキシ基 :直鎖状または分岐鎖状のアル
ケニルオキシ基であり、例えば、ビニルオキシ基、2−
プロペニペニルオキシ基、2−メチル−2−プロペニル
オキシ基、2−ブテニルオキシ基、3−ブテニルオキシ
基等を挙げることができる。低級アルキニルオキシ基 :直鎖状または分岐鎖状のアル
キニルオキシ基であり、例えば、2−プロピニルオキシ
基、2−ブチニルオキシ基、3−ブチニルオキシ基、1
−メチル−2−プロピニル基を挙げることができる。
【0011】低級アルコキシカルボニルアルコキシ基:
前記の低級アルコキシ−カルボニルアルコキシ基であ
り、例えば、メトキシカルボニルメトキシ基、エトキシ
カルボニルメトキシ基、n−プロポキシカルボニルメト
キシ基、n−ブトキシカルボニルメトキシ基、2−メト
キシカルボニルメトキシ基、2−エトキシカルボニルエ
トキシ基等をが挙げることができる。低級アルキルスルフォニルアミノ基 :前記の低級アルキ
ル−SO2NH基であり、例えば、メチルスルフォニル
アミノ基、エチルスルフォニルアミノ基、n−プロピル
スルフォニルアミノ基、イソプロピルスルフォニルアミ
ノ基、n−ブチルスルフォニルアミノ基等を挙げること
ができる。
【0012】塩の場合の対となるカチオン種 ナトリウム、リチウムまたはカリウム等のアルカリ金
属、またはメチルアンモニウム、エチルアンモニウム、
n−プロピルアンモニウム、イソプロピルアンモニウ
ム、ブチルアンモニウムの4種の異性体、ジメチルアン
モニウム、ジエチルアンモニウム、ジエタノールアンモ
ニウム、ジn−プロピルアンモニウム、ジ−nーブチル
アンモニウム、ピロリジウム、ピペリジウム、モルホリ
ニウム、トリメチルアンモニウム、トリエチルアンモニ
ウム、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモ
ニウム、テトラブチルアンモニウム等の第一、第二、第
三及び第四脂肪族アンモニウム及び芳香族アンモニウム
基等を挙げることができる。
【0013】なお、上記一般式(I)および(II)で表
わされる化合物の1位CO23基を基準としたときに2
位置換基がシス配置をとる化合物をシス体、また1位C
23基を基準としたときに2位置換基がトランス配置
をとる化合物をトランス体と称す。また、上記一般式
(I)および(II)で表される化合物の光学活性体は本
発明の範囲内にあることを理解すべきである。
【0014】前記一般式(I)で表される本発明化合物
を第1表に、一般式(II)で表される化合物を第2表に
例示する。なお、第1表および第2表に記載の化合物は
全てトランス体である。第1表および第2表において、
Me、Et、n−Pr、i−Pr、n−Bu、sec−
Buは、それぞれ、メチル基、エチル基、直鎖プロピル
基、イソプロピル基、直鎖ブチル基、第2ブチル基を示
す。
【0015】
【表1】
【0016】
【表2】
【0017】
【表3】
【0018】
【表4】
【0019】上記一般式(I)で示される4−フルオロ
−t−5−(ピリミジン−2−イル)オキシ−4−シク
ロヘキセンカルボン酸誘導体は、例えば、下記に示す方
法により製造することができる。
【0020】
【化7】
【0021】[式中、R1およびR2は前記と同義であ
る。R5は低級アルコキシ基、低級アルケニルオキシ基
または低級アルキニルオキシ基を示し、Xはハロゲン原
子、または低級アルキルスルフォニル基を示す。]上記
の反応式において、式(V)で表される化合物は、上記
式(III)のフッ素化シクロヘキセノール誘導体を無溶
媒ないし適当な溶媒の存在下、適当な塩基を用いて、−
78℃ないし溶媒の沸点の温度範囲において、上記式
(IV)の置換ピリミジンと0.5〜24時間反応させる
ことにより製造することができる。この反応において溶
媒を使用することができるが、その場合、例えば、ベン
ゼン、トルエンまたはキシレン等の炭化水素系溶媒;ジ
クロロメタンまたはクロロフォルム等のハロゲン化炭化
水素系溶媒;ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテ
ル、テトラヒドロフランまたは1,4−ジオキサン等の
エーテル系溶媒;アセトンまたはメチルエチルケトン等
のケトン系溶媒;酢酸エチル等のエステル系溶媒;ジメ
チルフォルムアミド、ジメチルスルホキシドまたはジメ
チルアセトアミド等の非プロトン性極性溶媒;アセトニ
トリル等を挙げることができる。
【0022】また塩基としては、水素化ナトリウム、水
素化カリウム等の水素化アルカリ金属類;炭酸ナトリウ
ムまたは炭酸カリウムなどの炭酸塩類;水酸化ナトリウ
ムまたは水酸化カリウム等の水酸化金属類;ナトリウム
メチラート、カリウムt−ブトキシドまたはナトリウム
エチラート等の金属アルコラート類;n−ブチルリチウ
ム、メチルリチウムまたはリチウムジイソプロピルアミ
ド等を挙げることができる。
【0023】なお、上記式(III)のフッ素化シクロヘ
キセノール誘導体は、例えば、次のようにして合成する
ことができる。まず、下記式(VII)で表されるt−5
−アシルオキシ−4−フルオロ−4−シクロヘキセンカ
ルボン酸エステル誘導体を、下記反応式に示すように、
一般式(VI)で示される(Z)−3−アシルオキシ−
2−フルオロアクリル酸エステル誘導体と、1,3−ブ
タジエンとを反応させることにより合成する。
【0024】
【化8】
【0025】[式中、R6は低級アルキル基またはフェ
ニル基を示し、R7は低級アルコキシ基を示す。]この
反応は無溶媒で行ってもよいが、通常はベンゼン、トル
エン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒;メタノー
ル、エタノール、イソプロピルアルコール、第三ブチル
アルコール、エチレングリコール等のアルコール系溶
媒;ジエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ン等のエーテル系溶媒;酢酸メチル、酢酸エチル等のエ
ステル系溶媒;アセトニトリル、ジメチルホルムアミド
等の非プロトン性極性溶媒;シクロヘキサン等の炭化水
素系溶媒;塩化メチレン、クロロホルム、1,2−ジク
ロロエタン等のハロゲン化炭化水素系溶媒または水等の
溶媒中、あるいはこれらの混合溶媒が用いられる
【0026】さらに、本反応系に添加することにより反
応の促進をもたらす添加剤、例えば、塩化アルミニウ
ム、四塩化チタン、塩化亜鉛、四塩化錫、ジエチルアル
ミニウムクロリド、クロロトリイソープロポキシチタ
ン、トリメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート
等のルイス酸を添加して反応を行うこともでき、あるい
は、ハイドロキノン等の重合阻害剤を添加して反応を行
うこともできる。1,3−ブタジエンは、一般式(VI)
で表される(Z)−3−アシルオキシ−2−フルオロ−
アクリル酸エステルに対し、1〜1000当量、好まし
くは10〜100当量用いることにより反応を行うこと
ができる。本反応の際の圧力は常圧から20,000kg
/cm2の範囲で行える。また、反応の際の温度にも特に制
限はないが、−100〜300℃の範囲で行うことがで
きる。反応時間は使用される原料の誘導体の種類や上記
の反応条件によって異なるが、通常1〜120時間でt
−5−アシルオキシ−4−フルオロ−4−r−シクロヘ
キセンカルボン酸エステル誘導体を得ることができる。
また、反応終了後は、蒸留、再結晶またはシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー等の手段で精製することによ
り、t−5−アシルオキシ−4−フルオロ−4−r−シ
クロヘキセンカルボン酸エステル誘導体を単離すること
ができる。
【0027】なお、一般式(VI)で表される(Z)−3
−アシルオキシ−2−フルオロ−アクリル酸エステル誘
導体はジャーナル ケミカル ソサイエティー(C)、
1967年、2206〜2207頁またはジャーナル
ケミカル ソサイエティーケミカル コミュニケーショ
ン、1991年、699〜700頁等に記載された方法
により製造することができる。
【0028】次に、上記で得られた式(VII)で表され
るt−5−アシルオキシ−4−フルオロ−4−r−シク
ロヘキセンカルボン酸エステル誘導体を、R4Hで表さ
れる過剰のアルコールと塩基、酸またはチタニウムアル
コキサイドを触媒として、−78℃ないし溶媒の沸点の
温度範囲において0.1〜24時間反応させることによ
り、式(III)で表されるフッ素化シクロヘキセノール
誘導体が製造される。
【0029】
【化9】
【0030】[式中、R4、R6およびR7は前記と同義
である。]この反応に使用される塩基触媒としては、上
記アルコールとアルカリ金属とにより形成されるアルカ
リ金属アルコキサイド、カリウム、t−ブトキサイドま
たは青酸カリウム等が用いられ、酸触媒としては硫酸ま
たはp−トルエンスルホン酸が用いられる。この反応に
おいて前記アルコールを溶媒として使用できるが、例え
ば、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テト
ラヒドロフランまたは1,4−ジオキサン等のエーテル
系溶媒;ベンゼン、トルエンまたはキシレン等の芳香族
炭化水素系溶媒;塩化メチレン、クロロホルムまたは
1,2−ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素系溶媒
等の溶媒を添加して用いることもできる。
【0031】
【化10】
【0032】[式中、R1、R2及びR5は前記と同じ意
味を示す。]上記反応式において、式(VIII)で示され
るカルボン酸誘導体は、式(V)で示されるエステル誘
導体を適当な塩基と共に、適当な溶媒の存在下、室温な
いし溶媒の沸点の温度範囲で1〜24時間反応させ、更
に反応液を−5℃〜室温の温度範囲内で塩酸又は硫酸で
中和することにより製造することができる。この反応に
おいて使用される溶媒としては、例えば、水または0〜
99%の水を含むメタノール、エタノール、イソプロピ
ルアルコールまたはエチレングリコール等のアルコール
系溶媒、1,4−ジオキサン、テトラヒドロフラン等の
エーテル系溶媒等を挙げることができる。また、塩基と
しては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リ
チウム等の水酸化金属類を挙げることができる。
【0033】
【化11】
【0034】[式中、R1およびR2は前記と同じ意味を
表す。Mはアルカリ金属、アンモニウムまたは有機アン
モニウムを示す。]上記反応式において、式(IX)で表
されるカルボン酸塩誘導体は、式(VIII)で表されるカ
ルボン酸誘導体と適当な水酸化アルカリ金属、アンモニ
アまたは有機アミンと反応させて製造することができ
る。
【0035】この反応において使用される水酸化アルカ
リ金属としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムま
たは水酸化リチウムが、有機アミンとしては、メチルア
ミン、エチルアミン、n−プロピルアミン、イソ−プロ
ピルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、トリメ
チルアミン、トリエチルアミン、ピペリジン、ピルリジ
ン、モルホリン等を挙げることができる。この反応にお
いて使用される溶媒としては水または0〜99%の水を
含むメタノール、エタノール、n−プロパノール、イソ
プロパノールまたはエチレングリコールなどのアルコー
ル類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、1,4
−ジオキサン等のエーテル類、アセトニトリル等を挙げ
ることができる。
【0036】
【化12】
【0037】[式中R1およびR2は前記と同じ意味を示
す。R8は低級アルキル基、低級アルケニル基、低級ア
ルキニル基または低級アルコキシカルボニルアルキル基
を示し、Xはハロゲン原子または水酸基を示す。]上記
反応式において、式(X)で表されるエステル化合物
は、式(VIII)で表されるカルボン酸誘導体を適当な縮
合剤を用いてR8Xで表されるハロゲン化物またはアル
コール誘導体と無溶媒ないし適当な溶媒の存在化、氷冷
下ないし溶媒の沸点の温度範囲で、1〜24時間反応さ
せることにより製造することができる。
【0038】この反応に使用される溶媒としては、例え
ば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶
媒;ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化
水素系溶媒;ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン等のエー
テル系溶媒;アセトン、メチルエチルケトン等のケトン
系溶媒;酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル系溶媒;
ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジメチ
ルアセトアミドなどの非プロトン性極性溶媒;アセトニ
トリル、水等を挙げることができる。また縮合剤として
は、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウ
ム、炭酸水素カリウム等の炭酸塩基;水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム等の水酸化金属塩類;ナトリウムメ
チラート、ナトリウムエチラート等の金属アルコラー
ト;水素化ナトリウム、水素化カリウム等の水素化アル
カリ金属;ジアザビシクロウンデセン等の有機塩基;ジ
シクロヘキシルカルボジイミド等の脱水縮合剤が挙げら
れる。
【0039】
【化13】
【0040】[式中、R1およびR2は前記と同じ意味を
示す。R9は低級アルキル基を示す。]上記反応式にお
いて、式(XI)で表される化合物は、式(VIII)のカル
ボン酸を適当な塩基の存在下、適当な活性化剤と氷冷下
ないし溶媒の沸点の温度範囲で、1〜24時間反応させ
て一旦活性中間体に導いてから、式(XII)で表される
化合物と反応させて製造することができる。この反応に
おいて使用される溶媒としては、例えば、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒;ジクロロメタ
ン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素系溶媒;ジエ
チルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロ
フラン、1,4−ジオキサン等のエーテル系溶媒;アセ
トン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒;酢酸メチ
ル、酢酸エチル等のエステル系溶媒;ジメチルホルムア
ミド、ジメチルスルホキシド、ジメチルアセトアミド等
の非プロトン性極性溶媒;アセトニトリル;水などを挙
げることができる。塩基としては、例えば、ピリジン、
トリエチルアミン、ジアザビシクロウンデセン等の有機
塩基が挙げられ、活性化剤としては、例えば、2−クロ
ル−N−メチルピリジニウムイオダイド、ジシクロヘキ
シルカルボジイミド、カルボニルジイミダゾール等が挙
げられる。
【0041】本発明における一般式(I)で表される4
−フルオロ−t−5−(ピリミジン−2−イル)オキシ
−4−r−シクロヘキセンカルボン酸誘導体から、不均
一系接触還元反応または均一系接触還元反応により、一
般式(II)で表される1−フルオロ−t−2−(ピリミ
ジン−2−イル)オキシ−1−r−シクロヘキサンカル
ボン酸誘導体を製造することができる。この反応におい
て使用される不均一系接触水素添加触媒は、その主成分
である金属が担体に担持されていてもよく、さらに、ブ
ラックあるいは酸化物のごとき無担持触媒も使用可能で
ある。また、ラネーニッケル、ラネー銅の如きラネー型
触媒も使用可能である。この反応において使用される不
均一系接触水素添加触媒は、気体−固体系、液体−固体
系のように、反応物質と相を異にする反応系中において
分子状水素存在下に、炭素原子と酸素原子間等の不飽和
結合に対して、水素付加反応の促進活性を有するもので
ある。本発明の方法では、通常知られている不均一系水
素添加触媒が使用できる。使用される金属としては例え
ば、白金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、レニウ
ム等の貴金属、ニッケル、コバルト、銅、クロム等の遷
移金属が挙げられる。
【0042】本発明で使用される触媒の担体としては例
えば、炭素(活性炭)、アルミナ、シリカ、シリカ・ア
ルミナ、ケイソウ土、軽石、硫酸バリウム、炭酸カルシ
ウム等が挙げられる。無担持触媒としては、例えば酸化
白金、白金ブラック、パラジウムブラック、ロジウムブ
ラック、酸化ロジウム、ルテニウムブラック、酸化ルテ
ニウム等が挙げられる。また、ラネー型触媒として、モ
リブデン、クロム、鉄等を含むラネー型触媒の使用も可
能である。その際、ラネー型触媒に対するそれぞれの金
属含有量は0.01〜30重量%の範囲のものが使用可
能である。
【0043】本発明においては、上記に挙げたもののう
ち、酸化白金、ロジウム/炭素、ロジウム/アルミナ、
ルテニウム/炭素、ラネーニッケルが好ましい。なお、
ここで炭素、アルミナは金属を担持する担体である。ま
た、担体に担持された触媒を使用する際の金属の含有量
に特に制限はなく、0.01〜30重量%の範囲のもの
が使用可能である。また、同時に2種類以上の金属を含
有する多元触媒も使用できる。具体例を挙げれば、ロジ
ウム−ルテニウム、ロジウム−白金、ロジウム−酸化白
金等の組み合わせがあり、これらの中でロジウム−ルテ
ニウムが好ましい。なお、多元触媒もまた、上記に挙げ
たような担体に担持されたものでもよく、その際のそれ
ぞれの金属含有量も0.01〜30重量%の範囲のもの
が使用可能である。また、触媒量は、4−フルオロ−t
−5−(ピリミジン−2−イル)オキシ−4−r−シク
ロヘキセンカルボン酸エステル誘導体に対して、0.1
〜500重量%になるような範囲で使用できる。
【0044】さらに、本発明による反応は、無溶媒で行
ってもよいが、通常は酢酸、プロピオン酸、トリフルオ
ロ酢酸等の有機酸系溶媒;メタノール、エタノール、イ
ソプロピルアルコール、第三ブチルアルコール等のアル
コール系溶媒;ジエチルエーテル、ジオキサン、テトラ
ヒドロフラン等のエーテル系溶媒;酢酸メチル、酢酸エ
チル等のエステル系溶媒;ジメチルホルムアミド等の非
プロトン性極性溶媒;シクロヘキサン等の炭化水素系溶
媒;または水等の溶媒中、あるいはこれらの混合溶媒が
用いられる。使用される溶媒の量は、2−オキソシクロ
アルカンカルボン酸1gあたり、1〜100mlが適当
である。
【0045】本発明の反応ガスとしては、純粋な水素ガ
スを使用することが好ましいが、必要に応じて例えば窒
素、メタン、アルゴン等の目的反応を妨害しない不活性
ガスを任意の割合で混合して使用することもできる。こ
の反応における圧力には特に制限はないが、常圧から2
00kg/cm2の範囲が適当であり、また、反応の際の温度
にも特に制限はないが、反応液の凝固点から300℃の
範囲が望ましい。さらに、反応系に助触媒や、反応系に
添加することにより触媒能の上昇をもたらす促進剤とし
て、トリエチルアミン、水酸化ナトリウム、燐酸、酢
酸、硫酸等を添加して反応を行うこともでき、あるい
は、反応の阻害剤を添加して反応を行うこともできる。
【0046】この反応における反応時間は、反応スケー
ル、使用する触媒や上記の反応条件によって異なるが、
通常1〜120時間で4−フルオロ−t−5−(ピリミ
ジン−2−イル)オキシ−4−r−シクロヘキセンカル
ボン酸誘導体から1−フルオロ−t−2−(ピリミジン
−2−イル)オキシ−1−r−シクロヘキサンカルボン
酸誘導体を得ることができる。また、反応終了後は、触
媒を濾別した後濾液を濃縮し、濃縮残差を蒸留、再結晶
またはシリカゲルカラムクロマトグラフィー等の手段で
精製することにより、目的とする1−フルオロ−t−2
−(ピリミジン−2−イル)オキシ−1−r−シクロヘ
キサンカルボン酸誘導体を単離することができる。
【0047】本発明における均一系接触水素添加触媒
は、反応物質と均一な反応系中において、炭素・炭素原
子間等の不飽和結合に対して、水素付加反応の促進効果
を有するものである。本発明に使用される均一系触媒は
第VIII属金属元素の錯化合物であるが、例えばクロロト
リス(トリフェニルホスフィン)ロジウム(I)[Rh
Cl(PPh33]、ヒドリドカルボニルトリス(トリ
フェニルホスフィン)ロジウム(I)[RhH(CO)
(PPh33]、酢酸ロジウム(II)[Rh2(OCOC
34]、クロロヒドリドトリス(トリフェニルホスフ
ィン)ルテニウム(II)[RuClH(PPh33]、
カルボキシラートヒドリドトリス(トリフェニルホスフ
ィン)ルテニウム(II)[Ru(OCOR)H(PPh
33]、白金(II)−塩化スズ錯体[Pt(SnC
35]、トリス(トリフェニルホスフィン)コバルト
(III)[CoH3(PPh33]などが挙げられる。触
媒量は4−シクロヘキセンカルボン酸誘導体に対して、
0.001〜2.0重量%の範囲で使用されるのが適当
である。
【0048】この反応は、無溶媒で行ってもよいが、通
常はベンゼン、トルエン等の芳香属炭化水素系溶媒;酢
酸、プロピオン酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶
媒;メタノール、エタノール、イソプロピルアルコー
ル、第三ブチルアルコール等のアルコール系溶媒;ジエ
チルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエ
ーテル系溶媒;酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル系
溶媒;ジメチルホルムアミド等の非プロトン性極性溶
媒;シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒、あるいはこれ
らの混合溶媒が用いられる。溶媒の量は、4−シクロヘ
キセンカルボン酸誘導体1gあたり、1〜100mlが
適当である。反応ガスとしては、純粋な水素ガスを使用
することが好ましいが、必要に応じて例えば窒素、メタ
ン、アルゴン等の目的反応を妨害しない不活性ガスを任
意の割合で混合して使用することもできる。
【0049】この反応における圧力は特に制限はない
が、常圧から200kg/cm2の範囲が適当であり、また、
反応の際の温度にも特に制限はないが、反応液の凝固点
から300℃の範囲が望ましい。反応時間は、反応スケ
ール、使用する触媒や上記の反応条件によって異なるが
1〜120時間で4−フルオロ−t−5−(ピリミジン
−2−イル)オキシ−4−r−シクロヘキセンカルボン
酸誘導体からt−1−フルオロ−2−(ピリミジン−2
−イル)オキシ−1−r−シクロヘキサンカルボン酸誘
導体を得ることができる。また、反応終了後は、触媒を
濾別した後濾液を濃縮し、濃縮残差を蒸留、再結晶また
はシリカゲルカラムクロマトグラフィー等の手段で精製
することにより、目的とする1−フルオロ−t−2−
(ピリミジン−2−イル)オキシ−1−シクロヘキサン
カルボン酸誘導体を単離することができる。
【0050】本発明によれば、前記一般式(I)で表さ
れる4−フルオロ−t−5−(ピリミジン−2−イル)
オキシ−4−シクロヘキセンカルボン酸誘導体は除草活
性を有する新規化合物であり、これを有効成分として含
有する除草剤が提供される。本発明の前記誘導体を除草
剤として用いる場合には、担体もしくは希釈剤、添加
剤、及び補助剤等と公知の手法で混合して、通常農薬と
して用いられる製剤形態、例えば粉剤、粒剤、水和剤、
乳剤、水溶剤、フロアブル剤等に調製して使用される。
また他の農薬、例えば殺菌剤、殺虫剤、殺ダニ剤、除草
剤、植物生長調節剤、肥料及び土壌改良剤等と混合又は
併用して使用することができる。特に、他の除草剤と混
合使用することにより、使用薬量を減少させ、また省力
化をもたらすのみならず、両薬剤の共力作用による殺草
スペクトラムの拡大及び相乗作用による一層高い効果も
期待できる。
【0051】製剤に際して用いられる担体もしくは希釈
剤としては、一般に使用される固体ないしは液体の担体
が挙げられる。固体担体としては、例えば、カオリナイ
ト群、モンモリロナイト群、イライト群あるいはポリゴ
スカイト群等で代表されるクレー類;詳しくはパイロフ
イライト、アタパルジャイト、セピオライト、カオリナ
イト、ベントナイト、バーミキュライト、雲母、タルク
等;石膏、炭酸カルシウム、ドロマイト、けいそう土、
マグネシウム石灰、りん灰石、ゼオライト、無水ケイ
酸、合成ケイ酸カルシウム等のその他無機物質;大豆
粉、タバコ粉、クルミ粉、小麦粉、木粉、でんぷん、結
晶セルロース等の植物性有機物質;クマロン樹脂、石油
樹脂、アルキッド樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリアルキレ
ングリコール、ケトン樹脂、エステルガム、コーバルガ
ム、ダンマルガム等の合成又は天然の高分子化合物;カ
ルナウバロウ、蜜ロウ等のワックス類あるいは尿素等が
例示できる。
【0052】適当な液体担体としては、例えば、ケロシ
ン、鉱油、スピンドル油、ホワイトオイル等のパラフィ
ン系又はナフテン系炭化水素;キシレン、エチルベンゼ
ン、クメン、メチルナフタリン等の芳香族炭化水素;ト
リクロルエチレン、モノクロルベンゼン、オルトクロル
トルエン等の塩素化炭化水素;ジオキサン、テトラヒド
ロフランのようなエーテル類;アセトン、メチルエチル
ケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、アセ
トフェノン、イソホロン等のケトン類;酢酸エチル、酢
酸アミル、エチレングリコールアセテート、ジエチレン
グリコールアセテート、マレイン酸ジブチル、コハク酸
ジエチル等のエステル類;メタノール、n−ヘキサノー
ル、エチレングリコール、ジエチレングリコール、シク
ロヘキサノール、ベンジルアルコール等のアルコール
類;エチレングリコールエチルエーテル、ジエチレング
リコールブチルエーテル等のエーテルアルコール類;ジ
メチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の極性溶
媒あるいは水等が挙げられる。
【0053】その他に本発明の化合物の乳化、分散、湿
潤、展着、拡展、結合、崩壊性調節、有効成分安定化、
流動性改良、防錆、凍結防止等の目的で界面活性剤その
他の補助剤を使用することもできる。使用される界面活
性剤の例としては、例えば、非イオン性、陰イオン性、
陽イオン性及び両性イオン性のいずれも使用しうるが、
通常は非イオン性及び/又は陰イオン性のものが使用さ
れる。適当な非イオン性界面活性剤としては、例えば、
ラウリルアルコール、ステアリルアルコール、オレイル
アルコール、等の高級アルコールにエチレンオキシドを
重合付加させた化合物;ブチルナフトール、オクチルナ
フトール等のアルキルナフトールにエチレンオキシドを
重合付加させた化合物;パルミチン酸、ステアリン酸、
オレイン酸等の高級脂肪酸にエチレンオキシドを重合付
加させた化合物;ソルビタン等の多価アルコールの高級
脂肪酸エステル及びそれにエチレンオキシドを重合付加
させた化合物等が挙げられる。
【0054】適当な陰イオン性界面活性剤としては、例
えば、ラウリル硫酸ナトリウム、オレイルアルコール硫
酸エステルアミン塩等のアルキル硫酸エステル塩、スル
ホこはく酸ジオクチルエステルナトリウム、2−エチル
ヘキセンスルホン酸ナトリウム等のアルキルスルホン酸
塩、イソプロピルナフタレンスルホン酸ナトリウム、メ
チレンビスナフタレンスルホン酸ナトリウム、リグニン
スルホン酸ナトリウム、ドデシルベンゼンスルホン酸ナ
トリウム等のアリールスルホン酸塩等が挙げられる。
【0055】更に、本発明の除草剤には、製剤の性状を
改善し、効果を高める目的で、カゼイン、ゼラチン、ア
ルブミン、ニカワ、アルギン酸ソーダ、カルボキシメチ
ルセルロース、メチルセルロース、ヒドロキシエチルセ
ルロース、ポリビニルアルコール等の高分子化合物や他
の補助剤を併用することもできる。上記の担体及び種々
の補助剤は製剤の剤系、適用場面等を考慮して、目的に
応じてそれぞれ単独あるいは組み合わせて適宜使用され
る。
【0056】このようにして得られた各種製剤形におけ
る本発明化合物有効成分含有率は製剤形により種々変化
するものであるが、通常0.1〜99重量%が適当であ
り、好ましくは1〜80重量%が最も適当である。水和
剤の場合は、例えば有効成分化合物を通常25〜90%
含有し、残部は固体担体及び分散湿潤剤であって、必要
に応じて保護コロイド剤、消泡剤等が加えられる。粒剤
の場合は、例えば有効成分化合物を通常1〜35重量%
含有し、残部は固体担体及び界面活性剤である。有効成
分化合物は固体担体と均一に混合されているか、あるい
は固体担体の表面に均一に固着又は吸着されており、粒
の径は約0.2ないし1.5mmである。乳剤の場合
は、例えば有効成分化合物を通常5〜30重量%含有し
ており、これに約5ないし20重量%の乳化剤が含ま
れ、残部は液体担体であり、必要に応じて展着剤及び防
錆剤等が加えられる。フロアブル剤の場合は、例えば有
効成分化合物を通常5〜50重量%含有しており、これ
に3ないし10重量%の分散湿潤剤が含まれ、残部は水
であり必要に応じて保護コロイド剤、防腐剤、消泡剤等
が加えられる。
【0057】本発明の前記一般式(I)の化合物誘導体
は、化合物そのまま、あるいは上述した様な任意の製剤
形態で除草剤として使用することができる。本発明の組
成物は、水田及び、畑地等の農耕地並びに非農耕地に生
育する発生前から生育期までの諸雑草に適用できる。そ
の施用量は有効成分量として1ha当たり、0.1〜1
0,000g程度、好ましくは1〜5,000g程度で
ある。またその施用量は、目的とする雑草の種類、生育
段階、施用場所、天候等によって、適宜に選択変更でき
る。
【0058】
【実施例】以下の実施例により本発明をさらに詳細に説
明する。 実施例1エチル t−5−アセトキシ−4−フルオロ−4−r−
シクロセキセンカルボキシレートの合成 スティール製30mlのオートクレーブに(Z)−3−ア
セトキシ−2−フルオロ−アクリル酸エチル0.55
g、ハイドロキノン0.03g、トルエン3mlを加
え、密閉した。反応器をドライアイス−アセトンにより
冷却後、容器内部を減圧にした。ブタジエン5gを導入
後、内部温度を235〜240℃に加熱後、6時間撹拌
した。冷却後、反応容器にジクロロメタン30mlを加
え、不溶物を濾別した。濾液を濃縮後、シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー(展開溶液;n−ヘキサン:酢酸
エチル=6:1)で精製し、目的のエチル t−5−ア
セトキシ−4−フルオロ−4−r−シクロセキセンカル
ボキシレート0.27gを得た。19 F−NMR:−179.1ppm(ddd,J=16.7Hz,J=26.6H
z,J=37.1Hz)1 H−NMR:5.69ppm(m,1H),5.59ppm(m,1H),
5.34ppm(ddd,1H,J=6.3Hz,J=10.2Hz,J=26.6Hz),
4.27ppm(m,2H),2.8〜2.25ppm(m,4H),2.06ppm
(s,3H),1.30(t,3H)
【0059】実施例2エチル 4−フルオロ−t−5−ヒドロキシ−4−r−
シクロヘキセンカルボキシレートの合成 実施例1の方法で合成したエチル t−5−アセトキシ
−4−フルオロ−4−r−シクロセキセンカルボキシレ
ート3.5gのエタノール50ml溶液に触媒量(約
0.02g)の水素化ナトリウムを加え、室温で2時間
撹拌した。反応液を塩酸で中和後、濃縮し、酢酸エチル
(30ml)と水(30ml)を加え、抽出した。有機
層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去し粗生
成物を得た。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー(n−ヘキサン:酢酸エチル=4:1)で生成し、目
的の4−フルオロ−t−5−ヒドロキシ−4−r−シク
ロヘキセンカルボン酸エチルエステル2.5g(収率8
7.4%)を得た。19 F−NMR:−183.3ppm(ddd,J=17.5Hz,J=26.9H
z,J=37.6Hz)1 H−NMR:5.69ppm(1H,m),5.54ppm(1H,m),
4.23ppm(2H,q,J=7.1Hz),4.18ppm(1H,ddd,J=6.3
Hz,J=10.2Hz,J=26.4Hz),2.85〜2.2ppm(4H,m),1.
33ppm(3H,t,J=7.1Hz)
【0060】実施例3エチル t−2−(4、6−ジメトキシピリミジン−2
−イル)オキシ−1−フルオロ−4−r−シクロヘキセ
ンカルボキシレート(化合物番号1)の合成 実施例2の方法で得られたエチル 1−フルオロ−t−
2−ヒドロキシ−4−r−シクロヘキセンカルボキシレ
ート0.9gのジメチルホルムアミド7ml溶液に60
%水素化ナトリウム0.21gを氷冷下、撹拌しながら
加えた。反応液に4,6−ジメトキシ−2−メタンスル
ホニルピリミジン1.25g加え、2時間撹拌した。反
応液に酢酸エチル30ml及び水30mlを加え抽出し
た。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後溶媒を留去
した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(n−ヘ
キサン:酢酸エチル=6:1)で精製し目的のエチル
t−2−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イル)
オキシ−1−フルオロ−4−r−シクロヘキセンカルボ
キシレート1.2g(収率77%)を得た。19 F−NMR:−179.4ppm(ddd,J=16.7Hz,J=26.9H
z,J=37.0Hz)1 H−NMR:5.71ppm(1H,s),5.8〜5.56(3H,
m),4.21Hz(2H,m),3.90ppm(6H,s),2.93〜2.
44(4H,m),1.19ppm(2H,t,J=7.1Hz)
【0061】実施例4エチル t−2−(4−クロロ−6−メトキシピリミヂ
ン−2−イル)オキシ−1−フルオロ−4−r−シクロ
ヘキセンカルボキシレート(化合物番号10)の合成 エチル 1−フルオロ−t−2−ヒドロキシ−4−r−
シクロヘキセンカルボキシレート1.0gのトルエン1
0ml溶液に60%水素化ナトリウム0.23gを氷冷
下、撹拌しながら加えた。反応液に4−クロロ−6−メ
トキシ−2−メタンスルホニルピリミジン1.4g加
え、2時間撹拌した。反応液に酢酸エチル30ml及び
水30mlを加え抽出した。有機層を無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥後溶媒を留去した後、シリカゲルカラムクロ
マトグラフィー(n−ヘキサン:酢酸エチル=6:1)
で精製し目的のエチル t−2−(4−クロロ−6−メ
トキシピリミジン−2−イル)オキシ−1−フルオロ−
4−r−シクロヘキセンカルボキシレート1.35g
(収率77%)を得た。19 F−NMR:−179.3ppm(ddd)1 H−NMR:6.39ppm(1H,s),5.75〜5.52ppm(3H,
m),4.2ppm(2H,m),3.93ppm(3H,s),2.9〜2.35p
pm(4H,m)1.19ppm(3H,t)
【0062】実施例5t−2−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イル)
オキシ−1−フルオロ−4−r−シクロヘキセンカルボ
ン酸(化合物番号2)の合成 エチル t−2−(4,6−ジメトキシピリミジン−2
−イル)オキシ−1−フルオロ−4−r−シクロヘキセ
ンカルボキシレート0.5gをメタノール7mlに溶か
した溶液に、水酸化ナトリウム0.17gを水1mlに
溶かした溶液を加え、室温で2時間撹拌した。反応液に
水20ml、エーテル20mlを加え抽出した。水層を
塩酸で中和後、ジクロロメタン20mlで2回抽出し
た。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留
去して目的のt−2−(4,6−ジメトキシピリミジン
−2−イル)オキシ−1−フルオロ−4−r−シクロヘ
キセンカルボン酸 0.40g(収率87.5%)を得
た。19 F−NMR:−178.1ppm(ddd,J=17.0Hz,J=27.0H
z,J=37.0Hz)1 H−NMR:8.1〜7.8(1H,broad),5.69ppm(1H,
s),5.77〜5.51ppm(3H,m),3.86ppm(6H,s),2.9
8〜2.37ppm(4H,m)
【0063】実施例6t−2−(4−クロロ−6−メトキシピリミジン−2−
イル)オキシ−1−フルオロ−4−r−シクロヘキセン
カルボン酸(化合物番号8)の合成 エチル t−2−(4−クロロ−6−メトキシピリミジ
ン−2−イル)オキシ−1−フルオロ−4−r−シクロ
ヘキセンカルボキシレート0.70gをジオキサン8m
lに溶かした溶液に、水酸化ナトリウム0.19gを水
1mlに溶かした溶液を加え、室温で2時間撹拌した。
反応液に水20ml、エーテル20mlを加え抽出し
た。水層を塩酸で中和後、ジクロロメタン20mlで2
回抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、
溶媒を留去して目的のt−2−(4−クロロ−6−メト
キシピリミジン−2−イル)オキシ−1−フルオロ−4
−r−シクロヘキセンカルボン酸 0.60g(収率8
9.0%)を得た。19 F−NMR:−178.2ppm1 H−NMR:6.41ppm(1H,s),5.78〜5.50ppm(3H,
m),2.96〜2.35ppm(4H,m)
【0064】実施例7エチル t−2−(4,6−ジメトキシピリミジン−2
−イル)オキシ−1−フルオロ−4−r−シクロヘキサ
ンカルボキシレート(化合物番号101)の合成 エチル t−2−(4,6−ジメトキシピリミジン−2
−イル)オキシ−1−フルオロ−4−r−シクロヘキセ
ンカルボキシレート(化合物番号1)0.11gのエタ
ノール10ml溶液にラネーニッケルW2(「新実験化
学講座」15巻397ペ−ジ(日本化学会編 昭和52
年 丸善株式会社発行)に従って調整した。)0.10
gを加え、水素ガスで置換した。マグネチックスターラ
ーで、室温で4時間撹拌した。反応液をセライトでろ過
し触媒を除去した後、溶媒を留去し、目的のエチル t
−2−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イル)オ
キシ−1−フルオロ−4−r−シクロヘキサンカルボキ
シレート0.10g(収率91%)を得た。19 F−NMR:−182.4ppm1 H−NMR:5.63ppm(1H,s),5.02〜5.42ppm(1H,
m),4.15ppm(2H,q,J=7Hz),3.90ppm(6H,s),1.
33〜2.42ppm(8H,m),1.17ppm(3H,t,J=7Hz)
【0065】実施例8t−2−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イル)
オキシ−1−フルオロ−N−メチルスルフォニル−4−
r−シクロヘキセンカルボキサミド(化合物番号23)
の合成 実施例5に従って合成したt−2−(4,6−ジメトキ
シピリミジン−2−イル)オキシ−1−フルオロ−4−
r−シクロヘキセンカルボン酸0.50gのアセトニト
リル溶液10mlにトリエチルアミン0.64mlを加
え、次いで50℃でさらに2−クロル−N−メチルピリ
ジニウムイオダイド0.50gを加えた。この混合物を
50℃で30分間撹拌し、次いでメチルスルフォンアミ
ド0.54gとトリエチルアミン0.32mlを加え、
50℃でさらに30分間撹拌した。この混合物を室温ま
で冷却し、さらに室温で14時間撹拌した。アセトニト
リルを減圧下で留去し、水5ml、2N塩酸1mlを加
え、反応溶液をpH2まで酸性化した。この溶液にエー
テル10mlを加え、激しく1時間撹拌し、粗結晶を得
た。これをシリカゲルカラムクロマトグラフイー(クロ
ロホルム:メタノール=95:5)で精製し、目的のt
−2−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イル)オ
キシ−1−フルオロ−N−メチルスルフォニル−4−r
−シクロヘキセンカルボキサミド0.28g(収率45
%)を得た。1 H−NMR:8.86ppm(1H,bs),5.73ppm(1H,s),
5.80〜5.37ppm(3H,m),3.90ppm(6H,s),3.18ppm
(3H,s),3.11〜2.10ppm(4H,m)
【0066】次に、本発明の化合物を用いた製剤例の数
様態を示す。なお、下記製剤中の「部」は重量基準であ
る。 製剤例1(乳剤) 化合物番号1 20部 キシレン 50部 シクロヘキサノン 20部 ドデシルベンゼンスルホン酸カルシウム 5部 ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテル 5部 以上を均一に混合溶解して乳剤100部を得た。
【0067】 製剤例2(水和剤) 化合物番号1 20部 クレー 70部 リグニンスルホン酸カルシウム 7部 アルキルナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物 3部 以上を混合し、ジェットミルで粉砕して水和剤100部
を得た。
【0068】 製剤例3(フロアブル剤) 化合物番号1 20部 スルホコハク酸ジ−2−エチルヘキシルエステルナトリウム塩 2部 ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル 2部 消泡剤 0.5部 プロピレングリコール 5部 水 70.5部 以上を湿式ボールミルで均一に粉砕混合し、フロアブル
剤100部を得た。上述の製剤例に準じて本発明の化合
物を用いた除草剤がそれぞれ製剤できる。
【0069】次に、本発明化合物の除草効果を試験例を
挙げて説明する。 試験例1(水田土壌処理) 130cm2プラスチックポットに水田土壌を充填し、
適量の水と化学肥料を加えて混練し水田状態とした。こ
れに、予め葉数が2枚になる様に温室内で生育させた水
稲苗(品種:コシヒカリ)を2本1株として1株/ポッ
ト移植し、更に、ノビエ、コナギ、アゼナ及びホタルイ
の各種子を一定量播種し、水深3cmに湛水した。翌
日、製剤例2に準じて水和剤を調製し、有効成分で1h
a当り1kgとなるように適量の水で希釈して、ピペッ
トで滴下処理した。薬剤処理を行ってから21日後に、
各雑草への除草効果及び水稲に対する薬害程度を下記の
基準に従って判別した。その結果を第3表に示す。
【0070】
【表5】
【0071】
【表6】
【0072】試験例2(水田茎葉処理) 130cm2プラスチックポットに水田土壌を充填し、
適量の水と化学肥料を加えて混練し水田状態とした。こ
れに、予め葉数が2枚になる様に温室内で生育させた水
稲苗(品種:コシヒカリ)を2本1株として1株/ポッ
ト移植し、更に、ノビエ、コナギ、アゼナ及びホタルイ
の各種子を一定量播種し、水深3cmに湛水した。ノビ
エが1.5葉期になるまで温室内で生育させた後、製剤
例2に準じて水和剤を調製し、有効成分で1ha当り1
kgとなるように適量の水で希釈して、ピペットで滴下
処理した。薬剤処理を行ってから21日後に、各雑草へ
の除草効果及び水稲に対する薬害程度を試験例1の基準
に従って判別した。その結果を第4表に示す。
【0073】
【表7】
【0074】試験例3(畑地土壌処理) 130cm2プラスチックポットに畑地土壌を充填し、
ノビエ、メヒシバ、エノコログサ、イチビ、オナモミ、
タデ及びシロバナチョウセンアサガオの各種子を一定量
ずつ播種した後、1cmの覆土をした。播種翌日、製剤
例2に準じて水和剤を調製し、有効成分で1ha当り1
kgとなるように適量の水で希釈して土壌表面にむらな
く散布した。薬剤散布を行ってから21日後に、各雑草
への除草効果を試験例1の基準に従って判別した。その
結果を第5表に示す。
【0075】
【表8】
【0076】試験例4(畑地茎葉処理) 130cm2プラスチックポットに畑地土壌を充填し、
ノビエ、メヒシバ、エノコログサ、イチビ、オナモミ、
タデ及びシロバナチョウセンアサガオの各種子を一定量
ずつ播種した後、1cmの覆土をした。播種後ポットを
ガラス温室に置き、各植物が2〜4葉期になるまで育成
した後、製剤例2に準じて水和剤を調製し、有効成分で
1ha当り1kgとなるように適量の水で希釈して植物
葉面ににむらなく散布した。薬剤散布を行ってから21
日後に、各雑草への除草効果を試験例1の基準に従って
判別した。その結果を第6表に示す。
【0077】
【表9】
【0078】
【発明の効果】本発明の前記一般式(I)で表される化
合物は、水田に発生するヒエ、タマガヤツリ、コナギ、
キカシグサ、アゼナ、アブノメ等の一年生雑草及びホタ
ルイ、マツバイ、ヘラオモダカ、ミズガヤツリ等の多年
生雑草の発芽時から生育期の広い範囲にわたって、極め
て低い薬量で優れた除草効果を発揮すると同時に、移植
水稲、湛水直播水稲及び乾田直播稲に対しては高い安全
性を有するものである。また、畑地においても問題とな
る種々の雑草、例えばタデ、アオビユ、シロザ等の広葉
雑草をはじめ、ハマスゲ、キハマスゲ、ヒメクグ、カヤ
ツリグサ、コゴメガヤツリ等の多年生及び一年生カヤツ
リグサ科雑草、ヒエ、メヒシバ、エノコログサ、スズメ
ノカタビラ、ジョンソングラス、ワイドオート、スズメ
ノテッポウ等のイネ科雑草に対して、土壌処理あるいは
茎葉処理で高い除草効果を示すと同時に大豆、綿、砂糖
ダイコン、ナタネ、ヒマワリ、トウモロコシ、陸稲、小
麦等に対しては高い安全性を示すという特徴を有する。
更に、水田、畑地のみならず、果樹園、桑園、芝生、非
農耕地においても使用することができる。また、本発明
化合物を公知化合物と混合して使用すると、それぞれの
化合物単剤では防除困難な雑草に対して完全な除草効果
を示すと共に、相乗的な除草効果により単剤では防除困
難な薬量においても種々の雑草を有効に防除し、且つ水
稲、大豆、綿、砂糖ダイコン、ナタネ、ヒマワリ、トウ
モロコシ、陸稲、小麦等に対して高い安全性を示し、農
業上非常に有用な除草剤を提供することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村田 哲也 茨城県稲敷郡阿見町中央8丁目3番1号 三菱油化株式会社筑波総合研究所内 (72)発明者 青木 孝子 茨城県稲敷郡阿見町中央8丁目3番1号 三菱油化株式会社筑波総合研究所内 (72)発明者 日暮 理加 茨城県稲敷郡阿見町中央8丁目3番1号 三菱油化株式会社筑波総合研究所内 (72)発明者 古峰 美樹 茨城県稲敷郡阿見町中央8丁目3番1号 三菱油化株式会社筑波総合研究所内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記一般式(I): 【化1】 [式中、R1はハロゲン原子、低級アルキル基、低級ア
    ルコキシ基を示し、R2は低級アルキル基、低級ハロア
    ルキル基を示し、R3は水酸基、低級アルコキシ基、低
    級アルケニルオキシ基、低級アルキニルオキシ基、低級
    アルコキシカルボニルアルコキシ基、低級アルキルスル
    フォニルアミノ基またはその農学的に許容される塩を示
    す。]で表わされる4−フルオロ−t−5−(ピリミジ
    ン−2−イル)オキシ−4−r−シクロヘキセンカルボ
    ン酸誘導体。
  2. 【請求項2】 下記一般式(I): 【化2】 [式中、R1はハロゲン原子、低級アルキル基、低級ア
    ルコキシ基を示し、R2は低級アルキル基、低級ハロア
    ルキル基を示し、R3は水酸基、低級アルコキシ基、低
    級アルケニルオキシ基、低級アルキニルオキシ基、低級
    アルコキシカルボニルアルコキシ基、低級アルキルスル
    フォニルアミノ基またはその農学的に許容される塩を示
    す。]で表わされる4−フルオロ−t−5−(ピリミジ
    ン−2−イル)オキシ−4−r−シクロヘキセンカルボ
    ン酸誘導体を有効成分として含有する除草剤。
  3. 【請求項3】 下記一般式(I): 【化3】 [式中、R1はハロゲン原子、低級アルキル基、低級ア
    ルコキシ基を示し、R2は低級アルキル基、低級ハロア
    ルキル基を示し、R3は水酸基、低級アルコキシ基、低
    級アルケニルオキシ基、低級アルキニルオキシ基、低級
    アルコキシカルボニルアルコキシ基、低級アルキルスル
    フォニルアミノ基またはその農学的に許容される塩を示
    す。]で表わされる4−フルオロ−t−5−(ピリミジ
    ン−2−イル)オキシ−4−r−シクロヘキセンカルボ
    ン酸誘導体を不均一系または均一系接触水素添加触媒の
    存在下、水素と接触せしめることを特徴とする下記一般
    式(II): 【化4】 [式中、R1およびR2は前記と同じ意味を示し、R4
    水酸基、低級アルコキシ基、低級アルコキシカルボニル
    アルコキシ基、低級アルキルスルフォニルアミノ基また
    はその農学的に許容される塩を示す。]で表される1−
    フルオロ−t−2−(ピリミジン−2−イル)オキシ−
    1−r−シクロヘキサンカルボン酸誘導体の製造法。
JP23640293A 1993-09-22 1993-09-22 4−フルオロ−t−5−(ピリミジン−2−イル)オキシ−4−r−シクロヘキセンカルボン酸誘導体 Pending JPH0789942A (ja)

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